JP2002535701A - 薄膜にパターンを形成する方法 - Google Patents

薄膜にパターンを形成する方法

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Abstract

(57)【要約】 ＲＦＩＤアンテナなどのパターン形成物品は、サブアブレーション、つまりＡ．金属または金属酸化物などのコーティングを有する基板であって、コーティングと基板とが互いに最も接近している薄い領域を含む界面を有する基板を提供するステップと、Ｂ．界面を分裂させるのに十分だが、コーティングをアブレートするには不十分な収束エキシマレーザビームなどの電磁エネルギーの磁束にコーティング全体の面積の少なくとも一部を暴露するステップと、Ｃ．分裂した界面領域部分と一致しているコーティング部分を超音波撹乱などの手段で除去するステップとを含む方法から製造される。この方法は、フォトレジスト法に比べて、残留化学薬品のレジストが製品上に残らず、パターンまたは画像のアンダーカットが生じないという利点を有する。この方法は、レーザアブレーション法に比べて、同じエネルギーレベルでより高度な処理量が可能であり、製品表面に顕微鏡的な破片がないという利点がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 技術分野 本発明は、金属被覆基板などのような物品に画像またはパターンを形成する方
法に関する。本発明は、詳細には、レーザまたはフラッシュランプなどのような
高エネルギー源を使用して、こうした画像またはパターンを形成する方法に関す
る。
【０００２】 背景技術 表面層材料は、多くの有用な目的のために画像またはパターンを形成されるこ
とが多い。表面層は、真空蒸着薄膜、溶液コーティング、および無電解めっきま
たは電気めっきフィルムを含む。パターンを形成された導電性表面層の用途は、
受動電子回路および能動電子回路の両方、ディスプレー部品、無線周波数識別（
ＲＦＩＤ）タグ用のアンテナ、無線ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、お
よび近接性検出器、並びにポケットベル（登録商標）、セル方式携帯電話および 衛星放送受信機などのような通信用アンテナにある。光学表面層は、回折光学素 子および安全保護画像などのような光学部品、または光交換、変調および多重化 または逆多重化を実行できる構成部品として電気通信に用途がある。
【０００３】 表面層にパターンを形成するための技術がある。２つの有用な方法は、化学エ
ッチングおよびレーザアブレーションである。化学エッチングにより形成される
画像またはパターンは、適切な化学薬品を使って表面層を選択的に分解すること
により、もしくはエネルギーアブレーションにより形成されるか、または画像も
しくはパターンを形成するための選択的な方法で薄い表面層を爆発的に分離して
除去することにより形成される。しかし、これらのどの方法にも制約がある。
【０００４】 化学エッチングは、有害な廃棄物を生成する場合がある複数のステップから成
る方法である。一般に、化学薬品またはフォトレジストは、パターンまたは画像
を形成される表面の選択部分に塗布される。次に、化学薬品は、表面全体に塗布
され、表面に露出しているコーティング（たとえば銅）を除去することができる
が、化学薬品またはフォトレジストで被覆された表面部分上のコーティングは除
去されない。次に、溶解した表面層材料を含む化学溶液は、画像を形成された物
品から洗い落とされる。多くの場合有害な溶液は、ある程度の経費をかけて安全
な方法で収集および処理される。この方法は、処理ステップが複数であり、画像
を形成された物品にフォトレジストの残留物が残り、画像側壁のアンダーカット
が生じる可能性があるという点で望ましくない。
【０００５】 レーザを使用して材料にパターンを形成するか、または材料を微細機械加工す
る現在の方法は、アブレーションの物理的現象を利用している。エネルギーアブ
レーションは、有害な廃棄物の処分が不要な比較的単純な方法である。一般に、
画像を形成される物品の表面層は、レーザまたはフラッシュランプなどのような
高エネルギー源からの光パルスを使って、たとえばマスクを貫通して露出される
。これらエネルギーのパルスは、マスクによって被覆されない表面層部分により
吸収され、層に衝突するエネルギーにより、短時間で表面温度が急激に上昇する
。温度の急激な上昇によって、表面層材料は爆発的に分離するかまたは基板から
放出して、マスクパターンに対応するパターンが形成される。
【０００６】 発明の開示 表面層材料に画像またはパターンを形成するための改良された方法であって、 Ａ．コーティングを有する基板であって、前記コーティングと前記基板とが互
いに最も接近している薄い領域を含む界面を有する基板を提供するステップと、 Ｂ．前記コーティングの面積全体の少なくとも一部を、前記界面を分裂させる
のに十分だが、前記コーティングをアブレートするには不十分な電磁エネルギー
の磁束に暴露するステップと、 Ｃ．分裂した界面領域部分と一致しているコーティング部分を除去するステッ
プと、 を含む方法を創造した。
【０００７】 基板は、放射線誘導画像を支持するのに適するどの材料でも良い。この方法は
、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルおよびポリイミドを含むい
くつかのポリマー材料など、熱により破損しやすい基板の場合に特に有利である
。コーティングは、放射線を吸収する画像形成可能な材料であれば、どの材料で
も良い。代表的なコーティングとしては、金属、合金、金属酸化物および金属窒
化物などのような無機化合物、並びに有機化合物が挙げられる。電磁エネルギー
の磁束は、レーザまたは短パルス幅のフラッシュランプなどのような光源から発
する。
【０００８】 エネルギーフルエンスは、表面コーティングのアブレーション閾値未満だが、
コーティングと基板との間の界面を撹乱するのに十分である。アブレーション閾
値は、コーティングを基板からアブレートするのに必要な最小エネルギーであり
、コーティング、基板、および使用するエネルギーの波長に依存する。この説明
