JP2002518484A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】腐食禁止の目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール、4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール又は5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量を、ハロゲンで処理された水性系に加えることを含む、ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法。
【請求項2】6−クロロ−5−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm以上の濃度で該水性系に加えられる、請求項1に記載の方法。
【請求項3】6−クロロ−5−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm〜約10ppmの濃度で該水性系に加えられる、請求項1に記載の方法。
【請求項4】ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面上の腐食禁止層を形成する方法であって、腐食禁止層を形成する目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール、4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール又は5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量をハロゲンで処理された該水性系に加えることを含む、前記の方法。
【請求項5】 塩素要求を減じる目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール、4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール又は5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量を該水性系に加えることを含む、微生物の生長を禁止するために、塩素で処理された水性系内の塩素要求を減じる方法。
【請求項6】銅を含む金属表面と接触した、ハロゲンで処理された水性系中の銅イオンの輸送を禁止する方法であって、該水性系に銅イオンの輸送を禁止する目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール、4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール又は5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量を加えることを含む、前記の方法。
【請求項7】ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法であって、ハロゲンで処理された該水性系に、腐食禁止の目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール、4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール又は5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量を、少なくとも1種の他の水性系処理物質と組みあわせて加えることを含む、前記の方法。
【請求項8】該他の水性系処理物質が、腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤、及びこれらの混合物を含む、請求項7に記載の方法。
【請求項9】該腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤及びこれらの混合物が、ホスフェート、ホスホネート、アクリルホモポリマー、アクリルコポリマー、キレート剤、オキシム、殺生物剤、及びこれらの混合物を含む、請求項7に記載の方法。
【請求項1】腐食禁止の目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール、4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール又は5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量を、ハロゲンで処理された水性系に加えることを含む、ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法。
【請求項2】6−クロロ−5−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm以上の濃度で該水性系に加えられる、請求項1に記載の方法。
【請求項3】6−クロロ−5−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm〜約10ppmの濃度で該水性系に加えられる、請求項1に記載の方法。
【請求項4】ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面上の腐食禁止層を形成する方法であって、腐食禁止層を形成する目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール、4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール又は5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量をハロゲンで処理された該水性系に加えることを含む、前記の方法。
【請求項5】 塩素要求を減じる目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール、4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール又は5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量を該水性系に加えることを含む、微生物の生長を禁止するために、塩素で処理された水性系内の塩素要求を減じる方法。
【請求項6】銅を含む金属表面と接触した、ハロゲンで処理された水性系中の銅イオンの輸送を禁止する方法であって、該水性系に銅イオンの輸送を禁止する目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール、4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール又は5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量を加えることを含む、前記の方法。
【請求項7】ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法であって、ハロゲンで処理された該水性系に、腐食禁止の目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール、4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾール又は5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量を、少なくとも1種の他の水性系処理物質と組みあわせて加えることを含む、前記の方法。
【請求項8】該他の水性系処理物質が、腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤、及びこれらの混合物を含む、請求項7に記載の方法。
【請求項9】該腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤及びこれらの混合物が、ホスフェート、ホスホネート、アクリルホモポリマー、アクリルコポリマー、キレート剤、オキシム、殺生物剤、及びこれらの混合物を含む、請求項7に記載の方法。
