JP2002358603A - 磁気再生装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィ
ルタ回路より前段の回路で生じるノイズを低減し、かつ
ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路を
構成する抵抗が発生するノイズがヘッド端子に現れるこ
とを低減する。 【解決手段】 ＭＲヘッド５の一端に再生アンプ回路６
の差動入力の一方を接続し、ＭＲヘッド５の一端と第１
の電源Ｖｃｃとの間に、ＭＲヘッドバイアス電流源１と
ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路１
２と制御端子が抵抗８を介して接地されたトランジスタ
７との直列回路を設け、ＭＲヘッド５の他端を第２の電
源ＧＮＤに接続する。
ルタ回路より前段の回路で生じるノイズを低減し、かつ
ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路を
構成する抵抗が発生するノイズがヘッド端子に現れるこ
とを低減する。 【解決手段】 ＭＲヘッド５の一端に再生アンプ回路６
の差動入力の一方を接続し、ＭＲヘッド５の一端と第１
の電源Ｖｃｃとの間に、ＭＲヘッドバイアス電流源１と
ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路１
２と制御端子が抵抗８を介して接地されたトランジスタ
７との直列回路を設け、ＭＲヘッド５の他端を第２の電
源ＧＮＤに接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果型磁
気ヘッド、いわゆるＭＲヘッドを用いた磁気再生装置に
関するもので、特にＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減
対策に関するものである。
気ヘッド、いわゆるＭＲヘッドを用いた磁気再生装置に
関するもので、特にＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減
対策に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の磁気再生装置におけるＭＲ
ヘッドバイアス電流ノイズの低減回路について説明す
る。
ヘッドバイアス電流ノイズの低減回路について説明す
る。
【０００３】図４はＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減
回路を備えた従来の磁気再生装置の回路図である。図４
において、４１は一端が電源Ｖｃｃに接続されたＭＲヘ
ッドバイアス電流源、４２はＭＲヘッドバイアス電流ノ
イズ低減ＲＣフィルタ回路４９を構成する抵抗（抵抗値
Ｒ２）、４３はＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣ
フィルタ回路４９を構成する容量（容量値Ｃ１）、４４
はヘッド端子、４５はＭＲヘッド（抵抗値Ｒ１）、４６
は再生アンプ回路、４７，４８は端子である。Ｚｉｎは
再生アンプ回路４６の入力抵抗である。
回路を備えた従来の磁気再生装置の回路図である。図４
において、４１は一端が電源Ｖｃｃに接続されたＭＲヘ
ッドバイアス電流源、４２はＭＲヘッドバイアス電流ノ
イズ低減ＲＣフィルタ回路４９を構成する抵抗（抵抗値
Ｒ２）、４３はＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣ
フィルタ回路４９を構成する容量（容量値Ｃ１）、４４
はヘッド端子、４５はＭＲヘッド（抵抗値Ｒ１）、４６
は再生アンプ回路、４７，４８は端子である。Ｚｉｎは
再生アンプ回路４６の入力抵抗である。
【０００４】以上のように構成された磁気再生装置にお
いて、ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減動作について
説明する。
いて、ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減動作について
説明する。
【０００５】上記ＭＲヘッドバイアス電流源４１のノイ
ズは、上記抵抗４２（抵抗値Ｒ２）と容量４３（容量値
Ｃ１）とで構成されるＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低
減ＲＣフィルタ回路４９により低減される。
ズは、上記抵抗４２（抵抗値Ｒ２）と容量４３（容量値
Ｃ１）とで構成されるＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低
減ＲＣフィルタ回路４９により低減される。
【０００６】図５は図４の回路におけるノイズ低減の原
理を説明する原理説明図である。同図において、Ｖｉｎ
は抵抗４２が発生する抵抗ノイズ（電圧）であり、Ｖｏ
