JP2003161721A - 半導体イオンセンサとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 イオンセンシング機能の低下を招くことなく
製造工程の簡略性を向上させた半導体イオンセンサを提
供すること 【解決手段】 半導体基板の主表面側にイオン感応部１
４を有するセンサチップ１と、イオン感応部１４の大き
さと少なくとも同等の大きさの開口を有し、平面視にお
いてイオン感応部１４を囲むように設けられた枠体２
と、半導体基板の他方の表面側と当接してセンサチップ
１を支持する支持体３と、イオン感応部１４を除いたセ
ンサチップ１及び支持体３を封止する封止樹脂体４とを
備えた半導体イオンセンサ。封止樹脂体４を、イオン感
応部１４を除いたセンサチップ１及び支持体３を覆うよ
うに金型成形を用いて設けたことを特徴とする半導体イ
オンセンサ。
製造工程の簡略性を向上させた半導体イオンセンサを提
供すること 【解決手段】 半導体基板の主表面側にイオン感応部１
４を有するセンサチップ１と、イオン感応部１４の大き
さと少なくとも同等の大きさの開口を有し、平面視にお
いてイオン感応部１４を囲むように設けられた枠体２
と、半導体基板の他方の表面側と当接してセンサチップ
１を支持する支持体３と、イオン感応部１４を除いたセ
ンサチップ１及び支持体３を封止する封止樹脂体４とを
備えた半導体イオンセンサ。封止樹脂体４を、イオン感
応部１４を除いたセンサチップ１及び支持体３を覆うよ
うに金型成形を用いて設けたことを特徴とする半導体イ
オンセンサ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオンセンサに関
し、特に、溶液中での成分検出を行う電界効果型の半導
体イオンセンサに関するものである。
し、特に、溶液中での成分検出を行う電界効果型の半導
体イオンセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】溶液（被測定液）中の成分、例えば、イ
オン濃度などを検出するために用いられる半導体イオン
センサとして、ＩＳＦＥＴ（Ｉｏｎ Ｓｅｎｓｉｔｉｖ
ｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）と呼ばれる半導体イオンセンサが提供されている。
この種の半導体イオンセンサは、電界効果トランジスタ
（ＭＯＳＦＥＴ）のゲート電極に相当する部位を、特定
のイオン成分に感応して、その濃度に応じた表面電位を
生じさせるイオン感応部に転換したものであり、イオン
感応部と溶液との界面に生じる電界の変化に応じて半導
体表面近傍のコンダクタンスが変化することを利用し
て、溶液中の特定イオン成分のイオン濃度などを検出す
ること、更に詳しくは、溶液中の特定イオン成分を定性
的、定量的に分析することができる。
オン濃度などを検出するために用いられる半導体イオン
センサとして、ＩＳＦＥＴ（Ｉｏｎ Ｓｅｎｓｉｔｉｖ
ｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）と呼ばれる半導体イオンセンサが提供されている。
この種の半導体イオンセンサは、電界効果トランジスタ
（ＭＯＳＦＥＴ）のゲート電極に相当する部位を、特定
のイオン成分に感応して、その濃度に応じた表面電位を
生じさせるイオン感応部に転換したものであり、イオン
感応部と溶液との界面に生じる電界の変化に応じて半導
体表面近傍のコンダクタンスが変化することを利用し
て、溶液中の特定イオン成分のイオン濃度などを検出す
ること、更に詳しくは、溶液中の特定イオン成分を定性
的、定量的に分析することができる。
【０００３】その具体的なものとしては、図８に示され
ている構造のものが知られている。このものは、センサ
チップ１１０と、支持体１２０と、金属細線１３０と、
封止樹脂体１４０を主要構成要素としている。
ている構造のものが知られている。このものは、センサ
チップ１１０と、支持体１２０と、金属細線１３０と、
封止樹脂体１４０を主要構成要素としている。
【０００４】センサチップ１１０は、検出したイオン濃
度を電気信号に変換するものであり、ｐ型の半導体基板
の表面（図４の上方向）にｎ＋層よりなるドレイン領域
１１１とソース領域１１２を離間して形成し、両領域間
１１１，１１２のチャネル領域１１３上に当接する部位
を薄膜化したシリコン酸化膜よりなる絶縁膜（図示せ
ず）と、薄膜化した絶縁膜上面にシリコン窒化膜からな
るイオン感応部１１４をそれぞれ形成したものである。
また、ドレイン領域１１１及びソース領域１１２には配
線抵抗１１５，１１５が連設され、電極１１６，１１６
と電気的に接続されている。
度を電気信号に変換するものであり、ｐ型の半導体基板
の表面（図４の上方向）にｎ＋層よりなるドレイン領域
１１１とソース領域１１２を離間して形成し、両領域間
１１１，１１２のチャネル領域１１３上に当接する部位
を薄膜化したシリコン酸化膜よりなる絶縁膜（図示せ
ず）と、薄膜化した絶縁膜上面にシリコン窒化膜からな
るイオン感応部１１４をそれぞれ形成したものである。
また、ドレイン領域１１１及びソース領域１１２には配
線抵抗１１５，１１５が連設され、電極１１６，１１６
と電気的に接続されている。
【０００５】支持体１２０は、センサチップ１１０を固
定するとともに外部と信号の授受をするための導電路１
２１を擁したものであり、例えば、ガラスエポキシ材か
らなるプリント配線基板等により形成されている。そし
て、センサチップ１１０を、例えば、接着剤等により支
持体１２０の導電路１２１が形成されている面側に固着
している。
定するとともに外部と信号の授受をするための導電路１
２１を擁したものであり、例えば、ガラスエポキシ材か
らなるプリント配線基板等により形成されている。そし
て、センサチップ１１０を、例えば、接着剤等により支
持体１２０の導電路１２１が形成されている面側に固着
している。
【０００６】金属細線１３０は、センサチップ１１０と
導電路１２１とを電気的に接続するためのものであり、
例えば、金等により構成されている。また、このもの
は、例えば、超音波熱圧着併用法等を用いて電極１１６
と導電路１２１とに接続されている。
導電路１２１とを電気的に接続するためのものであり、
例えば、金等により構成されている。また、このもの
は、例えば、超音波熱圧着併用法等を用いて電極１１６
と導電路１２１とに接続されている。
【０００７】封止樹脂体１４０は、センサチップ１１０
と金属細線１３０とを水分及び異物並びに衝撃から保護
するものであり、例えば、シリコーン樹脂等の合成樹脂
で構成されている。また、このものは、イオン感応部１
１４のみを露出して、センサチップ１１０のそれ以外の
部位及び金属細線１３０を覆うように設けられている。
と金属細線１３０とを水分及び異物並びに衝撃から保護
するものであり、例えば、シリコーン樹脂等の合成樹脂
で構成されている。また、このものは、イオン感応部１
１４のみを露出して、センサチップ１１０のそれ以外の
部位及び金属細線１３０を覆うように設けられている。
【０００８】この半導体イオンセンサによると、イオン
感応部１１４がイオン成分濃度に応じてチャネル領域１
１３のコンダクタンスを変化させる。つまり、このコン
ダクタンスの変化を電気信号の変化として出力するよう
にすれば、溶液中の被検出対象のイオン濃度を電気的な
物理量として検出できるのである。また、イオン感応部
１１４以外の部位は、シリコーン樹脂等の封止樹脂体１
４０により封止しているので、溶液中に浸漬しても電極
１１６等を腐食し難くすることができる。
感応部１１４がイオン成分濃度に応じてチャネル領域１
１３のコンダクタンスを変化させる。つまり、このコン
ダクタンスの変化を電気信号の変化として出力するよう
にすれば、溶液中の被検出対象のイオン濃度を電気的な
物理量として検出できるのである。また、イオン感応部
１１４以外の部位は、シリコーン樹脂等の封止樹脂体１
４０により封止しているので、溶液中に浸漬しても電極
１１６等を腐食し難くすることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような半導体イオンセンサにおいて、その封止樹脂体１
４０は、塗布する際の温度や湿度、さらには放置時間に
よって粘度が変化するため、塗布後の形状が不安定に成
り易いという懸念がある。また、このような状態になる
と、封止樹脂体１４０がイオン感応部１１４上に流れ込
んでしまい、最悪の場合、半導体イオンセンサのイオン
センシング機能が損なわれてしまう可能性がある。ま
た、このような懸念点を解決するためには、恒温恒湿の
環境と精密に塗布量を制御する、例えば、計量塗布装置
等の装置が必要となり、製造工程が繁雑になるという問
題が生じる恐れがある。
ような半導体イオンセンサにおいて、その封止樹脂体１
４０は、塗布する際の温度や湿度、さらには放置時間に
よって粘度が変化するため、塗布後の形状が不安定に成
り易いという懸念がある。また、このような状態になる
と、封止樹脂体１４０がイオン感応部１１４上に流れ込
んでしまい、最悪の場合、半導体イオンセンサのイオン
センシング機能が損なわれてしまう可能性がある。ま
た、このような懸念点を解決するためには、恒温恒湿の
