JP2002340849A - 半導体イオンセンサ及びその製造方法 - Google Patents
半導体イオンセンサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002340849A JP2002340849A JP2001145524A JP2001145524A JP2002340849A JP 2002340849 A JP2002340849 A JP 2002340849A JP 2001145524 A JP2001145524 A JP 2001145524A JP 2001145524 A JP2001145524 A JP 2001145524A JP 2002340849 A JP2002340849 A JP 2002340849A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- sealing resin
- frame
- semiconductor
- sensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】封止樹脂がイオン感応部に覆い被さってセンサ
機能が損なわれることを防止し、且つそれに伴う実装作
業工程を簡略化する。 【解決手段】センサチップＡの表面側に枠部１１を接着
する。この枠部１１は、金属あるいは合成樹脂により、
その直径がイオン感応部６よりも小さくない大きさとし
た開口部１１ａを有する円筒形に形成され、開口部１１
ａにイオン感応部６を臨ませるようにしてセンサチップ
Ａに接着される。故に、イオン感応部６以外の部位を封
止樹脂２３にて封止する際にイオン感応部６を覆い隠す
ような特別な装置を用いることなく封止樹脂２３のイオ
ン感応部６への流れ込みを枠部１１にて阻止することが
でき、封止樹脂２３がイオン感応部６に覆い被さってセ
ンサ機能が損なわれることを防止し、且つそれに伴う実
装作業工程が簡略化できるとともに歩留まりの低下を防
ぐことができる。
機能が損なわれることを防止し、且つそれに伴う実装作
業工程を簡略化する。 【解決手段】センサチップＡの表面側に枠部１１を接着
する。この枠部１１は、金属あるいは合成樹脂により、
その直径がイオン感応部６よりも小さくない大きさとし
た開口部１１ａを有する円筒形に形成され、開口部１１
ａにイオン感応部６を臨ませるようにしてセンサチップ
Ａに接着される。故に、イオン感応部６以外の部位を封
止樹脂２３にて封止する際にイオン感応部６を覆い隠す
ような特別な装置を用いることなく封止樹脂２３のイオ
ン感応部６への流れ込みを枠部１１にて阻止することが
でき、封止樹脂２３がイオン感応部６に覆い被さってセ
ンサ機能が損なわれることを防止し、且つそれに伴う実
装作業工程が簡略化できるとともに歩留まりの低下を防
ぐことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体イオンセン
サに関するものである。
サに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】イオンセンサは溶液中の特定のイオンの
濃度を選択的且つ定量的に測定できるという特徴があ
り、特定のイオンの濃度モニタや水質分析、さらには医
療などの広い分野において使用されている。特に水質分
析分野では、水中に含まれるイオン（例えば、水素イオ
ン、塩素イオン、カルシウムイオンなど）の定量的な測
定に応用されている。従来、この種のイオンセンサには
ガラス電極が用いられていたが、最近では半導体イオン
センサが用いられるようになっている。半導体イオンセ
ンサは、従来のガラス電極と比べて、（１）小型化が容
易である、（２）集積化や多機能化が容易である、
（３）大量生産が容易である、などの利点を有してい
る。
濃度を選択的且つ定量的に測定できるという特徴があ
り、特定のイオンの濃度モニタや水質分析、さらには医
療などの広い分野において使用されている。特に水質分
析分野では、水中に含まれるイオン（例えば、水素イオ
ン、塩素イオン、カルシウムイオンなど）の定量的な測
定に応用されている。従来、この種のイオンセンサには
ガラス電極が用いられていたが、最近では半導体イオン
センサが用いられるようになっている。半導体イオンセ
ンサは、従来のガラス電極と比べて、（１）小型化が容
易である、（２）集積化や多機能化が容易である、
（３）大量生産が容易である、などの利点を有してい
る。
【０００３】ところで、半導体イオンセンサにおいて
は、その安定動作の実現や長寿命化を図る上でイオン感
応部以外の部分を被測定溶液に接触させないようにする
ことが肝要である。このため、従来の半導体イオンセン
