JPH11298089A - ヒートシンクおよびその加工方法 - Google Patents
ヒートシンクおよびその加工方法Info
- Publication number
- JPH11298089A JPH11298089A JP10096449A JP9644998A JPH11298089A JP H11298089 A JPH11298089 A JP H11298089A JP 10096449 A JP10096449 A JP 10096449A JP 9644998 A JP9644998 A JP 9644998A JP H11298089 A JPH11298089 A JP H11298089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror surface
- plate
- plating
- heat sink
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】エッジ部に至るまで所望の超精密な面精度を有
し、且つ製造コストを低減することにある。 【解決手段】板状部材１０の一面を鏡面１２に加工する
工程と、所定間隔離間する複数の略平行なフォトマスク
１４ａ〜１４ｄを形成する工程と、エッチング処理を施
すことによって形成される溝部１６ａ〜１６ｅと前記鏡
面１２との間でエッジ部２０を形成する工程と、前記フ
ォトマスク１４ａ〜１４ｄを除去した後、前記溝部１６
ａ〜１６ｅに沿って板状部材１０を切断する工程によ
り、複数のヒートシンク１８が得られる。
し、且つ製造コストを低減することにある。 【解決手段】板状部材１０の一面を鏡面１２に加工する
工程と、所定間隔離間する複数の略平行なフォトマスク
１４ａ〜１４ｄを形成する工程と、エッチング処理を施
すことによって形成される溝部１６ａ〜１６ｅと前記鏡
面１２との間でエッジ部２０を形成する工程と、前記フ
ォトマスク１４ａ〜１４ｄを除去した後、前記溝部１６
ａ〜１６ｅに沿って板状部材１０を切断する工程によ
り、複数のヒートシンク１８が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
を構成する半導体レーザチップが一体的に積層されるヒ
ートシンクおよびその加工方法に関する。
を構成する半導体レーザチップが一体的に積層されるヒ
ートシンクおよびその加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、例えば、電気・電子・通信機
器等の各種分野において半導体レーザ素子（以下、ＬＤ
という）が利用されている。このＬＤ１は、図６に示さ
れるように、ヒートシンク２と、前記ヒートシンク２上
に積層された状態で一体的に結合される半導体レーザチ
ップ３（以下、ＬＤチップという）とから構成され、略
面一に形成されたヒートシンク２とＬＤチップ３の一端
面からレーザ光が発光するように設けられている。
器等の各種分野において半導体レーザ素子（以下、ＬＤ
という）が利用されている。このＬＤ１は、図６に示さ
れるように、ヒートシンク２と、前記ヒートシンク２上
に積層された状態で一体的に結合される半導体レーザチ
ップ３（以下、ＬＤチップという）とから構成され、略
面一に形成されたヒートシンク２とＬＤチップ３の一端
面からレーザ光が発光するように設けられている。
【０００３】ＬＤチップ３は、レーザ光を発光する際に
生ずる内部発熱によって該ＬＤチップ３自身の自己破壊
を防止するため、熱伝導性の良好なヒートシンク２上に
ボンディングされている。このヒートシンク２は、ＬＤ
チップ３の発熱を効率良く吸収し、且つレーザ光を無駄
なく発光させるために、熱伝導率のよい銅系材料が使用
されている。
生ずる内部発熱によって該ＬＤチップ３自身の自己破壊
を防止するため、熱伝導性の良好なヒートシンク２上に
ボンディングされている。このヒートシンク２は、ＬＤ
チップ３の発熱を効率良く吸収し、且つレーザ光を無駄
なく発光させるために、熱伝導率のよい銅系材料が使用
されている。
【０００４】この場合、ＬＤチップ３の放熱を確実に行
うためには、ＬＤチップ３とヒートシンク２とを全面に
わたって確実に密着させる必要があり、前記ＬＤチップ
３が結合されるヒートシンク２の面は、そのエッジに至
るまで超精密な面粗さと平坦性が要求される。すなわ
ち、ヒートシンク２の断面形状は、図７に示されるよう
