JP2002351100A - 電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光の干渉による濃度ムラの発生を防止した電
子写真装置を提供すること。 【解決手段】 電子写真感光体に対して光照射して静電
潜像を形成する画像形成光照射手段と、前記電子写真感
光体に形成した静電潜像を現像剤で顕画化する現像手段
を備えた電子写真装置において、前記画像形成光照射手
段は光源として可干渉光を用い、且つ画素単位の露光が
スポット間隔＜書き込みビーム径となるように設定さ
れ、前記電子写真感光体が導電性支持体上に、少なくと
も中間層、電荷発生層、電荷輸送層を順次設けてなる電
子写真感光体であって、該中間層及び電荷発生層が、下
記式を満たす電子写真感光体を用いることを特徴とする
電子写真装置。 Ｔ１≦３．５％ （Ｔ１は中間層上に設けた電荷発生層の入射角５°での
像形成光に対する相対鏡面反射率を表わす。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、可干渉光を光源と
する複写機、プリンター等に用いる電子写真装置、プロ
セスカートリッジ及び電子写真感光体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体レーザーを光源とするプリ
ンターは小型で高信頼性が得られること、また、高速化
が可能であり、印字品質が優れていること等のため広く
使用されている。しかし、半導体レーザーは発光波長が
７８０〜８３０ｎｍであるため赤外線に感度を有する感
光体が必要である。このような感光体としては、今まで
銅やインジウムをドープした硫化カドミウム、テルルを
増量したセレン等の無機感光体が用いられていたが無公
害性、高生産性、品質の安定性、低コストなどの面から
有機感光体が主流になってきている。有機感光体の中で
も特に電荷発生層と電荷輸送層とに機能を分離させた積
層型感光体は材料の任意性の点から高感度、高耐久なも
のが期待でき、注目されている。

【０００３】積層型感光体の電荷発生層は光を吸収して
電荷を発生する役割を持ち、膜厚としては、発生したホ
ト・キャリアの再結合やトラップを防ぐ点から、ホト・
キャリアの飛程を短くするために０．０１〜５μｍと薄
いのが一般的である。また、電荷輸送層は感度などの点
から像形成光をほとんど吸収しないものを用いるのが一
般的である。

【０００４】一般に、感光層中で吸収される光量には限
度があり、感光層中に入射した像形成光はすべてが感光
層に吸収されず一部が支持体にまで達し、支持体表面で
反射する。反射した光は再び感光層に入射し、この反射
光が像形成光や感光層表面で反射する光との間で干渉を
起こす。このような現象は像形成光がコヒーレントなレ
ーザー光（可干渉光）の場合に顕著となり、ベタ画像、
ハーフトーン画像時に濃度ムラとなって現われる。

【０００５】このような光の干渉を防止するものとして
は、屈折率の大きい平均粒径５μｍ〜０．２μｍ程度の
顔料を樹脂中に分散させた中間層を支持体と感光層との
間に設けることで、光を散乱させて正反射を防ぐ方法が
ある。ところが、このような中間層では像形成光量や現
像条件等が変化したり、更には昨今の高画質化に伴う像
形成光の小径化、且つ高密度描き込みの要求に対して光
の干渉を完全に防ぐことができなかった。

【０００６】一方、近年、製造コスト及び感光層との接
着性の面から、従来の切削アルミニウム素管に替わっ
て、切削加工を行なわない無切削アルミニウム素管の検
討が行なわれているが、該無切削アルミニウム素管は平
滑度が高く高反射率の表面を有しており、光の干渉に対
しては悪い方向である。

