JP2002350386A - 半導体イオンセンサ - Google Patents
半導体イオンセンサInfo
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- JP2002350386A JP2002350386A JP2001158329A JP2001158329A JP2002350386A JP 2002350386 A JP2002350386 A JP 2002350386A JP 2001158329 A JP2001158329 A JP 2001158329A JP 2001158329 A JP2001158329 A JP 2001158329A JP 2002350386 A JP2002350386 A JP 2002350386A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板を被覆する際、イオン感応部を被
覆する事が無く、かつ被覆の工程を簡略化することので
きる半導体イオンセンサを提供する。 【解決手段】 半導体イオンセンサ１は、イオン感応部
５を有する半導体基板２と、半導体基板２のイオン感応
部５を除いた全表面及び電極６とリード８の接続部を被
覆する絶縁フィルム１０とを備える。絶縁フィルム１０
にはイオン感応部５に対応した開口部９が予め設けられ
ている。
覆する事が無く、かつ被覆の工程を簡略化することので
きる半導体イオンセンサを提供する。 【解決手段】 半導体イオンセンサ１は、イオン感応部
５を有する半導体基板２と、半導体基板２のイオン感応
部５を除いた全表面及び電極６とリード８の接続部を被
覆する絶縁フィルム１０とを備える。絶縁フィルム１０
にはイオン感応部５に対応した開口部９が予め設けられ
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体イオンセン
サに関するものである。
サに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】イオンセンサは溶液中の特定のイオン濃
度を選択的に定量できるという特徴があり、特定イオン
の濃度モニタや水質分析、さらには医療などの広い分野
において使用されている。特に水質分析分野では、水中
に含まれるイオン、例えば水素イオン、塩素イオン、カ
ルシウムイオンなどの定量にイオンセンサが利用されて
いる。以前は、これらイオンセンサにはガラス電極法を
利用したものが用いられていたが、最近では半導体イオ
ンセンサが登場している。
度を選択的に定量できるという特徴があり、特定イオン
の濃度モニタや水質分析、さらには医療などの広い分野
において使用されている。特に水質分析分野では、水中
に含まれるイオン、例えば水素イオン、塩素イオン、カ
ルシウムイオンなどの定量にイオンセンサが利用されて
いる。以前は、これらイオンセンサにはガラス電極法を
利用したものが用いられていたが、最近では半導体イオ
ンセンサが登場している。
【０００３】半導体イオンセンサは、従来のガラス電極
に比して小型化が可能であるが、半導体基板のイオン感
応部以外が被測定溶液と接触すれば劣化が促進されたり
動作が不安定になったりするので、半導体基板のイオン
感応部以外を被測定溶液に接触させない工夫が不可欠で
ある。
に比して小型化が可能であるが、半導体基板のイオン感
応部以外が被測定溶液と接触すれば劣化が促進されたり
動作が不安定になったりするので、半導体基板のイオン
感応部以外を被測定溶液に接触させない工夫が不可欠で
ある。
【０００４】このため、例えば図６に示す半導体イオン
センサ１のように半導体基板２をエポキシ樹脂からなる
封止材３とともに筐体４内に収納することによって半導
体基板２の表面を被覆していた。
センサ１のように半導体基板２をエポキシ樹脂からなる
封止材３とともに筐体４内に収納することによって半導
体基板２の表面を被覆していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、流動性の樹脂
を用いるために半導体基板２表面を被覆する過程では封
止材３に流動性があるから、イオン感応部の一部が被覆
されて歩留まりが低下することがあり、イオン感応部を
覆って封止材３に開口部９’を形成するためにマスキン
グ等の工程を必要としていた。
を用いるために半導体基板２表面を被覆する過程では封
止材３に流動性があるから、イオン感応部の一部が被覆
