JP2002524225A - 大気圧下におけるプラズマを用いた表面処理方法及び装置 - Google Patents

大気圧下におけるプラズマを用いた表面処理方法及び装置

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JP2002524225A JP2000568100A JP2000568100A JP2002524225A JP 2002524225 A JP2002524225 A JP 2002524225A JP 2000568100 A JP2000568100 A JP 2000568100A JP 2000568100 A JP2000568100 A JP 2000568100A JP 2002524225 A JP2002524225 A JP 2002524225A
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グーダ、ガマル
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レール・リキード−ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
ソフタル エレクトロニック エリク ブルーメンフェルト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、大気圧下でのプラズマを用いた表面処理方法に係る。本発明の方法は、下記ステップを備える。処理ガスを反応室（１６）の中へ導入する。反応室（１６）内には、二つの励起電極（２２，２４）が設けられており、処理対象の表面（１４）は二つの励起電極（２２，２４）の間に置かれている。二つの励起電極に電圧を供給し、処理ガスの中で放電（１２）を発生させる。上記の供給電圧は、交流電圧であって、その振幅及び周波数は、連続する二つの半周期の間において、処理ガス成分の内の少なくとも一部を励起状態で、および／または電子が存在する状態で、維持する様に設定される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、大気圧下において、ガス中に、特に、窒素または窒素をベースとす
るガス中に、均一な（フィラメント状ではない）を放電を発生させるための方法
及び装置に係る。また。本発明は、この方法及び装置を、大気圧下でのプラズマ
を用いた表面処理に適用すること、または、流出物の分解に適用することに係る
。
【０００２】 本発明の適用対象の一つは、特に、ポリマー・フィルムの表面の性質を変化さ
せるための処理に関係し、例えば、その後に行われるコーティングの付着性を改
善するために、ぬれ性（ wettability ）または化学的ボンドを変える目的での
処理に関係している。
【０００３】 プラズマを用いた表面処理方法において、従来から、処理対象の表面をプラズ
マと接触させている。このプラズマは、処理ガスをイオン化することによって生
成され、その結果、励起された化学種及び電子が生成される。これらの励起され
た化学種及び電子は、第三の化学種（特に、中性の化学種）と衝突する。
【０００４】 これらの衝突は、エネルギーを当該中性の化学種に与え、その結果、化学的に
活性な新たな化学種を発生させる。これらの新たな化学種は、特に、準安定種（
metastable species ）、原子種、ラジカル、イオン及び電子である。長い寿命
を備えた化学的に活性な化学種は、更に、第三の化学種と衝突する。その結果、
更に他の化学種及び電子が生成される。
【０００５】 活性な化学種は、処理ガスと接触している処置対象物の表面と相互作用する。
その結果、当該処置対象物の表面を変化させることができる。それによって、一
方では、その後で堆積されるコーティングの分子と相互作用することができる新
しい分子構造を形成するとともに、他方では、その材料の組織を変える。そして
、特に、ポリマーの場合には、チェインまたはチェイン・セグメントのモビリテ
ィを変える。
【０００６】 大気圧下での放電は、下記の点で有利であることが知られている。即ち、一つ
には、その中で放電が行われる反応室内に高い真空度を形成するための大型で高
価な装置を使用する必要がないこと、もう一つは、連続的な処理が可能になるこ
とによって生産性向上の要求と整合するので、有利である。
【０００７】 大気圧下で行われる放電（例えば、コロナ放電）は、一般に、フィラメント状
（ filamentary ）であると言われている。その理由は、放電が、一種の電流の
マイクロチャネル（ microchannels ）の形で生ずるからである。このマイクロ
チャネルの径は、典型的には、数１００μｍである。このマイクロチャネルは、
二つの電極の間で、空間的及び時間的にランダムに発生する。
【０００８】 しかしながら、フィラメント状放電の技術は、微視的レベルでは多くの欠点を
有しており、十分には効果的でないことが判明している。特に、この様な形で生
ずる放電は、微視的レベルでは、均一ではない。その理由は、第一には、二本の
フィラメントの間で表面に処理がなされていない領域が生じること、そして更に
、個々のフィラメントによっても、ポリマー・チェインの切断箇所の数が過剰に
なり、あるいは、局所的な加熱が生じ、処理後の表面の質の低下を招き易いこと
である。
【０００９】 処理対象の面で均一な放電を生じさせることによって、この様な欠点を克服す
るための様々な試みが成されている。ここで、均一な放電とは、当然に大気圧条
件を維持しながら、処理対象の面の全体に渡って、励起した化学種が均一に分布
する様な放電状態を意味している。（なお、圧力を下げることによって放電を均
一にする試みは、既に行われている。） 中性のガス（特に、ヘリウム）中において、大気圧下で均一な放電を生じさせ
る方法は、既に、知られている（例えば、US-A-5,456,972 及び EP-A-346,055
）。しかしながら、窒素ガスをベースとするガスの中で発生するプラズマを用い
た表面処理の場合には、格子状の少なくとも一つの電極が、未だ、使用されてい
る。
【００１０】 しかし、本願出願人の会社によって成された研究によれば、その様な電極では
、微視的レベルにおいては、形成される放電の均一性を改善することができない
ことが判明している。
【００１１】 更に、ＯＫＡＳＡＫＩらのチームによって成された研究について（例えば、EP
-A-619,694 ）、次の様な指摘がなされる。その中で、著者らが提案している方
法は、均一な放電を発生させる方法ではなく、均一な放電を維持するための方法
である。これを行うため、上記文献では、フィードバック運転を行うべく電流の
ピークの数を検出することを提案している（従って、実際、その数は１以上とな
る）。フィードバック運転は、必要な場合、電流、電圧または電極間の間隔につ
いて行われる。この様にして、それぞれのガスに対する経験的に求められたカー
