JP2003007890A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体素子が作動時に発する熱を外部に効率よ
く放出することができず、半導体素子に熱破壊が発生す
る。 【解決手段】上面に半導体素子４が載置される載置部１
ａを有し、該載置部１ａより外部にかけて導出する半導
体素子４の各電極が接続される配線層６を有する絶縁基
体１と、前記絶縁基体１の上面に取着され、前記半導体
素子４が載置される載置部１ａを封止する蓋体２と、前
記絶縁基体１の下面に取着されている放熱体３とからな
る半導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体
１は熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックス焼結
体からなり、かつ放熱体３が平均粒径５０μｍ乃至１０
０μｍで、粒径２５μｍ以下の粒子を含有しないタング
ステン粉末から成る焼結多孔体に銅を含浸させて形成さ
れているとともにタングステンから成る焼結多孔体が８
０乃至９５重量％、銅が５乃至２０重量％である。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明はＬＳＩ（大規模集積
回路素子）や光半導体素子等の半導体素子を収容するた
めの半導体素子収納用パッケージに関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体素子を収容するための半導
体素子収納用パッケージは、酸化アルミニウム質焼結体
から成り、上面に半導体素子が載置される載置部を有
し、該載置部から外部にかけて導出するタングステンや
モリブデン等から成る複数個の配線層を有する絶縁基体
と、前記絶縁基体の上面に取着され、前記半導体素子が
載置される載置部を封止する蓋体と、前記絶縁基体の下
面に取着されている放熱体とにより構成されており、絶
縁基体の半導体素子載置部に半導体素子をガラス、樹
脂、ロウ材等の接着剤を介して接着固定するとともに該
半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介して配線
層に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体
をガラス、樹脂、ロウ材等からなる封止材を介して接合
させ、絶縁基体と蓋体とからなる容器内部に半導体素子
を気密に収容することによって製品としての半導体装置
となる。 【０００３】また前記絶縁基体の下面には銅−タングス
テン合金等の金属材料からなる放熱体が取着されてお
り、半導体素子の作動時に発する熱を外部に良好に放散
させて半導体素子を常に適温とし半導体素子に熱破壊が
発生したり、特性に熱劣化が発生したりするのを有効に
防止している。 【０００４】なお、前記銅−タングステン合金からなる
放熱体は、銅とタングステンの比率を制御することによ
って線熱膨張係数が決定され、例えば、線熱膨張係数を
酸化アルミニウム質焼結体の線熱膨張係数に近似する約
７．５ｐｐｍ／℃とするには銅を２５重量％、タングス
テンを７５重量％とすればよい。 【０００５】また前記銅−タングステン合金は一般に平
均粒径が１μｍ乃至４０μｍのタングステン粉末を焼成
して焼結多孔体を得、次に前記タングステンから成る焼
結多孔体の空孔内に溶融させた銅を含浸させることによ
って製作されている（特公平５−３８４５７号公報参
照）。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージにおいては、絶縁基体
が酸化アルミニウム質焼結体から成り、熱伝導率が７０
Ｗ／ｍ・ｋと低いこと、放熱体が平均粒径１μｍ乃至４
０μｍのタングステン粉末を焼成して焼結多孔体を得る
とともに該焼結多孔体の空孔内に溶融させた銅を含浸さ
せることによって形成されており、平均粒径の１/２以
下の粒径の粒子が１０％程度含まれているためにこの粒
径の小さな粉末が粒径の大きな粉末間に入り込んで得ら
れるタングステンから成る焼結多孔体の空孔は細く狭い
ものとなり、その結果、空孔内に含浸される熱伝導が良
好な銅もその線幅が細く狭いものとなって放熱体の熱伝
導率は約２８５Ｗ／ｍ・Ｋ（線熱膨張係数が約７．５ｐ
ｐｍ／℃の銅−タングステン合金：銅：２５重量％、タ
ングステン：７５重量％）程度であった。 【０００７】そのためこの従来の半導体素子収納用パッ
ケージ内に近時の高密度化、高集積化が大きく進み、作
動時に多量の熱を発する半導体素子を収容した場合、半
