JP2003017905A - 非可逆回路素子 - Google Patents
非可逆回路素子Info
- Publication number
- JP2003017905A JP2003017905A JP2002086452A JP2002086452A JP2003017905A JP 2003017905 A JP2003017905 A JP 2003017905A JP 2002086452 A JP2002086452 A JP 2002086452A JP 2002086452 A JP2002086452 A JP 2002086452A JP 2003017905 A JP2003017905 A JP 2003017905A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- substrate
- single crystal
- circuit device
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/36—Isolators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 非磁性体基板付き磁性体を用いても、小型で
軽量、かつ、低挿入損失が得られる非可逆回路素子を提
供する。 【解決手段】 非磁性体基板の一方面に形成された磁性
体と、該磁性体に近接して配置されて該磁性体に直流磁
界を印加する磁石とで構成される非可逆回路素子であっ
て、前記非磁性体基板の他方面に溝が設けられ、該溝に
中心電極用導体の一部が配設されて中心電極が構成され
ている。
軽量、かつ、低挿入損失が得られる非可逆回路素子を提
供する。 【解決手段】 非磁性体基板の一方面に形成された磁性
体と、該磁性体に近接して配置されて該磁性体に直流磁
界を印加する磁石とで構成される非可逆回路素子であっ
て、前記非磁性体基板の他方面に溝が設けられ、該溝に
中心電極用導体の一部が配設されて中心電極が構成され
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主にマイクロ波帯
で使用されるサーキュレータ、アイソレータ等の非可逆
回路素子に関する。
で使用されるサーキュレータ、アイソレータ等の非可逆
回路素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に携帯電話等の移動体通信機器に採
用される集中定数型アイソレータは、信号を伝送方向の
みに通過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有して
いる。また、最近の移動体通信機器では、その用途から
小型化及び軽量化に対する要求が強くなり、これに伴
い、アイソレータも同様に小型化及び軽量化を要請され
ている。
用される集中定数型アイソレータは、信号を伝送方向の
みに通過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有して
いる。また、最近の移動体通信機器では、その用途から
小型化及び軽量化に対する要求が強くなり、これに伴
い、アイソレータも同様に小型化及び軽量化を要請され
ている。
【０００３】このような要請に応えるものとして、例え
ば、実開平５−８０００９号公報には、小型化、軽量化
を図るため、中心電極用導体を磁性体に巻き回して巻線
型の中心電極とした非可逆回路素子が開示されている。
この非可逆回路素子は、中心電極の有効長を長くして、
中心電極のインダクタンス値を確保し、磁性体を小径化
しようとするものである。
ば、実開平５−８０００９号公報には、小型化、軽量化
を図るため、中心電極用導体を磁性体に巻き回して巻線
型の中心電極とした非可逆回路素子が開示されている。
この非可逆回路素子は、中心電極の有効長を長くして、
中心電極のインダクタンス値を確保し、磁性体を小径化
しようとするものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁性体
の厚みが薄い場合、強度上の理由から、育成時に使用し
た非磁性体基板を磁性体下部に残したまま、中心電極用
導体を磁性体に巻き回して中心電極が形成される。する
と、磁性体下部に巻き回された中心電極用導体とそれに
対峙する磁性体の間に非磁性体基板が介在するので、ア
イソレータに要求される低挿入損失が充分に得られない
という問題があった。
の厚みが薄い場合、強度上の理由から、育成時に使用し
た非磁性体基板を磁性体下部に残したまま、中心電極用
導体を磁性体に巻き回して中心電極が形成される。する
と、磁性体下部に巻き回された中心電極用導体とそれに
対峙する磁性体の間に非磁性体基板が介在するので、ア
イソレータに要求される低挿入損失が充分に得られない
という問題があった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、非磁性体基板付