サでは、イオン感応部以外の部分にエポキシ樹脂などの
封止樹脂を塗布してイオン感応部以外の部分を被覆して
いるのが一般的である。
は、その安定動作の実現や長寿命化を図る上でイオン感
応部以外の部分を被測定溶液に接触させないようにする
ことが肝要である。このため、従来の半導体イオンセン
サでは、イオン感応部以外の部分にエポキシ樹脂などの
封止樹脂を塗布してイオン感応部以外の部分を被覆して
いるのが一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記封
止樹脂は流動性を有しているので、イオン感応部以外の
部位を被覆するためにはイオン感応部を覆い隠すための
特別な装置が必要になり、コストが高くなってしまうと
いう不具合があった。なお、封止樹脂がイオン感応部上
に流れ込んでイオン感応部に封止樹脂が覆い被さると、
センサ機能が損なわれてしまうという不具合がある。
止樹脂は流動性を有しているので、イオン感応部以外の
部位を被覆するためにはイオン感応部を覆い隠すための
特別な装置が必要になり、コストが高くなってしまうと
いう不具合があった。なお、封止樹脂がイオン感応部上
に流れ込んでイオン感応部に封止樹脂が覆い被さると、
センサ機能が損なわれてしまうという不具合がある。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みて為されたもので
あり、その目的とするところは、封止樹脂がイオン感応
部に覆い被さってセンサ機能が損なわれることを防止
し、且つそれに伴う実装作業工程が簡略化できる半導体
イオンセンサ及びその製造方法を提供することにある。
あり、その目的とするところは、封止樹脂がイオン感応
部に覆い被さってセンサ機能が損なわれることを防止
し、且つそれに伴う実装作業工程が簡略化できる半導体
イオンセンサ及びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
目的を達成するために、半導体基板の主表面側にイオン
感応部を備え、半導体基板の主表面側におけるイオン感
応部以外の部位を封止樹脂で覆ってなる半導体イオンセ
ンサであって、イオン感応部よりも小さくない大きさの
開口部を有し該開口部にイオン感応部を臨ませるように
して半導体基板の主表面側に設けられて封止樹脂のイオ
ン感応部への流れ込みを阻止する枠部を備えたことを特
徴とし、開口部を有する枠部という非常に簡単な構造の
部材を追加するだけでイオン感応部以外の部位を封止樹
脂にて封止する際にイオン感応部を覆い隠すような特別
な装置を用いることなく封止樹脂のイオン感応部への流
れ込みを枠部によって阻止することができ、封止樹脂が
イオン感応部に覆い被さってセンサ機能が損なわれるこ
とを防止し、且つそれに伴う実装作業工程が簡略化でき
るとともに歩留まりの低下を防ぐことができる。
目的を達成するために、半導体基板の主表面側にイオン
感応部を備え、半導体基板の主表面側におけるイオン感
応部以外の部位を封止樹脂で覆ってなる半導体イオンセ
ンサであって、イオン感応部よりも小さくない大きさの
開口部を有し該開口部にイオン感応部を臨ませるように
して半導体基板の主表面側に設けられて封止樹脂のイオ
ン感応部への流れ込みを阻止する枠部を備えたことを特
徴とし、開口部を有する枠部という非常に簡単な構造の
部材を追加するだけでイオン感応部以外の部位を封止樹
脂にて封止する際にイオン感応部を覆い隠すような特別
な装置を用いることなく封止樹脂のイオン感応部への流
れ込みを枠部によって阻止することができ、封止樹脂が
イオン感応部に覆い被さってセンサ機能が損なわれるこ
とを防止し、且つそれに伴う実装作業工程が簡略化でき
るとともに歩留まりの低下を防ぐことができる。
【０００７】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、枠部が感光性ポリイミドで形成されたことを特徴と
し、請求項１の発明と同様の作用を奏する。
て、枠部が感光性ポリイミドで形成されたことを特徴と
し、請求項１の発明と同様の作用を奏する。
【０００８】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、粘性を有する材料を用いて印刷又は転写により枠部
が形成されたことを特徴とし、請求項１の発明と同様の
作用を奏する。
て、粘性を有する材料を用いて印刷又は転写により枠部
が形成されたことを特徴とし、請求項１の発明と同様の
作用を奏する。
【０００９】請求項４の発明は、上記目的を達成するた
めに、半導体基板の主表面側にイオン感応部を備え、半
導体基板の主表面側におけるイオン感応部以外の部位を