の目的上、「分裂」という用語は、界面に適用され、基板とコーティングとの間
の界面結合に影響を及ぼし、この界面が、エネルギー磁束に暴露されなかった界
面領域における結合よりも弱体化することを意味する。界面結合の弱体化は、本
明細書に記載するように、エネルギー磁束に暴露された領域のコーティングを除
去するのに十分であるが、エネルギー磁束に暴露さなかった領域からコーティン
グは除去しない。
【０００９】 より少ないフルエンス、つまりコーティング表面におけるエネルギー密度は、
アブレーション過程で必要である以上に界面を撹乱または分裂させるのに必要で
あり、特定の電磁エネルギー磁束源で処理能力または出力がより大きいことを意
味する。また、コーティング材料は、本質的にワークピース上に再付着しないの
で、製造される物品内の破片に関連する画像形成基板の有害な影響を軽減する。
【００１０】 反射性、吸収性または回折マスクは、所望のパターンを画定する。一例として
、不透明な反射領域および透明領域は、反射性マスクパターンを画定する。均一
なエネルギー磁束がマスク上に入射すると、エネルギーは、反射領域により反射
され、透明領域により透過されて、パターンに応じてコーティング材料の所望部
分がエネルギー磁束に暴露される。
【００１１】 界面の撹乱部分上にあるコーティングは、コーティングを接着剤ロールに接触
させる、コーティングを良性液体もしくは気体の高速流（たとえば、空気または
水の噴流）に暴露する、または水性溶液中で超音波攪拌するなどの方法で除去さ
れる。本項で使用するように、「良性」という用語は、たとえば化学反応、腐食
または物理的腐食により、コーティングまたは基板上に破損を生じるような影響
を及ぼさないことにより特徴付けられることを意味する。分裂領域上のコーティ
ングを除去するステップは、比較的安価である。
【００１２】 画像形成物品も、本発明の一部である。基板上に画像形成コーティングを含む
本発明の物品は、熱による変形、およびコーティング材料を含む破片が実質的に
ないという点で、アブレーションにより形成される物品とは区別される。また、
本発明の物品は、フォトレジストが実質的に存在せず、化学的パターン形成過程
で生じる可能性がある画像のアンダーカットがないという点で、化学的過程また
はフォトレジスト過程により形成される物品とも区別される。
【００１３】 本発明によって利益が得られる用途としては、能動および受動電子回路、ＲＦ
ＩＤタグ用のアンテナ、ＥＭＩ遮蔽物、パッチアンテナ、および生体内感知パタ
ーンアレイ用の無機質薄膜のパターン形成が挙げられる。本発明により作製され
たパターン形成光学表面層は、光導波路、電子−光学フィルタおよび変調器、ホ
ログラム、安全保護画像、グラフィックスおよび再帰反射材料にも用途があると
思われる。剛性基板と可撓性基板の両方にパターンを形成された透明導体は、液
晶ディスプレー（ＬＣＤ）、コンピュータディスプレー、テレビジョン、タッチ
スクリーン、加熱ウィンドウおよびエレクトロクロミックウィンドウに用途があ
る。
【００１４】 好適な実施態様の詳細な説明 本願の発明人は、アブレーション過程でワークピース材料が吸収した光エネル
ギーによって熱的および光化学的分解が生じ、その結果、気体状副産物が迅速に
膨張し、露出領域から材料の断片を噴出することを認識した。したがって、材料
を完全に除去するための比較的高度なフルエンス、およびワークピースまたは隣
接する光学素子上に材料の断片が付着するのを防止する予防措置が必要である。
【００１５】 本発明により、破片の生成が最小限であり、危険な化学薬品を使用せず、化学
エッチング技術に比べて処理ステップが少ない微細解像度のパターン形成が可能
である。本発明の方法は、アブレーションを行う時に使用する処理を利用するが
、エネルギー密度をアブレーション閾値未満に減少させることにより、破片の発
生および付着の問題をなくす。電磁フルエンスに暴露される表面層領域は、基板
に対する付着が少なく、機械的方法で表面層またはコーティングを除去すること
ができる。
【００１６】 図１を参照すると、本発明の方法を実施するために使用される装置１の一実施
態様は、エネルギー源３０（レーザで良い）と、シャッタ３４、ビーム成形器３
６、ホモジナイザ３８、および円筒状収束レンズ４２を含む光学的列と、マスク
２６が上に取り付けられる可動転換ステージ２４と、それぞれ保護ウェブ巻出し
および巻取りローラ１２および１６、アイドラローラ１８および１９、それぞれ
ワークピース巻出しローラおよび巻取りローラ１３および１７、並びにアイドラ
ローラ１４および１５から成るフィルム処理部分組立体１０とを備える。この方
法を実施する時、処理される被覆基板２０は、ローラ１３からアイドラローラ１
４および１５上に巻き出され、ローラ１７上に巻き取られて矩形のレーザビーム
４４に暴露され、透明保護ウェブ２２は、ローラ１２から巻き出され、レーザビ
ーム４４が入射する、被覆基板２０とマスク２６との間の領域を通過するので、
本発明の方法と、走行マスク２６がなく、破片が生じがちなアブレーション法と
を比較することができる。本発明の方法を用いる場合のみ、保護ウェブは不要で
ある。
【００１７】 マスク２６、保護ウェブ２２および被覆基板２０をレーザビーム４４に暴露す
る時、マスク全体の領域が実質的に均一にレーザビームに暴露されるように、保
護ウェブ２２、被覆ウェブ２０およびマスク２６をレーザビーム４４の前面で同
じ速度で移動させることが好ましい。これは、転換ステージ２４を移動させて、
被覆基板２０と保護ウェブ２２との両方を前進させる先行技術の範囲内の手段に
より行うことができる。したがって、レーザビームは、マスクにより画定される
全体の領域上を移動して、マスク裏の被覆基板を露出させる。画像形成される領
域を十分な時間にわたってレーザに暴露した後、たとえばシャッタ３４を閉じて
暴露を停止し、被覆基板２０および保護ウェブ２２をそれぞれのローラ上で前進
させると、新しい領域を処理することができる。保護ウェブ２２は、ビーム４４
の電磁エネルギーに対して透過性である。
【００１８】 被覆基板２０は、一般に、薄い材料層で被覆されたポリマーウェブ基板から成
る。基板は、画像を支持できるどの材料でも良い。この処理は、いくつかの基板
