JP2002356732A - レニウムタングステン線、プローブピンおよびそれを具備する検査装置 - Google Patents
レニウムタングステン線、プローブピンおよびそれを具備する検査装置Info
- Publication number
- JP2002356732A JP2002356732A JP2001160065A JP2001160065A JP2002356732A JP 2002356732 A JP2002356732 A JP 2002356732A JP 2001160065 A JP2001160065 A JP 2001160065A JP 2001160065 A JP2001160065 A JP 2001160065A JP 2002356732 A JP2002356732 A JP 2002356732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rhenium
- wire
- probe pin
- diameter
- tungsten wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング加工を施してもピンホールが発生
せず、極細線化が可能なレニウムタングステン線、プロ
ーブピンおよびそれを具備する検査装置を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 レニウム含有タングステン合金からな
り、前記合金中の鉄の含有量が１０ｐｐｍ以下であるレ
ニウムタングステン線、プローブピンおよびそれを具備
する検査装置であることを特徴とする。
せず、極細線化が可能なレニウムタングステン線、プロ
ーブピンおよびそれを具備する検査装置を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 レニウム含有タングステン合金からな
り、前記合金中の鉄の含有量が１０ｐｐｍ以下であるレ
ニウムタングステン線、プローブピンおよびそれを具備
する検査装置であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レニウムタングス
テン線、プローブピンおよびそれを具備する検査装置に
関する。
テン線、プローブピンおよびそれを具備する検査装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体集積回路（ＩＣ）や液
晶表示装置（ＬＣＤ）等の電気的特性を検査するため
に、プロ−バが用いられている。この検査は、被検査体
の端子に直接プローブピンを当てて行われるが、このプ
ローブピンには、例えば０．２５ｍｍ程度の径のタング
ステンワイヤを針状に加工したものが主に用いられてい
る。このようなプローブピンに要求される特性として
は、被検査体の端子との接触により変形しないことや、
接触圧が一定で、接触抵抗が低く、かつ変化しないこと
があげられる。
晶表示装置（ＬＣＤ）等の電気的特性を検査するため
に、プロ−バが用いられている。この検査は、被検査体
の端子に直接プローブピンを当てて行われるが、このプ
ローブピンには、例えば０．２５ｍｍ程度の径のタング
ステンワイヤを針状に加工したものが主に用いられてい
る。このようなプローブピンに要求される特性として
は、被検査体の端子との接触により変形しないことや、
接触圧が一定で、接触抵抗が低く、かつ変化しないこと
があげられる。
【０００３】プローブピンが被検査体の端子との接触に
より変形し、復元しない場合には、プローブピンと被検
査体の端子との接触が不良となり、検査が不可能となっ
てしまう。
より変形し、復元しない場合には、プローブピンと被検
査体の端子との接触が不良となり、検査が不可能となっ
てしまう。
【０００４】近年になって、ＩＣの集積度が急激に上が
り、それに伴い、プローバに取り付けられるプローブピ
ンの線径を更に細くし、ピン同士の間隔を狭くし、かつ
プローブピンの取り付け構造を平面的なものから立体的
な方式（先端部を針状に加工し、先鋭化した、または針
状に加工していない垂直ニードル方式など）にしなけれ
ばならなくなってきている。
り、それに伴い、プローバに取り付けられるプローブピ
ンの線径を更に細くし、ピン同士の間隔を狭くし、かつ
プローブピンの取り付け構造を平面的なものから立体的
な方式（先端部を針状に加工し、先鋭化した、または針
状に加工していない垂直ニードル方式など）にしなけれ
ばならなくなってきている。
【０００５】プローブピンの線径が細くなると、単位面
積当たりのピンの配列数を多くできるため、集積度の高
いＩＣの検査に対して有利であるが、反面、ＩＣ端子と
の接触により変形が生じやすくなり、コンタクト不良と
いう不具合が早期に発生する。
積当たりのピンの配列数を多くできるため、集積度の高
いＩＣの検査に対して有利であるが、反面、ＩＣ端子と
の接触により変形が生じやすくなり、コンタクト不良と
いう不具合が早期に発生する。
【０００６】この問題を解決するため、プローブピンの
材質として、タングステンよりも高強度なレニウムを含
有したレニウム含有タングステン合金よりなるレニウム
タングステン線が用いられるようになってきている。
材質として、タングステンよりも高強度なレニウムを含
有したレニウム含有タングステン合金よりなるレニウム
タングステン線が用いられるようになってきている。
【０００７】また、このレニウムタングステン線は、Ｃ
ＲＴ等の電子管用のダンパーワイヤー（アパーチャグリ
ル）、蛍光表示管用フィラメントあるいは放電加工用ワ
イヤーなどにも使用されている。そして、これらの用途
においては、室温あるいは１０００℃以下という比較的
低温で使用されている。
ＲＴ等の電子管用のダンパーワイヤー（アパーチャグリ
ル）、蛍光表示管用フィラメントあるいは放電加工用ワ
イヤーなどにも使用されている。そして、これらの用途
においては、室温あるいは１０００℃以下という比較的
低温で使用されている。
【０００８】上記ＣＲＴ等の電子管用のダンパーワイヤ
ーは、アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ）あるい
はカリウム（Ｋ）等を所定量ドープした直径１５μｍ程
度のドープタングステン線が使用されているが、電子管
作動中に前記ダンパーワイヤーの影が表示部で確認でき
ないようにするために、レニウムタングステン線のよう
な高強度材を使用することで、線径の極細線化の検討が
行われている。
ーは、アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ）あるい
はカリウム（Ｋ）等を所定量ドープした直径１５μｍ程
度のドープタングステン線が使用されているが、電子管
作動中に前記ダンパーワイヤーの影が表示部で確認でき
ないようにするために、レニウムタングステン線のよう
な高強度材を使用することで、線径の極細線化の検討が
行われている。
【０００９】また、蛍光表示管用フィラメントは、直径
８〜２０μｍ程度のドープタングステン線が使用されて
いるが、蛍光表示管の車載用等の耐振性が要求される用
途への使用のため、フィラメント端部のエンドクールゾ
ーンを減少させ表示部を拡大するため、さらには消費電
力を少なくするための低抵抗化のために、レニウムタン
グステン線が使用され始めている。
８〜２０μｍ程度のドープタングステン線が使用されて
いるが、蛍光表示管の車載用等の耐振性が要求される用
途への使用のため、フィラメント端部のエンドクールゾ
ーンを減少させ表示部を拡大するため、さらには消費電
力を少なくするための低抵抗化のために、レニウムタン
グステン線が使用され始めている。
【００１０】また、放電加工用ワイヤーは、直径２０μ
