JP2003008122A - レーザ装置及びそれを用いた露光装置 - Google Patents

レーザ装置及びそれを用いた露光装置

Info

Publication number
JP2003008122A
JP2003008122A JP2001188354A JP2001188354A JP2003008122A JP 2003008122 A JP2003008122 A JP 2003008122A JP 2001188354 A JP2001188354 A JP 2001188354A JP 2001188354 A JP2001188354 A JP 2001188354A JP 2003008122 A JP2003008122 A JP 2003008122A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength
laser
component
resonator
wavelength component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001188354A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Wakabayashi
理 若林
Shinji Nagai
伸治 永井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gigaphoton Inc
Original Assignee
Gigaphoton Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gigaphoton Inc filed Critical Gigaphoton Inc
Priority to JP2001188354A priority Critical patent/JP2003008122A/ja
Publication of JP2003008122A publication Critical patent/JP2003008122A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lasers (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 選択された波長以外のASE光成分等を低減
するように制御することができるレーザ装置及びそれを
用いた露光装置を提供する。 【解決手段】 レーザ装置は、少なくとも第1の波長成
分と第2の波長成分とを含むレーザ光を発生するレーザ
共振器と、レーザ共振器の外部に配置され、レーザ共振
器が発生するレーザ光に含まれている第1の波長成分と
第2の波長成分とを異なる方向に出射する波長選択手段
とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に、レーザ
装置及びそれを用いた露光装置に関し、特に、F 2(フ
ッ素分子)をレーザ媒質として用いたレーザ装置及びそ
れを用いた露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の集積度が増す傾
向にあり、半導体集積回路を製造するために用いられる
露光装置において、解像力の向上が求められている。ま
た、露光装置の光源として、短波長のレーザ光を出力す
るエキシマレーザやF2(フッ素分子:molecular fluor
ine)レーザが注目されている。F2レーザの複数の発振
ラインのうち、一本のラインを選択的に発振させるライ
ンセレクトF2レーザはスペクトル線幅が約1pmであ
り、露光装置の投影レンズとして、ある程度の色収差補
正が可能なカタディオプトリック(Catadiopt
ric)タイプの投影レンズを用いて露光が行われてい
る。カタディオプトリックタイプの投影レンズは、色収
差を補正するために、反射ミラーとCaF2の屈折レン
ズとを組み合わせたものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、F2
ーザはゲインが高いので、レーザ共振器のリア側に設置
された波長選択光学機器によりラインセレクトされてい
ない波長成分が、ASE(Amplified Spo
ntenious Emission)により出力され
る。すなわち、電極間放電領域(ゲイン領域)のリア側
からフロント側に向かって伝播する光が増幅されてその
まま外部へ出力される場合には、波長選択が行われな
い。ラインセレクトF2レーザ共振器においては、AS
Eにより出力される選択しない波長成分の強度は全体の
1%以下であるが、たとえ非常に小さくても投影レンズ
の解像力を大きく低下させてしまう。また、ASEによ
り出力される成分の光強度は、フッ素分子レーザのガス
組成(フッ素濃度及び全圧)や励起強度に大きく依存す
るためASE光量低減が難しく、大きな問題となってい
た。
【0004】ところで、特開2000−12946号公
報には、F2レーザ光の第2の波長成分を除去するため
に波長選択光学機器をレーザ共振器のリア側に設置した
装置が開示されている。このように、リア側に波長選択
光学機器が設置されている場合には、ASEにより出力
される成分を除去することはできない。一方、特開20
00−236130号公報には、フロント側にアウトプ
ットカプラーエタロンのような波長選択のための反射モ
ジュールを設置した装置が開示されているが、このよう
な反射モジュールはASE光に対する波長選択素子とし
て機能しないため、反射モジュールをそのまま透過する
ASE光成分が存在し、必要としないラインの波長成分
が出力されてしまう。
【0005】本発明は、上記問題点を解決すべくなされ
たものであり、選択された波長以外のASE光成分等を
低減するように制御することができるレーザ装置及びそ
れを用いた露光装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第1の観点に係るレーザ装置は、少なくと
も第1の波長成分と第2の波長成分とを含むレーザ光を
発生するレーザ共振器と、レーザ共振器の外部に配置さ
れ、レーザ共振器が発生するレーザ光に含まれている第
1の波長成分と第2の波長成分とを異なる方向に出射す
る波長選択手段とを具備する。ここで、レーザ装置内
に、波長選択手段から出射された第1の波長成分と第2
の波長成分との内の一方を取り出す波長分離手段を設け
るようにしても良い。
【0007】また、本発明の第2の観点に係るレーザ装
置は、少なくとも第1の波長成分と第2の波長成分とを
含むレーザ光を発生するレーザ共振器と、前記レーザ共
振器の外部に配置され、前記レーザ共振器が発生するレ
ーザ光に含まれている第1の波長成分を透過し、第2の
波長成分を反射する波長選択手段とを具備する。
【0008】さらに、本発明の第1の観点に係る露光装
置は、少なくとも第1の波長成分と第2の波長成分とを
含むレーザ光を発生するレーザ共振器と、レーザ共振器
の外部に配置され、レーザ共振器が発生するレーザ光に
含まれている第1の波長成分と第2の波長成分とを異な
る方向に出射する波長選択手段とを有するレーザ装置
と、レーザ装置が発生するレーザ光を用いて対象物を露
光させる露光器と、露光器の内部に配置され、レーザ装
置が発生するレーザ光の第1の波長成分と第2の波長成
分との内の一方を取り出す波長分離手段とを具備する。
【0009】また、本発明の第2の観点に係る露光装置
は、少なくとも第1の波長成分と第2の波長成分とを含
むレーザ光を発生するレーザ共振器と、レーザ共振器の
外部に配置され、レーザ共振器が発生するレーザ光に含
まれている第1の波長成分と第2の波長成分とを異なる
方向に出射する波長選択手段とを有するレーザ装置と、
レーザ装置が発生するレーザ光を用いて対象物を露光さ
せる露光器と、レーザ装置から露光器へレーザ光を伝搬
させる伝搬路と、伝搬路に配置され、レーザ装置が発生
するレーザ光の第1の波長成分と第2の波長成分との内
の一方を取り出す波長分離手段とを具備する。
【0010】上記のように構成した本発明によれば、レ
ーザ共振器の外部に波長選択手段が設けられているの
で、選択される波長以外の波長成分を低減させることが
できる。また、波長選択手段がレーザ共振器の出力側に
設けられているので、ASEによる波長成分も低減させ
ることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、図面に基いて本発明の実施
の形態について説明する。なお、同一の構成要素につい
ては同一の参照番号を付して、これらの説明を省略す
る。図1に、本発明の第1の実施形態に係るF2レーザ
装置の構成を示す。本実施形態に係るレーザ装置は、少
なくとも第1の波長成分と第2の波長成分とを含むレー
ザ光から、第1の波長成分と第2の波長成分との内の一
方を選択して所定の方向に出力することができる。本実
施形態においては、第1の波長成分として波長157.