【０００７】このような光照射時の干渉縞の発生を防ぐ
ための技術も提案されており、例えば、特開平５−３１
３３９５号公報には、導電性基体（１）上に干渉抑制層
（２）、電荷輸送層（３）、電荷発生層（４）を順次積
層してなる感光体において、電荷発生層（４）に導電性
基体（１）側から接する電荷輸送層（３）の膜厚ｄを数
式（１）、２・ｎ・ｄ・／λ＝ｍ＋１／２［ｎは干渉抑
制層または電荷輸送層の屈折率、λは露光光波長、ｍは
整数を表わす］……（１）を満たすようにし、また、干
渉抑制層を低屈折率材料からなる層と高屈折率材料から
なる層とを交互に積層した多段積層とすることにより、
干渉縞模様のない良好な画像を得ることのできる感光体
を提供することが記載されており、また、特開平８−６
２７９号公報には、ビーム径が８０μｍ以下の可干渉光
を用いて感光体上に潜像を形成し、現像剤を用いて潜像
を現像する画像形成方法において、導電性基体上に光導
電層を有する感光体を用い、該導電性基体の表面におけ
る反射光強度が２０％以上であり、感光体表面における
反射光強度の変動の平均値が５％／ｃｍ以下であり、上
記導電性基体と光導電層の間に電荷注入阻止層を設け、
該電荷注入阻止層の可干渉光に対する吸収係数の値が光
導電層の吸収係数の値以下にし、該電荷注入阻止層の可
干渉光に対する屈折率の値が光導電層の屈折率の値以下
にした感光体を用いることにより、干渉縞発生のない良
好な画像を得ることが記載されており、特公平８−３３
６７９号公報には、導電性基体上に電荷輸送層および電
荷発生層を備えた感光体において、前記導電性基体が、
基体表面に波長７００ｎｍ以上の可干渉光を照射したと
きに基体表面からの反射光の強度ピークが複数個存在
し、この反射光の最大強度ピークの大きさが第二強度ピ
ークの大きさの１倍以上３倍以下の範囲内にあり、か
つ、この反射光の強度ピークが入射角に対する鏡面反射
角を中心として±５°以上の領域にまで拡がって分布す
る表面形状を有するようにすることで、干渉縞発生のな
い良好な画像を得ることが記載されているが、これら
は、いずれも露光ビームスポットの重なり程度と、中間
層及び電荷発生層の両層の光反射率とを問題とするもの
ではない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の実情に鑑みてなされたものであって、その課題は、
光の干渉による濃度ムラの発生を防止した電子写真装置
を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明においては下記の手段が提供される。 （１）「電子写真感光体に対して光照射して静電潜像を
形成する画像形成光照射手段と、前記電子写真感光体に
形成した静電潜像を現像剤で顕画化する現像手段を備え
た電子写真装置において、前記画像形成光照射手段は光
源として可干渉光を用い、且つ画素単位の露光がスポッ
ト間隔＜書き込みビーム径となるように設定され、前記
電子写真感光体が導電性支持体上に、少なくとも中間
層、電荷発生層、電荷輸送層を順次設けてなる電子写真
感光体であって、該中間層及び電荷発生層が、下記式を
満たす電子写真感光体を用いることを特徴とする電子写
真装置； Ｔ１≦３．５％ （Ｔ１は中間層上に設けた電荷発生層の入射角５°での
像形成光に対する相対鏡面反射率を表わす。）」、
（２）「電子写真感光体に対して光照射して静電潜像を
形成する画像形成光照射手段と、前記電子写真感光体に
形成した静電潜像を現像剤で顕画化する現像手段を備え
た電子写真装置において、前記画像形成光照射手段は光
源として可干渉光を用い、且つ画素単位の露光が書き込
みスポット間隔＜書き込みビーム径となるように設定さ
れ、前記電子写真感光体が導電性支持体上に、少なくと
も中間層、電荷発生層、電荷輸送層を順次設けてなる電
子写真感光体であって、該中間層及び電荷発生層が、下
記式を満たす電子写真感光体を用いることを特徴とする
電子写真装置； Ｔ１≦Ｔ２≦３．５％ （Ｔ１は中間層上に設けた電荷発生層の入射角５°での
像形成光に対する相対鏡面反射率を表わし、Ｔ２は中間
層の入射角５°での像形成光に対する相対鏡面反射率を
表わす。）」、（３）「前記画像形成光照射手段が、隣
接する画素間のスポット間隔が４０μｍ以下であり、且
つ画素単位に対して隣接する画素との書き込みビーム径
の重複する部分の面積が５０％以上に設定されているこ
とを特徴とする前記第（１）項又は第（２）項に記載の
電子写真装置」、（４）「前記電子写真感光体に用いら
れる導電性支持体が、引き抜き加工による無切削アルミ
ニウム支持体から構成される電子写真感光体であること
を特徴とする前記第（１）項乃至第（３）項のいずれか
１に記載の電子写真装置」、（５）「前記電子写真感光
体を構成する電荷発生層中に下記式で表わされる少なく
とも１種のジスアゾ顔料を含有する電子写真感光体であ
ることを特徴とする前記第（１）項乃至第（４）項のい
ずれか１に記載の電子写真装置；

【００１０】

【化９】 ［但し、一般式（Ｉ）中、Ａ及びＢは、下記一般式（I
I）〜（VIII）で表わされるカプラー残基を示す。

【００１１】

【化１０】 ｛但し、上記一般式（II）中、Ｘ¹、Ｙ¹及びＺはそれぞ
れ以下のものを表わす。Ｘ¹：−ＯＨ、−ＮＨＣＯＣ
Ｈ₃、又は−ＮＨＳＯ₂ＣＨ₃、Ｙ¹：−ＣＯＮ（Ｒ²）
（Ｒ³）、−ＣＯＮＨＮ＝Ｃ（Ｒ⁶）（Ｒ⁷）、−ＣＯＮ
ＨＮ（Ｒ⁸）（Ｒ⁹）、−ＣＯＮＨＣＯＮＨ（Ｒ¹²）、水
素原子、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＣＨ₃、−ＣＯＯＣ
₆Ｈ₅、又はベンズイミダゾリル基（ここで、Ｒ²、Ｒ³は
水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若し
くは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ
環基を示し、Ｒ²、Ｒ³はそれらに結合する窒素原子と共
に環を形成しても良く、Ｒ⁶、Ｒ⁷は水素原子、置換若し
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアラル
キル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しく
は無置換のスチリル基、置換若しくは無置換のヘテロ環
基を示し、Ｒ⁶、Ｒ⁷はそれらに結合する炭素原子と共に
環を形成しても良く、また、Ｒ⁸、Ｒ⁹は水素原子、置換
若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のア
ラルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若
しくは無置換のスチリル基、置換若しくは無置換のヘテ
ロ環基を示し、Ｒ⁸、Ｒ⁹は５員環あるいは６員環を形成
してもよく、この場合５員環あるいは６員環は、縮合芳
香族環を有しても良く、Ｒ¹²は置換若しくは無置換のア
ルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若し
くは無置換のヘテロ環基を示す。）、Ｚ：ベンゼン環と
結合してナフタレン環、アントラセン環、カルバゾール
環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、
ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、及びジベン
ゾチオフェン環から選ばれる多環芳香族環又はヘテロ環
を形成するのに必要な残基。これらの環には置換基が有
ってもよい。｝

【００１２】

【化１１】 （Ｒ⁴は水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、
又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。）

【００１３】

【化１２】 （Ｒ₅は水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、
又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。）

【００１４】

【化１３】 （Ｙは芳香族炭化水素の２価の基、又は窒素原子を環内
に含むヘテロ環の２価の基を示す。）

【００１５】

【化１４】 （Ｙは芳香族炭化水素の２価の基、又は窒素原子を環内
に含むヘテロ環の２価の基を示す。）

【００１６】

【化１５】 （Ｒ¹⁰は水素原子、低級アルキル基、カルボキシル基、
又はそのエステルを示し、Ａｒ¹は置換若しくは無置換
の芳香族炭化水素環基を示す。）

【００１７】

【化１６】 （Ｒ¹¹は水素原子、低級アルキル基、カルボキシル基、
又はそのエステルを示し、Ａｒ²は置換若しくは無置換
の芳香族炭化水素環基を示す。）］」、（６）「可干渉
光により画素単位の露光がスポット間隔＜書き込みビー
ム径となるように電子写真感光体に対して光照射して静
電潜像を形成し、前記電子写真感光体に形成した静電潜
像を現像手段により現像剤で顕画化する電子写真方法に
用いる電子写真感光体であって、且つ前記電子写真感光
体が導電性支持体上に、少なくとも中間層、電荷発生
層、電荷輸送層を順次設けてなる電子写真感光体であっ
て、該中間層及び電荷発生層が、下記式を満たすことを
特徴とする電子写真感光体； Ｔ１≦３．５％ （Ｔ１は中間層上に設けた電荷発生層の入射角５°での
像形成光に対する相対鏡面反射率を表わす。）」、
（７）「前記第（６）項に記載の電子写真感光体を搭載
したことを特徴とするプロセスカートリッジ」。

