JP2002344085A - 半導体光素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ｐｎ埋め込み構造ではリークパスを防ぎ、半
絶縁性埋め込みでは、相互拡散を防ぎ、リークや接合容
量の少ない高性能な半導体光素子、及びそれを製作歩留
まり良く製造する方法を提供するものである。 【解決手段】 半導体基板上１０に、少なくとも第一の
導電型を有するクラッド層１２、光ガイド層或いは活性
層でなる活性領域１４、第二の導電型を有するクラッド
層１６が積層された積層体からなるメサストライプがあ
り、該活性領域１４の幅は該メサストライプの幅よりも
狭く、該活性領域１４の両側面が該メサストライプの側
面の内側にあり、該メサストライプの両側を埋め込み層
２６で埋め込んだ埋込型半導体素子において、少なくと
も該活性領域１４について、その両側面にある空隙に、
ルテニウムを添加した半絶縁層２４を配することを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光通信に有用な埋め
込み型の半導体光素子及びその製造方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】半導体材料を用いた発光素子や光変調器
の製作に当たっては、素子性能や信頼性等の向上のため
に埋め込み構造が用いられている。この埋め込み構造の
一つとしてマストランスポートによる埋め込み構造があ
る（特開平８−２５０８０６号公報）。このマストラン
スポートとは、メサストライプに加工された活性層側面
の加工ダメージをいわゆるウェットエッチングで除去
し、その後成長装置に装填し、昇温時にクラッド層の一
部が融解し活性層側面に移動し再結晶化することによ
り、活性層側面をクラッド領域の材料で埋め込むもので
ある。

【０００３】これによって、ドライエッチングの表面加
工層の除去や、昇温時の熱ダメージを防げるという特徴
がある。しかし、このマストランスポートでは、クラッ
ド領域の材料の一部が溶解して活性層側面に移動し、再
結晶化することにより埋め込みを行うために、クラッド
層に添加されている不純物も一緒に移動し再結晶化した
埋め込み部位に取り込まれることになる。このため接合
領域の面積が増えたり、リーク電流の原因となったりす
る。

【０００４】また、溶解したクラッド層の材料に含まれ
ている不純物が、埋め込み部位に隣接する活性層に拡散
し、活性層の発光特性を劣化させる原因にもなる。特
に、マストランスポートで形成された部位にｐ形不純物
の亜鉛（Ｚn）が含くまれると、ｐｎ接合埋め込みの場
合にはｐ形埋め込み層とマストランスポートで形成した
部位が連続したり、鉄（Ｆe）を添加した半絶縁層によ
る埋め込みの場合には、ＦeとＺnの相互拡散の原因とな
り、リーク電流や接合容量の増える要因となる。

【０００５】高抵抗埋め込み層には、従来、鉄（Ｆe）
をドーピングした半導体結晶が用いられているが、埋め
込み層に含まれる鉄（Ｆe）とｐ型クラッド層とｐ型コ
ンタクト層のドーパントである亜鉛（Ｚn）とが埋め込
み界面で相互拡散する問題があった。その結果、亜鉛が
埋め込み層に拡散し、素子特性劣化、特に変調特性劣化
の要因となっていた。

【０００６】ところが、最近、Ｒuをドーパントとした
半絶縁性ＩnＰ結晶がエピタキシャル成長法により得ら
れている（A.Dadger et.al, Appl.ied Physics Letters
73, N026 pp3878-3880 (1998)) 。ビスジメチルペンタ
ディエニルルテニウム（bis(η５-2,4-dimethylpentadi
enyl ruthenium(II)) をＲuの原料ガスとして用い、有
機金属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）法により、Ｒuを
４×１０¹⁸ｃｍ³まで添加したＩnＰ結晶を成長してい
る。

【０００７】ＲuはＺnとほとんど相互拡散をおこさない
ことが見いだされ、電子に対してのみならず正孔に対し
ても十分補償可能なものである。また、Ｒuを添加した
高抵抗埋め込み層を用いた半導体レーザ作製の報告がな
されている(A.van Geelen et. al, 11th International
Conference on IndiumPhosphide and Related materia
ls TuB1-2 (1999))。この報告では、Ｒuを添加した高抵
抗ＩnＰ層とその上に形成したｎ型ＩnＰホールブロック
層を埋め込み層として用いた半導体レーザの製作が述べ
られている。埋め込み層の成長は、ＭＯＶＰＥ法を用い
たエピタキシャル成長により行われており、マストラン
スポートは用いられていない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来技術では、マスト
ランスポートで形成された部位がｐ型となる、接合容量
が増える、電流のリークパスができる、等の問題がある
ため素子の性能が低下し、製作歩留まりが低かった。ま
た、Ｒuの添加はエピタキシャル成長法により行われて
おり、マストランスポートによる添加は行われていなか
った。