ブに従って、好ましい運転条件を回復する 本発明の目的は、以上で述べた欠点を克服することにあり、また、ガス中で均
一な放電を発生させるための方法を提供することにある。本発明の目的は、特に
、窒素またはアルゴン、またはこれらのガスの一つを含有する混合ガス、または
これらのガスの混合ガスの中で、大気圧下でのプラズマを用いた表面処理の条件
を改善することにある 本発明の放電発生方法は、 二つの励起電極に電圧を供給することによって、これらの励起電極の間にある
大気圧下の初期ガスの中で、放電を発生させる方法において、 前記供給電圧は、交流電圧であって、その振幅及び周波数は、供給電圧の連続
する二つの半周期の間で、前記初期ガスの成分の内の少なくとも一部を励起状態
で、および／または電子が存在する状態で、維持する様に設定されることを特徴
とする。
【００１２】 この明細書の中で後に更に詳細に説明する様に、本発明の方法によれば、低い
電界の値でそれぞれの放電を開始させ、十分な量の準安定種及び電子を発生させ
、それらを二つの放電の間で（即ち、二つの半周期の間で）維持することを可能
にし、それによって、フィラメント状放電に特有の強い電界及び絶縁破壊電圧の
条件を避ける。なお、準安定種は、例えば、第三の種との接触により、緩和され
（ relax ）、電子、及び第三の種自身または準安定種のイオンを発生させる。
電子はアバランシェ状態になり、それによってイオンを発生させ、イオンはカソ
ードに向けて加速され、それによってカソードから二次電子を発生させる。
【００１３】 本発明に基づく放電発生方法は、更に、下記の特徴の内の一つまたはそれ以上
を、単独でまたは実現可能な組み合わせで、備える。
【００１４】 前記供給電圧は、約５ｋＶ以上３０ｋＶ以下であり、好ましくは、１０ｋＶ以
上２５ｋＶ以下であり、その周波数は、約２００Ｈｚ以上３５ｋＨｚ以下であり
、好ましくは、１５ｋＨｚ以下である。
【００１５】 前記初期ガスは、０ｍ／ｓ以上１０ｍ／ｓ以下の速度で、好ましくは、５ｍ／
ｓ以下の速度で、前記励起電極の間に導入される。
【００１６】 前記初期ガスは、前記励起電極の間の全経路において、少なくとも５回、好ま
しくは５回以上３００回以下、放電を行う様な速度で、前記励起電極の間に導入
される。
【００１７】 前記初期ガスは、前記励起電極の間の全経路において、５回以上１００回以下
、放電を行う様な速度で、前記励起電極の間に導入される。
【００１８】 前記初期ガスは、ほぼ層流の状態で前記励起電極の間に導入される。
【００１９】 前記初期ガスは、窒素、アルゴン、シリコン前駆体ガス、酸素及び酸素を放出
可能なガス（例えば、Ｎ２Ｏ、ＣＯ２、ＮＯ２、Ｈ２Ｏ、など）からなるグルー
プの中から選択された一またはそれ以上のガスを含有する。
【００２０】 前記励起電極の間のガスのスペースの厚さは、約０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下で
ある。
【００２１】 前記励起電極の内の少なくとも一方は、絶縁体または半導体からなる被覆層（
例えば、アルミナ、ガラス、ポリマーなど）で覆われ、その被覆層の厚さは、好
ましくは数１０μｍ以上１ｃｍ以下、より好ましくは５００μｍ以上２ｍｍ以下
である。
【００２２】 前記励起電極の内の少なくとも一方を覆う前記絶縁体または半導体は、均一な
放電を発生させるために必要とされるところの、活性成分（励起されたまたは不
安定な成分）を逆励起（緩和）（ de-excite （ relax ））させ易い種をガス中
に発生させることが可能であり、この逆励起させ易い種の比率は、下記手段の内
の一つまたはそれ以上を実施することによって制限される： ｉ） 前記逆励起させ易い種の有害な効果を打ち消すため、前記初期ガスは、
前記逆励起させ易い種と相互作用することができる少なくとも一つの成分を含有
する； ｊ） 前記逆励起させ易い種の発生速度をコントロールするために、放電のパ
ワーがコントロールされる； ｋ） 前記励起電極の間のスペースに前記初期ガスを補給する速度がコントロ
ールされる。
【００２３】 また、本発明は、以上において規定した方法を実施するための装置に係る。
【００２４】 本発明の放電発生装置は、 二つの励起電極と、 前記励起電極の間に初期ガスを供給するガス供給源と、 前記励起電極に接続された電圧供給源とを備え、 大気圧下でガスの中で放電を発生させる放電発生装置において、 前記電圧供給源は、前記初期ガスの中で放電を発生させる様に設定された交流
電圧を、前記電極に対して供給することが可能であり、 その交流電圧の振幅及び周波数は、供給電圧の連続する二つの半周期の間で、
前記初期ガスの成分の内の少なくとも一部を励起状態で、および／または電子が
存在する状態で、維持する様に設定されることを特徴とする。
【００２５】 また、本発明は、大気圧下でのプラズマを用いた表面処理方法に係る。
【００２６】 本発明の表面処理方法は、 反応室内に配置された二つの励起電極の間に処理対象の表面を置き、この反応
室の中に処理ガスを導入し、前記二つの励起電極に電圧を供給し、これによって
処理ガスの中で放電を発生させるステップを備えた、大気圧下のプラズマを用い
た表面処理方法において、 前記供給電圧は交流電圧であって、その振幅及び周波数は、供給電圧の連続す
る二つの半周期の間で、前記処理ガスの成分の内の少なくとも一部を、励起状態
で、および／または電子が存在する状態で、維持する様に設定されることを特徴
とする。
【００２７】 本発明に基づく表面処理方法は、更に、下記の特徴の内の一つまたはそれ以上
を、単独でまたは実現可能な組み合わせで、備える。
【００２８】 前記処理対象の表面は、均一な放電を発生させるために必要とされるところの
、活性成分（励起されたまたは不安定な成分）を逆励起（緩和）させ易い種を前
記処理ガス中に発生することができるものであり、この逆励起させ易い種の比率
は、下記手段の内の一つまたはそれ以上を実施することによって制限される： ｉ） 前記初期ガスは、前記逆励起させ易い種の有害な効果を打ち消すため、
前記逆励起させ易い種と相互作用することができる少なくとも一つの成分を含有
する； ｊ） 前記逆励起させ易い種の発生速度をコントロールするために、放電のパ
ワーがコントロールされる； ｋ） 前記励起電極の間のスペースに前記処理ガスを補給する速度がコントロ
ールされる。
【００２９】 前記供給電圧は、約５ｋＶ以上３０ｋＶ以下であり、好ましくは、１０ｋＶ以
上２５ｋＶ以下であり、その周波数は、約２００Ｈｚ以上３５ｋＨｚ以下であり
、好ましくは、１５ｋＨｚ以下である。
【００３０】 前記処理ガスは、０ｍ／ｓ以上１０ｍ／ｓ以下の速度で、好ましくは、５ｍ／
ｓ以下の速度で、前記励起電極の間に導入される。
【００３１】 前記処理ガスは、前記励起電極の間の全経路において、少なくとも５回、好ま
しくは５回以上３００回以下、放電を行う様な速度で、前記励起電極の間に導入
される。
【００３２】 前記処理ガスは、前記励起電極の間の全経路において、５回以上１００回以下
