JP2002544388A - 単層を調製するためにヒドリドシランを用いた表面改変 - Google Patents

単層を調製するためにヒドリドシランを用いた表面改変

Info

Publication number
JP2002544388A
JP2002544388A JP2000618024A JP2000618024A JP2002544388A JP 2002544388 A JP2002544388 A JP 2002544388A JP 2000618024 A JP2000618024 A JP 2000618024A JP 2000618024 A JP2000618024 A JP 2000618024A JP 2002544388 A JP2002544388 A JP 2002544388A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alkyl
branched
linear
alkenyl
alkynyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000618024A
Other languages
English (en)
Inventor
トーマス ジェイ． マッカーシー
アレキサンダー ワイ ファディーブ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Massachusetts UMass
Original Assignee
University of Massachusetts UMass
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Massachusetts UMass filed Critical University of Massachusetts UMass
Publication of JP2002544388A publication Critical patent/JP2002544388A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
    • B05D1/185—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping applying monomolecular layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】 表面を改変する方法が開示される。方法は、ヒドリドシランのケイ素原子及び表面上のヒドロキシル基の酸素原子の間に共有結合を形成するのに十分な時間及び条件下で、表面を、ヒドリドシランと接触する段階を含む。ヒドリドシランは式(I)を有し、ここでRa、Rb、RcおよびRdの少なくとも1つはHであり、かつRa、Rb、RcおよびRdの少なくとも1つはHではない。 【化５】