【０００９】本発明は、これらの従来素子の有する欠点
を解決するため、及びマストランスポートを用いた作製
方法の欠点を解決するためになされたものである。即
ち、ｐｎ埋め込み構造ではリークパスを防ぎ、半絶縁性
埋め込みでは、相互拡散を防ぎ、リークや接合容量の少
ない高性能な半導体光素子、及びそれを製作歩留まり良
く製造する方法を提供するものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の請求項１に係る半導体光素子は、半導体基板上に、
少なくとも第一の導電型を有するクラッド層、光ガイド
層或いは活性層でなる活性領域、第二の導電型を有する
クラッド層が積層された積層体からなるメサストライプ
があり、該活性領域の幅は該メサストライプの幅よりも
狭く、該活性領域の両側面が該メサストライプの側面の
内側にあり、該メサストライプの両側を埋め込み層で埋
め込んだ埋込型半導体素子において、少なくとも該活性
領域について、その両側面にある空隙に、ルテニウム
（元素記号：Ｒu）を添加した半絶縁層を配することを
特徴とする。

【００１１】前記目的を達成する本発明の請求項２に係
る半導体光素子の製造方法は、第一の導電型を有する半
導体基板上に、第一の導電型を有するクラッド層、光ガ
イド層或いは活性層でなる活性領域、及び第二の導電形
を有するクラッド層を順次積層して積層体を形成する第
１の工程と、該積層体上に誘電体薄膜からなるマスクを
形成し、該マスクを介して該積層体層をエッチングし、
メサストライプを形成する第２の工程と、選択的なエッ
チングにより該活性領域の両側面をエッチングし、該活
性領域の幅が該メサストライプ幅よりも狭く、該活性領
域の両側面が該メサストライプの側面の内側になるよう
にする第３の工程と、該活性領域の両側面をマストラン
スポートにより埋め込む第４の工程と、マストランスポ
ートにより活性領域の両側面が埋め込まれたメサストラ
イプ構造の両わきに、第二の導電形半導体層と第一の導
電形を有する半導体層で順次埋め込んだ埋め込み層、或
いは半絶縁性半導体で埋め込む第５の工程とからなる半
導体光素子の製造方法において、上記第４の工程におい
て（元素記号：Ｒu）を含む原料ガスを流しながらマス
トランスポートを行うことを特徴とする。

【００１２】〔作用〕Ｒuを添加した半導体層は半絶縁
性であり、ｐ形不純物との相互拡散がなく、安定した高
抵抗層を実現でき、良質な電流狭窄層を実現できる。そ
のため、活性領域の両脇にＲu添加層を配することによ
りｐｎ接合面積を減少させたり、活性領域側壁のリーク
電流を少なくし、高周波特性が良く、効率のよい、変調
器や発光素子を実現できる。

【００１３】また、Ｒuはマストランスポートを行う際
に雰囲気中にＲuを含む有機金属ガスを供給すれば、マ
ストランスポートで形成した部位に簡単に添加すること
ができる。そのため、マストランスポートにより活性領
域の両脇を埋め込めば、その埋め込んだ領域（マストラ
ンスポート形成部位）は半絶縁性となる。Ｒuの持つ正
孔（ホール）に対する補償効果により、例えマストラン
スポート形成部位にｐ型不純物の亜鉛（Ｚn）が混入し
ても半絶縁性の層ができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】〔実施例１〕本発明の第１の実施
例を図１に示す。本実施例は、ＩnＧaＡlＡs／ＩnＡlＡ
s−ＭＱＷを光吸収層に用いた電界吸収型光変調器（Ｅ
Ａ変調器）である。