されて歩留まりが低下することがあり、イオン感応部を
覆って封止材３に開口部９’を形成するためにマスキン
グ等の工程を必要としていた。
【０００６】本発明は上記事由に鑑みてなされたもので
あり、その目的はマスキング等の工程を不要としながら
従来よりも歩留まりを向上させた半導体イオンセンサを
提供することにある。
あり、その目的はマスキング等の工程を不要としながら
従来よりも歩留まりを向上させた半導体イオンセンサを
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、イオ
ン感応部５と電極６とを有し前記イオン感応部５と前記
電極６とを接続する配線部７を備えた半導体基板２と、
前記電極６と外部回路とを接続するリード８と、前記半
導体基板２の前記イオン感応部５に対応した開口部９が
設けられ少なくとも前記半導体基板２の前記イオン感応
部５を除いた全表面及び前記電極６と前記リード８との
接続部を被覆する絶縁フィルム１０とを備えたことを特
徴とするものである。この構成によれば、前記半導体基
板２表面におけるイオン感応部５以外の部分の被覆に絶
縁フィルム１０を用い流動性の樹脂を用いないので、イ
オン感応部５が被覆される可能性を低減して歩留まりを
向上させながらもマスキング等の工程が不要であり製造
工程を簡略化することができる。
ン感応部５と電極６とを有し前記イオン感応部５と前記
電極６とを接続する配線部７を備えた半導体基板２と、
前記電極６と外部回路とを接続するリード８と、前記半
導体基板２の前記イオン感応部５に対応した開口部９が
設けられ少なくとも前記半導体基板２の前記イオン感応
部５を除いた全表面及び前記電極６と前記リード８との
接続部を被覆する絶縁フィルム１０とを備えたことを特
徴とするものである。この構成によれば、前記半導体基
板２表面におけるイオン感応部５以外の部分の被覆に絶
縁フィルム１０を用い流動性の樹脂を用いないので、イ
オン感応部５が被覆される可能性を低減して歩留まりを
向上させながらもマスキング等の工程が不要であり製造
工程を簡略化することができる。
【０００８】請求項２の発明は、請求項１記載の半導体
イオンセンサ１において、前記リード８が前記絶縁フィ
ルム１０上に予め形成されて成ることを特徴とするもの
である。この構成によれば、半導体基板２にリード８を
半田付け等する必要がなく、実装工程の簡略化が期待で
きる。また、絶縁フィルム１０の開口部９とリード８の
位置関係が固定されているので、リード８の位置合わせ
が容易にできる。
イオンセンサ１において、前記リード８が前記絶縁フィ
ルム１０上に予め形成されて成ることを特徴とするもの
である。この構成によれば、半導体基板２にリード８を
半田付け等する必要がなく、実装工程の簡略化が期待で
きる。また、絶縁フィルム１０の開口部９とリード８の
位置関係が固定されているので、リード８の位置合わせ
が容易にできる。
【０００９】請求項３の発明は、請求項１又は請求項２
記載の半導体イオンセンサ１において、前記電極６と前
記リード８の少なくとも一方にバンプ１１が設けられ、
前記電極６と前記リード８は前記バンプ１１を介して接
続されていることを特徴とするものである。この構成に
よれば、前記電極６と前記リード８との接続部における
接触圧がバンプ１１の存在しない場合に比して高くなり
接続が強固になると同時にバンプ１１の存在によってス
リム化できる。
記載の半導体イオンセンサ１において、前記電極６と前
記リード８の少なくとも一方にバンプ１１が設けられ、
前記電極６と前記リード８は前記バンプ１１を介して接
続されていることを特徴とするものである。この構成に
よれば、前記電極６と前記リード８との接続部における
接触圧がバンプ１１の存在しない場合に比して高くなり
接続が強固になると同時にバンプ１１の存在によってス
リム化できる。
【００１０】請求項４の発明は、請求項１乃至請求項３
いずれか１項に記載の半導体イオンセンサ１において、
前記電極６と前記リード８とが異方性導電フィルム１２
を介して接続されていることを特徴とするものである。
この構成によれば、前記電極６と前記リード８とを接続
する工程を簡略化できる。
いずれか１項に記載の半導体イオンセンサ１において、
前記電極６と前記リード８とが異方性導電フィルム１２
を介して接続されていることを特徴とするものである。
この構成によれば、前記電極６と前記リード８とを接続
する工程を簡略化できる。
【００１１】請求項５の発明は、請求項１乃至請求項３