ｕｔは抵抗４２の発生する抵抗ノイズによりヘッド端子
４４に現れるノイズ量（電圧）である。その他は図４と
同様である。
理を説明する原理説明図である。同図において、Ｖｉｎ
は抵抗４２が発生する抵抗ノイズ（電圧）であり、Ｖｏ
ｕｔは抵抗４２の発生する抵抗ノイズによりヘッド端子
４４に現れるノイズ量（電圧）である。その他は図４と
同様である。
【０００７】しかし、図５の原理説明図に示すように、
ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路４
９を構成する抵抗４２が発生する抵抗ノイズが、ＭＲヘ
ッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路４９を構
成する容量４３のインピーダンスが小さくなる高周波帯
域で特に顕著にヘッド端子４４に生じる。
ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路４
９を構成する抵抗４２が発生する抵抗ノイズが、ＭＲヘ
ッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路４９を構
成する容量４３のインピーダンスが小さくなる高周波帯
域で特に顕著にヘッド端子４４に生じる。
【０００８】ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフ
ィルタ回路４９を構成する抵抗４２が発生するノイズに
よりヘッド端子４４に現れるノイズ量は、下記の数式で
決まる。
ィルタ回路４９を構成する抵抗４２が発生するノイズに
よりヘッド端子４４に現れるノイズ量は、下記の数式で
決まる。
【０００９】 Ｖｏｕｔ＝[Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）]×Ｖｉｎ ただし、Ｚｉｎ＞＞Ｒ１ である。
【００１０】ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｖｉｎ、Ｖｏｕｔ
は、それぞれ以下のとおりである。
は、それぞれ以下のとおりである。
【００１１】Ｒ１：ＭＲヘッド４５の抵抗値 Ｒ２：抵抗４２の抵抗値 Ｚｉｎ：再生アンプ回路４６の入力抵抗 Ｖｉｎ：抵抗４２の発生する抵抗ノイズ Ｖｏｕｔ：ヘッド端子４４に現れるノイズ量
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成では、
ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路４
９より前段の回路で生じるＭＲヘッドバイアス電流ノイ
ズは確かにＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィ
ルタ回路４９により低減される。
ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路４
９より前段の回路で生じるＭＲヘッドバイアス電流ノイ
ズは確かにＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィ
ルタ回路４９により低減される。
【００１３】ところが、ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ
低減ＲＣフィルタ回路４９を構成する抵抗４２がノイズ
源となり、そのノイズがヘッド端子４４に現れるという
問題があった。
低減ＲＣフィルタ回路４９を構成する抵抗４２がノイズ
源となり、そのノイズがヘッド端子４４に現れるという
問題があった。
【００１４】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回
路を構成する抵抗が発生するノイズの悪影響をも低減す
ることができる磁気再生装置を提供することを目的とす
る。
で、ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回
路を構成する抵抗が発生するノイズの悪影響をも低減す
ることができる磁気再生装置を提供することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、ＭＲヘッドの端子と電源との間に、ＭＲ
ヘッドバイアス電流源およびＭＲヘッドバイアス電流ノ
イズ低減ＲＣフィルタ回路、抵抗を介して制御端子が接
地されたトランジスタからなる直列回路を接続するこ
と、つまり、従来例の構成に対して、抵抗を介して制御
端子が接地された直列のトランジスタを追加すること
で、ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回
路を構成する抵抗が発生するノイズがＭＲヘッドの端子
に現れるのを低減することを特徴とする。
め、本発明は、ＭＲヘッドの端子と電源との間に、ＭＲ