、放電を行う様な速度で、前記励起電極の間に導入される。
【００３３】 前記処理ガスは、ほぼ層流の状態で前記励起電極の間に導入される。
【００３４】 前記処理ガスは、窒素、アルゴン、シリコン前駆体ガス、酸素及び酸素を放出
可能なガス（例えば、Ｎ２Ｏ、ＣＯ２、ＮＯ２、Ｈ２Ｏ、など）からなるグルー
プの中から選択された一またはそれ以上のガスを含有する。
【００３５】 前記励起電極の間のガスのスペースの厚さは、約０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下で
ある。
【００３６】 前記励起電極の内の少なくとも一方は、絶縁体または半導体からなる被覆層で
覆われ、その厚さは、好ましくは数１０μｍ以上１ｃｍ以下、より好ましくは５
００μｍ以上２ｍｍ以下である。
【００３７】 前記励起電極の内の少なくとも一方を覆う前記絶縁体または半導体は、均一な
放電を発生させるために必要とされるところの、活性成分（励起されたまたは不
安定な成分）を逆励起（緩和）させ易い種をガス中に発生させることが可能であ
り、 この逆励起させ易い種の比率は、放電が形成される領域内で、下記手段の内の
一つまたはそれ以上を実施することによって制限される： ｉ） 前記逆励起させ易い種の有害な効果を打ち消すため、前記処理ガスは、
前記逆励起させ易い種と相互作用することができる少なくとも一つの成分を含有
する； ｊ） 前記逆励起させ易い種の発生速度をコントロールするために、放電のパ
ワーがコントロールされる； ｋ） 前記励起電極の間のスペースに前記初期ガスを補給する速度がコントロ
ールされる。
【００３８】 また、本発明は、以上において規定された表面処理方法を実施するための装置
に係る。
【００３９】 本発明の放電発生装置は、 その間に処理対象物が置かれる二つの励起電極を収容する反応室と、 前記反応室内に大気圧で処理ガスを供給するガス供給源と、 前記励起電極に接続され、それらに電圧を供給する電圧供給源とを備え、 大気圧下でプラズマ処理を行うプラズマ表面処理装置において、 前記電圧供給源は、前記処理ガスの中で放電を発生させる様に設定された交流
電圧を、前記励起電極に対して供給することが可能であり、 その交流電圧の振幅及び周波数は、供給電圧の連続する二つの半周期の間で、
前記処理ガスの成分の内の少なくとも一部を励起状態で、および／または電子が
存在する状態で、維持することができる様に設定されることを特徴とする。
【００４０】 以上の記載から分かる様に、本発明の狙いは、均一な放電状態を発生させ、コ
ントロールし、使用することにある。本発明の狙いは、特に、窒素またはアルゴ
ンをベースとするガス中で、且つ、大気圧下で、均一な放電状態を発生させるこ
とにある。なお、本発明の方法及び装置は、その圧力が、数十ミリバール、ある
いは、数百リバール、大気圧から減少側または増加側に変化しても、有効であり
、それらも、本発明の範囲から外れることがないことは、当然に理解できるであ
ろう。
【００４１】 本発明のその他の特徴及び効果は、以下の説明により明らかになる。なお、以
下の記載は、あくまでも例として挙げたものに過ぎない。
【００４２】 図１に、大気圧下でプラズマを用いて表面処理を行うための装置の概略図を示
す。符号１０は、プラズマ処理装置の全体を表す。
【００４３】 ここでは、処理対象物１４の表面の性質を変えることを目的として、処理ガス
を励起することによって、均一な放電１２を発生させようとしている。
【００４４】 以下の説明において、処理対象物１４は、ポリマーフィルム（例えば、ポリプ
ロピレン）であるとする。但し、他の材料からなる物であっても、同様に、本発
明の方法を適用することが可能である。
【００４５】 図１に示されている様に、反応室１６には、第一のオリフィス（注入用オリフ
ィス）１８が設けられ、この注入用オリフィス１８は、処理ガスの供給源（図示
せず）に接続されている。更に、反応室１６には、ガス排出用オリフィス２０が
設けられている。
【００４６】 処理ガスは、例えば、窒素からなる。
【００４７】 注入オリフィス１８及び排出オリフィス２０には、それぞれ、反応室１６内の
ガスの速度をコントロールするための適切な手段（従来タイプ）が備えられてい
る。
【００４８】 反応室１６内には、二つの励起電極２２、２４が、互いに平行に配置されてい
る。処理対象物１４は、二つの励起電極２２、２４の間に置かれる。
【００４９】 これらの励起電極は、例えば、金属板から構成され、それぞれ、交流電圧の電
源２６に接続されている。電源２６による供給電圧及び励起周波数は、所定の範
囲内で調整することができる。
【００５０】 また、これらの励起電極は、それぞれ、調整バー２８及び３０によって支持さ
れている。これらの調整バー２８及び３０は、反応室１６の外側から操作可能で
あり、それによって、励起電極の間のガス・スペースを調整することができる。
その範囲は、例えば、約０．５ｍｍから５ｍｍの間である。
【００５１】 また、各励起電極２２及び２４は、問題となる使用条件に対して適切な、絶縁
体または半導体からなる被覆層３２、３４で覆われている。それは、例えば、ア
ルミナである。
【００５２】 図１に示されている様に、この例の場合、処理対象物１４は、一方の励起電極
の上に置かれる。（即ち、一方の励起電極を覆っている被覆層の上に置かれる。
） 以上の様に、放電１２は、電源２６を用いて励起電極２２、２４を励起させる
ことによって得られる。これを行うために、また、均一な放電１２を発生させる
ために、供給電圧は、ピーク・トゥー・ピークで表示して、５ｋＶから３０ｋＶ
の間であり、励起電極２２、２４の間に供給される励起電圧の周波数は、２００
Ｈｚから３５ｋＨｚの間である。なお、この値は、電極間のガス・スペースの厚
さ、処理ガスの速度、及び処理ガスの組成の関数である。
【００５３】 窒素ガスの場合、例えば、電極間の距離が約１ｍｍのとき、供給電圧のピーク
・トゥー・ピークの好適値は約１１ｋＶ、例えば、電極間の距離が約３ｍｍのと
き、供給電圧のピーク・トゥー・ピーク値の好適値は２４ｋＶである、 同様に、図２に示されている様に、この例では、電圧Ｖ及び励起周波数Ｆの最
大値は、それぞれ、処理ガスの速度の関数として規定される。この図は、電極間
のガス・スペースの厚さを約１ｍｍとした場合のものである。この図において、
曲線の上側の領域が、フィラメント状の放電での運転条件に対応しており、曲線
の下側の領域が、均一な放電での運転条件に対応している。曲線Ａは、最大周波
数Ｆの変化を、ガスの速度の関数として表したものである。曲線Ｂは、最大供給
電圧Ｖの変化を、ガスの速度の関数として表したものである。
【００５４】 この様に、図２から分かる様に、電極間の距離が約１ｍｍで、処理ガスの速度
が零の場合（即ち、雰囲気ガスが補給されない場合）、励起周波数Ｆの最大値は
、約３ｋＨｚである。この場合（電極間の距離が約１ｍｍ）、供給電圧は、約１
１ｋＶである。
【００５５】 同様に、処理ガスの速度が２ｍ／ｓ以上の場合、励起周波数Ｆの最大値は、約