63nm(λ1)の成分と第2の波長成分として波長1
57.52nm(λ2)の成分とを含むフッ素分子レー
ザ光から、第1の波長成分(λ1)を選択する場合を例
示するが、第1の波長成分及び第2の波長成分は適宜設
定することができる。また、レーザ装置から出力される
第1の波長成分は、露光装置の光源として利用される。
【0012】図1において、レーザ装置10は、第1の
波長成分(中心波長:157.63nm)と、第1の波
長成分より光強度が弱い第2の波長成分(中心波長:1
57.52nm)とを含むレーザ光を発生させるレーザ
共振器11〜15を備えている。このレーザ共振器のレ
ーザチャンバ11内には、放電用の2つの電極(図示せ
ず)が対向して配置されており、電極間には、高圧電源
(図示せず)によって放電用の高電圧が印加される。F
2ガスとバッファガス(He若しくはNe又はHeとN
eとの混合ガスのいずれか)のレーザ媒質をレーザチャ
ンバ11内に供給し、電極間に高電圧を印加して放電を
起こすと、レーザ媒質から発生する光がフロントミラー
15とリアミラー14との間で共振し、レーザ光がフロ
ントミラー15から出力される。
【0013】レーザチャンバ11の右側面及び左側面に
は、それぞれウインド12、13が配置されている。ウ
インド12の左側には、全反射ミラーであるリアミラー
14が配置されており、レーザチャンバ11で発生した
光はリアミラー14で全反射され、増幅されてレーザ光
としてフロントミラー15から出射する。また、発生し
た光の一部は、フロントミラー15方向へ進行し、AS
Eとして直接ウインド13及びフロントミラー15を透
過して出力される。
【0014】ウインド13の右側には、部分反射ミラー
であるフロントミラー15及び波長選択光学機器Aが、
この順に配置されている。フロントミラー15から出射
されるレーザ光には、波長λ1(157.63nm)の
成分以外に、波長λ2(157.52nm)の成分、及
び、バッファガスの種類により波長157.53nm、
157.40nm、156.73nm、157.59n
mの成分が含まれている。また、出射される上記波長の
光には、それぞれの波長のASE成分も含まれている。
ここでは、波長λ1以外の成分を除去するために、フロ
ントミラー15とモニタモジュール20との間に、所定
の波長を有する成分のみを選択する波長選択光学機器A
を設置している。なお、フロントミラー15とモニタモ
ジュール20との間に、2個以上の波長選択光学機器を
設置して波長選択性を向上させることもできる。
【0015】本実施形態の具体例を、図2の(a)に示
す。この具体例においては、波長選択光学機器Aが空間
フィルタCと組み合わされて使用される。波長選択光学
機器Aによって波長λ2等の成分(波長λ2を含む波長λ
1以外の成分)が波長λ1の成分とは異なる方向に出射さ
れ、空間フィルタCによって波長λ2等の成分が排除さ
れて、波長λ1の成分のみが選択的に取り出される。空
間フィルタとしてはスリット板等が用いられる。図2の
(b)に、空間フィルタとして用いられるスリット板C
1の正面を示す。レーザチャンバ11内には図示しない
放電電極があり、電極のアノードとカソードは紙面と平
行して手前と奥側に配置され、放電方向は紙面と垂直な
方向である。また、空間フィルタとしてスリット板C1
が用いられる場合には、図2の(b)に示すように、波
長λ1の光を通過させるスリット板C1の開口17は、
前記放電方向に長く伸びる長方形形状であることが望ま
しい。
【0016】また、本実施形態の他の具体例を、図3に
示す。この具体例においては、レーザ装置10がビーム
デリバリー(ビーム伝搬路)31を介して露光器32に
接続され、全体として露光装置を構成している。ここで
は、空間フィルタCが、露光器32内に配置されてい
る。あるいは、空間フィルタCを、ビームデリバリー3
1内に配置しても良い。レーザ光がビームデリバリー3
1に入射する部分、及び、レーザ光がビームデリバリー
31から出射する部分には、それぞれ窓或いはゲートバ
ルブが設けられている。また、ビームデリバリー31内
は、真空状態に設定しておいてもよいし、例えばN2
He等の不活性ガス又は希ガスを充填しておいてもよ
い。特に、段落番号「0023」以降で説明するよう
に、設置する分散プリズムの数を多くして分散値を大き
くする場合には、ビームデリバリー31内に空間フィル
タCを設置することができる。
【0017】再び図1を参照すると、レーザ光の一部
は、モニタモジュール20内に配置されたビームスプリ
ッタ21から、下方に設置された計測器22の方へ出射
される。計測器22においては、パルスエネルギー、ス
ペクトル、レーザパルス波形、ビームプロファイル、ビ
ームダイバージェンス等の内の少なくとも1つが計測さ
れ、計測結果がコントローラ23に伝達される。この計
測結果に基づき、コントローラ23からドライバ24を
介して波長選択光学機器Aのフィードバック制御が行わ
れ、選択すべき波長λ1を高精度で取り出すことができ
る。また、この計測結果に基づき、コントローラ23か
らガスコントローラ25及び電源26を介してレーザ光
の発生が制御される。さらに、この計測結果に基づき、
ビームポインティング特性やビームポジション特性等の
レーザ特性も制御することができる。
【0018】図1に示すレーザ装置は、フロント側に波
長選択光学機器Aを配置しているので、レーザチャンバ
11で発生したF原子からの赤色発光成分(634.8
5nm、731.10nm、712.789nm、75
5.224nm等)も分離又は除去される。従って、モ
ニタモジュール20内に赤色発光成分をカットするため
のフィルタ類を挿入する必要がない。短寿命であるフィ
ルタを使用せずに済むので、結果的にモニタモジュール
自身の寿命を長くすることができる。また、波長λ1
外の紫外光も入射されず、選択された波長λ1の成分の
みがモニタモジュールに入射されるので、波長λ1の光
の精度の良いエネルギ制御が可能となる。以上述べたよ
うに、このレーザ装置は、F2レーザ光から特定の波長
を高精度に選択するのに適している。
【0019】図4に、本発明の第2の実施形態に係るレ
ーザ装置の構成を示す。図4に示されるレーザ装置30
は、レーザチャンバ11のフロント側のみならず、リア
側、すなわちウインド12の左側にも、波長選択光学機
器Bが配置されている。レーザチャンバ11から発生し
たレーザ光の一部の成分は、波長選択光学機器Bにより
波長λ1の選択が行われた後、波長選択光学機器Aに送
られるが、レーザチャンバ11から発生したレーザ光の
ASE光成分は、そのままウインド13及びアウトプッ
トカプラー28を通過し、波長選択光学機器Aに送られ
る。波長選択光学機器Aは、波長選択光学機器Bによっ
ては除去することのできない波長λ2等の波長λ1以外の
成分を取り除く。
【0020】波長選択光学機器Aから出力された波長λ
1の成分の一部は、ビームスプリッタ21から下方に設
置された計測器22の方へ出射される。計測器22にお
いては、スペクトル等が計測され、計測結果がコントロ
ーラ23に伝達される。この計測結果に基づき、コント
ローラ23からドライバ24及び27を介して波長選択
光学機器A及びBのフィードバック制御がそれぞれ行わ
れ、選択すべき波長λ 1の成分の選択を高精度で行うこ
とができる。
【0021】図5に、本発明の第3の実施形態に係るレ
ーザ装置の構成を示す。図5に示されるレーザ装置40
は、図4におけるアウトプットカプラー28としてエタ
ロン41を設置したものである。ドライバ42を用いて
エタロン41の透過/反射特性を制御することにより、
エタロン41から波長選択光学機器Aの方へ出射する波
長成分を変更することができる。ここでは、波長λ1
成分を反射するように、エタロンの反射特性が制御され
る。これにより、レーザチャンバ11で発生した波長λ
1の成分が選択的に増幅されて、他の波長成分がエタロ
ン41を透過して、さらに波長選択光学機器Aで波長λ
1の成分のみが選択される。
【0022】波長選択光学機器Aから出射した波長λ1
の成分の一部は、ビームスプリッタ21から下方に設置
された計測器22の方へ出射される。計測器22では、
スペクトル等が計測され、計測結果がコントローラ23
に伝達される。この計測結果に基づき、コントローラ2
3からドライバ24を介して波長選択光学機器Aのフィ
ードバック制御が行われ、コントローラ23からドライ
バ42を介して反射エタロン41のフィードバック制御
が行われる。
【0023】本発明における波長選択光学機器として
は、プリズム、複屈折フィルタ、グレーティング等が代
表的なものとして挙げられる。以下に、図1〜図5にお
ける波長選択光学機器Aの具体例について説明する。
【0024】図6に、波長選択光学機器が複数のプリズ
ムと全反射ミラーから構成される態様を例示する。図6
に示す波長選択光学機器A1においては、分散プリズム
51の下側に分散プリズム52が配置され、その下方に
全反射ミラー53が配置されている。なお、ここでは2
個の分散プリズムを配置した場合を例示したが、1個又
は3個以上の分散プリズムを配置してもよい。
【0025】チャンバ11から発生したレーザ光(波長
λ1、λ2の成分を含む)は、ウインド13およびアウト