【００１８】電子写真装置の露光において、隣接する可
干渉光スポット間隔は書き込まれる可干渉光ビームの大
きさ（書き込みビーム径）よりも小さく設定され、隣接
する可干渉光ビームと重複する部位が生じる設定で露光
が行なわれている。本発明者らの検討の結果、上記のよ
うな露光の場合に、その重複する部位が濃度ムラの発生
原因であることがわかった。特に、高解像度化に伴い隣
接する可干渉光の照射が重複する面積が大きくなると光
干渉による濃度ムラへの影響はこれまで考えられていた
以上にさらに大きなものとなることがわかった。この濃
度ムラについて検討したところ、支持体と感光層の間に
中間層を設けた電子写真感光体の光の干渉による濃度ム
ラは、該光干渉防止中間層上に設けた電荷発生層表面で
の入射角５°での像形成光に対する相対鏡面反射率が
３．５％を境にして発生しており、この値以下にするこ
とにより濃度ムラの発生を抑えることができることを見
出した。

【００１９】更に検討を進めた結果、少なくとも中間
層、電荷発生層、電荷輸送層を順次設けてなる電子写真
感光体が、下記式を満たす中間層及び電荷発生層を有す
ることにより、更に有効であることを見い出した。 Ｔ１≦Ｔ２≦３．５％ （Ｔ１は中間層上に設けた電荷発生層の入射角５°での
像形成光に対する相対鏡面反射率を、Ｔ２は中間層の入
射角５°での像形成光に対する相対鏡面反射率を表わ
す。）

【００２０】隣接する画素間のスポット間隔が４０μｍ
以下であり、且つ画素単位に対して隣接する画素との書
き込みビーム径の重複する部分の面積が５０％以上に設
定されている電子写真装置において、本発明の相対鏡面
反射率を有する感光体を用いると特に有効である。本発
明がより有効なのは隣接する画素間のスポット間隔が２
５μｍ以下である。

【００２１】・スポット間隔及び書き込みビーム径につ
いて 隣接する可干渉光スポット間隔は、潜像を形成する際に
書き込まれる可干渉光ビームの密度（書き込み解像度）
で定義されるものである。可干渉光ビームの大きさ（書
き込みビーム径）はガウス分布を有する光ビーム強度の
ピークエネルギー値αに対してα／ｅ^２で定義されるエ
ネルギー領域で囲まれるものに一致するものである（図
４、図５参照）。

【００２２】・相対鏡面反射率について 入射角５°での像形成光に対する相対鏡面反射率は、一
般的に図６で示されるような測定原理図に基づいた計測
装置で求めることができ、分光反射率が安定なＡｌ蒸着
ミラーを反射基準として用いることが好ましい。入射角
については、原理的に５°〜６０°程度までが選択でき
るが、入射角が大きくなると入射光に対する散乱成分の
増加につながり、本課題に対して明瞭な判断ができなく
なる。本発明におけるＴ１の好ましい範囲は０〜３．５
％、より好ましくは０〜３．０％である。Ｔ２の好まし
い範囲は０〜３．５％、より好ましくは０〜３．０％で
ある。

【００２３】・中間層について 本発明において、中間層は、屈折率の大きい顔料を樹脂
中に分散させたものが好ましく、分散する微粒子粉体と
しては、一般に用いられる粉体でよいが、近赤外光に吸
収のほとんどない白色、またはこれに近いものが高感度
化を考えた場合に望ましい。このような粉体としては、
例えば酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウ
ム、酸化ジルコニウム、アルミナ、シリカに代表される
ような金属酸化物などが挙げられ、吸湿性がなく環境変
動の少ないものが望ましい。特に屈折率及び電気特性の
面で酸化チタンが好ましい。

【００２４】また、本発明に用いる中間層の結着樹脂と
しては適宜のものを用いることができるが、その上に感
光層を溶剤で塗布することを考え合わせると、一般の有
機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂が望ましい。このよ
うな樹脂としてはポリビニルアルコール、カゼイン、ポ
リアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロ
ン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹
脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、エポキシ樹脂等の三
次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。
中間層の膜厚としては０．５〜５０μｍ程度がよく、特
に好ましくは１．０〜２０μｍである。また、中間層の
粉体（Ｐ）と結着樹脂（Ｒ）との比率は、体積比で１／
１〜３／１の範囲が好ましく、Ｐ／Ｒが１／１未満であ
ると中間層は樹脂の特性に左右され易くなり、３／１を
越えると中間層中に空間が多くなり、上層の感光層成膜
時に気泡を生じ易くなる。本発明における中間層の相対
鏡面反射率Ｔ２は顔料の選択により変化するが、顔料の
分散状態、顔料と結着樹脂の親和性、及び混合比によっ
ても制御することが可能である。

【００２５】・電荷発生層について 本発明の電子写真感光体に用いることができる電荷発生
材料としては、例えば金属フタロシアニン、無金属フタ
ロシアニン等のフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩
顔料、スクアリウム塩顔料、アゾ系顔料などの長波長に
感度を有する顔料が用いられるが、下記式で表わされる
ジスアゾ顔料は本発明の相対鏡面反射率Ｔ１を好適に得
ることができるものである。特に一般式（II）のカプラ
ー残基を用いると感度特性の点から好ましい。

【００２６】その理由は未だ定かではないが、下記式で
表わされるジスアゾ顔料の結晶粒子形態及び成膜過程に
おける凝集状態が光学的に何らかの影響を及ぼしている
ものと考えられる。また、目的とする吸収波長に応じ
て、このジスアゾ顔料を他異種顔料と混合することでも
充分な効果が期待できる。