１１ｋＨｚであり、供給電圧は、ピーク・トゥー・ピーク値で、約１２．５ｋＶ
である。
【００５６】 図３及び図４に、放電電流Ｉ（曲線Ｃ及びＣ’）及び供給電圧Ｖ（曲線Ｄ及び
Ｄ’）の変化を、時間の関数として示す。なお、図３は、処理ガスの速度が零の
場合（即ち、雰囲気ガスが補給されない場合）のものであり、図４は、処理ガス
の速度が１．５ｍ／ｓの場合のものである。
【００５７】 図３及び図４に示されている様に、供給電圧の周波数の最大値は、好ましくは
、供給電圧の連続する二つの半周期の間で、ガスの成分の内の少なくとも一部を
励起状態で、および／または電子が存在する状態で、維持する様に設定される。
【００５８】 これらの図は、事実、電流を時間の関数として表した曲線が、供給電圧の各半
周期に対して単一のピークを持つことを示している。このことは、電子及びイオ
ンが、一方の電極から他方の電極へ移動する単一の現象が生じている事実を示し
ている。ピークの後で、電流の値は非常に小さくなるが零にはならない。このこ
とは、ガスの成分の内の一部が励起状態で維持されていることを示している。次
の半周期の効果による新しい励起は、ガス中に含有されている励起種の全てが、
完全に逆励起される（ de-exited ）よりも前に起こる。
【００５９】 放電中の十分な数の励起種は、従って、電子とともに、供給電圧の連続する二
つの半周期の間で、維持される。これによって、低い電界で、ガス中で粒子をイ
オン化させることが可能になり、カソードからの電子の放出によって自己保持さ
れる放電を発生させることが可能になる。
【００６０】 これらの図は、この記載中で先に説明した現象を分かり易く表した例を示して
いる。（なお、理解できる様に、これらの説明は、例として挙げたものであり、
関係する現象の複雑さ及びそれらを立証するために必要な時間の観点において、
それらに帰属する性質を限定するものではない。）これらの説明によれば、十分
な量の準安定種及び電子が生成され、そして、二つの放電の間で（即ち、電圧の
二つの半周期の間で）維持される。その理由は、各放電が小さな電界の値で、即
ち、静止状態のガスの絶縁破壊電界よりも低い電界で、始まるからである。
【００６１】 例えば、準安定種は、第三の種と接触することによって緩和され、電子、及び
この第三の種または当該準安定種のイオンを発生させる。そして、電子は、アバ
ランシェ状態を引き起こし、それによってイオンを発生させ、そのイオンはカソ
ードに向けて加速され、それにより、カソードから二次電子を放出させる。
【００６２】 次に、先に上記において言及した様に、処理対象の表面の問題に戻ることにす
る。この表面は、ガスの活性成分（励起されたまたは不安定な成分）を逆励起（
緩和）させ易い種を発生させることができるものである。その様な種は、ガス中
での均一な放電を実現するために必要なものである。以下では、放電の効果によ
って水素を発生させ易い特定のポリマー（例えば、ポロプロピレン）の表面処理
を行うケースを例にして説明する。この様にして生成された水素は、更に、ガス
中の励起種、特に、窒素の準安定種、を逆励起し易い。本発明によれば、好まし
くは、処理ガスの組成は、（水素粒子の有害な効果を打ち消すために）水素粒子
と相互作用することができる成分を含有するものである。その結果、好ましい放
電状態が維持される。
【００６３】 この様にして、窒素を含有する処理ガスを使用する場合には、また、放電の中
で準安定種が生成され続けることが望ましい場合には、処理ガスは、好ましくは
、酸化性成分を更に含有するものである。その様な酸化性成分は、例えば、酸素
、または、酸素を放出することがでできる他の成分（例えば、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ、
ＣＯ２、ＮＯ２、など）である。なお、これらは、説明のために挙げた例に過ぎ
ず、本発明を限定するものではない。
【００６４】 しかしながら、注意すべきことは、酸素原子は、それ自体で、窒素の準安定種
を緩和させ易く（水素と比べてより少ない程度ではあるが）、処理ガス中の酸化
性ガスは、合理的で中間的な組成に調整しコントロールする必要があることであ
る。
【００６５】 上記の説明は、処理対象物の表面（ガスの活性成分を緩和し易い種を発生させ
ることがきる表面）で生ずる現象を説明することに基づいている。しかし、電極
の少なくとも一方を覆う絶縁体または半導体材料（ガスの活性成分を緩和し易い
種を発生させることがきるもの）についても、同様な方法で、説明することがで
きる。
【００６６】 図３及び図４を用いて、本発明に基づいて得られた顕著な結果を示した。即ち
、単一のピークで特徴付けられる均一な放電は、電子及びイオンが一方の電極か
ら他方の電極へ移動する単一の現象が生じている事実を示している。これに対し
て、図５（比較例）は、フィラメント状の放電条件下で得られた結果である。図
５は、明白に、放電のマイクロチャネルに対応する電流プロファイルを示してい
る。この様な放電のマイクロチャネルは、直径が数百μｍであり、電極の間に、
空間的及び時間的にランダムに発生する。
【００６７】 従って、以上の説明から、以上に説明した装置及び方法によって、均一な放電
を得ることが可能になることが分かる。
【００６８】 更に、出願人の会社は、この方法を用いてポリプロピレン・フィルムを処理す
ることにより、ぬれ性が向上することも示した。
【００６９】 この点に関して、図６は、処理後の表面に対する水滴の接触角度αの変化を、
放電により消費される平均電力Ｐの関数として表したものである。この接触角度
αは、表面張力に関係している。ここで、接触角度αが小さくなるにつれて、表
面上での水滴の広がりが拡大し、そして、表面張力が高くなる（従って、一般的
に、接触角度αが小さい方が望ましい）。
【００７０】 従って、この図６は、次のことを明確に示している。即ち、本発明の方法に基
づいて、窒素中で均一な放電を用いて処理されたフィルムは、フィラメント状の
放電を用いて処理されたフィルムと比べて、より小さな接触角度を持っている。
【００７１】 上記の説明において、処理ガスが窒素からなる場合の例について説明したが、
必要に応じて、酸化性の成分を混合することもできる。
【００７２】 本発明に基づく他の好適な例によれば、窒素（または他のキャリアガス）及び
シリコン前駆体ガス（例えば、モノシラン（ＳｉＨ４））を含有する処理ガスを
使用することができる。これによって、処理対象物の表面に、将来のコーティン
グ層の堆積のために適切な化学的ボンドが形成される。それらは、特に、Ｓｉｘ ＯｙまたはＳｉｘＯｙＨｔなどの様なグループである。
【００７３】 シリコン前駆体ガスを含むその様な処理ガスは、もちろん、好ましくは酸化性
成分を含有していても良い。その目的は、先にも述べた様に、ガス中の励起種の
逆励起を減少させるためのみではなく、酸素を含有するＳｉｘＯｙまたはＳｉｘ ＯｙＨｔなどの化合物を形成する際に必要な酸素を供給するためでもある。