プットカプラー28を通過し、分散プリズム51及び5
2によって屈折する。ここで、波長λ2の成分は波長λ1
の成分よりも大きく屈折するので、波長λ1の成分と波
長λ2の成分とを分離することができる。プリズム内で
は波長の長い方が屈折率が小さいため、さらに、分離さ
れた波長λ1及び波長λ2の成分を全反射ミラー53で全
反射させて、波長λ1のみをモニタモジュール20内に
設置されたビームスプリッタ21の方へ出力する。選択
されなかった波長λ2の成分は、他の方向に出射されて
排除される。波長λ1の成分はビームスプリッタで2方
向に分割され、一部は計測器22に入射して、スペクト
ル等が計測される。計測結果はコントローラ23に送ら
れ、波長λ1の成分が効率よく出射されるように、コン
トローラ23からミラー姿勢角制御ドライバ54を介し
て全反射ミラー53の角度がフィードバック制御され
る。
【0026】ここで、分散プリズムの透過率が高いのは
P偏光の方向であるため、F2レーザの偏光方向が分散
プリズム51の入射面に対してP偏光の方向となるよう
に分散プリズム51を配置すれば、分散プリズムの透過
率が高くなる。また、レーザチャンバの両側面における
ウインド12、13の角度がブリュースタ角となるよう
に設置すると、80%以上の偏光度を実現することがで
きる。さらに、分散プリズムの材料がCaF2の場合
に、頂角を65.4度にすると、分散プリズムへの入射
角と出射角をブリュースタ角とすることができ、P偏光
の透過率を100%近くにすることができる。なお、選
択される波長λ1が157nmの場合には、複屈折の少
ないCaF2をプリズムの材料とすることが好ましい。
【0027】レーザ光が出力されるとプリズム内でレー
ザ光が吸収されて分散プリズムの温度が上昇し、CaF
2の屈折率は大きくなり、露光装置へ出力されるビーム
の角度が変化して、出力方向がずれる。全反射ミラー5
3の角度を制御することにより、この角度の変化分を補
正することができる。露光装置へのビームの角度の変化
は、モニタモジュール内にビームプロファイラまたはビ
ームの角度を検出する計測器を設置することにより制御
することができる。または、波長選択光学機器A1の温
度を一定にするために、波長選択光学機器A1を恒温槽
55内に配置して、温度を調整するようにしてもよい。
恒温槽55には、レーザ光を通過させるための窓56及
び57が設けられている。
【0028】図7に、分散プリズムによる分散値が小さ
い場合の波長選択光学機器の例を示す。ここでは、レー
ザ装置と露光器とが組み合わされて露光装置を構成して
おり、露光器63内に波長分離部としてスリット板64
が設けられている。波長選択光学機器A2においては、
分散プリズム61の下側に分散プリズム62が配置さ
れ、その下方に全反射ミラー53が配置されている。な
お、ここでは2個の分散プリズムを配置した場合を例示
したが、1個又は3個以上の分散プリズムを配置しても
よい。
【0029】波長選択光学機器A2に入射するレーザ光
(波長λ1、λ2の成分を含む)は、分散プリズム61及
び分散プリズム62によって屈折する。ここで、波長λ
1より短い波長λ2の成分は波長λ1の成分よりも大きく
屈折するが、角度分散値が小さいため、波長選択光学機
器A2内では波長λ2の成分を取り除くことができな
い。そのため、露光器63内にスリット板64を設け
て、波長λ2の成分を除き、露光光源として波長λ1の成
分のみを選択する。
【0030】このように分散値が小さくそのままでは波
長λ1と波長λ2の分離が困難な場合には、露光器内に波
長分離手段を設けることができる。波長分離手段として
は、上述したように、波長λ1の成分と波長λ2の成分と
を分離するためのスリットが形成されたスリット板64
を用いることができる。あるいは、波長分離手段とし
て、全反射ミラーで全反射されたレーザ光(波長λ1
びλ2の成分を含む)を長焦点レンズで集光し、その焦
点面にスリット板を配置して波長λ1の成分を選択分離
してもよい。長焦点レンズの替わりに、凹面ミラー、シ
リンドリカルミラーまたはシリンドリカルレンズを用い
ることもできる。
【0031】モニタモジュール20内のビームスプリッ
タ21で2方向に分離されたレーザ光の一部は計測器2
2に入射し、計測器22においてスペクトル等の計測が
行われる。その計測結果はコントローラ23に送られ、
コントローラ23からミラー姿勢角制御ドライバー54
を介して全反射ミラー53の角度が制御される。
【0032】図7に示す露光装置A2においては、赤色
フィルタを設ける必要がないことを説明する。すなわ
ち、F2レーザからはフッ素原子による赤色の光が出力
されるが、赤色の波長と選択すべき波長157nm(λ
1)とでは分散プリズムの屈折率が大きく異なるので、
分散プリズム61により簡単に分離することができる。
ここでは赤色の光を一点鎖線で表しているが、波長λ1
の成分の屈折方向と大きく異なっていることが分かる。
このように分散プリズムを用いれば、透過率が高く、モ
ニターモジュール内にフッ素原子による赤色が入射せ
ず、センサが赤色を検出することがない。また、露光装
置側にも赤色が入射せず、センサに悪影響を及ぼすこと
がない。
【0033】図8に、レーザ装置内に波長分離部と組み
合わせて波長選択光学機器を配置した態様を示す。波長
分離部は、図7に示すように露光器内に設置することも
できるが、ここではレーザ装置内に設置してある。波長
選択光学機器A3は、分散プリズム72と、その下側に
配置された分散プリズム73と、全反射ミラー53とを
含んでいる。ここで、分散プリズム73及び全反射ミラ
ー53は、それぞれプリズム回転ステージ74及びミラ
ー回転ステージ75に設置されている。波長分離部71
は、レンズ76と、スリット板77と、レンズ78とを
含んでいる。ここで、スリット板77は、レンズ76及
びレンズ78の焦点の位置に配置されている。
【0034】レーザチャンバ11から発生したレーザ光
(波長λ1、λ2の成分を含む)はウインド13及びアウ
トプットカプラー28を通過して、波長選択光学機器A
3内に配置された分散プリズム72と73によって分離
され、全反射ミラー53から波長分離部71内に配置さ
れたレンズ76の方へ出射される。
【0035】波長λ1の成分及び波長λ2の成分は、レン
ズ76の焦点面上に集光するが、互いに異なった位置に
集光する。選択すべき波長λ1の成分が集光する位置に
スリット板77のスリットを配置すれば、波長λ1の成
分のみを通過させて波長λ2の成分を排除することがで
きる。透過した波長λ1は、レンズ78によって再び平
行光となる。ここで、レンズ78とスリット板77との
距離がこれらのレンズの焦点距離の和と等しくなるよう
に、レンズ78が設置されている。平行光となった波長
λ1の成分は、モニタモジュール20内のビームスプリ
ッタで2方向に分割され、一部がスペクトル等の計測に
使用され、残りが露光用の光源として露光器へ出力され
る。
【0036】計測結果はコントローラ23へ送られ、コ
ントローラ23は、検出結果に基づき回転ステージドラ
イバ79を介してプリズム回転ステージ74を回転さ
せ、及び/又は、全反射ミラー53の設置されたミラー
回転ステージ75を回転させて、波長λ1の成分のみが
選択透過されるように分散プリズム73及び/又は全反
射ミラー53の角度をフィードバック制御する。なお、
ここでは、波長分離部71としてレンズとスリットとの
組合せの態様を示したが、本発明はこれに限定されるこ
となく、レンズの替わりに凹面ミラー、シリンドリカル
ミラーまたはシリンドリカルレンズを用いてもよい。
【0037】図9の(a)と(b)に、波長選択光学機
器において45度直角プリズム83を使用し、波長分離
部に出射する光軸を僅かにずらすことにより所定の波長
成分を選択的に透過させる構成を示す。図9の(a)
は、レーザ装置を真上から見た図であり、図9の(b)
は、(a)におけるA−Aの位置からレーザチャンバ側
を見た図である。
【0038】波長選択光学機器A4は、分散プリズム8
1と、プリズム回転ステージ84上に設置された分散プ
リズム82と、回転ステージ85上に設置された45度
直角プリズム83とを含んでいる。また、レーザチャン
バ11の右側には、波長分離部として、HR(高反射)
コート部88が形成されているスリット付ミラー89が
設置されている。図9(b)に示すように、スリット付
ミラー89において、対向する2つの放電電極86を結
んだ線から外れた領域に、スリットとして、HRコート
が施されていないHRコートなし部87が形成されてい
る。
【0039】レーザチャンバ11の左側面に配置された
フロント側のウインド13及びアウトプットカプラー2
8を通過したレーザ光の複数の波長成分は、分散プリズ
ム81及びプリズム回転ステージ84上に配置された分
散プリズム82により分離される。分散プリズムから出
射したレーザ光は、プリズム回転ステージ85上に配置
された45度直角プリズム83によって、入射した方向
へ反射される。反射されたレーザ光は、分散プリズム8
2及び分散プリズム81を通過して、レーザチャンバ1
1内に再度入射する。ここで、レーザチャンバに入射す
るレーザ光は、放電領域から外れた領域に入射して、レ