ｍ程度のドープタングステン線が使用されているが、近
年のマイクロマシンのギヤの加工等、さらに極精密な加
工が要求されており、レニウムタングステン線のような
高強度材を使用することで、線径の極細線化の検討が行
われている。
ｍ程度のドープタングステン線が使用されているが、近
年のマイクロマシンのギヤの加工等、さらに極精密な加
工が要求されており、レニウムタングステン線のような
高強度材を使用することで、線径の極細線化の検討が行
われている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上のようなプローブ
ピン、ＣＲＴ等の電子管用のダンパーワイヤー、蛍光表
示管用フィラメントあるいは放電加工用ワイヤー等に使
用されているレニウムタングステン線においては、その
強度等を向上するためにＡｌ，ＳｉあるいはＫ等を所定
量ドープしたドープレニウムタングステン線が使用され
ている。
ピン、ＣＲＴ等の電子管用のダンパーワイヤー、蛍光表
示管用フィラメントあるいは放電加工用ワイヤー等に使
用されているレニウムタングステン線においては、その
強度等を向上するためにＡｌ，ＳｉあるいはＫ等を所定
量ドープしたドープレニウムタングステン線が使用され
ている。
【００１２】例えばプローブピンとして使用した場合
に、今後さらにＩＣの集積度が上がってくると、それに
対応してプローブピンの線径もより細くかつ単位面積当
たりのプローブピンの配列数もより多くする必要がある
ため、プローブピン先端部をより先鋭化にするためにそ
の加工を機械加工からエッチング加工に移行する必要が
ある。しかし、ドープレニウムタングステン線において
その先端部のエッチング加工を行うと、エッチング部に
ピンホール等が発生し、使用時の接触抵抗が変化した
り、ピンホール部にゴミが付着し、さらに接触抵抗が変
化するなどの問題が発生していた。このため従来のドー
プレニウムタングステン線においては、エッチングによ
る先鋭化の後に、再度機械加工を行っていた。
に、今後さらにＩＣの集積度が上がってくると、それに
対応してプローブピンの線径もより細くかつ単位面積当
たりのプローブピンの配列数もより多くする必要がある
ため、プローブピン先端部をより先鋭化にするためにそ
の加工を機械加工からエッチング加工に移行する必要が
ある。しかし、ドープレニウムタングステン線において
その先端部のエッチング加工を行うと、エッチング部に
ピンホール等が発生し、使用時の接触抵抗が変化した
り、ピンホール部にゴミが付着し、さらに接触抵抗が変
化するなどの問題が発生していた。このため従来のドー
プレニウムタングステン線においては、エッチングによ
る先鋭化の後に、再度機械加工を行っていた。
【００１３】また、ＣＲＴ等の電子管用のダンパーワイ
ヤー、蛍光表示管用フィラメントあるいは放電加工用ワ
イヤー等においては、ドープレニウムタングステン線の
さらなる極細線化のための高強度化等のためにレニウム
含有量を増加させることが検討されるが、ドープレニウ
ムタングステン線が難加工材であることから、極細線へ
の伸線加工の際にクラックが発生、さらには断線の問題
が発生していた。この問題を解消するために、加工途中
で焼鈍工程を採用することも検討されるが、頻繁に焼鈍
を行うと上記用途に要求される強度が得られなくなって
しまうという問題が発生してしまう。
ヤー、蛍光表示管用フィラメントあるいは放電加工用ワ
イヤー等においては、ドープレニウムタングステン線の
さらなる極細線化のための高強度化等のためにレニウム
含有量を増加させることが検討されるが、ドープレニウ
ムタングステン線が難加工材であることから、極細線へ
の伸線加工の際にクラックが発生、さらには断線の問題
が発生していた。この問題を解消するために、加工途中
で焼鈍工程を採用することも検討されるが、頻繁に焼鈍
を行うと上記用途に要求される強度が得られなくなって
しまうという問題が発生してしまう。
【００１４】本発明は、上記事情に鑑み、従来のドープ
レニウムタングステン線が使用されてる用途における問
題を解消し、エッチング加工を施してもピンホールが発
生せず、極細線化が可能なレニウムタングステン線、プ
ローブピンおよびそれを具備する検査装置を提供するこ
とを目的とする。
レニウムタングステン線が使用されてる用途における問
題を解消し、エッチング加工を施してもピンホールが発
生せず、極細線化が可能なレニウムタングステン線、プ
ローブピンおよびそれを具備する検査装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１の発明のレニウムタングステン線は、
レニウム含有タングステン合金からなり、前記合金中の
鉄（Ｆｅ）の含有量が１０ｐｐｍ以下であることを特徴
とするものである。
め、本発明の第１の発明のレニウムタングステン線は、
レニウム含有タングステン合金からなり、前記合金中の
鉄（Ｆｅ）の含有量が１０ｐｐｍ以下であることを特徴
とするものである。
【００１６】そして、本発明の第２の発明であるプロー
ブピンは、上記本発明のレニウムタングステン線よりな
ることを特徴とするものである。
ブピンは、上記本発明のレニウムタングステン線よりな
ることを特徴とするものである。
【００１７】さらに、本発明の第３の発明である検査装
置は、上記本発明のプロ−ブピンを具備してなることを
特徴とするものである。
置は、上記本発明のプロ−ブピンを具備してなることを
特徴とするものである。
【００１８】本発明は、上記第１の発明の構成とするこ
とにより、エッチング加工を施してもピンホールが発生
せず、さらには極細線化が可能なレニウムタングステン
線を提供することが可能となる。
とにより、エッチング加工を施してもピンホールが発生
せず、さらには極細線化が可能なレニウムタングステン
線を提供することが可能となる。
【００１９】さらに、上記レニウムタングステン線をプ
ローブピンさらには、そのプローブピンを半導体装置の
検査装置に使用することにより、安定した検査を行うこ
とが可能となる。
ローブピンさらには、そのプローブピンを半導体装置の
検査装置に使用することにより、安定した検査を行うこ
とが可能となる。
【００２０】各請求項の構成に関しては、以下に詳細に
説明する。
説明する。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施するための形
態について説明する。
態について説明する。
【００２２】本発明者らは、エッチング加工の際のピン
ホールの発生、または極細線化の加工の際のクラックや
断線等の発生について検討を重ねた結果、従来のドープ
レニウムタングステン線に含有されている不純物として
の鉄元素が影響することを見出した。
ホールの発生、または極細線化の加工の際のクラックや
断線等の発生について検討を重ねた結果、従来のドープ
レニウムタングステン線に含有されている不純物として
の鉄元素が影響することを見出した。
【００２３】すなわち、この元素はレニウムタングステ
ン線中に単独、あるいは酸化物などの化合物の状態で存
在しており、レニウムタングステン線をエッチングする
と母材であるレニウム含有タングステン合金とはエッチ
ング速度が異なるためにその元素（化合物）のエッチン
グ速度が速い場合にはその部分が多くエッチングされピ
ンホール（凹部）となり、逆にエッチング速度が遅い場
合には、その元素（化合物）の界面で多くエッチングさ
れ、その元素（化合物）が脱落しピンホール（凹部）と
なるのである。
ン線中に単独、あるいは酸化物などの化合物の状態で存
在しており、レニウムタングステン線をエッチングする
と母材であるレニウム含有タングステン合金とはエッチ
ング速度が異なるためにその元素（化合物）のエッチン
グ速度が速い場合にはその部分が多くエッチングされピ
ンホール（凹部）となり、逆にエッチング速度が遅い場