【００７４】 従って、本発明に基づく表面処理方法は、処理対象の表面へのシリコンベース
材料の堆積（その堆積は、更に、連続的でも非連続的でも良い）の目的にも適用
することができる。その場合、処理ガスは、窒素またはアルゴンの様なキャリア
ガス、シリコン前駆体ガス、及び酸素または酸素を放出可能なガスを含有する。
【００７５】 当然の結果ではあるが、出願人の会社によって行われた研究において、本発明
の方法に基づいてポリマー（ポリプロピレン）の表面に形成された堆積層と、フ
ィラメント状の放電の下で形成された堆積層とを比較したところ、その組織が（
従って、その性質が）、大幅に異なっていることが判明した。
【００７６】 この様に、例示の目的で、本発明の方法に基づく条件の放電を用いて、９０ｐ
ｐｍのシランを含有する窒素とモノシランの混合ガスの中で、９０秒の処理を行
い、堆積層の表面粗さを測定した。その結果、測定された表面粗さは、フィラメ
ント状の放電を用いて同じ処理時間で形成された堆積層と比較して、約１０倍小
さかった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に基づく表面処理装置の概略断面図。
【図２】 均一な放電を実現するために供給される最大周波数及び電圧の変化を、処理ガ
スの速度の関数として表した図。
【図３】 （本発明に基づく例）処理ガスの速度が零の場合（雰囲気ガスの補充が無い場
合）において、励起電極の電流及び供給電圧の変化を時間の関数として表した図
。
【図４】 （本発明に基づく例）処理ガスの速度が１．５ｍ／ｓの場合（更に、ガス・ス
ペースが１ｍｍで、励起周波数が８ｋＨｚで、振幅が１２ｋＶの場合）において
、励起電極の電流及び供給電圧の変化を時間の関数として表した図。
【図５】 （比較例）フィラメント状の放電の場合において、励起電極の電流及び供給電
圧の変化を時間の関数として表した図（比較例；処理ガスの速度が０ｍ／ｓで、
ガス・スペースの厚さが３ｍｍで、励起周波数が４ｋＨｚで、振幅が２０．５ｋ
Ｖの場合）。
【図６】 本発明に基づく方法を用いて処理した場合と、フィラメント状の放電を用いて
処理した場合とについて、窒素雰囲気中で処理された表面と接触している水滴に
よって形成される角度の変化を、放電により消費される平均電力の関数として表
した図。
【符号の説明】
１０・・・表面処理装置、 １２・・・放電、 １４・・・処理対象物、 １６・・・反応室、 １８・・・注入用オリフィス、 ２０・・・ガス排出用オリフィス、 ２２、２４・・・励起電極、 ２６・・・交流電源、 ２８、３０・・・調整バー、 ３２、３４・・・被覆層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，Ｇ Ｈ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ， ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，Ｍ Ｗ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ， ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (71)出願人 ソフタル エレクトロニック エリク ブ ルーメンフェルト ゲゼルシャフト ミッ ト ベシュレンクテル ハフツング ウン ト コンパニー ドイツ連邦共和国 ハンブルク ケーニッ ヒ−ゲロークー シュティーク １ (72)発明者 ゲラルディ、ニコラ フランス国、エフ−31062 トゥルーズ・ セデックス、ルト・ドゥ・ナルボンヌ 118、ユニベルシテ・ポール・サバティエ、 ラボラトワール・ドゥ・ジェニー・エレク トリーク・ドゥ・トゥルーズ (72)発明者 グーダ、ガマル フランス国、エフ−31062 トゥルーズ・ セデックス、ルト・ドゥ・ナルボンヌ 118、ユニベルシテ・ポール・サバティエ、 ラボラトワール・ドゥ・ジェニー・エレク トリーク・ドゥ・トゥルーズ (72)発明者 マシーヌ、フランソワーズ フランス国、エフ−31062 トゥルーズ・ セデックス、ルト・ドゥ・ナルボンヌ 118、ユニベルシテ・ポール・サバティエ、 ラボラトワール・ドゥ・ジェニー・エレク トリーク・ドゥ・トゥルーズ (72)発明者 ビレルメ、アラン フランス国、エフ−78220 ビロフライ、 リュ・ベルシンゲール ５ (72)発明者 ガット、エリック フランス国、エフ−13250 コルニロン− コンフォー、カルティエ・デ・ロントー （番地なし) Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 BC01 CA15 CA47 CA62 CA63 DA02 DA05 DA18 EB42 EC21 FB02 FB12 FC13 FC15

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 二つの励起電極に電圧を供給することによって、これらの励
    起電極の間にある大気圧下の初期ガスの中で、放電を発生させる方法において、 前記供給電圧は、交流電圧であって、その振幅及び周波数は、供給電圧の連続
    する二つの半周期の間で、前記初期ガスの成分の内の少なくとも一部を励起状態
    で、および／または電子が存在する状態で、維持する様に設定されることを特徴
    とする放電発生方法。
  2. 【請求項２】 前記供給電圧は、約５ｋＶ以上３０ｋＶ以下であり、その周
    波数は、約２００Ｈｚ以上３５ｋＨｚ以下であることを特徴とする請求項１に記
    載の放電発生方法。
  3. 【請求項３】 前記周波数は、１５ｋＨｚ以下であることを特徴とする請求
    項２に記載の放電発生方法。
  4. 【請求項４】 前記初期ガスは、０ｍ／ｓ以上１０ｍ／ｓ以下の速度で、前
    記励起電極の間に導入されることを特徴とする請求項１から３までのいずれかに
    記載の放電発生方法。
  5. 【請求項５】 前記初期ガスは、前記励起電極の間の全経路において、少な
    くとも５回、好ましくは５回以上３００回以下、放電を行う様な速度で、前記励
    起電極の間に導入されることを特徴とする請求項１から４までのいずれかに記載
    の放電発生方法。
  6. 【請求項６】 前記初期ガスは、前記励起電極の間の全経路において、５回
    以上１００回以下、放電を行う様な速度で、前記励起電極の間に導入されること
    を特徴とする請求項５に記載の放電発生方法。
  7. 【請求項７】 前記初期ガスは、ほぼ層流の状態で前記励起電極の間に導入
    されることを特徴とする請求項１から６までのいずれかに記載の放電発生方法。
  8. 【請求項８】 前記初期ガスは、窒素、アルゴン、シリコン前駆体ガス、酸
    素及び酸素を放出可能なガスからなるグループの中から選択された一またはそれ