を変形させるエネルギーレベル未満で施されるので、こうした基板を使って製造
された物品は特に有益である。こうした基板は、ポリマーウェブから一般に構成
される。この基板に有用なポリマーは、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ
エチレン、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレンまたは
ポリイミドである。
【００１９】 これらのいくつかは、通常、図１に示すようなロール形態の物品ではない。も
ちろん、基板は、用途に応じて様々な形態で良い。いくつかの有用な形態として
は、たとえばシートまたはロール形態の平坦なフィルムまたは箔、ロッド、繊維
ビード、ウェーハ、パネル、プラター、および不織ウェブが挙げられる。これら
の形態は、広範な材料から作製することができる。すべての材料をすべての形態
で作製できるわけではないが、材料処理の当業者は、様々な材料と形態の組合せ
の可能性を決定することができるであろう。
【００２０】 基板は、有機質でも無機質でも良い。無機質の基板材料としては、シリカベー
スのガラス、鉄および非鉄金属、セラミック、シリコン、ゲルマニウム、ガリウ
ムヒ素、窒化ガリウムなどのような半導体、並びに酸化アルミニウムおよび二酸
化チタンなどのようなその他の金属無機物が挙げられる。
【００２１】 本発明の作製に使用した１種類の基板ポリマーは、テネシー州、キングスポー
トのＥａｓｔｍａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙが市販しているＰＥＴ
Ｇポリエステルである。このポリエステルは、１．２７ｇ／ｃｍ３を有するポリ
（エチレンテレフタレート）ベースの透明な非晶質コポリエステルであり、ＲＦ
ＩＤカードなどのような熱積層カードの製造に有用である。熱積層可能なその他
のポリマー（たとえば、１つまたは複数のビニルポリマー層で被覆されたポリエ
ステル）も、こうした用途の有用な基板である。
【００２２】 基板上には、画像形成可能な材料を特定の用途に応じた所望の厚さまで塗布す
る。コーティングは、単一層でも複数層でも良い。材料の組成に応じて、広範な
技術を使用して塗布することができる。たとえば、薄い金属フィルムコーティン
グの場合、優れたフィルム特性を得るために、真空蒸着またはスパッタ蒸着技術
が広く周知されている。有機質フィルムコーティングの場合、グラビア塗布、ス
ロット塗布およびキス塗布など、多くの溶液塗布法が十分に周知されている。コ
ーティングおよび材料処理関係の当業者は、特定のコーティング材料および基板
に適するコーティング技術を選択することができるであろう。画像形成可能な特
性を有する材料としては、有機材料と無機材料の両方が挙げられる。一例として
、有用な特性を有する無機材料としては、銅、銀、金、ニッケル、クリミウム、
錫、インジウム、アルミニウムなどのような金属フィルム；ＮｉＦｅ、ＡｇＺｎ
などのような合金；酸化インジウム錫、二酸化ケイ素、一酸化ケイ素、酸化亜鉛
、酸化アルミニウムなどのような酸化フィルム；ニオブ酸リチウム、フッ化マグ
ネシウム、硫化亜鉛、フッ化カルシウムなどのようなその他の無機質フィルムが
挙げられる。有機質コーティングとしては、アクリレート、ポリカーボネート、
およびエポキシベースのポリマーが挙げられる。
【００２３】 コーティングは、光学的、電気的、構造的または美観上の特徴を与えるために
、有機質および無機質の材料を含むことができる。適切な光学特性を与えるため
のコーティング層は、酸化ゲルマニウム、二酸化ケイ素，一酸化ケイ素、ニオブ
酸リチウムおよび／またはＬｉＴａＯ３などのような酸化物、フッ化カルシウム
およびフッ化マグネシウムなどのようなフッ化物が挙げられる。美観上の特徴は
、合金、酸化物および窒化物、たとえば酸化ニオブ、酸化タンタル、銀−亜鉛合
金および窒化チタンにより与えることができる。
【００２４】 コーティングと基板との間の界面には結合層も存在し、この層は、基板に対す
るコーティングの付着を変更する。結合層は、コーティングまたは基板の材料と
は異なる材料であり、こうした結合層をコーティング層と同時に除去できること
は、本発明の重要な利点である。従来の湿式エッチング法では、結合層を除去す
るために、異なる化学薬品を使って別個の処理ステップが必要になる可能性があ
る。
【００２５】 エネルギー源は、十分な範囲のフルエンスをコーティング表面に生成して、コ
ーティングと基板との界面の適切な分裂を生じさせることができるエネルギー源
である。適切なエネルギー源としては、レーザおよびフラッシュランプが挙げら
れる。レーザの動作波長は、紫外線（ＵＶ）から赤外線までで良い。この方法に
特に有用な２種類のレーザについて記載する。
【００２６】 エキシマレーザは、紫外線周波数範囲に高フルエンスの光を生成することがで
きる高出力のレーザである。レーザ光を発する能力は、特定の２原子性気体分子
の励起に基づく。特に、エキシマレーザは、１５７〜３５５ｎｍの波長範囲の光
を放出する一群のレーザである。最も一般的なエキシマ波長および個々の２原子
性気体は、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）およびＡｒＦ（１９
３ｎｍ）である。エキシマ内でレーザ光を発する動作は、２原子性気体によって
形成される励起二量体内における反転分布の結果である。パルス幅は、一般に、
高エネルギー短パルス幅のパルスを生じる１０〜１００ナノ秒台である。エキシ
マレーザのこうした特性は、選択したエネルギー出力に応じたエキシマ励起範囲
内で著しい吸収率を示す材料の場合、サブアブレーションまたはアブレーション
処理条件につながる可能性がある。
【００２７】 固体レーザは、赤外線から紫外線波長範囲の集中光ビームを発生することがで
きる高出力のレーザである。こうした固体レーザの選択部分は、材料に基づき、
イットリウム−アルミニウム−石榴石（ＹＡＧ）、イットリウム−リチウム−フ
ッ化物（ＹＬＦ）およびイットリウムバナデート（（ＹＶＯ５）などのような固
体ホスト中にネオジミウムを注入する必要がある。これら特定材料は、１．０４