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】発明の分野 本発明の分野は、シラン化学および金属表面の改変である。
【０００２】発明の背景 金属酸化物および酸化物コーティングを伴う金属を用いて、液体クロマトグラ
フィーおよびガスクロマトグラフィーのための分離基質、毛管ゾーン電気泳動の
ための基質、バイオセンサー、超小型電子装置、触媒、充填剤、および顔料を含
む様々な材料および成分を製造することができる。これらの多くの用途のために
、金属酸化物表面を、例えば、表面の吸着、接着、湿潤、または触媒の特性を変
更することにより、改変することが望ましい。
【０００３】 金属酸化物表面を改変する1つの方法は、表面のヒドロキシル基に、望ましい
官能基を有するシラン化合物を結合することである。クロロシランおよびアルコ
キシシランが、このような表面改変に使用される。しかし、クロロシランおよび
アルコキシシランは感湿性であり腐蝕剤として作用することがあるので、これら
のシラン化合物の使用は不確かでありうる。加えて、クロロシランと金属酸化物
表面との反応は、副産物として塩酸を産生し、かつ改変された金属酸化物表面を
塩酸が腐蝕しうる。更に、いくつかのクロロシランおよびアルコキシシランは、
金属酸化物表面と反応しない。
【０００４】発明の概要 1つの局面において、本発明は、表面を改変する方法を特徴とする。方法は、
ヒドリドシランのケイ素原子と表面のヒドロキシル基の酸素原子の間に共有結合
を形成するのに十分な時間及び条件下で、表面を、ヒドリドシランと接触する段
階を含む。このヒドリドシランは下記式を有する：
【化２】 式中、Ra、Rb、RcおよびRdの各々は、独立して、H、線状C1-30アルキル、分枝C1 -30 アルキル、環状C3-30アルキル、線状C2-30アルケニル、分枝C2-30アルケニル
、線状C2-30アルキニル、分枝C2-30アルキニル、C6-20アラルキル、C6-10アリー
ル、または分子量約1000〜約100,000を有するポリマー部分である。ポリマー部
分は、炭化水素ポリマー、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテル、ポリアク
リレート、ポリウレタン、エポキシ、およびポリメタクリレートからなる群より
選択される。Ra、Rb、RcおよびRdの各々は、任意に からなる群より選択される1つまたは複数の置換基で置換される。各々のRe、Rf
、Rg、Rh、Ri、Rj、Rk、Rl、Rm、Rn、Rp、Rq、Rs、Rt、Ru、Rv、Rw、Rx、Ry、お
よびRzは、独立して、H、線状C1-10アルキル、分枝C1-10アルキル、環状C3-8ア
ルキル、線状C2-10アルケニル、分枝C2-10アルケニル、線状C2-10アルキニル、
分枝C2-10アルキニル、C6-12アラルキル、またはC6-10アリールであり、かつ任
意に、-F、-Cl、および-Brからなる群より選択される1つまたは複数の置換基に
より置換される。各々のRaa、Rbb、およびRccは、独立して、線状C1-10アルキル
、分枝C1-10アルキル、環状C3-8アルキル、線状C2-10アルケニル、分枝C2-10ア
ルケニル、線状C2-10アルキニル、分枝C2-10アルキニル、C6-12アラルキル、C6- 10 アリール、-F、-Cl、-BrまたはORddであり、式中、Rddは、線状C1-10アルキル
または分枝C1-10アルキルである。Ra、Rb、RcおよびRdの少なくとも1つはHであ
り、かつRa、Rb、RcおよびRdの少なくとも1つはHでない。おそらく、Ra、Rb、Rc およびRdのうち2つまたは3つがHであろう。
【０００５】 表面は好ましくは金属表面である。金属表面を、チタン表面、スズ表面、アル
ミニウム表面、鉄表面、ニッケル表面、クロム表面、マンガン表面、ジルコニウ
ム表面、ニオブ表面、モリブデン表面、またはタングステン表面からなる群より
選択することができる。表面はまた、金属酸化物表面またはメタレート表面であ
ることもできる。あるいは、表面は、金属合金を含むことができる。好ましい態
様は、単層が改変された金属表面を含む。
【０００６】 別の好ましい態様において、Ra、Rb、RcおよびRdの各々が、独立して、H、線
状C1-30アルキル、分枝C1-30アルキル、環状C3-30アルキル、線状C2-30アルケニ
ル、分枝C2-30アルケニル、線状C2-30アルキニル、分枝C2-30アルキニル、C6-20 アラルキル、またはC6-10アリールである。好ましくは、Ra、Rb、RcおよびRdの
少なくとも1つが、線状C1-20アルキルまたは分枝C1-20アルキルもしくはフェニ
ルである。より好ましくは、Ra、Rb、RcおよびRdの少なくとも1つが、置換され
ていない線状C1-20アルキル、置換されていない分枝C1-20アルキル、または置換
されていないフェニルである。
【０００７】 本発明は更に、ポリマーの少なくとも1つのケイ素原子及び金属表面のヒドロ
キシル基の酸素原子の間に共有結合を形成するのに十分な時間及び条件下で、金
属表面を、ヒドリドシロキサン含有ポリマーと接触させる段階を含む、単層が改
変された金属表面を形成する方法も特徴とする。ポリマーは、式Rdd[-O-Si(Ree)
(Rff)]n-Rggを有し、式中、RddおよびRggは、独立して、C1-6アルコキシまたはC 1-6 アルキルであり、ReeおよびRffの各々は、独立して、HまたはC1-6アルキルで
あり、nは10〜1000である。
【０００８】 好ましい態様において、ポリマーは、ヒドリドメチルシロキサンおよびジメチ
ルシロキサンのコポリマーである。好ましくは、コポリマーは、少なくとも50モ
ル％のヒドリドメチルシロキサン、約25モル％〜約30モル％のヒドリドメチルシ
ロキサン、もしくは約1モル％〜約5モル％のヒドリドメチルシロキサンである。
【０００９】 本発明はまた、多数のM-O-Si-(Ra)(Rb)(Rc)残基を含む表面を特徴としている
。MはTi、Sn、Al、Fe、またはNiである。Ra、Rb、およびRcの1つまたは2つはHで
あり、Ra、Rb、およびRcの残りの1つまたは2つは、独立して、H、線状C1-30アル
キル、分枝C1-30アルキル、環状C3-30アルキル、線状C2-30アルケニル、分枝C2- 30 アルケニル、線状C2-30アルキニル、分枝C2-30アルキニル、C6-20アラルキル
、もしくはC6-10アリール、または分子量約1000〜約100,000を有するポリマー部
分である。ポリマー部分は、炭化水素ポリマー、ポリエステル、ポリアミド、ポ
リエーテル、ポリアクリレート、ポリウレタン、エポキシ、およびポリメタクリ