ヘッドバイアス電流源およびＭＲヘッドバイアス電流ノ
イズ低減ＲＣフィルタ回路、抵抗を介して制御端子が接
地されたトランジスタからなる直列回路を接続するこ
と、つまり、従来例の構成に対して、抵抗を介して制御
端子が接地された直列のトランジスタを追加すること
で、ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回
路を構成する抵抗が発生するノイズがＭＲヘッドの端子
に現れるのを低減することを特徴とする。
【００１６】この構成によって、ＭＲヘッドバイアス電
流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路より前段の回路で生じる
ノイズを低減し、かつＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低
減ＲＣフィルタ回路を構成する抵抗が発生するノイズが
ＭＲヘッドの端子に現れるのも低減することができる。
流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路より前段の回路で生じる
ノイズを低減し、かつＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低
減ＲＣフィルタ回路を構成する抵抗が発生するノイズが
ＭＲヘッドの端子に現れるのも低減することができる。
【００１７】以下、請求項毎に説明する。
【００１８】本発明の請求項１記載の磁気再生装置は、
ＭＲヘッドと、ＭＲヘッドの一端に差動入力の一方が接
続された再生アンプ回路と、ＭＲヘッドの一端と第１の
電源との間にあってＭＲヘッドバイアス電流源およびＭ
Ｒヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路、抵
抗を介して制御端子が接地されたトランジスタからなる
直列回路とを備え、ＭＲヘッドの他端を第２の電源と接
続している。
ＭＲヘッドと、ＭＲヘッドの一端に差動入力の一方が接
続された再生アンプ回路と、ＭＲヘッドの一端と第１の
電源との間にあってＭＲヘッドバイアス電流源およびＭ
Ｒヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路、抵
抗を介して制御端子が接地されたトランジスタからなる
直列回路とを備え、ＭＲヘッドの他端を第２の電源と接
続している。
【００１９】この構成によれば、抵抗を介して制御端子
が接地されたトランジスタをＭＲヘッドバイアス電流ノ
イズ低減ＲＣフィルタ回路とＭＲヘッドの一端との間に
追加することで、ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減Ｒ
Ｃフィルタ回路より前段の回路で生じるノイズを低減
し、かつＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィル
タ回路を構成する抵抗が発生するノイズがＭＲヘッドの
一端に現れるのを低減することができる。
が接地されたトランジスタをＭＲヘッドバイアス電流ノ
イズ低減ＲＣフィルタ回路とＭＲヘッドの一端との間に
追加することで、ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減Ｒ
Ｃフィルタ回路より前段の回路で生じるノイズを低減
し、かつＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィル
タ回路を構成する抵抗が発生するノイズがＭＲヘッドの
一端に現れるのを低減することができる。
【００２０】本発明の請求項２記載の磁気再生装置は、
ＭＲヘッドと、ＭＲヘッドの一端および他端に差動入力
の一方および他方がそれぞれ接続された再生アンプ回路
と、ＭＲヘッドの一端と第１の電源との間にあって第１
のＭＲヘッドバイアス電流源および第１のＭＲヘッドバ
イアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路、第１の抵抗を
介して制御端子が接地された第１のトランジスタからな
る直列回路と、ＭＲヘッドの他端と第２の電源との間に
あって第２のＭＲヘッドバイアス電流源および第２のＭ
Ｒヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路、第
２の抵抗を介して制御端子が接地された第２のトランジ
スタからなる直列回路とを備えている。
ＭＲヘッドと、ＭＲヘッドの一端および他端に差動入力
の一方および他方がそれぞれ接続された再生アンプ回路
と、ＭＲヘッドの一端と第１の電源との間にあって第１
のＭＲヘッドバイアス電流源および第１のＭＲヘッドバ
イアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路、第１の抵抗を
介して制御端子が接地された第１のトランジスタからな