環境と精密に塗布量を制御する、例えば、計量塗布装置
等の装置が必要となり、製造工程が繁雑になるという問
題が生じる恐れがある。
【００１０】本発明は、上記の点を鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、イオンセンシング機
能の低下を招くことなく製造工程の簡略性を向上させた
半導体イオンセンサを提供することにある。
であり、その目的とするところは、イオンセンシング機
能の低下を招くことなく製造工程の簡略性を向上させた
半導体イオンセンサを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明の半導体イオンセンサは、半導
体基板の主表面側にイオン感応部を有するセンサチップ
と、イオン感応部の大きさと少なくとも同等の大きさの
開口を有し、平面視においてイオン感応部を囲むように
設けられた枠体と、半導体基板の他方の表面側と当接し
てセンサチップを支持する支持体と、イオン感応部を除
いたセンサチップ及び支持体を封止する封止樹脂体とを
備えた半導体イオンセンサにおいて、前記封止樹脂体
を、イオン感応部を除いたセンサチップ及び支持体に覆
うように金型成形を用いて設けたことを特徴としてい
る。
に、請求項１に係る発明の半導体イオンセンサは、半導
体基板の主表面側にイオン感応部を有するセンサチップ
と、イオン感応部の大きさと少なくとも同等の大きさの
開口を有し、平面視においてイオン感応部を囲むように
設けられた枠体と、半導体基板の他方の表面側と当接し
てセンサチップを支持する支持体と、イオン感応部を除
いたセンサチップ及び支持体を封止する封止樹脂体とを
備えた半導体イオンセンサにおいて、前記封止樹脂体
を、イオン感応部を除いたセンサチップ及び支持体に覆
うように金型成形を用いて設けたことを特徴としてい
る。
【００１２】請求項２に係る発明の半導体イオンセンサ
は、請求項１記載の構成において、前記センサチップに
外部からの応力に対して弾性を有する緩衝部材を設けた
ものとしている。
は、請求項１記載の構成において、前記センサチップに
外部からの応力に対して弾性を有する緩衝部材を設けた
ものとしている。
【００１３】請求項３に係る発明の半導体イオンセンサ
は、請求項２記載の構成において、前記緩衝部材を、セ
ンサチップと枠体との間に配設したものとしている。
は、請求項２記載の構成において、前記緩衝部材を、セ
ンサチップと枠体との間に配設したものとしている。
【００１４】請求項４に係る発明の半導体イオンセンサ
は、請求項２又は３記載の構成において、前記緩衝部材
を、センサチップと支持体との間に配設したものとして
いる。
は、請求項２又は３記載の構成において、前記緩衝部材
を、センサチップと支持体との間に配設したものとして
いる。
【００１５】請求項５に係る半導体イオンセンサは、請
求項１乃至４記載のいずれかの構成において、前記支持
体を、リードフレームにて形成したものとしている。
求項１乃至４記載のいずれかの構成において、前記支持
体を、リードフレームにて形成したものとしている。
【００１６】請求項６に係る半導体イオンセンサは、請
求項５記載の構成において、リードフレームを、センサ
チップと外部とを電気的に接続するリード及びセンサチ
ップを載置するアイランドで構成される第１のリードフ
レームと、イオン感応部を露出する開口を有した枠部と
それを支持する支持脚で構成される第２のリードフレー
ムとで構成したものとしている。
求項５記載の構成において、リードフレームを、センサ
チップと外部とを電気的に接続するリード及びセンサチ
ップを載置するアイランドで構成される第１のリードフ
レームと、イオン感応部を露出する開口を有した枠部と
それを支持する支持脚で構成される第２のリードフレー
ムとで構成したものとしている。
【００１７】請求項７に係る半導体イオンセンサは、請
求項５記載の構成において、リードフレームを、センサ
チップを載置するアイランドで構成される第３のリード
フレームと、イオン感応部を露出する開口を有した枠部
及び枠部を支持してセンサチップと外部とを電気的に接
続する支持脚で構成される第４のリードフレームとで構
成したものとしている。
求項５記載の構成において、リードフレームを、センサ
チップを載置するアイランドで構成される第３のリード
フレームと、イオン感応部を露出する開口を有した枠部
及び枠部を支持してセンサチップと外部とを電気的に接
続する支持脚で構成される第４のリードフレームとで構
成したものとしている。
【００１８】請求項８に係る半導体イオンセンサは、請
求項６又は７記載の構成において、前記リードフレーム
の、少なくとも枠部に金メッキを施したものとしてい
る。
求項６又は７記載の構成において、前記リードフレーム
の、少なくとも枠部に金メッキを施したものとしてい
る。
【００１９】請求項９に係る半導体イオンセンサの製造
方法は、半導体基板の主表面側にイオン感応部を有する
センサチップと、イオン感応部の大きさと同等若しくは
より大きい開口を有し、平面視においてイオン感応部を
囲むように設けられた枠体と、半導体基板の従表面側と
当設してセンサチップを支持する支持体と、イオン感応
部を除いたセンサチップ及び支持体を封止する封止樹脂
体とを備えた半導体イオンセンサにおいて、枠体の開口
面に成形金型の所定の一部を当接させることにより開口
部を塞ぎ、金型成形にて樹脂封止することを特徴として
いる。
方法は、半導体基板の主表面側にイオン感応部を有する
センサチップと、イオン感応部の大きさと同等若しくは
より大きい開口を有し、平面視においてイオン感応部を
囲むように設けられた枠体と、半導体基板の従表面側と
当設してセンサチップを支持する支持体と、イオン感応
部を除いたセンサチップ及び支持体を封止する封止樹脂
体とを備えた半導体イオンセンサにおいて、枠体の開口
面に成形金型の所定の一部を当接させることにより開口
部を塞ぎ、金型成形にて樹脂封止することを特徴として
いる。
【００２０】請求項１０に係る半導体イオンセンサの製
造方法は、請求項９記載の方法において、外部からの応
力を緩和する緩衝部材を介してセンサチップの所定の位
置に枠体及び支持体を配設することとしている。
造方法は、請求項９記載の方法において、外部からの応
力を緩和する緩衝部材を介してセンサチップの所定の位
置に枠体及び支持体を配設することとしている。
【００２１】請求項１１に係る半導体イオンセンサの製
造方法は、請求項９又は１０記載の方法において、前記
成形金型が枠体と密接するように、少なくともイオン感
応部を設けた位置に相当する支持体の裏面側を支持する
こととしている。
造方法は、請求項９又は１０記載の方法において、前記
成形金型が枠体と密接するように、少なくともイオン感
応部を設けた位置に相当する支持体の裏面側を支持する
こととしている。
【００２２】請求項１２に係る半導体イオンセンサの製
造方法は、請求項１１記載の方法において、支持体の裏
面側の支持跡を樹脂封止することとしている。
造方法は、請求項１１記載の方法において、支持体の裏
面側の支持跡を樹脂封止することとしている。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００２４】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係る半導体イオンセンサを示すものであ
り、（ａ）はその断面図を、（ｂ）はその平面図であ
る。また、図４は、第１のリードフレームを示す平面図
である。また、図８は、本発明の第１の実施形態に係る
半導体イオンセンサの製造方法を示すものである。
の実施形態に係る半導体イオンセンサを示すものであ
り、（ａ）はその断面図を、（ｂ）はその平面図であ
る。また、図４は、第１のリードフレームを示す平面図
である。また、図８は、本発明の第１の実施形態に係る
半導体イオンセンサの製造方法を示すものである。
【００２５】この半導体イオンセンサは、センサチップ
１と、枠体２と、支持体３と、封止樹脂体４と、緩衝部
材５とを主要構成要素とするものである。
１と、枠体２と、支持体３と、封止樹脂体４と、緩衝部
材５とを主要構成要素とするものである。
【００２６】センサチップ１は、検出したイオン濃度を
電気信号に変換するものであり、略四角状のｐ型半導体
基板の表面（図１の上方向）にｎ＋層からなるドレイン
領域１１とソース領域１２と両領域間１１，１２にチャ
ネル領域１３を形成している。また、ドレイン領域１１
及びソース領域１２には配線抵抗１５，１５が連設さ
れ、電極１６，１６と電気的に接続されている。そし
て、ｐ型半導体基板上には、チャネル領域１３と当接す
る部位を薄膜化したシリコン酸化膜よりなる絶縁膜（図
示せず）が形成され、さらに、チャネル領域上の絶縁膜
上面にはシリコン窒化膜よりなるイオン感応部１４が形
成されている。
電気信号に変換するものであり、略四角状のｐ型半導体
基板の表面（図１の上方向）にｎ＋層からなるドレイン
領域１１とソース領域１２と両領域間１１，１２にチャ
ネル領域１３を形成している。また、ドレイン領域１１
及びソース領域１２には配線抵抗１５，１５が連設さ
れ、電極１６，１６と電気的に接続されている。そし
て、ｐ型半導体基板上には、チャネル領域１３と当接す