レートからなる群より選択される。Ra、Rb、RcおよびRdの各々は、任意に、 からなる群より選択される1つまたは複数の置換基で置換される。Re、Rf、Rg、R h 、Ri、Rj、Rk、Rl、Rm、Rn、Rp、Rq、Rs、Rt、Ru、Rv、Rw、Rx、Ry、およびRz
は、独立して、H、線状C1-10アルキル、分枝C1-10アルキル、環状C3-8アルキル
、線状C2-10アルケニル、分枝C2-10アルケニル、線状C2-10アルキニル、分枝C2- 10 アルキニル、C6-12アラルキル、またはC6-10アリールであり、かつ任意に、-F
、-Cl、および-Brからなる群より選択される1つまたは複数の置換基で置換され
る。Raa、Rbb、およびRccは、各々独立して、線状C1-10アルキル、分枝C1-10ア
ルキル、環状C3-8アルキル、線状C2-10アルケニル、分枝C2-10アルケニル、線状
C2-10アルキニル、分枝C2-10アルキニル、C6-12アラルキル、C6-10アリール、-F
、-Cl、-BrまたはORddであり、式中、Rddは、線状C1-10アルキルまたは分枝C1-1 0 アルキルである。好ましくは、Ra、Rb、およびRcのうち２つがHである。好まし
い表面は、単層が改変された金属表面である。
【００１０】 本明細書において使用される「単層が改変された金属表面」とは、実質的にそ
れらの全てが、金属原子に共有結合されている酸素原子に共有結合されている、
多数のシラン残基を含む表面を意味する。
【００１１】詳細な説明 本発明の方法を用いて、ヒドリドシラン化合物と反応する表面を改変すること
ができ共有結合されたオルガノシラン残基を含む、改変された表面がもたらされ
る。オルガノシラン残基上の官能基を、改変された表面の特性に有害に作用しな
いように選択することができる。
【００１２】 本発明に従い表面を改変するためのヒドリドシランの使用は、いくつかの利点
を提供する。一般に、ヒドリドシランは、対応するクロロシランおよびアルコキ
シシランよりも低い沸点を有する。更に、ヒドリドシランは、感湿性がなく、か
つ腐食性でない。加えて、金属酸化物表面を含むほとんどの表面とこれらが反応
する場合、これらは、腐食性の副産物を生成しない。その代わり、反応の副産物
は水素ガス(H2)である。結果として、ヒドリドシランを、気相（vapor phase）
技術を用いて蒸着することができる。
【００１３】 例証的反応は以下のようである：
【化３】
【００１４】 前記反応において、金属表面のM-OH基はヒドリドシランと反応し、M-O-SiRaRb Rc残基を生成し、式中、M、Ra、Rb、およびRcは前述のとおりである。反応の副
産物は、水素ガスである。得られた表面は、金属原子に共有結合されている酸素
原子に共有結合したシラン残基を有する。-OH残基は-O-SiRaRbRc残基で置換され
るので、表面の特性は変化する。
【００１５】表面 様々な表面を本発明に従い改変することができる。チタニア粉末、チタニア単
結晶、チタン箔、およびチタンフィルムの表面を改変することができる。スズ、
アルミニウム、鉄、ニッケル、クロム、マンガン、ジルコニウム、ニオブ、モリ
ブデンおよびタングステンを含むその他の金属表面も、改変することができる。
これらの金属のうちの1種の酸化物で構成された表面、例えばセラミックス表面
も改変することができる。加えて、メタレート表面、例えばチタン酸塩、ニオブ
酸塩、モリブデン酸塩、またはタングステン酸塩の表面などを改変することがで
きる。これらの金属の合金を含有する表面、例えばステンレス鋼も改変すること
ができる。
【００１６】ヒドリドシラン含有ポリマーよびヒドリドシロキサン含有ポリマー 様々なヒドリドシラン含有ポリマーおよびヒドリドシロキサン含有ポリマーを
、本発明において使用することができる。ジヒドリドシランは、Ra、Rb、Rc、Rd のうち少なくとも2つがHであるような、式Iのシランである。トリヒドリドシラ
ンは、Ra、Rb、Rc、Rdのうち少なくとも3つがHであるような、式Iのシランであ
る。ヒドリド置換基は、分枝アルキル置換基のような、かさ高い（bulky）置換
基を伴うシラン残基よりも小さい。ジヒドリドシランおよびトリヒドリドシラン
は結果的に、モノヒドリドシランにより提供されるよりもより高度な表面被覆を
提供する。有用なトリヒドリドシランの例は、C8H17SiH3、C6F13(CH2)2SiH3、C6 H5SiH3、CH2=CH-CH2SiH3、Br(CH2)3SiH3、およびC13H37SiH3である。
【００１７】 疎水性表面を作製するためには、かさ高いアルキルまたはアルケニル基を伴う
ヒドリドシランが好ましい。疎水性表面に有用なシランの例は、(i-Pr)3-SiH、
t-BuSiMe2H、C18H37SiMe2H、およびC6F13(CH2)2SiMe2Hがある。
【００１８】 いくつかの態様において、1つを上回るケイ素原子を含む化合物が使用される
。例えば、1つのポリマーユニットにつき1つのシラン残基であるように1つのポ
リマーにつき1つのシラン残基で官能基化されたポリマーが、時々使用される。
シラン残基で官能基化された炭化水素ポリマー、例えばポリスチレンおよびポリ
エチレンなどを使用することができる。加えて、官能基化されたポリエステル、
ポリアミド、ポリエーテル、ポリアクリレート、ポリウレタン、エポキシおよび
ポリメタクリレートを、表面の改変に使用することができる。
【００１９】 別の態様において、ヒドリドメチルシロキサンおよびジメチルシロキサンのコ
ポリマーのようなヒドリドシロキサン含有ポリマーが使用される。ヒドリドメチ
ルシロキサンおよびジメチルシロキサンのコポリマーは、式[Si(H)(CH3)-O-]お
よび[Si(CH3)3-O-]を有するモノマーユニットからなる。ポリマーの3モル％〜50
モル％がヒドリドメチルシロキサンであるコポリマーが好ましい。小さい分子の
代わりにポリマーを使用する利点の1つは、ポリマーを使用した場合により厚い
単層が形成できることである。
【００２０】表面の前処理 いくつかの態様において、シラン層を形成する前に、これらが加水分解され(
すなわちヒドロキシル化)かつ透明(clean)であることを確実にするために表面を
前処理することが望ましい。前処理は、より高度の表面被覆、より均一な表面被
覆、またはその両方につながる。平面基質（substrate）の表面の前処理を、以
下のように行うことができる。チタンの単結晶、箔、またはフィルムを、水、DD
Sナトリウムのような界面活性剤、および/または有機溶媒で洗浄する。有用な溶
媒は、塩化メチレン、アルカン類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ア
セトニトリル、酢酸エチル、ベンゼン、エタノール、メタノールおよびトルエン
を含む。その後基質を、強力な酸化剤、例えば硫酸、過酸化水素、クロム酸、ま