る直列回路と、ＭＲヘッドの他端と第２の電源との間に
あって第２のＭＲヘッドバイアス電流源および第２のＭ
Ｒヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路、第
２の抵抗を介して制御端子が接地された第２のトランジ
スタからなる直列回路とを備えている。
【００２１】この構成によれば、抵抗を介して制御端子
が接地された第１および第２のトランジスタを第１およ
び第２のＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィル
タ回路とＭＲヘッドの一端および他端との間にそれぞれ
追加することで、第１および第２のＭＲヘッドバイアス
電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路より前段の回路で生じ
るノイズを低減し、かつ第１および第２のＭＲヘッドバ
イアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路を構成する抵抗
が発生するノイズがＭＲヘッドの一端および他端に現れ
るのを低減することができる。
が接地された第１および第２のトランジスタを第１およ
び第２のＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィル
タ回路とＭＲヘッドの一端および他端との間にそれぞれ
追加することで、第１および第２のＭＲヘッドバイアス
電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路より前段の回路で生じ
るノイズを低減し、かつ第１および第２のＭＲヘッドバ
イアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路を構成する抵抗
が発生するノイズがＭＲヘッドの一端および他端に現れ
るのを低減することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００２３】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態における磁気再生装置用ＭＲヘッドバイア
ス電流ノイズ低減回路を備えた磁気再生装置を示すもの
である。この実施の形態は、再生入力方式がシングルエ
ンド方式のものを示している。図１において、１は一端
が電源Ｖｃｃに接続されたＭＲヘッドバイアス電流源、
２はＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回
路１２を構成する抵抗２（抵抗値Ｒ２）、３はＭＲヘッ
ドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路１２を構成
する容量３（容量値Ｃ１）、４はヘッド端子、５はＭＲ
ヘッド（抵抗値Ｒ１）、６は再生アンプ回路、７は制御
端子が接地されカスケード接続されたトランジスタ、８
はカスケード接続されたトランジスタ７の制御端子に一
端が接続される抵抗（抵抗値Ｒｘ）、９は抵抗８の他端
を接地する電圧源である。１１は端子である。Ｚｉｎは
差動アンプ回路６の入力抵抗である。ＧＮＤは第２の電
源（グラウンド）である。
の実施の形態における磁気再生装置用ＭＲヘッドバイア
ス電流ノイズ低減回路を備えた磁気再生装置を示すもの
である。この実施の形態は、再生入力方式がシングルエ
ンド方式のものを示している。図１において、１は一端
が電源Ｖｃｃに接続されたＭＲヘッドバイアス電流源、
２はＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回
路１２を構成する抵抗２（抵抗値Ｒ２）、３はＭＲヘッ
ドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路１２を構成
する容量３（容量値Ｃ１）、４はヘッド端子、５はＭＲ
ヘッド（抵抗値Ｒ１）、６は再生アンプ回路、７は制御
端子が接地されカスケード接続されたトランジスタ、８
はカスケード接続されたトランジスタ７の制御端子に一
端が接続される抵抗（抵抗値Ｒｘ）、９は抵抗８の他端
を接地する電圧源である。１１は端子である。Ｚｉｎは
差動アンプ回路６の入力抵抗である。ＧＮＤは第２の電
源（グラウンド）である。
【００２４】図３は図１の回路におけるノイズ低減の原
理を説明する原理説明図である。同図において、Ｖｉｎ
は抵抗２が発生する抵抗ノイズ（電圧）であり、Ｖｏｕ
ｔは抵抗２の発生する抵抗ノイズによりヘッド端子４に
現れるノイズ量（電圧）であり、Ｖ１１は端子１１に現
れるノイズ（電圧）である。その他は図１と同様であ
る。
理を説明する原理説明図である。同図において、Ｖｉｎ
は抵抗２が発生する抵抗ノイズ（電圧）であり、Ｖｏｕ
ｔは抵抗２の発生する抵抗ノイズによりヘッド端子４に
現れるノイズ量（電圧）であり、Ｖ１１は端子１１に現
れるノイズ（電圧）である。その他は図１と同様であ