【００１５】図１に示すように、ｎ型ＩnＰ基板１０上
に層厚約１μｍのｎ型ＩnＰクラッド層１２、活性領域
１４、層厚１．５μｍのｐ型ＩnＰクラッド層１６、層
厚０．１μｍのｐ型インジウムガリウム砒素燐（ＩnＧa
ＡsＰ：組成波長１．３ミクロン）電極層１８、層厚
０．３μｍのｐ型インジウムガリウム砒素（ＩnＧaＡ
s）電極層２０の順に積層した。

【００１６】それぞれの化合物半導体は特に断らない限
り、ＩnＰ基板に格子整合する組成である。このときの
活性領域１４は下から層厚４０ｎｍの無添加（故意に添
加していない）ＩnＧaＡsＰ層（組成波長１．３μ
ｍ）、６対のＩnＧaＡs井戸層（圧縮歪み０．５％、層
厚５ｎｍ）、ＩnＡlＡs障壁層（伸張歪み０．４％、層
厚１１ｎｍ）からなるＭＱＷ層、層厚４０ｎｍの無添加
ＩnＧaＡsＰ層（組成波長１．３μｍ）からなる。

【００１７】この積層体がメサストライプに加工され、
その両脇を半絶縁ＩnＰ埋め込み層２６で埋め込んでい
る。更にｎ型ＩnＰ基板１０の裏面にＡuＧeＮiのｎ型電
極３０を、ｐ型インジウムガリウム砒素（ＩnＧaＡs）
電極層２０の上にＡuＺn／Ａuのｐ型ストライプ電極２
８をそれぞれ形成している。この構造が従来の埋め込み
型光素子と異なる点は、活性領域１４と半絶縁ＩnＰ埋
め込み層２６との間にＲu添加ＩnＰ層２４が配されてい
ることである。

【００１８】即ち、活性領域１４の幅がメサストライプ
の幅よりも狭く、活性領域１４の両側面がメサストライ
プの側壁より内側に入り込んでおり、この様にして出来
た空隙にＲu添加ＩnＰ層２４が配されている。この様な
構成をとったために、活性領域の両側にｐｎ接合が形成
されず、従来問題となっていた容量の増加は起こらな
い。また、リーク電流も発生しない。

【００１９】従来、活性領域の両側に空隙がある場合に
は、マストランスポートによりクラッド層の一部が融解
し、この空隙に移動して再結晶化するため、クラッド層
に添加されている不純物が取り込まれ、活性領域の両側
にｐｎ接合が形成されていた。また、従来のマストラン
スポートにより活性領域の両脇を埋め込んだものではＲ
uの添加は行われておらず、取り込まれた不純物は補償
されないままであった。

【００２０】本実施例では、ｎ型ＩnＰ基板１０上に素
子を作製した場合を説明したが、基板はｎ型ＩnＰに限
られず、半絶縁性のＩnＰ基板でもｐ型ＩnＰ基板でも可
能である。半絶縁性のＩnＰ基板の場合、ｎ型電極は基
板裏面に形成されるのではなく、ｎ型ＩnＰクラッド層
１２に電気的な接触が得られるように形成する事が必要
である。

【００２１】また、ｐ型ＩnＰ基板の場合には、ｐ型Ｉn
Ｐ基板上に層厚約１μｍのｐ型ＩnＰクラッド層、活性
領域、層厚１．５μｍのｎ型ＩnＰクラッド層、層厚
０．１μｍのｎ型インジウムガリウム砒素燐（ＩnＧaＡ
sＰ：組成波長１．３ミクロン）電極層、層厚０．３μ
ｍのｎ型インジウムガリウム砒素（ＩnＧaＡs）電極層
の順に積層すればよい。活性領域の構造はｎ型ＩnＰ基
板上のものと同じでよい。そして、基板裏面にＡuＺn／
Ａuのｐ型電極、ｎ型インジウムガリウム砒素（ＩnＧa
Ａs）電極層の上にＡuＧeＮiのｎ型ストライプ電極電極
を形成する。

【００２２】次に、この電界吸収型光変調器の製造方法
を説明する。まず、図２（ａ）に示すようにｎ型ＩnＰ
基板１０上に公知のＭＯＶＰＥ法により層厚約１μｍの
ｎ型ＩnＰクラッド層１２、活性領域１４、層厚１．５
μｍのｐ型ＩnＰクラッド層１６、層厚０．１μｍのｐ
型インジウムガリウム砒素燐（ＩnＧaＡsＰ，組成波長
１．３ミクロン）電極層１８、層厚０．３μｍのｐ型イ
ンジウムガリウム砒素（ＩnＧaＡs）電極層２０の順に
成長した。