合には、その元素（化合物）の界面で多くエッチングさ
れ、その元素（化合物）が脱落しピンホール（凹部）と
なるのである。
【００２４】なお、本発明で問題とするピンホールは表
面部の直径が１μｍ以上のものをいう。これは、例えば
プローブピンとして使用した場合に、プローブピンのウ
エハーとの接触部に前記以上の直径のピンホールが存在
すると、そのピンホールの存在により接触抵抗への影響
が大きくなるためである。
面部の直径が１μｍ以上のものをいう。これは、例えば
プローブピンとして使用した場合に、プローブピンのウ
エハーとの接触部に前記以上の直径のピンホールが存在
すると、そのピンホールの存在により接触抵抗への影響
が大きくなるためである。
【００２５】さらに極細線化においても、これらの元素
がレニウムタングステン線中に単独、あるいは化合物の
状態で存在していると、線径が例えば３０μｍ以下のよ
うな極細線に伸線加工する際に、それらの元素（化合
物）を起点としてクラックや断線が発生してしまうので
ある。
がレニウムタングステン線中に単独、あるいは化合物の
状態で存在していると、線径が例えば３０μｍ以下のよ
うな極細線に伸線加工する際に、それらの元素（化合
物）を起点としてクラックや断線が発生してしまうので
ある。
【００２６】上記レニウムタングステン中の存在による
ピンホールあるいはクラックや断線の発生を防止するた
めに、本発明においては、その元素の含有量を１０ｐｐ
ｍ以下と規定したのである。Ｆｅの含有量は５ｐｐｍ以
下が好ましく、さらには３ｐｐｍ以下が好ましい。
ピンホールあるいはクラックや断線の発生を防止するた
めに、本発明においては、その元素の含有量を１０ｐｐ
ｍ以下と規定したのである。Ｆｅの含有量は５ｐｐｍ以
下が好ましく、さらには３ｐｐｍ以下が好ましい。
【００２７】さらに本発明においては、上記元素以外
に、モリブデン（Ｍｏ）が３０ｐｐｍ以下であることが
好ましい。
に、モリブデン（Ｍｏ）が３０ｐｐｍ以下であることが
好ましい。
【００２８】これは、Ｍｏがあまり多いとＦｅと同様
に、ピンホールあるいはクラックや断線が発生しやすく
なるためである。Ｍｏの含有量は２０ｐｐｍ以下が好ま
しく、さらには１０ｐｐｍ以下が好ましい。
に、ピンホールあるいはクラックや断線が発生しやすく
なるためである。Ｍｏの含有量は２０ｐｐｍ以下が好ま
しく、さらには１０ｐｐｍ以下が好ましい。
【００２９】さらに本発明においては、上記Ｆｅさらに
はＭｏ以外に、Ａｌ，Ｓｉ及びＫの各元素の含有量が各
々１０ｐｐｍ以下であること好ましい。
はＭｏ以外に、Ａｌ，Ｓｉ及びＫの各元素の含有量が各
々１０ｐｐｍ以下であること好ましい。
【００３０】これは、これらの元素があまり多いとＦｅ
と同様に、ピンホールあるいはクラックや断線が発生し
やすくなるためである。これら各元素の含有量は各々５
ｐｐｍ以下が好ましく、さらには各々３ｐｐｍ以下が好
ましい。
と同様に、ピンホールあるいはクラックや断線が発生し
やすくなるためである。これら各元素の含有量は各々５
ｐｐｍ以下が好ましく、さらには各々３ｐｐｍ以下が好
ましい。
【００３１】さらにに、本発明においては、Ｆｅ，ニッ
ケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ）Ａｌ，Ｓｉ，Ｋ及びナト
リウム（Ｎａ）の各元素の含有量が各々１ｐｐｍ以下で
あることが好ましい。
ケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ）Ａｌ，Ｓｉ，Ｋ及びナト
リウム（Ｎａ）の各元素の含有量が各々１ｐｐｍ以下で
あることが好ましい。
【００３２】これは、これらの元素を更に低下させるこ
とにより極細線への伸線加工時のクラックや断線が発生
を更に防止するためである。これら各元素の含有量は
０．５ｐｐｍ以下が好ましく、さらには０．１ｐｐｍ以
下が好ましい。
とにより極細線への伸線加工時のクラックや断線が発生
を更に防止するためである。これら各元素の含有量は
０．５ｐｐｍ以下が好ましく、さらには０．１ｐｐｍ以
下が好ましい。
【００３３】本発明のレニウムタングステン線の母材で
あるレニウム含有タングステン合金のレニウム（Ｒｅ）
量は０．２〜４０重量％であることが好ましい。
あるレニウム含有タングステン合金のレニウム（Ｒｅ）
量は０．２〜４０重量％であることが好ましい。
【００３４】これは、その含有量があまり少ないとレニ
ウムの固溶により強度向上の効果が得られず、逆にその
量があまり多いとσ相と呼ばれる難加工相が析出しやす
くなり、このσ相により伸線時のクラックや断線が発生
しやすくなると共に、レニウムが高価なため、そのＲｅ
量を０．２〜４０重量％とした。なお、極細線で高強度
を得るためには、その量の下限は１５重量％が好まし
い。また、レニウムタングステン線を、例えばプローブ
ピンとして使用する場合には、そのＲｅ量は２０〜４０
重量％が好ましく、ＣＲＴ等の電子管用のダンパーワイ
ヤー、蛍光表示管用フィラメントあるいは放電加工用ワ
イヤー等として使用する場合には、２０〜３０重量％が
好ましい。
ウムの固溶により強度向上の効果が得られず、逆にその
量があまり多いとσ相と呼ばれる難加工相が析出しやす
くなり、このσ相により伸線時のクラックや断線が発生
しやすくなると共に、レニウムが高価なため、そのＲｅ
量を０．２〜４０重量％とした。なお、極細線で高強度
を得るためには、その量の下限は１５重量％が好まし
い。また、レニウムタングステン線を、例えばプローブ
ピンとして使用する場合には、そのＲｅ量は２０〜４０
重量％が好ましく、ＣＲＴ等の電子管用のダンパーワイ
ヤー、蛍光表示管用フィラメントあるいは放電加工用ワ
イヤー等として使用する場合には、２０〜３０重量％が
好ましい。
【００３５】本発明のレニウムタングステン線中のＲｅ
を除く各元素の含有量は、レニウムタングステン線をク
リーンルームにて酸分解後、ＩＣＰ質量分析装置により
定量を行うことにより、Ｒｅ含有量はＩＣＰ発光分光分
析装置により定量を行うことにより測定する。それらの
測定に際しては、任意の線材を１０試料を測定して得ら
れた値の平均値とする。
を除く各元素の含有量は、レニウムタングステン線をク
リーンルームにて酸分解後、ＩＣＰ質量分析装置により
定量を行うことにより、Ｒｅ含有量はＩＣＰ発光分光分
析装置により定量を行うことにより測定する。それらの
測定に際しては、任意の線材を１０試料を測定して得ら
れた値の平均値とする。
【００３６】以下に、本発明のレニウムタングステン線
の製造方法の一例を説明する。
の製造方法の一例を説明する。
【００３７】例えば平均粒径２〜４μｍ程度の純Ｗ粉末
と平均粒径１〜４μｍの純Ｒｅ粉末を所定量混合し、ボ
ールミルなどで不純物が混入しない状態で十分（例えば
２４時間）混合し、混合粉を得る。この際、純Ｗ粉中さ
らには純Ｒｅ粉中の不純物としてのＦｅ量、さらにはＭ
ｏ量等、本発明で規定する範囲内以下の不純物量である
ことが必要である。その後、得られた混合粉をプレス成
形し縦１５ｍｍ，横１５ｍｍ，長さ６５０ｍｍの成形体
を得た後、水素雰囲気中１３００〜１４００℃で仮焼結
後、２５００〜２８００℃で本焼結（通電焼結）し、焼
結体を得る。得られた焼結体を１４００〜１５００℃に
加熱し、転打加工を行い、直径２ｍｍ程度の線材まで加
工する。得られた線材を常法で目的とする線径まで伸線
加工を行い、本発明のレニウムタングステン線を得る。
なお伸線加工の際に、最終製品での強度が低下しない程
度に適宜歪取り熱処理を行っても良い。
と平均粒径１〜４μｍの純Ｒｅ粉末を所定量混合し、ボ
ールミルなどで不純物が混入しない状態で十分（例えば
２４時間）混合し、混合粉を得る。この際、純Ｗ粉中さ
らには純Ｒｅ粉中の不純物としてのＦｅ量、さらにはＭ
