JP2002512452A - 縦型バイポーラトランジスタ、特にSiGeヘテロ接合ベースを有するもの、および前記トランジスタの製造法 - Google Patents

縦型バイポーラトランジスタ、特にSiGeヘテロ接合ベースを有するもの、および前記トランジスタの製造法

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Abstract

(57)【要約】 真性コレクタ(4)の半導体領域は、横方向の絶縁領域(2)に囲まれている。SiGeヘテロ接合を含んだ半導体層(6)は、その一部がトランスミッタ(90)と真性コレクタ(4)の間に位置し、横方向の絶縁区域の上方をトランスミッタのいずれかの側へと伸びている。ベース真性領域は、トランスミッタ(90)と真性コレクタ(4)の間にあるヘテロ接合を有する前記半導体層中に形成される。ベース外部領域およびコレクタ外部領域は、各々前記へテロ接合を有する半導体層中に形成され、横方向の絶縁領域の第一の部分(200、201)の上方のトランスミッタのいずれかの側に位置し、横方向の絶縁領域によって互いに電気的に隔離される第一の区域(61、63)を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 本発明は、縦型バイポーラトランジスタ、特には、SiGe(シリコン−ゲル
マニウム)ヘテロ接合ベースを有する高速バイポーラトランジスタに関する。 本発明の目的の一つは、コレクタ基板キャパシタンスが低く、かつ、外部ベー
ス・コレクタ間のキャパシタンスが低く、しかも構造が複雑ではない、小型の高
速バイポーラトランジスタの製造である。 その結果として、本発明によるバイポーラトランジスタは、横方向の絶縁領域
に囲まれた真性コレクタ半導体領域と、一部がエミッタと真性コレクタの間に位
置し、前記横方向の絶縁領域の上方のエミッタのいずれかの側へと伸びる半導体
層、例えば、SiGeヘテロ接合を含んだ半導体層を含む。本発明によるバイポ
ーラトランジスタはさらに、エミッタと真性コレクタの間の前記半導体層中に形
成される真性ベース領域を含む。また、本発明によるバイポーラトランジスタは
、各々前記半導体層中に形成される第一の区域を含んだ外部ベース領域および外
部コレクタ領域を含む。前記第一の区域は各々、横方向の絶縁領域の第一の部分
の上方のエミッタのいずれかの側に位置し、横方向の絶縁領域の第二の部分によ
り、電気的に互いに隔離されている。外部ベースおよび外部コレクタもまた、挿
入により製造され、真性コレクタ内に伸びる第二の区域を含む。さらに、ベース
およびコレクタメタライゼーションは、各々前記横方向の絶縁領域の第一の部分
の上方で、前記第一の対応する区域と接触して配置されている。 言い換えると、本発明のバイポーラトランジスタは、コレクタ井戸(coll
ector well)とその内部にある層から形成される外部コレクタが存在
しない。本発明のバイポーラトランジスタでは、外部コレクタは主として半導体
層中、例えば、ヘテロ接合を有する半導体層中に形成される。ベース、具体的に
はベースメタライゼーションは、エミッタを完全には囲んでいない。結果的に、
外部コレクタおよび外部ベース領域は、電気的に隔離される必要があり、本発明
では、横方向の絶縁領域の一部によりこれを実現している。
【0002】 本発明によるバイポーラトランジスタは、フィールド酸化膜内に突出するベー
スメタライゼーションのみならず、フィールド酸化膜内に突出する外部コレクタ
メタライゼーションをも持たない。このことがトランジスタの操作速度のさらな
る上昇に寄与し、外部ベースコレクタキャパシタンス低およびコレクタ基板キャ
パシタンス低の実現を可能にする。 さらに、オフセットコレクタ井戸(offset collector we
ll)が存在しないことにより、特に小型のバイポーラトランジスタを得ること
を可能となる。
【0003】 本発明の一つの態様では、トランジスタは、横方向の絶縁領域の第一の部分に
存在するアモルファスシリコンの2つの層を含む。前記2つの層は、外部ベース
および外部コレクタの各々第一の区域の下方に位置する。これらアモルファスシ
リコン層は各々、横方向の絶縁領域を越えて、エミッタの方向へと突出している
。 これらアモルファスシリコン層の存在により、本発明の製造方法の特徴の1つ
である選択的なエピタキシーの際に、フィールド酸化被覆上に成長する多結晶シ
リコンの半導体層の成長速度と、外部コレクタのシリコン領域上に成長する単結
晶シリコン層の成長速度がほぼ同じ速度になる。 本発明の一つの態様において、エミッタ領域は、絶縁用のスペーサで囲まれ、