封止樹脂で覆ってなる半導体イオンセンサの製造方法で
あって、イオン感応部よりも小さくない大きさの開口部
を有する枠部を、該開口部にイオン感応部を臨ませるよ
うにして半導体基板の主表面側に設け、この枠部の外側
を樹脂で封止することを特徴とし、開口部を有する枠部
という非常に簡単な構造の部材を追加するだけでイオン
感応部以外の部位を封止樹脂にて封止する際にイオン感
応部を覆い隠すような特別な装置を用いることなく封止
樹脂のイオン感応部への流れ込みを枠部によって阻止す
ることができ、封止樹脂がイオン感応部に覆い被さって
センサ機能が損なわれることを防止し、且つそれに伴う
実装作業工程が簡略化できるとともに歩留まりの低下を
防ぐことができる。
めに、半導体基板の主表面側にイオン感応部を備え、半
導体基板の主表面側におけるイオン感応部以外の部位を
封止樹脂で覆ってなる半導体イオンセンサの製造方法で
あって、イオン感応部よりも小さくない大きさの開口部
を有する枠部を、該開口部にイオン感応部を臨ませるよ
うにして半導体基板の主表面側に設け、この枠部の外側
を樹脂で封止することを特徴とし、開口部を有する枠部
という非常に簡単な構造の部材を追加するだけでイオン
感応部以外の部位を封止樹脂にて封止する際にイオン感
応部を覆い隠すような特別な装置を用いることなく封止
樹脂のイオン感応部への流れ込みを枠部によって阻止す
ることができ、封止樹脂がイオン感応部に覆い被さって
センサ機能が損なわれることを防止し、且つそれに伴う
実装作業工程が簡略化できるとともに歩留まりの低下を
防ぐことができる。
【００１０】請求項５の発明は、請求項４の発明におい
て、感光性ポリイミドで枠部を形成したことを特徴と
し、請求項４の発明と同様の作用を奏する。
て、感光性ポリイミドで枠部を形成したことを特徴と
し、請求項４の発明と同様の作用を奏する。
【００１１】請求項６の発明は、請求項４の発明におい
て、粘性を有する材料を用いて印刷又は転写により枠部
を形成したことを特徴とし、請求項４の発明と同様の作
用を奏する。
て、粘性を有する材料を用いて印刷又は転写により枠部
を形成したことを特徴とし、請求項４の発明と同様の作
用を奏する。
【００１２】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本実施形態の半導
体イオンセンサは、図１及び図２に示すようにリードフ
レーム又はプリント基板からなる平板状の支持材２０の
表面にセンサチップＡがダイボンドされ、支持材２０の
表面に形成されている導体パターン２１とセンサチップ
Ａの電極パッド７ａ，８ａがワイヤボンディングされ、
センサチップＡのイオン感応部６が設けられた表面（主
表面）側におけるイオン感応部６以外の部位がエポキシ
樹脂等の封止樹脂２３で覆われてなる。
体イオンセンサは、図１及び図２に示すようにリードフ
レーム又はプリント基板からなる平板状の支持材２０の
表面にセンサチップＡがダイボンドされ、支持材２０の
表面に形成されている導体パターン２１とセンサチップ
Ａの電極パッド７ａ，８ａがワイヤボンディングされ、
センサチップＡのイオン感応部６が設けられた表面（主
表面）側におけるイオン感応部６以外の部位がエポキシ
樹脂等の封止樹脂２３で覆われてなる。
【００１３】センサチップＡは、図３に示すようにｐ形
シリコン基板１の主表面側にｎ+層よりなるドレイン領
域２とｎ+層よりなるソース領域３とが離間して形成さ
れ、両領域２，３間のチャネル部４上にＳｉＯ2膜より
なるゲート絶縁膜５を介してＳｉ3Ｎ4膜からなるイオン
感応膜（イオン感応部）６が形成されている。また、ド
レイン領域２上にはドレイン電極７が形成され、ソース
領域３上にはソース電極８が形成されており、各電極
７，８上には保護膜１０が形成されている。なお、ｐ形
シリコン基板１の主表面上における不活性領域上にはフ
ィールド酸化膜（絶縁酸化膜）９が形成されている。
シリコン基板１の主表面側にｎ+層よりなるドレイン領
域２とｎ+層よりなるソース領域３とが離間して形成さ
れ、両領域２，３間のチャネル部４上にＳｉＯ2膜より
なるゲート絶縁膜５を介してＳｉ3Ｎ4膜からなるイオン
感応膜（イオン感応部）６が形成されている。また、ド
レイン領域２上にはドレイン電極７が形成され、ソース
領域３上にはソース電極８が形成されており、各電極
７，８上には保護膜１０が形成されている。なお、ｐ形
シリコン基板１の主表面上における不活性領域上にはフ
ィールド酸化膜（絶縁酸化膜）９が形成されている。
【００１４】要するに、図３に示す構成のセンサチップ
Ａは、電界効果型トランジスタのドレイン・ソース間の
チャネル部４上にゲート絶縁膜５を介して形成されたゲ
