JP2006272564A - マイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属基板上に巾1mm以下、高さ1mm以下のマイクロチャネル形成用の金属突起部を有するマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法であって、金属基板上にマクロチャネル状突起部及びダミー突起部を形成する工程、及びマイクロチャネル状突起部上面部及びダミー突起部上面部を研磨する工程、を含むことを特徴とするマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
【選択図】図1
Description
シリコンウエハを使用したマイクロフルイディクス製作技術としては、IC製造技術で培われてきた微細加工技術とシリコンウエハの結晶方位またはエッチャントの種類によるエッチング速度、エッチング特性の違いを利用した化学的エッチング手法である異方性エッチング法、物理的エッチング手法であるプラズマエッチング法、犠牲層を利用したエッチング法等、シリコンウエハに特殊なマイクロフルイディクス製作方法が開発され様々な形状が作製できることから研究者の注目を集めてきたが、シリコンウエハ性マイクロフルイディクスの接着方法として電気熱融着法が挙げられるが高温で電気動通させるため表面にダメージが発生しやすく、また接着剤による接着方法もあるが接着強度、信頼性に問題があるとされシリコンウエハを用いたマイクロフルイディクスの欠点の1つとなっている。
プラスチック材料のマイクロ加工技術として鋳型を使用するインジェクション成型、ホットエンボッシング、鋳型等が挙げられ、この中でもインジェクション成型法は大量生産に向いており注目されている。鋳型を使用しないプラスチック加工方法としてプラスチックにエンドミルで直接マイクロチャネルを作製する切削法(特許文献1)、レーザー光でプラスチック基板上にマイクロチャネルを作製するレーザー法が挙げられるが量産性の意味で課題が多く研究用途の試作レベルでのみ実用化されているのが現状である。インジェクション成形では型キャビティ内へ溶融した熱可塑性プラスチック材料を導入し、キャビティを冷却させて樹脂を硬化させることで、効率よく経済的にマイクロチップ基板を製造でき、大量生産に適している。ホットエンボッシング法ではガラス転移点(Tg)付近に加熱されたプラスチック基板上に鋳型を押し付け鋳型の形状を転写させる方法で設備投資が少なく微細なマイクロチャネル形状の転写が可能であるが量産性においてはインジェクション成型法に劣る。鋳型法とは光硬化樹脂や熱硬化樹脂をマイクロ加工された鋳型に流し込み紫外線や電子線、熱を加えることにより重合させ離型することでマイクロチャネルを作製する方法である。硬化性プラスチックでは低温で加工できるため、装置やディバイスに熱や振動によるダメージを与えずにマイクロチップ基板を作製することが可能であるが、反応硬化時間、冷却時間が長く試作用途には向いているが量産にはあまり向いていない。
これらの加工技術により比較的性能の良好なプラスチック製マイクロチャネル基板を作製することが可能である。しかしプラスチック製マイクロチャネル基板にはまだ問題が有り、実用化が不十分である。問題点は様々あるが、その一つとして表面平滑性の不足が挙げられる。分析対象もしくは生産対象の化学物質を検出するために、通常は光学的検出装置、たとえば蛍光強度の確認や、熱レンズ顕微鏡による検出、IRスペクトルやUVスペクトルによる検出などが好適に行われるが、その多くはチップに光を入射し、反対面もしくは入射面から光の強度を確認するという方式である。それゆえプラスチック製、非プラスチック製を問わずマイクロチャネル底部の表面平滑性が低いと分析対象もしくは生産対象の化学物質の検出感度が大幅に低下する為、マイクロチャネル底部は表面平滑性が高いことが要求されている(特許文献2)。
本田宣昭、化学工学、第66巻、第2号、P71−74(2002)
(1)金属基板上に巾1mm以下、高さ1mm以下のマイクロチャネル形成用の金属突起部を有するマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法であって、金属基板上にマクロチャネル状突起部及びダミー突起部を形成する工程、
及びマイクロチャネル状突起部上面部及びダミー突起部上面部を研磨する工程、を含むことを特徴とするマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
(2)前記金属基板上にマクロチャネル状突起部及びダミー突起部を形成する工程において、ダミー突起部の高さがマイクロチャネル突起部の高さ以上に形成されている(1)記載のマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