【００２７】

【化１７】 ［但し、一般式（Ｉ）中、Ａ及びＢは、下記一般式（I
I）〜（VIII）で表わされるカプラー残基を示す。

【００２８】

【化１８】 ｛但し、上記一般式（II）中、Ｘ¹、Ｙ¹及びＺはそれぞ
れ以下のものを表わす。Ｘ¹：−ＯＨ、−ＮＨＣＯＣ
Ｈ₃、又は−ＮＨＳＯ₂ＣＨ₃、Ｙ¹：−ＣＯＮ（Ｒ²）
（Ｒ³）、−ＣＯＮＨＮ＝Ｃ（Ｒ⁶）（Ｒ⁷）、−ＣＯＮ
ＨＮ（Ｒ⁸）（Ｒ⁹）、−ＣＯＮＨＣＯＮＨ（Ｒ¹²）、水
素原子、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＣＨ₃、−ＣＯＯＣ
₆Ｈ₅、又はベンズイミダゾリル基（ここで、Ｒ²、Ｒ³は
水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若し
くは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ
環基を示し、Ｒ²、Ｒ³はそれらに結合する窒素原子と共
に環を形成しても良く、Ｒ⁶、Ｒ⁷は水素原子、置換若し
くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアラル
キル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しく
は無置換のスチリル基、置換若しくは無置換のヘテロ環
基を示し、Ｒ⁶、Ｒ⁷はそれらに結合する炭素原子と共に
環を形成しても良く、また、Ｒ⁸、Ｒ⁹は水素原子、置換
若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のア
ラルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若
しくは無置換のスチリル基、置換若しくは無置換のヘテ
ロ環基を示し、Ｒ⁸、Ｒ⁹は５員環あるいは６員環を形成
してもよく、この場合５員環あるいは６員環は、縮合芳
香族環を有しても良く、Ｒ¹²は置換若しくは無置換のア
ルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若し
くは無置換のヘテロ環基を示す。）、Ｚ：ベンゼン環と
結合してナフタレン環、アントラセン環、カルバゾール
環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、
ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、及びジベン
ゾチオフェン環から選ばれる多環芳香族環又はヘテロ環
を形成するのに必要な残基。これらの環には置換基が有
ってもよい。｝

【００２９】

【化１９】 （Ｒ⁴は水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、
又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。）

【００３０】

【化２０】 （Ｒ₅は水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、
又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。）

【００３１】

【化２１】 （Ｙは芳香族炭化水素の２価の基、又は窒素原子を環内
に含むヘテロ環の２価の基を示す。）

【００３２】

【化２２】 （Ｙは芳香族炭化水素の２価の基、又は窒素原子を環内
に含むヘテロ環の２価の基を示す。）

【００３３】

【化２３】 （Ｒ¹⁰は水素原子、低級アルキル基、カルボキシル基、
又はそのエステルを示し、Ａｒ¹は置換若しくは無置換
の芳香族炭化水素環基を示す。）

【００３４】

【化２４】 （Ｒ¹¹は水素原子、低級アルキル基、カルボキシル基、
又はそのエステルを示し、Ａｒ²は置換若しくは無置換
の芳香族炭化水素環基を示す。）］

【００３５】一般式の説明中の、アルキル基の具体例と
しては、置換若しくは無置換のメチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、ヘキシル基、及びウンデカニル基
などを挙げることができる。また、アリール基としては
ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、及びピレンなど
芳香族炭化水素環の１価〜６価の芳香族炭化水素基、並
びにピリジン、キノリン、チオフェン、フラン、オキサ
ゾール、オキサジアゾール、カルバゾールなど芳香族複
素環の１価〜６価の芳香族複素環基が挙げられる。ま
た、これらの置換基としては、上記アルキル基の具体例
で挙げたもの、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシ基、またはフッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のハロゲン原子、
及び芳香環基などが挙げられる。更に、Ｒ^１、Ｒ^２が互
いに結合し窒素原子を含む複素環基の具体例としてはピ
ロリジニル基、ピペリジニル基、ピロリニル基等が挙げ
られる。その他、共同で窒素原子を含む複素環基として
は、Ｎ−メチルカルバゾール、Ｎ−エチルカルバゾー
ル、Ｎ−フェニルカルバゾール、インドール、キノリン
の芳香族複素環基などを挙げることができる。

【００３６】一般式（Ｉ）で表わされるジスアゾ顔料の
カップラー残基を形成するカップラーの具体例を表１〜
表１６に例示する。

【００３７】

【表１−１】

【００３８】

【表１−２】

【００３９】

【表１−３】

【００４０】

【表２−１】

【００４１】

【表２−２】

【００４２】

【表３−１】

【００４３】

【表３−２】

【００４４】

【表４】

【００４５】

【表５】

【００４６】

【表６】

【００４７】

【表７】

【００４８】

【表８】

【００４９】

【表９】

【００５０】

【表１０】

【００５１】

【表１１】

【００５２】

【表１２−１】

【００５３】

【表１２−２】

【００５４】

【表１２−３】

【００５５】

【表１３−１】

【００５６】

【表１３−２】

【００５７】

【表１３−３】

【００５８】

【表１４−１】

【００５９】

【表１４−２】

【００６０】

【表１５】

【００６１】

【表１６】

【００６２】電荷発生層は、前記のごとき電荷発生材料
をポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルブチラ
ール、アクリル樹脂等の結着樹脂溶液中に、ボールミ
ル、アトライター、サンドミルなどで分散し、分散液を
適度に希釈して塗布することにより形成できる。塗布は
浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート法などを用
いて行なうことができる。本発明における相対鏡面反射
率Ｔ１は、電荷発生材料の選択により変化するが、電荷
発生材料の分散状態、顔料と結着樹脂の親和性、及び混
合比、さらには前述の中間層の構成によっても制御する
ことが可能である。電荷発生層の膜厚は０．０１〜５μ
ｍ程度が適当であり、好ましくは０．１〜２μｍであ
る。