いずれか１項に記載の半導体イオンセンサ１１におい
て、前記電極６と前記リード８とが異方性導電樹脂１３
を用いて接続されていることを特徴とするものである。
この構成によれば、前記電極６と前記リード８とを接続
する工程を簡略化できる。
いずれか１項に記載の半導体イオンセンサ１１におい
て、前記電極６と前記リード８とが異方性導電樹脂１３
を用いて接続されていることを特徴とするものである。
この構成によれば、前記電極６と前記リード８とを接続
する工程を簡略化できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１３】半導体イオンセンサとして、以下の実施形
態ではＩＳＦＥＴを備えたものを想定する。
態ではＩＳＦＥＴを備えたものを想定する。
【００１４】（実施形態１）本実施形態の半導体イオン
センサ１は図１及び図２に示すように、半導体基板２の
主表面上にイオン感応部５と、イオン感応部５のソース
電極及びドレイン電極に夫々対応する２つの電極６と、
電極６とイオン感応部５の対応する電極とを夫々接続す
る配線部７とを設けてＩＳＦＥＴを形成している。ま
た、半導体イオンセンサ１は電極６と外部回路とを接続
するリードフレーム状のリード８を有する。そして半導
体基板２はイオン感応部５に対応する開口部９を備えた
絶縁フィルム１０によって被覆されている。
センサ１は図１及び図２に示すように、半導体基板２の
主表面上にイオン感応部５と、イオン感応部５のソース
電極及びドレイン電極に夫々対応する２つの電極６と、
電極６とイオン感応部５の対応する電極とを夫々接続す
る配線部７とを設けてＩＳＦＥＴを形成している。ま
た、半導体イオンセンサ１は電極６と外部回路とを接続
するリードフレーム状のリード８を有する。そして半導
体基板２はイオン感応部５に対応する開口部９を備えた
絶縁フィルム１０によって被覆されている。
【００１５】かかる半導体イオンセンサ１の製造工程に
おいて半導体基板２を被覆する際には、まず、下側絶縁
フィルム１０ａの上に主表面を上にして半導体基板２を
固定する。下側絶縁フィルム１０ａと半導体基板２との
固定には従来用いられている接着剤を用いる。ここに、
下側絶縁フィルム１０ａが半導体基板２の全周囲に延設
されるように下側絶縁フィルム１０ａの形状及び半導体
基板２の貼り付け位置を設定する。接着後、半導体基板
２の電極６にリード８を直接接続する。次に、半導体基
板２の主表面を覆うことのできる形状であって半導体基
板２のイオン感応部５に対応した開口部９を設けた上側
絶縁フィルム１０ｂの片面に接着剤を塗布し、塗布面を
半導体基板２に向けてイオン感応部５と開口部９が完全
に重なるように半導体基板２と上側絶縁フィルム１０ｂ
を接着する。その後、下側絶縁フィルム１０ａと上側絶
縁フィルム１０ｂとを加熱し、接合させる。上述のよう
にして、図１及び図２に示すように電極６とリード８と
の接続部及び半導体基板２のイオン感応部５を除いた全
表面が下側及び上側絶縁フィルム１０ａ，１０ｂを一体
化した絶縁フィルム１０によって被覆される。
おいて半導体基板２を被覆する際には、まず、下側絶縁
フィルム１０ａの上に主表面を上にして半導体基板２を
固定する。下側絶縁フィルム１０ａと半導体基板２との
固定には従来用いられている接着剤を用いる。ここに、
下側絶縁フィルム１０ａが半導体基板２の全周囲に延設
されるように下側絶縁フィルム１０ａの形状及び半導体
基板２の貼り付け位置を設定する。接着後、半導体基板
２の電極６にリード８を直接接続する。次に、半導体基
板２の主表面を覆うことのできる形状であって半導体基
板２のイオン感応部５に対応した開口部９を設けた上側
絶縁フィルム１０ｂの片面に接着剤を塗布し、塗布面を
半導体基板２に向けてイオン感応部５と開口部９が完全
に重なるように半導体基板２と上側絶縁フィルム１０ｂ
を接着する。その後、下側絶縁フィルム１０ａと上側絶
縁フィルム１０ｂとを加熱し、接合させる。上述のよう
にして、図１及び図２に示すように電極６とリード８と
の接続部及び半導体基板２のイオン感応部５を除いた全
表面が下側及び上側絶縁フィルム１０ａ，１０ｂを一体
化した絶縁フィルム１０によって被覆される。
【００１６】以上のようにして得られた半導体イオンセ
ンサ１は、絶縁フィルム１０を用いるためイオン感応部
５が被覆されることによる歩留まり低下は発生せず、且
つ従来のようなマスキング等の工程を経る必要がない。
ンサ１は、絶縁フィルム１０を用いるためイオン感応部