き磁性体を用いても、小型で軽量、かつ、低挿入損失が
得られる非可逆回路素子を提供することにある。
き磁性体を用いても、小型で軽量、かつ、低挿入損失が
得られる非可逆回路素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、請求項１にお
いて、非可逆回路素子は、非磁性体基板の一方面に形成
された磁性体と、該磁性体に近接して配置されて該磁性
体に直流磁界を印加する磁石とで構成されており、前記
非磁性体基板の他方面に溝が設けられ、該溝に中心電極
用導体の一部が配設されて中心電極が構成されているこ
とを特徴とする。
いて、非可逆回路素子は、非磁性体基板の一方面に形成
された磁性体と、該磁性体に近接して配置されて該磁性
体に直流磁界を印加する磁石とで構成されており、前記
非磁性体基板の他方面に溝が設けられ、該溝に中心電極
用導体の一部が配設されて中心電極が構成されているこ
とを特徴とする。
【０００７】また、請求項２において、前記溝は、底面
が前記磁性体で構成されており、かつ側面が前記非磁性
体で構成されていることを特徴とする。
が前記磁性体で構成されており、かつ側面が前記非磁性
体で構成されていることを特徴とする。
【０００８】また，請求項３において、前記中心電極用
導体は、絶縁被覆線材であり、非磁性体基板と磁性体、
または磁性体に巻き回されていることを特徴とする。
導体は、絶縁被覆線材であり、非磁性体基板と磁性体、
または磁性体に巻き回されていることを特徴とする。
【０００９】そして、この発明に係る非可逆回路素子で
は、磁性体が磁性ガーネット単結晶であることが好まし
い。また、これらの磁性体が液相エピタキシャル成長法
で育成された磁性体であることが好ましい。また、非磁
性体基板が磁性体と同じガーネット単結晶であることが
好ましい。
は、磁性体が磁性ガーネット単結晶であることが好まし
い。また、これらの磁性体が液相エピタキシャル成長法
で育成された磁性体であることが好ましい。また、非磁
性体基板が磁性体と同じガーネット単結晶であることが
好ましい。
【００１０】これにより、溝が設けられた部分では非磁
性体基板の厚みが薄くなっているので、そこに配設され
た中心電極用導体と磁性体との距離が、溝を設けない場
合よりも短くなるため、挿入損失を小さくすることがで
きる。また、非磁性体基板の溝の深さを任意に設定でき
るので、挿入損失をコントロールすることができるとと
もに、溝に中心電極用導体の一部が半固定されるので中
心電極の位置ずれを防ぐことができる。
性体基板の厚みが薄くなっているので、そこに配設され
た中心電極用導体と磁性体との距離が、溝を設けない場
合よりも短くなるため、挿入損失を小さくすることがで
きる。また、非磁性体基板の溝の深さを任意に設定でき
るので、挿入損失をコントロールすることができるとと
もに、溝に中心電極用導体の一部が半固定されるので中
心電極の位置ずれを防ぐことができる。
【００１１】特に、溝の深さは、非磁性体基板と磁性体
との界面に達するように形成して、溝の底面が磁性体で
構成され、かつ側面が非磁性体で構成されるように溝を
設ける。これにより、中心電極用導体と磁性体の間に非
磁性体基盤が介在せず、かつ、磁性体の実効的な厚みも
保持されるため、挿入損失を最も小さくすることができ
る。
との界面に達するように形成して、溝の底面が磁性体で
構成され、かつ側面が非磁性体で構成されるように溝を
設ける。これにより、中心電極用導体と磁性体の間に非
磁性体基盤が介在せず、かつ、磁性体の実効的な厚みも
保持されるため、挿入損失を最も小さくすることができ
る。
【００１２】また、中心電極用導体は、絶縁被覆線材で
あるため、非磁性体基板や磁性体に巻き回したときに、
中心電極用導体が交差する部分において導体同士が互い
に接触しても支障がない。
あるため、非磁性体基板や磁性体に巻き回したときに、
中心電極用導体が交差する部分において導体同士が互い
に接触しても支障がない。
【００１３】また、磁性体を磁性ガーネット単結晶とす
ることにより、挿入損失をより小さくすることができ
る。
ることにより、挿入損失をより小さくすることができ
る。
【００１４】また、磁性体が液相エピタキシャル成長法
で育成されたものとすることで、磁性体が育成基板と同
じ結晶構造を持ち、かつ結晶性の高い磁性体となる。よ
って、これらの磁性体を用いて挿入損失の小さい、優れ
た非可逆回路素子を得ることができる。
で育成されたものとすることで、磁性体が育成基板と同
じ結晶構造を持ち、かつ結晶性の高い磁性体となる。よ
って、これらの磁性体を用いて挿入損失の小さい、優れ
た非可逆回路素子を得ることができる。
【００１５】また、非磁性体基板をガーネット単結晶と
して磁性体と同じ結晶構造にすることで、特性の安定し
た挿入損失の小さい非可逆回路素子を得ることができ
る。
して磁性体と同じ結晶構造にすることで、特性の安定し