【００２３】それぞれの化合物半導体は特に断らない限
り、ＩnＰ基板に格子整合する組成である。このときの
活性領域１４は層厚４０ｎｍの無添加（故意に添加して
いない）ＩnＧaＡsＰ層（組成波長１．３μｍ）、６対
のＩnＧaＡs井戸層（圧縮歪み０．５％、層厚５ｎ
ｍ）、ＩnＡlＡs障壁層（伸張歪み０．４％、層厚１１
ｎｍ）からなるＭＱＷ層、層厚４０ｎｍの無添加ＩnＧa
ＡsＰ層（組成波長１．３μｍ）からなる。原料はトリ
メチルインジウム、トリエチルガリウム、トリメチルア
ルミニウム、ジエチル亜鉛、フォスフィン、アルシン、
シランである。

【００２４】次に、図２（ｂ）に示すように、ｐ型イン
ジウムガリウム砒素（ＩnＧaＡs）電極層２０の上にプ
ラズマＣＶＤ法やスパッタ法によりＳiＯ₂等の誘電体膜
を形成し、通常のフォトリソグラフィーでストライプ状
に加工した誘電体マスク２２を形成する。そして、図２
（ｃ）に示す様に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）
により、垂直メサストライプを形成する。

【００２５】更に、塩酸でＩnＰ層１２，１６の側壁を
エッチングし、更に、室温で硫酸系エッチング液（例え
ば、硫酸：過酸化水素：水＝３：１：１の混合液）で活
性領域１４及び電極層１８，２０の側壁をエッチングし
た。この様な選択的に材料をエッチングするエッチング
液を用いることにより、図３（ａ）に示す様に、活性領
域１４の幅がメサストライプ幅よりも狭くなるようにす
ることができる。

【００２６】また、エッチングを行うことによりメサ側
面の変成層や加工によるダメージを除去することができ
る。続いて、ＭＯＶＰＥ成長装置に装填し、水素とフォ
スフィンを導入しながら加熱し、５００℃から更にＲu
を含む有機金属原料ガスであるビスジメチルペンタディ
エニルルテニウム（bis(η５-2,4-dimethylpentadienyl
ruthenium(II)) を流し、昇温する。

【００２７】このまま、６５０℃まで昇温し、ビスジメ
チルペンタジエニルルテニウムを流したままマストラン
スポートを行った。この結果、活性領域１４周辺のＩn
Ｐ層１２，１６から、ＩnＰがマストランスポートされ
活性領域側壁にマストランスポート形成部位２４が形成
された。このとき、図３（ｂ）に示すように、ビスジメ
チルペンタディエニルルテニウム（bis(η５-2,4-dimet
hylpentadienyl ruthenium(II)) は熱分解しＲuを生
じ、マストランスポート形成部位２４にＲu金属が取り
込まれ、半絶縁性となる。この図３（ｂ）に示す工程が
従来技術と著しく異なるところである。

【００２８】従来のマストランスポートにおいてはＲu
添加を行わないので、クラッドＩnＰに含まれていた不
純物がそのままマストランスポート形成部位に添加され
ていた。しかしながら、本発明のようにマストランスポ
ートを行うときにＲuを含む有機金属原料ガスを流すた
め、マストランスポート形成部位２４にＲuが添加され
る。ＲuはクラッドＩnＰに含まれていた不純物を補償
し、マストランスポート形成部位２４を半絶縁にする。

【００２９】次に、図３（ｃ）に示すように、この垂直
メサストライプ基板上に、公知のＭＯＶＰＥ法により、
Ｒuを添加しながらＩnＰ層２６を成長させた。原料とし
てトリメチルインジウム、トリエチルガリウム、トリメ
チルアルミニウム、アルシンを用い、Ｒuの原料として
ビスジメチルペンタディエニルルテニウム（bis(η５-
2,4-dimethylpentadienyl ruthenium(II)) を用いた。
この後、誘電体マスク２２を除去し、ＡuＺn／Ａuのｐ
型ストライプ電極２８を蒸着とリフトオフにより形成
し、基板側にＡuＧeＮiｎ型電極３０を蒸着により形成
した。