５が被覆されることによる歩留まり低下は発生せず、且
つ従来のようなマスキング等の工程を経る必要がない。
【００１７】なお、本実施形態においては２枚の下側絶
縁フィルム１０ａ，１０ｂで挟むことによって半導体基
板２を被覆したが、イオン感応部５を除いた半導体基板
２の全表面が被覆されるのであれば絶縁フィルム１０の
枚数や形状は問わない。
縁フィルム１０ａ，１０ｂで挟むことによって半導体基
板２を被覆したが、イオン感応部５を除いた半導体基板
２の全表面が被覆されるのであれば絶縁フィルム１０の
枚数や形状は問わない。
【００１８】（実施形態２）本実施形態の半導体イオン
センサ１は、リード８が下側絶縁フィルム１０ａ上に形
成されており、図３に示すように電極６とリード８とが
電極６上に形成されたバンプ１１を介して接続されてい
る。その他の構成は実施形態１と同様である。
センサ１は、リード８が下側絶縁フィルム１０ａ上に形
成されており、図３に示すように電極６とリード８とが
電極６上に形成されたバンプ１１を介して接続されてい
る。その他の構成は実施形態１と同様である。
【００１９】かかる半導体イオンセンサ１の製造工程に
おいて半導体基板２の表面を被覆する際には、まず、実
施形態１と同様にして下側絶縁フィルム１０ａに半導体
基板２を接着する。その後、電極６上にバンプ１１を形
成する。バンプ１１の材質、形状、及び形成方法は電極
６間のブリッジが発生しないものであればよい。バンプ
１１形成後、半導体基板２の主表面を覆うことのできる
形状であって前記半導体基板２のイオン感応部５に対応
した開口部９が設けられた上側絶縁フィルム１０ｂの片
面に接着剤を塗布し、塗布面を半導体基板２に向けて開
口部９がイオン感応部５と完全に重なるように半導体基
板２と上側絶縁フィルム１０ｂを接着する。ここで上側
絶縁フィルム１０ｂの半導体基板２側の面にはリード８
が銀ペーストの転写等によって予め形成されている。そ
の後、熱と適当な圧力とを加えて下側絶縁フィルム１０
ａと上側絶縁フィルム１０ｂとを接合させる。上述のよ
うにして、図３に示すように電極６とリード８との接続
部及び半導体基板２のイオン感応部５を除いた全表面が
下側絶縁フィルム１０ａ及び上側絶縁フィルム１０ｂを
一体化した絶縁フィルム１０によって被覆される。
おいて半導体基板２の表面を被覆する際には、まず、実
施形態１と同様にして下側絶縁フィルム１０ａに半導体
基板２を接着する。その後、電極６上にバンプ１１を形
成する。バンプ１１の材質、形状、及び形成方法は電極
６間のブリッジが発生しないものであればよい。バンプ
１１形成後、半導体基板２の主表面を覆うことのできる
形状であって前記半導体基板２のイオン感応部５に対応
した開口部９が設けられた上側絶縁フィルム１０ｂの片
面に接着剤を塗布し、塗布面を半導体基板２に向けて開
口部９がイオン感応部５と完全に重なるように半導体基
板２と上側絶縁フィルム１０ｂを接着する。ここで上側
絶縁フィルム１０ｂの半導体基板２側の面にはリード８
が銀ペーストの転写等によって予め形成されている。そ
の後、熱と適当な圧力とを加えて下側絶縁フィルム１０
ａと上側絶縁フィルム１０ｂとを接合させる。上述のよ
うにして、図３に示すように電極６とリード８との接続
部及び半導体基板２のイオン感応部５を除いた全表面が
下側絶縁フィルム１０ａ及び上側絶縁フィルム１０ｂを
一体化した絶縁フィルム１０によって被覆される。
【００２０】この構成によれば、直接接続した場合の電
極６とリード８の接触圧に比してバンプ１１とリード８
の接触圧が高いため、接続が強固になる。また、リード
８が上側絶縁フィルム１０ｂ上に形成されているため、
半導体基板２にリードを半田付けする必要がなく、実装
工程の簡略化が期待でき、また電極６とリード８との位
置合わせが容易であるという利点がある。さらに、本実
施形態では下側絶縁フィルム１０ａ接着後にバンプ１１
を形成したが、上側絶縁フィルム１０ｂ接着前であれば
いつバンプ１１を形成してもよい。また、バンプ１１が
電極６でなく接続部のリード８側に形成された構成や、
電極６とリード８の両方にバンプが形成された構成でも
よい。
極６とリード８の接触圧に比してバンプ１１とリード８
の接触圧が高いため、接続が強固になる。また、リード
８が上側絶縁フィルム１０ｂ上に形成されているため、
半導体基板２にリードを半田付けする必要がなく、実装
工程の簡略化が期待でき、また電極６とリード８との位
置合わせが容易であるという利点がある。さらに、本実