〜１．０８μｍの赤外線波長範囲内の基本的な波長でレーザ光を発する。このレ
ーザ光発生は、リチウムトリボラート（ＬＢＯ）または燐酸チタニルカリウム（
ＫＴＰ）などのような非線形光学結晶を使用して、より短波長まで拡張すること
ができる。一例として、ネオジミウムを注入したＹＡＧレーザからの基本的な１
．０６μｍ放射線は、こうした非線形結晶を使用すると、周波数を倍にして５３
２ｎｍの波長にするか、または周波数を３倍にして３５５ｎｍにすることができ
る。エキシマと同様、固体レーザの特性は、使用可能な波長範囲における吸収率
を持つ材料の場合、サブアブレーション（つまり、アブレーション閾値未満のエ
ネルギーレベルにおいて）またはアブレーション処理条件につながる可能性があ
る。
【００２８】 エキシマレーザに対する別の光源は、短パルス線形エキシマ、紫外線フラッシ
ュランプである。一般に、こうしたランプは、壁の厚さが約１ｍｍで、内径が約
３〜２０ｍｍの透明な石英ランプ管を備える。こうしたフラッシュランプは、長
さ３０ｃｍで良い。電極は、タングステンから製造することが好ましく、キセノ
ンなどのような希ガスを充填されたランプ管の両端を封止する。フラッシュラン
プは、コンデンサバンクを使用して電極に５〜４０ＫＶの範囲の高圧を印加する
ことにより、１〜２０Ｈｚの範囲でパルス化することができる。電荷はキセノン
原子をイオン化して、約２００ｎｍ〜約８００ｎｍの波長範囲の広帯域放射線を
放出するプラズマを生成する。フラッシュランプは、放射線を成形してランプか
らマスクおよびワークピースに向かって案内するために、管の周囲に部分的に配
置された反射器を備えることができる。
【００２９】 線形フラッシュランプは、約５μ秒という比較的短パルスの比較的短波長で高
強度、高フルエンスのエネルギー出力を生成することができる。たとえば、広帯
域のスペクトル出力を有するキセノン線形フラッシュランプは、約２〜６μ秒の
パルスで約１．０〜１．５Ｊ／ｃｍ２の有用なエネルギー密度を提供することが
できる。
【００３０】 各々のコーティングおよび基板システムは、アブレーション閾値およびサブア
ブレーション閾値として定義されるフルエンスレベルを有する。アブレーション
閾値フルエンスは、コーティングを基板から爆発的に分解またはアブレートする
ためにコーティングが吸収しなければならない単位面積当たりの最小エネルギー
である。サブアブレーション閾値フルエンスは、コーティングと基板との間の界
面を分裂させるのに十分だが、界面をアブレートしないようにコーティングを加
熱するために、コーティング表面に必要な単位面積当たりの最小エネルギーであ
る。サブアブレーションは、アブレーション閾値フルエンスのわずかに下で発生
し、サブアブレーション閾値フルエンスまで拡張して行く。
【００３１】 基板に対するコーティングの付着も重要である。この付着は、分裂していない
界面領域と一致しているコーティングが、分裂した界面領域と一致しているコー
ティングを除去するステップで除去されないように十分でなければならない。界
面の分裂によって、概してコーティングと基板との間の付着は低下するので、露
出していないコーティングと基板との間の付着力が、以下に記載する方法Ｂで測
定して約４０〜７００ｇ／ｃｍの範囲内である場合、満足な画像が形成される。
【００３２】 図１に示され、本発明につながる実験のいくつかに使用したレーザ３０は、ア
スペクト比が約３：１のほぼ矩形の断面を有するレーザビーム３２を発するエキ
シマレーザだった。エキシマレーザは、界面を分裂させるのに十分なフルエンス
（ｍｉｌｌｉ−Ｊｏｕｌｅｓ／ｃｍ２で測定）を有する短パルス（たとえば、２
０ナノ秒）ビームを生成する。エキシマレーザの高密度エネルギーは、他のレー
ザに比べて比較的広い面積上で利用できる。
【００３３】 ビーム成形器３６は、主に、使用可能なパルスエネルギーを増加するために、
レーザビームの上端と下端とを再成形する機能を果たす。ビーム３２は、ビーム
軸から離れるとエネルギー密度が減少するガウスエネルギープロファイルのレー
ザを発する。ビーム成形器は、場合によりトップハットプロファイルと呼ばれる
さらに矩形になるようにこのエネルギープロファイルを変化させる。ビーム成形
器は市販されており、一実施態様は、ベルギー、サイトドゥグランドホルヌのＯ
ｐｔｅｃから市販されている。ビーム成形器は、少なくとも２０ｍｍの焦点距離
を有することが好ましい。ビーム成形器の一実施態様では、受動レンズは、焦点
距離が２４０ｍｍの平凸レンズである。幅の要素（５０ｍｍ）は、３３ｍｍ幅の
生レーザビーム３３の幅全体にわたるのに十分だった。レンズの高さの要素（１
２．５ｍｍ）は、ビーム高さ（１１ｍｍ）の少なくとも半分に相当した。ビーム
成形器素子は、生エキシマビームの上端および下端に影響し、上端および下端を
垂直にビーム中心方向に向け直した。
【００３４】 ホモジナイザ３８は、ビーム３２の十分な数のセグメントを分割して重畳し、
その結果得られるビーム４０を水平方向（一方の側から他方の側まで横断して）
均質にする機能を果たす。エネルギー分布の２点間の変動は、たとえばビームが
通過するレンズレットの配列を垂直に向けることにより、エキシマレーザビーム
の様々な部分を互いに混合して減少させることができる。均質化は、エキシマビ
ーム４０の有用部分を増加させることができる。ドイツ、ゲッティンゲンのＬａ
ｍｂｄａ Ｐｈｙｓｉｋ ＧｍｂＨ多くのホモジナイザが発行したＢａｓｔｉｎ
ｇ，Ｄ．編集の「Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒｓ」（工
業用エキシマレーザ）第２版に記載されているように、多くのホモジナイザが先
行技術で周知されている。有用なホモジナイザの一例は、焦点距離が１６ｍｍの
円筒状平凸レンズ数個から成るレンズレットの配列を備えていた。各要素の幅は
５ｍｍであり、長さ（３８ｍｍ）は、ビーム（１１ｍｍ）の高さにわたるのに十
分だった。これらレンズレットは、生ビーム全体の幅を覆うように並置され、生
ビームを水平方向に均質化した。
【００３５】 レーザビーム４０は、レーザ３０と円筒状レンズ４２との間の距離上で断面方
向に拡張するが、円筒状レンズ４２はビーム４０全体の強度を集結しない。レン