た挿入損失の小さい非可逆回路素子を得ることができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の非可逆回路素子
を用いた、寸法３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×２．０ｍの２
端子アイソレータの分解斜視図である。
を用いた、寸法３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×２．０ｍの２
端子アイソレータの分解斜視図である。
【００１７】このアイソレータ１０は、上ヨーク１２及
び下ヨーク１４を含み、両ヨークの間に永久磁石１６と
樹脂製の基板１８が配置されている。そして、基板１８
の上には、４つのコンデンサ２０、１つの抵抗器２２、
及び基板付き単結晶２３が配置される。
び下ヨーク１４を含み、両ヨークの間に永久磁石１６と
樹脂製の基板１８が配置されている。そして、基板１８
の上には、４つのコンデンサ２０、１つの抵抗器２２、
及び基板付き単結晶２３が配置される。
【００１８】基板付き単結晶２３は、液相エピタキシャ
ル成長法（以下、ＬＰＥ法という。）により、非磁性ガ
ーネット単結晶基板２６の上に磁性ガーネット単結晶２
４を育成したものである。そして、非磁性ガーネット単
結晶基板２６は、磁性ガーネット単結晶２４が形成され
た面と反対側の面に、磁性ガーネット単結晶２４の主面
と平行に２つの溝２８ａ、２８ｂが形成され、面の中央
部で交差している。
ル成長法（以下、ＬＰＥ法という。）により、非磁性ガ
ーネット単結晶基板２６の上に磁性ガーネット単結晶２
４を育成したものである。そして、非磁性ガーネット単
結晶基板２６は、磁性ガーネット単結晶２４が形成され
た面と反対側の面に、磁性ガーネット単結晶２４の主面
と平行に２つの溝２８ａ、２８ｂが形成され、面の中央
部で交差している。
【００１９】基板付き単結晶２３の表面には、２本の被
覆銅線で中心電極が構成されるが、この中心電極の構成
を図２（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
覆銅線で中心電極が構成されるが、この中心電極の構成
を図２（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【００２０】図２（ａ）は、２本の被覆銅線を用いて中
心電極を構成した、基板付き単結晶の斜視図であり、ま
た、図２（ｂ）は、図２（ａ）における２点鎖線Ａ−Ａ
´線による断面図である。
心電極を構成した、基板付き単結晶の斜視図であり、ま
た、図２（ｂ）は、図２（ａ）における２点鎖線Ａ−Ａ
´線による断面図である。
【００２１】図２（ａ）、（ｂ）に示すように、基板付
き単結晶２３の非磁性ガーネット単結晶基板２６に形成
された溝２８ａ、２８ｂに、被覆銅線３０ａ、３０ｂの
一部がそれぞれ配設され、その両端部が基板付き単結晶
２３に巻き回されている。そして、被覆銅線３０ａ、３
０ｂは、基板付き単結晶２３の上面中央部と下面中央部
でそれぞれ交差している。
き単結晶２３の非磁性ガーネット単結晶基板２６に形成
された溝２８ａ、２８ｂに、被覆銅線３０ａ、３０ｂの
一部がそれぞれ配設され、その両端部が基板付き単結晶
２３に巻き回されている。そして、被覆銅線３０ａ、３
０ｂは、基板付き単結晶２３の上面中央部と下面中央部
でそれぞれ交差している。
【００２２】このようにして、中心電極を構成した被覆
銅線３０ａ、３０ｂの一端側はそれぞれ、図１に示した
基板１８に接地され、他端側はそれぞれ、入力端子と出
力端子の間で互いに直列、並列に接続されたコンデンサ
に接続されている。また、直列に接続したコンデンサと
コンデンサの間には抵抗が直列に配設されている。
銅線３０ａ、３０ｂの一端側はそれぞれ、図１に示した
基板１８に接地され、他端側はそれぞれ、入力端子と出
力端子の間で互いに直列、並列に接続されたコンデンサ
に接続されている。また、直列に接続したコンデンサと
コンデンサの間には抵抗が直列に配設されている。
【００２３】（実施例）以下、本発明の実施の形態を実
施例にもとづき説明する。
施例にもとづき説明する。
【００２４】始めに、ＬＰＥ法により、非磁性ガーネッ
ト単結晶（Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12）基板上に磁性ガーネット単
結晶（Ｙ3Ｆｅ5Ｏ12）を育成し、基板付き単結晶を得
た。
ト単結晶（Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12）基板上に磁性ガーネット単
結晶（Ｙ3Ｆｅ5Ｏ12）を育成し、基板付き単結晶を得
た。
【００２５】続いて、この基板付き単結晶から、ダイシ
ングソーにより、平面寸法が０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、
磁性ガーネット単結晶部分の厚みが０．１ｍｍ、非磁性
ガーネット単結晶基板部分の厚みが０．２ｍｍになるよ