る部位を薄膜化したシリコン酸化膜よりなる絶縁膜（図
示せず）が形成され、さらに、チャネル領域上の絶縁膜
上面にはシリコン窒化膜よりなるイオン感応部１４が形
成されている。
【００２７】枠体２は、樹脂封止の際に、後述する封止
樹脂体４がイオン感応部１４に浸入して表面が覆い隠さ
れるのを防止するものであり、例えば、エポキシ樹脂や
フッ素樹脂等の高分子材料にて形成されている。その形
状は、平面視において略円形の枠状であり、その開口部
２１は、イオン感応部１４の大きさと少なくとも同等の
大きさに形成している。また、このものは、平面視にお
いて後述する第１の緩衝部材５ａを介してイオン感応部
１４を囲むようにセンサチップ１上に設けられており、
シリコーン樹脂（図示せず）にて固着されている。
樹脂体４がイオン感応部１４に浸入して表面が覆い隠さ
れるのを防止するものであり、例えば、エポキシ樹脂や
フッ素樹脂等の高分子材料にて形成されている。その形
状は、平面視において略円形の枠状であり、その開口部
２１は、イオン感応部１４の大きさと少なくとも同等の
大きさに形成している。また、このものは、平面視にお
いて後述する第１の緩衝部材５ａを介してイオン感応部
１４を囲むようにセンサチップ１上に設けられており、
シリコーン樹脂（図示せず）にて固着されている。
【００２８】支持体３は、センサチップ１を固定すると
ともに外部と信号の授受をするための導電路を擁したも
のであり、例えば、銅合金や鉄ニッケル合金等からなる
第１のリードフレーム３１にて形成している。このもの
は、リード３１ａと、アイランド３１ｂとを備えてお
り、このうち、リード３１ａは、センサチップ１からの
信号を外部に授受するための導電路であり、また、この
ものは、平面視において略四角形をした棒状である。ま
た、このものは、センサチップ１の電極１６と、例え
ば、金等を用いた金属細線６により、例えば、超音波熱
圧着併用法等を用いて電気的に接続されている。アイラ
ンド３１ｂは、センサチップ１を搭載して固定するため
のものであり、平面視において略四角形をした平板であ
る。また、このものとセンサチップ１とは、後述する第
２の緩衝部材５ｂを介してシリコーン樹脂（図示せず）
にてそれぞれが固着されている。また、第１のリードフ
レーム３１の送りしろ部３１ｃには、第２の実施形態で
詳述する第２のリードフレーム３２との位置あわせの際
に使用する円形の合わせマーク３１ｄが形成されてい
る。
ともに外部と信号の授受をするための導電路を擁したも
のであり、例えば、銅合金や鉄ニッケル合金等からなる
第１のリードフレーム３１にて形成している。このもの
は、リード３１ａと、アイランド３１ｂとを備えてお
り、このうち、リード３１ａは、センサチップ１からの
信号を外部に授受するための導電路であり、また、この
ものは、平面視において略四角形をした棒状である。ま
た、このものは、センサチップ１の電極１６と、例え
ば、金等を用いた金属細線６により、例えば、超音波熱
圧着併用法等を用いて電気的に接続されている。アイラ
ンド３１ｂは、センサチップ１を搭載して固定するため
のものであり、平面視において略四角形をした平板であ
る。また、このものとセンサチップ１とは、後述する第
２の緩衝部材５ｂを介してシリコーン樹脂（図示せず）
にてそれぞれが固着されている。また、第１のリードフ
レーム３１の送りしろ部３１ｃには、第２の実施形態で
詳述する第２のリードフレーム３２との位置あわせの際
に使用する円形の合わせマーク３１ｄが形成されてい
る。
【００２９】封止樹脂体４は、センサチップ１と金属細
線６とを水分及び異物並びに衝撃から保護するものであ
り、例えば、エポキシ樹脂等の合成樹脂で構成されてい
る。また、このものは、イオン感応部１４と、イオン感
応部１４を設けた位置に相当するアイランド３１ｂの裏
面側（支持部４１）のみを露出して、それ以外のセンサ
チップ１及び支持体３を覆うように封止するように設け
られている。
線６とを水分及び異物並びに衝撃から保護するものであ
り、例えば、エポキシ樹脂等の合成樹脂で構成されてい
る。また、このものは、イオン感応部１４と、イオン感
応部１４を設けた位置に相当するアイランド３１ｂの裏
面側（支持部４１）のみを露出して、それ以外のセンサ
チップ１及び支持体３を覆うように封止するように設け
られている。
【００３０】緩衝部材５は、樹脂封止の際に枠体２やア
イランド３１ｂを介してセンサチップ１に掛かる応力を
緩和するものであり、例えば、シリコーンゴム等の弾性
を有する樹脂にて構成している。その形状は、第１の緩
衝部材５ａについては枠体２と、緩衝部材５ｂについて
はセンサチップ１と同じ形状（第１の緩衝部材５ａは略
円形、第２の緩衝部材５ｂは略四角形）をしている。ま
た、平面視における大きさは、第１の緩衝部材５ａにつ
いては、枠体２より小さく、第２の緩衝部材５ｂについ
ては、センサチップと同等の大きさに形成している。ま
た、このものは、センサチップ１や枠体２やアイランド
３１ｂと、例えば、シリコーン樹脂（図示せず）にて接
着されている。
イランド３１ｂを介してセンサチップ１に掛かる応力を
緩和するものであり、例えば、シリコーンゴム等の弾性
を有する樹脂にて構成している。その形状は、第１の緩
衝部材５ａについては枠体２と、緩衝部材５ｂについて
はセンサチップ１と同じ形状（第１の緩衝部材５ａは略
円形、第２の緩衝部材５ｂは略四角形）をしている。ま
た、平面視における大きさは、第１の緩衝部材５ａにつ
いては、枠体２より小さく、第２の緩衝部材５ｂについ
ては、センサチップと同等の大きさに形成している。ま
た、このものは、センサチップ１や枠体２やアイランド
３１ｂと、例えば、シリコーン樹脂（図示せず）にて接
着されている。
【００３１】次に、その製造方法について説明する。
【００３２】まず、第１のリードフレーム３１のアイラ
ンド３１ｂに、シリコーン樹脂（図示せず）を介して第
２の緩衝部材５ｂを接着する。この際、シリコーン樹脂
は、アイランド３１ｂと第２の緩衝部材５ｂａのどちら
に塗布してもかまわない。同様に、第２の緩衝部材５ｂ
の上面（図８の上方向）に同じくシリコーン樹脂（図示
せず）を介してセンサチップ１を接着する。このとき
も、シリコーン樹脂は、第２の緩衝部材５ｂとセンサチ
ップ１のどちらに塗布してもかまわない（図８
（ａ））。次いで、シリコーン樹脂を１５０℃の温度下
で硬化し、センサチップ１の電極１６とリード３１ａと
を金属細線６にてワイヤボンドして電気的に接続する
（図８（ｂ））。次いで、センサチップ１のイオン感応
部１４を囲むようにシリコーン樹脂（図示せず）を介し
て第１の緩衝部材５ａを接着し、さらに、その上面に同
じくシリコーン樹脂（図示せず）を介して枠体２を接着
する。このときも、シリコーン樹脂は、第１の緩衝部材
５ａとセンサチップ１と枠体２のいずれに塗布してもか
まわない（図８（ｃ））。次いで、１５０℃の温度下で
シリコーン樹脂を硬化後、成型金型７にて第１のリード
フレーム３１にマウントされたセンサチップ１を固定す
る。この際、成型金型７の任意の部位が、枠体２と、イ
オン感応部１４を設けた位置に相当するアイランド３１
ｂの下面側（図８の下方向）とを挟持するようにセンサ
チップ１を設置する（図８（ｄ））。そして、成型金型
７内にエポキシ樹脂からなる封止樹脂体４を充填してイ
オン感応部１４を除くすべての部位を封止樹脂体４で覆
い隠す（図８（ｅ））。最後に、封止樹脂体４が硬化し
た後、アイランド３１ｂの下面側に形成された凹状の支
持部４１に、再度、封止樹脂体４を埋入し、第１のリー
ドフレーム３１の送りしろ部３１ｃからリード３１ａを
切断して半導体イオンセンサを完成させる（図８
（ｆ））。
ンド３１ｂに、シリコーン樹脂（図示せず）を介して第
２の緩衝部材５ｂを接着する。この際、シリコーン樹脂
は、アイランド３１ｂと第２の緩衝部材５ｂａのどちら
に塗布してもかまわない。同様に、第２の緩衝部材５ｂ
の上面（図８の上方向）に同じくシリコーン樹脂（図示
せず）を介してセンサチップ１を接着する。このとき
も、シリコーン樹脂は、第２の緩衝部材５ｂとセンサチ
ップ１のどちらに塗布してもかまわない（図８
（ａ））。次いで、シリコーン樹脂を１５０℃の温度下
で硬化し、センサチップ１の電極１６とリード３１ａと
を金属細線６にてワイヤボンドして電気的に接続する
（図８（ｂ））。次いで、センサチップ１のイオン感応
部１４を囲むようにシリコーン樹脂（図示せず）を介し
て第１の緩衝部材５ａを接着し、さらに、その上面に同
じくシリコーン樹脂（図示せず）を介して枠体２を接着
する。このときも、シリコーン樹脂は、第１の緩衝部材
５ａとセンサチップ１と枠体２のいずれに塗布してもか
まわない（図８（ｃ））。次いで、１５０℃の温度下で
シリコーン樹脂を硬化後、成型金型７にて第１のリード
フレーム３１にマウントされたセンサチップ１を固定す
る。この際、成型金型７の任意の部位が、枠体２と、イ
オン感応部１４を設けた位置に相当するアイランド３１
ｂの下面側（図８の下方向）とを挟持するようにセンサ
チップ１を設置する（図８（ｄ））。そして、成型金型
７内にエポキシ樹脂からなる封止樹脂体４を充填してイ
オン感応部１４を除くすべての部位を封止樹脂体４で覆
い隠す（図８（ｅ））。最後に、封止樹脂体４が硬化し