ート電極に相当する部分に、イオン感応部６を形成して
あるので、イオン濃度の大きさに応じてチャネル部４の
電位が変わって、チャネル部４の電気抵抗が変化するこ
とになり、ドレイン・ソース間の電流が変化する。した
がって、ドレイン・ソース間の電流を検出し、検出電流
を増幅する増幅回路や増幅回路の出力に基づいてイオン
濃度を演算する制御回路などと併用することにより、イ
オン濃度を算出することができる。
Ａは、電界効果型トランジスタのドレイン・ソース間の
チャネル部４上にゲート絶縁膜５を介して形成されたゲ
ート電極に相当する部分に、イオン感応部６を形成して
あるので、イオン濃度の大きさに応じてチャネル部４の
電位が変わって、チャネル部４の電気抵抗が変化するこ
とになり、ドレイン・ソース間の電流が変化する。した
がって、ドレイン・ソース間の電流を検出し、検出電流
を増幅する増幅回路や増幅回路の出力に基づいてイオン
濃度を演算する制御回路などと併用することにより、イ
オン濃度を算出することができる。
【００１５】次に、上記センサチップＡを支持材２０に
実装して半導体イオンセンサを製造する工程を説明す
る。まず、絶縁樹脂等の一般の半導体素子実装に使用さ
れている部材を用いて支持材１の表面にセンサチップＡ
をダイボンドした後、ドレイン電極７の電極パッド７ａ
並びにソース電極８の電極パッド８ａをそれぞれ支持材
２０の表面に形成されている配線用の導体パターン２
１，２１にワイヤボンディングする。なお、図１及び図
２中の２２は電極パッド７ａ，８ａと導体パターン２
１，２１とを接続するワイヤである。
実装して半導体イオンセンサを製造する工程を説明す
る。まず、絶縁樹脂等の一般の半導体素子実装に使用さ
れている部材を用いて支持材１の表面にセンサチップＡ
をダイボンドした後、ドレイン電極７の電極パッド７ａ
並びにソース電極８の電極パッド８ａをそれぞれ支持材
２０の表面に形成されている配線用の導体パターン２
１，２１にワイヤボンディングする。なお、図１及び図
２中の２２は電極パッド７ａ，８ａと導体パターン２
１，２１とを接続するワイヤである。
【００１６】そして、ワイヤボンディング後、絶縁樹脂
等の一般の半導体素子実装に使用されている部材を用い
てセンサチップＡの表面（シリコン基板１の主表面）側
に枠部１１を接着する。この枠部１１は、金属あるいは
合成樹脂により、その直径がイオン感応部６よりも小さ
くない大きさとした開口部１１ａを有する円筒形に形成
され、図２に示すように開口部１１ａにイオン感応部６
を臨ませるようにしてセンサチップＡに接着される。但
し、枠部１１の形状は円筒形に限定されるものではな
く、角筒形やその他の形状であってもよい。
等の一般の半導体素子実装に使用されている部材を用い
てセンサチップＡの表面（シリコン基板１の主表面）側
に枠部１１を接着する。この枠部１１は、金属あるいは
合成樹脂により、その直径がイオン感応部６よりも小さ
くない大きさとした開口部１１ａを有する円筒形に形成
され、図２に示すように開口部１１ａにイオン感応部６
を臨ませるようにしてセンサチップＡに接着される。但
し、枠部１１の形状は円筒形に限定されるものではな
く、角筒形やその他の形状であってもよい。
【００１７】最後に、図１に示すようにセンサチップＡ
の表面側における枠部１１の外側の部位をエポキシ樹脂
等の封止樹脂２３で封止することによって半導体イオン
センサが完成する。
の表面側における枠部１１の外側の部位をエポキシ樹脂
等の封止樹脂２３で封止することによって半導体イオン
センサが完成する。
【００１８】上述のようにして形成された本実施形態の
半導体イオンセンサでは、イオン感応部６の周囲に封止
樹脂２３の流れ込みを阻止する枠部１１が設けてあるの
で、イオン感応部６以外の部位を封止樹脂２３にて封止
する際にイオン感応部６を覆い隠すような特別な装置を
用いることなく封止樹脂２３のイオン感応部６への流れ
込みを阻止することができ、封止樹脂２３がイオン感応
部６に覆い被さってセンサ機能が損なわれることを防止
し、且つそれに伴う実装作業工程が簡略化できるととも
に歩留まりの低下を防ぐことができる。要するに、セン
サチップＡの表面側に枠部１１を接着する工程は一般的
な半導体製造装置で対応可能な工程であるから、上述の
ように特別な装置を用いることなしに封止樹脂２３のイ
オン感応部６への流れ込みが阻止し得るものであり、結
果的に支持材２０へのセンサチップＡの実装作業工程が
簡略化できるのである。
半導体イオンセンサでは、イオン感応部６の周囲に封止
樹脂２３の流れ込みを阻止する枠部１１が設けてあるの
で、イオン感応部６以外の部位を封止樹脂２３にて封止
する際にイオン感応部６を覆い隠すような特別な装置を