【００６３】・電荷輸送層について 電荷輸送層は、電荷輸送物質及び必要に応じて用いられ
るバインダー樹脂よりなる。以上の物質を適当な溶剤に
溶解ないし分散してこれを塗布乾燥することにより電荷
輸送層を形成することができる。

【００６４】電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸
送物質とがある。正孔輸送物質としては、ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−カルバ
ゾリルエチルグルタメートおよびその誘導体、ピレン−
ホルムアルデヒド縮合物およびその誘導体、ポリビニル
ピレン、ポリビニルフェバトレン、オキサゾール誘導
体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ト
リフェニルアミン誘導体、９−（Ｐ−ジエチルアミノス
チリル）アントラセン、１，１−ビス−（４−ジベンジ
ルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、
スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェ
ニルスチルベン誘導体等の電子供与性物質が挙げられ
る。

【００６５】電子輸送物質としては、例えば、クロルア
ニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシ
アノキノンジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フ
ルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フル
オレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−
トリニトロ−４Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン
−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェ
ン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げ
られる。これらの電荷輸送物質は、単独または２種以上
混合して用いられる。

【００６６】また、本発明において必要に応じて用いら
れるバインダー樹脂としては、ポリスチレン、スチレン
−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共
重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエス
テル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレ
ート樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エ
チルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキ
シ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹
脂、アルキド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙
げられる。

【００６７】溶剤としてはテトラヒドロフラン、ジオキ
サン、トルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタ
ン、塩化メチレン等が用いられる。電荷輸送層の厚さは
５〜１００μｍ程度が適当である。

【００６８】また、本発明において電荷輸送層中に可塑
剤やレベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、
ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の
樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用
でき、その使用量は、バインダー樹脂に対して０〜３０
重量％程度が適当である。レベリング剤としては、ジメ
チルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイ
ルなどのシリコーンオイル類が使用され、その使用量は
バインダー樹脂に対して０〜１重量％程度が適当であ
る。なお、本発明において、感光層の上に更に絶縁層や
保護層を設けることも可能である。

【００６９】・導電性支持体について 本発明の電子写真感光体に用いられる支持体としては、
アルミニウム、黄銅、ステンレス、ニッケル等の金属ド
ラムおよびシート、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
プロピレン、ナイロン、紙等の材料にアルミニウム、ニ
ッケルなどの金属を蒸着したり、ラミネートしたものが
挙げられるが、その中でもアルミニウム／又はその合金
からなる円筒状ドラムは、現在、主流として用いられて
いる。特に、従来の切削アルミニウム素管に比べて、切
削加工を行なわない無切削アルミニウム素管は、製造コ
スト及び感光層との接着性の面から好ましいものであ
る。そして、本発明の相対鏡面反射率にすることによ
り、無切削アルミニウム素管を用いても濃度ムラが抑え
られる。

【００７０】この無切削アルミニウム素管としては、Ｊ
ＩＳ３００３系、ＪＩＳ５０００系、ＪＩＳ６０００系
等のアルミニウム合金が用いられ、ＥＩ法、ＥＤ法、Ｄ
Ｉ法、ＩＩ法など一般的な方法により成形を行なったも
のであり、ダイヤモンドバイト等による表面切削加工や
研磨、陽極酸化処理等の表面処理を行なわないものであ
る。

【００７１】・電子写真装置及び方法について 次に、図面を用いて本発明の電子写真方法ならびに電子
写真装置を詳しく説明する。図１は、本発明の電子写真
プロセスおよび電子写真装置を説明するための概略図で
あり、下記するような変形例も本発明の範疇に属するも
のである。図１において、感光体（１）はドラム支持体
上に感光層が設けられてなる。帯電チャージャ（３）、
転写前チャージャ（７）、転写チャージャ（１０）、分
離チャージャ（１１）、クリーニング前チャージャ（１
３）には、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソ
リッド・ステート・チャージャー）、帯電ローラを始め
とする公知の手段が用いられる。転写手段には、一般に
上記の帯電器が使用できるが、図に示されるように転写
チャージャーと分離チャージャーを併用したものが効果
的である。また、画像露光部（５）には発光ダイオード
（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミ
ネッセンス（ＥＬ）等の可干渉光光源を用いる。除電ラ
ンプ（２）等の光源には、蛍光灯、タングステンラン
プ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイ
オード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクト
ロルミネッセンス（ＥＬ）などの発光物全般を用いるこ
とができる。そして、所望の波長域の光のみを照射する
ために、シャープカットフィルター、バンドパスフィル
ター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィル
ター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各
種フィルターを用いることもできる。かかる光源等は、
図１に示される工程の他に光照射を併用した転写工程、
除電工程、クリーニング工程、あるいは前露光などの工
程を設けることにより、感光体に光が照射される。

【００７２】さて、現像ユニット（６）により感光体
（１）上に現像されたトナーは、転写紙（９）に転写さ
れるが、全部が転写されるわけではなく、感光体（１）
上に残存するトナーも生ずる。このようなトナーは、フ
ァーブラシ（１４）およびブレード（１５）により、感
光体より除去される。クリーニングは、クリーニングブ
ラシだけで行なわれることもあり、クリーニングブラシ
にはファーブラシ、マグファーブラシを始めとする公知
のものが用いられる。

【００７３】電子写真感光体に正(負)帯電を施し、画像
露光を行なうと、感光体表面上には正(負)の静電潜像が
形成される。これを負(正)極性のトナー（検電微粒子）
で現像すれば、ポジ画像が得られるし、また正(負)極性
のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。かかる現
像手段には、公知の方法が適用されるし、また、除電手
段にも公知の方法が用いられる。

【００７４】図２は、本発明による電子写真プロセスの
別の例を示したものである。感光体（２１）は本発明の
感光層を有しており、駆動ローラ（２２ａ）、（２２
ｂ）により駆動され、帯電器（２３）による帯電、光源
（２４）による像露光、現像（図示せず）、帯電器（２
５）を用いる転写、光源（２６）によるクリーニング前
露光、ブラシ（２７）によるクリーニング、光源（２
８）による除電が繰返し行なわれる。図２においては、
感光体（２１）（勿論この場合は支持体が透光性であ
る）に支持体側よりクリーニング前露光の光照射が行な
われる。