な超精密な面粗さおよび平坦性を有するヒートシンク２
ａが好適であり、これに対し、図８並びに図９に示され
るように、面粗さが大きく且つ平坦度が悪いヒートシン
ク２ｂやエッジにバリ４が有るヒートシンク２ｃは、不
適当である。
うためには、ＬＤチップ３とヒートシンク２とを全面に
わたって確実に密着させる必要があり、前記ＬＤチップ
３が結合されるヒートシンク２の面は、そのエッジに至
るまで超精密な面粗さと平坦性が要求される。すなわ
ち、ヒートシンク２の断面形状は、図７に示されるよう
な超精密な面粗さおよび平坦性を有するヒートシンク２
ａが好適であり、これに対し、図８並びに図９に示され
るように、面粗さが大きく且つ平坦度が悪いヒートシン
ク２ｂやエッジにバリ４が有るヒートシンク２ｃは、不
適当である。
【０００５】また、ヒートシンク２の一端面のＬＤチッ
プ３側のエッジ部分には、ＬＤチップ３から照射された
レーザ光の障害とならないために、バリ等がないことが
要求される。すなわち、図１０に示されるように、所望
の超精密な面精度を有し且つエッジにバリ等がないヒー
トシンク２ａを用いた場合には、ＬＤチップ３の発熱を
効率良く吸収するとともに発生したレーザ光を無駄なく
発光させることができるのに対し、図１１に示されるよ
うに、エッジに大きな垂れ下がり５があるヒートシンク
２ｄでは、レーザ光が発光されるＬＤチップ３とヒート
シンク２ｄの一端面が完全に密着せずにクリアランス６
があるためにＬＤチップ３の放熱が悪くなり、該ＬＤチ
ップ３が破壊されるという不具合がある。また、図１２
に示されるように、ＬＤチップ３側の一端面のエッジに
バリ４を有するヒートシンク２ｃを用いた場合には、前
記バリ４によってレーザ光の発光が遮断され、レーザ光
の出力が不足するという不具合がある。
プ３側のエッジ部分には、ＬＤチップ３から照射された
レーザ光の障害とならないために、バリ等がないことが
要求される。すなわち、図１０に示されるように、所望
の超精密な面精度を有し且つエッジにバリ等がないヒー
トシンク２ａを用いた場合には、ＬＤチップ３の発熱を
効率良く吸収するとともに発生したレーザ光を無駄なく
発光させることができるのに対し、図１１に示されるよ
うに、エッジに大きな垂れ下がり５があるヒートシンク
２ｄでは、レーザ光が発光されるＬＤチップ３とヒート
シンク２ｄの一端面が完全に密着せずにクリアランス６
があるためにＬＤチップ３の放熱が悪くなり、該ＬＤチ
ップ３が破壊されるという不具合がある。また、図１２
に示されるように、ＬＤチップ３側の一端面のエッジに
バリ４を有するヒートシンク２ｃを用いた場合には、前
記バリ４によってレーザ光の発光が遮断され、レーザ光
の出力が不足するという不具合がある。
【０００６】ヒートシンク２に対するこのような要求に
対し、従来技術に係るヒートシンク２の加工方法では、
精密研削、ラッピング等の機械的加工処理によってＬＤ
チップ３が積層されるヒートシンク２の面を加工した
後、プレス装置による打ち抜き、あるいは研削機械等に
よる切断加工を施すことにより、所定の形状のヒートシ
ンク２を得ていた。なお、前記ラッピングとは、研磨材
を用いてヒートシンク２の表面を研磨加工することをい
う。
対し、従来技術に係るヒートシンク２の加工方法では、
精密研削、ラッピング等の機械的加工処理によってＬＤ
チップ３が積層されるヒートシンク２の面を加工した
後、プレス装置による打ち抜き、あるいは研削機械等に
よる切断加工を施すことにより、所定の形状のヒートシ
ンク２を得ていた。なお、前記ラッピングとは、研磨材
を用いてヒートシンク２の表面を研磨加工することをい
う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
従来技術に係るヒートシンクの加工方法では、超精密な
面精度（面粗さ、平坦度等）を有するヒートシンクを安
定して得ることが困難であるとともに、エッジに発生す
るバリや垂れ下がりが大きいという不具合がある。
従来技術に係るヒートシンクの加工方法では、超精密な
面精度（面粗さ、平坦度等）を有するヒートシンクを安
定して得ることが困難であるとともに、エッジに発生す
るバリや垂れ下がりが大きいという不具合がある。
【０００８】また、従来技術に係るヒートシンクの加工
方法では、ヒートシンクに対して機械的加工処理を施す
機械的設備の購入に多大な設備投資が要求されるため、
製造コストが高騰するという不具合がある。