用いることなく封止樹脂２３のイオン感応部６への流れ
込みを阻止することができ、封止樹脂２３がイオン感応
部６に覆い被さってセンサ機能が損なわれることを防止
し、且つそれに伴う実装作業工程が簡略化できるととも
に歩留まりの低下を防ぐことができる。要するに、セン
サチップＡの表面側に枠部１１を接着する工程は一般的
な半導体製造装置で対応可能な工程であるから、上述の
ように特別な装置を用いることなしに封止樹脂２３のイ
オン感応部６への流れ込みが阻止し得るものであり、結
果的に支持材２０へのセンサチップＡの実装作業工程が
簡略化できるのである。
【００１９】なお、金属製又は合成樹脂製の枠部１１を
センサチップＡの表面側に接着する代わりに、銀ペース
トやシリコンゴム、あるいは高粘度のエポキシ樹脂等の
粘性を有する材料をセンサチップＡの表面側に転写又は
印刷することで枠部１１を形成することも可能である。
センサチップＡの表面側に接着する代わりに、銀ペース
トやシリコンゴム、あるいは高粘度のエポキシ樹脂等の
粘性を有する材料をセンサチップＡの表面側に転写又は
印刷することで枠部１１を形成することも可能である。
【００２０】（実施形態２）本実施形態は、センサチッ
プＡの製造工程においてイオン感応部６周辺の保護膜１
０上に感光性ポリイミドを用いて枠部１１を形成してい
る点に特徴があり、これ以外の構造並びに製造工程は実
施形態１と同一である。
プＡの製造工程においてイオン感応部６周辺の保護膜１
０上に感光性ポリイミドを用いて枠部１１を形成してい
る点に特徴があり、これ以外の構造並びに製造工程は実
施形態１と同一である。
【００２１】而して、イオン感応部６周辺の保護膜１０
上に厚塗り可能な感光性ポリイミドを塗布し、開口部１
１ａを形成する部位に光を照射して露光させ、現像によ
り露光部位の感光性ポリイミドを除去した後に硬化させ
ることで開口部１１ａを有する枠部１１が形成できる。
そして、センサチップＡの表面側における枠部１１の外
側の部位をエポキシ樹脂等の封止樹脂２３で封止するこ
とによって半導体イオンセンサが完成する。
上に厚塗り可能な感光性ポリイミドを塗布し、開口部１
１ａを形成する部位に光を照射して露光させ、現像によ
り露光部位の感光性ポリイミドを除去した後に硬化させ
ることで開口部１１ａを有する枠部１１が形成できる。
そして、センサチップＡの表面側における枠部１１の外
側の部位をエポキシ樹脂等の封止樹脂２３で封止するこ
とによって半導体イオンセンサが完成する。
【００２２】本実施形態も実施形態１と同様に、イオン
感応部６以外の部位を封止樹脂２３にて封止する際にイ
オン感応部６を覆い隠すような特別な装置を用いること
なく封止樹脂２３のイオン感応部６への流れ込みを枠部
１１によって阻止することができる。
感応部６以外の部位を封止樹脂２３にて封止する際にイ
オン感応部６を覆い隠すような特別な装置を用いること
なく封止樹脂２３のイオン感応部６への流れ込みを枠部
１１によって阻止することができる。
【００２３】
【発明の効果】請求項１の発明は、半導体基板の主表面
側にイオン感応部を備え、半導体基板の主表面側におけ
るイオン感応部以外の部位を封止樹脂で覆ってなる半導
体イオンセンサであって、イオン感応部よりも小さくな
い大きさの開口部を有し該開口部にイオン感応部を臨ま
せるようにして半導体基板の主表面側に設けられて封止
樹脂のイオン感応部への流れ込みを阻止する枠部を備え
たので、開口部を有する枠部という非常に簡単な構造の
部材を追加するだけでイオン感応部以外の部位を封止樹
脂にて封止する際にイオン感応部を覆い隠すような特別
な装置を用いることなく封止樹脂のイオン感応部への流
れ込みを枠部によって阻止することができ、封止樹脂が
イオン感応部に覆い被さってセンサ機能が損なわれるこ
とを防止し、且つそれに伴う実装作業工程が簡略化でき
るとともに歩留まりの低下を防ぐことができるという効
果がある。
側にイオン感応部を備え、半導体基板の主表面側におけ
るイオン感応部以外の部位を封止樹脂で覆ってなる半導
体イオンセンサであって、イオン感応部よりも小さくな
い大きさの開口部を有し該開口部にイオン感応部を臨ま
せるようにして半導体基板の主表面側に設けられて封止
樹脂のイオン感応部への流れ込みを阻止する枠部を備え
たので、開口部を有する枠部という非常に簡単な構造の
部材を追加するだけでイオン感応部以外の部位を封止樹
脂にて封止する際にイオン感応部を覆い隠すような特別
な装置を用いることなく封止樹脂のイオン感応部への流
れ込みを枠部によって阻止することができ、封止樹脂が
イオン感応部に覆い被さってセンサ機能が損なわれるこ
とを防止し、且つそれに伴う実装作業工程が簡略化でき