(3)前記金属基板上にマクロチャネル状突起部及びダミー突起部を形成する工程において、シリコン基板、ガラス基板、又はプラスチック基板をエッチング又は切削加工して原版を作製する工程、及び該原版に金属を電鋳する工程、
を含む(1)又は(2)記載の製マイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
(4)前記金属基板上にマクロチャネル状突起部及びダミー突起部を形成する工程において、金属基板上にフォトレジストをコートする工程、フォトリソ加工によりフォトレジストをパターニングする工程、及びパターニングした箇所に金属を電鋳する工程、を含む(1)又は(2)記載の製マイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
(5)前記マイクロチャネル状突起部及び前記ダミー突起部がニッケルを含む金属である(1)〜(4)いずれか記載のマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
(6)前記金属基板がニッケルを含む金属から構成されている(1)〜(5)いずれか記載のマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
(7)前記マイクロチャネル状突起部上面部及びダミー突起部上面部を研磨する工程において、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法で研磨する工程を含む(1)〜(6)いずれか記載のマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
(8)前記マイクロチャネル形成用の金属突起部の上面部の表面粗さ(Ra)が0.2μm以下である(1)〜(7)いずれか記載のマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
(9)(1)〜(8)いずれか記載のマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法により作製されたマイクロチャネル基板作製用鋳型。
(10)(9)記載のマイクロチャネル基板作製用鋳型を使用して、プラスチック基板にマイクロチャネルを形成したことを特徴とするプラスチック製マイクロチップ基板。
(11)前記マイクロチャネルの底部の表面粗さ(Ra)が0.2μm以下である(10)記載のプラスチック製マイクロチップ基板。
(12)前記プラスチック基板が飽和環状ポリオレフィンから構成されるものである(10)又は(11)記載のプラスチック製マイクロチップ基板。
(13)(10)〜(12)いずれか記載のプラスチック製マイクロチップ基板のマイクロチャネルの一部に核酸、タンパク質、糖鎖、糖タンパクのうち少なくとも一つを含む生理活性物質を固定化したマイクロチップ基板。
図1に本発明のマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法の一実施例となる断面概略図を示す。
図1(a)は、シリコン基板、ガラス基板又はプラスチック基板をエッチング又は切削加工によって作製した原版1に金属電鋳を施したものである。原版の材料はシリコン、ガラス、プラスチック等が一般的によく使用され加工技術も蓄積されているため好ましいが、特にこの材料に限定するものではない。加工方法としてもエッチング法や切削法が好ましく一般的に用いられているがマイクロチャネルが基板上に加工できる手法であれば特に限定しない。
図1(b)は原版より金属を電鋳し転写して得られた金属鋳型2である。電鋳する材料はニッケル(Ni)またはニッケル(Ni)を含む材料が機械特性や硬度、一般的に電鋳加工で使用され量産技術も確立しているため望ましいが、インジェクション成型、ホットエンボス等の加工に対し機械的、化学的、熱的に問題なく金属板表面に電鋳が可能であれば特に限定はしない。この状態の鋳型でもインジェクション成型法やホットエンボッシング法、鋳型法によりプラスチックを成型できるがマイクロチャネルの表面平滑性が良くなく精度を必要としないマイクロチップには使用できるが精度の高い、光学検出を用いるようなマイクロチップには使用できない。
図1(c)はマイクロチャネル状突起部分3とダミー突起部分4を一緒に研磨したあとの断面図である。ダミー部分と一緒にマイクロチャネル状突起部を研磨しているため、研磨する際の圧力がマイクロチャネル部分とダミー部分に分散するためマイクロチャネル状電鋳部が変形、欠落することを防いでいる。ダミー部分はマイクロチャネル状電鋳部を研磨工程時の圧力やずり力による変形から守る役割をしているためマイクロチャネル部分の厚み以上に厚いほうが好ましく、また、マイクロチャネル部分よりも大きな面積を研磨されるほうがマイクロチャネル部分に圧力を分散させられるため好ましい。