【００７５】以上の図示した電子写真プロセスは、本発
明における実施形態を例示するものであって、もちろん
他の実施形態も可能である。例えば、図２において支持
体側よりクリーニング前露光を行なっているが、これは
感光層側から行なってもよいし、また、像露光、除電光
の照射を支持体側から行なってもよい。一方、光照射工
程は、像露光、クリーニング前露光、除電露光が図示さ
れているが、他に転写前露光、像露光のプレ露光、およ
びその他公知の光照射工程を設けて、感光体に光照射を
行なうこともできる。

【００７６】以上に示すような画像形成手段は、複写装
置、ファクシミリ、プリンター内に固定して組み込まれ
ていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装
置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジと
は、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手段、現像手
段、転写手段、クリーニング手段、除電手段を含んだ１
つの装置（部品）である。プロセスカートリッジの形状
等は多く挙げられるが、一般的な例として、図３に示す
ものが挙げられる。感光体（１６）は、本発明の感光層
を有してなるものである。

【００７７】

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明
する。 実施例１ ポリアミド樹脂（ＦＲ１０１、鉛市社製）１００重量部
とメラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ−８２１−５
０、大日本インキ化学工業製）１００重量部とをメタノ
ール８５０重量部に溶解し、これに酸化チタン微粉末
（ＴＰ−２、富士チタン工業製）６００重量部を加え、
ボールミルで１２０時間分散し、更にメタノール３５０
重量部を加えて希釈し、中間層用溶液を作成した。これ
をアルミ蒸着ポリエステルフィルム（ルミラー、東レ社
製）に塗布、１５０℃で２０分間乾燥し、厚さ５μｍの
中間層を形成した。このようにして作成した中間層を、
自記分光光度計（ＵＶ−３１００、島津製作所製）にて
入射角５°でのアルミ蒸着ミラーに対する相対鏡面反射
率を測定したところ、７８０ｎｍにおいて３．５
（％）、６５０ｎｍにおいて３．１（％）であった。

【００７８】実施例２ ポリアミド樹脂（ＦＲ１０１、鉛市社製）１００重量部
とメラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ−８２１−５
０、大日本インキ化学工業製）１００重量部とをメタノ
ール１０００重量部に溶解し、これに酸化チタン微粉末
（ＴＡ−３００、富士チタン工業製）９００重量部を加
え、ボールミルで７２時間分散し、更にメタノール７０
０重量部を加えて希釈し、中間層用溶液を作成した。こ
れをアルミ蒸着ポリエステルフィルム（ルミラー、東レ
社製）に塗布、１５０℃で２０分間乾燥し、厚さ５μｍ
の中間層を形成した。このようにして作成した中間層
を、自記分光光度計（ＵＶ−３１００、島津製作所製）
にて入射角５°でのアルミ蒸着ミラーに対する相対鏡面
反射率を測定したところ、７８０ｎｍにおいて４．１
（％）、６５０ｎｍにおいて３．７（％）であった。

【００７９】実施例３、４ 実施例１及び２で作成した中間層上に、下記組成の電荷
発生層塗工液をボールミルにて１２０時間分散・調合
し、塗布、乾燥して０．５μｍの電荷発生層を形成し
た。このようにして作成した中間層及び電荷発生層を、
自記分光光度計（ＵＶ−３１００、島津製作所製）にて
入射角５°でのアルミ蒸着ミラーに対する相対鏡面反射
率を測定したところ、７８０ｎｍにおいて各々２．８
（％）、３．１（％）、６５０ｎｍにおいて２．６
（％）、２．９（％）であった。

【００８０】〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式のジスアゾ顔料（Ａ） ５部

【００８１】

【化２５】 ポリビニルブチラール樹脂 １部 （積水化学製、エスレックＢＭ−Ｓ） シクロヘキサノン ２５０部

【００８２】実施例５、６ 実施例１及び２で作成した中間層上に、下記組成の電荷
発生層塗工液をボールミルにて１２０時間分散・調合
し、塗布、乾燥して０．５μｍの電荷発生層を形成し
た。このようにして作成した中間層及び電荷発生層を、
自記分光光度計（ＵＶ−３１００、島津製作所製）にて
入射角５°でのアルミ蒸着ミラーに対する相対鏡面反射
率を測定したところ、７８０ｎｍにおいて各々２．６
（％）、２．９（％）、６５０ｎｍにおいて２．４
（％）、２．７（％）であった。

【００８３】 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式のジスアゾ顔料（Ａ） １．５部

【００８４】

【化２６】 ポリビニルブチラール樹脂 １部 （ユニオンカーバイト製、ＸＹＨＬ） シクロヘキサノン ２５０部

【００８５】比較例１、２ 実施例１及び２で作成した中間層上に、下記組成の電荷
発生層塗工液をボールミルにて２４時間分散・調合し、
塗布、乾燥して０．３μｍの電荷発生層を形成した。こ
のようにして作成した中間層及び電荷発生層を、自記分
光光度計（ＵＶ−３１００、島津製作所製）にて入射角
５°でのアルミ蒸着ミラーに対する相対鏡面反射率を測
定したところ、７８０ｎｍにおいて各々４．０（％）、
４．５（％）、６５０ｎｍにおいて３．６（％）、４．
１（％）であった。

【００８６】〔電荷発生層塗工液〕 Ａ型チタニルフタロシアニン ５部 ポリビニルブチラール樹脂 ５部 （積水化学製、エスレックＢＭ−Ｓ） メチルエチルケトン ３５０部