導体素子が作動時に発する熱は絶縁基体及び放熱体を介
して外部に完全に放出させることができなくなり、その
結果、半導体素子が該素子自身の発する熱によって高温
となり、半導体素子に熱破壊を招来させたり、特性にば
らつきを生じ安定に作動させることができないという欠
点を有していた。 【０００８】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は絶縁基体及び放熱体の熱伝導率を高いも
のとし、半導体素子が作動時に発する多量の熱を絶縁基
体及び放熱体を介して外部に良好に放出させて半導体素
子を常に適温となし半導体素子を常に正常、かつ安定に
作動させることができる半導体素子収納用パッケージを
提供することにある。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明は、上面に半導体
素子が載置される載置部を有し、該載置部より外部にか
けて導出する半導体素子の各電極が接続される配線層を
有する絶縁基体と、前記絶縁基体の上面に取着され、前
記半導体素子が載置される載置部を封止する蓋体と、前
記絶縁基体の下面に取着されている放熱体とからなる半
導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体は熱
伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックス焼結体から
なり、かつ放熱体が平均粒径５０μｍ乃至１００μｍ
で、２５μｍ以下の粒子を含有しないタングステン粉末
から成る焼結多孔体に銅を含浸させて形成されていると
ともにタングステンから成る焼結多孔体が８０乃至９５
重量％、銅が５乃至２０重量％であることを特徴とする
ものである。 【００１０】本発明の半導体素子収納用パッケージによ
れば、絶縁基体を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラ
ミックス焼結体で、放熱体を平均粒径５０μｍ乃至１０
０μｍで、粒径２５μｍ以下の粒子を含有しないタング
ステン粉末から成る焼結多孔体に銅を含浸させた銅−タ
ングステン合金で形成し、各々の熱伝導率を高いものと
したことから半導体素子が作動時に多量の熱を発したと
してもその熱は絶縁基体及び放熱体を介して外部に効率
よく放散され、これによって半導体素子は常に適温とな
り、半導体素子を長期間にわたり安定かつ正常に作動さ
せることが可能となる。 【００１１】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、放熱体を構成するタングステンから成る焼結
多孔体を８０乃至９５重量％、銅を５乃至２０重量％の
範囲としたことから放熱体の線熱膨張係数を熱伝導率が
７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックス焼結体からなる絶縁
基体の線熱膨張係数に近似させることが可能となり、そ
の結果、絶縁基体の下面に放熱体を取着させる際や半導
体素子が作動した際等において絶縁基体と放熱体の両者
に熱が作用したとしても絶縁基体と放熱体との間には両
者の線熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が発生
することはなく、これによって放熱体を絶縁基体に割れ
やクラックを発生させることなく強固に取着させて半導
体素子が作動時に発する熱を常に外部に良好に放出させ
ることができる。 【００１２】 【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に示す実
施例に基づき詳細に説明する。 【００１３】図１は、本発明の半導体素子収納用パッケ
ージの一実施例を示す断面図であり、図１において、１
は絶縁基体、２は蓋体、３は放熱体である。この絶縁基
体１と蓋体２とにより内部に半導体素子４を気密に収容
するための容器５が構成される。 【００１４】前記絶縁基体１はその上面に半導体素子３
が載置される載置部１ａを有する凹部が形成されてお
り、該凹部底面の載置部１ａに半導体素子３がガラス、
樹脂、ロウ材等の接着材を介して接着固定される。 【００１５】前記絶縁基体１は半導体素子４を支持する
支持部材として作用するとともに半導体素子４が作動時
に発する熱を吸収して後述する放熱体３に良好に伝達さ
せる作用をなし、窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素
質焼結体、窒化珪素質焼結体等の熱伝導率が７０Ｗ／ｍ