るとともに歩留まりの低下を防ぐことができるという効
果がある。
【００２４】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、枠部が感光性ポリイミドで形成されたので、請求項
１の発明と同様の効果を奏する。
て、枠部が感光性ポリイミドで形成されたので、請求項
１の発明と同様の効果を奏する。
【００２５】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、粘性を有する材料を用いて印刷又は転写により枠部
が形成されたので、請求項１の発明と同様の効果を奏す
る。
て、粘性を有する材料を用いて印刷又は転写により枠部
が形成されたので、請求項１の発明と同様の効果を奏す
る。
【００２６】請求項４の発明は、半導体基板の主表面側
にイオン感応部を備え、半導体基板の主表面側における
イオン感応部以外の部位を封止樹脂で覆ってなる半導体
イオンセンサの製造方法であって、イオン感応部よりも
小さくない大きさの開口部を有する枠部を、該開口部に
イオン感応部を臨ませるようにして半導体基板の主表面
側に設け、この枠部の外側を樹脂で封止するので、開口
部を有する枠部という非常に簡単な構造の部材を追加す
るだけでイオン感応部以外の部位を封止樹脂にて封止す
る際にイオン感応部を覆い隠すような特別な装置を用い
ることなく封止樹脂のイオン感応部への流れ込みを枠部
によって阻止することができ、封止樹脂がイオン感応部
に覆い被さってセンサ機能が損なわれることを防止し、
且つそれに伴う実装作業工程が簡略化できるとともに歩
留まりの低下を防ぐことができるという効果がある。
にイオン感応部を備え、半導体基板の主表面側における
イオン感応部以外の部位を封止樹脂で覆ってなる半導体
イオンセンサの製造方法であって、イオン感応部よりも
小さくない大きさの開口部を有する枠部を、該開口部に
イオン感応部を臨ませるようにして半導体基板の主表面
側に設け、この枠部の外側を樹脂で封止するので、開口
部を有する枠部という非常に簡単な構造の部材を追加す
るだけでイオン感応部以外の部位を封止樹脂にて封止す
る際にイオン感応部を覆い隠すような特別な装置を用い
ることなく封止樹脂のイオン感応部への流れ込みを枠部
によって阻止することができ、封止樹脂がイオン感応部
に覆い被さってセンサ機能が損なわれることを防止し、
且つそれに伴う実装作業工程が簡略化できるとともに歩
留まりの低下を防ぐことができるという効果がある。
【００２７】請求項５の発明は、請求項４の発明におい
て、感光性ポリイミドで枠部を形成したので、請求項４
の発明と同様の効果を奏する。
て、感光性ポリイミドで枠部を形成したので、請求項４
の発明と同様の効果を奏する。
【００２８】請求項６の発明は、請求項４の発明におい
て、粘性を有する材料を用いて印刷又は転写により枠部
を形成したので、請求項４の発明と同様の効果を奏す
る。
て、粘性を有する材料を用いて印刷又は転写により枠部
を形成したので、請求項４の発明と同様の効果を奏す
る。
【図１】実施形態１の断面図である。
【図２】同上の平面図である。
【図３】同上におけるセンサチップの断面図である。
【図４】実施形態２におけるセンサチップの断面図であ
る。
る。
Ａ センサチップ ６ イオン感応部 １１ 枠部 １１ａ 開口部 ２０ 支持材 ２３ 封止樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉浦 義幸 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 齊藤 宏 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 山本 政博 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F061 AA01 BA01 BA04 FA06
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板の主表面側にイオン感応部を
備え、半導体基板の主表面側におけるイオン感応部以外
の部位を封止樹脂で覆ってなる半導体イオンセンサであ
って、イオン感応部よりも小さくない大きさの開口部を
有し該開口部にイオン感応部を臨ませるようにして半導
体基板の主表面側に設けられて封止樹脂のイオン感応部
への流れ込みを阻止する枠部を備えたことを特徴とする
半導体イオンセンサ。 - 【請求項２】 枠部が感光性ポリイミドで形成されたこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体イオンセンサ。 - 【請求項３】 粘性を有する材料を用いて印刷又は転写
