JP2002524389A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 セラミックマグネット材料またはセラミック超伝導材料であるセラミック成形体のクラックを埋める方法であって、成形体の材料よりも低温で融解し、及び/又は後者の材料よりも低温で流動性である充填材料を成形体の表面に、少なくともクラックの領域に施し、及び/又は少なくとも一つのクラック中に導入し、施された及び/又は導入された充填材料を有する成形体を、成形体の材料がまだ融解せず、及び/又は流動性とならないが、充填材料が少なくとも部分的に溶融した及び流動性状態にある温度に加熱し、この充填材料が非金属または本質的に非金属化合物からなり、これを少なくとも部分的に結晶化し、そして、充填材料を有する成形体を冷却する、方法。
【請求項2】 成形体の材料がセラミック高温超伝導材料である請求項1に記載の方法。
【請求項3】 成形体及び/又は充填材料の材料が本質的にMg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、ランタニド、Zr、Hf、Pt、Pd、Ag、Cu、Hg、Ag、Tl、Pb、Bi、S及びOを含んでなる群から選ばれる化学元素からなる請求項2に記載の方法。
【請求項4】 成形体及び/又は充填材料の材料がBi−AE−Cu−O、(Bi,Pb)−AE−CuO、Y−AE−Cu−O、(Y,RE)−AE−Cu−O、RE−AE−Cu−O、Tl−AE−Cu−O、(Tl,Pb)−AE−Cu−O及びTl−(Y,AE)−Cu−O(式中、AEは少なくとも一つのアルカリ土類元素を表す)に基づく材料の群から選ばれる、請求項2または3に記載の方法。
【請求項5】 充填材料の一つの主要相の結晶格子の少なくとも2つの格子パラメーターが成形体材料の主要相の一つのそれに充分に類似している充填材料が使用される請求項1から4の一項に記載の方法。
【請求項6】 成形体が本質的に板、円形片、角材、固体の円筒、中空の円筒、環、管またはコイルの形である請求項1から5の一項に記載の方法。
【請求項7】 成形体が少なくとも80%、特に好ましくは少なくとも90%の相対密度を有する半焼結、焼結あるいは熔融したセラミック体である請求項1から6の一項に記載の方法。
【請求項8】 粉末が充填材料として施され及び/又は導入され、及び/又はプレス、か焼、焼結あるいは熔融した成形体及び/又はコーティングが施される請求項1から7の一項に記載の方法。
【請求項9】 クラック、粒界及び/又は汚染された、あるいは構造的に欠陥のある領域が、特に、のこぎりによる切断により除去され、除去された領域が引き続きクラックとして処理される請求項1から8の一項に記載の方法。
【請求項10】 熔融充填材料がかなり幅広のクラックあるいは除去した領域中に少なくとも部分的に浸透できる迄、充填材料を有する成形体がその温度に保たれる請求項1から9の一項に記載の方法。
【請求項11】 充填材料がクラック面、除去された領域の表面及び/又は成形体の表面の上で定方位成長するように、充填材料に対する熱結晶化条件が選ばれる請求項1から10の一項に記載の方法。
【請求項12】 成形体が冷却時及び/又は引き続く熱処理時に酸素が富化され、超伝導相が形成される請求項2から11の一項に記載の方法。
【請求項13】 超伝導性を改善するために、加熱充填材料を有する成形体が酸素含有ガス中で熱的に再処理される請求項2から12の一項に記載の方法。
【請求項14】 機械的表面仕上げが加熱充填材料により成形体上で行われる請求項1から13の一項に記載の方法。
【請求項15】 数個のみの磁気ドメインを有する成形体が使用される請求項1から14の一項に記載の方法。
【請求項16】 変形メルトテクスチュア成長法または頂部シード付けメルト成長法で製造された成形体が使用される請求項1から15の一項に記載の方法。