    以上のガスを含有することを特徴とする請求項１から７までのいずれかに記載の
    放電発生方法。
  9. 【請求項９】 前記励起電極の間のガスのスペースの厚さは、約０．５ｍｍ
    以上５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１から８までのいずれかに記載の
    放電発生方法。
  10. 【請求項１０】 前記励起電極の内の少なくとも一方は、絶縁体または半導
    体からなる被覆層で覆われ、その被覆層の厚さは、好ましくは数１０μｍ以上１
    ｃｍ以下、より好ましくは５００μｍ以上２ｍｍ以下であることを特徴とする請
    求項１から９までのいずれかに記載の放電発生方法。
  11. 【請求項１１】 前記励起電極の内の少なくとも一方を覆う前記絶縁体また
    は半導体は、均一な放電を発生させるために必要とされるところの、励起された
    または不安定な種を逆励起させ易い種をガス中に発生させることが可能であり、
    この逆励起させ易い種の比率は、放電が形成されるゾーン内で、下記手段の内の
    一つまたはそれ以上を実施することによって制限されることを特徴とする請求項
    １０に記載の放電発生方法： ｉ） 前記逆励起させ易い種の有害な効果を打ち消すため、前記初期ガスは、
    前記逆励起させ易い種と相互作用することができる少なくとも一つの成分を含有
    する； ｊ） 前記逆励起させ易い種の発生速度をコントロールするために、放電のパ
    ワーがコントロールされる； ｋ） 前記励起電極の間のスペースに前記初期ガスを補給する速度がコントロ
    ールされる。
  12. 【請求項１２】 その内の少なくとも一方が、絶縁体または半導体からなる
    被覆層で覆われた二つの励起電極と、 前記励起電極の間に初期ガスを供給するガス供給源と、 前記励起電極に接続された電圧供給源とを備え、 大気圧下でガス中で放電を発生させるための放電発生装置において、 前記電圧供給源は、交流電圧を供給することが可能であり、 その交流電圧の振幅及び周波数は、前記初期ガスの中で放電を発生させるため
    に、且つ、供給電圧の連続する二つの半周期の間で、前記初期ガスの成分の内の
    少なくとも一部を励起状態で、および／または電子が存在する状態で、維持する
    様に設定されることを特徴とする放電発生装置。
  13. 【請求項１３】 前記絶縁体または半導体からなる被覆層の厚さは、数１０
    μｍ以上１ｃｍ以下、好ましくは５００μｍ以上２ｍｍ以下であることを特徴と
    する請求項１２に記載の放電発生装置。
  14. 【請求項１４】 反応室内に配置された二つの励起電極（２２，２４）の間
    に処理対象の表面（１４）を置き、この反応室の中に処理ガスを導入し、前記二
    つの励起電極に電圧を供給し、これによって処理ガスの中で放電（１２）を発生
    させるステップを備えた、大気圧下のプラズマを用いた表面処理方法において、 前記供給電圧は交流電圧であって、その振幅及び周波数は、供給電圧の連続す
    る二つの半周期の間で、放電が発生する領域において、前記処理ガスの成分の内
    の少なくとも一部を励起状態で、および／または電子が存在する状態で、維持す
    る様に設定されることを特徴とする表面処理方法。
  15. 【請求項１５】 前記処理対象の表面は、前記処理ガス中の励起種または不
    安定種を逆励起させ易い種を発生することができるものであり、この逆励起させ
    易い種の比率は、放電が形成される領域内で、下記手段の内の一つまたはそれ以
    上を実施することによって制限されることを特徴とする請求項１４に記載の表面
    処理方法： ｉ） 前記初期ガスは、前記逆励起させ易い種と相互作用することができる少
    なくとも一つの成分を含有する； ｊ） 前記逆励起させ易い種の発生速度をコントロールするために、放電のパ
    ワーがコントロールされる； ｋ） 前記励起電極の間のスペースに前記処理ガスを補給する速度がコントロ
    ールされる。
  16. 【請求項１６】 前記供給電圧は、その振幅が約５ｋＶ以上３０ｋＶ以下で
    あり、その周波数が約２００Ｈｚ以上３５ｋＨｚ以下であることを特徴とする請
    求項１４または１５に記載の表面処理方法。
  17. 【請求項１７】 前記周波数は、１５ｋＨｚ以下であることを特徴とする請
    求項１６に記載の表面処理方法。
  18. 【請求項１８】 前記処理ガスは、０ｍ／ｓ以上１０ｍ／ｓ以下の速度で、
    好ましくは５ｍ／ｓ以下の速度で、前記励起電極の間に導入されることを特徴と
    する請求項１４から１７までのいずれかに記載の表面処理方法。
  19. 【請求項１９】 前記処理ガスは、前記励起電極の間の全経路において、少
    なくとも５回、好ましくは５回以上３００回以下、放電を行う様な速度で、前記
    励起電極の間に導入されることを特徴とする請求項１４から１８までのいずれか
    に記載の表面処理方法。
  20. 【請求項２０】 前記処理ガスは、前記励起電極の間の全経路において、５
    回以上１００回以下、放電を行う様な速度で、前記励起電極の間に導入されるこ
    とを特徴とする請求項１９に記載の表面処理方法。
  21. 【請求項２１】 前記処理ガスは、ほぼ層流の状態で前記励起電極の間に導
    入されることを特徴とする請求項１４から２０までのいずれかに記載の表面処理
    方法。
  22. 【請求項２２】 前記処理ガスは、窒素、アルゴン、シリコン前駆体ガス、
    酸素及び酸素を放出可能なガスからなるグループの中から選択された一またはそ
    れ以上のガスを含有することを特徴とする請求項１４から２１までのいずれかに
    記載の表面処理方法。
  23. 【請求項２３】 前記励起電極の間のガスのスペースの厚さは、約０．５ｍ
    ｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１４から２２までのいずれかに
    記載の表面処理方法。
  24. 【請求項２４】 前記励起電極の内の少なくとも一方は、絶縁体または半導
    体からなる被覆層で覆われ、 当該絶縁体または半導体は、励起されたまたは不安定な種を逆励起させ易い種
    をガス中に発生させることが可能であり、 この逆励起させ易い種の比率は、放電が形成される領域内で、下記手段の内の
    一つまたはそれ以上を実施することによって制限されることを特徴とする請求項
    １４から２３までのいずれかに記載の表面処理方法： ｉ） 前記逆励起させ易い種の有害な効果を打ち消すため、前記処理ガスは、
    前記逆励起させ易い種と相互作用することができる少なくとも一つの成分を含有
    する； ｊ） 前記逆励起させ易い種の発生速度をコントロールするために、放電のパ
    ワーがコントロールされる； ｋ） 前記励起電極の間のスペースに前記初期ガスを補給する速度がコントロ