る。
【００２５】図１において、抵抗８を介して制御端子が
接地されカスケード接続されたトランジスタ７がない場
合は、従来の技術で図５を使用して説明したように、Ｍ
Ｒヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路１２
を構成する抵抗２の発生する抵抗ノイズが、ＭＲヘッド
バイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路１２を構成す
る容量３のインピーダンスが小さくなる高周波帯域で特
に顕著にヘッド端子４に現れる。
接地されカスケード接続されたトランジスタ７がない場
合は、従来の技術で図５を使用して説明したように、Ｍ
Ｒヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路１２
を構成する抵抗２の発生する抵抗ノイズが、ＭＲヘッド
バイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路１２を構成す
る容量３のインピーダンスが小さくなる高周波帯域で特
に顕著にヘッド端子４に現れる。
【００２６】しかし、本発明の実施の形態のように、抵
抗８を介して制御端子が接地されカスケード接続された
トランジスタ７をＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減Ｒ
Ｃフィルタ回路１２とヘッド端子４との間に追加するこ
とで、図３の原理説明図に示すように、抵抗２（抵抗値
Ｒ２）の抵抗ノイズＶｉｎにより端子１１に発生するノ
イズＶ１１は、下記のように決まる。
抗８を介して制御端子が接地されカスケード接続された
トランジスタ７をＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減Ｒ
Ｃフィルタ回路１２とヘッド端子４との間に追加するこ
とで、図３の原理説明図に示すように、抵抗２（抵抗値
Ｒ２）の抵抗ノイズＶｉｎにより端子１１に発生するノ
イズＶ１１は、下記のように決まる。
【００２７】Ｖ１１＝｛（Ｒｘ／ｈｆｅ）／［Ｒ２＋
（Ｒｘ／ｈｆｅ）］｝×Ｖｉｎ また、抵抗２の抵抗ノイズによりヘッド端子４に現れる
ノイズＶｏｕｔは、下記のように決まる。
（Ｒｘ／ｈｆｅ）］｝×Ｖｉｎ また、抵抗２の抵抗ノイズによりヘッド端子４に現れる
ノイズＶｏｕｔは、下記のように決まる。
【００２８】 Ｖｏｕｔ＝｛（Ｖｉｎ−Ｖ１１）／Ｒ２｝×Ｒ１ ただし、Ｚｉｎ＞＞Ｒ１である。
【００２９】ここで、（Ｒｘ／ｈｆｅ）＞＞Ｒ２、つま
り、Ｖ１１＝ＶｉｎとなるようなＲｘに抵抗８の抵抗値
を設定すると、ほぼ、Ｖｏｕｔ＝０とできる。
り、Ｖ１１＝ＶｉｎとなるようなＲｘに抵抗８の抵抗値
を設定すると、ほぼ、Ｖｏｕｔ＝０とできる。
【００３０】ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒｘ，Ｚｉｎ，Ｖｉ
ｎ、Ｖｏｕｔは、それぞれ以下のとおりである。
ｎ、Ｖｏｕｔは、それぞれ以下のとおりである。
【００３１】Ｒ１：ＭＲヘッドの抵抗値 Ｒ２：抵抗２の抵抗値 Ｒｘ：抵抗８の抵抗値 Ｖ１１：端子１１に現れるノイズ Ｚｉｎ：再生アンプ回路の入力抵抗 Ｖｉｎ：抵抗２の発生する抵抗ノイズ Ｖｏｕｔ：ヘッド端子４に現れるノイズ量 上記のように、ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣ
フィルタ回路１２を構成する抵抗２の発生する抵抗ノイ
ズが、ヘッド端子４へ及ぼすノイズの影響を低減でき
る。
フィルタ回路１２を構成する抵抗２の発生する抵抗ノイ
ズが、ヘッド端子４へ及ぼすノイズの影響を低減でき
る。
【００３２】（第２の実施の形態）図２は本発明の第２
の実施の形態における磁気再生装置用ＭＲヘッドバイア
ス電流ノイズ低減回路を備えた磁気再生装置を示すもの
である。この実施の形態は、再生入力方式が差動入力方
式のものを示している。図２において、２１，３０は一
端が電源Ｖｃｃ，Ｖｅｅにそれぞれ接続されたＭＲヘッ
ドバイアス電流源、２２,２８はＭＲヘッドバイアス電
流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路３７，３８をそれぞれ構
成する抵抗（抵抗値Ｒ２，Ｒ３）、２３,２９はＭＲヘ
ッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路３７，３
８をそれぞれ構成する容量（容量値Ｃ１，Ｃ２）、２
４,２５はヘッド端子、２６はＭＲヘッド（抵抗値Ｒ
１），２７は再生アンプ回路、３１,３２は制御端子が
接地されカスケード接続されたトランジスタ、３３，３
４はカスケード接続されたトランジスタ３１，３２の制
御端子に一端がそれぞれ接続される抵抗（抵抗値Ｒｘ，
Ｒｙ）、３５，３６は抵抗３３，３４の他端を接地する
電圧源である。