ｏ量等、本発明で規定する範囲内以下の不純物量である
ことが必要である。その後、得られた混合粉をプレス成
形し縦１５ｍｍ，横１５ｍｍ，長さ６５０ｍｍの成形体
を得た後、水素雰囲気中１３００〜１４００℃で仮焼結
後、２５００〜２８００℃で本焼結（通電焼結）し、焼
結体を得る。得られた焼結体を１４００〜１５００℃に
加熱し、転打加工を行い、直径２ｍｍ程度の線材まで加
工する。得られた線材を常法で目的とする線径まで伸線
加工を行い、本発明のレニウムタングステン線を得る。
なお伸線加工の際に、最終製品での強度が低下しない程
度に適宜歪取り熱処理を行っても良い。
【００３８】例えば、プローブピンとして使用する場合
には、所定の線径まで伸線加工を行ない、仕上げ加工と
して表面電解研磨加工を施し、例えばφ０．２５ｍｍの
レニウムタングステン線を得る。得られた線材を対象と
する形状のプローブピンに加工した。この加工は、線材
を真直加工し、その後、切断、メッキ、先端の曲げ加
工、先端部のエッチング加工による先鋭化、プローバ組
み立てという各工程を経て行った。この先鋭化させた先
端部の径は例えば５〜５０μｍ、好ましくは１０〜３０
μｍであり、そのテーパ長さは１〜５ｍｍ、好ましくは
１．５〜２．５ｍｍである。
には、所定の線径まで伸線加工を行ない、仕上げ加工と
して表面電解研磨加工を施し、例えばφ０．２５ｍｍの
レニウムタングステン線を得る。得られた線材を対象と
する形状のプローブピンに加工した。この加工は、線材
を真直加工し、その後、切断、メッキ、先端の曲げ加
工、先端部のエッチング加工による先鋭化、プローバ組
み立てという各工程を経て行った。この先鋭化させた先
端部の径は例えば５〜５０μｍ、好ましくは１０〜３０
μｍであり、そのテーパ長さは１〜５ｍｍ、好ましくは
１．５〜２．５ｍｍである。
【００３９】本発明においては、ＦｅさらにはＭｏ等を
本発明で規定する範囲内に制限しているため、エッチン
グされた表面にはピンホールを発生することが無い。そ
して、伸線加工時においてもクラックや断線を発生を防
止することができる。
本発明で規定する範囲内に制限しているため、エッチン
グされた表面にはピンホールを発生することが無い。そ
して、伸線加工時においてもクラックや断線を発生を防
止することができる。
【００４０】上記本発明のプローブピンは、通常使用さ
れているプローバなどの検査装置に使用することが可能
であり、この本発明のプローブピンを具備した検査装置
を用いることにより、良好な測定を行うことができる検
査装置を得ることが可能である。
れているプローバなどの検査装置に使用することが可能
であり、この本発明のプローブピンを具備した検査装置
を用いることにより、良好な測定を行うことができる検
査装置を得ることが可能である。
【００４１】さらに、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ，
Ｋ及びＮａの各元素の含有量が各々１ｐｐｍ以下のレニ
ウムタングステン線を製造する場合の一例を説明する。
Ｋ及びＮａの各元素の含有量が各々１ｐｐｍ以下のレニ
ウムタングステン線を製造する場合の一例を説明する。
【００４２】まず、純Ｗ粉末にＲｅ粉末を所定量添加し
た後、成形、焼結し、その焼結体を電子ビーム（ＥＢ）
溶解またはアーク溶解などの溶解法によりインゴットを
得た後、熱間で圧延、転打、線引きなどの組成加工を行
うことにより製造することが可能となる。上記各元素が
１ｐｐｍ以下のレニウムタングステン線を得る場合に、
出発原料である純Ｗ粉末および純Ｒｅ粉末について純度
５Ｎ（99.999％以上）以上の高純度のものを使用するこ
とも考えられるが、原料としては非常に高価であり、あ
まり好ましくない。
た後、成形、焼結し、その焼結体を電子ビーム（ＥＢ）
溶解またはアーク溶解などの溶解法によりインゴットを
得た後、熱間で圧延、転打、線引きなどの組成加工を行
うことにより製造することが可能となる。上記各元素が
１ｐｐｍ以下のレニウムタングステン線を得る場合に、
出発原料である純Ｗ粉末および純Ｒｅ粉末について純度
５Ｎ（99.999％以上）以上の高純度のものを使用するこ
とも考えられるが、原料としては非常に高価であり、あ
まり好ましくない。
【００４３】更に具体的には、純度が３Ｎ（99.9％以
上）以上で平均粒径２〜４μｍ程度の純Ｗ粉末及び純度
が３Ｎ以上で平均粒径１〜４μｍの純Ｒｅ粉末をボール
ミル等により不純物が混入しない状態で十分（例えば２
４時間程度）混合した後、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）
成形により２〜４ｔｏｎ／ｃｍ２（１９６〜３９２ＭＰ
ａ）の圧力で成形し、直径３５ｍｍ，長さ６００〜８０
０ｍｍの成形体を得る。得られた成形体をハンドリング
しやすいように１３００℃で３時間程度、仮焼結した
後、２５００〜２８００℃で１〜３時間程度の本焼結を
行う。燒結雰囲気は、仮焼結，本焼結共に、水素雰囲気
または真空で行うことが望ましい。得られた焼結体を１
０〜３０ｋＷの電子ビーム出力によりＥＢ溶解し、水冷
銅の鋳型に鋳込み直径３０〜４０ｍｍ、長さ３００〜１
０００ｍｍのＥＢ溶解のインゴットを得る。なお、溶解
については、ＥＢ溶解ではなく、アーク溶解を用いても
良い。その後、表面の欠陥を除去するために、１ｍｍ程
度の切削加工を行った方が好ましいが、レニウム含有タ
ングステン合金は加工中に、表面が酸化して蒸発し、塑
性加工が進めば進むほど表面がきれいになる傾向がある
ので、この表面加工は行わなくても良い。得られたイン
ゴットを１４００〜１５００℃に加熱し、転打加工を行
い、直径２ｍｍ程度までに加工し線材を得る。なお、転
打ではなく、圧延等の加工を行っても良い。続いて、得
られた線材を常法で目的とする線径まで伸線加工を行
い、本発明のレニウムタングステン線を得る。なお伸線
加工の際に、最終製品での強度が低下しない程度に適宜
歪取り熱処理を行っても良い。
上）以上で平均粒径２〜４μｍ程度の純Ｗ粉末及び純度
が３Ｎ以上で平均粒径１〜４μｍの純Ｒｅ粉末をボール
ミル等により不純物が混入しない状態で十分（例えば２
４時間程度）混合した後、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）
成形により２〜４ｔｏｎ／ｃｍ２（１９６〜３９２ＭＰ
ａ）の圧力で成形し、直径３５ｍｍ，長さ６００〜８０
０ｍｍの成形体を得る。得られた成形体をハンドリング
しやすいように１３００℃で３時間程度、仮焼結した
後、２５００〜２８００℃で１〜３時間程度の本焼結を
行う。燒結雰囲気は、仮焼結，本焼結共に、水素雰囲気
または真空で行うことが望ましい。得られた焼結体を１
０〜３０ｋＷの電子ビーム出力によりＥＢ溶解し、水冷
銅の鋳型に鋳込み直径３０〜４０ｍｍ、長さ３００〜１
０００ｍｍのＥＢ溶解のインゴットを得る。なお、溶解
については、ＥＢ溶解ではなく、アーク溶解を用いても
良い。その後、表面の欠陥を除去するために、１ｍｍ程
度の切削加工を行った方が好ましいが、レニウム含有タ
ングステン合金は加工中に、表面が酸化して蒸発し、塑
性加工が進めば進むほど表面がきれいになる傾向がある
ので、この表面加工は行わなくても良い。得られたイン
ゴットを１４００〜１５００℃に加熱し、転打加工を行
い、直径２ｍｍ程度までに加工し線材を得る。なお、転
打ではなく、圧延等の加工を行っても良い。続いて、得
られた線材を常法で目的とする線径まで伸線加工を行
い、本発明のレニウムタングステン線を得る。なお伸線
加工の際に、最終製品での強度が低下しない程度に適宜
歪取り熱処理を行っても良い。
【００４４】ＣＲＴ等の電子管用のダンパーワイヤー、
蛍光表示管用フィラメントあるいは放電加工用ワイヤー
等の極細線（例えば直径３０μｍ以下）までに加工を行