施形態では下側絶縁フィルム１０ａ接着後にバンプ１１
を形成したが、上側絶縁フィルム１０ｂ接着前であれば
いつバンプ１１を形成してもよい。また、バンプ１１が
電極６でなく接続部のリード８側に形成された構成や、
電極６とリード８の両方にバンプが形成された構成でも
よい。
【００２１】（実施形態３）本実施形態の半導体イオン
センサ１は、リード８が下側絶縁フィルム１０ａ上に形
成されており、図４に示すように電極６とリード８が異
方性導電フィルム１２を介して接続されている。それ以
外の構成は実施形態１と同様である。
センサ１は、リード８が下側絶縁フィルム１０ａ上に形
成されており、図４に示すように電極６とリード８が異
方性導電フィルム１２を介して接続されている。それ以
外の構成は実施形態１と同様である。
【００２２】かかる半導体イオンセンサ１を絶縁フィル
ム１０で被覆する際には、以下のような手順に従う。ま
ず、実施形態１と同様に下側絶縁フィルム１０ａを半導
体基板２に接着する。その後、少なくとも両方の電極６
を完全に覆うことのできる形状の異方性導電フィルム１
２を半導体基板２上に両方の電極６を完全に覆うように
被せる。次に、前記半導体基板２の主表面を覆うことの
できる形状であって前記半導体基板２のイオン感応部５
に対応した開口部９が設けられた上側絶縁フィルム１０
ｂの片面に接着剤を塗布し、塗布面を半導体基板２に向
けて開口部９がイオン感応部５と完全に重なるように半
導体基板２と上側絶縁フィルム１０ｂを接着する。ここ
で上側絶縁フィルム１０ｂの半導体基板２側の面にはリ
ード８が銀ペーストの転写等によって予め形成されてい
る。その後、適当な熱と圧力とを加えて下側絶縁フィル
ム１０ａと上側絶縁フィルム１０ｂとを接合させる。上
述のようにして、図４に示すように電極６とリード８と
の接続部及び半導体基板２のイオン感応部５を除いた全
表面が下側絶縁フィルム１０ａと上側絶縁フィルム１０
ｂとを一体化した絶縁フィルム１０によって被覆され
る。
ム１０で被覆する際には、以下のような手順に従う。ま
ず、実施形態１と同様に下側絶縁フィルム１０ａを半導
体基板２に接着する。その後、少なくとも両方の電極６
を完全に覆うことのできる形状の異方性導電フィルム１
２を半導体基板２上に両方の電極６を完全に覆うように
被せる。次に、前記半導体基板２の主表面を覆うことの
できる形状であって前記半導体基板２のイオン感応部５
に対応した開口部９が設けられた上側絶縁フィルム１０
ｂの片面に接着剤を塗布し、塗布面を半導体基板２に向
けて開口部９がイオン感応部５と完全に重なるように半
導体基板２と上側絶縁フィルム１０ｂを接着する。ここ
で上側絶縁フィルム１０ｂの半導体基板２側の面にはリ
ード８が銀ペーストの転写等によって予め形成されてい
る。その後、適当な熱と圧力とを加えて下側絶縁フィル
ム１０ａと上側絶縁フィルム１０ｂとを接合させる。上
述のようにして、図４に示すように電極６とリード８と
の接続部及び半導体基板２のイオン感応部５を除いた全
表面が下側絶縁フィルム１０ａと上側絶縁フィルム１０
ｂとを一体化した絶縁フィルム１０によって被覆され
る。
【００２３】この構成によれば、異方性導電フィルム１
２を用いることによって、電極６とリード８とを接続す
る工程を簡略化できるという利点がある。異方性導電フ
ィルム１２を被せる前に、電極６上やリード８の接続部
にバンプ１１が形成された構成でもよい。
２を用いることによって、電極６とリード８とを接続す
る工程を簡略化できるという利点がある。異方性導電フ
ィルム１２を被せる前に、電極６上やリード８の接続部
にバンプ１１が形成された構成でもよい。
【００２４】（実施形態４）本実施形態の半導体イオン
センサ１は図５に示すように、電極６とリード８との接
続に実施形態３における異方性導電フィルム１２に代え
て異方性導電樹脂１３を用いている。異方性導電樹脂１
３は電極６とリード８とを接続する際にはペースト状で
あって、その後硬化する。その他の構成は実施形態３と
同様である。
センサ１は図５に示すように、電極６とリード８との接
続に実施形態３における異方性導電フィルム１２に代え
て異方性導電樹脂１３を用いている。異方性導電樹脂１
３は電極６とリード８とを接続する際にはペースト状で
あって、その後硬化する。その他の構成は実施形態３と
同様である。
【００２５】この構成によれば、異方性導電樹脂１３を
用いることによって、電極６とリード８とを接続する工
程を簡略化できるという利点がある。なお、本実施例に