うに、複数個の試料を切り出した。
ングソーにより、平面寸法が０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、
磁性ガーネット単結晶部分の厚みが０．１ｍｍ、非磁性
ガーネット単結晶基板部分の厚みが０．２ｍｍになるよ
うに、複数個の試料を切り出した。
【００２６】得られた複数個の試料に対し、ダイシング
ソーにより、磁性ガーネット単結晶が形成された面と反
対側の非磁性ガーネット単結晶基板の面に、幅０．０７
ｍｍの溝を表１に示した各深さで、面の中央部で交差す
るように形成した。
ソーにより、磁性ガーネット単結晶が形成された面と反
対側の非磁性ガーネット単結晶基板の面に、幅０．０７
ｍｍの溝を表１に示した各深さで、面の中央部で交差す
るように形成した。
【００２７】
【表１】
【００２８】このようにして得られた、溝を有する基板
付き単結晶に対し、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、
２本の被覆銅線３０ａ、３０ｂの一部を溝２８ａ、２８
ｂに配置し、さらに両端部を基板付き単結晶２３に巻き
回して中心電極を構成した。そして、図１に示したその
他の構成部品と共に２端子アイソレータ１０を組み立て
た。なお、本実施例では、基板付き単結晶に対する溝の
形成を、非可逆回路素子のサイズに切り出してから行っ
たが、この順序は逆にしてもよい。
付き単結晶に対し、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、
２本の被覆銅線３０ａ、３０ｂの一部を溝２８ａ、２８
ｂに配置し、さらに両端部を基板付き単結晶２３に巻き
回して中心電極を構成した。そして、図１に示したその
他の構成部品と共に２端子アイソレータ１０を組み立て
た。なお、本実施例では、基板付き単結晶に対する溝の
形成を、非可逆回路素子のサイズに切り出してから行っ
たが、この順序は逆にしてもよい。
【００２９】続いて、得られた２端子アイソレータにお
ける、基板付き単結晶の非磁性ガーネット単結晶基板部
分に形成した溝の深さと挿入損失との関係を調べた。そ
の結果を表１に示す。なお、表中、基板側とは非磁性ガ
ーネット単結晶基板側を表す。
ける、基板付き単結晶の非磁性ガーネット単結晶基板部
分に形成した溝の深さと挿入損失との関係を調べた。そ
の結果を表１に示す。なお、表中、基板側とは非磁性ガ
ーネット単結晶基板側を表す。
【００３０】表１の試料番号２に示すように、非磁性ガ
ーネット単結晶基板に深さ０．０５ｍｍの溝を設け、そ
の溝に被覆銅線の一部を配設して中心電極を構成したも
のは、溝を設けない試料番号１よりも挿入損失が向上し
ている。
ーネット単結晶基板に深さ０．０５ｍｍの溝を設け、そ
の溝に被覆銅線の一部を配設して中心電極を構成したも
のは、溝を設けない試料番号１よりも挿入損失が向上し
ている。
【００３１】そして、試料番号３、４に示すように、溝
の深さが、磁性ガーネット単結晶と非磁性ガーネット単
結晶基板との界面に近づくほど、その溝に配設する被覆
銅線と磁性ガーネット単結晶との距離が縮まり、挿入損
失が小さくなっている。
の深さが、磁性ガーネット単結晶と非磁性ガーネット単
結晶基板との界面に近づくほど、その溝に配設する被覆
銅線と磁性ガーネット単結晶との距離が縮まり、挿入損
失が小さくなっている。
【００３２】また、試料番号５、６のように、溝をさら
に深くして、磁性ガーネット単結晶と非磁性ガーネット
単結晶基板との界面を超えて磁性ガーネット単結晶部分
まで形成したものも、溝を設けない試料番号１より挿入
損失が向上している。しかしながら、磁性ガーネット単
結晶の実効的な厚みが薄くなるため、挿入損失は溝を界
面まで形成したところから反転して上昇している。
に深くして、磁性ガーネット単結晶と非磁性ガーネット
単結晶基板との界面を超えて磁性ガーネット単結晶部分
まで形成したものも、溝を設けない試料番号１より挿入
損失が向上している。しかしながら、磁性ガーネット単
結晶の実効的な厚みが薄くなるため、挿入損失は溝を界
面まで形成したところから反転して上昇している。
【００３３】したがって、挿入損失を最も小さくしたい
場合は、次のようにすればよい。すなわち、図３に示す
基板付き単結晶の溝２８ａ′、２８ｂ′のように、溝の
深さが磁性ガーネット単結晶２４と非磁性ガーネット単
結晶基板２６との界面に達するように形成する。そし
て、溝２８ａ′、２８ｂ′の底面が磁性ガーネット単結
晶２４で構成され、かつ側面が非磁性ガーネット単結晶
基板２６で構成されるようにする。これにより、基板付
き単結晶の表面に被覆銅線を用いて中心電極を構成した
とき、被覆銅線と磁性ガーネット単結晶の間に非磁性ガ
ーネット単結晶基板が介在せず、かつ、磁性ガーネット
単結晶の実効的な厚みも保持されるため、試料番号４に
示すように、挿入損失を最も小さくすることができる。
場合は、次のようにすればよい。すなわち、図３に示す