たは酸素プラズマなどで処理する。あるいは、基質を酸素の存在下で加熱するこ
とができる。
【００２１】 分散体基質(すなわち1μm以下の特徴を有する細粉または多孔質材料)について
は、基質粉末、多孔質粒子、または膜を高温で真空下に配置することにより、こ
の表面の前処理を行うことができる。例えば100℃〜200℃の高温、20 mTorrを使
用することができる。あるいは、基質は酸素の存在下で加熱することができる。
【００２２】改変反応条件 前処理後、ヒドリドシランによる表面の反応により、表面を改変する。改変反
応は、様々な条件下で行うことができる。改変反応は、気相、液相、または超臨
界流体において行うことができる。加えて反応は、希釈または濃縮した溶液中で
、高温または低温で行うことができる。
【００２３】 改変反応は気相において行うことがより容易であるので、いくつかの態様にお
いて、気相蒸着技術を用いて表面を改変するのが便利である。更なる利点は、気
相技術を使用した場合、副産物の生成がより少ないことである。気相技術を使用
する表面改変は、基質を望ましいヒドリドシラン蒸気で飽和した環境に配置する
ことにより実現することができる。反応混合物は、室温または例えば100℃のよ
うな高温で、数時間から数日間の間維持される。使用した温度は、使用したシラ
ンの蒸気圧によって決まる。
【００２４】 液相改変が、高い沸点を有するヒドリドシラン、例えばポリマー、高分子量オ
リゴマーおよびオクタデシルジメチルシランなどには好ましい。液相改変は以下
のように行うことができる。基質は、不活性有機溶媒中のヒドリドシランの溶液
に転換される。使用することができる溶媒は、液体アルカン、ベンゼンおよびト
ルエンである。あるいは、基質を希釈していないヒドリドシランで被覆すること
ができる。反応混合物は、室温または高温で、数時間から数日間の間維持される
。
【００２５】 一般に、ヒドリドシランと表面のヒドロキシル基の間の反応は、低温で迅速に
生じる。反応が迅速に生じる場合、貧弱な単層パッキングをもたらし得る加熱は
不要である。障害（hindered）ヒドリドシラン(例えばトリイソプロピルシラン
およびt-ブチルジメチルシラン)は、低温でいくつかの表面と反応しないか、も
しくは、極めて緩徐に反応するため、これらのシランが使用される場合、加熱が
必要である。多くの場合、表面被覆の80％が、1時間後に形成される。より密な
被覆が望ましい場合には、例えば24時間まで反応時間を延長することができる。
【００２６】改変した表面の特性 本発明は、チタニアおよび酸化チタンの表面の接着、ならびにチタニアおよび
酸化チタンの疎液性を改善するために使用することができる。従ってこれらの方
法は、チタニア吸着剤、触媒(例えば光触媒)、膜、およびクロマトグラフィー定
常相の表面改変に有用である。これらはさらに、化学的に改変されたチタニア電
極およびセンサーの調製、ならびにチタニアの単結晶および酸化したチタン表面
の十分特徴付けられた自己堆積型(self-assembling)単層の調製にも有用である
。具体的用途には、歯科用および医科用のインプラントおよび印刷版への応用が
含まれる。
【００２７】 改変された表面は、この表面に共有結合したシラン残基を有する。シラン残基
の置換基は、改変された表面に望ましい特性を提供するように選択され得る。表
面の疎水化のためには、置換されていない線状または分枝アルキル基またはアリ
ール基を含むシラン残基が好ましい。接着促進のためには、R1-R4がアルケニル
基またはアリール基であるシラン残基が好ましい。アルケニルまたはアリール基
は、ヒドリドシリル基、アミノ基、クロロ基、ブロモ基、アルコキシ基、または
カルボキシル基で置換することができる。表面の疎油化(oleophobilization)の
ためには、R1-R4がC1-3アルキル基、分枝アルキル基、フルオロアルキル基、ア
ルキルシロキサン、またはフルオロアルキルシロキサンであるシラン残基が好ま
しい。
【００２８】 チタニアに基づく電極の表面改変のためには、R1-R4がアミノ、クロロ、ブロ
モ、アルコキシ、カルボキシ、およびヒドリドシリル基で置換されたシラン残基
が好ましい。チタニアクロマトグラフィー定常相および膜の用途のためには、R1 -R4がC8-22アルキルまたはC1-10アリールであるシラン残基が好ましい。アルキ
ルまたはアリール基は、アミノまたはカルボキシル基で置換することができる。
【００２９】 本発明がより完全に理解されるために、下記の具体的な実施例を提示する。実
施例は、いかなる意味においても本発明の範囲または内容を制限するものではな
い。
【００３０】実施例1：チタン箔/トリイソプロピルヒドリドシラン チタン箔を、トリイソプロピルヒドリドシランを用いて改変した。チタン箔(
チタン99.99％、1.5×1.5cm、厚さ0.2mm)を、空気の存在下、炉の中で450℃で2
時間か焼（calcine）した。
【００３１】 箔を室温に冷却し、その後ヘプタンを溶媒とするトリイソプロピルヒドリドシ
ランの5％溶液(総容量10ml)で被覆した。反応混合液を室温で120時間維持した。
反応が完了した後、試料を、ヘプタン(5×20ml)、エタノール(3×20ml)、水(2×
20ml)で洗浄し、炉(100℃)中で20分間乾燥した。
【００３２】 動的水接触角（dynamic water contact angles）(前進および後退)は、Rame-H
art社の入れ子式(telescopic)ゴニオメーターを用いて測定した。高い方の接触
角をもつ試料は、低い方の接触角をもつ試料よりも疎水性が高かった。本試料の
水接触角(前進/後退)は、100°/46°であった。この結果は、改変されたチタン
表面は未改変表面よりもより疎水性であることを明らかにした。
【００３３】実施例2：チタニア単結晶/オクタデシルトリヒドリドシラン チタニア単結晶(110、ルチル型)を、オクタデシルトリヒドリドシランを用い
て改変した。結晶は、下記のように前処理した。結晶(10×10mm、片側が研磨さ
れた単結晶、厚さ1mm)を、98％硫酸を溶媒とする二クロム酸ナトリウム5％溶液
に2時間浸漬した。その後これを水(10×20ml)で乾燥し、かつ100℃の炉で1時間
乾燥した。
【００３４】 結晶を炉から取り出し、かつヘプタン10mlで被覆した。次にオクタデシルトリ
ヒドリドシラン(0.5ml)をシリンジで添加した。反応混合液を24時間60℃〜70℃
に保った。反応が完了した後、試料を、熱ヘプタン(60℃)(5×20ml)、ヘプタン(
5×20ml)、イソプロパノール(2×20ml)、水(2×10ml)で洗浄し、かつ100℃の炉
で20分間乾燥した。
【００３５】 試料の水接触角(前進/後退)は、117°/100°であった。この結果は、改変され
たチタン表面が未改変の表面よりもより疎水性であることを明らかにしている。