おいても電極６とリード８との一方又は両方にバンプ１
１を形成した構成を採用してもよい。
用いることによって、電極６とリード８とを接続する工
程を簡略化できるという利点がある。なお、本実施例に
おいても電極６とリード８との一方又は両方にバンプ１
１を形成した構成を採用してもよい。
【００２６】
【発明の効果】請求項１の発明は、イオン感応部と電極
とを有し前記イオン感応部と前記電極とを接続する配線
を備えた半導体基板と、前記電極と外部回路とを接続す
るリードと、前記半導体基板の前記イオン感応部に対応
した開口部が設けられ前記半導体基板の前記イオン感応
部を除いた全表面を被覆する絶縁フィルムとを備えたこ
とを特徴とするものであり、前記半導体基板表面におけ
るイオン感応部以外の部分の被覆に絶縁フィルムを用い
流動性の樹脂を用いないので、マスキング等の工程を経
る必要が無いことにより被覆工程を簡略化することがで
きるという効果がある。
とを有し前記イオン感応部と前記電極とを接続する配線
を備えた半導体基板と、前記電極と外部回路とを接続す
るリードと、前記半導体基板の前記イオン感応部に対応
した開口部が設けられ前記半導体基板の前記イオン感応
部を除いた全表面を被覆する絶縁フィルムとを備えたこ
とを特徴とするものであり、前記半導体基板表面におけ
るイオン感応部以外の部分の被覆に絶縁フィルムを用い
流動性の樹脂を用いないので、マスキング等の工程を経
る必要が無いことにより被覆工程を簡略化することがで
きるという効果がある。
【００２７】請求項２の発明は、請求項１記載の半導体
イオンセンサにおいて前記リードが前記絶縁フィルム上
に予め形成されて成るものであり、半導体基板にリード
を半田付け等する必要がなく、実装工程の簡略化が期待
できるという効果がある。また、絶縁フィルムの開口部
とリードの位置関係が固定されているので、リードの位
置合わせが容易にできるという効果がある。
イオンセンサにおいて前記リードが前記絶縁フィルム上
に予め形成されて成るものであり、半導体基板にリード
を半田付け等する必要がなく、実装工程の簡略化が期待
できるという効果がある。また、絶縁フィルムの開口部
とリードの位置関係が固定されているので、リードの位
置合わせが容易にできるという効果がある。
【００２８】請求項３の発明は、請求項１又は請求項２
記載の半導体イオンセンサにおいて、前記電極と前記リ
ードの少なくとも一方にバンプが設けられ、前記電極と
前記リードは前記バンプを介して接続されているもので
あり、この接続部における接触圧がバンプの存在しない
場合に比して高くなり接続が強固になると同時にバンプ
の存在によってスリム化できるという効果がある。
記載の半導体イオンセンサにおいて、前記電極と前記リ
ードの少なくとも一方にバンプが設けられ、前記電極と
前記リードは前記バンプを介して接続されているもので
あり、この接続部における接触圧がバンプの存在しない
場合に比して高くなり接続が強固になると同時にバンプ
の存在によってスリム化できるという効果がある。
【００２９】請求項４の発明は、前記電極と前記リード
とが異方性導電フィルムを介して接続されているので、
前記電極と前記リードとを接続する工程を簡略化できる
という効果がある。
とが異方性導電フィルムを介して接続されているので、
前記電極と前記リードとを接続する工程を簡略化できる
という効果がある。
【００３０】請求項５の発明は、前記電極と前記リード
とが異方性導電樹脂を用いて接続されているので、前記
電極と前記リードとを接続する工程を簡略化できるとい
う効果がある。
とが異方性導電樹脂を用いて接続されているので、前記
電極と前記リードとを接続する工程を簡略化できるとい
う効果がある。
【図１】本発明の実施形態１を示す正面図である。
【図２】同上の断面図である。
【図３】本発明の実施形態２を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態３を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態４を示す断面図である。
【図６】従来例を示す断面図である。