方法では、ヒートシンクに対して機械的加工処理を施す
機械的設備の購入に多大な設備投資が要求されるため、
製造コストが高騰するという不具合がある。
【０００９】さらに、近年において、ますますＬＤの高
出力化が要請され、このため増大する内部発熱をより一
層効率的に吸収することが望まれている。
出力化が要請され、このため増大する内部発熱をより一
層効率的に吸収することが望まれている。
【００１０】本発明は、前記の種々の不具合等を考慮し
てなされたものであり、エッジに至るまで所望の超精密
な面精度を有し、且つ製造コストを低減することが可能
なヒートシンクおよびその加工方法を提供することを目
的とする。
てなされたものであり、エッジに至るまで所望の超精密
な面精度を有し、且つ製造コストを低減することが可能
なヒートシンクおよびその加工方法を提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明は、半導体レーザ素子を構成するヒートシ
ンクの加工方法であって、母材の少なくとも一面を鏡面
に加工する工程と、前記母材の鏡面に溝部または凸部を
形成し、前記溝部と鏡面との間または前記凸部と鏡面と
の間でエッジ部を形成する工程と、を有することを特徴
とする。
めに、本発明は、半導体レーザ素子を構成するヒートシ
ンクの加工方法であって、母材の少なくとも一面を鏡面
に加工する工程と、前記母材の鏡面に溝部または凸部を
形成し、前記溝部と鏡面との間または前記凸部と鏡面と
の間でエッジ部を形成する工程と、を有することを特徴
とする。
【００１２】この場合、前記溝部を、所定のパターンを
有するフォトマスクを母材の鏡面に形成し、前記母材の
鏡面にエッチング処理を施すことにより形成すると好適
である。また、前記凸部はメッキ層からなり、所定のパ
ターンを有するメッキ用マスクを母材の鏡面に形成し、
前記メッキ用マスクがかかっていない部分の鏡面にメッ
キ処理を施すことにより形成される。
有するフォトマスクを母材の鏡面に形成し、前記母材の
鏡面にエッチング処理を施すことにより形成すると好適
である。また、前記凸部はメッキ層からなり、所定のパ
ターンを有するメッキ用マスクを母材の鏡面に形成し、
前記メッキ用マスクがかかっていない部分の鏡面にメッ
キ処理を施すことにより形成される。
【００１３】本発明によれば、バリや垂れ下がりがない
超精密な面精度を有するエッジ部が形成されたヒートシ
ンクを安定して得ることができる。
超精密な面精度を有するエッジ部が形成されたヒートシ
ンクを安定して得ることができる。
【００１４】また、本発明によれば、板状部材の一面を
鏡面に加工した後、前記鏡面に所定間隔離間する複数の
略平行なフォトマスクを形成する。さらに、前記鏡面に
エッチング処理を施すことによって形成される溝部と前
記鏡面との間でエッジ部を形成する。前記フォトマスク
を除去した後、前記溝部に沿って板状部材を切断するこ
とにより複数のヒートシンクを一括して加工することが
できる。
鏡面に加工した後、前記鏡面に所定間隔離間する複数の
略平行なフォトマスクを形成する。さらに、前記鏡面に
エッチング処理を施すことによって形成される溝部と前
記鏡面との間でエッジ部を形成する。前記フォトマスク
を除去した後、前記溝部に沿って板状部材を切断するこ
とにより複数のヒートシンクを一括して加工することが
できる。
【００１５】さらにまた、本発明によれば、板状部材の
一面を鏡面に加工した後、前記板状部材の鏡面に所定間
隔離間する複数の略平行なメッキ用マスクを形成する。
さらに、前記メッキ用マスクが形成された部分を除く板
状部材の鏡面にメッキ処理を施し、前記メッキ処理によ
って形成されるメッキ層からなる凸部と前記鏡面との間
でエッジ部を形成する。前記メッキ用マスクを除去した
後、隣接する凸部間に形成された溝部に沿って板状部材
を切断することにより複数のヒートシンクが得られる。
一面を鏡面に加工した後、前記板状部材の鏡面に所定間
隔離間する複数の略平行なメッキ用マスクを形成する。
さらに、前記メッキ用マスクが形成された部分を除く板
状部材の鏡面にメッキ処理を施し、前記メッキ処理によ
って形成されるメッキ層からなる凸部と前記鏡面との間
でエッジ部を形成する。前記メッキ用マスクを除去した
後、隣接する凸部間に形成された溝部に沿って板状部材
を切断することにより複数のヒートシンクが得られる。
【００１６】一方、本発明は、半導体レーザ素子を構成