・Ｋ以上のセラミックス焼結体により形成されている。 【００１６】前記絶縁基体１は例えば、窒化アルミニウ
ム質焼結体から成る場合には窒化アルミニウム、酸化珪
素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化イットリ
ウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶
剤を添加混合して泥漿状となすとともに該泥漿物を従来
周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用
することによってセラミックグリーンシート（セラミッ
ク生シート）を形成し、次に前記セラミックグリーンシ
ートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとと
もに必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しか
る後、これを１６００℃の温度で焼成することによって
製作される。 【００１７】また前記絶縁基体１は凹部の内側から外側
にかけて導出する複数個の配線層６が形成されており、
凹部内側の領域には半導体素子４の電極がボンディング
ワイヤ７を介して電気的に接続され、また外側に導出す
る領域には外部電気回路に接続される外部リード端子８
が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されている。 【００１８】前記配線層６は半導体素子４の各電極を外
部電気回路に接続する際の導電路として作用し、タング
ステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属粉末に
より形成されている。 【００１９】前記配線層６はタングステン、モリブデ
ン、マンガン、銅、銀等の金属粉末に適当な有機バイン
ダー、溶剤等を添加混合して得られた金属ペーストを絶
縁基体１となるセラミックグリーンシートに予め従来周
知のスクリーン印刷法等の印刷法を用いることにより所
定パターンに印刷塗布しておくことによって絶縁基体１
の凹部内側から外側にかけて被着形成される。 【００２０】なお前記配線層６はその露出する表面にニ
ッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性に
優れる金属を１μｍ〜２０μｍの厚みにメッキ法により
被着させておくと、配線層６の酸化腐蝕を有効に防止す
ることができるとともに配線層６への外部リード端子８
のロウ付けを強固となすことができる。従って、前記配
線層６はその露出する表面にニッケル、金等の耐蝕性に
優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属を１μｍ〜２
０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。 【００２１】また前記配線層６には外部リード端子８が
銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されており、該
外部リード端子８は容器５内部に収容する半導体素子４
の各電極を外部電気回路に電気的に接続する作用をな
し、外部リード端子８を外部電気回路に接続することに
よって容器５内部に収容される半導体素子４は配線層６
および外部リード端子８を介して外部電気回路に電気的
に接続されることとなる。 【００２２】前記外部リード端子８は鉄−ニッケル−コ
バルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、
例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る
インゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従
来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に形成
される。 【００２３】更に前記絶縁基体１はその下面に放熱体３
が取着されており、該放熱体３は半導体素子４が作動時
に発した熱を絶縁基体１を介して吸収し、該吸収した熱
を大気中に放出する作用をなし、銅−タングステン合金
により形成されている。 【００２４】前記銅−タングステン合金より成る放熱体
３はタングステン粉末を焼成して得られる焼結多孔体の
空孔内に溶融させた銅を含浸させることによって製作さ
れている。 【００２５】また前記放熱体３の絶縁基体１下面への取