う場合、上記製法によりＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｋ及びＮａの各元素の含有量が各々１ｐｐｍ以下の
レニウムタングステン線を得ることが可能となり、極細
線への伸線加工においてのクラックや断線等を防止する
ことが可能となる。
蛍光表示管用フィラメントあるいは放電加工用ワイヤー
等の極細線（例えば直径３０μｍ以下）までに加工を行
う場合、上記製法によりＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｋ及びＮａの各元素の含有量が各々１ｐｐｍ以下の
レニウムタングステン線を得ることが可能となり、極細
線への伸線加工においてのクラックや断線等を防止する
ことが可能となる。
【００４５】以下、本発明の具体的実施例を説明する。
【００４６】（実施例１）
【００４７】ＦｅさらにはＭｏ，Ａｌ，Ｓｉ及びＫの各
含有量を変化させた平均粒径３μｍの純Ｗ粉末と平均粒
径２μｍの純Ｒｅ粉末を、Ｒｅ含有量が表１に示す各組
成になるようにボールミルで２４時間混合して混合粉末
を得た。次いで、この混合粉末を、成形圧力１４７ＭＰ
ａにて成形し縦１５ｍｍ，横１５ｍｍ，長さ６５０ｍｍ
の成形体を得た後、水素雰囲気中１３５０℃で仮焼結
後、２８００℃で本焼結（通電焼結）し、焼結体を得
た。得られた焼結体を１４００〜１５００℃に加熱し、
転打加工を行い、直径２ｍｍ程度の線材まで加工した。
得られた線材を常法で直径０．２５ｍｍまで伸線加工を
施し、本発明のレニウムタングステン線を得た。
含有量を変化させた平均粒径３μｍの純Ｗ粉末と平均粒
径２μｍの純Ｒｅ粉末を、Ｒｅ含有量が表１に示す各組
成になるようにボールミルで２４時間混合して混合粉末
を得た。次いで、この混合粉末を、成形圧力１４７ＭＰ
ａにて成形し縦１５ｍｍ，横１５ｍｍ，長さ６５０ｍｍ
の成形体を得た後、水素雰囲気中１３５０℃で仮焼結
後、２８００℃で本焼結（通電焼結）し、焼結体を得
た。得られた焼結体を１４００〜１５００℃に加熱し、
転打加工を行い、直径２ｍｍ程度の線材まで加工した。
得られた線材を常法で直径０．２５ｍｍまで伸線加工を
施し、本発明のレニウムタングステン線を得た。
【００４８】得られたレニウムタングステン中のＲｅ量
は、ＩＣＰ発光分光装置（セイコー電子工業社製：SPR1
200AR）により定量した。また、その他の元素は、クリ
ーンルームにて、酸分解後、ＩＣＰ質量分析装置（セイ
コーインスツルメンツ社製：SPQ9000）により定量を行
った。その結果を表１に併せて示す。
は、ＩＣＰ発光分光装置（セイコー電子工業社製：SPR1
200AR）により定量した。また、その他の元素は、クリ
ーンルームにて、酸分解後、ＩＣＰ質量分析装置（セイ
コーインスツルメンツ社製：SPQ9000）により定量を行
った。その結果を表１に併せて示す。
【００４９】得られたレニウムタングステン線をプロー
ブピンとして使用するために、対象とする形状のプロー
ブピンに加工した。この加工は、線材を真直加工し、そ
の後、切断、メッキ、先端の曲げ加工、先端部のエッチ
ング加工による先鋭化、プローバ（検査装置）組み立て
という各工程を経て行った。この先鋭化させた先端部の
径は３０μｍであり、そのテーパ長さは２ｍｍとした。
ブピンとして使用するために、対象とする形状のプロー
ブピンに加工した。この加工は、線材を真直加工し、そ
の後、切断、メッキ、先端の曲げ加工、先端部のエッチ
ング加工による先鋭化、プローバ（検査装置）組み立て
という各工程を経て行った。この先鋭化させた先端部の
径は３０μｍであり、そのテーパ長さは２ｍｍとした。
【００５０】得られたプローブピンのエッチングにより
先鋭化した部分の１μｍ以上のピンホールの有無（個
数）を電子顕微鏡（ＳＥＭ）により５０００倍に拡大し
て測定した。その結果を表１に示す。また、それらのプ
ローブピンを具備したプローバ（検査装置）を用いて、
先端曲げ角度１００°としてＡｌパッドとの接触による
接触抵抗の評価を行った。ここで、パッドの押し当て荷
重は１ｇｆで接触抵抗を実際に測定した結果も併せて表
１に示す。
先鋭化した部分の１μｍ以上のピンホールの有無（個
数）を電子顕微鏡（ＳＥＭ）により５０００倍に拡大し
て測定した。その結果を表１に示す。また、それらのプ
ローブピンを具備したプローバ（検査装置）を用いて、
先端曲げ角度１００°としてＡｌパッドとの接触による
接触抵抗の評価を行った。ここで、パッドの押し当て荷
重は１ｇｆで接触抵抗を実際に測定した結果も併せて表
１に示す。
【００５１】
【表１】
【００５２】表１から明らかなように、Ｆｅ含有量が１
０ｐｐｍ以下、さらにはＭｏ含有量が３０ｐｐｍ以下又
はＡｌ，Ｓｉ及びの各元素の含有量が各々１０ｐｐｍ以
下である本発明のレニウムタングステン線（試料Ｎｏ．
１，３，５，７，９，１１）を用いたプローブピンは、
エッチングによるピンホールが発生せず、プローブピン
としての接触抵抗も安定しており良好な測定ができた。
これに対し、本発明範囲外のレニウムタングステン線
（試料Ｎｏ．２，４，６，８，１０，１２）を用いたプ
ローブピンは、エッチングによるピンホールが発生し、
プローブピンとしての接触抵抗も良好なものではなかっ
た。
０ｐｐｍ以下、さらにはＭｏ含有量が３０ｐｐｍ以下又
はＡｌ，Ｓｉ及びの各元素の含有量が各々１０ｐｐｍ以
下である本発明のレニウムタングステン線（試料Ｎｏ．
１，３，５，７，９，１１）を用いたプローブピンは、
エッチングによるピンホールが発生せず、プローブピン
としての接触抵抗も安定しており良好な測定ができた。
これに対し、本発明範囲外のレニウムタングステン線
（試料Ｎｏ．２，４，６，８，１０，１２）を用いたプ
ローブピンは、エッチングによるピンホールが発生し、
プローブピンとしての接触抵抗も良好なものではなかっ
た。
【００５３】（実施例２）
【００５４】純度が３Ｎで平均粒径２μｍの純Ｗ粉末と
純度が３Ｎで平均粒径２μｍの純Ｒｅ粉末とを、Ｒｅ含
有量が表２に示す各組成となるように、ボールミルによ
り２４時間混合した。その後、ＣＩＰで直径３５ｍｍ，
長さ７００ｍｍの立方体に３ｔｏｎ／ｃｍ２（２９４Ｍ
Ｐａ）の圧力で成形を行った。得られた成形体をハンド
リングしやすいように水素雰囲気で１３００℃で３時間
仮焼結した後、本焼結を水素雰囲気で２７００℃で２時
間の条件で行った。その結果、直径３０ｍｍ，長さ６０
０ｍｍの焼結体を得た。続いて、２０ｋＷの電子線出力
でＥＢ溶解を行い、直径３０ｍｍ，長さ６００ｍｍのイ
ンゴットを得た。この時のＥＢ溶解前後の分析結果を表
２に示す。なお、分析方法は、実施例１と同様の方法よ
り定量を行った。その結果を表２に示す。
純度が３Ｎで平均粒径２μｍの純Ｒｅ粉末とを、Ｒｅ含
有量が表２に示す各組成となるように、ボールミルによ
り２４時間混合した。その後、ＣＩＰで直径３５ｍｍ，
長さ７００ｍｍの立方体に３ｔｏｎ／ｃｍ２（２９４Ｍ
Ｐａ）の圧力で成形を行った。得られた成形体をハンド
リングしやすいように水素雰囲気で１３００℃で３時間
仮焼結した後、本焼結を水素雰囲気で２７００℃で２時
間の条件で行った。その結果、直径３０ｍｍ，長さ６０
０ｍｍの焼結体を得た。続いて、２０ｋＷの電子線出力
でＥＢ溶解を行い、直径３０ｍｍ，長さ６００ｍｍのイ
ンゴットを得た。この時のＥＢ溶解前後の分析結果を表
２に示す。なお、分析方法は、実施例１と同様の方法よ
り定量を行った。その結果を表２に示す。
【００５５】
【表２】
【００５６】表２より明らかなように、ＥＢ溶解後は、
不純物量が各々１ｐｐｍ以下と減少し、Ｒｅ量は実質的
に減少しておらず、ＥＢ溶解により不純物が低減されて
いる事がわかる
不純物量が各々１ｐｐｍ以下と減少し、Ｒｅ量は実質的
に減少しておらず、ＥＢ溶解により不純物が低減されて
