JP2002538308A5 - - Google Patents

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【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の発明者は、所定量のCH3CN、TiCl4、H2気体、及び任意のN2気体を含む中温化学蒸着処理気体に、体積百分率約1〜約30%のHCl気体を追加することによって、所定の反応温度でTiCNコーティングの蒸着速度が著しく速くなる、という驚くべき発見をした。従って、本発明は、1つ以上の基体を反応室において反応温度まで加熱し、次に、約1〜約30%のHClと所定量のCH3CN、TiCl4、H2、及び任意のN2 を含む蒸着処理気体を反応室に導入して、この1つ以上の基体の表面上にTiCN層を蒸着する中温化学蒸着処理によって、少なくとも1つの基体をTiCNコーティングでコーティングする方法を提供する。
また、本発明者は、約1〜約30%のHClと所定量のCH3CN、TiCl4、H2、及び任意のN2を含む蒸着処理気体を用いると共に、反応室において温度勾配を用いることによって、TiCNコーティングの蒸着速度、及び、この中温化学蒸着処理中に付与されるTiCNコーティング厚さの均一性を、さらに制御することができる、という驚くべき結果も発見した。従って、本発明は、約1〜約30%のHClと所定量のCH3CN、TiCl4、H2、及び任意のN2を含む蒸着処理気体を反応室に導入して、1つ以上の基体の表面上にTiCN層を蒸着する間、反応室における温度勾配を維持する中温化学蒸着処理によって、少なくとも1つの基体をTiCNコーティングでコーティングする実施の形態も含む。
従って、本発明は、1つ以上の基体を反応室において反応温度まで加熱し、次に、約1〜約30%のハロゲン化水素と所定量の炭素窒素源、金属ハロゲン化合物、H2、及び任意のN2を含む蒸着処理気体を反応室に導入して、この1つ以上の基体の表面上に浸炭窒化物含有コーティング層を蒸着する中温化学蒸着処理によって、少なくとも1つの基体を浸炭窒化物含有コーティングでコーティングする方法を含む。このような方法において、蒸着処理気体は、所定量の1種類以上の追加の反応気体をさらに含んでいてもよい。また、本発明は、約1〜約30%のハロゲン化水素と所定量の炭素窒素源、金属ハロゲン化合物、H2、及び任意のN2を含む蒸着処理気体を反応室に導入して、1つ以上の基体の表面上に浸炭窒化物含有コーティング層を蒸着する間、反応室における温度勾配を維持する中温化学蒸着処理によって、少なくとも1つの基体を浸炭窒化物含有コーティングでコーティングする方法も含む。このような方法において、蒸着処理気体は、所定量の1種類以上の追加の反応気体をさらに含んでいてもよい。
この試験Dで蒸着されたTiCNコーティング厚さの測定結果は、上の表3に示されている。この結果から、試験Dで用いた条件によって、蒸着速度及びコーティングの均一性が、従来の中温化学蒸着法による試験Bで得られたものよりも向上した、ということがわかる。さらに、試験Dにおける変動係数0.16を試験Aにおける変動係数0.28と比較すれば、約1〜約30%のHClと所定量のCH3CN、TiCl4、H2、及びN2を含む蒸着処理気体を用いると共に、温度勾配を用いることによって、反応室全体にわたるコーティングの均一性が、温度勾配を用いなかった場合に得られたものよりも著しく向上した、ということがわかる。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6146697A (en) * 1999-03-02 2000-11-14 Kennametal Inc. MT CVD process
US6352014B1 (en) * 1999-12-15 2002-03-05 International Business Machines Corporation Method for making punches using multi-layer ceramic technology
US6533910B2 (en) * 2000-12-29 2003-03-18 Lam Research Corporation Carbonitride coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
JP2002289616A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 成膜方法及び成膜装置
DE10122329B4 (de) * 2001-05-08 2004-06-03 Tinox Gmbh Wärmetauscher-Vorrichtung mit einer oberflächenbeschichteten Wand, die Medium 1 von Medium 2 trennt
KR20030052468A (ko) * 2001-12-21 2003-06-27 한국야금 주식회사 내마모성 공구용 박막 및 이를 이용하는 피복부재
EP1948842B1 (de) * 2005-11-17 2011-08-03 BOEHLERIT GmbH & Co.KG. Titancarbonitridschicht und verfahren zum herstellen einer titancarbonitridschicht
AT503050B1 (de) * 2005-11-17 2007-09-15 Boehlerit Gmbh & Co Kg Metallcarbonitridschicht
KR100791112B1 (ko) * 2005-12-23 2008-01-04 한국야금 주식회사 절삭공구용 고경도 cvd 다원소 복합막