基板付き単結晶の溝２８ａ′、２８ｂ′のように、溝の
深さが磁性ガーネット単結晶２４と非磁性ガーネット単
結晶基板２６との界面に達するように形成する。そし
て、溝２８ａ′、２８ｂ′の底面が磁性ガーネット単結
晶２４で構成され、かつ側面が非磁性ガーネット単結晶
基板２６で構成されるようにする。これにより、基板付
き単結晶の表面に被覆銅線を用いて中心電極を構成した
とき、被覆銅線と磁性ガーネット単結晶の間に非磁性ガ
ーネット単結晶基板が介在せず、かつ、磁性ガーネット
単結晶の実効的な厚みも保持されるため、試料番号４に
示すように、挿入損失を最も小さくすることができる。
【００３４】なお、本実施例では１ＧＨｚ帯での２端子
アイソレータを用いて説明したが、この発明は他の周波
数帯でも有効に働き、２端子アイソレータ以外の集中定
数型アイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子
にも適用することができる。また、この発明に係る非可
逆回路素子は，その全体の構造も図１に示したものに限
るものではない。
アイソレータを用いて説明したが、この発明は他の周波
数帯でも有効に働き、２端子アイソレータ以外の集中定
数型アイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子
にも適用することができる。また、この発明に係る非可
逆回路素子は，その全体の構造も図１に示したものに限
るものではない。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、非磁性体基板付きの磁
性体であっても、小型で軽量、かつ低挿入損失の非可逆
回路素子を得ることができ、これを用いることで、優れ
た集中定数型アイソレータやサーキュレータ等を供給す
ることが可能になる。
性体であっても、小型で軽量、かつ低挿入損失の非可逆
回路素子を得ることができ、これを用いることで、優れ
た集中定数型アイソレータやサーキュレータ等を供給す
ることが可能になる。
【図１】本発明の実施例に用いる２端子アイソレータの
一例を示す分解斜視図である。
一例を示す分解斜視図である。
【図２】（ａ） 図１の２端子アイソレータを構成す
る、被覆銅線を用いて中心電極を構成した基板付き単結
晶の斜視図である。 （ｂ） 図２（ａ）のＡ−Ａ´線で切断した、基板付き
単結晶の断面図である。
る、被覆銅線を用いて中心電極を構成した基板付き単結
晶の斜視図である。 （ｂ） 図２（ａ）のＡ−Ａ´線で切断した、基板付き
単結晶の断面図である。
【図３】溝の底面が磁性ガーネット単結晶で構成され、
かつ側面が非磁性ガーネット単結晶基板で構成された、
基板付き単結晶の斜視図である。
かつ側面が非磁性ガーネット単結晶基板で構成された、
基板付き単結晶の斜視図である。
１６ 永久磁石
２３ 基板付き単結晶
２４ 磁性ガーネット単結晶
２６ 非磁性ガーネット単結晶基板
２８ａ、２８ｂ、２８ａ′、２８ｂ′ 溝
３０ａ、３０ｂ 被覆銅線
Claims (6)
- 【請求項１】 非磁性体基板の一方面に形成された磁性
体と、該磁性体に近接して配置されて該磁性体に直流磁
界を印加する磁石とで構成される非可逆回路素子であっ
て、前記非磁性体基板の他方面に溝が設けられ、該溝に
中心電極用導体の一部が配設されて中心電極が構成され
ていることを特徴とする、非可逆回路素子。 - 【請求項２】 前記溝は、底面が前記磁性体で構成され
ており、かつ側面が前記非磁性体で構成されていること
を特徴とする、請求項１記載の非可逆回路素子。 - 【請求項３】 前記中心電極用導体は、絶縁被覆線材で
あり、非磁性体基板と磁性体、または磁性体に巻き回さ
れていることを特徴とする、請求項１または２記載の非
可逆回路素子。 - 【請求項４】 前記磁性体が磁性ガーネット単結晶であ
ることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の
非可逆回路素子。 - 【請求項５】 前記磁性体が液相エピタキシャル成長法
で育成された磁性体であることを特徴とする、請求項１
〜４のいずれかに記載の非可逆回路素子。 - 【請求項６】 前記非磁性体基板が非磁性ガーネット単
結晶であることを特徴とする、請求項４記載の非可逆回
路素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002086452A JP3800117B2 (ja) | 2001-04-26 | 2002-03-26 | 非可逆回路素子 |
| US10/119,696 US6597254B2 (en) | 2001-04-26 | 2002-04-11 | Nonreciprocal circuit device |
| CNB021185964A CN1205691C (zh) | 2001-04-26 | 2002-04-26 | 不可逆电路装置 |