により枠部が形成されたことを特徴とする請求項１記載
の半導体イオンセンサ。 - 【請求項４】 半導体基板の主表面側にイオン感応部を
備え、半導体基板の主表面側におけるイオン感応部以外
の部位を封止樹脂で覆ってなる半導体イオンセンサの製
造方法であって、イオン感応部よりも小さくない大きさ
の開口部を有する枠部を、該開口部にイオン感応部を臨
ませるようにして半導体基板の主表面側に設け、この枠
部の外側を樹脂で封止することを特徴とする半導体イオ
ンセンサの製造方法。 - 【請求項５】 感光性ポリイミドで枠部を形成したこと
を特徴とする請求項４記載の半導体イオンセンサの製造
方法。 - 【請求項６】 粘性を有する材料を用いて印刷又は転写
により枠部を形成したことを特徴とする請求項４記載の
半導体イオンセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001145524A JP2002340849A (ja) | 2001-05-15 | 2001-05-15 | 半導体イオンセンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001145524A JP2002340849A (ja) | 2001-05-15 | 2001-05-15 | 半導体イオンセンサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002340849A true JP2002340849A (ja) | 2002-11-27 |
Family
ID=18991322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001145524A Withdrawn JP2002340849A (ja) | 2001-05-15 | 2001-05-15 | 半導体イオンセンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002340849A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003067657A2 (de) * | 2002-02-07 | 2003-08-14 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit sensor- bzw. aktoroberfläche und verfahren zu seiner herstellung |
| WO2006038324A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Waseda University | 半導体センシング用電界効果型トランジスタ、半導体センシングデバイス、半導体センサチップ及び半導体センシング装置 |
| US20120322208A1 (en) * | 2007-07-27 | 2012-12-20 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device and method for manufacturing electronic device |
| JP2013012745A (ja) * | 2007-07-27 | 2013-01-17 | Renesas Electronics Corp | 電子装置 |
-
2001
- 2001-05-15 JP JP2001145524A patent/JP2002340849A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003067657A2 (de) * | 2002-02-07 | 2003-08-14 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit sensor- bzw. aktoroberfläche und verfahren zu seiner herstellung |
| WO2003067657A3 (de) * | 2002-02-07 | 2003-11-13 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit sensor- bzw. aktoroberfläche und verfahren zu seiner herstellung |
