JP2002363367A - 半導体装置用シール - Google Patents

半導体装置用シール

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JP2002363367A
JP2002363367A JP2001171564A JP2001171564A JP2002363367A JP 2002363367 A JP2002363367 A JP 2002363367A JP 2001171564 A JP2001171564 A JP 2001171564A JP 2001171564 A JP2001171564 A JP 2001171564A JP 2002363367 A JP2002363367 A JP 2002363367A
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JP
Japan
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seal
semiconductor device
weight
parts
polyol
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Pending
Application number
JP2001171564A
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English (en)
Inventor
Masaki Kawahigashi
正記 川東
Nobuo Keijo
伸雄 慶上
Kazuhiko Kobiki
一彦 木挽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Cable Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Cable Industries Ltd
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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の目的は、シール性に優れた半導体装置
用シールを提供することである。 【解決手段】上記課題は、ムーニー粘度ML
1+10(100℃)が60以上のフッ化ビニリデン−
ヘキサフロロプロピレン共重合体100重量部に対し
て、充填剤10〜100重量部を配合してなる組成物を
ポリオール加硫したことを特徴とする半導体装置用シー
ルによって解決される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用シー
ルに関し、さらに詳しくは、200℃以上の高温にも耐
えうる耐熱性に優れた半導体装置用シールに関する。
【0002】
【従来技術】半導体装置用シールは、半導体の基板であ
るシリコンウエハー等の表面にエッチング、あるいは薄
膜を形成させるなどの処理をするための加工室等に用い
られるシールとして適用され、このシールには耐熱性が
要求されている。
【0003】半導体装置用シールに用いられるエラスト
マーとしては、フッ素系エラストマーがある。フッ素エ
ラストマーとしては、通常、機械的特性の点からフッ化
ビニリデン−ヘキサフロロプロピレン共重合体などの2
元系共重合体で、ムーニー粘度ML1+10(100
℃)が55程度の低いものが用いられ、このベース材料
に対してポリオール架橋剤やアミン架橋剤が配合され、
さらにマグネシウムや鉛系等の重金属を含む受酸剤が配
合される、あるいは有機過酸化物を配合して加硫され
る。また、引張強さ、伸び率、及び圧縮永久歪み特性を
向上させるために、補強剤としてカーボンブラックなど
が配合される。
【0004】しかしながら、このふっ素エラストマーか
らなる半導体装置用シールを用いても、200℃もの高
温雰囲気下での使用環境となった場合には、圧縮永久ひ
ずみが不十分となる場合があり、この傾向は有機過酸化
物にて加硫した場合に顕著となり、特に、エッチングガ
スをチャンバーに導入する開閉部におけるシールに適用
する場合にはこの問題は顕著となった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高温での長
期圧縮永久歪み特性に優れ、さらには200℃以上の高
温にも耐えうる耐熱性に優れた半導体装置用シールを提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題は、 1)ムーニー粘度ML1+10(100℃)が60以上
のフッ化ビニリデン−ヘキサフロロプロピレン共重合体
100重量部に対して、充填剤20〜100重量部を配
合してなる組成物をポリオール加硫したことを特徴とす
る半導体装置用シール。 2)充填剤がサーマルブラックである上記(1)に記載
の半導体装置用シール。によって解決される。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明では、ムーニー粘度ML
1+10(100℃)が60以上のフッ化ビニリデン−
ヘキサフロロプロピレン共重合体を用いる。 ムーニー
粘度ML1+10(100℃)が60未満のフッ化ビニ
リデン−ヘキサフロロプロピレン共重合体では、高温で
の長期使用時における圧縮永久歪特性が低下する。 ム
ーニー粘度ML1+10(100℃)が60以上のフッ
化ビニリデン−ヘキサフロロプロピレン共重合体を用い
ると、高温での長期使用時における圧縮永久歪特性が向
上する点についての理由が不明であるが、おそらく、高
いムーニー粘度のため、高分子量、高架橋となり、高温
での使用環境下においても変形が起こりにくいと推定し
ている。 好ましいムーニー粘度ML1+10(100
℃)としては、65以上、さらに好ましくは70以上で
ある。
【0008】充填剤としては、カーボンブラック、シリ
カ、炭酸カルシウム、クレーなどが例示される。充填剤
は、共重合体100重量部に対して、10〜100重量
部を配合する。10重量部よりも少なければ、圧縮永久
歪特性、及び機械的特性に劣り、100重量部を越える
とシール性能が低下する。したがって、好ましくは、1
5〜90重量部、より好ましくは20〜80重量部であ
る。本発明で使用される充填剤は、例えば、カーボンブ
ラックを用いることが好ましい。 カーボンブラック
は、一般に使用されているMT、FT、SRF、FE
F、HAF、ISAF等の各種のグレードのものが使用
できる。ASTM1765−1987に従って測定した
粒子径が、MTカーボンブラックは200〜500nm
程度のもの、FTカーボンブラックは100〜200n
m程度のもの、SRFカーボンブラックは60〜100
nm程度のもの、FEEカーボンブラックは40〜50
nm程度のものをいう。これらのうち、特に、MTカー
ボン(サーマルブラック)が好ましく用いられる。
【0009】また、本発明ではポリオール加硫する必要
がある。一般的に加硫方法としては、有機過酸化物加
硫、アミン加硫、ポリオール加硫などがあるが、本発明
では半導体装置に必要な高温での圧縮永久歪特性を得る
ためには、ポリオール加硫しなければならない。特定の
フッ素共重合体に対して、充填剤を大量に配合し、ポリ
オール加硫することにより、高温での圧縮永久歪みが向
上するのである。
【0010】ポリオール加硫剤としては、公知のものが
適用でき、例えばビスフェノールAFが用いられる。
ポリオール加硫剤は、共重合体100重量部に対して、
0.5〜5重量部、好ましくは1〜2重量部配合すれば
よい。また、促進剤,受酸剤としては、4級フォスホニ
ウム塩,4級アンモニウム塩,水酸化カルシウム,酸化
マグネシウムなどが用いられる。
【0011】本発明における半導体装置用シールは、圧
縮成形、押出成形等の公知の方法によって成形し、公知
の方法により加硫すればよい。
【0012】以下に、発明の実施例、比較例について説
明する。表1に示した配合組成物をニーダー及びオープ
ンロールにて混練し、175℃で10分間プレス加硫し
てOリング成形した後、さらに230℃で24時間の2
次加硫を行なった。このOリングを下記方法での各特性
試験を行い結果を表1に記した。
【0013】
【表1】
【0014】[高温圧縮永久歪み]上記方法で作成した
Oリングを200℃で1000時間加熱した後、AST
M D1414により圧縮永久歪みを測定した。
【0015】
【発明の効果】本発明によれば、高温時のシール性に優
れた半導体装置用シールを提供することができる。特
に、エッチングガスをチャンバーに導入する開閉部にお
けるシールには最適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/3065 H01L 21/302 B Fターム(参考) 3J040 FA07 HA06 4J002 BD141 BD161 DA036 DE236 DJ016 DJ036 FD016 FD14 FD15 GQ05 5F004 BA00 BB29 BC01 5F045 EB03 EB10 EC05

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ムーニー粘度ML1+10(100℃)
    が60以上のフッ化ビニリデン−ヘキサフロロプロピレ
    ン共重合体100重量部に対して、充填剤10〜100
    重量部を配合してなる組成物をポリオール加硫したこと
    を特徴とする半導体装置用シール。
  2. 【請求項2】 充填剤がサーマルブラックである特許請
    求の範囲第1項記載の半導体装置用シール。
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