いる事がわかる
【００５７】続いてそれらの不純物含有量の低減が、極
細線への伸線加工に及ぼす影響を調査するために、ＥＢ
溶解前の焼結体及びＥＢ溶解後のインゴット塑性加工を
行った。まず、それぞれを直径３０ｍｍから直径１５ｍ
ｍまでは、１回の減面率（加工前後の断面積の比を１０
０%換算で表したもの）を１０〜１５％とし、1回加工毎
に１５００℃で１０分間の再加熱を行いながら、エアハ
ンマーにより鍛造を行った。続いて、水素雰囲気で１５
００℃で加熱後、圧延加工により直径８ｍｍまで加工を
行った。その後、転打加工で１４００〜１５００℃で直
径５ｍｍの棒材を得た。その後、この棒材を水素中，２
０００℃で約１０分間の焼鈍を行った。続いて、直径５
ｍｍから直径２ｍｍまでは１３００℃で転打加工を行
い、直径２ｍｍから１ｍｍまでは１２００〜１３００℃
で伸線加工を行った。この間の1回の減面率は、５〜８
％程度とした。直径１ｍｍの段階で１３００℃で焼鈍を
行った後、さらに直径０．４ｍｍまで伸線加工を行っ
た。直径０．４ｍｍの段階で水素雰囲気中，１８００℃
で焼鈍した後、直径０．１５ｍｍまで８００〜１０００
℃で伸線加工を行った。その後、直径０．１５ｍｍの段
階で２０００℃で焼鈍を行った後、直径７０μｍまで５
００〜８００℃で伸線加工を行った。その後、直径７０
μｍの段階で２０００℃で焼鈍を行い、直径４０μｍま
で伸線加工を行った。ここまでの減面率は、８〜１０％
とした。
細線への伸線加工に及ぼす影響を調査するために、ＥＢ
溶解前の焼結体及びＥＢ溶解後のインゴット塑性加工を
行った。まず、それぞれを直径３０ｍｍから直径１５ｍ
ｍまでは、１回の減面率（加工前後の断面積の比を１０
０%換算で表したもの）を１０〜１５％とし、1回加工毎
に１５００℃で１０分間の再加熱を行いながら、エアハ
ンマーにより鍛造を行った。続いて、水素雰囲気で１５
００℃で加熱後、圧延加工により直径８ｍｍまで加工を
行った。その後、転打加工で１４００〜１５００℃で直
径５ｍｍの棒材を得た。その後、この棒材を水素中，２
０００℃で約１０分間の焼鈍を行った。続いて、直径５
ｍｍから直径２ｍｍまでは１３００℃で転打加工を行
い、直径２ｍｍから１ｍｍまでは１２００〜１３００℃
で伸線加工を行った。この間の1回の減面率は、５〜８
％程度とした。直径１ｍｍの段階で１３００℃で焼鈍を
行った後、さらに直径０．４ｍｍまで伸線加工を行っ
た。直径０．４ｍｍの段階で水素雰囲気中，１８００℃
で焼鈍した後、直径０．１５ｍｍまで８００〜１０００
℃で伸線加工を行った。その後、直径０．１５ｍｍの段
階で２０００℃で焼鈍を行った後、直径７０μｍまで５
００〜８００℃で伸線加工を行った。その後、直径７０
μｍの段階で２０００℃で焼鈍を行い、直径４０μｍま
で伸線加工を行った。ここまでの減面率は、８〜１０％
とした。
【００５８】直径４０μｍからは、伸線加工性をさらに
明確にするために、１回の減面率を約１５％とし、伸線
加工を実施し直径１０μｍまで加工した。この場合の伸
線加工で使用したダイスの径は、順次、直径で４０μｍ
→３７μｍ→３４μｍ→３０μｍ→任意→２０μｍ→任
意→１０μｍのものを使用した。なお、この伸線加工性
の評価は、直径４０μｍの線材で５００ｇ（長さで約２
０８００ｍに相当）のものを各５本準備し、完全に伸線
できた本数を表した。これを表３に示す。
明確にするために、１回の減面率を約１５％とし、伸線
加工を実施し直径１０μｍまで加工した。この場合の伸
線加工で使用したダイスの径は、順次、直径で４０μｍ
→３７μｍ→３４μｍ→３０μｍ→任意→２０μｍ→任
意→１０μｍのものを使用した。なお、この伸線加工性
の評価は、直径４０μｍの線材で５００ｇ（長さで約２
０８００ｍに相当）のものを各５本準備し、完全に伸線
できた本数を表した。これを表３に示す。
【００５９】
【表３】
【００６０】表３から明らかなように、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃ
ｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｋ及びＮａの各元素の含有量が各々１
ｐｐｍ以下のレニウムタングステン線（試料Ｎｏ．１
４，１６，１８，２０，２２，２４，２６，２８）であ
れば、極細線までの伸線加工性が向上することがわか
る。これに対し、前記元素が１ｐｐｍを越えるレニウム
タングステン線（試料Ｎｏ．１３，１５，１７，１９，
２１，２３，２５，２７）は、極細線に加工するに従
い、断線が増加していることがわかる。
ｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｋ及びＮａの各元素の含有量が各々１
ｐｐｍ以下のレニウムタングステン線（試料Ｎｏ．１
４，１６，１８，２０，２２，２４，２６，２８）であ
れば、極細線までの伸線加工性が向上することがわか
る。これに対し、前記元素が１ｐｐｍを越えるレニウム
タングステン線（試料Ｎｏ．１３，１５，１７，１９，
２１，２３，２５，２７）は、極細線に加工するに従
い、断線が増加していることがわかる。
【００６１】さらに、試料Ｎｏ．１４，１６，１８，２
０，２２，２４，２６の直径１０μｍのレニウムタング
ステン線と、従来のレニウムタングステン線の引張強さ
の比較を図１に示す。これらの引張強さを常法により測
定した。その結果を図１に示す。
０，２２，２４，２６の直径１０μｍのレニウムタング
ステン線と、従来のレニウムタングステン線の引張強さ
の比較を図１に示す。これらの引張強さを常法により測
定した。その結果を図１に示す。
【００６２】図１より明らかなように、本発明のレニウ
ムタングステン線は極細線でも十分な引張強さを有して
いることがわかる。
ムタングステン線は極細線でも十分な引張強さを有して
いることがわかる。
【００６３】以上、実施例１及び実施例２に記載の本発
明のプローブピンを、半導体集積回路や液晶表示装置の
検査に用いられるプローバなどの検査装置のプローブピ
ンとして使用したところ、常に安定した測定結果を得る
ことができ、良好な測定を行うことができた。
明のプローブピンを、半導体集積回路や液晶表示装置の
検査に用いられるプローバなどの検査装置のプローブピ
ンとして使用したところ、常に安定した測定結果を得る
ことができ、良好な測定を行うことができた。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、エッチ
ング加工を施してもピンホールが発生せず、極細線化が
可能なレニウムタングステン線、プローブピンおよびそ
れを具備する検査装置を提供することが可能である。
ング加工を施してもピンホールが発生せず、極細線化が
可能なレニウムタングステン線、プローブピンおよびそ
れを具備する検査装置を提供することが可能である。
【図１】本発明のレニウムタングステン線と従来のレニ
ウムタングステン線の引張り強さのＲｅ量との関係を示
す図。
ウムタングステン線の引張り強さのＲｅ量との関係を示
す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 酒井 元尚 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 青山 斉 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 山本 慎一 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 2G011 AA02 AA15 AC14 AE01 AE22
Claims (8)
- 【請求項１】 レニウム含有タングステン合金からな
り、前記合金中の鉄含有量が１０ｐｐｍ以下であること