真性ベースと接触している、より狭い窓へ突出する区域を含む。窓の端部と真性
コレクタ側に位置する絶縁用のスペーサの距離は、窓の端部と外部ベース側に位
置する絶縁用のスペーサの距離よりも大きい方が好都合である。これにより、n + 挿入時に、例えば、真性コレクタのn+ 挿入時に挿入された区域がエミッタの
窓内へと突出することが防止される。
【0004】 本発明はまた、縦型バイポーラトランジスタの製造方法に関する。本発明の全
般的な特徴により、本発明の製造方法は、横方向の絶縁領域に囲まれた半導体基
板の区域に真性コレクタ領域を挿入する工程と、外部ベース、真性ベースおよび
外部コレクタ領域を製造する工程を含む。前記製造する工程は、選択的なエピタ
キシーにより、横方向の絶縁領域の上方の真性コレクタ領域上を伸びる半導体層
、例えば、SiGeヘテロ接合を有する半導体層の形成を含む。前記製造する工
程はまた、前記半導体層の予め境界付けた第一の区域、例えばこのヘテロ接合層
、を介するドーパントの挿入を含む。前記第一の区域は各々、横方向の絶縁領域
の第一の部分の上方の真性コレクタのいずれかの側に置かれ、横方向の絶縁領域
の第二の部分により電気的に隔離されている。挿入はまた、真性コレクタの予め
境界付けた第二の区域でも行われる。このようにして、外部ベースおよび外部コ
レクタ領域が形成される。本発明の製造方法はまた、各々横方向の絶縁領域の第
一の部分の上方のエミッタ領域のいずれかの側にベースおよびコレクタコンタク
トメタライゼーションを製造することを含んだコンタクトメタライゼーションを
製造する工程を含む。 本発明の方法において、コレクタの製造はエピタキシーではなく、挿入により
行うことを注記する。これにより、トランジスタ製造工程における複雑な面が減
少し、また製造コストが軽減される。
【0005】 本発明の製造方法を実施する上での一の方法では、半導体層、例えば、ヘテロ
接合を有する半導体層の形成は、真性コレクタおよび横方向の絶縁領域上でのア
モルファスシリコンのデポジションと、真性コレクタの各々の露出面に、各々横
方向の絶縁領域の第一の部分上を伸び、真性コレクタの露出面上に突出する2つ
の異なるアモルファスシリコン区域を設けるための前記アモルファスシリコン層
のエッチングとを含み、真性コレクタの露出している区域および2つの異なるア
モルファスシリコン区域での前記選択的なエピタキシーへと続く。 本発明の製造方法はさらに、半導体層上、例えばヘテロ接合層への絶縁用の二
重層のデポジションと、真性コレクタの上方に位置する半導体の区域を露出する
窓を形成するための二重層のエッチングを含んだエミッタ領域の製造工程を含む
ことが好都合である。前記工程はまた、絶縁用の二重層のエッチングされていな
い部分、および前記窓への多結晶シリコン層のデポジションと、前記窓よりも広
い多結晶シリコン部分を保護するための多結晶シリコンのエッチングを含む。前
記窓の端部と外部コレクタ側の突出部の端部の距離は、前記窓の端部と外部ベー
ス側の突出部の端部の距離よりも大きい。
【0006】 本発明のさらなる利点および特徴は、本発明を実施する上での1の方法、限定
的ではない実施態様および添付する図面に関する詳細な説明を検討することで明
らかとなる。 図1〜図5に、本発明によるトランジスタを得られるように、本発明の製造方
法を実施する上での方法を図示する。 図6に、本発明によるバイポーラトランジスタの構造を図示する。 図1において、基準1は一般にp型(例えば)半導体の基板を表す。他の符号
については、本質的に従来公知の方法で定義した。横方向の絶縁領域2(フィー
ルド酸化膜)(例えば、従来のLOCOSプロセスを用いた、または狭く、かつ
浅いトレンチによる横方向の絶縁用のプロセスを用いた)および絶縁用のストッ
プ層に隣接するように、二酸化ケイ素(SiO2 )から形成され、通常約100
Åの厚さでデポジションされるバイポーラトランジスタの活性領域を設けた。 その後、真性コレクタ領域を形成するため、活性領域中に従来のn型挿入を行
った。
【0007】 次に、そのようにして形成された半導体ブロック上に、通常500Åの厚さで
アモルファスシリコン層をデポジションする。前記アモルファスシリコン層のフ
ォトリソグラフィーを実施した後、前記層を従来の方法でエッチングして酸化物
層3上に固定する。そのようにして、エッチングと従来の方法による酸洗浄の後
、横方向の絶縁領域の第一の部分200および201上に伸びており、第二の部
分202により、前記絶縁領域から相互に絶縁されている2つのアモルファスシ
リコン層50、51(図3、図4)が得られる。前記2つのアモルファスシリコ