た後、アイランド３１ｂの下面側に形成された凹状の支
持部４１に、再度、封止樹脂体４を埋入し、第１のリー
ドフレーム３１の送りしろ部３１ｃからリード３１ａを
切断して半導体イオンセンサを完成させる（図８
（ｆ））。
【００３３】したがって、以上説明した実施形態に係る
半導体イオンセンサによると、封止樹脂体４を金型成形
を用いてイオン感応部１４を除いたセンサチップ１及び
支持体３を覆うことにより、封止樹脂体４を充填した際
に、封止樹脂体４は、イオン感応部１４を囲む枠体２に
よりイオン感応部１４への浸入を阻まれるので、封止す
る際の温度や湿度、さらには放置時間による粘度変化に
起因する封止後の形状を考慮することが無くなり、イオ
ンセンシング機能の低下を招くことなく製造工程の簡略
性を向上させることができる。また、センサチップ１に
外部からの応力に対して弾性を有する緩衝部材５を、セ
ンサチップ１と枠体２との間及びセンサチップ１とアイ
ランド３１ｂとの間に設けることにより、封止の際に、
成形金型７でセンサチップ１を固定するために応力を加
えた際に、緩衝部材５は弾性変形して衝撃を吸収するの
で、センサチップ１に伝わる応力を緩和できるようにな
り、センサチップ１の破損を低減することができる。ま
た、支持体３を、第１のリードフレーム３１にて形成す
ることにより、支持体３自身の大きさを小さくすること
ができるので、センサチップ１と支持体３とを封止する
樹脂量を少なくできるようになり、半導体イオンセンサ
の形状を小型化することができる。
半導体イオンセンサによると、封止樹脂体４を金型成形
を用いてイオン感応部１４を除いたセンサチップ１及び
支持体３を覆うことにより、封止樹脂体４を充填した際
に、封止樹脂体４は、イオン感応部１４を囲む枠体２に
よりイオン感応部１４への浸入を阻まれるので、封止す
る際の温度や湿度、さらには放置時間による粘度変化に
起因する封止後の形状を考慮することが無くなり、イオ
ンセンシング機能の低下を招くことなく製造工程の簡略
性を向上させることができる。また、センサチップ１に
外部からの応力に対して弾性を有する緩衝部材５を、セ
ンサチップ１と枠体２との間及びセンサチップ１とアイ
ランド３１ｂとの間に設けることにより、封止の際に、
成形金型７でセンサチップ１を固定するために応力を加
えた際に、緩衝部材５は弾性変形して衝撃を吸収するの
で、センサチップ１に伝わる応力を緩和できるようにな
り、センサチップ１の破損を低減することができる。ま
た、支持体３を、第１のリードフレーム３１にて形成す
ることにより、支持体３自身の大きさを小さくすること
ができるので、センサチップ１と支持体３とを封止する
樹脂量を少なくできるようになり、半導体イオンセンサ
の形状を小型化することができる。
【００３４】なお、イオン感応部１４は、シリコン窒化
膜からなるものに限定されるものではなく、例えば、五
酸化二タンタル膜や酸化アルミニウム膜等でもよい。ま
た、イオン感応部１４は、センシングするイオンに応じ
て選択されるもので、上記の他にも有機膜等が存在す
る。
膜からなるものに限定されるものではなく、例えば、五
酸化二タンタル膜や酸化アルミニウム膜等でもよい。ま
た、イオン感応部１４は、センシングするイオンに応じ
て選択されるもので、上記の他にも有機膜等が存在す
る。
【００３５】また、枠体２の形状は、略円形に限定され
るものではなく、例えば、略四角形でもよく、平面視に
おいて開口部２１がイオン感応部１４と少なくとも同じ
大きさあれば形状は限定されない。また、その材料につ
いても、エポキシ樹脂やフッ素樹脂等の高分子材料に限
定されるものではなく、例えば、ステンレス等の金属材
料やシリコン等の半導体を用いてもよい。
るものではなく、例えば、略四角形でもよく、平面視に
おいて開口部２１がイオン感応部１４と少なくとも同じ
大きさあれば形状は限定されない。また、その材料につ
いても、エポキシ樹脂やフッ素樹脂等の高分子材料に限
定されるものではなく、例えば、ステンレス等の金属材
料やシリコン等の半導体を用いてもよい。
【００３６】また、支持体３は、第１のリードフレーム
３１に限定されるものではなく、例えば導電路を有した
樹脂基板やセラミック基板等でもよい。
３１に限定されるものではなく、例えば導電路を有した
樹脂基板やセラミック基板等でもよい。
【００３７】また、緩衝部材５は、シリコーンゴム等に
限定されるものではなく、弾性を有する部材であれば上
記効果を得ることができる。また、このものは、予め枠
体２やセンサチップ１と同じ形状に成形したものを使用
する方法の他に、例えば、シリコーン樹脂等のように、
硬化後に弾性を有する性質を有した樹脂を使用し、接着
剤と兼用させてもよい。また、緩衝部材５ａの平面視に
おける大きさは、少なくとも成形金型７が枠体２と当接
する部位と同じ大きさであることが好ましい。また、緩
衝部材５ａは、センサチップ１と枠体２との間に設ける
ものに限定されるものではなく、枠体２上に設けてもよ
い。
限定されるものではなく、弾性を有する部材であれば上
記効果を得ることができる。また、このものは、予め枠
体２やセンサチップ１と同じ形状に成形したものを使用
する方法の他に、例えば、シリコーン樹脂等のように、
硬化後に弾性を有する性質を有した樹脂を使用し、接着
剤と兼用させてもよい。また、緩衝部材５ａの平面視に
おける大きさは、少なくとも成形金型７が枠体２と当接
する部位と同じ大きさであることが好ましい。また、緩
衝部材５ａは、センサチップ１と枠体２との間に設ける
ものに限定されるものではなく、枠体２上に設けてもよ
い。
【００３８】また、封止樹脂体４は、枠体２上面の開口
部２１を除くすべてが隠れるまで塗布してもよい。
部２１を除くすべてが隠れるまで塗布してもよい。
【００３９】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態に係る半導体イオンセンサを示すものであ
る。この実施形態の半導体イオンセンサは、枠体が支持
体を構成する第２のフィードフレームにて形成されてい
ることが第１の実施形態と異なるもので、他の構成要素
は第１の実施形態のものと実質的に同一であるので説明
を省略する。また、同一部材においては第１の実施形態
と同一の番号を付す。
の実施形態に係る半導体イオンセンサを示すものであ
る。この実施形態の半導体イオンセンサは、枠体が支持
体を構成する第２のフィードフレームにて形成されてい
ることが第１の実施形態と異なるもので、他の構成要素
は第１の実施形態のものと実質的に同一であるので説明
を省略する。また、同一部材においては第１の実施形態
と同一の番号を付す。
【００４０】第２のリードフレーム３２は、第１の実施
形態における枠体２と役割を同じにし、樹脂封止の際
に、封止樹脂体４がイオン感応部１４に浸入して表面が
覆い隠されるのを防止するものであるが、このものは、
例えば、銅合金や鉄ニッケル合金等からなる枠部３２ｅ
と支持脚３２ｂで構成されている。枠部３２ｅは、平面
視において、略四角形の平板をしており、その中央には
略円形の開口部３２ｇが設けられている。その開口部３
２ｇは、イオン感応部１４の大きさと少なくとも同じ大
きさに形成したものである。また、この枠部３２ｅに
は、耐腐食性を確保するために金メッキが施されてい
る。支持脚３２ｂは、平面視において略四角形をした棒
状であり、リード３１ａと相対する枠部３２ｅの辺の両
端からリード３１ａ方向に向かって延設されている。ま
た、この支持脚３２ｂは、断面視において滑り台のよう
に段違いに折れ曲がって形成されており、その折曲部３
２ｆは、第２のリードフレーム３２の剛性や反発力を低
減して支持脚３２ｂの形状を安定化させるために薄く形
成されている。その段違いの高さは、枠部３２ｅを第１
の緩衝部材５ａに固着させたときに、支持脚３２ｂがリ
ード３１ａと同一平面上にあるように設定されている。
また、送りしろ部３２ｃには、第１のリードフレーム３
１との位置あわせの際に使用する円形の合わせマーク３
２ｄが形成されている。
形態における枠体２と役割を同じにし、樹脂封止の際
に、封止樹脂体４がイオン感応部１４に浸入して表面が
覆い隠されるのを防止するものであるが、このものは、
例えば、銅合金や鉄ニッケル合金等からなる枠部３２ｅ
と支持脚３２ｂで構成されている。枠部３２ｅは、平面
視において、略四角形の平板をしており、その中央には
略円形の開口部３２ｇが設けられている。その開口部３
２ｇは、イオン感応部１４の大きさと少なくとも同じ大
きさに形成したものである。また、この枠部３２ｅに
は、耐腐食性を確保するために金メッキが施されてい
る。支持脚３２ｂは、平面視において略四角形をした棒
状であり、リード３１ａと相対する枠部３２ｅの辺の両
端からリード３１ａ方向に向かって延設されている。ま
た、この支持脚３２ｂは、断面視において滑り台のよう
に段違いに折れ曲がって形成されており、その折曲部３
２ｆは、第２のリードフレーム３２の剛性や反発力を低
減して支持脚３２ｂの形状を安定化させるために薄く形
成されている。その段違いの高さは、枠部３２ｅを第１
の緩衝部材５ａに固着させたときに、支持脚３２ｂがリ
ード３１ａと同一平面上にあるように設定されている。
また、送りしろ部３２ｃには、第１のリードフレーム３