| US6987312B2 (en) | 2002-02-07 | 2006-01-17 | Infineon Technologies, Ag | Semiconductor device with sensor and/or actuator surface and method for producing it |
| WO2006038324A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Waseda University | 半導体センシング用電界効果型トランジスタ、半導体センシングデバイス、半導体センサチップ及び半導体センシング装置 |
| US7838912B2 (en) | 2004-09-30 | 2010-11-23 | Waseda University | Semiconductor sensing field effect transistor, semiconductor sensing device, semiconductor sensor chip and semiconductor sensing device |
| US20120322208A1 (en) * | 2007-07-27 | 2012-12-20 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device and method for manufacturing electronic device |
| JP2013012745A (ja) * | 2007-07-27 | 2013-01-17 | Renesas Electronics Corp | 電子装置 |
| US9327457B2 (en) | 2007-07-27 | 2016-05-03 | Renesas Electronics Corporation | Electronic device and method for manufacturing electronic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI422818B (zh) | 氫離子感測場效電晶體及其製造方法 | |
| US4437969A (en) | Offset-gate chemical-sensitive field-effect transistors (OG-CHEMFETS) with electrolytically-programmable selectivity | |
| JP4312379B2 (ja) | 参照電極 | |
| JPH07174599A (ja) | 半導体センサー装置およびその製造方法 | |
| US20110100810A1 (en) | Chip integrated ion sensor | |
| JP3882592B2 (ja) | 半導体イオンセンサとその製造方法 | |
| US4232326A (en) | Chemically sensitive field effect transistor having electrode connections | |
| JP2002340849A (ja) | 半導体イオンセンサ及びその製造方法 | |
| JP3318405B2 (ja) | 参照電極 | |
| TWI517466B (zh) | 電阻式記憶體感測元件 | |
| TWI435078B (zh) | 離子感測裝置及其製造方法 | |
| JPS61120958A (ja) | ガラス応答膜を有するイオンセンサ | |
| JP2002350387A (ja) | 半導体イオンセンサの製造方法 | |
| JPH0518935A (ja) | ダイヤモンド薄膜イオンセンサ | |
| JP2001153836A (ja) | 集積型イオンセンサ | |
| JP2895561B2 (ja) | 半導体センサ装置 | |
| US8410530B2 (en) | Sensitive field effect transistor apparatus | |
| JP2002350386A (ja) | 半導体イオンセンサ | |
| JP2001242131A (ja) | イオンセンサ | |
| JPH0315974B2 (ja) | ||
| JPH04186153A (ja) | プレーナ型イオンセンサ | |
| JP2000187017A (ja) | 半導体イオンセンサ | |
| JP2004144705A (ja) | 半導体イオンセンサ | |
| JPS62110145A (ja) | 環境検知装置及びその製造方法 | |
| JPH0452409B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080805 |