するヒートシンクであって、板状部材の一面を鏡面に加
工する工程と、前記板状部材の鏡面に所定間隔離間する
複数の略平行なフォトマスクを形成する工程と、前記板
状部材の鏡面にエッチング処理を施すことによって形成
される溝部と前記鏡面との間でエッジ部を形成する工程
と、前記フォトマスクを除去した後、前記溝部に沿って
板状部材を切断することにより複数のヒートシンクを得
る工程と、によって製造されることを特徴とする。
するヒートシンクであって、板状部材の一面を鏡面に加
工する工程と、前記板状部材の鏡面に所定間隔離間する
複数の略平行なフォトマスクを形成する工程と、前記板
状部材の鏡面にエッチング処理を施すことによって形成
される溝部と前記鏡面との間でエッジ部を形成する工程
と、前記フォトマスクを除去した後、前記溝部に沿って
板状部材を切断することにより複数のヒートシンクを得
る工程と、によって製造されることを特徴とする。
【００１７】さらに、本発明は、半導体レーザ素子を構
成するヒートシンクであって、板状部材の一面を鏡面に
加工する工程と、前記板状部材の鏡面に所定間隔離間す
る複数の略平行なメッキ用マスクを形成する工程と、前
記メッキ用マスクが形成された部分を除く板状部材の鏡
面にメッキ処理を施し、前記メッキ処理によって形成さ
れるメッキ層からなる凸部と前記鏡面との間でエッジ部
を形成する工程と、前記メッキ用マスクを除去した後、
隣接する凸部間に形成された溝部に沿って板状部材を切
断する工程と、によって製造されることを特徴とする。
成するヒートシンクであって、板状部材の一面を鏡面に
加工する工程と、前記板状部材の鏡面に所定間隔離間す
る複数の略平行なメッキ用マスクを形成する工程と、前
記メッキ用マスクが形成された部分を除く板状部材の鏡
面にメッキ処理を施し、前記メッキ処理によって形成さ
れるメッキ層からなる凸部と前記鏡面との間でエッジ部
を形成する工程と、前記メッキ用マスクを除去した後、
隣接する凸部間に形成された溝部に沿って板状部材を切
断する工程と、によって製造されることを特徴とする。
【００１８】このように、本発明によれば、エッチング
処理またはメッキ処理により、半導体レーザチップが積
層されるヒートシンクのエッジ部を超精密な面精度に形
成することができるとともに、高精度な機械等を必要と
しないため製造コストを低減することができる。
処理またはメッキ処理により、半導体レーザチップが積
層されるヒートシンクのエッジ部を超精密な面精度に形
成することができるとともに、高精度な機械等を必要と
しないため製造コストを低減することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明に係るヒートシンクについ
て、その加工方法との関連で好適な実施の形態を挙げ、
添付の図面を参照しながら以下詳細に説明する。
て、その加工方法との関連で好適な実施の形態を挙げ、
添付の図面を参照しながら以下詳細に説明する。
【００２０】第１の実施の形態に係るヒートシンクの加
工方法を図１Ａ乃至図１Ｇに示す。
工方法を図１Ａ乃至図１Ｇに示す。
【００２１】無酸素銅の材料からなる板状部材１０の一
面に対し、例えば、ダイヤモンドバイト等によって切削
加工を施して鏡面１２を形成する。このような切削加工
を施すことにより、所望の超精密な面粗さと平坦度を有
する鏡面１２が板状部材１０に形成される（図１Ａ参
照）。
面に対し、例えば、ダイヤモンドバイト等によって切削
加工を施して鏡面１２を形成する。このような切削加工
を施すことにより、所望の超精密な面粗さと平坦度を有
する鏡面１２が板状部材１０に形成される（図１Ａ参
照）。
【００２２】続いて、前記板状部材１０の鏡面１２にエ
ッチング用のフォトマスク１４ａ〜１４ｄを形成する
（図１Ｂ参照）。すなわち、所定間隔離間し略平行に形
成された複数の長方形状のフォトマスク１４ａ〜１４ｄ
を前記板状部材１０の鏡面１２に形成する。
ッチング用のフォトマスク１４ａ〜１４ｄを形成する
（図１Ｂ参照）。すなわち、所定間隔離間し略平行に形
成された複数の長方形状のフォトマスク１４ａ〜１４ｄ
を前記板状部材１０の鏡面１２に形成する。
【００２３】次に、図示しないエッチング用媒体を用い
て前記フォトマスク１４ａ〜１４ｄが形成された板状部
材１０の鏡面１２にエッチング処理を施すことにより、
隣接するフォトマスク間並びに板状部材１０の端面に断