【００３６】実施例3：チタンフィルム/オクチルトリヒドリドシラン シリコンウェファ上に支持されたチタンフィルムを、気相のオクチルトリヒド
リドシランを用いて改変した。フィルム(110シリコンウェファ上に支持された厚
さ〜0.4μのチタン層、1.5×1.5mm、厚さ0.5mm)を、実施例2に記したように前処
理した。
【００３７】 フィルムを炉から取り出し、かつオクチルトリヒドリドシラン0.5mlがはいっ
たフラスコ中に入れた。フラスコを、60℃〜70℃で48時間維持した。反応が完了
した後、試料を、ヘプタン(5×10ml)、イソプロパノール(2×20ml)、水(2×10ml
)で洗浄し、100℃の炉で20分間乾燥した。
【００３８】 試料の水接触角(前進/後退)は、114°/98°であった。この結果は、改変され
たチタン表面が未改変の表面よりもより疎水性であることを明らかにしている。
【００３９】実施例4：チタンフィルム/ヒドリドメチル-ジメチルシロキサンコポリマー ポリ(エチレンテレフタレート)上に支持されたチタンフィルムを、ヒドリドメ
チル-ジメチルシロキサンのコポリマーを用いて改変した。フィルム(ポリ(エチ
レンテレフタレート)上に支持された厚さ〜0.02μのチタン層、1.5×1.5mm、厚
さ0.2mm)を、前処理せずに使用した。
【００４０】 フィルムをヘプタン10mlで被覆した。次にヒドリドメチル-ジメチルシロキサ
ンのコポリマー(0.5ml、ヒドリドメチルシロキサンユニット50モル％、MW2000)
を、シリンジで添加した。反応混合液を、60℃〜70℃で48時間維持した。反応が
完了した後、試料を、ヘプタン(10×20ml)、イソプロパノール(2×20ml)、水(2
×10ml)で洗浄し、かつ100℃の炉で20分間乾燥した。
【００４１】 試料の水接触角(前進/後退)は、102°/45°であった。この結果は、改変され
たチタン表面が未改変の表面よりもより疎水性であることを明らかにしている。
【００４２】実施例5：薫蒸された（fumed）チタニア/ジフェニルジヒドリドシラン 薫蒸されたチタニアを、ジフェニルジヒドリドシランを用いて改変した。チタ
ニア粉末(0.5g、比表面積〜50m2/g、球状非多孔質粒子、100％ルチル型、平均粒
度〜29nm)を、120℃の炉で2時間加熱した。
【００４３】 粉末を、炉から取り出し、かつヘプタン10mlで被覆した。ジフェニルジヒドリ
ドシラン(0.5ml)をシリンジで添加した。反応混合液を、60℃〜70℃で24時間維
持した。反応が完了した後、試料を、ヘプタン(60℃)(5×20ml)、ヘプタン(5×2
0ml)で洗浄し、20mTorrで一晩減圧し、その後100℃の炉で1時間乾燥した。
【００４４】 試料の水接触角は測定しなかった。代わりに、試料の疎水性を、炭素含量を測
定することにより決定した。未改変のチタニア粉末は、炭素を全く含んでいなか
った。試料中の炭素の存在は、疎水性の増加を示すであろう。炭素分析は、試料
がCを2.16 質量％含有することを示した。この結果は、改変された粉末が、未改
変の粉末よりもより疎水性であることを示した。
【００４５】実施例6：ステンレス鋼/オクチルトリヒドリドシラン ステンレス鋼は、オクチルトリヒドリドシランを用いて改変した。スチールプ
レート(15×15mm、厚さ0.5mm)を、セッケンおよび水により3回洗浄した。次にこ
のプレートを、水(5×10ml)、エタノール(2×10ml)、および水(3×10ml)で洗浄
した。プレートを、100℃の炉で2時間乾燥した。
【００４６】 プレートを炉から取り出し、ヘプタン10mlで被覆した。オクチルトリヒドリド
シラン(0.5ml)をシリンジで添加した。反応混合物を、60℃〜70℃で24時間維持
した。反応が完了した後、試料をヘプタン(5×20ml)、イソプロパノール(2×20m
l)、水(2×10ml)で洗浄し、100℃の炉で20分間乾燥した。
【００４７】 試料の水接触角(前進/後退)は、105°/65°であった。この結果は、改変され
たステンレス鋼表面が未改変の表面よりもより疎水性であることを明らかにして
いる。
【００４８】実施例7：ニッケル箔/オクタデシルトリヒドリドシラン ニッケル箔を、オクタデシルトリヒドリドシランを用いて改変した。一片の箔
(99.99%ニッケル、15×15mm、厚さ0.2mm)を、実施例2に示したように前処理した
。更にこれを、実施例2に示したように改変した。
【００４９】 試料の水接触角(前進/後退)は、128°/82°であった。この結果は、改変され
たニッケル表面が未改変の表面よりもより疎水性であることを明らかにしている
。
【００５０】実施例8：スズ箔/トリイソプロピルヒドリドシラン スズ箔を、トリイソプロピルヒドリドシランを用いて改変した。正方形の箔(9
9.99%スズ、15×15mm、厚さ0.2mm)を、実施例2に示したように前処理した。更に
これを、実施例1に示したように改変した。
【００５１】 試料の水接触角(前進/後退)は、82°/30°であった。この結果は、改変された
スズ表面が未改変の表面よりもより疎水性であることを明らかにしている。
【００５２】 本明細書において言及された全ての文献および特許は、各個別の文献および特
許が具体的かつ独立して本明細書に参照として組入れられていることが指摘され
るのと同じように、本明細書に参照として組入れられている。
【００５３】 前述の説明から、本発明の変更および修飾を行うことができることは明らかで
あろう。このような態様は、前記特許請求の範囲の範囲内に含まれる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ， ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，Ｃ Ｎ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ， ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，Ｋ Ｐ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ， ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，Ｓ Ｇ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 4D075 CA13 CA36 CA40 DA06 DA11 DB02 DB04 DB07 DB14 DC24 DC27 DC30 EA06 EB13 EB22 EB33 EB37 EB38 EB42 EB52 4K044 AA01 AA13 AA16 BA21 BB01 BC02 CA04 CA15