【請求項17】 開裂した磁気ドメインが埋められる請求項1から16の一項に記載の方法。
【請求項18】 成形体の材料及び/又は充填材料が近似組成Y1Ba2Cu3Ov、Y2Ba1Cu1Ow、Yb1Ba2Cu3Ov‘、Yb2Ba1Cu1Ow’、Sm1Ba2Cu3Ov”、Sm2Ba1Cu1Ow”、Nd1Ba2Cu3Ov”’、Nd4Ba2Cu2Ow’’’、Y2O3、CeO2、PtO2、Ag及びAgO2(式中、Y、Yb、Sm及び/又はNdは、他のランタニドまたはYにより部分的に置換されていてもよく、他の関連化学元素は、Ag及び/又はAgO2に起源を持ってもよい)を有する相の群から選ばれる相を含有する請求項1から17の一項に記載の方法。
【請求項19】 成形体の材料及び/又は充填材料が近似組成Bi2(Sr,Ca)2Cu1Ox、(Bi,Pb)2(Sr,Ca)2Cu1Ox’、Bi2(Sr,Ca)3Cu2Ox”、(Bi,Pb)2(Sr,Ca)3Cu2Ox’””、Bi2(Sr,Ca)4Cu3Ox””、(Bi,Pb)2(Sr,Ca)4Cu3Ox’””(式中、Bi、Pb、Sr及びCaは、また、個別の他の化学元素により部分的に置換されてもよい)を有する相の群から選ばれる相を含有する請求項1から17の一項に記載の方法。
【請求項20】 成形体及び/又は充填材料の材料が、近似組成(Tl,Pb)2(Ba,Ca)2Cu1Oy、(Tl,Pb)2(Ca,Ba)4Cu3Oy’、(Tl,Pb)2(Ca,Ba)3Cu4Oy”、(Tl,Pb)1(Ca,Ba)3Cu2Oy”’及び(Tl,Pb)1(Ca,Ba)4Cu3Oy’’’’(ここで、挙げられた化学元素の個別のものは、他の化学元素により部分的に置換されてもよい)を有する相の群から選ばれる相を含有する請求項1から17の一項に記載の方法。
【請求項21】 例えば、のこぎりによる切断により成形体から予め除去された少なくとも一つのクラック及び/又は少なくとも一つの汚染されたあるいは構造的に欠陥のある領域が、請求項1から20の一項に記載の方法により埋められた、1個のみまたは8個迄の粒(グレイン)を有する成形体。
【請求項22】 例えば、のこぎりによる切断により成形体から予め除去された少なくとも一つのクラック及び/又は汚染された、あるいは構造的に欠陥のある領域が、請求項1から20の一項に記載の方法により埋められた、1個のみまたは8個迄の磁気ドメインを有する磁性成形体。
【請求項23】 変圧器、回路ブレーカー、電源リード、磁気スクリーン、マグネットベアリング用及び/又はマグネットとしての請求項2から15の一項に記載のように製造された成形体の使用。
【請求項1】 セラミックマグネット材料またはセラミック超伝導材料であるセラミック成形体のクラックを埋める方法であって、成形体の材料よりも低温で融解し、及び/又は後者の材料よりも低温で流動性である充填材料を成形体の表面に、少なくともクラックの領域に施し、及び/又は少なくとも一つのクラック中に導入し、施された及び/又は導入された充填材料を有する成形体を、成形体の材料がまだ融解せず、及び/又は流動性とならないが、充填材料が少なくとも部分的に溶融した及び流動性状態にある温度に加熱し、この充填材料が非金属または本質的に非金属化合物からなり、これを少なくとも部分的に結晶化し、そして、充填材料を有する成形体を冷却する、方法。
【請求項2】 成形体の材料がセラミック高温超伝導材料である請求項1に記載の方法。
【請求項3】 成形体及び/又は充填材料の材料が本質的にMg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、ランタニド、Zr、Hf、Pt、Pd、Ag、Cu、Hg、Ag、Tl、Pb、Bi、S及びOを含んでなる群から選ばれる化学元素からなる請求項2に記載の方法。