着は絶縁基体１の下面に予め金属層を形成しておき、該
金属層と放熱体３とを銀ロウ等のロウ材を介しロウ付け
することによって行われる。 【００２６】また更に前記絶縁基体１はその上面に蓋体
２がガラス、樹脂、ロウ材等の封止材を介して接合さ
れ、これによって絶縁基体１と蓋体２とから成る容器５
内部に半導体素子４が気密に収容されることとなる。 【００２７】前記蓋体はセラミックス製の板材や鉄−ニ
ッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材か
ら成る板材により形成されている。かくして上述の半導
体素子収納用パッケージによれば、絶縁基体１の半導体
素子載置部１ａ上に半導体素子４をガラス、樹脂、ロウ
材等の接着剤を介して接着固定するとともに該半導体素
子４の各電極をボンディングワイヤ７を介して所定の配
線層６に接続させ、しかる後、前記絶縁基体１の上面に
蓋体３をガラス、樹脂、ロウ材等から成る封止材を介し
て接合させ、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器５内部
に半導体素子４を気密に収容することによって製品とし
ての半導体装置となる。 【００２８】本発明の半導体素子収納用パッケージにお
いては、絶縁基体１を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の
セラミックス焼結体で形成しておくことが重要である。 【００２９】前記絶縁基体１を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・
Ｋ以上のセラミックス焼結体で形成しておくと半導体素
子４が作動時に発した多量の熱は絶縁基体１を介して放
熱体３に効率よく伝達され、これによって半導体素子４
は常に適温と成り、半導体素子４を常に正常、かつ安定
に作動させることができる。 【００３０】なお、前記絶縁基体１はその熱伝導率が７
０Ｗ／ｍ・Ｋ未満となると半導体素子４が作動時に発し
た多量の熱を放熱体３に効率よく伝達させることができ
なくなり、その結果、半導体素子４が該素子自身の発す
る熱によって高温となり、熱破壊や特性に熱劣化等を招
来してしまう。従って、前記絶縁基体１はその熱伝導率
が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックス焼結体に特定され
る。 【００３１】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
においては、放熱体３を平均粒径が５０μｍ乃至１００
μｍで、２５μｍ以下の粒子を含有しないタングステン
粉末を焼成して得られる焼結多孔体の空孔内に溶融させ
た銅を含浸させることによって製作しておくことが重要
である。 【００３２】このように平均粒径が５０μｍ乃至１００
μｍで、粒径２５μｍ以下の粒子を含有しないタングス
テン粉末を焼成して得られる焼結多孔体は粒径の小さい
粉末が粒径の大きな粉末間に入り込んで空孔を小さくす
ることはなく、その結果、タングステンから成る焼結多
孔体の空孔を大きなものとするとともに該空孔内に含浸
される熱伝導が良好な銅の線幅も広いものとなり、これ
によって放熱体３の熱伝導率を従来品の銅−タングステ
ン合金から成る放熱体よりも１５％以上高い値となすこ
とが可能となる。 【００３３】なお、前記タングステン粉末を焼成して得
られる焼結多孔体はタングステン粉末の平均粒径が５０
μｍ未満となると形成される空孔が細く、狭いものとな
って放熱体３の熱伝導率を大幅に向上させることができ
ず、また１００μｍを越えると放熱体３の表面に大きな
凹凸が形成され、絶縁基体１の下面にロウ付けにより取
着させる際、絶縁基体１と放熱体３との間に空気が抱き
込まれて絶縁基体１から放熱体３への熱の伝達が悪くな
ってしまう。従って、前記タングステンから成る焼結多
孔体は平均粒径が５０μｍ乃至１００μｍのタングステ
ン粉末を焼成することによって形成されたものに限定さ
れる。 【００３４】また前記平均粒径が５０μｍ乃至１００μ
ｍのタングステン粉末を焼成して得られる焼結多孔体は
粒径が２５μｍ以下のものが含有されているとこの粒径
の小さなタングステン粉末が粒径の大きなタングステン
粉末間に入り込んで空孔を細く狭いものにしてしまい放
熱体３の熱伝導率を小さいものとなしてしまう。従っ
て、前記タングステンから成る焼結多孔体は平均粒径が
５０μｍ乃至１００μｍのタングステン粉末を焼成して
形成する際、その中に含まれている粒径２５μｍ以下の
粉末を除去しておく必要がある。この粒径２５μｍ以下