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ヒドリドシランが下記式を有し、 【化１】 式中、Ra、Rb、RcおよびRdの各々は、独立して、H、線状C1-30アルキル、分枝（
    branched）C1-30アルキル、環状C3-30アルキル、線状C2-30アルケニル、分枝C2- 30 アルケニル、線状C2-30アルキニル、分枝C2-30アルキニル、C6-20アラルキル
    、C6-10アリール、または、ポリマー部分が、炭化水素ポリマー、ポリエステル
    、ポリアミド、ポリエーテル、ポリアクリレート、ポリウレタン、エポキシ、お
    よびポリメタクリレートからなる群より選択される、約1000〜約100,000の分子
    量を有するポリマー部分であり、 Ra、Rb、RcおよびRdの各々は、 からなる群より選択される1つまたは複数の置換基で任意に置換され、 式中、Re、Rf、Rg、Rh、Ri、Rj、Rk、Rl、Rm、Rn、Rp、Rq、Rs、Rt、Ru、Rv、Rw 、Rx、Ry、およびRzは、独立して、H、線状C1-10アルキル、分枝C1-10アルキル
    、環状C3-8アルキル、線状C2-10アルケニル、分枝C2-10アルケニル、線状C2-10
    アルキニル、分枝C2-10アルキニル、C6-12アラルキル、またはC6-10アリールで
    あり、かつ任意に、-F、-Cl、および-Brからなる群より選択される1つまたは複
    数の置換基で置換され、並びに、 Raa、Rbb、およびRccは各々、独立して、線状C1-10アルキル、分枝C1-10アルキ
    ル、環状C3-8アルキル、線状C2-10アルケニル、分枝C2-10アルケニル、線状C2-1 0 アルキニル、分枝C2-10アルキニル、C6-12アラルキル、C6-10アリール、-F、-C
    l、-BrまたはORddであり、式中Rddは、線状C1-10アルキルまたは分枝C1-10アル
    キルであり、 但しRa、Rb、RcおよびRdの少なくとも1つはHであり、かつRa、Rb、RcおよびRdの
    少なくとも1つはHでない、 ヒドリドシランのケイ素原子及び表面のヒドロキシル基の酸素原子の間に共有結
    合を形成するのに十分な時間及び条件下で、ヒドリドシランと表面を接触させる
    段階を含む、表面の改変法。
  2. 【請求項２】 表面が金属表面である、請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 金属表面が、チタン表面、スズ表面、アルミニウム表面、鉄
    表面、ニッケル表面、クロム表面、マンガン表面、ジルコニウム表面、ニオブ表
    面、モリブデン表面、またはタングステン表面からなる群より選択される、請求
    項２記載の方法。
  4. 【請求項４】 金属表面がチタン表面である、請求項３記載の方法。
  5. 【請求項５】 表面が金属酸化物表面である、請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 表面がメタレート表面である、請求項１記載の方法。
  7. 【請求項７】 表面が金属合金を含む、請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】 方法が、単層が改変された金属表面を形成する段階を含む、
    請求項２記載の方法。
  9. 【請求項９】 Ra、Rb、RcおよびRdのうち2つがHである、請求項１記載の方
    法。
  10. 【請求項10】 Ra、Rb、RcおよびRdのうち3つがHである、請求項１記載の方
    法。
  11. 【請求項11】 Ra、Rb、RcおよびRdの各々が、独立して、H、線状C1-30アル
    キル、分枝C1-30アルキル、環状C3-30アルキル、線状C2-30アルケニル、分枝C2- 30 アルケニル、線状C2-30アルキニル、分枝C2-30アルキニル、C6-20アラルキル
    、またはC6-10アリールである、請求項１記載の方法。
  12. 【請求項12】 Ra、Rb、RcおよびRdの少なくとも1つが、線状C1-20アルキル
    または分枝C1-20アルキルである、請求項11記載の方法。
  13. 【請求項13】 Ra、Rb、RcおよびRdの少なくとも1つがフェニルである、請
    求項12記載の方法。
  14. 【請求項14】 ポリマーが式Rdd[-O-Si(Ree)(Rff)]n-Rggを有し、 式中、RddおよびRggは、独立して、C1-6アルコキシまたはC1-6アルキルであり、
    ReeおよびRffの各々は、独立して、HまたはC1-6アルキルであり、nは10〜1000で
    ある、 ポリマーの少なくとも1つのケイ素原子及び金属表面のヒドロキシル基の酸素原
    子の間に共有結合を形成するのに十分な時間及び条件下で、金属表面をヒドリド
    シロキサン含有ポリマーと接触させる段階を含む、単層が改変された金属表面を
    形成するための方法。
  15. 【請求項15】 ポリマーが、ヒドリドメチルシロキサンおよびジメチルシロ
    キサンのコポリマーである、請求項14記載の方法。
  16. 【請求項16】 コポリマーが、少なくとも50モル％のヒドリドメチルシロキ
    サンである、請求項15記載の方法。
  17. 【請求項17】 コポリマーが、約25モル％〜約30モル％のヒドリドメチルシ
    ロキサンである、請求項15記載の方法。
  18. 【請求項18】 コポリマーが、約1モル％〜約5モル％のヒドリドメチルシロ
    キサンである、請求項15記載の方法。
  19. 【請求項19】 多数のM-O-Si-(Ra)(Rb)(Rc)部分を含む表面であり 式中、MはTi、Sn、Al、Fe、またはNiであり、Ra、Rb、およびRcの1つまたは2つ
    はHであり、かつ残りのRa、Rb、およびRcの1つまたは2つは、独立して、H、線状
    C1-30アルキル、分枝C1-30アルキル、環状C3-30アルキル、線状C2-30アルケニル
    、分枝C2-30アルケニル、線状C2-30アルキニル、分枝C2-30アルキニル、C6-20ア
    ラルキル、もしくはC6-10アリール、または、ポリマー部分が、炭化水素ポリマ
    ー、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテル、ポリアクリレート、ポリウレタ
    ン、エポキシ、およびポリメタクリレートからなる群より選択される、約1000〜
    約100,000の分子量を有するポリマー部分であり Ra、Rb、RcおよびRdの各々は、任意に、 からなる群より選択される1つまたは複数の置換基で置換され、 式中、Re、Rf、Rg、Rh、Ri、Rj、Rk、Rl、Rm、Rn、Rp、Rq、Rs、Rt、Ru、Rv、Rw 、Rx、Ry、およびRzは、独立して、H、線状C1-10アルキル、分枝C1-10アルキル
    、環状C3-8アルキル、線状C2-10アルケニル、分枝C2-10アルケニル、線状C2-10
    アルキニル、分枝C2-10アルキニル、C6-12アラルキル、またはC6-10アリールで
    あり、かつ任意に、-F、-Cl、および-Brからなる群より選択される1つまたは複
    数の置換基で置換され、ならびに 式中、Raa、Rbb、およびRccの各々は、独立して、線状C1-10アルキル、分枝C1-1 0 アルキル、環状C3-8アルキル、線状C2-10アルケニル、分枝C2-10アルケニル、
    線状C2-10アルキニル、分枝C2-10アルキニル、C6-12アラルキル、またはC6-10ア
    リール、-F、-Cl、-BrまたはORddであり、式中、Rddは、線状C1-10アルキルまた
    は分枝C1-10アルキルである。
  20. 【請求項20】 表面が、単層が改変された金属表面である、請求項19記載の
    表面。
  21. 【請求項21】 Ra、Rb、およびRcのうち２つがHである、請求項19記載の表
    面。
JP2000618024A 1999-05-17 2000-05-10 単層を調製するためにヒドリドシランを用いた表面改変 Pending JP2002544388A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/313,051 US6331329B1 (en) 1999-05-17 1999-05-17 Surface modification using hydridosilanes to prepare monolayers
US09/313,051 1999-05-17
PCT/US2000/012768 WO2000069572A2 (en) 1999-05-17 2000-05-10 Surface modification using hydridosilanes to prepare monolayers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002544388A true JP2002544388A (ja) 2002-12-24