【００３０】この様にして作製した電界吸収型光変調器
の断面構造は、図１に示したものと同じである。この様
にして作製された電界吸収型光変調器の断面を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、活性領域１４とマストラン
スポート形成部位２４との間、及びメサストライプと埋
め込み層２６との間には空隙が無く、良質なマストラン
スポート形成部位２４と埋め込み層が得られていること
が判った。この構造は劈開後実装し、その特性を評価し
たところ、電界吸収型光変調器として好適なものであっ
た。即ち、この変調器の容量は０．５ｐＦであり、従来
の１ｐＦに対し半減した。このため、高速変調器として
極めて好適であり、１５ＧＨｚの高速変調が可能であっ
た。

【００３１】更に、暗電流についても改善が得られ、２
Ｖの逆バイアス時で、９０％の素子（チップ）で１ｎＡ
以下となった。本発明のマストランスポートによる埋め
込みは、従来のエピタキシャル成長による埋め込み層に
比べ容易に空孔のない埋め込みが実現でき、かつ、Ｒu
とＺnの相互拡散も生じないために、活性層側面のリー
ク電流は極めて少ない特徴をもっている。

【００３２】このため、電界吸収型光変調器のような、
逆バイアス型デバイスにおいても、十分良好な埋め込み
構造が実現できた。この変調器は印可電圧１．５Ｖで消
光比１５ｄＢ，１５ＧＨｚの変調特性を得た。上記の実
施例では、埋め込み層２６としてＲu添加ＩnＰ埋め込み
層を用いたが、これに限られるものではない。光の伝搬
モードを調整するため、埋め込み層として組成により屈
折率を変えることが可能なＲu添加ＩnＧaＡsＰ層として
も良く、また、埋め込み層として従来から用いられてい
るＦe添加ＩnＰ層を用いても、またｐ型ＩnＰとｎ型Ｉn
Ｐ層の積層体を用いても同様な効果が期待できる。

【００３３】ここでは、ＩnＧaＡlＡs／ＩnＡlＡs−Ｍ
ＱＷを光吸収層に用いた電界吸収型光変調器を例として
示したが、ＭＱＷを活性層とするレーザも同様にして作
製できる。また、活性層をＭＱＷからバルク層に代えて
も同様な効果が得られることは云うまでもない。また、
ＭＱＷをＩnＧaＡsＰ系の材料で構成しても同様の効果
を得ることが出来る。

【００３４】〔実施例２〕本発明の第２の実施例として
ｐｎ接合埋め込みレーザを取り上げ説明する。作製方法
を説明しながら、その構造を逐次説明する。実施例１と
同様にして、図１（ａ）から図３（ｂ）に示された工程
により、図４（ａ）に示すメサストライプ構造を制作す
る。マストランスポートの工程においては、Ｒuを含む
有機金属原料ガスであるビスジメチルペンタディエニル
ルテニウム（bis(η５-2,4-dimethylpentadienyl ruthe
nium(II)) を流し、マストランスポート形成部位２４に
Ｒuを添加したことは云うまでもない。その結果、マス
トランスポート形成部位２４は半絶縁化されている。

【００３５】つぎに、成長装置から取り出さずに、その
まま、図４（ｂ）に示すように、マストランスポートよ
りも低い温度でＺnを添加したｐ型ＩnＰ埋め込み層４０
を０．７μｍ、続けてＳiを添加したｎ型ＩnＰ埋め込み
層４２を約１．３μｍ成長した。ここで注意してほしい
のは、マストランスポート形成部位２４がＲu添加によ
り半絶縁化されているため、この領域とｐ型ＩnＰ埋め
込み層４０が接してもリーク電流は発生しないことであ
る。

【００３６】この後、誘電体マスク２２を除去し、基板
側にＡuＧeＮiのｎ型電極３０、メサ上部にＡuＺnのｐ
型電極２８を形成した。この構造のレーザは活性層側面
のリークが防げるため、発光効率が５％向上した。ここ
では、ｎ型ＩnＰ基板を例としたが、ｐ型基板において
も、導電型を逆にすれば容易に実現できる。以上のよう
にして、発光効率のよいレーザを歩留まり良く実現でき
た。