ーザチャンバ11内を通過する。レーザ光の波長λ1
成分が通過する位置には、スリットとしてHRコートな
し部87が形成されているので、波長λ1の成分は、こ
れを通過する。一方、波長λ2等の成分は、HRコート
部88で妨げられ、これを通過することができない。
【0040】スリット付ミラーと露光器との間には、モ
ニタモジュールが配置されており、ビームスプリッタに
より分割された一部のレーザ光を計測器で計測し、その
計測結果をコントローラ23へ送る。コントローラ23
は、計測結果に基づき、回転ステージドライバを介し
て、45度直角プリズム83を配置したプリズム回転ス
テージ85及び/又は分散プリズム82を配置したプリ
ズム回転ステージ84を回転させて、45度直角プリズ
ム83及び/又は分散プリズム82の角度をフィードバ
ック制御する。
【0041】図10に、入射光の光軸と出射光の光軸と
が一致するように、2個の45度直角プリズムと、2個
の分散プリズムと、45度直角プリズムとを配置した波
長選択光学機器を示す。波長選択光学機器A5におい
て、レーザチャンバ11により発生したレーザ光(波長
λ1、λ2の成分を含む)は、ウインド13及びフロント
側のアウトプットカプラー28を通過して直角プリズム
91で反射され、分散プリズム92へ入射する。分散プ
リズム92と93により波長λ1の成分及び波長λ2の成
分が分離され、45度直角プリズム95により入射方向
に反射される。分散プリズム93と92とを通過したレ
ーザ光は直角プリズム96に入射し、直角プリズム96
から出射する波長λ1の成分の光軸を、アウトプットカ
プラー28から出力されるレーザ光の光軸と一致させる
ようにプリズムを配置している。このように構成するこ
とにより、レーザチャンバの光軸とモニタモジュールの
光軸とが同軸となるため、波長選択光学機器A5が搭載
されたモニタモジュールと通常のモニタモジュールとを
交換してもアライメントを再調整する必要がない。ま
た、波長選択光学機器A5を設置又は除去しても光軸が
変化しないため、簡易にフリーランとラインセレクトと
を切り替えることができる。このレーザ装置において
は、分散プリズム93の角度を制御することにより波長
選択を行うことができ、直角プリズム96の角度を制御
することにより光軸の調整を行うことができる。
【0042】モニターモジュール20において、スペク
トル等の計測が行われ、計測結果がコントローラ23に
送られる。コントローラ23は、計測結果に基づき、回
転ステージドライバ79を介して分散プリズム93を配
置した回転ステージ94及び/又は直角プリズム96を
配置した回転ステージ97をフィードバック制御する。
【0043】図9または図10の構成によれば、光路を
長くすることができるので、分散プリズムによる光の分
散値が小さい場合でも波長λ1の成分を分離することが
できる。また、同一の分散プリズムを2回利用できるの
で、波長選択性を高くしつつ、レーザ装置をコンパクト
に設計することが可能となる。更には、従来のレーザ装
置へ波長選択光学機器A4、A5を追加するのみで、波
長λ1の成分を分離するという本願発明の目的を達成す
ることができる。
【0044】図11に、波長選択光学機器A6において
複屈折フィルタを使用した例を示す。この複屈折フィル
タは、レーザ装置の光軸に対してブリュースタ角に配置
された2つの共平面を有する。選択すべき波長λ1にお
いて同じ偏光状態を維持し、それ以外の波長、例えば波
長λ2において偏光方向を90゜変化させるように、複
屈折フィルタ101の厚さdを選択する。また、複屈折
フィルタ101の傾き角度は、アウトプットカプラー2
8から出射されるレーザ光の光軸(入射光)に対してブ
リュースタ角となるように配置することが好ましい。こ
のように配置することにより、複屈折フィルタ101の
両面での反射による光の損失を最小にすることができ
る。また、エタロニング(etalonning、多重
干渉)として知られる複屈折フィルタの両面から反射さ
れるビーム間の干渉を防ぐことができる。
【0045】アウトプットカプラー28から出射したレ
ーザ光が複屈折フィルタ101を透過すると、選択すべ
き波長λ1に対しては同じ偏光状態を維持するが、別の
波長λ2に対しては偏光方向を90度変化させるように
設計された複屈折フィルタ101を、アウトプットカプ
ラー28の右側に配置する。さらに、複屈折フィルタ1
01の右側には、偏光分離素子102を配置する。偏光
分離素子102により、波長λ1の成分はそのまま透過
するが、波長λ2の成分は他方向に分離されて除去され
る。このようにして、波長λ1の成分のみを選択するこ
とができる。このような複屈折フィルタの材料として
は、MgF2が好ましい。MgF2は、フッ素に対して耐
性が高く、DUV及びVUV波長において高い透過率を
示し、F2レーザ装置等において好適に使用できる。こ
こで、偏光分離素子102のレーザ光入射面(複屈折フ
ィルタ101に近い面)にPS偏光分離膜を設けても良
いし、偏光分離素子102として複数のブリュースタウ
インド(図18の(a)参照)を並べてもよい。
【0046】ただし、条件として、アウトプットカップ
ラーから出た光がほとんど直線偏光であることが必要が
ある。従って、F2レーザの共振器中に偏光素子(例え
ば、ブリュースタウインドや偏光分離素子)を配置した
ものでなければならない。アウトプットカプラから出た
光の内で、選択すべき波長λ1の光に対してはλ板とし
て作用して同じ偏光状態を維持するが、その他の波長の
光に対しては偏光方向が90度変化するように、複屈折
フィルタを設計する。157nmのような短波長領域に
おいては、MgF2の複屈折フィルタが適している。
【0047】図12に、波長選択光学機器においてグレ
ーティングを使用した場合を示す。アウトプットカプラ
ー28から出射したレーザ光は、波長選択光学機器A7
の全反射ミラー111で全反射され、グレーティング1
12に入射して、波長λ1の成分と波長λ2等の成分との
間で光軸を大きく分離させる。グレーティング112の
右側にスリット板113を配置して、選択されるべき波
長λ1の成分のみを透過させる。スリット板113に形
成されたスリットを透過した波長λ1の成分は、光源と
して露光器へ出力される。また、スリット板113と露
光器との間にモニタモジュール20を配置し、波長λ1
の成分の一部をビームスプリッタにより分割してスペク
トル等を計測する。計測結果をコントローラ(図示せ
ず)に送り、その計測結果に基づいて、ビームの角度や
位置を変化させるために、紙面に垂直な軸を中心に回転
する方向におけるグレーティングの傾きをフィードバッ
ク制御してもよい。
【0048】図13に、波長選択光学機器において、エ
タロンを使用した場合を示す。波長選択光学機器A8の
エタロン121は、選択すべき波長λ1の成分のみを透
過させ、他の波長、例えば波長λ2の成分を反射させる
ことにより、波長λ1の成分のみを選択する。選択され
た波長λ1の成分は、露光器へ出力される。また、エタ
ロン121は、波長λ1の成分のみを反射させ、それ以
外の波長の成分を透過させてもよい。この場合には、波
長λ1の成分が反射される方向に露光器を設置すればよ
い。
【0049】次に、図2における波長選択光学機器Bの
具体例について説明する。図2において、レーザチャン
バ11のリア側に波長選択光学機器Bを設置するが、か
かる波長選択光学機器Bとして、分散プリズム、グレー
ティング、エタロンまたは複屈折フィルタを使用するこ
とができる。その態様を図14〜図17に示す。
【0050】図14に、波長選択光学機器において分散
プリズムを使用した態様を示す。波長選択光学機器B1
においては、分散プリズム131の下側に分散プリズム
132が配置され、その下方に全反射ミラー133が配
置されている。図14において、レーザチャンバ11の
リア側のウインド12から出射したレーザ光は、分散プ
リズム131と132により屈折され、その先に配置さ
れた全反射ミラー133により全反射されて入射側へ送
られ、分散プリズム132と131を通り、リア側のウ
インド12からレーザチャンバ11に入射する。ここ
で、レーザチャンバ11に再び入射する波長λ1の成分
の光軸と波長λ2の成分の光軸とは一致せず、所定の角
度を成しているので、波長λ2の成分はスリット板13
4により妨げられて透過することができない。従って、
アウトプットカプラー28と全反射ミラー133とによ
って構成されるレーザ光軸と一致する波長λ1の成分の
みを選択透過することができる。アウトプットカプラー
28を通過してくるASE成分であって波長がλ1以外
の光を波長選択光学機器Aによって除く点は、図7及び
図10〜図13に示す例と同様である。
【0051】図15には、波長選択光学機器においてグ
レーティングを用いた態様を示す。波長選択光学機器B
2は、2個のビームエキスパンダプリズム141及び1
42と、グレーティング143とを含んでいる。リア側
のウインド12から出射したレーザ光は、ビームエキス
パンダプリズム141及び142を通過し、その先に配
置されたグレーティング143により波長λ1の成分と
波長λ2の成分とが分離される。グレーティング143
によって反射されたレーザ光は、ビームエキスパンダプ