ズ４２を出るビームは、レンズ４２に入るビーム４０より実質的に高さが少ない
（たとえば、約１０分の１）。有用な一実施態様は、焦点距離が１０３ｍｍの平
凸レンズだった。このレンズの幅は３８ｍｍ、長さは３５０ｍｍであり、再成形
および均質化されたビーム全体を受け入れるのに十分な大きさだった。円筒状レ
ンズ４２は、石英ガラスなどの高い透過性材料から作製される。したがって、ビ
ーム成形器３６および円筒状レンズ４２は、レーザビームの垂直プロファイルに
影響を及ぼし、ホモジナイザ３８は、垂直線に直交する均質化に影響を及ぼす。
【００３６】 マスク２６は、エキシマレーザビームに対して非常に透明な基礎材料から製造
することが好ましい。基礎材料は、たとえば、使用する電磁エネルギーの波長に
対して反射性の保護オーバレイで被覆することができる。たとえば、マスクの基
礎材料は合成石英ガラス、保護オーバレイはアルミニウムで良い。アルミニウム
は、約６００ｎｍの深さまで石英ガラス基礎材料上に蒸着することができる。マ
スクのパターンは、標準の半導体工業の写真平版および湿式エッチング処理技術
により保護オーバレイ内に形成される。
【００３７】 光学列３０、３４、３６、３８、４２およびマスク２６の各部分は、カメラを
使用して距離および高さを正確に測定し、正確に整列させることができる。マス
ク２６の初期高さは、当業者が周知している装置である転換ステージ２４で調節
することができる。円筒状レンズ４２と被覆基板２０の前面との間の距離は、入
射レーザビームの幅およびフルエンスまたはエネルギー密度を決定する１つのパ
ラメーターである。マスク２６と被覆基板２０との間の距離は、経路と呼ばれる
。この経路は、長さ２ｍｍ以下であることが好ましく、約５０〜１００μｍであ
ればさらに好ましい。
【００３８】 図２は、本発明の方法により製造でき、それ自体で創意に富んでいる製品の一
例を示す。ＲＦＩＤアンテナとして役立つポリマー基板５２上には、パターンを
形成された銅コーティング４６がある。ＲＦＩＤは、物や人を識別するために電
子製品の監視に広く使用されている。ほぼ矩形の縞状領域４８の連続は、電磁エ
ネルギーの磁束に暴露されず、基板５２に付着した状態を保つコーティング（た
とえば、銅）部分である。ほぼ矩形の配列内の領域４８を分割する線４９、パタ
ーン中央部の領域、および縞状リングのパターン外の領域は、マスクによって保
護されず、処理時にコーティングが除去される被覆基板の部分に対応する。図３
の断面図では、縞状領域４８が、コーティングの他の部分が除去された基板５２
の表面から隆起していることが分かる。
【００３９】 図４および図５は、本発明による物品の清浄度の利点を示す。図４は、本発明
によりパターンが形成された基板の領域であって、本発明の方法による処理後に
金属が除去された領域である視野内に基本的に破片がないことを示す。一方、図
５は、レーザアブレーションでパターンを形成された同じタイプの金属被覆基板
の露出領域に残っている金属の破片および縞を示す。
【００４０】 本発明は、以下の実施例によりさらに明確になる。これら実施例は、具体的に
示すためのものであり、本発明の範囲を限定する意図はない。実験作業では、以
下の試験方法を使用した。
【００４１】 分光光度計を使用して、界面の分裂に適する光の波長およびエネルギー源を決
定した。被覆基板の被覆表面層は、コネチカット州、ノーウォークのＰｅｒｋｉ
ｎ−Ｅｌｍｅｒが市販している分光光度計、モデルＬａｍｂｄａ ９００の下に
配置し、波長の関数として表面コーティングの吸収を測定した。概して、コーテ
ィングの吸収が最も高い２００ｎｍ〜２μｍの波長を選択した。次に、エネルギ
ー源を選択したが、一部には、このエネルギー源の動作波長範囲内の波長がコー
ティングによって十分に吸収されるかどうかに基づいて選択した。十分かどうか
の大よその判断基準は、吸収が、コーティングをアブレートするのに十分である
かどうかである。
【００４２】 コーティング層と基板層との間の付着を２種類の方法で評価したが、この付着
を層間付着と呼ぶ。これらの方法を使用して、層間付着が、分裂しなかった界面
上のコーティングは除去されないが、分裂した界面上のコーティングを選択的に
除去するのに十分であるかどうかを決定した。方法Ａは定性試験であり、方法Ｂ
は定量試験だった。
【００４３】 方法Ａでは、各々約１５ｃｍ×１２ｍｍの２種類の粘着（ＰＳＡ）テープを被
覆基板上のコーティング表面に貼付した。テープ１は、粘着力が比較的弱いアク
リレートベースのＳｃｏｔｃｈブランド８１０番マジックテープであり、テープ
２は、粘着力が比較的強いＰＳＡテープであるＫｒａｔｏｎ（登録商標）ブロッ
クコポリマーベースのＳｃｏｔｃｈブランド３９６番箱封止用テープだった。重
さ１．５ｋｇの５ｃｍ幅のロールは、各テープの一方の端部がコーティング表面
に付着しないように各テープ上を１回通過させた。テープは、約１分間放置した
。次に、各テープの自由端部を手で把持して、約１８０°の角度および毎秒約２
ｃｍの速度で表面から剥離した。テープ１でコーティングが除去された場合、層
間付着はおそらく不十分だった。分裂した界面上のコーティングと同様、分裂し
なかった界面上でもコーティングは剥離すると考えられた。テープ２でコーティ
ングが除去されなかった場合、界面付着は非常に強く、分裂した界面上のコーテ
ィングは、その後本発明の除去技術により除去されないと考えられた。
【００４４】 方法Ｂでは、コーティングを基板から除去するのに必要な力を測定した。基板
上の金属コーティングは、試験中にコーティングが早期に引裂するのを防止する
用途に使用した厚さより厚い特別に作製した試験サンプルを必要とする。５ｍｍ
幅のコーティング材料（たとえば、銅）の表面ストリップを有する試験ストリッ
プを作製した。コーティング表面ストリップの一方の端部は、薄い刃（たとえば
、外科用メス）で基板から手で分離した。次に、このサンプルは、コーティング
を基板から９０°で垂直に剥離するのに相当する水平移動を可能にするステージ
ングシステムに接着した。剥離は、毎秒０．１７ｃｍの速度で動作する力測定装
置（マサチューセッツ州、キャントンのＩｎｓｔｒｏｎ Ｃｏｒｐ．が市販して
いるＩｎｓｔｒｏｎ（登録商標）モデル１１２２）を使って滑らかに行われた。