【請求項4】 成形体及び/又は充填材料の材料がBi−AE−Cu−O、(Bi,Pb)−AE−CuO、Y−AE−Cu−O、(Y,RE)−AE−Cu−O、RE−AE−Cu−O、Tl−AE−Cu−O、(Tl,Pb)−AE−Cu−O及びTl−(Y,AE)−Cu−O(式中、AEは少なくとも一つのアルカリ土類元素を表す)に基づく材料の群から選ばれる、請求項2または3に記載の方法。
【請求項5】 充填材料の一つの主要相の結晶格子の少なくとも2つの格子パラメーターが成形体材料の主要相の一つのそれに充分に類似している充填材料が使用される請求項1から4の一項に記載の方法。
【請求項6】 成形体が本質的に板、円形片、角材、固体の円筒、中空の円筒、環、管またはコイルの形である請求項1から5の一項に記載の方法。
【請求項7】 成形体が少なくとも80%、特に好ましくは少なくとも90%の相対密度を有する半焼結、焼結あるいは熔融したセラミック体である請求項1から6の一項に記載の方法。
【請求項8】 粉末が充填材料として施され及び/又は導入され、及び/又はプレス、か焼、焼結あるいは熔融した成形体及び/又はコーティングが施される請求項1から7の一項に記載の方法。
【請求項9】 クラック、粒界及び/又は汚染された、あるいは構造的に欠陥のある領域が、特に、のこぎりによる切断により除去され、除去された領域が引き続きクラックとして処理される請求項1から8の一項に記載の方法。
【請求項10】 熔融充填材料がかなり幅広のクラックあるいは除去した領域中に少なくとも部分的に浸透できる迄、充填材料を有する成形体がその温度に保たれる請求項1から9の一項に記載の方法。
【請求項11】 充填材料がクラック面、除去された領域の表面及び/又は成形体の表面の上で定方位成長するように、充填材料に対する熱結晶化条件が選ばれる請求項1から10の一項に記載の方法。
【請求項12】 成形体が冷却時及び/又は引き続く熱処理時に酸素が富化され、超伝導相が形成される請求項2から11の一項に記載の方法。
【請求項13】 超伝導性を改善するために、加熱充填材料を有する成形体が酸素含有ガス中で熱的に再処理される請求項2から12の一項に記載の方法。
【請求項14】 機械的表面仕上げが加熱充填材料により成形体上で行われる請求項1から13の一項に記載の方法。
【請求項15】 数個のみの磁気ドメインを有する成形体が使用される請求項1から14の一項に記載の方法。
【請求項16】 変形メルトテクスチュア成長法または頂部シード付けメルト成長法で製造された成形体が使用される請求項1から15の一項に記載の方法。
【請求項17】 開裂した磁気ドメインが埋められる請求項1から16の一項に記載の方法。
【請求項18】 成形体の材料及び/又は充填材料が近似組成Y1Ba2Cu3Ov、Y2Ba1Cu1Ow、Yb1Ba2Cu3Ov‘、Yb2Ba1Cu1Ow’、Sm1Ba2Cu3Ov”、Sm2Ba1Cu1Ow”、Nd1Ba2Cu3Ov”’、Nd4Ba2Cu2Ow’’’、Y2O3、CeO2、PtO2、Ag及びAgO2(式中、Y、Yb、Sm及び/又はNdは、他のランタニドまたはYにより部分的に置換されていてもよく、他の関連化学元素は、Ag及び/又はAgO2に起源を持ってもよい)を有する相の群から選ばれる相を含有する請求項1から17の一項に記載の方法。
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【請求項20】 成形体及び/又は充填材料の材料が、近似組成(Tl,Pb)2(Ba,Ca)2Cu1Oy、(Tl,Pb)2(Ca,Ba)4Cu3Oy’、(Tl,Pb)2(Ca,Ba)3Cu4Oy”、(Tl,Pb)1(Ca,Ba)3Cu2Oy”’及び(Tl,Pb)1(Ca,Ba)4Cu3Oy’’’’(ここで、挙げられた化学元素の個別のものは、他の化学元素により部分的に置換されてもよい)を有する相の群から選ばれる相を含有する請求項1から17の一項に記載の方法。
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