１との位置あわせの際に使用する円形の合わせマーク３
２ｄが形成されている。
【００４１】ところで、枠部３２ｅの下部には、第１の
緩衝部材５ａが平面視においてイオン感応部１４を囲む
ようにセンサチップ１上に設けられており、シリコーン
樹脂（図示せず）にて枠部３２ｅと第１の緩衝部材５ａ
が固着されている。
緩衝部材５ａが平面視においてイオン感応部１４を囲む
ようにセンサチップ１上に設けられており、シリコーン
樹脂（図示せず）にて枠部３２ｅと第１の緩衝部材５ａ
が固着されている。
【００４２】次に、その製造方法であるが、第１のリー
ドフレーム３１に第２の緩衝部材５ｂを介してセンサチ
ップ１を固着し、金属細線６をワイヤボンドした後に第
１の緩衝部材５ａをセンサチップ１上に接着する工程ま
では、第１の実施形態と実質的に同様である。次いで、
枠部３２ｅと支持脚３２ｂを構成する第２のリードフレ
ーム３２を、支持脚３２ｂがリード３１ａと同一平面を
形成するように第１の緩衝部材５ａにシリコーン樹脂に
て接着する。この際、両リードフレーム３１，３２の送
りしろ部３１ｃ、３２ｃにある合わせマーク３１ｄ、３
２ｄを用いることにより、両リードフレーム３１，３２
の相対位置精度を向上することができる。次いで、１５
０℃の温度下でシリコーン樹脂を硬化後、成型金型７に
て第１のリードフレーム３１にマウントされたセンサチ
ップ１を固定する。この際、成型金型７の任意の部位
が、枠部３２ｅとイオン感応部１４を設けた位置に相当
するアイランド３１ｂの下面側とを挟持するようにセン
サチップ１を設置する。そして、成型金型７内にエポキ
シ樹脂からなる封止樹脂体４を充填してイオン感応部１
４を除くすべての部位を封止樹脂体４で覆い隠す。最後
に、封止樹脂体４が硬化した後、アイランド３１ｂの下
面側に形成された凹状の支持部４１に、再度、封止樹脂
体４を埋入し、第１リードフレーム３１の送りしろ部３
１ｃからリード３１ａと第２のリードフレーム３２の送
りしろ部３２ｃから支持脚３２ｂを切断して半導体イオ
ンセンサを完成させる。
ドフレーム３１に第２の緩衝部材５ｂを介してセンサチ
ップ１を固着し、金属細線６をワイヤボンドした後に第
１の緩衝部材５ａをセンサチップ１上に接着する工程ま
では、第１の実施形態と実質的に同様である。次いで、
枠部３２ｅと支持脚３２ｂを構成する第２のリードフレ
ーム３２を、支持脚３２ｂがリード３１ａと同一平面を
形成するように第１の緩衝部材５ａにシリコーン樹脂に
て接着する。この際、両リードフレーム３１，３２の送
りしろ部３１ｃ、３２ｃにある合わせマーク３１ｄ、３
２ｄを用いることにより、両リードフレーム３１，３２
の相対位置精度を向上することができる。次いで、１５
０℃の温度下でシリコーン樹脂を硬化後、成型金型７に
て第１のリードフレーム３１にマウントされたセンサチ
ップ１を固定する。この際、成型金型７の任意の部位
が、枠部３２ｅとイオン感応部１４を設けた位置に相当
するアイランド３１ｂの下面側とを挟持するようにセン
サチップ１を設置する。そして、成型金型７内にエポキ
シ樹脂からなる封止樹脂体４を充填してイオン感応部１
４を除くすべての部位を封止樹脂体４で覆い隠す。最後
に、封止樹脂体４が硬化した後、アイランド３１ｂの下
面側に形成された凹状の支持部４１に、再度、封止樹脂
体４を埋入し、第１リードフレーム３１の送りしろ部３
１ｃからリード３１ａと第２のリードフレーム３２の送
りしろ部３２ｃから支持脚３２ｂを切断して半導体イオ
ンセンサを完成させる。
【００４３】したがって、以上説明した実施形態に係る
半導体イオンセンサによると、封止樹脂体４を金型成形
を用いてイオン感応部１４を除いたセンサチップ１及び
支持体３を封止することにより、封止樹脂体４を充填し
た際に、封止樹脂体４は、イオン感応部１４を囲む枠部
３２ｅによりイオン感応部１４への浸入を阻まれるの
で、塗布する際の温度や湿度、さらには放置時間による
粘度変化に起因する塗布後の形状を考慮することが無く
なりイオンセンシング機能の低下を招くことなく製造工
程の簡略性を向上させることができる。また、センサチ
ップ１に外部からの応力に対して弾性を有する緩衝部材
５を、センサチップ１と枠部３２ｅとの間及びセンサチ
ップ１とアイランド３１ｂとの間に設けることにより、
封止の際に、成形金型７でセンサチップ１を固定するた
めに応力を加えた際に、緩衝部材５は弾性変形して衝撃
を吸収するので、センサチップ１に伝わる応力を緩和で
きるようになり、センサチップ１の破損を低減すること
ができる。また、支持体３を、第１のリードフレーム３
１と第２のリードフレーム３２にて形成することによ
り、支持体３自身の大きさを小さくすることができるの
で、センサチップ１と支持体３とを封止する樹脂量を少
なくできるようになり、半導体イオンセンサの形状を小
型化することができる。そして、両リードフレーム３
１，３２の送りしろ部３１ｃ、３２ｃに設けられた合わ
せマーク３１ｄ，３２ｄにより第１のリードフレーム３
１と第２のリードフレーム３２の合わせ精度が向上する
ので、枠部３２ｅの大きさを小さくすることができる。
また、第２のリードフレーム３２の、少なくとも枠部３
２ｅに金メッキを施すことにより、第２のリードフレー
ム３２の露出部が耐食性の高い金によって被覆されるの
で、第２のリードフレームの材料である、例えば、銅や
鉄などの金属が溶液に直接触れなくなり、第２のリード
フレームの耐腐食性を確保することができる。
半導体イオンセンサによると、封止樹脂体４を金型成形
を用いてイオン感応部１４を除いたセンサチップ１及び
支持体３を封止することにより、封止樹脂体４を充填し
た際に、封止樹脂体４は、イオン感応部１４を囲む枠部
３２ｅによりイオン感応部１４への浸入を阻まれるの
で、塗布する際の温度や湿度、さらには放置時間による
粘度変化に起因する塗布後の形状を考慮することが無く
なりイオンセンシング機能の低下を招くことなく製造工
程の簡略性を向上させることができる。また、センサチ
ップ１に外部からの応力に対して弾性を有する緩衝部材
５を、センサチップ１と枠部３２ｅとの間及びセンサチ
ップ１とアイランド３１ｂとの間に設けることにより、
封止の際に、成形金型７でセンサチップ１を固定するた
めに応力を加えた際に、緩衝部材５は弾性変形して衝撃
を吸収するので、センサチップ１に伝わる応力を緩和で
きるようになり、センサチップ１の破損を低減すること
ができる。また、支持体３を、第１のリードフレーム３
１と第２のリードフレーム３２にて形成することによ
り、支持体３自身の大きさを小さくすることができるの
で、センサチップ１と支持体３とを封止する樹脂量を少
なくできるようになり、半導体イオンセンサの形状を小
型化することができる。そして、両リードフレーム３
１，３２の送りしろ部３１ｃ、３２ｃに設けられた合わ
せマーク３１ｄ，３２ｄにより第１のリードフレーム３
１と第２のリードフレーム３２の合わせ精度が向上する
ので、枠部３２ｅの大きさを小さくすることができる。
また、第２のリードフレーム３２の、少なくとも枠部３
２ｅに金メッキを施すことにより、第２のリードフレー
ム３２の露出部が耐食性の高い金によって被覆されるの
で、第２のリードフレームの材料である、例えば、銅や
鉄などの金属が溶液に直接触れなくなり、第２のリード
フレームの耐腐食性を確保することができる。
【００４４】（第３の実施形態）図３は、本発明の第３
の実施形態に係る半導体イオンセンサを示すものであ
る。この実施形態の半導体イオンセンサは、アイランド
のみで構成されている第３のリードフレームと、枠部と
リードで構成されている第４のリードフレームとで形成
されていることが第２の実施形態と異なるもので、他の
構成要素は第２の実施形態のものと実質的に同一である
ので説明を省略する。また、同一部材においては第２の
実施形態と同一の番号を付す。
の実施形態に係る半導体イオンセンサを示すものであ
る。この実施形態の半導体イオンセンサは、アイランド
のみで構成されている第３のリードフレームと、枠部と
リードで構成されている第４のリードフレームとで形成
されていることが第２の実施形態と異なるもので、他の
構成要素は第２の実施形態のものと実質的に同一である
ので説明を省略する。また、同一部材においては第２の
実施形態と同一の番号を付す。
【００４５】第３のリードフレーム３３は、センサチッ
プ１を搭載して固定するアイランド３３ｂで構成されて
おり、例えば、銅合金や鉄ニッケル合金等にて形成して
いる。その形状は、平面視において略四角形をした平板
である。また、このものとセンサチップ１とは、第２の
緩衝部材５ｂを介してシリコーン樹脂（図示せず）にて
固着されている。また、第３のリードフレーム３３の送
りしろ部３３ｃには、後述する第４のリードフレーム３
４との位置あわせの際に使用する円形の合わせマーク３
３ｄが形成されている。
プ１を搭載して固定するアイランド３３ｂで構成されて
おり、例えば、銅合金や鉄ニッケル合金等にて形成して
いる。その形状は、平面視において略四角形をした平板
である。また、このものとセンサチップ１とは、第２の
緩衝部材５ｂを介してシリコーン樹脂（図示せず）にて
固着されている。また、第３のリードフレーム３３の送
りしろ部３３ｃには、後述する第４のリードフレーム３
４との位置あわせの際に使用する円形の合わせマーク３