リズム142及び141を通過して、レーザチャンバ1
1内に再び入射する。このようにして、スリット板14
4に形成されたスリットと波長λ1の成分の光軸とを一
致させる。
【0052】図16の(a)に、波長選択光学機器にお
いて透過型エタロンを使用した態様を示す。波長選択光
学機器B3は、透過型エタロン151と全反射ミラー1
52とを含んでいる。リア側のウインド12から出射し
たレーザ光は、透過型エタロン151に入射する。透過
型エタロン151を透過した波長λ1の成分及び波長λ2
の成分は、全反射ミラー152で全反射され、透過型エ
タロン151を再度通過する。これにより、レーザチャ
ンバ11に再び入射する波長λ1の成分の光軸と波長λ2
の成分の光軸とをずらすことができる。この態様におい
ては、透過型エタロンの替わりにリアミラーエタロンを
使用することもできる。この例を、図16の(b)に示
す。図16の(b)において、波長選択光学機器B4
は、リアミラーエタロン153を含んでいる。波長λ2
の成分は、リアミラーエタロン153を透過し、波長λ
1の成分のみが反射されてレーザ共振に利用され、レー
ザチャンバ11からフロント側のウインド13を通って
出射される。
【0053】図17に、波長光学選択機器において複屈
折フィルタを使用した態様を示す。波長光学選択機器B
5の複屈折フィルタ161において、波長λ1の成分は
そのまま透過するが、波長λ2の成分は偏光方向が90
度回転された光となる。レーザチャンバ11のウインド
12、13はブリュースタ角に設置されており、P偏光
に対しては損失が少ないが、S偏光に対しては損失が大
きくなっている。従って、レーザ光がリアミラー14と
アウトプットカプラー28との間で共振する内に、波長
λ1の成分のみが増幅され、波長λ2の成分は消滅する。
【0054】このようなレーザ装置においては、発生す
るレーザ光の偏光度を高める手段を更に具備することが
望ましい。波長選択光学機器の一例においては、分散プ
リズムの透過率を増加させるために、入射角及び出射角
をブリュースタ角に設置して、P偏光の光を100%透
過できるようにしている。そこで、レーザチャンバから
出射される光の偏光度を100%にすれば、波長選択光
学機器を挿入することによるエネルギーの反射損失がな
くなる。そのため、レーザ光の偏光度を高める手段を更
に具備することにより、本発明は更に有効となる。
【0055】以下に、発生するレーザ光の偏光度を高め
る手段について説明する。図18の(a)に、レーザ共
振器内にブリュースタウインドを更に並べた形態を示
す。ここでは、レーザチャンバ11のフロント側のブリ
ュースタウインド13に重ねて、ブリュースタウインド
16が数枚並べられている。F2レーザの場合には、波
長が真空紫外域(約157nm)であるため、P偏光を
透過してS偏光を反射するような耐久性のある膜の製作
は困難である。従って、この例のようなノーコートの基
板を複数配置するのは効果的である。
【0056】図18の(b)に、レーザ共振器内に偏光
素子を挿入した態様を示す。ここでは、ブリュースタウ
インド13とフロントミラー15との間に偏光素子18
が配置されている。
【0057】また、図18の(c)に、レーザ共振器内
にローションプリズムを挿入した態様を示す。ここで
は、フロントミラー15の左側にローションプリズム1
9が配置されている。
【0058】次に、本発明において用いられるモニタモ
ジュールの具体例について説明する。モニタモジュール
の種類としては、例えば図19〜図21に示すモニタモ
ジュールが挙げられるが、これらは本発明の種々の実施
形態に係るレーザ装置及び露光装置に適用することがで
きる。
【0059】図19に、パルスエネルギーを検出するた
めのモニタモジュールの態様を示す。図19において、
波長選択光学機器Aから出射した波長λ1の成分が、ビ
ームスプリッタ21で2方向に分割される。その一方
が、ミラー171で反射された後、均一化して正確なパ
ルスエネルギーの検出を可能にするために設けられた拡
散板172によって拡散される。拡散光は、集光レンズ
173によってセンサ174に集光され、パルスエネル
ギーが検出される。本発明においては、フッ素原子の発
光である赤色が分離できているので、センサとして波長
157nmにおいて感度の高い紫外線用フォトダイオー
ドを使用することができる。また、ソーラブラインドの
ダイヤモンドセンサやCe−Te等の光電管を使用する
こともできる。
【0060】図20の(a)と(b)を参照しながら、
波長を検出するためのモニタモジュールを説明する。図
20の(a)に、エタロンを使用したモニタモジュール
の態様を示す。図20の(a)において、波長選択光学
機器Aから出射した波長λ1の成分を2方向に分割する
ために配置されたビームスプリッタ21の下方には、均
一化して正確な検出を可能にするために拡散板172が
配置されている。その下側には、エタロン181と集光
レンズ173とがこの順に配置され、さらに、集光レン
ズ173の焦点距離の位置にラインセンサ182が配置
されている。ラインセンサ182は、得られたフリンジ
の直径に基づいて光の波長を検出する。各光学素子の基
板の材料として、波長157nmの周辺を検出する場合
には、CaF2を使用することが好ましい。但し、エタ
ロンについては、フッ素がドーピングされた合成石英を
用いてもよい。
【0061】図20の(b)に、グレーティング型分光
器を使用したモニタモジュールの態様を示す。図20の
(b)において、ビームスプリッタ21の下方にはミラ
ー171が配置されており、その左側に拡散板172及
び集光レンズ173が配置されている。集光レンズ17
3の左方にはスリット板183が配置されており、さら
に左方に凹面鏡184が配置されている。ここで、凹面
鏡184とスリット183の距離は、凹面鏡184の焦
点距離と等しく設定されている。凹面鏡184の下側に
凹面鏡185が配置されており、凹面鏡184から出射
した光を凹面鏡185に入射させるために、グレーティ
ング186が配置されている。凹面鏡185の焦点距離
の位置には、ラインセンサ187が配置されている。
【0062】スリット183を通過した検出光は、凹面
鏡184に反射された後、グレーティング186に平行
光として入射する。グレーティング186により波長の
分離が行われ、各波長成分が凹面鏡185に平行光とし
て入射し、凹面鏡によって集光された各波長成分がライ
ンセンサ187により検出される。例えば、波長選択光
学機器Aから入射される光に、波長λ1の成分以外に波
長λ2の成分が含まれている場合には、これらがライン
センサで分離して検出されるので、不必要なラインが出
力されているか否かを監視することができる。また、ス
ペクトル線幅や波長の変動を監視することもできる。な
お、絶対波長の監視は、D2又はBr若しくはPtラン
プの157.6nm付近の基準ラインをグレーティング
型分光器に入射させることにより行うことができる。
【0063】図21の(a)には、ビームプロファイル
を検出する態様のモニターモジュールを示す。図21の
(a)において、波長選択光学機器Aから出射した波長
λ1の成分をビームスプリッタ21で2方向に分割し、
その一方をCCD(charge coupled device:電荷結合
素子)192上に結像させてビームプロファイルを検出
する。なお、図21の(a)に示すように、ビームスプ
リッタ21の下方に縮小レンズ191を配置し、縮小レ
ンズ191によりレーザビームを縮小してCCD192
上に結像させてもよい。
【0064】図21の(b)には、ビームの出射角度を
検出する態様のモニターモジュールを示す。図21の
(b)において、ビームスプリッタ21の下方に集光レ
ンズ193が配置されており、さらに集光レンズ193
の焦点距離の位置にCCD192が配置されている。ビ
ームスプリッタ21で2方向に分割された一方の光を集
光レンズ193に入射させ、CCD上の光の位置を検出
することにより、ビームの出射方向を検出することがで
きる。
【0065】次に、本発明のレーザ装置における制御方
法について説明する。図22の(a)〜(c)に、各波
長成分の強度を計測して得られた計測結果に基づいて所
定の波長を選択する波長選択制御方法の基本的な原理を
示す。ここでは、図7における全反射ミラー53の姿勢
角を制御する場合について説明する。まず、図22の
(a)において、波長λ1における強度I1(n)を測定
する。次いで、図22の(b)に示すように、姿勢角を
第1の方向に変化させて、波長λ 1成分の強度I1(n+
1)を測定し、直前の強度I1(n)と比較する。式
1(n+1)>I1(n) を満たす場合には、姿勢角を
さらに第1の方向に変化させて、波長λ1の成分の強度
1(n+2)を測定し、直前の強度I1(n+1)と比較
する。上式を満たす限り、姿勢角をさらに第1の方向に
変化させ、測定及び比較を繰り返す。一方、図22の
(c)に示すように、波長λ1の成分の強度I1(n+
2)がI1(n+2)<I1(n+1)となった場合には、
姿勢角を第1の方向とは反対の第2の方向に変化させ
る。このときの状態を示したものが、図22の(d)で
ある。この時点で制御が終了する。
【0066】この波長選択方法の一例をフローチャート