【００３７】このように説明したように本発明は、埋め
込み構造半導体光素子の活性領域を、ルテニウム（Ｒ
u）を添加した半絶縁層で埋め込むことにより、従来問
題となっていたリーク電流や接合容量の増大を抑制する
ものであり、この考えを素子構造及び作製方法として実
現したものである。尚、上記実施例において、Ｒuを含
む有機金属原料ガスとして、ビスジメチルペンタディエ
ニルルテニウムが挙げたが、これに限るものではなく、
Ｒuを含む他の有機金属原料ガスでも良い。

【００３８】

【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように、本発明によれば、Ｒuを添加した半導体層が
半絶縁性となり、ｐ形不純物との相互拡散がなく、安定
した高抵抗層を実現でき、良質な電流狭窄層を実現でき
る。このため、ｐｎ接合面積を減少させたり、活性領域
側壁のリーク電流を少なくし、高周波特性が良く、効率
のよい、変調器や発光素子を実現できるという著しい効
果を奏する。また、Ｒuはマストランスポートを行う際
に雰囲気中にＲuを含む有機金属ガスを供給すれば、マ
ストランスポートで形成した部位に簡単に添加すること
ができる。このためｐｎ埋め込み構造では、リークパス
を防ぎ、半絶縁性埋め込みでは、相互拡散を防ぎ、リー
クや接合容量の少ない高性能な半導体光素子を製作歩留
まり良く製造する方法を提供するという著しい効果を奏
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る電界吸収型光変調
器の構造を示す断面図である。

【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明にかかる第１の実
施例の作製方法を示す工程図である。

【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は本発明にかかる第１の実
施例の作製方法を示す工程図である。

【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は本発明にかかる第２実施
例の作製方法を示す工程図である。

【符号の説明】

１０ ｎ型ＩnＰ基板 １２ ｎ型ＩnＰクラッド層 １４ 活性領域 １６ ｐ型ＩnＰクラッド層 １８ ｐ型ＩnＧaＡsＰ電極層 ２０ ｐ型ＩnＧaＡs電極層 ２２ 誘電体マスク ２４ Ｒu添加層 ２６ 半絶縁埋め込み層 ２８ ｐ型電極 ３０ ｎ型電極 ４０ ｐ型ＩnＰ埋め込み層 ４２ ｎ型ＩnＰ埋め込み層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小笠原 松幸 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 近藤 康洋 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 野口 悦男 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA13 BA01 CA04 DA16 EA03 EA07 EA08 EB04 HA15 5F073 AA22 AA74 BA01 CA07 CB11 DA05 EA14

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上に、少なくとも第一の導電
   型を有するクラッド層、光ガイド層或いは活性層でなる
   活性領域、第二の導電型を有するクラッド層が積層され
   た積層体からなるメサストライプがあり、該活性領域の
   幅は該メサストライプの幅よりも狭く、該活性領域の両
   側面が該メサストライプの側面の内側にあり、該メサス
   トライプの両側を埋め込み層で埋め込んだ埋込型半導体
   素子において、少なくとも該活性領域について、その両
   側面にある空隙に、ルテニウムを添加した半絶縁層を配
   することを特徴とする半導体光素子。
2. 【請求項２】 半導体基板上に、少なくとも第一の導電
   型を有するクラッド層、光ガイド層或いは活性層でなる
   活性領域、及び第二の導電形を有するクラッド層を順次
   積層して積層体を形成する第１の工程と、該積層体上に
   誘電体薄膜からなるマスクを形成し、該マスクを介して
   該積層体層をエッチングし、メサストライプを形成する
   第２の工程と、選択的なエッチングにより該活性領域の
   両側面をエッチングし、該活性領域の幅が該メサストラ
   イプ幅よりも狭く、該活性領域の両側面が該メサストラ
   イプの側面の内側になるようにする第３の工程と、該活
   性領域の両側面をマストランスポートにより埋め込む第
   ４の工程と、マストランスポートにより活性領域の両側
   面が埋め込まれたメサストライプ構造の両わきに、第二
   の導電形を有する半導体層と第一の導電形を有する半導
   体層で順次埋め込んだ埋め込み層、或いは半絶縁性半導
   体で埋め込む第５の工程とからなる半導体光素子の製造
   方法において、上記第４の工程においてルテニウムを含
   む原料ガスを流しながらマストランスポートを行うこと
   を特徴とする半導体光素子の製造方法。