３ｄが形成されている。
【００４６】第４のリードフレーム３４は、第２の実施
形態と役割を同じにし、樹脂封止の際に、封止樹脂体４
がイオン感応部１４に浸入して表面が覆い隠されるのを
防止するもので、例えば、銅合金や鉄ニッケル合金等か
らなる枠部３４ｅと支持脚３４ｂで構成されている。こ
の第４のリードフレーム３４に形成された枠部３４ｅと
支持脚３４ｂがそれぞれ金属細線６とリードの役割を果
たすものであることが第２の実施形態と異なる点であ
る。枠部３４ｅは、平面視において、略四角形の２枚の
平板を、例えば、エポキシ樹脂等の絶縁性を示す樹脂３
４ｈを介して継合することにより１枚の平板にしたもの
であり、その中央には略円形の開口部３４ｇが設けられ
ている。その開口部３４ｇは、イオン感応部１４の大き
さと少なくとも同じ大きさに形成したものである。ま
た、この枠部３４ｅは、センサチップ１上の電極１６，
１６と、例えば、半田等のバンプ８を介して接続されて
おり、互いの電極１６，１６が電気的に絶縁するように
配設している。また、この枠部３４ｅには、耐腐食性を
確保するために金メッキが施されている。支持脚３４ｂ
は、平面視において略四角形をした棒状であり、枠部３
４ｅの電気的に絶縁された平板から同一方向に向かって
それぞれ併設されている。また、この支持脚３４ｂは、
断面視において滑り台のように段違いに折れ曲がって形
成されており、その折曲部３４ｆは、第４のリードフレ
ーム３４の剛性や反発力を低減して支持脚３４ｂの形状
を安定化させるために薄く形成されている。その段違い
の高さは、枠部３４ｅを電極１６，１６に接続させたと
きに、支持脚３４ｂが第３のリードフレーム３３のアイ
ランド３３ｂと同一平面上にあるように設定されてい
る。
形態と役割を同じにし、樹脂封止の際に、封止樹脂体４
がイオン感応部１４に浸入して表面が覆い隠されるのを
防止するもので、例えば、銅合金や鉄ニッケル合金等か
らなる枠部３４ｅと支持脚３４ｂで構成されている。こ
の第４のリードフレーム３４に形成された枠部３４ｅと
支持脚３４ｂがそれぞれ金属細線６とリードの役割を果
たすものであることが第２の実施形態と異なる点であ
る。枠部３４ｅは、平面視において、略四角形の２枚の
平板を、例えば、エポキシ樹脂等の絶縁性を示す樹脂３
４ｈを介して継合することにより１枚の平板にしたもの
であり、その中央には略円形の開口部３４ｇが設けられ
ている。その開口部３４ｇは、イオン感応部１４の大き
さと少なくとも同じ大きさに形成したものである。ま
た、この枠部３４ｅは、センサチップ１上の電極１６，
１６と、例えば、半田等のバンプ８を介して接続されて
おり、互いの電極１６，１６が電気的に絶縁するように
配設している。また、この枠部３４ｅには、耐腐食性を
確保するために金メッキが施されている。支持脚３４ｂ
は、平面視において略四角形をした棒状であり、枠部３
４ｅの電気的に絶縁された平板から同一方向に向かって
それぞれ併設されている。また、この支持脚３４ｂは、
断面視において滑り台のように段違いに折れ曲がって形
成されており、その折曲部３４ｆは、第４のリードフレ
ーム３４の剛性や反発力を低減して支持脚３４ｂの形状
を安定化させるために薄く形成されている。その段違い
の高さは、枠部３４ｅを電極１６，１６に接続させたと
きに、支持脚３４ｂが第３のリードフレーム３３のアイ
ランド３３ｂと同一平面上にあるように設定されてい
る。
【００４７】ところで、枠部３４ｅの下部には、第１の
緩衝部材５ａが平面視においてイオン感応部１４を囲む
ようにセンサチップ１上に設けられている。
緩衝部材５ａが平面視においてイオン感応部１４を囲む
ようにセンサチップ１上に設けられている。
【００４８】次に、その製造方法であるが、第３のリー
ドフレームに第２の緩衝部材５ｂａを介してセンサチッ
プ１を固着する工程までは、第２の実施形態と実質的に
同様である。次いで、枠部３４ｅを構成する第４のリー
ドフレーム３４を、支持脚３４ｂがアイランド３３ｂと
同一平面を形成するように枠部３４ｅの所定の位置を、
電極１６，１６に半田バンプ８を用いて接続する。この
際、両リードフレーム３３，３４の送りしろ部３３ｃ，
３４ｃにある合わせマーク３３ｄ，３４ｄを用いること
により、両リードフレーム３３，３４の相対位置精度を
向上することができる。次いで、成型金型７にて第３の
リードフレーム３３にマウントされたセンサチップ１を
固定する。この際、成型金型７の任意の部位が、枠部３
４ｅとイオン感応部１４を設けた位置に相当するアイラ
ンド３３ｂの下面側とを挟持するようにセンサチップ１
を設置する。そして、成型金型７内にエポキシ樹脂から
なる封止樹脂体４を充填してイオン感応部１４を除くす
べての部位を封止樹脂体４で覆い隠す。最後に、封止樹
脂体４が硬化した後、アイランド３３ｂの下面側に形成
された凹状の支持部４１に、再度、封止樹脂体４を埋入
し、第３のリードフレーム３３の送りしろ部３３ｃから
アイランド３３ｂと第４のリードフレーム３４の送りし
ろ部３４ｃから支持脚３４ｂを切断して半導体イオンセ
ンサを完成させる。
ドフレームに第２の緩衝部材５ｂａを介してセンサチッ
プ１を固着する工程までは、第２の実施形態と実質的に
同様である。次いで、枠部３４ｅを構成する第４のリー
ドフレーム３４を、支持脚３４ｂがアイランド３３ｂと
同一平面を形成するように枠部３４ｅの所定の位置を、
電極１６，１６に半田バンプ８を用いて接続する。この
際、両リードフレーム３３，３４の送りしろ部３３ｃ，
３４ｃにある合わせマーク３３ｄ，３４ｄを用いること
により、両リードフレーム３３，３４の相対位置精度を
向上することができる。次いで、成型金型７にて第３の
リードフレーム３３にマウントされたセンサチップ１を
固定する。この際、成型金型７の任意の部位が、枠部３
４ｅとイオン感応部１４を設けた位置に相当するアイラ
ンド３３ｂの下面側とを挟持するようにセンサチップ１
を設置する。そして、成型金型７内にエポキシ樹脂から
なる封止樹脂体４を充填してイオン感応部１４を除くす
べての部位を封止樹脂体４で覆い隠す。最後に、封止樹
脂体４が硬化した後、アイランド３３ｂの下面側に形成
された凹状の支持部４１に、再度、封止樹脂体４を埋入
し、第３のリードフレーム３３の送りしろ部３３ｃから
アイランド３３ｂと第４のリードフレーム３４の送りし
ろ部３４ｃから支持脚３４ｂを切断して半導体イオンセ
ンサを完成させる。
【００４９】したがって、以上説明した実施形態の半導
体イオンセンサによると、封止樹脂体４を金型成形を用
いてイオン感応部１４を除いたセンサチップ１及び支持
体３を封止することにより、封止樹脂体４を充填した際
に、封止樹脂体４は、イオン感応部１４を囲む枠部３４
ｅによりイオン感応部１４への浸入を阻まれるので、封
止する際の温度や湿度、さらには放置時間による粘度変
化に起因する塗布後の形状を考慮することが無くなりイ
オンセンシング機能の低下を招くことなく製造工程の簡
略性を向上させることができる。また、センサチップ１
に外部からの応力に対して弾性を有する緩衝部材５を、
センサチップ１と枠部３４ｅとの間及びセンサチップ１
とアイランド３３ｂとの間に設けることにより、封止の
際に、成形金型７でセンサチップ１を固定するために応
力を加えた際に、緩衝部材５は弾性変形して衝撃を吸収
するので、センサチップ１に伝わる応力を緩和できるよ
うになり、センサチップ１の破損を低減することができ
る。また、支持体３を、第３のリードフレーム３３と第
４のリードフレーム３４にて形成することにより、支持
体３自身の大きさを小さくすることができるので、セン
サチップ１と支持体３とを封止する樹脂量を少なくでき
るようになり、半導体イオンセンサの形状を小型化する
ことができる。そして、両リードフレーム３３，３４の
送りしろ部３３ｃ，３４ｃに設けられた合わせマーク３
３ｄ，３４ｄにより第３のリードフレームと第４のリー
ドフレームの合わせ精度が向上するので枠部３４ｅの大
きさを小さくすることができる。また、支持脚３４ｂ
を、センサチップ１と外部とを電気的に接続するリード
を兼ねたものとすることにより、センサチップ１と導電
路を電気的に接続する金属細線６の機能を兼ね備えるの
で、金属細線６を省略できるようになり、半導体イオン
センサを構成する部品点数を削減することができる。ま
た、第４のリードフレーム３４の、少なくとも枠部３４
ｅに金メッキを施すことにより、第４のリードフレーム
３４の露出部が耐食性の高い金によって被覆されるの
で、第４のリードフレーム３４の材料である、例えば、
銅や鉄などの金属が溶液に直接触れなくなり、第４のリ
ードフレーム３４の耐腐食性を確保することができる。
体イオンセンサによると、封止樹脂体４を金型成形を用
いてイオン感応部１４を除いたセンサチップ１及び支持
体３を封止することにより、封止樹脂体４を充填した際
に、封止樹脂体４は、イオン感応部１４を囲む枠部３４
ｅによりイオン感応部１４への浸入を阻まれるので、封
止する際の温度や湿度、さらには放置時間による粘度変
化に起因する塗布後の形状を考慮することが無くなりイ
オンセンシング機能の低下を招くことなく製造工程の簡
略性を向上させることができる。また、センサチップ１
に外部からの応力に対して弾性を有する緩衝部材５を、