ン層50、51はまた、酸洗浄後に露出する真性コレクタの面上に突出する。 次に(図4)、選択的なエピタキシーによりヘテロ接合層6が形成される。よ
り具体的には、前記へテロ接合層は、Si1-x GeX (xは通常約10%)副層
を載せられた第一のシリコン副層のスタックからなる。この第二の副層自身は、
他のシリコン副層により封じ込められる。
【0008】 エピタキシーは、ヘテロ接合の成長が2つのアモルファスシリコン層50、5
1および真性コレクタ領域4上でのみ起こる点で選択的である。すなわち、Si
2 からなる横方向の絶縁領域の第二の部分202上では成長しない。選択的エ
ピタキシーは公知の方法で実施できる。特には、ジクロロシラン(SiH2 Cl 2 )のようなガスを使用する。 2つのアモルファスシリコン層50、51の存在により、多結晶シリコンはこ
れらの層上に成長する。さらに、単結晶シリコンは真性コレクタ領域上に成長す
る。さらに、コレクタ上にこれらの層50、51が存在することにより、単結晶
シリコンと多結晶シリコンの成長速度が実質的に同一になる。このような結果は
、酸化物上で直接成長させたのでは得られない。さらに、層50、51の突出は
、ヘテロ接合層のエピタキシーが、SiO2 から形成される部分にシリコンが存
在しない部分を生じないことを保証している。 ヘテロ接合層6は、通常約1000〜1500Åである。 続いて、酸化ケイ素(SiO2 )の第一の絶縁層7上に窒化ケイ素(Si3 4 )の第二の絶縁層8を載せた構造の絶縁用の二重層をヘテロ接合層6上にデポ
ジションする(図4)。 続いて、フォトリソグラフィー工程を実施し、エミッタの窓(window)
80を境界付けることを可能にし、続いて実際に窓80を境界付けるために絶縁
用の二重層7、8のエッチングを行う。窒化ケイ素層のエッチングは、酸化ケイ
素上に固定するプラズマエッチングであり、一方、酸化物層のエッチングは、マ
スクとして窒化ケイ素層を用いる化学エッチングである。 その後、通常2500Åの厚さを有するn+ ドープした多結晶シリコン層9を
デポジションし、多結晶シリコンからなるエミッタ領域90を形成するためエッ
チングする(図6)。 ここで、エミッタの多結晶シリコンは、窓80の端部と領域90の端部の距離
(L1)を窓80の端部と領域90の端部の距離(L2)よりも短くするために
、非対称な状態でエッチングするのが好都合である。これにより、以下に述べる
真性ベースと外部コレクタの間での横方向の拡散における差異を考慮することが
できる。
【0009】 窒化ケイ素から形成されるスペーサ100は、公知の方法によるデポジション
および異方性エッチングにより形成される。 マスキングを施した後、外部ベースを形成するため、そのようにして得られる
アセンブリへのp+ 型挿入(例えば、ホウ素イオンによる)を実施する。同様に
、外部コレクタを形成するため、そのようにして得られるアセンブリへのn+
挿入(例えば、リン酸ベースの)を実施する。 コンタクト部分を与える目的でベース、コレクタおよびエミッタ上にシリサイ
ドSを形成するために、シリサイドプロセスによる従来の方法でのアニーリング
およびチタンのデポジションにより、図6に示すトランジスタが得られる。 上記トランジスタは、多結晶シリコンのエミッタ90と真性コレクタ4の間に
置かれたSiGeヘテロ接合を有する真性ベース60を含む。外部ベースは、真
性コレクタ内に突出している第二の挿入された区域62と、ヘテロ接合層6中に
形成され、エミッタの一方の側に存在する第一の区域61を含む。外部コレクタ
は、エミッタの他方の側のヘテロ接合層6中に形成される第一の層63と、真性
コレクタ中に突出する第二の挿入された区域64を含む。 外部ベースおよび外部コレクタの第一の区域61および63は、フィールド酸
化膜200および201の上方に位置する。コンタクトメタライゼーションにつ
いても同様に行う。
【0010】 本発明は、トランジスタの調節の最適化、特にはその速度の増加(すなわち、
性能指数および最大発信周波数の増加)を可能にする縦型トランジスタ用のヘテ
ロ接合ベースの製造に導く半導体ヘテロ接合層6について述べたが、本発明は、
いかなる種類のエピタキシー成長のベース、特には全てのシリコンベースに適用
でき、ベースの種類に関係なく、コレクタ基板キャパシタンス低と、外部ベース
コレクタのキャパシタンス低を実現する。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 横方向の絶縁領域(2)に囲まれた真性コレクタ半導体領域(4)と、 その一部がエミッタ(90)と真性コレクタ(4)の間に位置し、横方向の絶
    縁領域の上方をエミッタのいずれかの側へと伸びる半導体層(6)と、 各々エミッタ(90)と真性コレクタ(4)の間の前記半導体層(6)中に形
    成される真性ベース領域(60)と、 各々、横方向の絶縁領域の第一の部分(200、201)の上方のエミッタの
    いずれかの側に位置し、真性コレクタ(4)中に伸びる第二の区域(62、64
    )と同じく、横方向の絶縁領域の第二の部分(202)により電気的に隔離され
    る半導体層(6)に形成される第一の区域(61、63)を含む外部ベース領域
    および外部コレクタ領域と、 各々、前記横方向の絶縁領域の前記第一の部分の上方に対応する前記第一の区
    域と接触して配置されるベースおよびコレクタメタライゼーションを含むことを
    特徴とする縦型バイポーラトランジスタ。
  2. 【請求項2】 各々外部ベースおよび外部コレクタの前記第一の区域下方の横方向の絶縁領域
    の第一の部分上に置かれ、エミッタの方向に横方向の絶縁領域を越えて伸びる2
    つのアモルファスシリコン層(50、51)を含むことを特徴とする請求項1に
    記載のトランジスタ。
  3. 【請求項3】 エミッタ領域が、絶縁用のスペーサ(100)に囲まれ、真性ベース(20)
    と接触するより狭い窓(80)へと伸びている突出する区域(90)を含み、窓
    の端部と外部コレクタ側に位置する絶縁用のスペーサの間の距離(L2)が窓の
    端部と外部ベース側の絶縁用のスペーサの間の距離(L1)よりも大きいことを
    特徴とする請求項1または請求項2に記載のトランジスタ。
  4. 【請求項4】 半導体層(6)がSiGeヘテロ接合を含むことを特徴とする請求項1〜3の
    いずれかに記載のトランジスタ。
  5. 【請求項5】 横方向の絶縁領域に囲まれた半導体基板区域に真性コレクタ領域(4)を挿入
    する工程と、 横方向の絶縁領域の上方で、真性コレクタ領域上に伸びる半導体層(6)の選
    択的エピタキシーによる生成を含む、外部ベース、真性ベースおよび外部コレク
    タ領域を製造する工程と、 ドーパントを挿入する工程であって、外部ベースと真性コレクタ領域とを形成
    するために、一方で、各々横方向の絶縁領域の第一の部分(200、201)の
    上方の真性コレクタのいずれかの側に位置し、横方向の絶縁領域の第二の部分(
    202)によって互いに電気的に隔離されている半導体層(6)の予め境界付け
    られた第一の区域(60、61)からドーパントを挿入し、他方で、真性コレク
    タの予め境界付けられた第二の区域(62、64)にドーパントを挿入する工程
    と、 各々横方向の絶縁領域の第一の部分の上方のエミッタ領域(90)のいずれか
    の側でのベースおよびコレクタコンタクトメタライゼーション(S)の製造を含
    むコンタクトメタライゼーションを製造する工程とを含むことを特徴とするトラ
    ンジスタの製造方法。
  6. 【請求項6】 半導体層(6)の生成が、真性コレクタおよび横方向の絶縁領域へのアモルフ
    ァスシリコン層(5)のデポジションと、各々横方向の絶縁領域の第一の部分上
    を広がり、真性コレクタ(4)の露出面上に突出する2つの別のアモルファスシ
    リコン区域(50、51)を残すことを目的とする、真性コレクタの露出面の各
    々の側の前記アモルファスシリコン層のエッチング工程と、次の真性コレクタの
    露出面および2つの別のアモルファスシリコン区域(50、51)での選択的エ
    ピタキシーを含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
  7. 【請求項7】 半導体層(6)上への絶縁用の二重層(7、8)のデポジションと、真性コレ
    クタの上方に位置する半導体層(6)の区域を露出する窓(80)を製造するこ
    とを目的とする二重層のエッチングと、絶縁用の二重層のエッチングされていな
    い部分と前記窓への多結晶シリコン層(9)のデポジションと、次に、窓(80
    )よりも幅が広く、窓の端部と真性コレクタの側の突出部の端部との距離(L2
    )が、窓の端部と外部ベース側の突出部の端部との距離(L1)よりも大きい保
    護用の多結晶シリコン(90)を形成するための多結晶シリコン層のエッチング
    工程を含んだエミッタ領域の製造工程を含むことを特徴とする請求項5または6
    に記載の方法。
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