研磨方法としては、CMP(Chemical Mechanical Polishing)がSiウエハの研磨等で技術確立されており非常に優れた表面平滑性を作り出せることから望ましいが、メガネのレンズやコンタクトレンズの研磨に使用されるラッピングフィルムによる研磨方法、金属材料を研磨するときに使用されるバフ研磨方法等、所望の表面平滑性を作り出せる研磨方法であれば特に限定しない。マイクロチャネル状突起上面部の表面粗さ(Ra)は0.2μm以下が好ましく、さらに好ましくは0.1μm以下である。マイクロチャネル状突起上面部の表面粗さ(Ra)が0.2μmを超えると転写されるプラスチック製マイクロチャネルの表面が同等レベルの表面性となるため、熱レンズ顕微鏡等の光学系を利用した検出器で検出が不可能となる恐れがある。
このように作製された鋳型を使用しインジェクション成型法やホットエンボッシング法、鋳型法を用いてプラスチック製マイクロチャネル基板が作製される。作製されたプラスチック製マイクロチャネル基板のマイクロチャネル底部の表面粗さ(Ra)は0.2μm以下が好ましく、さらに好ましくは0.1μm以下である。マイクロチャネル状突起上面部の表面粗さ(Ra)が0.2μmを超えると熱レンズ顕微鏡等の光学系を利用した検出器で検出が不可能となる恐れがある。
図2(a)に金属板5上にフォトレジスト6が塗布された状態を示す。金属板はニッケル(Ni)もしくはニッケル(Ni)を含む金属材料が機械強度や硬度、電鋳の材料として広く使用されていることから好ましいが、インジェクション成型、ホットエンボス等の加工に対し機械的、化学的、熱的に問題なく金属板表面に電鋳が可能であれば特に限定はしない。フォトレジストの厚みは作製するマイクロチャネルの深さにより適宜決定されるが作製するマイクロチャネルの厚みより20〜50μm程度厚く塗布することが望ましい。フォトレジストの厚みが目標とするマイクロチャネル深さより薄くなると電鋳した際にフォトレジストのパターン部分よりはみ出し良好なマイクロチャネルが作製できない。また、フォトレジストの塗布方法としてはスピンコート法、バーコート法、ダイコート法、スクリーン印刷法等の手法があるが特に限定しない。
図2(b)はフォトレジストをパターニングしたあとの断面図であり、パターニングされた部分7,8は金属部分が表面に露出しているがその他の部分はフォトレジストに覆われ露出していない状態である。フォトレジストの露光、現像条件はフォトレジストの種類、塗布厚み等を考慮し適宜最適化した条件で加工する。
図2(c)はフォトレジストをパターニングした金属板に電鋳処理により金属を電鋳した時の断面図である。金属板が露出した部分のみが電鋳されマイクロチャネル状およびダミー状にパターニングされたフォトレジストによりマイクロチャネル形状に電鋳された金属部9およびダミー形状に電鋳された金属部10が金属板上で凸状になっている。電鋳処理する厚みは作製するマイクロチャネルの深さにより適宜決定されるが作製するマイクロチャネルの厚みより10〜30μm程度厚く電鋳することが望ましい。電鋳処理後に電鋳されたマイクロチャネル状突起部上部の表面平滑性を向上させるために研磨を実施するためその削り代を含めた厚みを電鋳しておく必要がある。10μm未満であると削り代が少なく希望する表面平滑性が得られない場合があり30μmを超えると研磨する厚みが多く研磨工程の時間が多く必要となり経済的に望ましくない。電鋳する材料はニッケル(Ni)またはニッケル(Ni)を含む材料が機械特性や硬度、一般的に電鋳加工で使用され量産技術も確立しているため望ましいが、インジェクション成型、ホットエンボス等の加工に対し機械的、化学的、熱的に問題なく金属板表面に電鋳が可能であれば特に限定はしない。
図2(d)は残ったフォトレジストを全て剥離した後の断面図であり、研磨処理前の鋳型の断面図となる。この状態の鋳型でもインジェクション成型法やホットエンボッシング法、鋳型法によりプラスチックを成型できるがマイクロチャネルの表面平滑性が良くなく精度を必要としないマイクロチップには使用できるが精度の高い、光学検出を用いるようなマイクロチップには使用できない。
図2(e)はマイクロチャネル状突起部分9とダミー突起部分10を一緒に研磨したあとの断面図である。ダミー部分と一緒にマイクロチャネル状突起部を研磨しているため、研磨する際の圧力がマイクロチャネル部分とダミー部分に分散するためマイクロチャネル状電鋳部が変形、欠落することを防いでいる。ダミー部分はマイクロチャネル状電鋳部を研磨工程時の圧力やずり力による変形から守る役割をしているためマイクロチャネル部分の厚み以上に厚いほうが好ましく、また、マイクロチャネル部分よりも大きな面積を研磨されるほうがマイクロチャネル部分に圧力を分散させられるため好ましい。研磨方法としては、CMP(Chemical Mechanical Polishing)がSiウエハの研磨等で技術確立されており非常に優れた表面平滑性を作り出せることから望ましいが、メガネのレンズやコンタクトレンズの研磨に使用されるラッピングフィルムによる研磨方法、金属材料を研磨するときに使用されるバフ研磨方法等、所望の表面平滑性を作り出せる研磨方法であれば特に限定しない。