に詳しく示したものが、図23である。まず、ステップ
S1においてレーザの発振を開始し、ステップS2にお
いて計測回数nの値をゼロにリセットする。ステップS
3において、波長λ1の成分の強度I1及び波長λ2の成
分の強度I2を計測する。ステップS4において、いず
れの波長を選択するかによって分岐するが、以下におい
ては波長λ1を選択する場合について説明する。ステッ
プS5において、強度I1と強度I2とのどちらが大きい
かを判断する。強度I1が強度I2よりも小さい場合に
は、ステップS6において、姿勢角を比較的大きな角度
Δθ1だけ正の方向に回転させることにより、強度I1
増加させると共に強度I2を減少させる。一方、強度I1
が強度I2よりも大きい場合には、ステップS7におい
て計測回数nをインクリメントする。ステップ8におい
て、強度I1が強度I2よりも大きい状態における計測回
数nの値がチェックされ、nの値に応じてそれぞれのス
テップに移行する。
【0067】第1回目の計測(n=1)においては、ス
テップS9に移行し、姿勢角と比較的小さな角度Δθ2
だけ正の方向に回転させて、その後、ステップS3に戻
って次の計測を行う。
【0068】第2回目以後の計測(n≧2)において
は、ステップS10に移行し、今回の計測によって得ら
れた強度I1(n+1)が前回の計測によって得られた強
度I1(n)よりも増加したか否かを判断する。強度が
減少した場合には、ステップS11において姿勢角を逆
回転(前回と逆の方向に回転)させ、その後ステップS
3に戻って次の計測を行う。一方、強度が増加した場合
には、ステップS12において姿勢角をΔθ2だけ順回
転(前回と同じ方向に回転)させ、ステップS13にお
いて強度の計測を行う。なお、今回と前回の強度が等し
い場合には、いずれの姿勢角を選択してもよい。また、
強度I1の替わりに、相対強度I1/I2を用いても良
い。
【0069】ステップS13に続き、ステップS14に
おいて、今回の計測によって得られた強度I1(n+1)
が前回の計測によって得られた強度I1(n)よりも減
少したか否かを判断する。強度が減少した場合には、ス
テップS15において姿勢角をΔθ2だけ逆回転させて
処理を終了する。一方、強度が増加した場合には、ステ
ップS12に戻り、姿勢角を順回転させることを繰り返
す。このような処理により、強度I1が大きくなるよう
に姿勢角を制御することができる。なお、図23には波
長λ1を選択する場合を示したが、波長λ2を選択する場
合にも同様のプロセスで行うことができる。
【0070】図24は、選択する波長のスペクトル強度
を計測し、その計測結果に基づいてビームの出射角度を
制御するビーム出射角度制御方法の一例を示すフローチ
ャートである。まず、ステップS21においてレーザ発
振を行い、ステップS22においてショット回数が規定
ショット数に達したか否かをチェックする。ショット回
数が規定ショット数に達した時点でパワーロックが解除
され(ステップS23)、その際の波長λ1の成分の強
度I1を測定する(ステップS24)。ステップS25
において、計測回数がチェックされ、計測回数に応じて
それぞれのステップに移行する。
【0071】第1回目の計測においては、ステップS2
6に移行し、姿勢角を角度Δθだけ正の方向に回転させ
る。第2回目以降の計測においては、ステップS27に
移行し、今回の計測によって得られた強度I1(n+1)
が前回の計測によって得られた強度I1(n)よりも増
加したか否かを判断する。強度が減少した場合には、ス
テップS28において姿勢角をΔθだけ逆回転(前回と
逆の方向に回転)させ、その後ステップS24に戻って
次の計測を行う。一方、強度が増加した場合には、ステ
ップS29において姿勢角をΔθだけ順回転(前回と同
じ方向に回転)させ、ステップS30において強度の測
定を行う。なお、今回と前回の強度が等しい場合には、
いずれの姿勢角を選択してもよい。
【0072】ステップS30に続き、ステップS31に
おいて、今回の計測によって得られた強度I1(n+1)
が前回の計測によって得られた強度I1(n)よりも減
少したか否かを判断する。強度が減少した場合には、ス
テップS32において姿勢角をΔθだけ逆回転させて処
理を終了し、強度が増加した場合には、ステップS29
に戻り、姿勢角を順回転させることを繰り返す。このよ
うな処理により、強度I1が大きくなるようにビーム出
射角度を制御することができる。この態様の制御方法
は、波長モニタやビームプロファイルを備えていない場
合にも適用されるので、コストを安くすることができ
る。
【0073】図25は、選択する波長のビームプロファ
イルを計測し、その計測結果に基づいてビームの出射角
度を制御するビーム出射角度制御方法の一例を示すフロ
ーチャートである。まず、ステップS41においてレー
ザ発振を開始し、ステップS42において波長λ1の初
期ビーム位置をCCDにより計測してステップS43に
おいて初期ビーム位置(X0,Y0)を算出する。次い
で、ステップS44とS45においてレーザ発振を行い
ながら、規定のショット数を満たした時点で次のステッ
プに移行する。
【0074】すなわち、ステップS46において計測回
数nの値を「1」に設定し、ステップS47においてビ
ームプロファイルを計測する。これに基づき、ステップ
S48においてビーム位置(Xn,Yn)を算出し、ステ
ップS49においてビーム変位量(ΔX,ΔY)を算出
する。さらに、ステップS50において、ビーム変位量
(ΔX,ΔY)が所定の値(XTH、YTH)以下になった
か否かを判定する。ビーム変位量が所定の値以下になっ
ている場合には、ステップS44に戻ってレーザの発振
を継続する。一方、ビーム変位量が所定の値以下になっ
ていない場合には、ステップS51において姿勢角をΔ
θX及びΔθYだけ回転させ、ステップS52において計
測回数nの値をインクリメントし、ステップS47に戻
ってビームプロファイルの計測とビーム変位量の算出を
繰り返す。このような処理により、強度I1が大きくな
るようにビーム出射角度を制御することができる。
【0075】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザ共振器の外部に波長選択手段が設けられているの
で、選択される波長以外の波長成分を低減させることが
できる。また、本発明によれば、波長選択手段がレーザ
共振器のフロント側に設けられているので、ASEによ
る波長成分も低減させることができる。従って、波長純
度の高いレーザ光を出力するレーザ装置及びそれを用い
た露光装置を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係るレーザ装置の構
成を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施形態に係るレーザ装置の具
体例を示す図である。
【図3】本発明の第1の実施形態に係るレーザ装置の他
の具体例を示す図である。
【図4】本発明の第2の実施形態に係るレーザ装置の構
成を示す図である。
【図5】本発明の第3の実施形態に係るレーザ装置の構
成を示す図である。
【図6】図1〜図5における波長選択光学機器Aの第1
の具体例を示す図である。
【図7】図1〜図5における波長選択光学機器Aの第2
の具体例を示す図である。
【図8】図1〜図5における波長選択光学機器Aの第3
の具体例を示す図である。
【図9】図1〜図5における波長選択光学機器Aの第4
の具体例を示す図である。
【図10】図1〜図5における波長選択光学機器Aの第
5の具体例を示す図である。
【図11】図1〜図5における波長選択光学機器Aの第
6の具体例を示す図である。
【図12】図1〜図5における波長選択光学機器Aの第
7の具体例を示す図である。
【図13】図1〜図5における波長選択光学機器Aの第
8の具体例を示す図である。
【図14】図2における波長選択光学機器Bの第1の具
体例を示す図である。
【図15】図2における波長選択光学機器Bの第2の具
体例を示す図である。
【図16】図2における波長選択光学機器Bの第3及び
第4の具体例をそれぞれ示す図である。
【図17】図2における波長選択光学機器Bの第5具体
例を示す図である。
【図18】本発明においてレーザ光の偏光度を高める手
段の例を示す図である。
【図19】本発明において用いられるモニタモジュール
の第1の具体例を示す図である。
【図20】(a)及び(b)は、本発明において用いら
れるモニタモジュールの第2及び第3の具体例をそれぞ
れ示す図である。
【図21】(a)及び(b)は、本発明において用いら
れるモニタモジュールの第4及び第5の具体例をそれぞ
れ示す図である。
【図22】(a)〜(d)は本発明において用いられる
波長選択制御方法の基本的な原理を説明するための図で
ある。
【図23】本発明において用いられる波長選択制御方法
の一例を示すフローチャートである。
【図24】本発明において用いられるビーム出射角度制
御方法の一例を示すフローチャートである。
【図25】本発明において用いられるビーム出射角度制
御方法の他の例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