の粉末が含有されないようにするにはタングステン粉末
を粗さの異なる複数のメッシュを用いて調整し、粒径２
５μｍ以下のものを除去することによって行われる。 【００３５】また更に本発明の半導体素子収納用パッケ
ージにおいては、放熱体３を構成するタングステンから
成る焼結多孔体を８０乃至９５重量％、銅を５乃至２０
重量％の範囲としておくことが重要である。 【００３６】前記タングステンからなる焼結多孔体を８
０乃至９５重量％、銅を５乃至２０重量％の範囲として
おくと放熱体３の線熱膨張係数を５ｐｐｍ／℃乃至７．
５ｐｐｍ／℃（室温〜８００℃）の任意の値として、窒
化アルミニウム質焼結体や窒化珪素質焼結体、炭化珪素
質焼結体等の熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミッ
クス焼結体の線熱膨張係数（４．５ｐｐｍ／℃〜６．５
ｐｐｍ／℃）に近似させることが可能となり、その結
果、絶縁基体１に放熱体３を取着させる際や半導体素子
４が作動した際等において絶縁基体１と放熱体３の両者
に熱が作用したとしても絶縁基体１と放熱体３との間に
は両者の線熱膨張係数差に起因する大きな熱応力が発生
することはなく、これによって放熱体３を絶縁基体１に
割れやクラックを発生させることなく強固に取着させて
半導体素子４が作動時に発する熱を常に外部に良好に放
出させることができる。 【００３７】なお前記放熱体３はタングステンから成る
焼結多孔体が７５重量％未満、銅が２５重量％を超えた
場合、或いはタングステンから成る焼結多孔体が９５重
量％を超え、銅が５重量％未満である場合、放熱体３の
線熱膨張係数が絶縁基体１の線熱膨張係数に対して大き
く相違することとなり、その結果、絶縁基体１に放熱体
３を強固に取着させておくことができなくなってしま
う。従って、前記放熱体３はそれを形成するタングステ
ンから成る焼結多孔体の量は８０乃至９５重量％の範囲
に、銅は５乃至２０重量％の範囲にそれぞれ特定され
る。次に本発明の作用効果を下記に示す実験例に基づき
説明する。 【００３８】［実験例］まず、銅と、平均粒径が５０μ
ｍ、７５μｍ、１００μｍで２５μｍ以下のものを含有
しないタングステン粉末と、平均粒径が５μｍで２．５
μｍ以下の粒子を１０重量％含有するタングステン粉末
とを準備する。 【００３９】次に上記銅およびタングステン粉末を表１
に示す値に秤量するとともに１ｔ／ｃｍ³の圧力で成形
し、該成形体を１５００℃の温度で焼成して各種の焼結
多孔体を得る。 【００４０】次に前記タングステンから成る各種の焼結
多孔体の空孔内に１２００℃の温度で溶融させた銅を含
浸させ、これによって銅−タングステン合金から成る評
価用基体を製作する。 【００４１】最後に前記各種の評価用基体をＪＩＳ Ｒ
１６１１に規定のファインセラミックスのレーザフラッ
シュ法による熱拡散率・比熱容量・熱伝導率試験方法に
基づき評価用基体の熱拡散率と熱容量を求め、これらの
値に評価基体の密度を積算することによって熱伝導率
（Ｗ／ｍ・Ｋ）を、またＴＭＡ法（Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃ
ｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）により評価用基体
を昇温させながら各温度に対する評価基体の伸び量を測
定し、その値を温度上昇幅値で除算することによって線
熱膨張係数（ｐｐｍ／℃）を測定する。 【００４２】その結果を表１および図２に示す。 【００４３】 【表１】 【００４４】表１および図２から判るようにいずれの評
価用基体においても銅とタングステンの比率が同じもの
は線熱膨張係数が略同じ値を示しているのに対し、熱伝
導率は平均粒径が５０μｍ、７５μｍ、１００μｍで粒
径２５μｍ以下のものを含有しないタングステン粉末を
用いた評価用基体（試料No.１〜１２：本発明品）のも
のは平均粒径が５μｍで２．５μｍ以下の粒子を１０重
量％含有するタングステン粉末を用いた評価用基体（試
料No.１３〜１８：従来品）よりも１５％以上高い値を
示し熱伝導率が大きく改善されていることが判る。 【００４５】よって本発明品では、半導体素子が作動時
に多量の熱を発した際、その熱を放熱体を介して外部に
効率よく放散させることができ、半導体素子を常に適温
として長期間にわたり安定かつ正常に作動させることが
可能となる。 【００４６】なお、本発明は上述の実施例、実験例に限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