| KR1020020022976A KR100577617B1 (ko) | 2001-04-26 | 2002-04-26 | 비가역 회로소자 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001129738 | 2001-04-26 | ||
| JP2001-129738 | 2001-04-26 | ||
| JP2002086452A JP3800117B2 (ja) | 2001-04-26 | 2002-03-26 | 非可逆回路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003017905A true JP2003017905A (ja) | 2003-01-17 |
| JP3800117B2 JP3800117B2 (ja) | 2006-07-26 |
Family
ID=26614300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002086452A Expired - Fee Related JP3800117B2 (ja) | 2001-04-26 | 2002-03-26 | 非可逆回路素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6597254B2 (ja) |
| JP (1) | JP3800117B2 (ja) |
| KR (1) | KR100577617B1 (ja) |
| CN (1) | CN1205691C (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6888432B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-05-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated substrate, method of producing the same, nonreciprocal circuit element, and communication device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0580009A (ja) | 1991-09-20 | 1993-03-30 | Kubota Corp | 炭酸濃度測定方法 |
| JPH0786810A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-03-31 | Tokin Corp | 非可逆回路素子 |
| JPH11220310A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-08-10 | Hitachi Metals Ltd | 非可逆回路素子 |
| JP3348669B2 (ja) * | 1998-03-30 | 2002-11-20 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子 |
| JP3230492B2 (ja) * | 1998-08-10 | 2001-11-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体線路非可逆回路素子および無線装置 |
| JP2001156504A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子及び通信機装置 |
| JP2001189606A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子及び通信機装置 |
| JP2002305404A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Hitachi Metals Ltd | ２端子対アイソレータ |
| JP2002319805A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Murata Mfg Co Ltd | 中心電極組立体、非可逆回路素子、通信装置及び中心電極組立体の製造方法 |
-
2002
- 2002-03-26 JP JP2002086452A patent/JP3800117B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-11 US US10/119,696 patent/US6597254B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-26 KR KR1020020022976A patent/KR100577617B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-04-26 CN CNB021185964A patent/CN1205691C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3800117B2 (ja) | 2006-07-26 |