JP4753249B2 (ja) * 2006-01-13 2011-08-24 株式会社神戸製鋼所 ガラス成形用金型
EP1897970B2 (en) * 2006-09-05 2016-06-15 Tungaloy Corporation Coated cutting tool and method for producing the same
US8734070B2 (en) 2010-10-20 2014-05-27 Kennametal Inc. Toolholder with externally-mounted dynamic absorber
US8524360B2 (en) 2011-08-29 2013-09-03 Kennametal Inc. Cutting insert with a titanium oxycarbonitride coating and method for making the same
JP6022228B2 (ja) 2011-09-14 2016-11-09 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
AT13091U1 (de) * 2012-02-27 2013-06-15 Ceratizit Austria Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Hartstoffschicht auf einem Substrat, Hartstoffschicht sowie Zerspanwerkzeug
KR101456685B1 (ko) 2013-03-08 2014-11-12 부산대학교 산학협력단 금속 부품의 고경도 표면코팅 방법
JP2022501514A (ja) 2018-09-28 2022-01-06 コーニング インコーポレイテッド 金属基板上に無機粒子を堆積させるための低温法及びこの低温法によって製造される物品
US11464102B2 (en) * 2018-10-06 2022-10-04 Fermi Research Alliance, Llc Methods and systems for treatment of superconducting materials to improve low field performance
JP7425990B2 (ja) 2020-03-19 2024-02-01 三菱マテリアル株式会社 表面被覆切削工具の製造方法
CN116162918B (zh) * 2023-04-26 2023-07-14 赣州澳克泰工具技术有限公司 一种高硬度高韧性的刀具涂层及制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3846162A (en) * 1968-10-21 1974-11-05 Texas Instruments Inc Metal carbonitride coatings
US4196233A (en) * 1974-02-07 1980-04-01 Ciba-Geigy Corporation Process for coating inorganic substrates with carbides, nitrides and/or carbonitrides
JP3109272B2 (ja) * 1992-08-04 2000-11-13 三菱マテリアル株式会社 耐欠損性および耐摩耗性にすぐれた表面被覆炭窒化チタン基サーメット製切削工具
US5436071A (en) * 1990-01-31 1995-07-25 Mitsubishi Materials Corporation Cermet cutting tool and process for producing the same
JP2585470B2 (ja) * 1991-01-14 1997-02-26 日本碍子株式会社 ハニカム構造体押出用口金の製造方法
DE4239234A1 (de) * 1992-11-21 1994-06-09 Krupp Widia Gmbh Werkzeug und Verfahren zur Beschichtung eines Werkzeuggrundkörpers
US5681651A (en) * 1992-11-27 1997-10-28 Mitsubishi Materials Corporation Multilayer coated hard alloy cutting tool
SE514737C2 (sv) * 1994-03-22 2001-04-09 Sandvik Ab Belagt skärverktyg av hårdmetall
US5652045A (en) * 1994-10-20 1997-07-29 Mitsubishi Materials Corporation Coated tungsten carbide-based cemented carbide blade member
US5786069A (en) * 1995-09-01 1998-07-28 Sandvik Ab Coated turning insert
JPH09310179A (ja) * 1996-05-20 1997-12-02 Mitsubishi Materials Corp 減圧式縦型化学蒸着装置および化学蒸着方法
SE510778C2 (sv) * 1996-07-11 1999-06-21 Sandvik Ab Belagt skär för finfräsning av grått gjutjärn
US6146697A (en) * 1999-03-02 2000-11-14 Kennametal Inc. MT CVD process

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