センサチップ１と枠部３４ｅとの間及びセンサチップ１
とアイランド３３ｂとの間に設けることにより、封止の
際に、成形金型７でセンサチップ１を固定するために応
力を加えた際に、緩衝部材５は弾性変形して衝撃を吸収
するので、センサチップ１に伝わる応力を緩和できるよ
うになり、センサチップ１の破損を低減することができ
る。また、支持体３を、第３のリードフレーム３３と第
４のリードフレーム３４にて形成することにより、支持
体３自身の大きさを小さくすることができるので、セン
サチップ１と支持体３とを封止する樹脂量を少なくでき
るようになり、半導体イオンセンサの形状を小型化する
ことができる。そして、両リードフレーム３３，３４の
送りしろ部３３ｃ，３４ｃに設けられた合わせマーク３
３ｄ，３４ｄにより第３のリードフレームと第４のリー
ドフレームの合わせ精度が向上するので枠部３４ｅの大
きさを小さくすることができる。また、支持脚３４ｂ
を、センサチップ１と外部とを電気的に接続するリード
を兼ねたものとすることにより、センサチップ１と導電
路を電気的に接続する金属細線６の機能を兼ね備えるの
で、金属細線６を省略できるようになり、半導体イオン
センサを構成する部品点数を削減することができる。ま
た、第４のリードフレーム３４の、少なくとも枠部３４
ｅに金メッキを施すことにより、第４のリードフレーム
３４の露出部が耐食性の高い金によって被覆されるの
で、第４のリードフレーム３４の材料である、例えば、
銅や鉄などの金属が溶液に直接触れなくなり、第４のリ
ードフレーム３４の耐腐食性を確保することができる。
【００５０】なお、枠部３４ｅを構成する平板の数は、
２つに限定されるものではなく、センサチップ１に形成
されている電極１６の数に合わせて任意に選択できるも
のである。
２つに限定されるものではなく、センサチップ１に形成
されている電極１６の数に合わせて任意に選択できるも
のである。
【００５１】また、バンプ８は、半田バンプに限定され
るものではなく、例えば、異方性導電性ペースト等を用
いて形成してもよい。
るものではなく、例えば、異方性導電性ペースト等を用
いて形成してもよい。
【００５２】
【発明の効果】請求項１に係る発明の半導体イオンセン
サは、封止樹脂体を、イオン感応部を除いたセンサチッ
プ及び支持体を覆うように金型成形を用いて設けること
により、封止する際の温度や湿度、さらには封止樹脂体
の放置による粘度変化に起因する封止後の形状変化を考
慮することが無くなるので、イオン感応部に封止樹脂体
が覆い被さることによるイオンセンシング機能の低下を
招くことなく製造工程の簡略性を向上させることができ
る。
サは、封止樹脂体を、イオン感応部を除いたセンサチッ
プ及び支持体を覆うように金型成形を用いて設けること
により、封止する際の温度や湿度、さらには封止樹脂体
の放置による粘度変化に起因する封止後の形状変化を考
慮することが無くなるので、イオン感応部に封止樹脂体
が覆い被さることによるイオンセンシング機能の低下を
招くことなく製造工程の簡略性を向上させることができ
る。
【００５３】請求項２に係る発明の半導体イオンセンサ
は、請求項１の効果に加えて、センサチップに外部から
の応力に対して弾性を有する緩衝部材を設けることによ
り、センサチップを固定するために成形金型で応力を加
えた際に、緩衝部材が弾性変形して衝撃を吸収するの
で、センサチップに伝わる応力を緩和できるようにな
り、センサチップの破損を低減することができる。
は、請求項１の効果に加えて、センサチップに外部から
の応力に対して弾性を有する緩衝部材を設けることによ
り、センサチップを固定するために成形金型で応力を加
えた際に、緩衝部材が弾性変形して衝撃を吸収するの
で、センサチップに伝わる応力を緩和できるようにな
り、センサチップの破損を低減することができる。
【００５４】請求項３に係る発明の半導体イオンセンサ
は、請求項２の効果に加えて、緩衝部材を、センサチッ
プと枠体との間に配設することにより、イオン感応部に
樹脂が浸入しないように枠体の開口面に成形金型で直接
外力を加えた際に、緩衝部材が弾性変形して衝撃を吸収
するので、センサチップに伝わる応力を緩和できるよう
になり、センサチップの破損を低減することができる。
は、請求項２の効果に加えて、緩衝部材を、センサチッ
プと枠体との間に配設することにより、イオン感応部に
樹脂が浸入しないように枠体の開口面に成形金型で直接
外力を加えた際に、緩衝部材が弾性変形して衝撃を吸収
するので、センサチップに伝わる応力を緩和できるよう
になり、センサチップの破損を低減することができる。
【００５５】請求項４に係る発明の半導体イオンセンサ
は、請求項２又は３の効果に加え、緩衝部材を、センサ
チップと支持体との間に配設することにより、イオン感
応部に樹脂が浸入しないように枠体の開口面に成形金型
で支持体を介して外力を加えた際に、緩衝部材が弾性変
形して衝撃を吸収するので、センサチップに伝わる応力
を緩和できるようになり、センサチップの破損を低減す
ることができる。
は、請求項２又は３の効果に加え、緩衝部材を、センサ
チップと支持体との間に配設することにより、イオン感
応部に樹脂が浸入しないように枠体の開口面に成形金型
で支持体を介して外力を加えた際に、緩衝部材が弾性変
形して衝撃を吸収するので、センサチップに伝わる応力
を緩和できるようになり、センサチップの破損を低減す
ることができる。
【００５６】請求項５に係る発明の半導体イオンセンサ
は、請求項１乃至４いずれかの効果に加えて、支持体
を、リードフレームにて形成することにより、支持体の
大きさを小さくすることができるので、センサチップと
支持体とを封止する封止樹脂体の量を少なくできるよう
になり、半導体イオンセンサの形状を小型化することが
できる。
は、請求項１乃至４いずれかの効果に加えて、支持体
を、リードフレームにて形成することにより、支持体の
大きさを小さくすることができるので、センサチップと
支持体とを封止する封止樹脂体の量を少なくできるよう
になり、半導体イオンセンサの形状を小型化することが
できる。
【００５７】請求項６に係る発明の半導体イオンセンサ
は、請求項５の効果に加えて、センサチップと外部とを
電気的に接続するリード及びセンサチップを載置するア
イランドで構成される第１のリードフレームと、イオン
感応部を露出する開口を有した枠部とそれを支持する支
持脚で構成される第２のリードフレームとで構成するこ
とにより、両リードフレームの送りしろ部に設けられた
合わせマークにより第１のリードフレームと第２のリー
ドフレームの合わせ精度が向上するので、枠体の大きさ
を小さくすることができる。
は、請求項５の効果に加えて、センサチップと外部とを
電気的に接続するリード及びセンサチップを載置するア
イランドで構成される第１のリードフレームと、イオン
感応部を露出する開口を有した枠部とそれを支持する支
持脚で構成される第２のリードフレームとで構成するこ
とにより、両リードフレームの送りしろ部に設けられた
合わせマークにより第１のリードフレームと第２のリー
ドフレームの合わせ精度が向上するので、枠体の大きさ
を小さくすることができる。
【００５８】請求項７に係る発明の半導体イオンセンサ
は、請求項５の効果に加えて、センサチップを載置する
アイランドで構成される第３のリードフレームと、イオ
ン感応部を露出する開口を有した枠部及び枠部を支持し
てセンサチップと外部とを電気的に接続する支持脚で構
成される第４のリードフレームとで構成することによ
り、第４のリードフレームは、センサチップと導電路を
電気的に接続する金属細線の機能を兼ね備えるので、セ
ンサチップと導電路を電気的に接続する金属細線を省略
できるようになり、半導体イオンセンサを構成する部品
点数を削減することができる。
は、請求項５の効果に加えて、センサチップを載置する
アイランドで構成される第３のリードフレームと、イオ
ン感応部を露出する開口を有した枠部及び枠部を支持し
てセンサチップと外部とを電気的に接続する支持脚で構
成される第４のリードフレームとで構成することによ
り、第４のリードフレームは、センサチップと導電路を
電気的に接続する金属細線の機能を兼ね備えるので、セ
ンサチップと導電路を電気的に接続する金属細線を省略
できるようになり、半導体イオンセンサを構成する部品
点数を削減することができる。
【００５９】請求項８に係る発明の半導体イオンセンサ
は、請求項６又は７の効果に加え、リードフレームの、
少なくとも枠部に金メッキを施すことにより、溶液と接
する部位が耐食性の高い金によって被覆されるので、リ
ードフレームの材料である、例えば、銅や鉄などの金属
が溶液に直接触れなくなり、枠部の耐腐食性を向上する
ことができる。
は、請求項６又は７の効果に加え、リードフレームの、
少なくとも枠部に金メッキを施すことにより、溶液と接
する部位が耐食性の高い金によって被覆されるので、リ
ードフレームの材料である、例えば、銅や鉄などの金属
が溶液に直接触れなくなり、枠部の耐腐食性を向上する
ことができる。
【００６０】請求項９に係る発明の半導体イオンセンサ
は、枠体の開口面に成形金型の所定の一部を当接させる
ことにより開口部を塞ぎ、金型成形にて樹脂封止するこ
とにより、枠体の開口部内は密封状態になって封止樹脂