の実施の形態における磁気再生装置用ＭＲヘッドバイア
ス電流ノイズ低減回路を備えた磁気再生装置を示すもの
である。この実施の形態は、再生入力方式が差動入力方
式のものを示している。図２において、２１，３０は一
端が電源Ｖｃｃ，Ｖｅｅにそれぞれ接続されたＭＲヘッ
ドバイアス電流源、２２,２８はＭＲヘッドバイアス電
流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路３７，３８をそれぞれ構
成する抵抗（抵抗値Ｒ２，Ｒ３）、２３,２９はＭＲヘ
ッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路３７，３
８をそれぞれ構成する容量（容量値Ｃ１，Ｃ２）、２
４,２５はヘッド端子、２６はＭＲヘッド（抵抗値Ｒ
１），２７は再生アンプ回路、３１,３２は制御端子が
接地されカスケード接続されたトランジスタ、３３，３
４はカスケード接続されたトランジスタ３１，３２の制
御端子に一端がそれぞれ接続される抵抗（抵抗値Ｒｘ，
Ｒｙ）、３５，３６は抵抗３３，３４の他端を接地する
電圧源である。
【００３３】この実施の形態も、上記第１の実施の形態
と同様に作用することで、抵抗３３，３４で発生するノ
イズがヘッド端子２４，２５に及ぼす影響を低減でき
る。
と同様に作用することで、抵抗３３，３４で発生するノ
イズがヘッド端子２４，２５に及ぼす影響を低減でき
る。
【００３４】ここで、図１および図２の抵抗８，３３，
３４を介して制御端子が接地されカスケード接続された
トランジスタ７，３１，３２は、図１および図２ではバ
イポーラトランジスタとして示していたが、ＭＯＳトラ
ンジスタであっても構わない。
３４を介して制御端子が接地されカスケード接続された
トランジスタ７，３１，３２は、図１および図２ではバ
イポーラトランジスタとして示していたが、ＭＯＳトラ
ンジスタであっても構わない。
【００３５】なお、上記各実施の形態では、ヘッド端子
が直接再生アンプ回路の差動入力に接続されていたが、
レベルシフト回路を介して接続されていてもよい。
が直接再生アンプ回路の差動入力に接続されていたが、
レベルシフト回路を介して接続されていてもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明の磁気再生装置に
よれば、抵抗を介して制御端子が接地されたトランジス
タをＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回
路とヘッド端子との間に追加することで、ＭＲヘッドバ
イアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路より前段の回路
で生じるノイズを低減し、かつＭＲヘッドバイアス電流
ノイズ低減ＲＣフィルタ回路を構成する抵抗が発生する
ノイズがＭＲヘッドの端子へ現れるのを低減することが
できる。
よれば、抵抗を介して制御端子が接地されたトランジス
タをＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回
路とヘッド端子との間に追加することで、ＭＲヘッドバ
イアス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路より前段の回路
で生じるノイズを低減し、かつＭＲヘッドバイアス電流
ノイズ低減ＲＣフィルタ回路を構成する抵抗が発生する
ノイズがＭＲヘッドの端子へ現れるのを低減することが
できる。
【図１】再生入力方式がシングルエンド方式の磁気再生
装置の第１の実施の形態を示す回路図である。
装置の第１の実施の形態を示す回路図である。
【図２】再生入力方式が差動方式の磁気再生装置の第２
の実施の形態を示す回路図である。
の実施の形態を示す回路図である。
【図３】図１の磁気再生装置におけるＭＲヘッドバイア
ス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路を構成する抵抗が発
生するノイズがヘッド端子に現れる原理を示す原理説明
図である。
ス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路を構成する抵抗が発
生するノイズがヘッド端子に現れる原理を示す原理説明
図である。
【図４】再生入力方式がシングルエンド方式の磁気再生
装置の従来例を示す回路図である。
装置の従来例を示す回路図である。
【図５】図４の磁気再生装置におけるＭＲヘッドバイア
ス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路を構成する抵抗が発
生するノイズがヘッド端子に現れる原理を示す原理説明
図である。
ス電流ノイズ低減ＲＣフィルタ回路を構成する抵抗が発
生するノイズがヘッド端子に現れる原理を示す原理説明
図である。