面円弧状の溝部１６ａ〜１６ｅが形成される（図１Ｃ参
照）。なお、この溝部１６ａ〜１６ｅは、フォトマスク
１４ａ〜１４ｄの長手方向に沿って延在するように形成
される。
て前記フォトマスク１４ａ〜１４ｄが形成された板状部
材１０の鏡面１２にエッチング処理を施すことにより、
隣接するフォトマスク間並びに板状部材１０の端面に断
面円弧状の溝部１６ａ〜１６ｅが形成される（図１Ｃ参
照）。なお、この溝部１６ａ〜１６ｅは、フォトマスク
１４ａ〜１４ｄの長手方向に沿って延在するように形成
される。
【００２４】そして、前記フォトマスク１４ａ〜１４ｄ
を板状部材１０の鏡面１２から取り除いた後（図１Ｄ参
照）、例えば、ワイヤカット等により前記溝部１６ａ〜
１６ｅに沿って板状部材１０を直線状に切断し、さら
に、前記切断された長尺な部材を、点線部分に沿って所
定の寸法に切断することにより、複数のヒートシンク１
８が得られる（図１Ｆ並びに図１Ｇ参照）。
を板状部材１０の鏡面１２から取り除いた後（図１Ｄ参
照）、例えば、ワイヤカット等により前記溝部１６ａ〜
１６ｅに沿って板状部材１０を直線状に切断し、さら
に、前記切断された長尺な部材を、点線部分に沿って所
定の寸法に切断することにより、複数のヒートシンク１
８が得られる（図１Ｆ並びに図１Ｇ参照）。
【００２５】図２並びに図３は、このようにして得られ
たヒートシンク１８のエッジ部２０を図１Ｆに示す矢印
Ｘ方向からみた拡大矢視図である。
たヒートシンク１８のエッジ部２０を図１Ｆに示す矢印
Ｘ方向からみた拡大矢視図である。
【００２６】ヒートシンク１８のエッジ部２０では、超
精密な面精度（面粗さ、平坦度）に形成された鏡面１２
から連続する断面円弧状の稜線部２２が形成され、前記
稜線部２２は、例えば、曲率半径Ｒが１〜２μｍ以下の
曲線状によって形成され、しかも前記鏡面１２から下方
側に延在する稜線部２２は、ヒートシンク１８の鏡面１
２から５〜１０μｍの高さがあればよい。
精密な面精度（面粗さ、平坦度）に形成された鏡面１２
から連続する断面円弧状の稜線部２２が形成され、前記
稜線部２２は、例えば、曲率半径Ｒが１〜２μｍ以下の
曲線状によって形成され、しかも前記鏡面１２から下方
側に延在する稜線部２２は、ヒートシンク１８の鏡面１
２から５〜１０μｍの高さがあればよい。
【００２７】また、図１０に示すような半導体レーザ素
子の機能を満たすためには、ヒートシンク１８の鏡面１
２から下方側に延在する５〜１０μｍの範囲を除いた他
の壁面２４は、必ずしもヒートシンク１８の鏡面１２に
直交しまたは断面が直線状である必要がない。また、図
３に示されるように、エッジ部２０は、ヒートシンク１
８の鏡面１２に対する角度θが約４５度以上に形成され
ていればよく、しかも直線である必要はない。
子の機能を満たすためには、ヒートシンク１８の鏡面１
２から下方側に延在する５〜１０μｍの範囲を除いた他
の壁面２４は、必ずしもヒートシンク１８の鏡面１２に
直交しまたは断面が直線状である必要がない。また、図
３に示されるように、エッジ部２０は、ヒートシンク１
８の鏡面１２に対する角度θが約４５度以上に形成され
ていればよく、しかも直線である必要はない。
【００２８】このようにして形成されたヒートシンク１
８の鏡面１２に半導体レーザチップ２６（以下、ＬＤチ
ップという）を、ろう材等によって固着することにより
半導体レーザ素子２８（以下、ＬＤという）の製造が完
了する（図１Ｇ参照）。
８の鏡面１２に半導体レーザチップ２６（以下、ＬＤチ
ップという）を、ろう材等によって固着することにより
半導体レーザ素子２８（以下、ＬＤという）の製造が完
了する（図１Ｇ参照）。
【００２９】このようにして製造されたヒートシンク１
８では、バリや垂れ下がりがない超精密な面精度を有す
るエッジ部２０を安定して形成することができる。ま
た、複数のヒートシンク１８を一挙に加工することがで
きるとともに、設備投資を抑制することができるため、
製造コストを低減することができる。
８では、バリや垂れ下がりがない超精密な面精度を有す
るエッジ部２０を安定して形成することができる。ま
た、複数のヒートシンク１８を一挙に加工することがで
きるとともに、設備投資を抑制することができるため、
製造コストを低減することができる。
【００３０】次に、第２の実施の形態に係るヒートシン
クの加工方法を図４Ａ乃至図４Ｇに示す。なお、図１に
示す構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付