Family

ID=23214166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000618024A Pending JP2002544388A (ja) 1999-05-17 2000-05-10 単層を調製するためにヒドリドシランを用いた表面改変

Country Status (9)

Country Link
US (3) US6331329B1 (ja)
EP (1) EP1246705B1 (ja)
JP (1) JP2002544388A (ja)
CN (1) CN1496287A (ja)
AU (1) AU4710600A (ja)
CA (1) CA2373265A1 (ja)
DE (1) DE60024674T2 (ja)
TW (1) TW523427B (ja)
WO (1) WO2000069572A2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013538255A (ja) * 2010-07-28 2013-10-10 ダウ コーニング コーポレーション 有機ケイ素疎水化剤
JP2019532008A (ja) * 2016-08-08 2019-11-07 シュールフィックス ベスローテン フェンノートシャップ 固体表面の改質方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6790476B1 (en) * 2000-05-23 2004-09-14 Sandia Corporation Method of adhesion between an oxide layer and a metal layer
US20030183245A1 (en) * 2002-04-01 2003-10-02 Min-Shyan Sheu Surface silanization
FR2840297B1 (fr) * 2002-05-31 2005-03-25 Centre Nat Rech Scient Procede pour l'elaboration d'un substrat mineral modifie en surface, et substrat obtenu
TWI227719B (en) * 2002-11-22 2005-02-11 Far Eastern Textile Ltd Method of preparing a surface modifier for nanoparticles dispersion of inorganic oxide nanoparticles
US7708974B2 (en) * 2002-12-10 2010-05-04 Ppg Industries Ohio, Inc. Tungsten comprising nanomaterials and related nanotechnology
US7332227B2 (en) * 2003-03-14 2008-02-19 Becton, Dickinson And Company Non-volatile lubricant system for medical devices
US7135057B2 (en) * 2003-04-16 2006-11-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Gas storage medium and methods
US20080138615A1 (en) * 2005-04-04 2008-06-12 Thomas Kolberg Method for Coating Metallic Surfaces with an Aqueous Composition and Said Composition
US20070014919A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-18 Jani Hamalainen Atomic layer deposition of noble metal oxides
JP5233127B2 (ja) * 2007-02-06 2013-07-10 セントラル硝子株式会社 低誘電率膜の改質剤及び製造方法
US8741158B2 (en) 2010-10-08 2014-06-03 Ut-Battelle, Llc Superhydrophobic transparent glass (STG) thin film articles
WO2009151624A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Xy, Inc. Lubricious microfluidic flow path system
WO2010044668A1 (en) 2008-10-17 2010-04-22 Wageningen Universiteit Photochemical modification of solid materials
DE102008043422B3 (de) * 2008-11-03 2010-01-07 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Aufreinigung niedermolekularer Hydridosilane
US11292919B2 (en) 2010-10-08 2022-04-05 Ut-Battelle, Llc Anti-fingerprint coatings
US8497021B2 (en) 2010-10-08 2013-07-30 Ut-Battelle, Llc Superoleophilic particles and coatings and methods of making the same
US9221076B2 (en) 2010-11-02 2015-12-29 Ut-Battelle, Llc Composition for forming an optically transparent, superhydrophobic coating
US20130277573A1 (en) * 2011-01-07 2013-10-24 Dune Sciences, Inc. Functionalized carbon membranes
JP5497810B2 (ja) * 2012-01-30 2014-05-21 富士フイルム株式会社 撥水膜の製造方法
US10098984B2 (en) 2012-11-19 2018-10-16 Institut Curie Method for grafting polymers on metallic substrates
US20150239773A1 (en) 2014-02-21 2015-08-27 Ut-Battelle, Llc Transparent omniphobic thin film articles
CN106458158A (zh) * 2014-04-24 2017-02-22 M·A·M·阿尔马德希 智能头盔
JP6961492B2 (ja) 2015-04-15 2021-11-05 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンHenkel AG & Co. KGaA ポリアミドアミンポリマーを用いる薄い腐食保護コーティング
US11167454B2 (en) * 2017-01-13 2021-11-09 General Electric Company Method and apparatus for continuously refreshing a recoater blade for additive manufacturing
EP3366322B1 (en) 2017-02-22 2021-04-28 Cook Medical Technologies LLC Medical device with radiopaque metal particles dispersed in polymer
TWI722301B (zh) 2017-07-18 2021-03-21 美商應用材料股份有限公司 在金屬材料表面上沉積阻擋層的方法
EP3524635A1 (en) 2018-02-08 2019-08-14 Surfix B.V. Process for modification of a solid surface
EP3524582A1 (en) 2018-02-08 2019-08-14 Surfix B.V. Process for modification of a solid surface
CN115609184B (zh) * 2022-12-20 2023-03-31 佛山(华南)新材料研究院 改性锡粉及其制备方法、锡膏

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4912033B1 (ja) * 1968-10-03 1974-03-20
JPH05156167A (ja) * 1990-03-06 1993-06-22 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 無溶剤シリコーン剥離塗料
JPH05503876A (ja) * 1990-02-14 1993-06-24 イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー 低温プラズマ処理およびプライマー処理を用いる鋼基体のコーティング方法
JPH05295563A (ja) * 1992-04-23 1993-11-09 Kansai Shin Gijutsu Kenkyusho:Kk 被膜を有する金属質材料並びにその金属質材料の製造方法
JPH05301984A (ja) * 1991-07-23 1993-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 親水性基材及びその製造方法
JPH05339074A (ja) * 1992-02-24 1993-12-21 Dow Corning Corp シリコーンを浸透したセラミックナノ複合材料皮膜
JPH0797448A (ja) * 1993-05-17 1995-04-11 Dow Corning Corp セラミックコーティング用の前駆体及びその製造方法
JPH08503510A (ja) * 1992-11-19 1996-04-16 エス アール アイ インターナショナル 硬化されたケイ素含有ポリマーの耐熱性および／または非浸潤性コーティング
JPH10251519A (ja) * 1997-03-17 1998-09-22 Toshiba Corp 珪素組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法
WO1998053921A1 (de) * 1997-05-28 1998-12-03 Global Surface Aktiengesellschaft Verfahren zum beschichten einer oberfläche
JP2936497B2 (ja) * 1989-04-21 1999-08-23 エス・アール・アイ・インターナシヨナル セラミック製品の前駆物質としてのヒドリドシロキサン