本発明をその特別の態様との関係で説明してきたが、本発明の多数の他の形態及び修正が本技術における当業者には自明である。特許請求の範囲及び本発明は一般に、本発明の真実の精神または範囲内であるそのような自明な形態及び修正を含むと考えられるべきである。
[本発明の態様]
[1]腐食禁止の目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの有効量を、ハロゲンで処理された水性系に加えることを含む、ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法。
[2]6−クロロ−5−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm以上の濃度で該水性系に加えられる、1に記載の方法。
[3]6−クロロ−5−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm〜約10ppmの濃度で該水性系に加えられる、1に記載の方法。
[4]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面上の腐食禁止層を形成する方法であって、腐食禁止層を形成する目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの有効量をハロゲンで処理された該水性系に加えることを含む、前記の方法。
[5]6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの塩素要求を減じる目的のための有効量を該水性系に加えることを含む、微生物の生長を禁止するために、塩素で処理された水性系内の塩素要求を減じる方法。
[6]銅を含む金属表面と接触した、ハロゲンで処理された水性系中の銅イオンの輸送を禁止する方法であって、該水性系に銅イオンの輸送を禁止する目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの有効量を加えることを含む、前記の方法。
[7]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法であって、ハロゲンで処理された該水性系に、腐食禁止の目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの有効量を、少なくとも1種の他の水性系処理物質と組みあわせて加えることを含む、前記の方法。
[8]該水性系処理物質が、腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤、及びこれらの混合物を含む、7に記載の方法。
[9]該腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤及びこれらの混合物が、ホスフェート、ホスホネート、アクリルホモポリマー、アクリルコポリマー、キレート剤、オキシム、殺生物剤、及びこれらの混合物を含む、7に記載の方法。
[10]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法であって、ハロゲンで処理された該水性系に、腐食禁止の目的のための有効量の4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールを加えることを含む、前記の方法。
[11]4−クロロ−5−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm以上の濃度で該水性系に加えられる、10に記載の方法。
[12]4−クロロ−5−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm〜約10ppmの濃度で該水系に加えられる、10に記載の方法。
[13]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面上の腐食禁止層を形成する方法であって、腐食禁止のための4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの有効量をハロゲンで処理された水性系に加えることを含む、前記の方法。
[14]4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの塩素要求を減じる目的のための有効量を水性系に加えることを含む、微生物の生長を禁止するために、塩素で処理された水性系内の塩素要求を減じる方法。
[15]銅を含む金属表面と接触した、ハロゲンで処理された水性系中の銅イオンの輸送を禁止する方法であって、該水性系に該目的のための4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの有効量を加えることを含む、前記の方法。
[16]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法であって、該ハロゲンで処理された水性系に、腐食禁止のための4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの有効量を、少なくとも1種の他の水性系処理物質と組みあわせて加えることを含む、前記の方法。
[17]該水性系処理材料が、腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤、及びこれらの混合物を含む、16に記載の方法。
[18]該腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤及びこれらの混合物が、ホスフェート、ホスホネート、アクリルホモポリマー、アクリルコポリマー、キレート剤、オキシム、殺生物剤、及びこれらの混合物を含む、16に記載の方法。
[19]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法であって、ハロゲンで処理された水性系に、腐食禁止の目的のための有効量の5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールを加えることを含む、前記の方法。
[20]5−クロロ−4−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm以上の濃度で該水性系に加えられる、19に記載の方法。
[21]5−クロロ−4−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm〜約10ppmの濃度で該水系に加えられる、19に記載の方法。
[22]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面上の腐食禁止層を形成する方法であって、腐食禁止の目的ための5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量をハロゲンで処理された水性系に加えることを含む、前記の方法。
[23]5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの塩素要求を減じる目的のための有効量を水性系に加えることを含む、微生物の生長を禁止するために、塩素で処理された水性系内の塩素要求を減じる方法。
[24]銅を含む金属表面と接触した、ハロゲンで処理された水性系中の銅イオンの輸送を禁止する方法であって、該水性系に該目的のための5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量を加えることを含む、前記の方法。
[25]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法であって、該ハロゲンで処理された水性系に、腐食禁止の目的のための5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量を、少なくとも1種の他の水性系処理物質と組みあわせて加えることを含む、前記の方法。
[26]該水性系処理材料が、腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤、及びこれらの混合物を含む、25に記載の方法。