し、その詳細な説明を省略する。
クの加工方法を図４Ａ乃至図４Ｇに示す。なお、図１に
示す構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付
し、その詳細な説明を省略する。
【００３１】無酸素銅の材料からなる板状部材１０の一
面に対し、例えば、ダイヤモンドのバイトによって切削
加工を施し、所望の超精密な面粗さと平坦度を有する鏡
面１２を形成する（図４Ａ参照）。
面に対し、例えば、ダイヤモンドのバイトによって切削
加工を施し、所望の超精密な面粗さと平坦度を有する鏡
面１２を形成する（図４Ａ参照）。
【００３２】続いて、前記板状部材１０の鏡面１２にメ
ッキ用マスク３０ａ〜３０ｅを形成する（図４Ｂ参
照）。すなわち、所定間隔離間し略平行に形成された複
数の帯状のメッキ用マスク３０ａ〜３０ｅを前記板状部
材１０の鏡面１２に形成する。
ッキ用マスク３０ａ〜３０ｅを形成する（図４Ｂ参
照）。すなわち、所定間隔離間し略平行に形成された複
数の帯状のメッキ用マスク３０ａ〜３０ｅを前記板状部
材１０の鏡面１２に形成する。
【００３３】次に、前記板状部材１０の鏡面１２に対
し、例えば、銅の材料からなるメッキ処理を施すことに
より、隣接するメッキ用マスク間に沿って所定の厚さを
有するメッキ層が形成される（図４Ｃ参照）。
し、例えば、銅の材料からなるメッキ処理を施すことに
より、隣接するメッキ用マスク間に沿って所定の厚さを
有するメッキ層が形成される（図４Ｃ参照）。
【００３４】そして、前記メッキ用マスク３０ａ〜３０
ｅを板状部材１０から取り除くことにより、鏡面１２に
はメッキ層からなる帯状の複数の凸部３２ａ〜３２ｄが
略平行に形成され、隣接する凸部３２ａ〜３２ｄとの間
並びに板状部材１０の端部には溝部３４ａ〜３４ｅが形
成される（図４Ｄ参照）。そこで、例えば、ワイヤカッ
ト等により前記溝部３４ａ〜３４ｅに沿って板状部材１
０を直線状に切断することにより、複数のヒートシンク
３６が得られる（図４Ｅ並びに図４Ｆ参照）。このよう
にして形成されたヒートシンク３６にＬＤチップ２６を
ろう材等によって固着することによりＬＤ２８の製造が
完了する（図４Ｇ参照）。
ｅを板状部材１０から取り除くことにより、鏡面１２に
はメッキ層からなる帯状の複数の凸部３２ａ〜３２ｄが
略平行に形成され、隣接する凸部３２ａ〜３２ｄとの間
並びに板状部材１０の端部には溝部３４ａ〜３４ｅが形
成される（図４Ｄ参照）。そこで、例えば、ワイヤカッ
ト等により前記溝部３４ａ〜３４ｅに沿って板状部材１
０を直線状に切断することにより、複数のヒートシンク
３６が得られる（図４Ｅ並びに図４Ｆ参照）。このよう
にして形成されたヒートシンク３６にＬＤチップ２６を
ろう材等によって固着することによりＬＤ２８の製造が
完了する（図４Ｇ参照）。
【００３５】なお、このようにして得られたヒートシン
ク３６のエッジ部３８は、エッチング処理による第１の
実施の形態と同様の形状を有し、その効果も同様である
ため詳細な説明を省略する。
ク３６のエッジ部３８は、エッチング処理による第１の
実施の形態と同様の形状を有し、その効果も同様である
ため詳細な説明を省略する。
【００３６】第２の実施の形態では、メッキ処理の材料
として銅を用いて説明しているがこれに限定されるもの
ではなく、例えば、ハンダ等のろう付け機能を有する材
料をメッキ処理によって板状部材１０の鏡面１２に積層
するように形成してもよい。この場合、エッジ部３８の
超精密な形状とろう材の塗布とを同時に行うことができ
るというメリットがある。
として銅を用いて説明しているがこれに限定されるもの
ではなく、例えば、ハンダ等のろう付け機能を有する材
料をメッキ処理によって板状部材１０の鏡面１２に積層
するように形成してもよい。この場合、エッジ部３８の
超精密な形状とろう材の塗布とを同時に行うことができ
るというメリットがある。
【００３７】また、銅のメッキ層に代替して、ニッケル
等の材料で一層のメッキ層を形成することにより、ＬＤ
チップ２６とヒートシンク３６をボンディングするため
の下地処理を兼用することができる利点がある。
等の材料で一層のメッキ層を形成することにより、ＬＤ
チップ２６とヒートシンク３６をボンディングするため
の下地処理を兼用することができる利点がある。
【００３８】さらに、図５に示されるように、メッキ処