コーティングと基板との間の接着力が約４０〜７００ｇ／ｃｍである場合、本発
明により適切なパターン形成が行われると考えられる。
【００４５】 実施例１〜３、比較実施例１および２ 金属被覆基板は、金属と基板との間の界面を分裂させるのに十分な放射線エネ
ルギー源に暴露した。金属被覆基板は、金属で被覆された（銅、真空内で２５０
ｎｍの厚さまで電子ビームで蒸着した）、アブレーション閾値が３２５ｍＪ／ｃ
ｍ２およびサブアブレーション閾値フルエンスが１９０ｍＪ／ｃｍ２の有機ポリ
マー基板（ＴｉＯ２充填剤を含み、１２５μｍの厚さを有し、ウィスコンシン州
、チェボーガンフォールズのＶＰＩが市販しているＰＥＴＧ）から構成した。
【００４６】 レーザ光ビームは、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）ガスを使用して２４８ｎｍの
紫外線を発生させる紫外線エネルギー源（ドイツのＬａｍｂｄａ Ｐｈｙｓｉｋ
が市販しているモデルＬＰＸ ３１５の１５０ワットエキシマレーザ）で生成し
た。このエネルギー源は、繰返し率７５Ｈｚ、パルス幅１０ｎｓ、パルス当たり
のエネルギー出力７５０ｍＪでビームを生成するように作動させた。ビームは、
ビーム成形器（Ｏｐｔｅｃ Ｓ．Ａ．製造のモデルＨＹ−１２０エキシマレーザ
ビーム成形器を通過し、次にホモジナイザおよび単一平凸レンズを通過した。ホ
モジナイザは、各々焦点距離１６ｍｍの平凸円筒状レンズの配列だった。単一レ
ンズは、焦点距離１０３ｍｍの平凸円筒状レンズだった。レーザビームは、単一
平凸円筒状レンズに入る前に水平に約２０ｃｍ拡張した。金属被覆基板の金属表
面とビーム成形器の表面の間、ホモジナイザと金属表面に最も近い円筒状レンズ
との間の距離は、それぞれ６７０ｍｍ、６２０ｍｍおよび９３ｍｍだった。その
結果得られる成形ビームは、長さ２００ｍｍおよび幅０．７６ｍｍのビーム断面
で銅コーティング表面上に入射した。
【００４７】 この非常に長く狭いビームは、光学列からパターン形成マスク（コネチカット
州、シェルトンのＨｏｙａ，Ｃｏｒｐ．が市販しているＥＱＺ等級の石英ガラス
プレートから作製した）を通過した。このパターン形成マスクには、約６００ｎ
ｍの厚さでアルミニウムを真空めっきし、標準の写真平版および湿式エッチング
技術でアルミニウムを選択的に除去して画像形成した。次に、ビームは、金属表
面に接触し、パターン形成マスクから２５μｍ離間配置された保護ウェブ（コネ
チカット州、デイヴィルのＢｏｌｍｅｔ，Ｉｎｃ．が市販しているＯＰＰ等級の
７μｍ厚のポリプロピレン）を通過した。ビームのエネルギー密度またはフルエ
ンスは、（銅表面において２２０ｍＪ／ｃｍ２であり、アパーチャ付きジュール
メータ、カナダ、ケベック州のＧｅｎｔｅｃ Ｉｎｃ．が市販しているモデルＥ
Ｄ−５００で測定）、金属と基板との間の界面を分裂させるのに十分だった。
【００４８】 成形ビームに対するパターン形成マスクおよび金属被覆基板の相対的な位置は
、線形転換ステージ（マサチューセッツ州、ローレンスのＮＥＡＴ Ｔｅｃｈｎ
ｏｌｏｇｉｅｓが市販しているモデルＯＦＬ−１５１５）で調節した。この転換
ステージは、毎秒５．９ｃｍで移動した。最終的なビームプロファイルは、連続
するパルスに１２％重畳した。保護ウェブおよびＣｕ／ＰＥＴＧ基板はともに、
マスクの移動方向に対して平行に毎秒５．９ｃｍで移動し、結果として得られる
約８．７ｃｍ×５．５ｃｍの露出矩形領域を形成した。この矩形領域内では、マ
スクのパターンは、サンプルの露出部分と非露出部分とを比較することにより視
覚的に分かる。マスクを貫通して露出した金属表面は、マスクで被覆された非露
出金属表面に比べて暗色に見えたが、エキシマ放射線により銅はまったく除去さ
れなかった。
【００４９】 次に、露出金属被覆基板のサンプルは、２個の浸漬可能な超音波変換器（モデ
ルＥＭＬＸ ３０−１２発電機で励起されるモデルＬＰ ６１０−６浸漬可能超
音波変換器、ともにコネチカット州、シェルトンのＢｒａｎｓｏｎ Ｃｌｅａｎ
ｉｎｇ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏ．が市販）を備える２０℃の水槽中に配置し
た。サンプルの金属表面は、変換器から約１８ｍｍの位置に約４秒間配置した。
変換器の振動振幅は、銅とＰＥＴＧとの界面の撹乱領域の金属を除去するために
、最高最低振幅で１８μｍ（０．７ｍｉｌ）に制限した。この超音波処理により
、露出した銅は完全に除去され、露出していない銅は除去されなかった。銅コー
ティングのパターンの解像度は良好だった。微細な特徴は、７５μｍ幅の金属線
および７５μｍ幅の空間といった小ささだった。また、線間の電気的短絡または
線内の空隙はなかった。
【００５０】 実施例２および３を実施例１に記載したように作製して試験したが、フルエン
スは、それぞれ約２００ｍＪ／ｃｍ２および３００ｍＪ／ｃｍ２だった。銅コー
ティング内のパターンの解像度は良好だった。微細な特徴は、７５μｍ幅の金属
線および７５μｍ幅の空間といった小ささだった。また、線間の電気的短絡また
は線内の断線はなかった。
【００５１】 比較のため、比較実施例１および２は、レーザの出力エネルギーを除いて実施
例１と同様に作製した。比較実施例１を１５０ｍＪ／ｃｍ２のフルエンスに暴露
し、比較実施例２を４００ｍＪ／ｃｍ２のフルエンスに暴露した。比較実施例１
の露出金属は、使用したフルエンスが界面を分裂させるのに不十分だったため除
去されなかった。比較実施例２では、フルエンスが、金属およびアブレートされ
てサンプルの金属被覆表面上に再付着した溶融金属の一部をアブレートするのに
十分だったため、パターンを形成された銅内に電気的短絡が観察された。
【００５２】 実施例４ この実施例は、画像の特性に対する様々なエネルギー源の影響を示した。
【００５３】 実施例４は、実施例１に類似する方法で作製したが、異なるエネルギー源およ
び光学列を使用し、いくつかの条件を変更し、異なる清掃方法を使用した。エネ
ルギー源は、波長１．０６μｍ、繰返し率２０００Ｈｚ、パルス当たりのエネル
ギー０．６ｍＪ、パルス幅２００ｎｓで動作する赤外レーザ（ニューヨーク州、
ハウパウジのＥｘｃｅｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．が市販しているモデ
ル２６６０のＮｄ：ＹＡＧ赤外レーザ）だった。金属コーティング上に入射する
レーザ光はドットまたは点であり、図１に示す実施例１の線または細い矩形の光
と対照的だった。光学列は、焦点距離１０ｃｍの丸い平凸レンズのみから構成し
た。ビーム成形器、ホモジナイザ、または円筒状レンズはなかった。マスクおよ
び保護ウェブは使用しなかった。結果として得られた、金属表面に達するフルエ
ンスは、ジュールメータ（オレゴン州、ポートランドのＭｏｌｅｃｔｒｏｎ，Ｉ
ｎｃ．が市販しているモデルＪ３−０９）で測定したレーザのエネルギー出力、
および金属表面上の照射領域から決定して３５０ｍＪ／ｃｍ２と計算したが、こ
の値は、この波長で基板から金属をアブレートするのに必要なフルエンスを下回
る。転換ステージは、金属表面上の連続パルス間が２０％重畳するように毎秒２
０ｃｍの速度で移動させた。レーザが１回通過するごとに転換ステージの第２軸
線がウェブを横断して移動することにより、線間に間隔生じて、平行線のパター
ンが露出した。
【００５４】 銅は、ＹＡＧ赤外レーザの暴露によりＰＥＴＧ表面から除去されなかったが、
赤外線に暴露された領域は、暴露されなかった領域とは反射率が異なることから
検出することができた。金属層の暴露領域は、以下の技術で除去した。感圧接着
剤を塗布したロールを金属被覆基板の金属コーティング側上で１回移動させた。
ロールの幅は２０ｃｍ、重量は約４．５ｋｇだった。金属被覆フィルム上の５０
μｍ幅の線および空間を目視検査すると、界面が分裂した暴露領域上では金属が
完全に除去されたが、界面が分裂しなかった領域上では金属はそのまま完全に残
った。
【００５５】 実施例５ この実施例は、基板上の金属酸化物コーティングの使用を示した。
【００５６】 実施例３は、実施例１と同様に作製したが、金属酸化物被覆基板を使用し、エ
ネルギー出力を約６５０ｍＪに低下させた。金属酸化物被覆基板は、１平方メー
トル当たり８０Ωの導電率を達成するように酸化インジウム錫をスパッタ塗布さ
れて、カリフォルニア州、カノガパークのＣｏｕｒｔａｕｌｄｓ Ｐｅｒｆｏｒ
ｍａｎｃｅ Ｆｉｌｍｓ Ｉｎｃ．からＯＦＣ８０番として市販されているポリ
エステルから構成した。光学列は、金属酸化物表面に入射エキシマレーザビーム
を１５０ｍｍ×０．８９ｍｍの矩形を形成するように構成した。エキシマレーザ
からのエネルギーは、この波長でこの基板からコーティングをアブレートするの
に必要なアブレーション閾値９０ｍＪ／ｃｍ２を下回る約８０ｍＪ／ｃｍ２の計
算フルエンスがこの矩形内で得られるように調節した。最終ビームプロファイル
は、連続する次のパルスに１０％重畳した。その後のパターンは良好な解像度を
有し、非常に小さい５０μｍ幅の線および空間の微細な特徴を有した。
【００５７】 実施例６ この実施例は、異なる基板暮らすの使用を示した。
【００５８】 実施例６は、実施例１と同様に製造したが、異なる基板を使用し、フルエンス
を低下させた（エネルギーレベルは約６５０ｍＪだった）。金属被覆基板は、約
２５０ｎｍのコーティング厚さになるように銅をスパッタ被覆したポリイミド（
オハイオ州、サークルヴィルのＤｕＰｏｎｔ Ｉｎｃ．がＫａｐｔｏｎ（登録商
標）として市販している５０μｍ厚のフィルム）から構成した。コーティング基
板の界面を分裂させるために使用した、結果として得られたサブアブレーション
フルエンスは、１７０ｍＪ／ｃｍ２と計算され、この波長で基板から金属をアブ
レートするのに必要な約３００ｍＪ／ｃｍ２のアブレーション閾値を下回った。
その後のパターンは良好な解像度を有し、非常に小さい７５μｍ幅ほどの線およ
び空間の微細な特徴を有した。
【００５９】 実施例７ この実施例は、有機質コーティングの使用を示した。実施例７は、実施例１に
類似する方法で作製したが、材料およびレーザ条件が異なった。透明なアクリレ
ートコーティング（オハイオ州、ベッドフォードハイツのＳｈｅｒｗｉｎ Ｗｉ
ｌｌｉａｍｓ Ｃｏ．の１部門であるＳｐｒａｙ Ｏｎが製品番号０２０００と
して市販）をコーティング厚さ３μｍまでポリ（エチレンテレフタレート）（Ｐ
ＥＴ）上に噴霧した。コーティングは、周囲条件で１時間硬化させた。このコー
ティング／基板系は、アブレーション閾値１００ｍＪ／ｃｍ２を有していた。レ
ーザエネルギーは、パルス当たり４５０ｍＪのエネルギー出力が得られ、アクリ
レートとＰＥＴ基板との間の界面を分裂させるのに十分な６５ｍＪ／ｃｍ２のエ
ネルギーフルエンスを出すように調節した。このアクリレートコーティングは、
エキシマレーザに暴露してＰＥＴ表面から除去されなかったが、放射線に暴露さ
れた領域は、暴露されなかった領域とは反射率が異なることから検出することが
できた。超音波処理では、暴露されたアクリレートが完全に除去されたが、暴露
されなかったアクリレートは除去されなかった。アクリレートコーティングのパ
ターンは、良好な解像度を有していた。微細な特徴は非常に小さく、７５μｍ幅
の線および７５μｍ幅の空間だった。
【００６０】 代表的な特定の実施態様および詳細について、本発明を示すために上記で説明
してきたが、当業者には、以下の請求の範囲に示す本発明の真の精神および範囲
から逸脱せずに、本発明の様々な変更および変形が可能であるであることが明白
であろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の方法を実施するために使用される装置の外観図である。
【図２】 本発明の方法により作製されるアンテナの平面図である。
【図３】 図２のアンテナの断面図である。
【図４】 本発明の方法により作製されたＲＦＩＤアンテナの１０２倍に拡
大された後方散乱走査電子顕微鏡写真である。
【図５】 レーザアブレーションにより作製されたＲＦＩＤアンテナの１０
２倍に拡大された後方散乱走査電子顕微鏡写真である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年３月２８日（２００１．３．２８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート・エル・スミスソン アメリカ合衆国55133−3427ミネソタ州セ ント・ポール、ポスト・オフィス・ボック ス33427 Ｆターム(参考） 2H097 AA03 BA10 BB01 CA13 EA01 FA01 FA10 JA00 JA03 LA09 4E068 DA09 DB01