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3652331A (en) 1968-03-22 1972-03-28 Shumpei Yamazaki Process for forming a film on the surface of a substrate by a gas phase
JPS58219034A (ja) 1982-06-14 1983-12-20 Toray Silicone Co Ltd 電気絶縁性放熱ゴムシ−トの製造方法
US5635250A (en) 1985-04-26 1997-06-03 Sri International Hydridosiloxanes as precursors to ceramic products
US5017540A (en) 1989-09-15 1991-05-21 Sandoval Junior E Silicon hydride surface intermediates for chemical separations apparatus
EP0524529B1 (en) 1991-07-23 1996-02-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Hydrophylic substrate and method of manufacturing the same
US5707683A (en) 1996-02-22 1998-01-13 Dow Corning Corporation Electronic coating composition method of coating an electronic substrate, composition and article
US5866197A (en) * 1997-06-06 1999-02-02 Dow Corning Corporation Method for producing thick crack-free coating from hydrogen silsequioxane resin
EP1141098A1 (en) * 1998-10-15 2001-10-10 Continental Aktiengesellschaft Composite of a vulcanizable rubber composition and cured rubber product

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4912033B1 (ja) * 1968-10-03 1974-03-20
JP2936497B2 (ja) * 1989-04-21 1999-08-23 エス・アール・アイ・インターナシヨナル セラミック製品の前駆物質としてのヒドリドシロキサン
JPH05503876A (ja) * 1990-02-14 1993-06-24 イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー 低温プラズマ処理およびプライマー処理を用いる鋼基体のコーティング方法
JPH05156167A (ja) * 1990-03-06 1993-06-22 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 無溶剤シリコーン剥離塗料
JPH05301984A (ja) * 1991-07-23 1993-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 親水性基材及びその製造方法
JPH05339074A (ja) * 1992-02-24 1993-12-21 Dow Corning Corp シリコーンを浸透したセラミックナノ複合材料皮膜
JPH05295563A (ja) * 1992-04-23 1993-11-09 Kansai Shin Gijutsu Kenkyusho:Kk 被膜を有する金属質材料並びにその金属質材料の製造方法
JPH08503510A (ja) * 1992-11-19 1996-04-16 エス アール アイ インターナショナル 硬化されたケイ素含有ポリマーの耐熱性および／または非浸潤性コーティング
JPH0797448A (ja) * 1993-05-17 1995-04-11 Dow Corning Corp セラミックコーティング用の前駆体及びその製造方法
JPH10251519A (ja) * 1997-03-17 1998-09-22 Toshiba Corp 珪素組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法
WO1998053921A1 (de) * 1997-05-28 1998-12-03 Global Surface Aktiengesellschaft Verfahren zum beschichten einer oberfläche
JP2002507146A (ja) * 1997-05-28 2002-03-05 グローバル サーフィス アクチェンゲゼルシャフト 表面をコーティングする方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013538255A (ja) * 2010-07-28 2013-10-10 ダウ コーニング コーポレーション 有機ケイ素疎水化剤
JP2019532008A (ja) * 2016-08-08 2019-11-07 シュールフィックス ベスローテン フェンノートシャップ 固体表面の改質方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1496287A (zh) 2004-05-12
DE60024674T2 (de) 2006-07-20
AU4710600A (en) 2000-12-05
WO2000069572A2 (en) 2000-11-23
DE60024674D1 (de) 2006-01-12
US20020018854A1 (en) 2002-02-14
US6524655B2 (en) 2003-02-25
TW523427B (en) 2003-03-11
CA2373265A1 (en) 2000-11-23
EP1246705A2 (en) 2002-10-09
US6331329B1 (en) 2001-12-18
US6673459B2 (en) 2004-01-06
WO2000069572A3 (en) 2001-02-08
EP1246705B1 (en) 2005-12-07
US20030104227A1 (en) 2003-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002544388A (ja) 単層を調製するためにヒドリドシランを用いた表面改変
Helmy et al. Self-assembled monolayers supported on TiO2: comparison of C18H37SiX3 (X= H, Cl, OCH3), C18H37Si (CH3) 2Cl, and C18H37PO (OH) 2
US5686548A (en) Polymers useful in forming self-assembled bonded anisotropic ultrathin layers and their use
US7909928B2 (en) Reactive coatings for regioselective surface modification
Kujawa et al. Characterization of the surface modification process of Al2O3, TiO2 and ZrO2 powders by PFAS molecules
Bae et al. Investigation of the hydrophobic nature of metal oxide surfaces created by atomic layer deposition
JP4020247B2 (ja) 高分子グラフト基板製造方法
Helmy et al. Reaction of organosilicon hydrides with solid surfaces: an example of surface-catalyzed self-assembly
JP2002507146A (ja) 表面をコーティングする方法
US8142720B2 (en) Molecules suitable for binding to a metal layer for covalently immobilizing biomolecules
Garcıa-Cerda et al. Structural characterization and properties of colloidal silica coatings on copper substrates
JP4771574B2 (ja) 光触媒組成物
JPH09157528A (ja) ポリシラザン組成物、ポリシラザン溶液の調製方法、該組成物を用いたコーティング用組成物及び該コーティング用組成物を用いて得られるセラミックス被膜付プラスチック
EP1553209B1 (en) Material coated with thin ceramic film having graded composition and method for production thereof
Lu et al. Controllable synthesis of hierarchical polysilsesquioxane surfaces: From spheres-on-sphere to bowls-on-sphere structure
JP5126811B2 (ja) 有機薄膜の製造方法及びパターン形成方法
Hu et al. Vapor‐Phase Synthesis of Poly (para‐xylylene): From Coatings to Porous and Hierarchical Materials
TWI535750B (zh) 基材上的聚合物組成物以及表面改質方法
Binder et al. Reversible and Irreversible Binding of Nanoparticles to Polymeric Surfaces.
JP6799339B2 (ja) フェニルアゾメチン型デンドリマーの金属塩化合物集積体の合成とサブナノ粒子の製造方法
Paez et al. Preparation, Characterization and Application of Modified Surfaces with 3, 5‐Bis (3, 5‐dinitrobenzoyl‐amino) benzoic acid
Pace et al. Grafting of monoglyceride molecules for the design of hydrophilic and stable porous silicon surfaces
Garcia-Cruz et al. Large area in situ fabrication of poly (pyrrole)-nanowires on flexible thermoplastic films using nanocontact printing
KR100524541B1 (ko) 고체 기질 또는 입자 표면에 체내 분해성폴리(1，5­디옥세판­2­온)을 코팅하는 방법
Warren et al. Sol-gel precursors and products thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060929

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20061222

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070329

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070831

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080319