マイクロチャネル状突起上面部の表面粗さ(Ra)は0.2μm以下が好ましく、さらに好ましくは0.1μm以下である。マイクロチャネル状突起上面部の表面粗さ(Ra)が0.2μmを超えると転写されるプラスチック製マイクロチャネルの表面が同等レベルの表面性となるため、熱レンズ顕微鏡等の光学系を利用した検出器で検出が不可能となる恐れがある。
このようにして作製された鋳型を使用しインジェクション成型法やホットエンボッシング法、鋳型法を用いてプラスチック製マイクロチャネル基板が作製される。作製されたプラスチック製マイクロチャネル基板のマイクロチャネル底部の表面粗さ(Ra)は0.2μm以下が好ましく、さらに好ましくは0.1μm以下である。マイクロチャネル状突起上面部の表面粗さ(Ra)が0.2μmを超えると熱レンズ顕微鏡等の光学系を利用した検出器で検出が不可能となる恐れがある。
例えば、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアセテート、ビニル−アセテート共重合体、スチレン−メチルメタアクリレート共重合体、アクリルニトリル−スチレン共重合体、アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ナイロン、ポリメチルペンテン、シリコン樹脂、アミノ樹脂、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルイミド、フッ素樹脂、ポリイミド等が挙げられる。
また、これらのプラスチック材料に、顔料、染料、酸化防止剤、難燃剤等の添加物を適宜混合してもよい。
縦70mm長さ、横30mm長さ、厚み1mmのアクリル樹脂基板に図3のような巾800μm、長さ50mm、深さ100μmのマイクロチャネル部12と巾3000μm、長さ50mm、深さ120μmのダミー部11を切削法にて形成した。切削加工の条件は、マイクロチャネル部分が800μm巾のエンドミルを使用し、エンドミルの回転数を15000rpm、送り速度0.5mm/秒、切削深さのピッチを50μm、ダミー部分が3000μm巾のエンドミルを使用し、エンドミルの回転数を15000rpm、送り速度0.5mm/秒、切削深さのピッチを60μmとした。切削時の切削粉を排出するため純水を定常的に基板上に流しつづけた状態で切削加工を実施した。得られたアクリル製マイクロチャネル底部の表面粗さ(Ra)は0.35μmであった。このアクリル製マイクロチャネルに金(Au)を蒸着し、その後Watt‘s電鋳液(Ni電鋳液)にて20mA/cm2の電流密度で10日間電鋳し、約4mm厚みのニッケル(Ni)鋳型を得た。このニッケル(Ni)鋳型のマイクロチャネル部上部の表面粗さ(Ra)を測定したところ0.35μmであった。CMP(Chemical Mechanical Polishing)研磨装置にて、6μmアルミナ粒子で3時間、3μmアルミナ粒子で3時間のポリッシングを実施したところ、マイクロチャネル状突起部上面の表面粗さRaは、0.04μmとなった。このニッケル(Ni)製鋳型を用いてインジェクション成型法にて飽和環状ポリオレフィン(COC)製マイクロチャネル基板を作製した。作製したプラスチック製マイクロチャネルの底部の表面粗さ(Ra)を測定したところ0.03μmであった。このマイクロチャネル基板上で熱レンズ顕微鏡を用いて検出感度を確認したところ良好な形で焦点が得られた。
厚さ15mm、直径100mmのニッケル(Ni)ディスクにSU−8 2075フォトレジスト(日本化薬マイクロケム製)を150μm厚みでスピンコートしオーブンにてプリベークした。プリベーク後、平行光露光機にて図3のような巾100μm、長さ50mm、深さ100μmのマイクロチャネル部12と巾3000μm、長さ50mm、深さ120μmのダミー部11をi線換算で300mJの照射量でパターン露光した。露光後、ポストベークを実施し、現像液にディピングし現像した。このマイクロチャネル状にパターン化されたフォトレジストが表面に存在するNiディスクに電極を取り付け、Watt‘s電鋳液(Ni電鋳液)を使用し10mA/cm2の電流密度で15時間電鋳を実施し125μm厚みのNi電鋳突起がNiディスク上に形成し残りのフォトレジストを現像液にて全て剥離した。マイクロチャネル状突起部上面の表面粗さRaを測定したところ、0.28μmであった。CMP(Chemical Mechanical Polishing)研磨装置にて、6μmアルミナ粒子で3時間、3μmアルミナ粒子で3時間のポリッシングを実施したところ、マイクロチャネル状突起部上面の表面粗さRaは、0.04μmとなった。このニッケル(Ni)製鋳型を用いてインジェクション成型法にて飽和環状ポリオレフィン(COC)製マイクロチャネル基板を作製した。作製したプラスチック製マイクロチャネルの底部の表面粗さ(Ra)を測定したところ0.02μmであった。このマイクロチャネル基板上で熱レンズ顕微鏡を用いて検出感度を確認したところ良好な形で焦点が得られた。