１ 半導体イオンセンサ ２ 半導体基板 ５ イオン感応部 ６ 電極 ７ 配線 ８ リード ９ 開口部 １０ 絶縁フィルム １１ バンプ １２ 異方性導電フィルム １３ 異方性導電樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｎ 27/46 ３５１Ｋ ３５３Ａ ３５３Ｚ Ｇ (72)発明者 齊藤 宏 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 杉浦 義幸 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 山本 政博 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 イオン感応部と電極とを有し前記イオン
感応部と前記電極とを接続する配線部を備えた半導体基
板と、前記電極と外部回路とを接続するリードと、前記
半導体基板の前記イオン感応部に対応した開口部が設け
られ少なくとも前記半導体基板の前記イオン感応部を除
いた全表面及び前記電極と前記リードとの接続部を被覆
する絶縁フィルムとを備えたことを特徴とする半導体イ
オンセンサ。 - 【請求項２】 前記リードが前記絶縁フィルム上に予め
形成されて成ることを特徴とする請求項１記載の半導体
イオンセンサ。 - 【請求項３】 前記電極と前記リードの少なくとも一方
にバンプが設けられ、前記電極と前記リードは前記バン
プを介して接続されていることを特徴とする請求項１又
は請求項２記載の半導体イオンセンサ。 - 【請求項４】 前記電極と前記リードとが異方性導電フ
ィルムを介して接続されていることを特徴とする請求項
１乃至請求項３いずれか１項に記載の半導体イオンセン
サ。 - 【請求項５】 前記電極と前記リードとが異方性導電樹
脂を用いて接続されていることを特徴とする請求項１乃
至請求項３いずれか１項に記載の半導体イオンセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001158329A JP2002350386A (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 半導体イオンセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001158329A JP2002350386A (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 半導体イオンセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002350386A true JP2002350386A (ja) | 2002-12-04 |
Family
ID=19002068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001158329A Withdrawn JP2002350386A (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 半導体イオンセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002350386A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007316038A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド電極及びダイヤモンド電極部材 |
| JP2011180158A (ja) * | 2011-06-23 | 2011-09-15 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド電極部材 |
-
2001
- 2001-05-28 JP JP2001158329A patent/JP2002350386A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007316038A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド電極及びダイヤモンド電極部材 |
| JP2011180158A (ja) * | 2011-06-23 | 2011-09-15 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド電極部材 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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