    ールされる。
  25. 【請求項２５】 表面処理の目的は、前記表面上へのシリコンベース材料の
    堆積であり、前記処理ガスは、キャリアガス、シリコン前駆体ガス、及び、酸素
    または酸素を放出可能なガスを含有することを特徴とする請求項１４から２４ま
    でのいずれかに記載の表面処理方法。
  26. 【請求項２６】 その間に処理対象物（１４）が置かれる二つの励起電極（
    ２２，２４）が収容される反応室（１６）と、 前記反応室内に処理ガスを供給するガス供給源と、 前記励起電極（２２，２４）に接続された電圧供給源（２６）とを備え、 大気圧下でプラズマ処理を行うプラズマ表面処理装置において、 前記電圧供給源（２６）は、前記処理ガスの中で放電（１２）を発生させる様
    に設定された交流電圧を、前記励起電極に対して供給することが可能であり、 その交流電圧の振幅及び周波数は、供給電圧の連続する二つの半周期の間で、
    前記処理ガスの成分の内の少なくとも一部を励起状態で、および／または電子が
    存在する状態で、維持することができる様に設定されることを特徴とするプラズ
    マ表面処理装置。
  27. 【請求項２７】 前記励起電極の内の少なくとも一方は、絶縁体または半導
    体からなる被覆層で覆われ、その被覆層の厚さは、好ましくは数１０μｍ以上１
    ｃｍ以下、より好ましくは５００μｍ以上２ｍｍ以下であることを特徴とする請
    求項２６に記載のプラズマ表面処理装置。
  28. 【請求項２８】 請求項２５に記載された方法を用いて形成された堆積層を
    備えたことを特徴とするシリコンベース材料の堆積層を備えた製品。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003527748A (ja) * 2000-03-15 2003-09-16 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 化学反応を行う方法および装置、並びに該方法および装置を使用した表面処理方法。
KR101414431B1 (ko) * 2005-11-10 2014-08-05 생－고뱅 마떼리오 드 꽁스트뤽시옹 에스.아.에스 중합체 섬유 표면부의 관능화 방법

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW520453B (en) * 1999-12-27 2003-02-11 Seiko Epson Corp A method to fabricate thin insulating films
EP1162646A3 (en) * 2000-06-06 2004-10-13 Matsushita Electric Works, Ltd. Plasma treatment apparatus and method
US7591957B2 (en) * 2001-01-30 2009-09-22 Rapt Industries, Inc. Method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for surface modification
WO2002074451A1 (fr) * 2001-03-21 2002-09-26 Bridgestone Corporation Procede permettant la formation d'un revetement antisalissant, et matiere antisalissante recouverte d'un revetement antisalissant
US6660177B2 (en) * 2001-11-07 2003-12-09 Rapt Industries Inc. Apparatus and method for reactive atom plasma processing for material deposition
US6774569B2 (en) * 2002-07-11 2004-08-10 Fuji Photo Film B.V. Apparatus for producing and sustaining a glow discharge plasma under atmospheric conditions
US7288204B2 (en) * 2002-07-19 2007-10-30 Fuji Photo Film B.V. Method and arrangement for treating a substrate with an atmospheric pressure glow plasma (APG)
EP1403902A1 (en) * 2002-09-30 2004-03-31 Fuji Photo Film B.V. Method and arrangement for generating an atmospheric pressure glow discharge plasma (APG)
JP3973587B2 (ja) * 2003-03-24 2007-09-12 俊夫 後藤 表面処理方法および表面処理装置
FR2855322B1 (fr) * 2003-05-21 2005-07-01 Air Liquide Dispositif de traitement de surface par zone d'un article
US7297892B2 (en) * 2003-08-14 2007-11-20 Rapt Industries, Inc. Systems and methods for laser-assisted plasma processing
EP1548795A1 (en) * 2003-12-22 2005-06-29 Fuji Photo Film B.V. Method and apparatus for stabilizing a glow discharge plasma under atmospheric conditions
EP1697962B1 (en) * 2003-12-22 2009-12-09 FUJIFILM Manufacturing Europe B.V. Method of and arrangement for removing contaminants from a substrate surface using an atmospheric pressure glow plasma
WO2005105696A2 (fr) * 2004-04-28 2005-11-10 Saint-Gobain Vetrotex France Procede de traitement de surface de fibres de renforcement