を特徴とするレニウムタングステン線。 - 【請求項２】 前記レニウムタングステン合金中のモリ
ブデン量が３０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求
項１記載のレニウムタングステン線。 - 【請求項３】 前記レニウムタングステン合金中のアル
ミニウム，シリコン及びカリウムの各元素の含有量が各
々１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１又は
請求項２いずれか１項記載のレニウムタングステン線。 - 【請求項４】 前記レニウム含有タングステン合金中の
鉄，ニッケル及びクロム，アルミニウム，シリコン，カ
リウム及びナトリウムの各元素の含有量が各々１ｐｐｍ
以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３いず
れか１項記載のレニウムタングステン線。 - 【請求項５】 前記レニウム含有タングステン合金のレ
ニウム量は０．２〜４０重量％であることを特徴とする
請求項１に記載のレニウムタングステン線。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項５いずれか１項記載
のレニウムタングステン線よりなることを特徴とするプ
ローブピン。 - 【請求項７】 プローブピンの先端部はエッチング加工
されてなることを特徴とする請求項６記載のプローブピ
ン。 - 【請求項８】 請求項６又は請求項７いずれか１項記載
のプロ−ブピンを具備してなることを特徴とする検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001160065A JP2002356732A (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | レニウムタングステン線、プローブピンおよびそれを具備する検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001160065A JP2002356732A (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | レニウムタングステン線、プローブピンおよびそれを具備する検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002356732A true JP2002356732A (ja) | 2002-12-13 |
Family
ID=19003542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001160065A Pending JP2002356732A (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | レニウムタングステン線、プローブピンおよびそれを具備する検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002356732A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009040986A1 (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | プローブ針素材とそれを用いたプローブ針およびプローブカード、ならびに検査方法 |
| WO2009066659A1 (ja) * | 2007-11-21 | 2009-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | タングステンワイヤの製造方法 |
| WO2010100808A1 (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | 株式会社東芝 | レニウムタングステン線、その製造方法およびそれを用いた医療用針 |
| JP2018122599A (ja) * | 2018-04-02 | 2018-08-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | タングステン線及びタングステン繊維 |
| CN110863163A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-03-06 | 东北大学 | 一种钨铼合金丝热处理的方法 |
| JP2022112015A (ja) * | 2021-01-20 | 2022-08-01 | 厦門虹鷺▲きん▼▲ぼく▼工業有限公司 | 合金線材とその製造方法及び用途 |
| WO2022191026A1 (ja) * | 2021-03-09 | 2022-09-15 | 株式会社 東芝 | レニウムタングステン線棒およびそれを用いた熱電対 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02145214A (ja) * | 1988-11-24 | 1990-06-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 放電加工用電極線 |
| JPH03162544A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-12 | Daido Steel Co Ltd | 塑性加工の可能な高融点金属材 |
| JPH10221366A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Toshiba Corp | プローブピンおよびそれを具備する検査装置 |
| JP2000119837A (ja) * | 1998-10-19 | 2000-04-25 | Toshiba Corp | 高強度タングステン系ピン |
-
2001
- 2001-05-29 JP JP2001160065A patent/JP2002356732A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02145214A (ja) * | 1988-11-24 | 1990-06-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 放電加工用電極線 |
| JPH03162544A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-12 | Daido Steel Co Ltd | 塑性加工の可能な高融点金属材 |
| JPH10221366A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Toshiba Corp | プローブピンおよびそれを具備する検査装置 |
| JP2000119837A (ja) * | 1998-10-19 | 2000-04-25 | Toshiba Corp | 高強度タングステン系ピン |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5364581B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-12-11 | 株式会社東芝 | プローブ針素材とそれを用いたプローブ針およびプローブカード、ならびに検査方法 |
| WO2009040986A1 (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | プローブ針素材とそれを用いたプローブ針およびプローブカード、ならびに検査方法 |
