JP2009004450A - 半導体光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る半導体光素子1Aは、基板10と、基板10上に形成され、活性層30とp型クラッド層40aとn型クラッド層20とを有する半導体メサ部2Mと、Si不純物を含み、半導体メサ部2Mの活性層30に設けられた窪み部66に埋め込まれた拡散防止部62と、Zn不純物を含み、半導体メサ部2Mの周囲を埋め込む半導体埋込層70とを備える。この半導体光素子1Aにおいては、拡散防止部62が不純物としてSiを含んでいるため、半導体埋込層70からのZn不純物をトラップする。従って、この半導体光素子1Aにおいては、拡散防止部62により活性層30中へZnの拡散が効果的に抑制されている。
【選択図】 図1
Description
(第1実施形態)
[半導体層形成工程]
[半導体メサ部形成工程]
[窪み部の形成工程]
[拡散防止部形成工程]
[埋込層形成工程]
[クラッド層及びコンタクト層形成工程]
[絶縁層形成工程]
[電極形成工程]
(第2実施形態)
[半導体層形成工程]
[半導体メサ部形成工程]
[窪み部の形成工程]
[拡散防止部形成工程]
[埋込層形成工程]
[クラッド層及びコンタクト層形成工程]
[絶縁層形成工程]
[電極形成工程]
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に形成され、活性層とp型クラッド層とn型クラッド層とを有する半導体メサ部と、
Si不純物を含み、前記半導体メサ部の前記活性層に設けられた窪み部に埋め込まれた拡散防止部と、
Zn不純物を含み、前記半導体メサ部の周囲を埋め込む半導体埋込層と
を備える、半導体光素子。 - 前記活性層と前記p型クラッド層との間に介在するノンドープ若しくはSiドープの拡散防止層をさらに備える、請求項1に記載の半導体光素子。
- 前記活性層がAlを含む半導体材料で構成されている、請求項1又は2に記載の半導体光素子。
- 前記拡散防止部はSi不純物及びZn不純物を含んでおり、且つ、Zn濃度がSi濃度よりも高くなっている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体光素子。
- 基板上に、活性層とp型クラッド層とn型クラッド層とを形成する工程と、
前記活性層、前記p型クラッド層及び前記n型クラッド層を有する半導体メサ部を形成する工程と、
前記半導体メサ部の前記活性層の側面を選択的にエッチングして、前記活性層に窪み部を形成する工程と、
前記窪み部を、Si不純物を含む拡散防止部で埋め込む工程と、
前記半導体メサ部の周囲を、Zn不純物を含む半導体埋込層で埋め込む工程と
を含む、半導体光素子の製造方法。 - 前記活性層、前記p型クラッド層及び前記n型クラッド層を形成する工程の際に、前記活性層と前記p型クラッド層との間に、ノンドープ若しくはSiドープの拡散防止層を介在させる、請求項5に記載の半導体光素子の製造方法。
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