| CN1388611A (zh) | 2003-01-01 |
| US6597254B2 (en) | 2003-07-22 |
| US20020180549A1 (en) | 2002-12-05 |
| CN1205691C (zh) | 2005-06-08 |
| KR100577617B1 (ko) | 2006-05-10 |
| KR20020083940A (ko) | 2002-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100349277B1 (ko) | 평면 필터 및 필터 시스템 | |
| US7936230B2 (en) | Non-reciprocal component and method for making and using the component in a mobile terminal | |
| US9620838B2 (en) | Non-reciprocal circuit device | |
| US6507249B1 (en) | Isolator for a broad frequency band with at least two magnetic materials | |
| JP2003017905A (ja) | 非可逆回路素子 | |
| US5198297A (en) | Magnetostatic-wave chip and device comprising a rare earth iron-based oxide garnet | |
| JP6705472B2 (ja) | 非可逆回路素子及びこれを用いた通信装置 | |
| JP4412549B2 (ja) | 分布定数型非可逆素子及び分布定数型非可逆素子用ガーネット単結晶 | |
| JP3665776B2 (ja) | 非可逆回路素子及びそれを用いた通信機装置 | |
| Beyer et al. | A Fin Line Ferrite Isolator and Circulator for the R-Band | |
| Carter | Side-wall-coupled, strip-transmission-line magnetically tunable filters employing ferrimagnetic YIG resonators | |
| JP2019134337A (ja) | 非可逆回路素子および高周波フロントエンド回路モジュール | |
| KR100431143B1 (ko) | 비가역 회로 소자 | |
| US2884604A (en) | Nonreciprocal wave transmission | |
| JP2006115416A (ja) | 超伝導デバイス | |
| JP3272967B2 (ja) | 静磁波デバイスおよびこれを用いた電圧制御発振器 | |
| JP4507190B2 (ja) | ３巻線型非可逆素子 | |
| JP3656868B2 (ja) | 非可逆回路素子 | |
| JP4092693B2 (ja) | 非可逆回路素子及びそれを用いた通信機 | |
| JP2001358504A (ja) | 非可逆回路素子および通信装置 | |
| JPH0685507A (ja) | 静磁波マイクロ波装置 | |
| JP2004304434A (ja) | ３巻線型非可逆素子 | |
| KR100265367B1 (ko) | 비가역 마이크로가이드 전력 분배기 | |
| JP3204435B2 (ja) | 分布定数型マイクロ波非相反素子 | |
| JP2004320543A (ja) | 集中常数型非可逆回路素子及びそれを用いた通信機装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050729 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050830 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051012 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060404 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060417 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120512 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |