JP2002511651A - 真空処理のための同期的多重化型略零無駄動作アーキテクチャ - Google Patents
真空処理のための同期的多重化型略零無駄動作アーキテクチャInfo
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Abstract
Description
するワークピース取り扱い上の無駄動作(overhead)を減少するための装置及び方
法に関し、より特定的には、半導体ウエーハ処理チャンバの真空化のための吸引
、チャンバの大気への通気及びチャンバへの又はチャンバからのウエーハの搬送
に要する相対時間を減少すると共に、ウエーハの半導体層の有効なエッチング、
剥離及び沈着などによりにチャンバ内でウエーハを有効に処理するのに消費され
る有効時間を増大するための装置及び方法に関し、更に特定すると、下流2連型
もしくはチャンバ内臓型プラズマリアクタ間での共通RFもしくはマイクロ波電
力源の交互の切り替えを行うと共に一方のリアクタでの有効な処理の実行と他方
のリアクタでの上記無駄動作の実行とを交互に行う方法に関し、これにより通常
型の2連式もしくは多数リアクタ方式に比較して相対的にみた設備コストの減少
にも関わらず機械の全般的な生産量を有意に増加させることができるものである
。
若しくは分子が励起状態となることにある。このエネルギは一般的な化合物のあ
る物についてはその解離を惹起せしめるほど強力である。
応性を有する単体原子Fを構成するように剥離されうる。酸素の場合は天然に存
在するのはО2 であってО1 ではない。酸素がマイクロ波放射によって頻繁に生
成される強力なRF電界を通されると、かなりの割合で単体原子状酸素О1 への分
離が現に起り、О2 よりはるかに反応性に富む。単体原子状酸素はプラズマの場
においては1000℃のような又はそれより高い温度に加熱することもできる。フォ
トレジストは炭素をベースとするか又は有機化合物である。ウエーハを一般に2
20から270℃に加熱しかつ高温の単原子状態酸素に曝すと、フォトレジスト
は厚みもしくは他の要因の依存性はあるが10から15秒で燃え尽きてしまう。
新規化合物は一般的にはCO2, CO 及びH2O であり、これらは大気条件下では気体
である。それから、フォトレジスト廃棄物は気体状態で真空ポンプにて排気され
る。エッチング処理下においては、異なった気体状揮発物が形成される。
な電力を消費し、強力なUV光を発生し、その封じ込めは厄介である。半導体処理
の応用はその殆どが大気圧条件に対して大きな減圧下で実行される。一般的階級
として、プラズマ処理は大抵は1ミリトルの低圧範囲から大雑把にいって10ト
ルの高圧範囲にて実施される。例えば、フォトレジスト灰化若しくは表面クリー
ニング及び準備圧力範囲は大略0.1 トルから2トルである。
クティブエッチャ(RIE) 、共鳴RFコイルを備えた誘電結合プラズマ(ICP) 、マ
イクロ波キャビティ、エレクトロンサイクロトロン共鳴(ECR) である。具体化方
法のあるものとしてはプラズマを形成するための電磁場を具備せしめることがで
きる。
リコンウエーハ処理は一般的には相当な減圧条件下で実施され、その圧力範囲は
10-3トルの大分下から数トルの範囲であり、これによりRF若しくはマイクロ波
エネルギでプロセスガスを励起するプラズマ条件を容易に確立することができる
。プラズマ励起プロセスガス属は相当に高い反応レベルを有しており、これによ
り処理すべき意図された半導体層との結合を促進することができる。この真空処
理は半導体処理設備自体の高コスト(真空ポンプ単独でもそのコストは凡そ40,0
00.00 ドルである)の原因となっていると共に、バキュームのための排気、大気
への開放、ウエーハの搬入及び搬出、ドアの開放及び閉鎖、流入若しくは流出ガ
スの計量等の無駄動作(多くは完全サイクルの65〜80%に達する)に消費さ
れる時間が相対的に延長される原因となっている。更に、これらのサブシステム
の各々は多チャンバ機械に設置されることが多く、100%の冗長度を提供して
おり、設備コスト及び設置スペースを大いに消費するものである。Nakaneの米国
特許4,483,651(2:10-13)。
トの殆どはそのごく一部のシステム要素によって占められること直ぐにがわかる
。即ち、プロセスガス質量流量コントローラ、マイクロ波などのRF電力源、低
周波数RF電力供給、及び真空ポンプはなかでも最も高コストの部品であり、こ
れらに次ぐ高コストのものとしてはアクチュアルプロセスリアクタが続く。選定
したコスト高の部品の一つだけの2連のサイドバイサイドの複製を使用すること
により生産量を増大するプロセスを発展させることだけで大きなコスト削減を即
座に実現することができる。
以外の冗長要素となる複数設備を全て排除することにより、半導体処理設備、特
に、大気から負圧への設備の全体コストを大いに低減することにある。
) カセットからチャンバ入口まで及びその後のカセットまでのウエーハの搬送、
(2) チャンバドアの開放及び閉鎖、(3) 処理チャンバとの及び処理チャンバから
のウエーハ交換、(4) ウエーハ取り扱い若しくは冷却準備、(5) 所望の負圧レベ
ルまでの又は或る上昇圧力までのプロセス処理リアクタの吸引又は通気を検討す
ると、統合化と分担化、即ち、無駄動作を達成する同期的多重化共通部材支持サ
ブ組立体によって大きな節約を即座に達成することができることが分かる。
の例として、最近入手可能な最速型フォトレジスト帯片2連チャンバモジュール
ユニットは多くは時間当たり110〜130ウエーハで作動することができる。
のコスト増は伴うが、処理システムの残余の要素は同期的に多重化することによ
り、ウエーハ化学的処理開始の環境準備に広く関連するウエーハ交換の無駄動作
、排気/通気無駄動作及びウエーハ温度調整無駄動作を排除若しくは消去するこ
とにある。
してUeharaの米国特許第4,149,923 号に開示されたものでは単一のウエーハの各
自が別個に排気される単一処理チャンバはマルチチャンバに交換され、単一ウエ
ーハはその全てが一つの共通なバキュームにて順次処理されるようにされ、また
、上述のNamaneの’651 特許のシステムではコンピュータ制御の共通メインウエ
ーハ搬送機構が並列動作されると共に、複数のプラズマリアクタはその各々が固
有の分岐往復型ウエーハ搬送機構により供給され、かつプラズマリアクタはその
各々が固有の真空ポンプを持つようにされる。UeharaもNakaneもそのシステム全
体における冗長性はまだ相当残ったままである。
一斉的な負荷ロック下において、25若しくはそれ以上のウエーハのカセットな
ど、全グループのウエーハを吸引及び通気することである。Blake の米国特許第
5,019,233 号による初期に出現したシステムにおいては、複数の個別的に吸引さ
れる単一プロセスチャンバは中心の内部基板取扱ロボットにより賄われるように
されており、このロボットは25ピースの基板バッチで交互に装填される2連負
荷ロックチャンバを賄うようになっていた。一バッチが熱脱着を提供する負荷ロ
ック吸引を受けている間に、それに先行して吸引を受けた他方のバッチは選定さ
れたプロセスチャンバに中心内部ロボットにより一斉に移送される。従って、負
荷ロック下での休止時間は有効処理(コーティング)時間と均衡され、負荷ロッ
ク下の休止時間が延長されても、バッチロック休止時間が個々のカセットの全バ
ッチの一連処理時間に必要な時間を超えるに至るまでは、装置の生産性を損なう
ことがない。
を凍結させうる冷間プロセスのための湿気制御を含む真空環境においてウエーハ
の搬送を行うのには妥当な理由がある。真空平衡環境内でのウエーハ搬送時間が
早いといっても、生産的ウエーハ処理の全時間に対する相当の割合の割合となっ
ている。
、最適とは言いがたいものである。その理由は、カセットの真空式装填ロック機
構のコストは高価な真空式ウエーハ搬送ロボットと組み合わせたときは特に高価
となると共に、複数のプロセスチャンバを通しての基板スタックの逐次処理にお
いて無駄動作が本来的に必要であることから本当の意味で零無駄動作を提供しえ
ないからである。
々が逐次的処理プロセスにおける内部中心ロボットによって賄われる、異なった
複数の個別的に吸引される処理チャンバはその間に大気レベルでの処理チャンバ
を設けている。このシステムにより額面通りの柔軟性が得られうることに疑念は
ないが、設備費用及び無駄動作においては相当の増大がある。
も、所期の単独ウエーハ処理システムが十分な効率を達成するたことができなか
ったことを記述した後に、所期のマルチチャンバウエーハ処理装置が処理チャン
バでの処理時間を超過する搬送の無駄時間及び完成ウエーハの搬送のための待機
が原因で収量増大が失敗に終わったことを記述した後、そのため、マルチチャン
バ処理システムにおける更なる収量増大の工夫として、Higashi は複数の処理チ
ャンバを円形コンベヤ上に配置し、円形コンベヤは円形コンベヤに隣接した二つ
の固定の離間搬送ステーションによって支持させ、一つのステーションは未処理
のウエーハを密封シール状態の処理チャンバに移送するためのものであり、もう
一つのステーションは処理されたウエーハを外部に移送するためのものであり、
そして、その際に円形コンベヤは処理チャンバをして一方又は他方の移送ステー
ションに逐次的に整列せしめ、他方ウエーハ処理がその間で実行されるようにす
ることを提案している。Higashi の処理チャンバの各々はそのプラズマリアクタ
のための自前の高周波の電力源を有している。従って、この従来技術においても
収量増大は設備コストの大幅増大により達成されたものであり、各処理チャンバ
における決定的に高コスト要素の正しく100%の重複を伴うものであり、機械
設備の効率もしくは利用の有意な改善ではなかったのである。
圧下でオゾン雰囲気において半導体ウエーハ上にフォトレジストを剥離するため
ラスタ操作レーザを使用する応用において2連チャンバ間において電力源を切り
替えることが公知である。しかしながら、この離れ業というべきものはレーザビ
ームを鏡により一方のプロセスチャンバからもう一つのプロセスチャンバに交互
に偏倚させることによってのみ達成されうる。明白なことであるが、Oramirのシ
ステムは極度に高価であり、遅い上市販の通常型の設備に対して価格及び生産性
において競争力を持たないものである。更に、全システムは大気圧若しくは近大
気圧条件にて実施されるものであり、標準的な低圧真空レベル下のものではない
。更に、深い真空処理及びRF電力切替に関連する特別な複雑性に起因して、Or
amirには、この発明の目的である、大気圧から真空に至る2連処理チャンバと交
互かつ同期的に多重切替可能高周波電力供給については暗示はない。
ズマリアクタ間での交互の高周波電力を提供し、一方のチャンバでの処理を他方
のチャンバでの重複なしに他方のチャンバでの上述の無駄仕事を行わせることに
より全設備費用の実質的減少下で全設備的な生産量を有意に増加させる方法の必
要性については長期にわたっての要望があったものであり、かかる方法を提供す
ることにこの発明の目的はある。
の構成、作用及び結果に応じて前述及びそれ以外の目的を達成しかつ前述の及び
以下説明の利点及び効果を奏するものである。この出願人の発明には、この発明
の目的及び利点を達成する以下説明の装置及び方法の双方が独立に含まれる。こ
の発明の双方の形態は以下に記述されており、この出願人の意図は双方の形態を
権利請求するものであるが、以下では状況に応じて説明の明瞭及び簡明のため、
この発明の各種の観点及び特徴を記述するため装置若しくは方法又は装置又はそ
れとは異なった実現形態を使用することになろう。
周波電力を一対の処理チャンバの一方に供給する工程と、一方の処理チャンバ単
独において強真空下においてワークピースの有効処理を行いつつ実質的に大気圧
下で他方の処理チャンバにおける他のワークピースの処理に関する実質的に全て
の後処理的および前処理的無駄作業を同時に実行する段階と、その後に前記他方
の処理チャンバへの電力供給によって前記工程を逆転させ、他方の処理チャンバ
単独において強真空下において他方のワークピースの有効処理を行いつつ実質的
に大気圧下で一方の処理チャンバにおける第3のワークピースの処理に関する実
質的に全ての無駄作業を同時に実行する段階と、前記の段階の全てを連続的に繰
返す段階とからなる。
クロ波電力を供給し、一対の処理チャンバ間で共通の高周波源を同期的に多重化
(multiplexing)し、下流若しくはチャンバ内プラズマリアクタにおいてワークピ
ース(複数)を有効に処理し、一つの処理チャンバにおける一つのワークピース
の有効処理は他のチャンバでの他のワークピースの重複した処理なしに行い、有
効処理段階はチャンバのドアを閉鎖して行い、この際、次ぎに処理すべきワーク
ピースは内側とし、ワークピースの処理の完了においてそのチャンバのドアの開
放で前記段階を終わらせ、更に、ロボットは有効処理段階の開始と終わりの間で
無駄作業の全てを開始しかつ完了する。
高周波数電力源を複数の処理チャンバ間で交互に切り替える段階と、ワークピー
スの処理を強真空の処理チャンバで行いつつ他の一つの処理チャンバの非作動下
において次ぎに処理する他のワークピースに対する後処理及び前処理的無駄作業
を実質的な大気圧下で同時に実施する段階と、前記段階の全てを連続的に繰返す
段階とを具備する。
工程を具備するもので、処理チャンバを近接して設置し、一対の処理チャンバ間
でマイクロ波電力源を同期的にマルチプレックスし、下流若しくはチャンバ内プ
ラズマリアクタにおいてワークピースを有効処理し、一つの処理チャンバにおけ
る一つのワークピースの有効処理を他の処理チャンバにおける他のワークピース
の処理を重複させることなく行い、チャンバのドアを閉鎖しつつ前記有効処理段
階を開始し、この際、次ぎに処理すべきワークピースは内側にし、ワークピース
の処理の完了でチャンバのドアの閉鎖でその段階を終了し、かつロボットは有効
処理工程の開始と終了との間で前記作業の全てを開始しかつ終了する。
連続処理方法は以下の諸段階を有するものであり、(a) 共通の電力源を第1チャ
ンバON及び第2チャンバOFFで切り替え、(b) 第1のチャンバにおけるワー
クピースを完了まで処理しつつ、同時に、処理されたワークピースを第2のチャ
ンバから取出しかつ第2のチャンバに処理すべき他のワークピースを装填し、(c
) 共通の電力源を第1のチャンバOFF に第2のチャンバONに切り替え、(d) ワー
クピースを第2のチャンバで完了まで処理すると共に、同時に、処理されたワー
クピースを第1のチャンバから排出しかつ処理すべき更に別のワークピースで第
1のチャンバを再装填し、そして、(e) 工程(a) −(d) を連続的に繰返している
。
階プロセッサを通してワークピースの連続処理方法は次の諸段階からなるもので
、(a) 第1段階プロセッサを第1のパスに切替しつつ第1段階プロセッサの第2
パスに対する出力を阻止すると共に第2のパスを閉鎖し、(b) ワークピースを第
2段階の第1チャンバで完成に至るまで処理すると共に、同時に、処理を受けた
ワークピースを第2段階の第2チャンバから取出しかつ第2段階の第2チャンバ
を処理すべき他のワークピースで再装填し、(c) 第1段階のプロセッサの出力を
第2パスに切替つつ、第1パスに対する第1段階プロセッサの出力を切替かつ第
2パスを閉鎖し、(d) 第1段階の出力を使用して第2段階の第2チャンバにおけ
るワークピースの処理を完成に至るまで行いつつ、第2段階の第1チャンバから
処理されたワークピースを取出すと共に第2段階の第1チャンバを処理すべき他
のワークピースで再装填し、(e) 前記段階(a) −(d) を連続的に繰返す。
って、共通切替可能RF 電力源、スロットルバルブ、ガスボックス、圧力変換器
、真空ポンプなどの、高コストのサブシステムの大多数が二つのプロセスチャン
バ間で償却することができる。
ト除去、ウエーハクリーニングなどのバリエーションに応用可能である。
これは新規である。
ハ処理については、このシステムの結果はバキュームロード−ロックシステムの
それを凌駕しており、しかもロード−ロック及びバキュームロボットに対しコス
ト増とならない。
ての通常な無駄動作を本質的に排除しうる仮想的な連続的非停止ウエーハ処理を
達成する。
することなく全体の機械的生産量及び利用を改善する。
ルであるということを容認すると、この発明のシステムの生産性は時間あたり2
00ウエーハにまでと倍以上になり、システムのコストについては一般的にはた
った10〜20%の増加に抑えうる。
間システムアーキテクチャ10はプロセスガスを制御する一群の質量流量コント
ローラ装置20、マイクロ波およびRF電力源22、及び任意要素としての単一
バキューム源34を具備している。重要な相違点は二つのプロセスリアクタチャ
ンバ30, 32を追加した点である。ウエーハ処理は二つの処理チャンバ30, 32で交
互に行われる。一方のリアクタチャンバ30が一つのウエーハの処理を行い、他
方のチャンバ32はベント43(図15)に通気され、完成したウエーハは新規
な未処理のウエーハに交換され、他のチャンバ32は所期の負圧レベルまで吸引
が行われる。任意的構成要素であるウエーハ温度制御31, 33は吸引直前に又は吸
引中に実施される。プロセスガス及び真空源20は適当な処理チャンバ30, 32に
リレー及び/若しくはマイクロ波スイッチ24を介し関連するマイクロ波若しく
は高周波電力源22と共に交互切り替えされる。
めの無駄時間はトータルの有効ウエーハ処理時間(図17)より短くなければな
らない。このモードにおいて、殆ど100%に近い有効処理のための設備利用条
件が達成され、これに比べて代表的な状況では利用効率は30%若しくはそれよ
り短いことさえあり、短い処理時間となっていた。付加的なプロセスチャンバ30
, 32はシステムのコストを嵩ませるとしても、追加費用の額は全システムのコス
トの10から20%に過ぎない。現在の市場におけるより進歩したシステムのた
めには、この発明は従来技術における通常の生産量の、大まかにいって実質的に
2倍の全生産量の増加となる。
ける真空プロセスのためのコンピュータ制御同期的多重の無駄動作が殆どゼロ構
造の組立体がその全体を10にて表され、この好適実施形態においては、最も一
般的な形態での図7に示すコンピュータ、前面パネル12(図1,3)、少なく
とも1つのカセット14, 16(図1,3,6)、ロボット15(図4,6)、背面
パネル18(図2,7)、プロセスガス分配ボックス20(図2,7,8)、マ
イクロ波発生器22(図1,2,7,9)、マイクロ波スイッチ24(図2,5
,7,10)、少なくとも一つのプラズマ源26, 28(図2, 5, 7. 11 )及び二つ
の処理チャンバ30, 32(図1, 7, 12)及び少なくとも一つのバキュームポンプ3
4(図7, 13 )が具備される。
セスにおいては、プロセスチャンバ30, 32は真空下において同一若しくは類似の
プロセスを実行するように設定された同一の単一のプロセスチャンバである。プ
ロセスサイクルはロボット15の運動を検討することによって最もよくわかる。
ロボット15の中間サイクルの説明から開始すると、この中間サイクルではロボ
ットは予め通気20を行ったチャンバ30から以前に処理されたウエーハを一つ
のグリッパによって取り出し、これを他のグリッパにて前もってカセット14, 16
(1つ若しくはそれ以上のカセットを使用しうる)から取り出した未処理のウエ
ーハと交換する。バキューム34がそのチャンバ30に通され有効ウエーハ処理
がそのチャンバでプラズマ26の点火により開始され、そのために、プラズマ2
6に共通のマイクロ波エネルギ発生源22はスイッチ24される。第1のウエー
ハを一つのチャンバ30にて処理する間において、ロボット15はカセット14,
16に移動し、それが担持する依然として熱い処理されたウエーハ(フォトレジス
ト灰化の場合)は冷却を受け、ロボットはそのウエーハをカセット14, 16に装填
すると共に、第2の未処理ウエーハを取り出し、以前その上に置かれたウエーハ
の処理を終えたばかりの今や通気20を受けた他のチャンバ32に転ずる。ロボ
ット15は処理されたウエーハを他のチャンバ32から取り出し、それを他のグ
リッパにおける第2の未処理のウエーハと交換する。第2のウエーハが他のチャ
ンバ32において処理を受けている間、ロボットは再びカセット14, 16に移動し
、他方、それが担持する依然として熱い処理済みのウエーハは冷却を受け、その
ウエーハをカセット14, 16に装填し、他方第3の未処理ウエーハを取り出し、再
び今や通気20された、最初のウエーハの処理を丁度完了したばかりの一方のチ
ャンバ30に戻り、このサイクルは繰返される。
ト15の無駄処理(全ての準備的及び事後的ステップ)が、各チャンバ30, 32が
そのウエーハの有効処理を交互にかつ同期的に開始し完了する時間(動力源がス
イッチオンされる時間と動力源がスイッチオフされる時間までの間)内に開始し
かつ終了するときである。
弁は2連チャンバ間で共有することができ、チャンバ30, 32の動作と交互的かつ
同期的に使用される。加えて、上記の部品が共有できることに加え、他の部品の
共有も可能である。共有可能な部品としては、限定的ではないが、終点検出器、
圧力変換器(チャンバにおける圧力計測用マノメータ)、ガスボックス、充填圧
力タンク及び配管、リザーバ及び圧力装置及び配管などである。加えて、図示以
外の他の形態及び共有方式が可能である。
はマイクロ波エネルギがプロセスガスを希薄圧力下で励起するため使用される。
しかしながら、付加的な電力源をこの発明においてプラズマ条件を生成するため
使用しうる。実際問題として、FCCは或る周波数のみを高電力非通信商業用の
ために使用することを許容しており、高周波帯の殆どは通信用に確保されている
。通例は商用の半導体応用に使用されるRF周波数周数は100 KHz, 400 KHz, 13
.56 MHz, 915 MHz及び2.45GHz である。900 Mhz を超過する周波数帯は波長が極
端に短いことから一般的にはマイクロ波周波数と称される。しかしながら、この
ようなマイクロ波も高周波であり、適用しうる全ての高周波を包含するのがこの
発明の意図である。
を取りうる。図19−20に示される出願の実施例2においては、単一アーム(
一つのアームリンクであるが、同時に2枚のウエーハを保持することができる)
の2連グリッパが使用される。好ましいロボットの形態は実施例3(図21−2
3)における以下説明の2連アームロボットであり、その各々は各アームに全体
で二つのウエーハのうちの一つのウエーハを保持する単一グリッパを備える。一
つのウエーハを保持するため一つのグリッパを備えた単一アームリンクは多くの
応用においては遅すぎるというのが通常であるが、長いプロセス用には許容可能
である。
チャンバを有しており、これはロボットの移動は、片側においてカセットに反対
側において処理チャンバに接合するラインに直交する直線路、換言すれば、一方
のグリッパ上の二つのカセットと他方のグリッパ上の二つのチャンバとの間の通
路において行なわれることを意味する。
ロボットは中心にあり、かつカセット及びプロセスリアクタはその周囲の固定半
径上に位置する。新しいロボットは、90度配置上でカセットとプロセスリアク
タと作動する付加的な運動の自由度を有する。
バルブの位置に応じて複数のライン10から選択されかつ流れることができ、こ
れらのバルブはプロセスガス分配ボックス20上に取付けられ、コンピュータプ
ログラム(図示しない)の制御下にある。この発明において使用されるガス及び
分配のためのハードウエア20はすべて通常のものであるものの、これを通じて
のガス流を制御するシステムアーキテクチャ及びソフトウエアプロセスは発明者
の専有にかかるものである。
しかしながら、ガス流の生成は、各プラズマアプリケータ26, 28とチャンバ30,
32の組み合わせに対して別個のラインで交互に、ロボット15による未処理ウエ
ーハの装填、チャンバ30, 32における共通ポンプ34によるバキュームの印加、
チャック31, 33上でのウエーハの加熱、共通マイクロ波供給源22の共通マイク
ロ波スイッチ24による切り替え、スロットル弁36, 37によるチャンバ30, 32に
おける圧力の安定化、チャンバ30, 32の通気41, 43及びロボット15によるチャ
ンバ30, 32からの処理済ウエーハの取り出しと同期して生ずる。業界では周知の
ように、隔離弁38, 39を閉鎖し、バイパス弁45, 47を開放し、オリフィス49, 51
を通してのチャンバ30, 32に対するバキューム34の印加によりスロットル弁36
, 37をバイパスする簡単な低速ポンプを設置することができる。この工程は断熱
膨張速度及び必然的にチャンバ70, 72内での温度降下を減少せしめる。初期の急
速なポンプによる吸引は凝縮と粒子の生成となることから使用はされない。
通気用システム40のポンピングシステムサブシステムは二つのポンプ96, 98と
二つのプロセスチャンバ70, 72のためのスロットル弁94とを備える。このアー
キテクチャはいかなるときにおいてもポンプチャンバ70, 72のうちの一方が作動
プロセスであるという条件を基礎におくものである。チャンバ70, 72を吸引する
ため止め弁86, 92の一方のみが開放され、湿式ポンプ98が作動される。マノメ
ータ64は、止め弁86, 92の適当な一方を開放することにより処理中のチャンバ
70, 72内の圧力を指示する。作動チャンバ圧力を安定化するため、スロットル弁
はチャンバ圧力が過小になるとスロットル弁はその分閉鎖し、チャンバ圧力が過
大となると適当に開放する。
と比較して以下の付加的な有意な作動的特徴及び利点を提供するものである。
圧にのみ使用され、他のポンプはウエーハの処理の間のみにおいて使用される。
な一つは開放されると同時に、関連する止め弁86, 92は閉鎖される。ウエットポ
ンプ98がポンプ機構の潤滑のために油を必要としたときはチャンバ70, 72は逆
流により潤滑油は汚染されうる。しかしながら、油の逆流が惹起されるのは高い
真空条件のときであり、このときはポンプラインにガス分子は殆ど存在せずかつ
オイル分子はチャンバ70, 72に向けて逆流するため或る時間が必要となる。ポン
プによる圧力降下中にチャンバ圧力は760 トルから1トルにまで減少し、圧力降
下サイクルは3から5秒で完了される。高い圧力は多量のガス分子を移動させ短
時間のうちに掃引降下を惹起し、逆流効果を実質的に排除する。
適当する止め弁88,90 の一方は開放し、関連する吸引停止バルブ86, 92を閉鎖す
る。乾燥ポンプ96は、ポンプ機構のために潤滑油を必要としないことによりプ
ロセシングポンプであることが好ましく、従って、吸引ラインを通しての処理チ
ャンバ70, 72への潤滑油の逆流の可能性を排除することができる。乾燥ポンプ9
6は湿潤ポンプ98のコストの約2倍である。乾燥/湿潤ポンピングシステムは
システムの全コストを低減し、ポンプ96, 98の機能の有効利用を図ることができ
る。
チャンバ70, 72の一つだけが常時作動するからである。この構成は、止め弁88,
90の一方を開放しつつ他方を閉鎖しかつ止め弁86, 92を閉鎖することによりスロ
ットル弁を賄い中の一つのチャンバから他のチャンバに切り替えることを可能と
する。
ることからチャンバからチャンバへのプロセスバリエーションの有意な減少が実
現する。
4は急開する必要がある。チャンバ70, 72が基準圧力まで達したとき、スロット
ル弁94は絞り位置まで移動するのを開始し、他方、プロセスガスは流入を開始
する。これは通常はスロットル弁94をして約5秒チャンバを制御せしめ、所望
のプロセス圧力に到達せしめる。減圧動作のためスロットル弁94をパイバスさ
せることにより殆ど5秒間を節約することができる。なぜなら、スロットル弁は
、より急速なプロセス圧力安定化のため所望位置にプリセットすることができる
からである。
ブシステム40のための通気用サブシステムは通常型のガスボックス42を通し
て流入するN2 ガス源を備える。ガスボックスは圧力ゲージ44、止め弁46、
0−100psigといった範囲調節型の圧力制御器48、フィルタ50及び止め弁
52を備える。ガスボックス42はN2 ガスを加圧された充填タンク53に、つ
いで、一対の平行弁56, 60を介してチャンバ70に、そして、一対の平行バルブ
58, 62を介してチャンバ72に分配する。ミニコンベクトロン(miniconvectorn)
78, 80はバルブ82, 84を通してチャンバ70, 72内の圧力の計測を数mTorr のバキ
ュームから760 Torrの大気圧までの広範囲において行う。
る。
25インチ)バルブ60, 62の適当な一つを開放することによって行なわれる。
通気が行なわれ、この急速通気は小オリフィス弁60, 62を閉鎖し大きいオリフィ
ス弁56, 58の適当な一つを開放することにより達成され、圧力ゲージ54により
30psigの好適圧力に維持される充填タンク53からのN2 ガスでチャンバを充
填する。
ャンバ1が通気でチャンバ2が処理中であったとすると、チャンバ2へのガス配
管中のN2 圧力は降下しうる。そして、圧力降下が惹起されるとチャンバ2の処
理ガスの流れは中断されうる。加圧された充填タンク53は電気回路のコンデン
サと等価であり、エネルギを短期間において吸収及び開放することができ、これ
によりプロセスの崩壊を回避することができる。
)の開放によって大気圧に通気されかつロボット15がウエーハをチャンバ70,
72に又はそこから移送中に通気用サブシステム40はブリード弁60, 62(図16
)を通してN2 ガスの適度な徐々のパージを実行し、空気及び湿気がチャンバ70
, 72に流入するのを防止する。
開始しているときの相互作用により、空気のバーストが負圧配管からポンプに進
みかつウエーハを処理するチャンバまで逆流することを恐れて、双方のチャンバ
を単一の真空ポンプに接続するような配慮は無用である。最大の負圧はポンプ水
頭である。もし負圧配管が十分長くかつ径が十分大きければ圧力は均等化しかつ
空間を充填する。吸引を行っている側がポンプに達する時間まで圧力は極めて低
い。他方でウエーハの処理中にプロセスガスは質量流量コントローラを通して送
られている。灰化の場合、全プロセスガス流量は毎分5リットルのオーダーであ
る。従って、処理中のチャンバを出て行くガスは配管中より高圧力下にある。こ
のような動作の鍵は負圧配管が十分に長いことにあり、これにより二つの処理チ
ャンバ間の分離状態を提供することができる。このような分離を補助するため、
負圧ラインはその径が非常に大きく、減圧されているチャンバから膨張する空気
のために大きな容積を提供する。更に、バイパス弁が1/4インチ長さで設けら
れ、減圧されているチャンバからの空気の初期バーストを減速する。1若しくは
2秒後に主ISO 80弁は開放され、より高いコンダクタンスを提供し、残留空気を
チャンバからの急速吸引を行う。
、ある時点においては一つのチャンバのみウエーハの処理を行うことから、2本
の繊維光学ケーブルが一つの光学的加算接合部に入り、ここで二つのチャンバか
らの信号は加算される。明白なことであるが、ある時点では一方のみがUV光を発
生し、従って、光学的スイッチは不必要である。端部点検出器はモノクロメータ
であり、このモノクロメータは一つのスペクトル放出線、大抵はOH線を、選択す
る。端部点検出器は比較的高価である。通常は一つの端部点検出器が各チャンバ
に必要となる。
クルのY軸に沿った作業機能とX軸に沿った時間を示しており、この第1の実施
例では、各々が同一若しくは類似の処理を行う二つの通常型下流リアクタが二つ
の外部(真空に対し)25−ウエーハカセットと、一つの前方及び一つの後方ア
ームを備えた単一外部ロボットによって賄われる。同一のシーケンスが単一の2
5ウエーハカセットを使用して後続する。
/プロセス作業を有する。ウエーハはプロセスチャンバ♯1に対してはカセット
♯1としチャンバ♯2に対してはカセット♯2と位置付けられる。
18によりその軌跡を略示するロボット15の移動を追求することによりもっと
も良く理解されよう。チャンバ1が大気圧に充填され、そのピンが持ち上がりチ
ャンバ1のドアが開放したサイクル点でのチャンバ1における図17の最初の機
能から開始すると、ロボット15は、先行処理したウエーハ1をその後部グリッ
パにてチャンバ1から取出すと共にその前部グリッパにてカセット1(1若しく
は2つのカセットを使用可能)から前もって取り出しておいた未処理のウエーハ
3を180度回転せしめる。それから、ドア1が閉鎖し、そのピンは下降し、負
圧34がチャック31に印加され、チャンバ1は減圧され、プロセスガスはON
され、スロットル弁36(単一ポンププロセス(図16)の場合は94)を調節
することによって安定化され、ウエーハ3の有効処理がチャンバ1のためのプラ
ズマ26の点火をプラズマ26を共通マイクロ波エネルギ発生器22に切り替え
ることによって開始する。他方で、ロボットが新規ウエーハ3をチャンバ1内に
その処理のため定置しその後チャンバ1内におけるウエーハ3の処理の間にロボ
ットはカセット2まで移行し、冷却ステーションにあるが依然として熱いウエー
ハ1を保持する。冷却ステーションは実際にはロボットに指向したブロア35(
図15)からの冷却空気と協働するロボット本体のヒートシンク領域として構成
される。それから、ロボットはウエーハ1をその後部グリッパにてカセット2に
装填し、後退し、新規スロットに割り出しされ、その後部アームで未処理のウエ
ーハを取り出し、予めそこに置かれていて処理を完了したばかりのウエーハ2が
入った今や通気がされたチャンバ2のドアの開放を待機する。ロボット15は処
理済のウエーハ2をチャンバ2からその後部グリッパにり取出し、180度の回
転を行い、チャンバ2に未処理のウエーハ4をその後部グリッパにて定置し、カ
セット1にトラバースし、その間に依然熱い処理されたウエーハ2は冷却され、
ロボットはウエーハ2をカセット1に装填し、後退し、未処理のウエーハ5を取
出し、第1のウエーハ3の処理を丁度終了した今や通気されたチャンバ1にのド
アの開放を待機する。このサイクルは繰返しされる。
らその一方のグリッパで新規ウエーハを取り出すのを完了すると同時に各チャン
バ1, 2が交互に同期的にそのウエーハの処理を完了しかつチャンバ無駄作業時間
が処理時間より短いことである。換言すれば、待機時間がゼロであれば、無駄時
間は殆どゼロであり、機械の処理能力の100%利用が実現する。殆どゼロの待
機時間の実現は、ロボットがその仕事を同一若しくは近時時間で完了するように
増速しつつ、近接チャンバにおける処理時間の短縮及び均等化のため必要なこと
だけで決まる。
に先行して一つのカセットから取り出されるが、しかし、他のカセットには処理
後に返却される。
であるが、多くの点で類似性はある。図19−20ではロボットはいつもチャン
バ2及びカセット2に面して直立し、図19♯1に示すようにその左アームはチ
ャンバ1に近接し、右アームはカセット1に近接し、カセットからチャンバに移
動するため180度の回転は行わず、逆も真である。他の点は全て、実施例1と
2とは同一である。
♯1)から取り出され、処理(♯2)のためのチャンバ1に定置される。ウエー
ハ2はカセット1(♯3)から取り出され、処理(♯4)のためチャンバ2内に
定置される。ウエーハ3はカセット1(♯5)から取り出され、チャンバ1の処
理の完了に従い、ウエーハ1はチャンバ1(♯6)から取り出され、ウエーハ3
(♯7)に交換され、ウエーハ1はカセット1(♯8)にけおるオリジナルスロ
ットに格納され、ウエーハ4はカセット1(♯9)から取り出され、チャンバ2
が処理を完了するに従い、ウエーハ2はチャンバ2(♯10)から取り出され、
ウエーハ(♯11)に交換され、かつウエーハ2はカセット1(♯12)のオリ
ジナルスロットに格納される。
ても全てのウエーハは一つカセットからのみ取り出され、全てのウエーハはいつ
も同一カセットのオリジナルのスロットに他のカセットにおけるウエーハが処理
を開始するに先だって戻される。この手法は代表的といいうる。というのは、工
場設備の作業員若しくはロボットは10から15分ごとに来るかカセットを交換
するだけであり、これは機械の連続使用を可能とし、一方、実施例1では双方の
カセットは同時に処理を行い、全ウエーハは処理に先立ち一つのカセットから取
り出されるが処理後に他のカセットに戻される。
し、この実施例では2連下流型若しくはチャンバ内リアクタはそれぞれが単一外
部(真空に対する)25−ウエーハカセット及び2本の前部アームを有する(図
19−20の第2実施例のロボットと同様)単一の外部ロボットを使用して作動
し、その8個の分離した部分が図22−29ではその機能段階の読み取りの容易
のため拡大して図示される。この実施例では全ての奇数番号のウエーハはチャン
バ1内で処理され、全ての偶数番号のウエーハはチャンバ2内で処理され、しか
しながら、全てのウエーハは単一カセットのその元のスロットに復帰されるよう
になっている。さもなくば、処理ステップは先行の実施例と同一になる.マイク
ロ波エネルギがこの実施例では使用される。加えて、動作シーケンスは単一カセ
ットについて図示されているが、実際はこのシーケンスはカセット♯2、♯3、
♯4に関し、必要あれば6若しくはそれ以上であっても繰返される。
ータは以下の通りである。
、更に経済性及び低コスト化のため単一の共通のプラズマアプリケータ26が使
用され、プラズマアプリケータからのプラズマ励起ガスの流れは100に示すよ
うに一対の別々の処理チャンバ14, 16の一つに選択的にかつ交互に指向される。
この実施形態では図示しないが、プラズマ排気はすこぶる高温であるが、それに
も関わらず、この高温の熱のブラストに耐えることができる材料はあり、下流側
のプラズマ励起プロセスガス流を汚染することがない。この実施形態においては
、非処理ガスチャンバへの通路をシール102, 104し、バキュームを損なうことな
く確保するようにしている。上述の耐熱性の材料から共通の偏倚板100が構成
され、プラズマ排気に近接して取り付けられ、かつ機械的若しくは電気機械的に
作動され、一つの通路においてプラズマ排気を開放した大オリフィスの止め弁1
04を介し二つの処理チャンバの一つの処理に対してかつこれは同期して交互に
偏倚させ、他方大オリフィス止め弁102は他の進路において非処理チャンバに
対して同期的に閉鎖され、逆も真である。プラズマアプリケータが一台完全に不
要となるためコスト増大が排除され、この発明の目的に合致するものである。
ードについての以上の記載は説明及び記述の便宜のためのものである。以上に開
示の細目にこの発明を限り若しくは限定する意図はなく、上記教示に照らして幾
多の変形及び改変がなしうることはいうまでもない。選ばれた実施形態はこの発
明を当業者をして各種の実施形態及び想定した実際的使用に適合した各種の変形
において最善の形で利用できようが、この発明の原理及び実際的な応用の説明の
ため選ばれからつ記載されたものである。この発明の範囲は以下に添付する請求
の範囲により規定されるように意図されている。
前方からの斜視図である。
、上面図、底面図、後面図、右側面図及び左側面図である。
全体的概略フローダイアグラムである。
連下流リアクタ型のより詳細な概略フローダイアグラムである。
クタ型の吸引/通気システムの詳細化された概略ダイアグラムである。
アームと一つの後アームを有する単一の外部ロボットを使用したこの発明の2連
同一単一プロセス下流リアクタ型の第1の具体的実施例の詳細作業機能タイミン
グダイアグラムを表す線グラフである。
軌跡の概略図である。
概略図であり、ロボットは常態に従って直立位置し、一つのアームはチャンバに
近接し、他方のアームはカセットに近接しウエーハを一方のアームから他方に往
復させて特定機能を達成する。
概略図であり、ロボットは常態に従って直立位置し、一つのアームはチャンバに
近接し、他方のアームはカセットに近接しウエーハを一方のアームから他方に往
復させて特定機能を達成する。
部分を示す図22−29の拡大線グラフをどのように適合させることにより図3
0に大きく示される単一の線グラフが生成されるからを概略的に表す。
ーハカセット及び2つの前側(右側及び左側)アーム2連の同一単一プロセス下
流リアクタ形の第2の実施形態の第1の部分の詳細作業機能タイミングダイアグ
ラムの線図である。
の線図である。
の線図である。
の線図である。
の線図である。
の線図である。
の線図である。
の線図である。
(バキュームに対し)25−ウエーハカセット及び2つの前(右側及び左側)ア
ームを有した単一外部ロボットを使用したこの発明の同一単一プロセス下流リア
クタ形の第2の実施形態の完全詳細作業機能タイミングダイアグラムの線グラフ
である。
トの拡大斜視図である。
単一のプラズマアプリケータの概略平面図である。
Claims (69)
- 【請求項1】 複数のワークピースを連続処理する方法であって、 一対の処理チャンバの一方に高周波電力を供給する工程と、 一方の処理チャンバ単独において強真空下でワークピースを有効処理しつつ実
質的に大気圧下で他方の処理チャンバにおいて他方のワークピースの処理に対す
る実質的に全ての前処理的及び後処理的無駄作業を同時に実施する工程と、 他方の処理チャンバへの電力供給の切替により前記工程を逆転させ、他方の処
理チャンバ単独において強真空下で他方のワークピースを有効処理しつつ実質的
に大気圧下で前記一方の処理チャンバにおいて第3のワークピースに対する実質
的に全ての無駄作業を同時に実施する工程と、 上述の全工程を段階順に連続的に繰返す工程、 とを具備した方法。 - 【請求項2】 処置チャンバを相互に隣接して位置せしめる工程を更に具備した請求の範囲1
若しくは9若しくは15の方法。 - 【請求項3】 高周波電力の供給工程はマイクロ波電力を供給する工程よりなる請求の範囲1
若しくは9若しくは15の方法。 - 【請求項4】 高周波電力を供給する工程は共通の高周波電力源を一対の処理チャンバ間で同
期的にマルチプレクシングする工程よりなる請求の範囲1若しくは9若しくは1
5の方法。 - 【請求項5】 ワークピースは半導体ウエーハであり、各有効処理工程は、ワークピースを下
流型プラズマリアクタにて有効処理する工程を更に具備する請求の範囲1若しく
は9若しくは15の方法。 - 【請求項6】 ワークピースは半導体ウエーハであり、各有効処理工程は、ワークピースをチ
ャンバ内臓型プラズマリアクタにて有効処理する工程を更に具備する請求の範囲
1若しくは9若しくは15の方法。 - 【請求項7】 一つのチャンバ単独で同時に有効処理を行う前記工程は一つのチャンバ内での
ワークピースの有効処理を他のチャンバ内での他のワークピースの処理と重なる
ことなく行う段階を更に具備する請求の範囲1若しくは9若しくは15の方法。 - 【請求項8】 一つのチャンバ単独で有効処理を行う段階は 次回に処理すべきワークピースを中にチャンバのドアを閉鎖し有効処理を開始
し、そのワークピースの処理の完了時にそのチャンバのドアを開放してその工程
を終了することよりなり、 その間において全ての無駄作業を同時実行する工程は、 ロボットにより有効処理工程の開始と終了との間に前記の作業を開始しかつ完
了する工程よりなる請求の範囲1若しくは9若しくは15の方法。 - 【請求項9】 複数のワークピースを連続処理する方法であって、 複数の処理チャンバ間に共通の高周波電力源を交互に切り替える工程と、 作動中の一方の処理チャンバ単独において強真空下でワークピースを有効処理
しつつ非作動の他方の処理チャンバにおいて実質的に大気圧下で次ぎに処理する
他のワークピースに対する前処理的及び後処理的無駄作業を同時に実施する工程
と、 上述の全工程を段階順に連続的に繰返す工程、 とを具備した方法。 - 【請求項10】 複数の処理チャンバは2個である請求の範囲1若しくは9若しくは15の方法
。 - 【請求項11】 2連処理チャンバによるワークピースの連続処理方法であって、 (a) 第1のチャンバに第1の被処理ワークピースを初期装填する工程、 (b) 共通の電力源を第1チャンバがON第2チャンバがOFF となるように切り替
える工程、 (c) 第1のチャンバ内でのワークピースの処理を完了に至るまで行うと同時に
第2のチャンバに第2の被処理ワークピースを初期装填する工程、 (d) 共通の電力源を第1チャンバがOFF 第2チャンバがONとなるように切り替
える工程、 (e) 第2のチャンバ内での第2のワークピースの処理を完了に至るまで行うと
同時に第1のチャンバから処理済みのワークピースを取出し第1のチャンバに第
3の被処理ワークピースを装填する工程、 (f) 共通の電力源を第1チャンバがON第2チャンバがOFF となるように切り替
える工程、 (g) 第1のチャンバ内でのワークピースの処理を完了に至るまで行うと同時に
第2のチャンバから処理済のワークピースを取出しかつ第3のチャンバに第4の
被処理ワークピースを装填する工程、及び (h) 継続する各ワークピースに対して逐次的に前記ステップ(d )−(g) を連
続的に繰返しする工程 からなる方法。 - 【請求項12】 2連処理チャンバを通してのワークピースの連続処理方法であって、 (a) 共通の電力源を第1チャンバがON第2チャンバがOFF となるように切り替
える工程、 (b) 第1のチャンバ内でのワークピースの処理を完了に至るまで行うと同時に
第2のチャンバから処理済のワークピースを取出し第2のチャンバに他の被処理
ワークピースを装填する工程、 (c) 共通の電力源を第1チャンバがOFF 、2チャンバがONとなるように切り替
える工程、 (d) 第2のチャンバ内でのワークピースの処理を完了に至るまで行うと同時に
第1のチャンバから処理済のワークピースを取出しかつ第1のチャンバに処理す
べき別のワークピースを装填する工程、及び (e) 継続するステップ(a) −(d) を連続的に繰返しする工程、 からなる方法。 - 【請求項13】 単一の第1ステージプロセッサおよび第2ステージプロセッサの2連チャンバ
を通してのワークピースの連続処理方法であって、 (a) 第1のチャンバに第1の被処理ワークピースを初期装填する工程、 (b) 作動のための第1ステージプロセッサを準備する工程、 (c) 第1パスを開放し、第1ステージプロセッサの出力を第1パスに対して切
り替えつつ第1ステージプロセッサの出力を第2パスに対して阻止しかつ第2パ
スを閉鎖し、 (d) 共通の電力源を第1ステージプロセッサがONとなるように切り替える工程
、 (e) 第2ステージの第1のチャンバ内でのワークピースの処理を第1ステージ
の出力を使用して完了に至るまで行うと同時に第2ステージの第2のチャンバに
被処理ワークピースを初期装填する工程、 (f) 第2パスを開放し、第1ステージプロセッサの出力を第2パスに対して切
り替えつつ第1ステージプロセッサの出力を第1パスに対して阻止しかつ第1パ
スを閉鎖し、 (g) 第2ステージの第2のチャンバ内でのワークピースの処理を第1ステージ
の出力を使用して完了に至るまで行うと同時に第1チャンバから処理済のワーク
ピース取出しかつ第1チャンバに処理すべき他のワークピースを再装填し際装填
ワンを除去し、 (h) 第1パスを開放し、第1ステージプロセッサの出力を第1パスに対して切
り替えつつ第1ステージプロセッサの出力を第2パスに対して阻止しかつ第2パ
スを閉鎖し、 (i) 第1のチャンバ内でのワークピースの処理を完了に至るまで行うと同時に
第2チャンバから処理済のワークピース取出しかつ第2チャンバに処理すべき他
のワークピースを再装填し、 (h) 前記ステップ(f) −(i) を連続的に繰返しする工程、 からなる方法。 - 【請求項14】 単一の第1ステージプロセッサおよび第2ステージプロセッサの2連チャンバ
を通してのワークピースの連続処理方法であって、 (a) 第1ステージプロセッサの出力を第1パスに対して切り替えつつ第1ステ
ージプロセッサの出力を第2パスに対して阻止し、かつ第2パスを閉鎖し、かつ
第1パスを開放し、 (b) 第1パスを開放しかつ第2ステージの第1のチャンバ内でのワークピース
の処理を完了に至るまで行うと同時に第2ステージの第2のチャンバから処理済
のワークピースを取出しかつ第2ステージの第2チャンバに処理すべき他のワー
クピースを再装填する工程、 (c) 第1ステージプロセッサの出力を第2パスに対して切り替えつつ第1ステ
ージプロセッサの出力を第1パスに対して阻止しかつ第1パスを閉鎖し、 (d) 第1パスを開放しかつ第2ステージの第2のチャンバ内でのワークピース
の処理を第1ステージの出力を利用して完了に至るまで行うと同時に第2ステー
ジの第1のチャンバから処理済のワークピースを取出しかつ第2ステージの第1
チャンバに処理すべき他のワークピースを再装填する工程、 (e) 前記ステップ(a )−(d) を連続的に繰返しする工程、 からなる方法。 - 【請求項15】 複数のワークピースを連続処理する方法であって、 (a) 一対の処理チャンバの一方に高周波電力を供給する工程と、 (b) 一方の処理チャンバ単独において強真空下でワークピースを有効処理しつ
つ実質的に大気圧下で他方の処理チャンバにおける第2のワークピースの処理に
対する実質的に全ての前処理的及び後処理的無駄作業を同時に実施する工程と、 (c) 他方の処理チャンバへ高周波電力供給を供給し、他方の処理チャンバ単独
において強真空下で第2のワークピースを有効処理しつつ実質的に大気圧下でそ
こから取り出される第1のワークピースに対する実質的に全ての後処理的無駄作
業及び前記一方の処理チャンバに定置される第3のワークピースに対す実質的に
全ての前処理的無駄作業を同時に実施する工程と、 (d) 前記一方の処理チャンバへ高周波電力供給を供給し、同チャンバ単独にお
いて強真空下で第3のワークピースを有効処理しつつ実質的に大気圧下でそこか
ら取り出される第2のワークピースに対する実質的に全ての後処理的無駄作業及
び前記他方の処理チャンバに定置される第4のワークピースに対す実質的に全て
の前処理的無駄作業を同時に実施する工程と、 (e) 上記ステップ(c) 及び(d) をワークピース番号の偶数と奇数は適宜に置き
換えながら逐次的に連続的に繰返す工程、 とを具備した方法。 - 【請求項16】 有効処理しつつ同時に実行する工程は、ロボットがその一つのグリッパを他の
グリッパと交換のため準備しつつ新規ウエーハをチャンバに近接したカセットか
ら丁度取り出すときにチャンバ内でウエーハの処理を交互的かつ同期的に終了す
る工程を更に具備しており、チャンバ無駄作業時間は処理時間より短い請求の範
囲9若しくは15に記載の方法。 - 【請求項17】 有効処理しつつ同時に実行する工程はロボット待機時間を実質的にゼロにする
工程を更に具備する請求項16に記載の方法。 - 【請求項18】 有効処理しつつ同時に実行する工程はロボット待機時間をゼロ付近にする工程
を更に具備する請求項16に記載の方法。 - 【請求項19】 ロボット待機時間をゼロ付近にする工程は近接チャンバにおける処理時間を短
縮及び均等化しつつロボットをしてその仕事を同一若しくは類似時間で完了する
べく増速する工程を更に具備する請求項18に記載の方法。 - 【請求項20】 有効処理しつつ同時に実行する工程は2つのカセットからワークピースを交互
にかつ同期的に取り出しかつ戻す工程を更に具備し、これにより処理に先立ち一
つのカセットから全ワークピースが取り出されると共に処理後に他のカセットに
戻される請求の範囲16に記載の方法。 - 【請求項21】 有効処理しつつ同時に実行する工程は2つのカセットからワークピースを交互
にかつ同期的に取り出しかつ戻す工程を更に具備し、これにより全ワークピース
は処理前に一つのカセットから取り出され、処理後同一カセットにおけるオリジ
ナルのスロットに他のカセットにおけるいかなるワークピースも処理を開始する
前に戻される請求の範囲9若しくは15に記載の方法。 - 【請求項22】 有効処理しつつ同時に実行する工程は1つのカセットからワークピースを交互
にかつ同期的に取り出しかつ戻す工程を更に具備し、これにより全ての奇数番号
のワークピースは一つのチャンバにて処理されかつ全ての偶数番号のワークピー
スは他のチャンバにて処理され、しかし、全てのワークピースは単一カセットに
おけるオリジナルのスロットに戻される請求の範囲9若しくは15に記載の方法
。 - 【請求項23】 そのチャンバを減圧するバキュームポンプを作動すると同時に減圧工程間にお
いてスロットル弁を迂回し、かつウエーハの処理の間スロットル弁に連結された
そのチャンバのプロセスガスバキュームポンプを作動させることによりチャンバ
の作動圧を安定化する工程を更に具備した請求の範囲9若しくは15に記載の方
法。 - 【請求項24】 一つのチャンバの大気圧に対する通気を他のチャンバにおけるプロセスガス流
を阻害することなく行う工程を更に具備する請求の範囲9若しくは15の方法。 - 【請求項25】 一つのチャンバの初期段階での緩慢な通気に同チャンバの急速通気を即座に後
続させる工程を更に具備した請求の範囲24に記載の方法。 - 【請求項26】 初期の緩慢通気工程は小オリフィス弁の開弁工程を更に具備し、急速通気工程
は開放した小オリフィス弁を閉鎖し、大オリフィス弁を開放し、かつチャンバを
加圧された充填タンクからのガスにて充填する工程を更に具備した請求の範囲2
5に記載の方法。 - 【請求項27】 チャンバへの空気及び湿気の流入のため僅かづつのパージを行いつつチャンバ
の通気をチャンバに対するガスを提供により行う工程を更に具備する請求の範囲
9若しくは15に記載の方法。 - 【請求項28】 負圧リザーバ等価物の提供により単一の負圧ポンプに対する双方のチャンバの
連結時に一つのチャンバから他のチャンバを隔離するための相互作用防止の工程
を更に具備した請求の範囲9若しくは15の方法。 - 【請求項29】 負圧リザーバ等価物の提供による相互作用防止の工程は、一つのチャンバの空
気バーストが負圧配管を介して負圧ポンプに伝達するのを防止しかつウエーハを
処理するチャンバへの他のラインをバックアップする工程を更に具備した請求の
範囲28に記載の方法。 - 【請求項30】 負圧リザーバ等価物の提供による相互作用防止の工程は、負圧配管を十分に長
くかつ十分に径を大きくする工程を更に具備し、これにより空気バースト圧力は
空間を均圧化しかつ充填し、かつ減圧が行われている側での配管におけるポンプ
に達するまでの時間により空気バースト圧力は非常に低くなっている請求の範囲
29に記載の方法。 - 【請求項31】 等価物の提供による相互作用防止の工程は、小オリフィス弁を通しての空気バ
ーストの通過による減圧下のチャンバからの空気の初期バースを低速とし、これ
に続き、1若しくは2秒後に大オリフィス弁を介して空気バーストを通過させる
ことによりチャンバから残留空気を急速吸引する高いコンダクタンスを提供する
工程を更に具備する請求の範囲29の方法。 - 【請求項32】 各チャンバから繊維光学系を通しモノクロメータへの光繊維光伝達によりプロ
セスの端部点を検出するための受光工程を更に具備した請求の範囲9若しくは1
5に記載の方法。 - 【請求項33】 光繊維光伝達によりプロセスの端部点を検出するための受光工程は、チャンバ
のそれぞれの一つが、二つのチャンバからの信号が合成される無スイッチ接合部
を通して処理を行っている最中のみ各チャンバからの光放射を通過させる工程を
更に具備する請求の範囲32に記載の方法。 - 【請求項34】 単一第1ステージプロセス及び第2ステージプロセッサの2連チャンバを通し
てワークピースを処理する連続方法であって: (a) 第2ステージのプロセッサの第1チャンバに被処理ワークピースを初期装
填する工程と、 (b) 第1ステージプロセッサを作動のため準備する工程と、 (c) 第1パスを開放しかつ第2パスを閉鎖しつつ第1ステージプロセッサの出
力を第1パスのみに導く工程と、 (d) 共通の電力源を第1ステージプロセッサONとなるよう切り替える工程と
、 (e) 第1段階の出力を使用して第1チャンバにおけるワークピースを完了に至
るまで処理しつつ、同時に第2段階の第2チャンバに被処理ワークピースを初期
装填する段階と、 (f) 第2パスを開放しかつ第1パスを閉鎖しつつ第1ステージプロセッサの出
力を第2パスのみに導く工程と、 (g) 第1段階の出力を使用して第2チャンバにおけるワークピースを完了に至
るまで処理しつつ、同時に第1チャンバから処理済のワークピースを取り出しつ
つ第1チャンバを処理すべき別のワークピースにて再装填する工程と、 (h) 第1パスを開放しかつ第2パスを閉鎖しつつ第1ステージプロセッサの出
力を第1パスのみに導く工程と、 (i) 第1チャンバにおけるワークピースを完了に至るまで処理しつつ、同時に
第2チャンバから処理済のワークピースを取り出しかつ第2チャンバに処理すべ
き別のワークピースを再装填する工程と、 (j) 上記工程(f) −(i) を連続的に繰返す工程と、 を具備した方法。 - 【請求項35】 単一第1ステージプロセス及び第2ステージプロセッサの2連チャンバを通し
てワークピースを処理する連続方法であって: (a) 第1ステージの出力を第1パスのみに導き第2パスを閉鎖する工程と、 (b) 第1チャンバにおけるワークピースを完了に至るまで処理しつつ、同時に
第2チャンバから処理済のワークピースを取出しかつ第2チャンバに処理すべき
他のワークピースを再装填する段階と、 (c) 第2パスを開放しかつ第1パスを閉鎖しつつ第1ステージプロセッサの出
力を第2パスのみに導き、かつ第1パスを閉鎖する工程と、 (d) 第1ステージの出力を使用しつつ第2チャンバにおけるワークピースを完
了に至るまで処理しつつ、同時に第1チャンバから処理済のワークピースを取り
出しかつ第1チャンバを処理すべき別のワークピースにて再装填する工程と、 (e) 上記工程(a) −(d) を連続的に繰返す工程と、 を具備した方法。 - 【請求項36】 前記指向工程は単一のプラズマアプリケータからのプラズマプ励起ガスの出力
を偏倚させる工程を更に具備する請求項34若しくは35に記載の方法。 - 【請求項37】 前記指向工程は前記出力を一対の処理チャンバの一つのパスに対し交互に阻止
する工程を更に具備する請求の範囲34若しくは35に記載の方法。 - 【請求項38】 前記交互阻止を行う工程は共通偏倚プレートにより前記出力を偏倚させる請求
の範囲37に記載の方法。 - 【請求項39】 前記閉鎖工程は他のチャンバに対するパス内の弁を閉鎖することにより処理中
のチャンバにおいてバキュームを維持する工程を更に具備する請求の範囲34若
しくは35に記載の方法。 - 【請求項40】 ワークピースの連続処理を行う2連チャンバ装置であって: 二つのチャンバ間で切り替え可能な共通の電力源を備え、 第1チャンバは、電力源が印加されONとなったとき、ワークピースをしてその
完了に至るまでの処理を行い、 ワークピースを第1の処理チャンバ内で処理しつつ処理済のワークピースを第
2チャンバから実質的に大気圧下で取出しかつ第2チャンバに処理すべき他のワ
ークピースにて再装填するロボットを具備し、 第2チャンバは動力源が印加されスイッチONされたとき他のワークピースを
強負圧下でその完了まで処理し、 ロボットは処理済のワークピースを実質的に大気圧下で第1チャンバから取出
し、かつ第1チャンバに他の被処理ワークピースを装填しつつその間ワークピー
スは第2チャンバにおいて処理を受けており、かつ、 電力源の繰返し的同期的交互制御、ロボットの移動及び上述のチャンバ処理の
ためのコンピュータを具備した装置。 - 【請求項41】 前記チャンバは相互に近接位置する請求の範囲40に記載の装置。
- 【請求項42】 電力源はマイクロ波である請求の範囲40に記載の装置。
- 【請求項43】 電力源は一対の処理チャンバ間で同期的にマルチプレックスされる共通高周波
電力源である請求の範囲40に記載の装置。 - 【請求項44】 各ワークピースは基板であり、処理チャンバは下流プラズマリアクタを更に有
している請求の範囲40に記載の装置。 - 【請求項45】 各ワークピースは基板であり、処理チャンバはチャンバ内臓型プラズマリアク
タを有している請求の範囲40に記載の装置。 - 【請求項46】 チャンバ無駄作業時間はチャンバ処理時間と実質的に重複しない請求の範囲4
0に記載の装置。 - 【請求項47】 ロボットは二つのグリッパを有し、その一方のグリッパをしてワークピースの
処理を丁度完了したチャンバに近接した他のグリッパと交換準備させつつカセッ
トからの新規ワークピースの取出しを交互にかつ同期して完了するようにされ、
かつチャンバ無駄作業時間はチャンバ処理時間より短い請求の範囲40に記載の
装置。 - 【請求項48】 ロボット待機時間は実質的にゼロである請求の範囲47に記載の装置。
- 【請求項49】 ロボット待機時間は近似的にゼロである請求の範囲47に記載の装置。
- 【請求項50】 チャンバに近接して支持された二つのカセットを有し、処理に先立ち一つのカ
セットから全ワークピースは交互にかつ同期的に取り出され、処理後に他のカセ
ットに復帰される請求の範囲40に記載の装置。 - 【請求項51】 チャンバに近接して支持された二つのカセットを有し、処理に先立ち一つのカ
セットから全ワークピースは交互にかつ同期的に取り出され、処理後でかつ他の
カセットにおけるワークピースが処理開始前に同一カセットの元のスロットに復
帰される請求の範囲40に記載の装置。 - 【請求項52】 カセットはチャンバに近接配置され、かつ交互的かつ同期的に、全ての奇数番
号のワークピースは一つのチャンバ内で処理され、全ての偶数番号のワークピー
スは他のチャンバ内で処理され、しかし、全ワークピースは単一カセット 中の
オリジナルのスロットに復帰される請求の範囲40に記載の装置。 - 【請求項53】 チャンバ作動圧力を安定化するためのワークピースの処理中にスロットル弁に
連結されたチャンバプロセッサガスバキュームポンプと、チャンバの減圧中にス
ロットル弁をバイパスするそのチャンバ減圧用バキュームポンプとを有した請求
の範囲40に記載の装置。 - 【請求項54】 一方のチャンバを他方のチャンバにおけるガス流を阻害することなく大気に通
気する通気ラインを備えた請求の範囲40に記載の装置。 - 【請求項55】 通気ラインは一方のチャンバを初期低速通気する第1の通気ラインと、その直
後にそのチャンバを急速通気する第2の通気ラインとを具備する請求の範囲54
に記載の装置。 - 【請求項56】 第1の通気ラインは小オリフィス弁を備え、第2の通気ラインは大オリフィス
弁を備え、かつ加圧充填タンクを備え, 加圧充填タンクは通気ラインに接続され
、チャンバをタンクからのガスにて充填しうる請求の範囲55に記載の装置。 - 【請求項57】 各チャンバに連結されるガス配管を備え、該ガス配管を介してガスは徐々にパ
ージされチャンバ内への空気及び湿気の進入を防止し、同時にチャンバは大気に
通気される請求の範囲40に記載の装置。 - 【請求項58】 バキューム配管はバキュームリザーバ均等物を備え、これは双方のチャンバを
単一バキュームポンプに接続時に一つのチャンバを他のチャンバから隔離するこ
とによりチャンバ間での相互作用を防止する請求の範囲40に記載の装置。 - 【請求項59】 バキュームリザーバ均等物は一つのチャンバの通気時に空気のバーストが負圧
配管を介してバキュームポンプに伝達するのを防止しかつワークピース処理中の
チャンバへの他の配管のバックアップを行う請求の範囲58に記載の装置。 - 【請求項60】 バキュームリザーバ均等物は十分に長くかつ十分に径を大きい負圧配管を有し
、これにより空気バースト圧力は空間を均圧化しかつ充填し、かつ減圧が行われ
ている側での配管におけるポンプに達するまでの時間により空気バースト圧力は
非常に低くなっている請求の範囲59に記載に記載の装置。 - 【請求項61】 バキュームリザーバ均等物は空気バーストが初期に通過することによる減圧下
のチャンバからの空気の初期バーストを低速とする小オリフィス弁と、1若しく
は2秒後に空気バーストを通過させることによりチャンバから残留空気を急速吸
引する高いコンダクタンスを提供する第オリフィス弁とを具備した請求の範囲5
9に記載の装置。 - 【請求項62】 プロセッサにより発生される光放射を通過させる繊維光学系を備え、該繊維光
学系は各チャンバ間とモノクロメータ間に接続され、モノクロメータはプロセス
の端部点を検出する光を受け取る請求の範囲40に記載の装置。 - 【請求項63】 各チャンバからの繊維光学系が無スイッチ接合部に接合され、無スイッチ接合
部において、チャンバの対応の一つが処理中にのみ生ずる各チャンバからの光放
射が通過中に二つのチャンバからの信号が合成されるようにされる請求の範囲6
2に記載の装置。 - 【請求項64】 電力源及び2連チャンバは単一第1ステージチャンバとして構成されかつ形成
され、かつ2連ステージプロセスは、 第1ステージは第2ステージの2連チャンバに近接して支持され、かつチャン
バの一つに連結される第1パスと他のチャンバに連結される第2のパスとを有し
、パスのうち一つに取外し自在に指向可能であり、 各パスを選択的に開放及び閉鎖するための各パスにおけるバルブを備え、 第1ステージの出力が第1パスに指向されたとき第2のパスは閉鎖されかつか
つワークピースが第1チャンバにおいて完成まで処理されつつ、処理済のワーク
ピースは第2のチャンバから同時に取り出され処理すべき他のワークピースと交
換され、かつ、 第1ステージの出力が第2パスに指向されたとき第1のパスは閉鎖されかつワ
ークピースが第2チャンバにおいて完成まで処理されつつ、処理済のワークピー
スは第1のチャンバから同時に取り出され処理すべき他のワークピースと交換さ
れる請求の範囲40に記載の装置。 - 【請求項65】 出力は単一プラズマアプリケータのプラズマ励起プロセスガスの流れである請
求の範囲64の装置。 - 【請求項66】 一対の処理チャンバの一つのパスに対する出口を交互に閉塞するため出口に近
接した取り付けられた共通偏倚板を具備した請求の範囲65に記載の装置。 - 【請求項67】 各ワークピースはその全てが一バッチとして同時処理される多数基板を備えた
カセットを具備した請求の範囲40に記載の装置。 - 【請求項68】 各ワークピースはその全てが一バッチとして同時処理される多数基板を備えた
カセットを具備した請求の範囲9若しくは15に記載の方法。 - 【請求項69】 各ワークピースは基板である請求の範囲9若しくは15に記載の方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020077885A (ja) * | 2020-02-04 | 2020-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7001640B2 (en) * | 2000-05-31 | 2006-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming deposited film |
US6630053B2 (en) * | 2000-08-22 | 2003-10-07 | Asm Japan K.K. | Semiconductor processing module and apparatus |
US20040255862A1 (en) * | 2001-02-26 | 2004-12-23 | Lee Chung J. | Reactor for producing reactive intermediates for low dielectric constant polymer thin films |
JP2002350925A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | カメラの絞り切換え装置 |
US20090001524A1 (en) * | 2001-11-26 | 2009-01-01 | Siegele Stephen H | Generation and distribution of a fluorine gas |
US6682605B2 (en) * | 2002-01-07 | 2004-01-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for removing coating layers from alignment marks |
AU2003245264A1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-11 | Dana Corporation | Plasma-assisted joining |
US7497922B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted gas production |
US20060228497A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-12 | Satyendra Kumar | Plasma-assisted coating |
US20060057016A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-03-16 | Devendra Kumar | Plasma-assisted sintering |
WO2003095237A1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg | Method of decorating large plastic 3d objects |
US20050233091A1 (en) * | 2002-05-08 | 2005-10-20 | Devendra Kumar | Plasma-assisted coating |
US7638727B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-12-29 | Btu International Inc. | Plasma-assisted heat treatment |
US20060233682A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-19 | Cherian Kuruvilla A | Plasma-assisted engine exhaust treatment |
US20060237398A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-26 | Dougherty Mike L Sr | Plasma-assisted processing in a manufacturing line |
US7445817B2 (en) * | 2002-05-08 | 2008-11-04 | Btu International Inc. | Plasma-assisted formation of carbon structures |
WO2004010482A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Axcelis Technologies, Inc. | Dual chamber vacuum processing system |
US7189940B2 (en) * | 2002-12-04 | 2007-03-13 | Btu International Inc. | Plasma-assisted melting |
JP4734231B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2011-07-27 | アイクストロン・インコーポレーテッド | 原子層堆積のサイクル時間改善のための方法と装置 |
US20050205210A1 (en) * | 2004-01-06 | 2005-09-22 | Devine Daniel J | Advanced multi-pressure workpiece processing |
JP2005286102A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置および真空処理方法 |
WO2006127037A2 (en) * | 2004-11-05 | 2006-11-30 | Dana Corporation | Atmospheric pressure processing using microwave-generated plasmas |
US7467916B2 (en) * | 2005-03-08 | 2008-12-23 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-manufacturing apparatus equipped with cooling stage and semiconductor-manufacturing method using same |
KR101412063B1 (ko) * | 2007-09-02 | 2014-07-18 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 저비용 고생산성을 갖는 향상된 고속 기판 처리 시스템 |
JP2010539887A (ja) * | 2007-09-19 | 2010-12-16 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 無線電力磁気共振器から生じた電力を最大化すること |
US20090206056A1 (en) * | 2008-02-14 | 2009-08-20 | Songlin Xu | Method and Apparatus for Plasma Process Performance Matching in Multiple Wafer Chambers |
US20110100554A1 (en) * | 2009-09-09 | 2011-05-05 | Applied Materials, Inc. | Parallel system for epitaxial chemical vapor deposition |
US8721798B2 (en) * | 2010-04-30 | 2014-05-13 | Applied Materials, Inc. | Methods for processing substrates in process systems having shared resources |
JP5698043B2 (ja) * | 2010-08-04 | 2015-04-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造装置 |
JP5276679B2 (ja) * | 2011-02-01 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP6107327B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びガス供給装置並びに成膜方法 |
US20160281236A1 (en) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | Alta Devices, Inc. | Substrate processing using interleaved load lock transfers |
DE102017214687A1 (de) * | 2017-08-22 | 2019-02-28 | centrotherm international AG | Behandlungsvorrichtung für Substrate und Verfahren zum Betrieb einer solchen Behandlungsvorrichtung |
JP7033950B2 (ja) * | 2018-02-19 | 2022-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス分配装置および処理装置 |
DE102018112853A1 (de) * | 2018-05-29 | 2019-12-05 | Meyer Burger (Germany) Gmbh | Belüftungsvorrichtung und Vakuumproduktionsanlage |
US20200256228A1 (en) * | 2019-02-13 | 2020-08-13 | Applied Materials, Inc. | Vacuum Pumps For Single And Multi-Process Chamber Flow Stream Sharing |
CN113728421A (zh) * | 2019-04-19 | 2021-11-30 | 朗姆研究公司 | 四站式处理模块的前级管道组件 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4105916A (en) | 1977-02-28 | 1978-08-08 | Extranuclear Laboratories, Inc. | Methods and apparatus for simultaneously producing and electronically separating the chemical ionization mass spectrum and the electron impact ionization mass spectrum of the same sample material |
JPS5421175A (en) | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Improvement of plasma reaction processor |
JPS5739430U (ja) | 1980-08-14 | 1982-03-03 | ||
US4560417A (en) | 1981-12-30 | 1985-12-24 | Technomex Development, Ltd. | Decontamination method for semiconductor wafer handling equipment |
JPS59112623A (ja) * | 1982-12-17 | 1984-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
US4702205A (en) | 1984-03-06 | 1987-10-27 | David Constant V | External combustion vane engine with conformable vanes |
US4638176A (en) | 1985-08-01 | 1987-01-20 | Mullett Associates, Inc. | Uninterruptible power supply |
US4640224A (en) | 1985-08-05 | 1987-02-03 | Spectrum Cvd, Inc. | CVD heat source |
US4692343A (en) | 1985-08-05 | 1987-09-08 | Spectrum Cvd, Inc. | Plasma enhanced CVD |
JPS63115326A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Shimadzu Corp | プラズマcvd装置 |
US5292393A (en) * | 1986-12-19 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Multichamber integrated process system |
US5138973A (en) * | 1987-07-16 | 1992-08-18 | Texas Instruments Incorporated | Wafer processing apparatus having independently controllable energy sources |
US5225771A (en) | 1988-05-16 | 1993-07-06 | Dri Technology Corp. | Making and testing an integrated circuit using high density probe points |
US5019233A (en) | 1988-10-31 | 1991-05-28 | Eaton Corporation | Sputtering system |
US5000682A (en) | 1990-01-22 | 1991-03-19 | Semitherm | Vertical thermal processor for semiconductor wafers |
JP2787503B2 (ja) * | 1990-02-26 | 1998-08-20 | 住友重機械工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
US5310410A (en) | 1990-04-06 | 1994-05-10 | Sputtered Films, Inc. | Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus |
US5376212A (en) * | 1992-02-18 | 1994-12-27 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Reduced-pressure processing apparatus |
US5338423A (en) | 1992-11-06 | 1994-08-16 | Zilog, Inc. | Method of eliminating metal voiding in a titanium nitride/aluminum processing |
CH687986A5 (de) * | 1993-05-03 | 1997-04-15 | Balzers Hochvakuum | Plasmabehandlungsanlage und Verfahren zu deren Betrieb. |
US5647945A (en) * | 1993-08-25 | 1997-07-15 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
JP3332053B2 (ja) | 1993-10-27 | 2002-10-07 | 清原 まさ子 | チャンバーへのガス供給方法 |
JP3279038B2 (ja) * | 1994-01-31 | 2002-04-30 | ソニー株式会社 | プラズマ装置およびこれを用いたプラズマ処理方法 |
DE4405427C1 (de) | 1994-02-21 | 1995-11-02 | Hennecke Gmbh Maschf | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von endlosen Polyurethan-Formkörpern |
JPH0874028A (ja) * | 1994-09-01 | 1996-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
US5595482A (en) | 1994-10-27 | 1997-01-21 | Parsons; Marshall F. | Airlocking system and method for feeding bulk granular material |
JPH08127861A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-21 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
JP2665202B2 (ja) * | 1995-05-31 | 1997-10-22 | 九州日本電気株式会社 | 半導体ウェハ処理装置 |
US5900105A (en) | 1996-07-09 | 1999-05-04 | Gamma Precision Technology, Inc. | Wafer transfer system and method of using the same |
JP3947761B2 (ja) * | 1996-09-26 | 2007-07-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板搬送機および基板処理方法 |
US5855681A (en) * | 1996-11-18 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Ultra high throughput wafer vacuum processing system |
-
1998
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-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020077885A (ja) * | 2020-02-04 | 2020-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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