理によって、銅とハンダとを二層積層するように構成し
てもよい。この場合、ヒートシンク３６の鏡面１２に積
層される銅材料の第１層４２によって超精密なエッジ部
３８が形成されるとともに、前記第１層４２に積層され
るハンダからなる第２層４４をろう付け専用とすること
により、精密なろう付けをすることができる利点があ
る。
理によって、銅とハンダとを二層積層するように構成し
てもよい。この場合、ヒートシンク３６の鏡面１２に積
層される銅材料の第１層４２によって超精密なエッジ部
３８が形成されるとともに、前記第１層４２に積層され
るハンダからなる第２層４４をろう付け専用とすること
により、精密なろう付けをすることができる利点があ
る。
【００３９】さらにまた、第２の実施の形態において、
電解メッキに代替して無電解メッキ、スパッタ、金属蒸
着等の方法を用いて板状部材１０の鏡面１２に凸部３２
ａ〜３２ｄを形成してもよい。
電解メッキに代替して無電解メッキ、スパッタ、金属蒸
着等の方法を用いて板状部材１０の鏡面１２に凸部３２
ａ〜３２ｄを形成してもよい。
【００４０】またさらに、第２の実施の形態において、
板状部材１０の鏡面１２の面精度を低くし、メッキ処理
によって積層されるメッキ層を、例えば、１０μｍ以上
の厚肉に形成した後、ＬＤチップ２６が発光するヒート
シンク３６の一端面を機械加工によって切削仕上げをす
るようにしてもよい。
板状部材１０の鏡面１２の面精度を低くし、メッキ処理
によって積層されるメッキ層を、例えば、１０μｍ以上
の厚肉に形成した後、ＬＤチップ２６が発光するヒート
シンク３６の一端面を機械加工によって切削仕上げをす
るようにしてもよい。
【００４１】なお、第１および第２の実施の形態におい
て、板状部材１０の一面をダイヤモンドバイト等による
高精度切削加工に代替して、ラッピング処理を行った
後、ＣＭＰ等の精密ポリッシング仕上げをするようにし
てもよい。また、板状部材１０の鏡面１２の要求精度が
低い場合には、高精度機械による切削加工に代替して、
ラッピングによる面加工のみとすることも可能である。
て、板状部材１０の一面をダイヤモンドバイト等による
高精度切削加工に代替して、ラッピング処理を行った
後、ＣＭＰ等の精密ポリッシング仕上げをするようにし
てもよい。また、板状部材１０の鏡面１２の要求精度が
低い場合には、高精度機械による切削加工に代替して、
ラッピングによる面加工のみとすることも可能である。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、以下の効果が得られ
る。
る。
【００４３】すなわち、溝部と鏡面との間または凸部と
鏡面との間でエッジ部を形成することにより、前記エッ
ジ部に至るまで、バリや垂れ下がりがない所望の超精密
な面精度を有するヒートシンクを安定して得ることがで
きる。また、高精度な機械的加工を行う機械的設備の投
資が抑制されることにより、製造コストを低減すること
ができる。
鏡面との間でエッジ部を形成することにより、前記エッ
ジ部に至るまで、バリや垂れ下がりがない所望の超精密
な面精度を有するヒートシンクを安定して得ることがで
きる。また、高精度な機械的加工を行う機械的設備の投
資が抑制されることにより、製造コストを低減すること
ができる。
【図１】図１Ａ乃至図１Ｇは、本発明の第１の実施の形
態に係るヒートシンクの加工方法の工程を示す説明図で
ある。
態に係るヒートシンクの加工方法の工程を示す説明図で
ある。
【図２】図１Ｆに示されるヒートシンクのエッジ部を矢
印Ｘ方向からみた一部省略拡大図である。
印Ｘ方向からみた一部省略拡大図である。
【図３】図２に示されるエッジ部の説明図である。
【図４】図４Ａ乃至図４Ｇは、本発明の第２の実施の形
態に係るヒートシンクの加工方法の工程を示す説明図で
ある。
態に係るヒートシンクの加工方法の工程を示す説明図で
ある。
【図５】ヒートシンクの加工方法の変形例を示す斜視図
である。
である。
【図６】半導体レーザ素子の斜視図である。
【図７】前記半導体レーザ素子を構成するヒートシンク
の良好な形状を示す縦断面図である。
の良好な形状を示す縦断面図である。
【図８】前記半導体レーザ素子を構成するヒートシンク
の不良の形状を示す縦断面図である。
の不良の形状を示す縦断面図である。
【図９】前記半導体レーザ素子を構成するヒートシンク
の不良の形状を示す縦断面図である。
の不良の形状を示す縦断面図である。