であれば種々の変更は可能である。 【００４７】 【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、絶縁基体を熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセ
ラミックス焼結体で、放熱体を平均粒径５０μｍ乃至１
００μｍで、粒径２５μｍ以下の粒子を含有しないタン
グステン粉末から成る焼結多孔体に銅を含浸させた銅−
タングステン合金で形成し、各々の熱伝導率を高いもの
としたことから半導体素子が作動時に多量の熱を発した
としてもその熱は絶縁基体及び放熱体を介して外部に効
率よく放散され、これによって半導体素子は常に適温と
なり、半導体素子を長期間にわたり安定かつ正常に作動
させることが可能となる。 【００４８】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、放熱体を構成するタングステンから成る焼結
多孔体を８０乃至９５重量％、銅を５乃至２０重量％の
範囲としたことから放熱体の線熱膨張係数を熱伝導率が
７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックス焼結体からなる絶縁
基体の線熱膨張係数に近似させることが可能となり、そ
の結果、絶縁基体の下面に放熱体を取着させる際や半導
体素子が作動した際等において絶縁基体と放熱体の両者
に熱が作用したとしても絶縁基体と放熱体との間には両
者の線熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が発生
することはなく、これによって放熱体を絶縁基体に割れ
やクラックを発生させることなく強固に取着させて半導
体素子が作動時に発する熱を常に外部に良好に放出させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。 【図２】本発明の半導体素子収納用パッケージに用いる
放熱体の特性図である。 【符号の説明】 １・・・・絶縁基体 １ａ・・・載置部 ２・・・・蓋体 ３・・・・放熱体 ４・・・・半導体素子 ５・・・・容器 ６・・・・配線層

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【手続補正書】 【提出日】平成１３年８月２７日（２００１．８．２
７） 【手続補正１】 【補正対象書類名】明細書 【補正対象項目名】０００６ 【補正方法】変更 【補正内容】 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージにおいては、絶縁基体
が酸化アルミニウム質焼結体から成り、熱伝導率が２０
Ｗ／ｍ・Ｋと低いこと、放熱体が平均粒径１μｍ乃至４
０μｍのタングステン粉末を焼成して焼結多孔体を得る
とともに該焼結多孔体の空孔内に溶融させた銅を含浸さ
せることによって形成されており、平均粒径の１／２以
下の粒径の粒子が１０％程度含まれているためにこの粒
径の小さな粉末が粒径の大きな粉末間に入り込んで得ら
れるタングステンから成る焼結多孔体の空孔は細く狭い
ものとなり、その結果、空孔内に含浸される熱伝導が良
好な銅もその線幅が細く狭いものとなって放熱体の熱伝
導率は約２８５Ｗ／ｍ・Ｋ（線熱膨張係数が約７．５ｐ
ｐｍ／℃の銅−タングステン合金：銅：２５重量％、タ
ングステン：７５重量％）程度であった。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】上面に半導体素子が載置される載置部を有
   し、該載置部より外部にかけて導出する半導体素子の各
   電極が接続される配線層を有する絶縁基体と、前記絶縁
   基体の上面に取着され、前記半導体素子が載置される載
   置部を封止する蓋体と、前記絶縁基体の下面に取着され
   ている放熱体とからなる半導体素子収納用パッケージで
   あって、前記絶縁基体は熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・ｋ以上
   のセラミックス焼結体からなり、かつ放熱体が平均粒径
   ５０μｍ乃至１００μｍで、２５μｍ以下の粒子を含有
   しないタングステン粉末から成る焼結多孔体に銅を含浸
   させて形成されているとともにタングステンから成る焼
   結多孔体が８０乃至９５重量％、銅が５乃至２０重量％
   であることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。