厚さ15mm、直径100mmのステンレス(SUS)ディスクにSU−8 2075フォトレジスト(日本化薬ケム製)を180μm厚みでスピンコートしオーブンにてプリベークした。プリベーク後、平行光露光機にて図3のような巾800μm、長さ50mm、深さ100μmのマイクロチャネル部12と巾3000μm、長さ50mm、深さ120μmのダミー部11をi線換算で300mJの照射量でパターン露光した。露光後、ポストベークを実施し、現像液にディピングし現像した。このマイクロチャネル状にパターン化されたフォトレジストが表面に存在するNiディスクに電極を取り付け、Watt‘s電鋳液(Ni電鋳液)を使用し15mA/cm2の電流密度で15時間電鋳を実施し150μm厚みのNi電鋳突起がSUSディスク上に形成し残りのフォトレジストを現像液にて全て剥離した。マイクロチャネル状突起部上面の表面粗さRaを測定したところ、0.32μmであった。3μmのアルミナ粒子をプラスチックフィルムに固定化したポリッシングフィルムにてポリッシングを実施したところ、マイクロチャネル状突起部上面の表面粗さRaは、0.08μmとなった。このニッケル(Ni)製鋳型を用いてホットエンボッシング法にてポリメチルメタクリレート(PMMA)プラスチック製マイクロチャネル基板を作製した。作製したプラスチック製マイクロチャネルの底部の表面粗さ(Ra)を測定したところ0.05μmであった。このマイクロチャネル基板上で熱レンズ顕微鏡を用いて検出感度を確認したところ良好な形で焦点が得られた。
縦70mm長さ、横30mm長さ、厚み1mmのアクリル樹脂基板に巾800μm、長さ50mm、深さ100μmのマイクロチャネルを切削法にて形成した。切削加工の条件は、800μm巾のエンドミルを使用し、エンドミルの回転数を15000rpm、送り速度0.5mm/秒、切削深さのピッチを50μmとした。切削時の切削粉を排出するため純水を定常的に基板上に流しつづけた状態で切削加工を実施した。得られたアクリル製マイクロチャネル底部の表面粗さ(Ra)は0.35μmであった。このアクリル製マイクロチャネルに金(Au)を蒸着し、その後Watt‘s電鋳液(Ni電鋳液)にて20mA/cm2の電流密度で10日間電鋳し、約4mm厚みのニッケル(Ni)鋳型を得た。このニッケル(Ni)鋳型のマイクロチャネル部上部の表面粗さ(Ra)を測定したところ0.35μmであった。この鋳型を用いてプラスチック製マイクロチャネル基板をインジェクション成型で作製したところ、そのプラスチック製マイクロチャネル底部の表面粗さ(Ra)は0.33μmであった。このマイクロチャネル基板上で熱レンズ顕微鏡を用いて検出感度を確認したところ焦点が得られず熱レンズ顕微鏡を用いた測定用途には使用できないことが分かった。
厚さ15mm、直径100mmのニッケル(Ni)ディスクにSU−8 2075フォトレジスト(日本化薬マイクロケム製)を150μm厚みでスピンコートしオーブンにてプリベークした。プリベーク後、平行光露光機にて100μm巾×50mm長さのマイクロチャネル状にi線換算で300mJの照射量で露光した。露光後、ポストベークを実施し、現像液にディピングし現像した。このマイクロチャネル状にパターン化されたフォトレジストが表面に存在するNiディスクに電極を取り付け、Watt‘s電鋳液(Ni電鋳液)を使用し10mA/cm2の電流密度で15時間電鋳を実施し125μm厚みのNi電鋳突起がNiディスク上に形成しフォトレジストを現像液にて全て剥離した。マイクロチャネル状突起部上面の表面粗さRaを測定したところ、0.28μmであった。このニッケル(Ni)製鋳型を用いてインジェクション成型法にて飽和環状ポリオレフィン(COC)製マイクロチャネル基板を作製した。作製したプラスチック製マイクロチャネルの底部の表面粗さ(Ra)を測定したところ0.25μmであった。このマイクロチャネル基板上で熱レンズ顕微鏡を用いて検出感度を確認したところ焦点が得られず熱レンズ顕微鏡を用いた測定用途には使用できないことが分かった。