A、A1〜A8、B、B1〜B5 波長選択光学機器 C 空間フィルタ C1 スリット板 10、30、40、50 レーザ装置 11 レーザチャンバ 12、13 ウインド 14 リアミラー 15 フロントミラー 16 ブリュースタウインド 17 開口 18 偏光素子 19 ローションプリズム 20 モニタモジュール 21 ビームスプリッタ 22 計測器 23 コントローラ 24、27 ドライバ 25 ガスコントローラ 26 電源 28 アウトプットカプラー 31 ビームデリバリー 32 露光器 41、121、181 エタロン 42 ドライバ 51、52 分散プリズム 53、111、133、152 全反射ミラー 54 ミラー姿勢角制御ドライバ 55 恒温槽 56、57 窓 61、62 分散プリズム 63 露光器 64、113 スリット板 71 波長分離部 72、73 分散プリズム 74、84、85 プリズム回転ステージ 75 ミラー回転ステージ 76、78 レンズ 77、183 スリット板 79 回転ステージドライバ 81、82 分散プリズム 83 45度直角プリズム 86 放電電極 87 HRコートなし部 88 HRコート部 89 スリット付ミラー 91、96 直角プリズム 92、93、131、132 分散プリズム 101、161、162 複屈折フィルタ 102 偏光分離素子 112、143、186 グレーティング 141、142 ビームエキスパンダプリズム 151 透過型エタロン 153 リアミラーエタロン 171 ミラー 172 拡散板 173 集光レンズ 182、187 ラインセンサ 184、185 凹面鏡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H097 CA13 LA10 5F046 CA03 CA07 5F071 AA04 AA06 HH05 JJ05 5F072 AA04 AA06 HH05 JJ05 KK01 KK07 KK08 KK09 KK15 KK30 TT12 YY08

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも第1の波長成分と第2の波長
    成分とを含むレーザ光を発生するレーザ共振器と、 前記レーザ共振器の外部に配置され、前記レーザ共振器
    が発生するレーザ光に含まれている第1の波長成分と第
    2の波長成分とを異なる方向に出射する波長選択手段
    と、を具備するレーザ装置。
  2. 【請求項2】 前記波長選択手段から出射された第1の
    波長成分と第2の波長成分との内の一方を取り出す波長
    分離手段をさらに具備する請求項1記載のレーザ装置。
  3. 【請求項3】 前記レーザ共振器が発生するレーザ光の
    偏光度を高める手段をさらに具備する請求項1又は2記
    載のレーザ装置。
  4. 【請求項4】 前記波長選択手段の温度を制御する手段
    をさらに具備する請求項1〜3のいずれか1項記載のレ
    ーザ装置。
  5. 【請求項5】 前記波長選択手段が、前記レーザ共振器
    が発生するレーザ光の偏光方向に合わせて配置されてい
    る、請求項1〜4のいずれか1項記載のレーザ装置。
  6. 【請求項6】 前記波長選択手段が、少なくとも1つの
    プリズムを含む、請求項1〜5のいずれか1項記載のレ
    ーザ装置。
  7. 【請求項7】 前記波長分離手段が、空間フィルタとし
    て働くスリット板を含む、請求項1〜6のいずれか1項
    記載のレーザ装置。
  8. 【請求項8】 前記波長分離手段に入射するレーザ光の
    光軸の方向を制御する手段をさらに具備する請求項1〜
    7のいずれか1項記載のレーザ装置。
  9. 【請求項9】 少なくとも第1の波長成分と第2の波長
    成分とを含むレーザ光を発生するレーザ共振器と、 前記レーザ共振器の外部に配置され、前記レーザ共振器
    が発生するレーザ光に含まれている第1の波長成分を透
    過し、第2の波長成分を反射する波長選択手段と、を具
    備するレーザ装置。
  10. 【請求項10】 前記波長選択手段が、少なくとも1つ
    のエタロンを含む、請求項9記載のレーザ装置。
  11. 【請求項11】 前記レーザ共振器が、レーザ媒質とし
    てF2(フッ素分子)を含む、請求項1〜10のいずれ
    か1項記載のレーザ装置。
  12. 【請求項12】 少なくとも第1の波長成分と第2の波
    長成分とを含むレーザ光を発生するレーザ共振器と、前
    記レーザ共振器の外部に配置され、前記レーザ共振器が
    発生するレーザ光に含まれている第1の波長成分と第2
    の波長成分とを異なる方向に出射する波長選択手段とを
    有するレーザ装置と、 前記レーザ装置が発生するレーザ光を用いて対象物を露
    光させる露光器と、 前記露光器の内部に配置され、前記レーザ装置が発生す
    るレーザ光の第1の波長成分と第2の波長成分との内の
    一方を取り出す波長分離手段と、を具備する露光装置。
  13. 【請求項13】 少なくとも第1の波長成分と第2の波
    長成分とを含むレーザ光を発生するレーザ共振器と、前
    記レーザ共振器の外部に配置され、前記レーザ共振器が
    発生するレーザ光に含まれている第1の波長成分と第2
    の波長成分とを異なる方向に出射する波長選択手段とを
    有するレーザ装置と、 前記レーザ装置が発生するレーザ光を用いて対象物を露
    光させる露光器と、 前記レーザ装置から前記露光器へレーザ光を伝搬させる
    伝搬路と、 前記伝搬路に配置され、前記レーザ装置が発生するレー
    ザ光の第1の波長成分と第2の波長成分との内の一方を
    取り出す波長分離手段と、を具備する露光装置。
  14. 【請求項14】 前記レーザ共振器が発生するレーザ光
    の偏光度を高める手段をさらに具備する請求項12又は
    13記載の露光装置。
  15. 【請求項15】 前記波長選択手段の温度を制御する手
    段をさらに具備する請求項12〜14のいずれか1項記
    載の露光装置。
  16. 【請求項16】 前記波長選択手段が、前記レーザ共振
    器が発生するレーザ光の偏光方向に合わせて配置されて
    いる、請求項12〜15のいずれか1項記載の露光装
    置。
  17. 【請求項17】 前記波長選択手段が、少なくとも1つ
    のプリズムを含む、請求項12〜16のいずれか1項記
    載の露光装置。
  18. 【請求項18】 前記波長分離手段が、空間フィルタと
    して働くスリット板を含む、請求項12〜17のいずれ
    か1項記載の露光装置。
  19. 【請求項19】 前記波長分離手段に入射するレーザ光
    の光軸の方向を制御する手段をさらに具備する請求項1
    2〜18のいずれか1項記載の露光装置。
  20. 【請求項20】 前記レーザ共振器が、レーザ媒質とし
    てF2(フッ素分子)を含む、請求項12〜19のいず
    れか1項記載の露光装置。
JP2001188354A 2001-06-21 2001-06-21 レーザ装置及びそれを用いた露光装置 Pending JP2003008122A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001188354A JP2003008122A (ja) 2001-06-21 2001-06-21 レーザ装置及びそれを用いた露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001188354A JP2003008122A (ja) 2001-06-21 2001-06-21 レーザ装置及びそれを用いた露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003008122A true JP2003008122A (ja) 2003-01-10

Family

ID=19027475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001188354A Pending JP2003008122A (ja) 2001-06-21 2001-06-21 レーザ装置及びそれを用いた露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003008122A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006179600A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Komatsu Ltd 多段増幅型レーザシステム
JP2007214189A (ja) * 2006-02-07 2007-08-23 Komatsu Ltd レーザチャンバのウィンドウ劣化判定装置および方法
JP2009043788A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Ulvac Japan Ltd レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法