US8227051B1 (en) 2004-06-24 2012-07-24 UT-Battle, LLC Apparatus and method for carbon fiber surface treatment
US7313310B2 (en) * 2005-05-25 2007-12-25 Honeywell International Inc. Plasma directing baffle and method of use
JP4410771B2 (ja) * 2006-04-28 2010-02-03 パナソニック株式会社 ベベルエッチング装置およびベベルエッチング方法
US8575843B2 (en) 2008-05-30 2013-11-05 Colorado State University Research Foundation System, method and apparatus for generating plasma
US9288886B2 (en) 2008-05-30 2016-03-15 Colorado State University Research Foundation Plasma-based chemical source device and method of use thereof
US8994270B2 (en) 2008-05-30 2015-03-31 Colorado State University Research Foundation System and methods for plasma application
US9887069B2 (en) * 2008-12-19 2018-02-06 Lam Research Corporation Controlling ion energy distribution in plasma processing systems
GB2466664B (en) * 2009-01-06 2015-04-01 Perlemax Ltd Plasma microreactor apparatus, sterilisation unit and analyser
US8222822B2 (en) 2009-10-27 2012-07-17 Tyco Healthcare Group Lp Inductively-coupled plasma device
EP2326151A1 (fr) * 2009-11-24 2011-05-25 AGC Glass Europe Procédé et dispositif de polarisation d'une électrode DBD
EP2552340A4 (en) 2010-03-31 2015-10-14 Univ Colorado State Res Found PLASMA DEVICE WITH LIQUID GAS INTERFACE
CA2794895A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Colorado State University Research Foundation Liquid-gas interface plasma device
US9532826B2 (en) 2013-03-06 2017-01-03 Covidien Lp System and method for sinus surgery
US9555145B2 (en) 2013-03-13 2017-01-31 Covidien Lp System and method for biofilm remediation
US9831070B1 (en) 2017-06-15 2017-11-28 Enercon Industries Corporation Surface treater with expansion electrode arrangement

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0346055B1 (en) * 1988-06-06 1995-04-19 Research Development Corporation Of Japan Method for causing plasma reaction under atmospheric pressure
JP2990608B2 (ja) * 1989-12-13 1999-12-13 株式会社ブリヂストン 表面処理方法
JP3063769B2 (ja) * 1990-07-17 2000-07-12 イーシー化学株式会社 大気圧プラズマ表面処理法
JP2840699B2 (ja) * 1990-12-12 1998-12-24 株式会社 半導体エネルギー研究所 被膜形成装置及び被膜形成方法
JP3149272B2 (ja) * 1991-12-10 2001-03-26 幸子 岡崎 大気圧グロー放電プラズマのモニター方法
FR2692598B1 (fr) * 1992-06-17 1995-02-10 Air Liquide Procédé de dépôt d'un film contenant du silicium à la surface d'un substrat métallique et procédé de traitement anti-corrosion.
JP2572924B2 (ja) * 1992-09-04 1997-01-16 醇 西脇 大気圧プラズマによる金属の表面処理法
FR2704558B1 (fr) * 1993-04-29 1995-06-23 Air Liquide Procede et dispositif pour creer un depot d'oxyde de silicium sur un substrat solide en defilement.
AU679237B2 (en) * 1993-05-28 1997-06-26 University Of Tennessee Research Corporation, The Method and apparatus for glow discharge plasma treatment of polymer materials at atmospheric pressure

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003527748A (ja) * 2000-03-15 2003-09-16 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 化学反応を行う方法および装置、並びに該方法および装置を使用した表面処理方法。
KR101414431B1 (ko) * 2005-11-10 2014-08-05 생－고뱅 마떼리오 드 꽁스트뤽시옹 에스.아.에스 중합체 섬유 표면부의 관능화 방법

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