| US8324918B2 (en) | 2007-09-27 | 2012-12-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Probe needle material, probe needle and probe card each using the same, and inspection process |
| WO2009066659A1 (ja) * | 2007-11-21 | 2009-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | タングステンワイヤの製造方法 |
| JP2014169499A (ja) * | 2009-03-02 | 2014-09-18 | Toshiba Corp | 医療用針 |
| JP5485259B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2014-05-07 | 株式会社東芝 | レニウムタングステン線、その製造方法およびそれを用いた医療用針 |
| WO2010100808A1 (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | 株式会社東芝 | レニウムタングステン線、その製造方法およびそれを用いた医療用針 |
| US9161752B2 (en) | 2009-03-02 | 2015-10-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Rhenium tungsten wire, method of manufacturing the wire and medical needle using the wire |
| JP2018122599A (ja) * | 2018-04-02 | 2018-08-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | タングステン線及びタングステン繊維 |
| CN110863163A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-03-06 | 东北大学 | 一种钨铼合金丝热处理的方法 |
| CN110863163B (zh) * | 2019-10-18 | 2021-08-24 | 东北大学 | 一种钨铼合金丝热处理的方法 |
| JP2022112015A (ja) * | 2021-01-20 | 2022-08-01 | 厦門虹鷺▲きん▼▲ぼく▼工業有限公司 | 合金線材とその製造方法及び用途 |
| JP7419412B2 (ja) | 2021-01-20 | 2024-01-22 | 厦門虹鷺▲きん▼▲ぼく▼工業有限公司 | 合金線材とその製造方法及び用途 |
| WO2022191026A1 (ja) * | 2021-03-09 | 2022-09-15 | 株式会社 東芝 | レニウムタングステン線棒およびそれを用いた熱電対 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2248920B1 (en) | Iridium alloy excellent in hardness, processability and anti-contamination property | |
| JP4263098B2 (ja) | タングステン線およびカソードヒータ並びに耐振電球用フィラメント | |
| JP5783293B1 (ja) | 円筒型スパッタリングターゲット用素材 | |
| CN113174521B (zh) | 一种钨铼合金丝材及其制备方法 | |
| CN111164227B (zh) | 烧结钼部件 | |
| EP3666914A1 (en) | High strength/highly conductive copper alloy plate material and method for producing same | |
| JP2019178398A (ja) | 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金板条材、電子・電気機器用部品、端子、及び、バスバー | |
| JP2002356732A (ja) | レニウムタングステン線、プローブピンおよびそれを具備する検査装置 | |
| JP6074244B2 (ja) | Ａｇ基合金からなるプローブピン用材料、プローブピン、プローブピンの製造方法 | |
| JP7141098B2 (ja) | プローブピン用材料およびプローブピン | |
| US20230413672A1 (en) | Rhenium-tungsten wire rod and thermocouple using the same | |
| JP4659972B2 (ja) | プローブピン用タングステン合金線およびその製造方法 | |
| JP4009981B2 (ja) | プレス加工性に優れた銅基合金板 | |
| JP4987181B2 (ja) | レニウムタングステン線、それを用いたプローブピン、コロナ放電用チャージワイヤ、蛍光表示管用フィラメントおよびその製造方法 | |
| JP2002226935A (ja) | トリウムタングステン合金、トリウムタングステン線、その製造方法、トリウムタングステン線コイル、ならびに電子管用陰極構体 | |
| JPH10221366A (ja) | プローブピンおよびそれを具備する検査装置 | |
| JP3893358B2 (ja) | 曲げ加工性に優れたりん青銅条 | |
| WO2022176766A1 (ja) | タングステン線およびそれを用いたタングステン線加工方法並びに電解線 | |
| WO2021153451A1 (ja) | タングステンを含む線 | |
| WO2023008430A1 (ja) | タングステン線およびそれを用いたタングステン線加工方法並びに電解線 | |
| WO2019130511A1 (ja) | 析出硬化型Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ－Ｉｎ－Ｂ系合金 | |
| JP5757547B1 (ja) | Ｒｈ基合金からなるプローブピン及びその製造方法 | |
| JP6308672B2 (ja) | 白金ロジウム合金及びその製造方法 | |
| DE102009014615A1 (de) | Elektrodenmaterial, Elektrode und Kaltkathoden-Leuchtstofflampe | |
| JP2009102670A (ja) | レニウムタングステンリボンおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050428 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050620 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080512 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110107 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111025 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111125 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111205 |