[27]該腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤及びこれらの混合物が、ホスフェート、ホスホネート、アクリルホモポリマー、アクリルコポリマー、キレート剤、オキシム、殺生物剤、及びこれらの混合物を含む、25に記載の方法。
[本発明の態様]
[1]腐食禁止の目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの有効量を、ハロゲンで処理された水性系に加えることを含む、ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法。
[2]6−クロロ−5−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm以上の濃度で該水性系に加えられる、1に記載の方法。
[3]6−クロロ−5−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm〜約10ppmの濃度で該水性系に加えられる、1に記載の方法。
[4]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面上の腐食禁止層を形成する方法であって、腐食禁止層を形成する目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの有効量をハロゲンで処理された該水性系に加えることを含む、前記の方法。
[5]6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの塩素要求を減じる目的のための有効量を該水性系に加えることを含む、微生物の生長を禁止するために、塩素で処理された水性系内の塩素要求を減じる方法。
[6]銅を含む金属表面と接触した、ハロゲンで処理された水性系中の銅イオンの輸送を禁止する方法であって、該水性系に銅イオンの輸送を禁止する目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの有効量を加えることを含む、前記の方法。
[7]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法であって、ハロゲンで処理された該水性系に、腐食禁止の目的のための6−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの有効量を、少なくとも1種の他の水性系処理物質と組みあわせて加えることを含む、前記の方法。
[8]該水性系処理物質が、腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤、及びこれらの混合物を含む、7に記載の方法。
[9]該腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤及びこれらの混合物が、ホスフェート、ホスホネート、アクリルホモポリマー、アクリルコポリマー、キレート剤、オキシム、殺生物剤、及びこれらの混合物を含む、7に記載の方法。
[10]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法であって、ハロゲンで処理された該水性系に、腐食禁止の目的のための有効量の4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールを加えることを含む、前記の方法。
[11]4−クロロ−5−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm以上の濃度で該水性系に加えられる、10に記載の方法。
[12]4−クロロ−5−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm〜約10ppmの濃度で該水系に加えられる、10に記載の方法。
[13]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面上の腐食禁止層を形成する方法であって、腐食禁止のための4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの有効量をハロゲンで処理された水性系に加えることを含む、前記の方法。
[14]4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの塩素要求を減じる目的のための有効量を水性系に加えることを含む、微生物の生長を禁止するために、塩素で処理された水性系内の塩素要求を減じる方法。
[15]銅を含む金属表面と接触した、ハロゲンで処理された水性系中の銅イオンの輸送を禁止する方法であって、該水性系に該目的のための4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの有効量を加えることを含む、前記の方法。
[16]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法であって、該ハロゲンで処理された水性系に、腐食禁止のための4−クロロ−5−メチルベンゾトリアゾールの有効量を、少なくとも1種の他の水性系処理物質と組みあわせて加えることを含む、前記の方法。
[17]該水性系処理材料が、腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤、及びこれらの混合物を含む、16に記載の方法。
[18]該腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤及びこれらの混合物が、ホスフェート、ホスホネート、アクリルホモポリマー、アクリルコポリマー、キレート剤、オキシム、殺生物剤、及びこれらの混合物を含む、16に記載の方法。
[19]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法であって、ハロゲンで処理された水性系に、腐食禁止の目的のための有効量の5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールを加えることを含む、前記の方法。
[20]5−クロロ−4−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm以上の濃度で該水性系に加えられる、19に記載の方法。
[21]5−クロロ−4−メチル−ベンゾトリアゾールが、約0.2ppm〜約10ppmの濃度で該水系に加えられる、19に記載の方法。
[22]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面上の腐食禁止層を形成する方法であって、腐食禁止の目的ための5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量をハロゲンで処理された水性系に加えることを含む、前記の方法。
[23]5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの塩素要求を減じる目的のための有効量を水性系に加えることを含む、微生物の生長を禁止するために、塩素で処理された水性系内の塩素要求を減じる方法。
[24]銅を含む金属表面と接触した、ハロゲンで処理された水性系中の銅イオンの輸送を禁止する方法であって、該水性系に該目的のための5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量を加えることを含む、前記の方法。
[25]ハロゲンで処理された水性系と接触した金属表面の腐食を禁止する方法であって、該ハロゲンで処理された水性系に、腐食禁止の目的のための5−クロロ−4−メチルベンゾトリアゾールの有効量を、少なくとも1種の他の水性系処理物質と組みあわせて加えることを含む、前記の方法。
[26]該水性系処理材料が、腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤、及びこれらの混合物を含む、25に記載の方法。
[27]該腐食禁止処理剤、付着禁止処理剤及びこれらの混合物が、ホスフェート、ホスホネート、アクリルホモポリマー、アクリルコポリマー、キレート剤、オキシム、殺生物剤、及びこれらの混合物を含む、25に記載の方法。
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