JP2009054651A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Sony Corp レーザ光源装置及びこれを用いた画像生成装置
JP2011040738A (ja) * 2009-07-30 2011-02-24 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および監視方法
JP2012113277A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 露光波長調節装置及びそれを利用した露光機
JP2022512390A (ja) * 2018-12-11 2022-02-03 ノースロップ グラマン システムズ コーポレーション スペクトルビーム結合されたレーザ源用の波長制御ビームスタビライザ
WO2022044308A1 (ja) * 2020-08-31 2022-03-03 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、波長制御方法、及び電子デバイスの製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02288383A (ja) * 1989-04-28 1990-11-28 Toshiba Corp 狭帯域レーザ装置
JPH09214070A (ja) * 1996-01-29 1997-08-15 Kawasaki Heavy Ind Ltd 狭帯域自由電子レーザ装置
WO2001001531A1 (en) * 1999-06-23 2001-01-04 Lambda Physik Ag Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1pm
JP2001156374A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Komatsu Ltd 狭帯域化フッ素レーザ装置及びフッ素露光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02288383A (ja) * 1989-04-28 1990-11-28 Toshiba Corp 狭帯域レーザ装置
JPH09214070A (ja) * 1996-01-29 1997-08-15 Kawasaki Heavy Ind Ltd 狭帯域自由電子レーザ装置
WO2001001531A1 (en) * 1999-06-23 2001-01-04 Lambda Physik Ag Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1pm
JP2001156374A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Komatsu Ltd 狭帯域化フッ素レーザ装置及びフッ素露光装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006179600A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Komatsu Ltd 多段増幅型レーザシステム
JP2007214189A (ja) * 2006-02-07 2007-08-23 Komatsu Ltd レーザチャンバのウィンドウ劣化判定装置および方法
JP2009043788A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Ulvac Japan Ltd レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法
JP2009054651A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Sony Corp レーザ光源装置及びこれを用いた画像生成装置
JP2011040738A (ja) * 2009-07-30 2011-02-24 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および監視方法
JP2012113277A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 露光波長調節装置及びそれを利用した露光機
JP2022512390A (ja) * 2018-12-11 2022-02-03 ノースロップ グラマン システムズ コーポレーション スペクトルビーム結合されたレーザ源用の波長制御ビームスタビライザ
JP7438218B2 (ja) 2018-12-11 2024-02-26 ノースロップ グラマン システムズ コーポレーション スペクトルビーム結合されたレーザ源用の波長制御ビームスタビライザ
WO2022044308A1 (ja) * 2020-08-31 2022-03-03 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、波長制御方法、及び電子デバイスの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6101211A (en) Narrow-band laser apparatus
JP7065138B2 (ja) 光ビーム計測装置
KR20020054272A (ko) 조사 편광 제어부를 구비한 광학 축소 시스템
US20030161374A1 (en) High-resolution confocal Fabry-Perot interferometer for absolute spectral parameter detection of excimer laser used in lithography applications
US8503499B2 (en) Gas discharge chamber
US6181724B1 (en) Narrow-band oscillation excimer laser and optics thereof
JP2002198588A (ja) フッ素分子レーザ
US6747741B1 (en) Multiple-pass interferometric device
JP2003008122A (ja) レーザ装置及びそれを用いた露光装置
JP4907865B2 (ja) 多段増幅型レーザシステム
JP2002280651A (ja) レーザの出力ビーム特性を最適化するための方法および装置
US20010033383A1 (en) Resonator optics monitoring method
US20220131328A1 (en) Optical pulse stretcher, laser device, and electronic device manufacturing method
JP5393725B2 (ja) 多段増幅型レーザシステム
WO2001001530A1 (en) Narrow band excimer laser with a prism-grating as line-narrowing optical element
WO2018229854A1 (ja) レーザ装置及び光学素子の製造方法
JP2003051634A (ja) 放電励起型レーザ装置
US20130235893A1 (en) Transmissive optical device, laser chamber, amplifier stage laser device, oscillation stage laser device and laser apparatus
JP2617320B2 (ja) レーザの波長制御装置
US11841267B2 (en) Energy measuring apparatus and excimer laser apparatus
JP5110634B2 (ja) レーザ光軸調整装置及びレーザ光軸調整方法
JP2002148122A (ja) レーザ光の波長モニタ用光学装置
US20230375847A1 (en) Optical isolator, ultraviolet laser device, and electronic device manufacturing method
JP4004263B2 (ja) レーザ装置及び露光装置
WO2023095219A1 (ja) パルス伸張器及び電子デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080407

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100823

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100831

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110104