厚さ15mm、直径100mmのニッケル(Ni)ディスクにSU−8 2075フォトレジスト(日本化薬ケム製)を180μm厚みでスピンコートしオーブンにてプリベークした。プリベーク後、平行光露光機にて800μm巾×50mm長さのマイクロチャネル状にi線換算で330mJの照射量で露光した。露光後、ポストベークを実施し、現像液にディピングし現像した。このマイクロチャネル状にパターン化されたフォトレジストが表面に存在するNiディスクに電極を取り付け、Watt‘s電鋳液(Ni電鋳液)を使用し15mA/cm2の電流密度で15時間電鋳を実施し150μm厚みのNi電鋳突起がNiディスク上に形成しフォトレジストを現像液にて全て剥離しニッケル(Ni)製鋳型を得た。マイクロチャネル状突起部上面の表面粗さRaを測定したところ、0.32μmであった。CMP(Chemical Mechanical Polishing)研磨装置にて、6μmアルミナ粒子で3時間、3μmアルミナ粒子で3時間のポリッシングを実施したところ、マイクロチャネル状突起部が変形し一部が欠落した状態となり鋳型として使用できない状態となった。
2 原版より電鋳転写した鋳型本体
3 マイクロチャネル状電鋳部分
4 ダミー電鋳部分
5 金属基板
6 フォトレジスト
7 マイクロチャネル部フォトレジストパターン(現像部分)
8 ダミー部フォトレジストパターン(現像部分)
9 マイクロチャネル電鋳部分
10 ダミー電鋳部分
11 ダミーパターン部分
12 マイクロチャネルパターン部分
Claims (13)
- 金属基板上に巾1mm以下、高さ1mm以下のマイクロチャネル形成用の金属突起部を有するマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法であって、金属基板上にマクロチャネル状突起部及びダミー突起部を形成する工程、
及びマイクロチャネル状突起部上面部及びダミー突起部上面部を研磨する工程、を含むことを特徴とするマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。 - 前記金属基板上にマクロチャネル状突起部及びダミー突起部を形成する工程において、ダミー突起部の高さがマイクロチャネル突起部の高さ以上に形成されている請求項1記載のマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
- 前記金属基板上にマクロチャネル状突起部及びダミー突起部を形成する工程において、シリコン基板、ガラス基板、又はプラスチック基板をエッチング又は切削加工して原版を作製する工程、及び該原版に金属を電鋳する工程、
を含む請求項1又は2記載の製マイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。 - 前記金属基板上にマクロチャネル状突起部及びダミー突起部を形成する工程において、金属基板上にフォトレジストをコートする工程、フォトリソ加工によりフォトレジストをパターニングする工程、及びパターニングした箇所に金属を電鋳する工程、を含む請求項1又は2記載の製マイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
- 前記マイクロチャネル状突起部及び前記ダミー突起部がニッケルを含む金属である請求項第1〜4いずれか記載のマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
- 前記金属基板がニッケルを含む金属から構成されている請求項1〜5いずれか記載のマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
- 前記マイクロチャネル状突起部上面部及びダミー突起部上面部を研磨する工程において、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法で研磨する工程を含む請求項1〜6いずれか記載のマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
- 前記マイクロチャネル形成用の金属突起部の上面部の表面粗さ(Ra)が0.2μm以下である請求項第1〜7いずれか記載のマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法。
- 請求項1〜8いずれか記載のマイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法により作製されたマイクロチャネル基板作製用鋳型。
- 請求項9記載のマイクロチャネル基板作製用鋳型を使用して、プラスチック基板にマイクロチャネルを形成したことを特徴とするプラスチック製マイクロチップ基板。
- 前記マイクロチャネルの底部の表面粗さ(Ra)が0.2μm以下である請求項10記載のプラスチック製マイクロチップ基板。
- 前記プラスチック基板が飽和環状ポリオレフィンから構成されるものである請求項10又は11記載のプラスチック製マイクロチップ基板。
- 請求項10〜12いずれか記載のプラスチック製マイクロチップ基板のマイクロチャネルの一部に核酸、タンパク質、糖鎖、糖タンパクのうち少なくとも一つを含む生理活性物質を固定化したマイクロチップ基板。
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