JP2002329928A5 - - Google Patents
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- レーザチップと、該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が1.1μm〜1.7μmであり、光を発生する活性層の主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が1.1μm以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAlxGa1−xAs(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAlyGa1−yAs(0≦y<x≦1)とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるAlzGa1−zAs(0≦y<z<x≦1)よりなるヘテロスパイク緩衝層の厚さを、5nm〜50nmの厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とした光通信システムであって、該光通信システムは、前記レーザチップと該レーザチップを搭載する第1の基板と該第1の基板を搭載する第2の基板よりなるレーザモジュールと該モジュールを冷却する手段よりなることを特徴とする光通信システム。
- レーザチップと、該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは、光を発生する活性層の主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAlxGa1−xAs(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAlyGa1−yAs(0≦y<x≦1)とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるAlzGa1−zAs(0≦y<z<x≦1)よりなるヘテロスパイク緩衝層を20nm〜50nmの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とした光通信システムであって、該光通信システムは、前記レーザチップと該レーザチップを搭載する第1の基板と該第1の基板を搭載する第2の基板よりなるレーザモジュールと該モジュールを冷却する手段よりなることを特徴とする光通信システム。
- レーザチップと、該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは、発振波長が1.1μm〜1.7μmであり、光を発生する活性層の主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が1.1μm以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAlxGa1−xAs(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAlyGa1−yAs(0≦y<x≦1)とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるAlzGa1−zAs(0≦y<z<x≦1)よりなるヘテロスパイク緩衝層を20nm〜50nmの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とした光通信システムであって、該光通信システムは、前記レーザチップと該レーザチップを搭載する第1の基板と該第1の基板を搭載する第2の基板よりなるレーザモジュールと該モジュールを冷却する手段よりなることを特徴とする光通信システム。
- レーザチップと、該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が1.1μm〜1.7μmであり、光を発生する活性層の主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が1.1μm以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAlxGa1−xAs(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAlyGa1−yAs(0≦y<x≦1)とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がGaxIn1−xPyAs1−y(0<x≦1、0<y≦1)層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とした光通信システムであって、該光通信システムは、前記レーザチップと該レーザチップを搭載する第1の基板と該第1の基板を搭載する第2の基板よりなるレーザモジュールと該モジュールを冷却する手段よりなることを特徴とする光通信システム。
- 前記レーザチップの熱伝導率をA、前記第1の基板の熱伝導率をB、前記第2の基板熱伝導率をCとするとき、それらの関係がA<B<Cとしたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光通信システム。
- 前記レーザチップと第1の基板と第2の基板は互いの相対する面の中心線平均粗さRaが、10nm≦Ra≦103nmであることを特徴とする請求項5に記載の光通信システム。
- 前記レーザチップと第1の基板と第2の基板はそれぞれの間に熱伝達層を介して密着させたことを特徴とする請求項5又は6に記載の光通信システム。
- 前記第2の基板の第1の基板と密着していない部分の単位領域あたりの表面積を、密着している部分の単位領域あたりの表面積より大きくしたことを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項に記載の光通信システム。
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