【００８７】実施例７、８ 実施例１及び２で作成した中間層上に、下記組成の電荷
発生層塗工液をボールミルにて１２０時間分散・調合
し、塗布、乾燥して０．４μｍの電荷発生層を形成し
た。このようにして作成した中間層及び電荷発生層を、
自記分光光度計（ＵＶ−３１００、島津製作所製）にて
入射角５°でのアルミ蒸着ミラーに対する相対鏡面反射
率を測定したところ、７８０ｎｍにおいて各々２．９
（％）、３．３（％）、６５０ｎｍにおいて２．７
（％）、３．１（％）であった。

【００８８】〔電荷発生層塗工液〕 Ａ型チタニルフタロシアニン ５部 下記構造のジスアゾ顔料（Ｂ） ５部

【００８９】

【化２７】 ポリビニルブチラール樹脂 ５部 （積水化学製、エスレックＢＭ−Ｓ） シクロヘキサノン ２５０部

【００９０】実施例９〜１４、比較例３〜４ ＥＤ法により作成した外径３０ｍｍ、長さ３４０ｍｍの
無切削アルミニウム素管に実施例３〜８、及び比較例１
〜２と同様の構成の中間層塗工液、電荷発生層塗工液を
塗布、乾燥し同様の中間層及び電荷発生層を形成した。
これらの上に下記組成の電荷輸送層塗工液を塗布・乾燥
して２０μｍの電荷輸送層を形成し、各々実施例９〜１
４、比較例３〜４の電子写真感光体を作製した。

【００９１】 〔電荷輸送層塗工液〕 ４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１− ベンジル−１−フェニルヒドラゾン ７部 ポリカーボネート（三菱瓦斯化学社製、ユーピロンＺ−２００） １０部 テトラヒドロフラン ７６部

【００９２】実施例１５〜２０、比較例５〜６ 外径３０ｍｍ、長さ３４０ｍｍの切削アルミニウム素管
を使用した以外は実施例９〜１４、及び比較例３〜４と
同様に電子写真感光体を作製した。

【００９３】以上のようにして得られた実施例９〜２
０、及び比較例３〜６の電子写真感光体を図３に示す電
子写真用プロセスカートリッジに装着した後、画像形成
装置Ａ［画像露光光源を７８０ｎｍの半導体レーザー
(ポリゴン・ミラーによる画像書き込み)ビーム径７５×
８５μｍ（スポット間隔／重複ビーム面積＝６４μｍ／
４４％）］、及び図１に示す電子写真用プロセスＢ［画
像露光光源を７８０ｎｍの半導体レーザー(ポリゴン・
ミラーによる画像書き込み)ビーム径５０×６０μｍ
（スポット間隔／重複ビーム面積＝４２μｍ／５０
％）］、及び図１に示す電子写真用プロセスＣ［画像露
光光源を７８０ｎｍの半導体レーザー(ポリゴン・ミラ
ーによる画像書き込み)ビーム径５５×７０μｍ（スポ
ット間隔／重複ビーム面積＝４２μｍ／７６％）］、及
び図１に示す電子写真用プロセスＤ［画像露光光源を６
５０ｎｍの半導体レーザー(ポリゴン・ミラーによる画
像書き込み)ビーム径３０×４０μｍ（スポット間隔／
重複ビーム面積＝２１μｍ／９５％）］、及び図１に示
す電子写真用プロセスＥ［画像露光光源を６５０ｎｍの
半導体レーザー(ポリゴン・ミラーによる画像書き込み)
ビーム径１６×２０μｍ（スポット間隔／重複ビーム面
積＝１１μｍ／９８％）］に装着し、中間調画像を出力
させ、光干渉による濃度ムラの評価を行なった。表１７
に結果を示す。

【００９４】

【表１７】 ○：未発生、△：若干発生、×：発生 一方、実施例９及び実施例１５について、５０，０００
枚連続印刷による耐久試験を行なったところ、実施例１
５においては、端部に一部感光層の剥離現象が観察さ
れ、接着性に関して実施例９で使用した無切削管の優位
性が認められた。

【００９５】

【発明の効果】以上、詳細且つ具体的な説明より明らか
なように、本発明に係わる電子写真感光体は光の干渉に
よる濃度ムラも発生せず、良質な画像が得られるという
優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真装置及び電子写真プロセスの
概略図である。

【図２】本発明の他の電子写真プロセスの概略図であ
る。

【図３】本発明のプロセスカートリッジの概略図であ
る。

【図４】可干渉光スポット間隔と書込ビーム径の関係を
示した図である。

【図５】隣接する可干渉光ビームの関係を示した図であ
る。

【図６】相対鏡面反射率測定原理を示した図である。

【符号の説明】 １ 感光体 ２ 除電ランプ ３ 帯電チャージャ ４ イレーサ ５ 画像露光部 ６ 現像ユニット ７ 転写前チャージャ ８ レジストローラ ９ 転写紙 １０ 転写チャージャ １１ 分離チャージャ １２ 分離爪 １３ クリーニング前チャージャ １４ ファーブラシ １５ ブレード １６ 感光体 １７ 帯電チャージャ １８ クリーニングブラシ １９ 画像露光部 ２０ 現像ローラ ２１ 感光体 ２２ａ 駆動ローラ ２２ｂ 駆動ローラ ２３ 帯電チャージャ ２４ 像露光源 ２５ 転写チャージャ ２６ クリーニング前露光 ２７ クリーニングブラシ ２８ 除電光源

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｇ 15/04 Ｇ０３Ｇ 15/04 Ｆターム(参考） 2H068 AA19 AA28 AA37 AA44 AA52 BA47 BA53 CA32 EA07 FA17 FA27 FB07 2H076 AB02 AB05 AB09 AB42