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 画像形成表面を作製する方法であって、 Ａ．コーティングを有する基板であって、前記コーティングと前記基板とが互
    いに最も接近している領域を含む界面を有する基板を提供するステップと、 Ｂ．前記コーティングの面積全体の少なくとも一部を、前記界面を分裂させる
    のに十分だが、前記コーティングをアブレートするには不十分な電磁エネルギー
    の磁束に暴露するステップと、 Ｃ．分裂した界面領域部分と一致している前記コーティングの部分を除去する
    ステップと、 を含む方法。
  2. 【請求項２】 前記基板が、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエチレ
    ン、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレンおよびポリイ
    ミドから成る群から選択されることを特徴とする、請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記電磁エネルギーが、フラッシュランプからの光およびレ
    ーザ放射線から成る群から選択されることを特徴とする、請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記電磁エネルギーが、成形されてコーティング表面上に収
    束し、アブレーション閾値フルエンスの３０〜９９％のフルエンスを有するレー
    ザ放射線であることを特徴とする、請求項３記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記レーザ放射線が、ほぼ矩形の断面を有するビームに成形
    されることを特徴とする、請求項４記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記コーティングと前記基板との間の接着力が約４０〜７０
    ０ｇ／ｃｍであることを特徴とする、請求項１記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記ステップＢが、前記基板と前記電磁放射線源との間にマ
    スクが存在し、かつ前記マスクと前記基板との間の距離が経路と呼ばれる構成で
    、前記基板の領域の少なくとも一部を電磁放射線に暴露することをさらに含むこ
    とを特徴とする、請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記経路が２ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項７記
    載の方法。
  9. 【請求項９】 前記コーティングが有機材料であることを特徴とする、請求
    項１記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記コーティングが、金属、金属酸化物および合金から成
    る群から選択された材料から形成されることを特徴とする、請求項１記載の方法
    。
  11. 【請求項１１】 前記コーティングが、銅、銀、ニッケル、クロミウム、錫
    、金、インジウム、アルミニウム、およびこれらの合金から成る群から選択され
    ることを特徴とする、請求項１０記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記ステップＣが、 Ａ．前記界面の分裂部分と一致している前記コーティング部分を前記基板表面
    から取り除くまで、前記被覆基板を液状媒体中において超音波振動で処理するこ
    とと、 Ｂ．前記界面の分裂部分と一致している前記コーティング部分を前記被覆基板
    から選択的に持ち上げるのに十分だが、前記界面の非分裂部分と一致している前
    記コーティング部分を前記被覆基板から持ち上げるには不十分な接着剤に前記被
    覆基板の表面を接触させることと、 Ｃ．電磁放射線に暴露された前記基板の表面を良性液体または気体の高速流に
    接触させることと、 から選択される方法をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記界面に結合層が存在し、ステップＣで除去された前記
    コーティング部分と一致する前記結合層部分も除去されることを特徴とする、請
    求項１記載の方法。
  14. 【請求項１４】 光学列であって、 Ａ．焦点距離が少なくとも２０ｍｍの２個の半円筒状レンズを含むビーム成形
    器と、 Ｂ．前記ビーム成形器により行われる成形の方向に直交するビームを均質化す
    るように方向付けられたホモジナイザと、 Ｃ．円筒状レンズと、 の順序で配置された構成部品を含む光学列。
  15. 【請求項１５】 前記ホモジナイザが、１次元でレンズレットの配列に入射
    する光ビームを均質化するように配置された前記レンズレットの配列を含むこと
    を特徴とする、請求項１４記載の光学列。
  16. 【請求項１６】 パターンを形成された画像を支持するポリマー基板を含む
    画像形成物品であって、前記画像が、 Ａ．熱による変形と、 Ｂ．前記画像が作製された材料、またはかかる材料の分解生成物を含む破片と
    、 Ｃ．フォトレジストと、 Ｄ．前記画像のアンダーカットと、 が実質的にないことを特徴とする物品。
  17. 【請求項１７】 前記ポリマー基板がポリエステルを含むことを特徴とする
    、請求項１６記載の画像形成物品。
  18. 【請求項１８】 前記パターンを形成された画像がアンテナであることを特
    徴とする、請求項１６記載の画像形成物品。
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