体がイオン感応部へ浸入することを低減できるようにな
り、また、金型成形により、封止樹脂体の充填及び成形
が一度に大量に行えるようになるので、塗布する際の温
度や湿度、さらには、放置による粘度変化に起因する塗
布後の形状を考慮することが無くなりイオンセンシング
機能の低下を招くことなく製造工程の簡略性を向上させ
ることができる。
は、枠体の開口面に成形金型の所定の一部を当接させる
ことにより開口部を塞ぎ、金型成形にて樹脂封止するこ
とにより、枠体の開口部内は密封状態になって封止樹脂
体がイオン感応部へ浸入することを低減できるようにな
り、また、金型成形により、封止樹脂体の充填及び成形
が一度に大量に行えるようになるので、塗布する際の温
度や湿度、さらには、放置による粘度変化に起因する塗
布後の形状を考慮することが無くなりイオンセンシング
機能の低下を招くことなく製造工程の簡略性を向上させ
ることができる。
【００６１】請求項１０に係る発明の半導体イオンセン
サは、請求項９の効果に加え、外部からの応力を緩和す
る緩衝部材を介してセンサチップの所定の位置に枠体及
び支持体を配設することにより、成形金型が枠体を押さ
えるために加える応力を、緩衝部材が弾性変形すること
で吸収するので、センサチップに伝わる応力を緩和でき
るようになり、センサチップの破損を低減することがで
きる。
サは、請求項９の効果に加え、外部からの応力を緩和す
る緩衝部材を介してセンサチップの所定の位置に枠体及
び支持体を配設することにより、成形金型が枠体を押さ
えるために加える応力を、緩衝部材が弾性変形すること
で吸収するので、センサチップに伝わる応力を緩和でき
るようになり、センサチップの破損を低減することがで
きる。
【００６２】請求項１１に係る半導体イオンセンサの製
造方法は、請求項９又は１０記載の方法において、前記
成形金型が枠体と密接するように、少なくともイオン感
応部を設けた位置に相当する支持体の裏面側を支持する
ことにより、枠体は、成形金型により開口面と直交する
上下方向から応力を受けることになるので、枠体の開口
面と成形金型の密着性が向上するようになり、樹脂のイ
オン感応部への浸入をさらに低減することができる。
造方法は、請求項９又は１０記載の方法において、前記
成形金型が枠体と密接するように、少なくともイオン感
応部を設けた位置に相当する支持体の裏面側を支持する
ことにより、枠体は、成形金型により開口面と直交する
上下方向から応力を受けることになるので、枠体の開口
面と成形金型の密着性が向上するようになり、樹脂のイ
オン感応部への浸入をさらに低減することができる。
【００６３】請求項１２発明の半導体イオンセンサは、
請求項１１の効果に加え、支持体の裏面側の支持跡を樹
脂封止することにより、イオンセンシングに必要のない
支持跡による空隙を塞ぐことができるので、その空隙か
らの溶液の浸入を低減できるようになり、半導体イオン
センサの品質を向上することができる。
請求項１１の効果に加え、支持体の裏面側の支持跡を樹
脂封止することにより、イオンセンシングに必要のない
支持跡による空隙を塞ぐことができるので、その空隙か
らの溶液の浸入を低減できるようになり、半導体イオン
センサの品質を向上することができる。
【図１】 本発明の第１の実施形態の半導体イオンセン
サを示すもので、（ａ）はその断面図、（ｂ）はその平
面図である。
サを示すもので、（ａ）はその断面図、（ｂ）はその平
面図である。
【図２】 同上の半導体イオンセンサの製造方法を示す
ものである。
ものである。
【図３】 本発明の第２の実施形態の半導体イオンセン
サを示すもので、（ａ）はその断面図、（ｂ）はその平
面図である。
サを示すもので、（ａ）はその断面図、（ｂ）はその平
面図である。
【図４】 本発明の第３の実施形態の半導体イオンセン
サを示すもので、（ａ）はその断面図、（ｂ）はその平
面図である。
サを示すもので、（ａ）はその断面図、（ｂ）はその平
面図である。
【図５】 第１のリードフレームを示す平面図である。
【図６】 第２のリードフレームを示す平面図である。
【図７】 第３のリードフレームを示す平面図である。
【図８】 第４のリードフレームを示す平面図である。
【図９】 従来の半導体イオンセンサを示すものであ
り、（ａ）はその断面図、（ｂ）はその平面図である。
り、（ａ）はその断面図、（ｂ）はその平面図である。
１ センサチップ
１４ イオン感応部
２ 枠体
２１ 開口部
３ 支持体
３１ 第１のリードフレーム
３１ａ リード
３１ｂ アイランド
３２ 第２のリードフレーム
３２ｂ 支持脚
３２ｅ 枠部
３３ 第３のリードフレーム
３３ｂ アイランド
３４ 第４のリードフレーム
３４ｂ 支持脚
３４ｅ 枠部
４ 封止樹脂体
５ 緩衝部材
５ａ 第１の緩衝部材
５ｂ 第２の緩衝部材
７ 成型金型
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 29/78 ３０１Ｕ
Ｆターム(参考） 4M109 AA01 DA04 EE02 FA10 GA01
5F140 AA36 AA40 AC37 BD01 BD10
BD11 BD12
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体基板の主表面側にイオン感応部を
有するセンサチップと、イオン感応部の大きさと少なく
とも同等の大きさの開口を有し、平面視においてイオン
感応部を囲むように設けられた枠体と、半導体基板の他
方の表面側と当接してセンサチップを支持する支持体
と、イオン感応部を除いたセンサチップ及び支持体を封
止する封止樹脂体とを備えた半導体イオンセンサにおい
て、 前記封止樹脂体を、イオン感応部を除いたセンサチップ
及び支持体に覆うように金型成形を用いて設けたことを
特徴とする半導体イオンセンサ。 - 【請求項２】 前記センサチップに外部からの応力に対
して弾性を有する緩衝部材を設けた請求項１記載の半導
体イオンセンサ。 - 【請求項３】 前記緩衝部材を、センサチップと枠体と
の間に配設した請求項２記載の半導体イオンセンサ。 - 【請求項４】 前記緩衝部材を、センサチップと支持体
との間に配設した請求項２又は３記載の半導体イオンセ
ンサ。 - 【請求項５】 前記支持体は、リードフレームにて形成
されている請求項１乃至４いずれかに記載の半導体イオ
ンセンサ。 - 【請求項６】 前記リードフレームは、センサチップと
外部とを電気的に接続するリード及びセンサチップを載
置するアイランドで構成される第１のリードフレーム
と、イオン感応部を露出する開口を有した枠部とそれを
支持する支持脚で構成される第２のリードフレームとで
構成されている請求項５記載の半導体イオンセンサ。 - 【請求項７】 前記リードフレームは、センサチップを
載置するアイランドで構成される第３のリードフレーム
と、イオン感応部を露出する開口を有した枠部及び枠部
を支持してセンサチップと外部とを電気的に接続する支
持脚で構成される第４のリードフレームとで構成されて
いる請求項５記載の半導体イオンセンサ。 - 【請求項８】 前記リードフレームの、少なくとも枠部
に金メッキが施されている請求項６又は７記載の半導体
イオンセンサ。 - 【請求項９】 半導体基板の主表面側にイオン感応部を
有するセンサチップと、イオン感応部の大きさと少なく
とも同等の大きさの開口を有し、平面視においてイオン
感応部を囲むように設けられた枠体と、半導体基板の従
表面側と当設してセンサチップを支持する支持体と、イ
オン感応部を除いたセンサチップ及び支持体を封止する
封止樹脂体とを備えた半導体イオンセンサにおいて、 枠体の開口面に成形金型の所定の一部を当接させること
により開口部を塞ぎ、金型成形にて樹脂封止することを
特徴とする半導体イオンセンサの製造方法。 - 【請求項１０】 外部からの応力を緩和する緩衝部材を
介してセンサチップの所定の位置に枠体及び支持体を配
設する請求項９記載の半導体イオンセンサの製造方法。 - 【請求項１１】 前記成形金型が枠体と密接するよう
に、少なくともイオン感応部を設けた位置に相当する支
持体の裏面側を支持する請求項９又は１０記載の半導体
イオンセンサの製造方法。 - 【請求項１２】 支持体の裏面側の支持跡を樹脂封止す
る請求項１１記載の半導体イオンセンサの製造方法。
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| JP2001359950A JP3882592B2 (ja) | 2001-11-26 | 2001-11-26 | 半導体イオンセンサとその製造方法 |
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| JP2003161721A true JP2003161721A (ja) | 2003-06-06 |
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- 2001-11-26 JP JP2001359950A patent/JP3882592B2/ja not_active Expired - Fee Related
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