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子写真感光体に対して光照射して静電
   潜像を形成する画像形成光照射手段と、前記電子写真感
   光体に形成した静電潜像を現像剤で顕画化する現像手段
   を備えた電子写真装置において、前記画像形成光照射手
   段は光源として可干渉光を用い、且つ画素単位の露光が
   スポット間隔＜書き込みビーム径となるように設定さ
   れ、前記電子写真感光体が導電性支持体上に、少なくと
   も中間層、電荷発生層、電荷輸送層を順次設けてなる電
   子写真感光体であって、該中間層及び電荷発生層が、下
   記式を満たす電子写真感光体を用いることを特徴とする
   電子写真装置。 Ｔ１≦３．５％ （Ｔ１は中間層上に設けた電荷発生層の入射角５°での
   像形成光に対する相対鏡面反射率を表わす。）
2. 【請求項２】 電子写真感光体に対して光照射して静電
   潜像を形成する画像形成光照射手段と、前記電子写真感
   光体に形成した静電潜像を現像剤で顕画化する現像手段
   を備えた電子写真装置において、前記画像形成光照射手
   段は光源として可干渉光を用い、且つ画素単位の露光が
   書き込みスポット間隔＜書き込みビーム径となるように
   設定され、前記電子写真感光体が導電性支持体上に、少
   なくとも中間層、電荷発生層、電荷輸送層を順次設けて
   なる電子写真感光体であって、該中間層及び電荷発生層
   が、下記式を満たす電子写真感光体を用いることを特徴
   とする電子写真装置。 Ｔ１≦Ｔ２≦３．５％ （Ｔ１は中間層上に設けた電荷発生層の入射角５°での
   像形成光に対する相対鏡面反射率を表わし、Ｔ２は中間
   層の入射角５°での像形成光に対する相対鏡面反射率を
   表わす。）
3. 【請求項３】 前記画像形成光照射手段が、隣接する画
   素間のスポット間隔が４０μｍ以下であり、且つ画素単
   位に対して隣接する画素との書き込みビーム径の重複す
   る部分の面積が５０％以上に設定されていることを特徴
   とする請求項１又は２に記載の電子写真装置。
4. 【請求項４】 前記電子写真感光体に用いられる導電性
   支持体が、引き抜き加工による無切削アルミニウム支持
   体から構成される電子写真感光体であることを特徴とす
   る請求項１乃至３のいずれか１に記載の電子写真装置。
5. 【請求項５】 前記電子写真感光体を構成する電荷発生
   層中に下記式で表わされる少なくとも１種のジスアゾ顔
   料を含有する電子写真感光体であることを特徴とする請
   求項１乃至４のいずれか１に記載の電子写真装置。 【化１】 ［但し、一般式（Ｉ）中、Ａ及びＢは、下記一般式（I
   I）〜（VIII）で表わされるカプラー残基を示す。 【化２】 ｛但し、上記一般式（II）中、Ｘ¹、Ｙ¹及びＺはそれぞ
   れ以下のものを表わす。Ｘ¹：−ＯＨ、−ＮＨＣＯＣ
   Ｈ₃、又は−ＮＨＳＯ₂ＣＨ₃、Ｙ¹：−ＣＯＮ（Ｒ²）
   （Ｒ³）、−ＣＯＮＨＮ＝Ｃ（Ｒ⁶）（Ｒ⁷）、−ＣＯＮ
   ＨＮ（Ｒ⁸）（Ｒ⁹）、−ＣＯＮＨＣＯＮＨ（Ｒ¹²）、水
   素原子、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＣＨ₃、−ＣＯＯＣ
   ₆Ｈ₅、又はベンズイミダゾリル基（ここで、Ｒ²、Ｒ³は
   水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若し
   くは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ
   環基を示し、Ｒ²、Ｒ³はそれらに結合する窒素原子と共
   に環を形成しても良く、Ｒ⁶、Ｒ⁷は水素原子、置換若し
   くは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアラル
   キル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しく
   は無置換のスチリル基、置換若しくは無置換のヘテロ環
   基を示し、Ｒ⁶、Ｒ⁷はそれらに結合する炭素原子と共に
   環を形成しても良く、また、Ｒ⁸、Ｒ⁹は水素原子、置換
   若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のア
   ラルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若
   しくは無置換のスチリル基、置換若しくは無置換のヘテ
   ロ環基を示し、Ｒ⁸、Ｒ⁹は５員環あるいは６員環を形成
   してもよく、この場合５員環あるいは６員環は、縮合芳
   香族環を有しても良く、Ｒ¹²は置換若しくは無置換のア
   ルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若し
   くは無置換のヘテロ環基を示す。）、Ｚ：ベンゼン環と
   結合してナフタレン環、アントラセン環、カルバゾール
   環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、
   ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、及びジベン
   ゾチオフェン環から選ばれる多環芳香族環又はヘテロ環
   を形成するのに必要な残基。これらの環には置換基が有
   ってもよい。｝ 【化３】 （Ｒ⁴は水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、
   又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。） 【化４】 （Ｒ₅は水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、
   又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。） 【化５】 （Ｙは芳香族炭化水素の２価の基、又は窒素原子を環内
   に含むヘテロ環の２価の基を示す。） 【化６】 （Ｙは芳香族炭化水素の２価の基、又は窒素原子を環内
   に含むヘテロ環の２価の基を示す。） 【化７】 （Ｒ¹⁰は水素原子、低級アルキル基、カルボキシル基、
   又はそのエステルを示し、Ａｒ¹は置換若しくは無置換
   の芳香族炭化水素環基を示す。） 【化８】 （Ｒ¹¹は水素原子、低級アルキル基、カルボキシル基、
   又はそのエステルを示し、Ａｒ²は置換若しくは無置換
   の芳香族炭化水素環基を示す。）］
6. 【請求項６】 可干渉光により画素単位の露光がスポッ
   ト間隔＜書き込みビーム径となるように電子写真感光体
   に対して光照射して静電潜像を形成し、前記電子写真感
   光体に形成した静電潜像を現像手段により現像剤で顕画
   化する電子写真方法に用いる電子写真感光体であって、
   且つ前記電子写真感光体が導電性支持体上に、少なくと
   も中間層、電荷発生層、電荷輸送層を順次設けてなる電
   子写真感光体であって、該中間層及び電荷発生層が、下
   記式を満たすことを特徴とする電子写真感光体。 Ｔ１≦３．５％ （Ｔ１は中間層上に設けた電荷発生層の入射角５°での
   像形成光に対する相対鏡面反射率を表わす。）
7. 【請求項７】 請求項６に記載の電子写真感光体を搭載
   したことを特徴とするプロセスカートリッジ。