１ ＭＲヘッドバイアス電流源 ２ 抵抗 ３ 容量 ４ ヘッド端子 ５ ＭＲヘッド ６ 再生アンプ回路 ７ トランジスタ ８ 抵抗 ９ 電圧源 １１ 端子 １２ ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィル
タ ２１，３０ ＭＲヘッドバイアス電流源 ２２，２８ 抵抗 ２３，２９ 容量 ２４，２５ ヘッド端子 ２６ ＭＲヘッド ２７ 再生アンプ回路 ３１，３２ トランジスタ ３３，３４ 抵抗 ３５，３６ 電圧源 ３７，３８ ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣ
フィルタ ４１ ＭＲヘッドバイアス電流源 ４２ 抵抗 ４３ 容量 ４４ ヘッド端子 ４５ ＭＲヘッド ４６ 再生アンプ回路 ４７，４８ 端子
タ ２１，３０ ＭＲヘッドバイアス電流源 ２２，２８ 抵抗 ２３，２９ 容量 ２４，２５ ヘッド端子 ２６ ＭＲヘッド ２７ 再生アンプ回路 ３１，３２ トランジスタ ３３，３４ 抵抗 ３５，３６ 電圧源 ３７，３８ ＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣ
フィルタ ４１ ＭＲヘッドバイアス電流源 ４２ 抵抗 ４３ 容量 ４４ ヘッド端子 ４５ ＭＲヘッド ４６ 再生アンプ回路 ４７，４８ 端子
Claims (2)
- 【請求項１】 ＭＲヘッドと、前記ＭＲヘッドの一端に
差動入力の一方が接続された再生アンプ回路と、前記Ｍ
Ｒヘッドの一端と第１の電源との間にあってＭＲヘッド
バイアス電流源およびＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低
減ＲＣフィルタ回路、抵抗を介して制御端子が接地され
たトランジスタからなる直列回路とを備え、前記ＭＲヘ
ッドの他端を第２の電源と接続したことを特徴とする磁
気再生装置。 - 【請求項２】 ＭＲヘッドと、前記ＭＲヘッドの一端お
よび他端に差動入力の一方および他方がそれぞれ接続さ
れた再生アンプ回路と、前記ＭＲヘッドの一端と第１の
電源との間にあって第１のＭＲヘッドバイアス電流源お
よび第１のＭＲヘッドバイアス電流ノイズ低減ＲＣフィ
ルタ回路、第１の抵抗を介して制御端子が接地された第
１のトランジスタからなる直列回路と、前記ＭＲヘッド
の他端と第２の電源との間にあって第２のＭＲヘッドバ
イアス電流源および第２のＭＲヘッドバイアス電流ノイ
ズ低減ＲＣフィルタ回路、第２の抵抗を介して制御端子
が接地された第２のトランジスタからなる直列回路とを
備えた磁気再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001166665A JP2002358603A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 磁気再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001166665A JP2002358603A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 磁気再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002358603A true JP2002358603A (ja) | 2002-12-13 |
Family
ID=19009172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001166665A Pending JP2002358603A (ja) | 2001-06-01 | 2001-06-01 | 磁気再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002358603A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7839593B1 (en) * | 2006-09-08 | 2010-11-23 | Marvell International, Ltd. | Magneto-resistive biasing methods and systems |
-
2001
- 2001-06-01 JP JP2001166665A patent/JP2002358603A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7839593B1 (en) * | 2006-09-08 | 2010-11-23 | Marvell International, Ltd. | Magneto-resistive biasing methods and systems |
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