【図１０】ヒートシンクのエッジ部が良好な時の半導体
レーザ素子の動作状態を示す縦断面図である。
レーザ素子の動作状態を示す縦断面図である。
【図１１】ヒートシンクのエッジ部が不良な時の半導体
レーザ素子の動作状態を示す縦断面図である。
レーザ素子の動作状態を示す縦断面図である。
【図１２】ヒートシンクのエッジ部が不良な時の半導体
レーザ素子の動作状態を示す縦断面図である。
レーザ素子の動作状態を示す縦断面図である。
１０…板状部材 １２…鏡面 １４ａ〜１４ｄ…フォトマスク １６ａ〜１６ｅ、３
４ａ〜３４ｅ…溝部 １８、３６…ヒートシンク ２０、３８…エッジ
部 ２２…稜線部 ２６…半導体レーザ
チップ ２８…半導体レーザ素子 ３０ａ〜３０ｅ…メ
ッキ用マスク ３２ａ〜３２ｄ…凸部
４ａ〜３４ｅ…溝部 １８、３６…ヒートシンク ２０、３８…エッジ
部 ２２…稜線部 ２６…半導体レーザ
チップ ２８…半導体レーザ素子 ３０ａ〜３０ｅ…メ
ッキ用マスク ３２ａ〜３２ｄ…凸部
Claims (9)
- 【請求項１】半導体レーザ素子を構成するヒートシンク
の加工方法であって、 母材の少なくとも一面を鏡面に加工する工程と、 前記母材の鏡面に溝部または凸部を形成し、前記溝部と
鏡面との間または前記凸部と鏡面との間でエッジ部を形
成する工程と、 を有することを特徴とするヒートシンクの加工方法。 - 【請求項２】請求項１記載の方法において、前記溝部
は、所定のパターンを有するフォトマスクを母材の鏡面
に形成し、前記母材の鏡面にエッチング処理を施すこと
により形成されることを特徴とするヒートシンクの加工
方法。 - 【請求項３】請求項１記載の方法において、前記凸部
は、所定のパターンを有するメッキ用マスクを母材の鏡
面に形成し、前記メッキ用マスクを除いた他の鏡面にメ
ッキ処理を施すことにより形成されるメッキ層からなる
ことを特徴とするヒートシンクの加工方法。 - 【請求項４】半導体レーザ素子を構成するヒートシンク
の加工方法であって、 板状部材の一面を鏡面に加工する工程と、 前記板状部材の鏡面に所定間隔離間する複数の略平行な
フォトマスクを形成する工程と、 前記板状部材の鏡面にエッチング処理を施すことによっ
て形成される溝部と前記鏡面との間でエッジ部を形成す
る工程と、 前記フォトマスクを除去した後、前記溝部に沿って板状
部材を切断することにより複数のヒートシンクを得る工
程と、 を有することを特徴とするヒートシンクの加工方法。 - 【請求項５】半導体レーザ素子を構成するヒートシンク
の加工方法であって、 板状部材の一面を鏡面に加工する工程と、 前記板状部材の鏡面に所定間隔離間する複数の略平行な
メッキ用マスクを形成する工程と、 前記メッキ用マスクが形成された部分を除く板状部材の
鏡面にメッキ処理を施し、前記メッキ処理によって形成
されるメッキ層からなる凸部と前記鏡面との間でエッジ
部を形成する工程と、 前記メッキ用マスクを除去した後、隣接する凸部間に形
成された溝部に沿って板状部材を切断することにより複
数のヒートシンクを得る工程と、 を有することを特徴とするヒートシンクの加工方法。 - 【請求項６】請求項５記載の方法において、メッキ層
は、銅またはハンダの材料からなる一層で形成されるこ
とを特徴とするヒートシンクの加工方法。 - 【請求項７】請求項５記載の方法において、メッキ層は
２層からなり、板状部材に積層され銅の材料によって形
成される第１層と、前記第１層に積層されハンダの材料
によって形成される第２層とを有することを特徴とする
ヒートシンクの加工方法。 - 【請求項８】半導体レーザ素子を構成するヒートシンク
であって、 板状部材の一面を鏡面に加工する工程と、 前記板状部材の鏡面に所定間隔離間する複数の略平行な
フォトマスクを形成する工程と、 前記板状部材の鏡面にエッチング処理を施すことによっ
て形成される溝部と前記鏡面との間でエッジ部を形成す
る工程と、 前記フォトマスクを除去した後、前記溝部に沿って板状
部材を切断することにより複数のヒートシンクを得る工
程と、 によって製造されることを特徴とするヒートシンク。 - 【請求項９】半導体レーザ素子を構成するヒートシンク
であって、 板状部材の一面を鏡面に加工する工程と、 前記板状部材の鏡面に所定間隔離間する複数の略平行な
メッキ用マスクを形成する工程と、 前記メッキ用マスクが形成された部分を除く板状部材の
鏡面にメッキ処理を施し、前記メッキ処理によって形成
されるメッキ層からなる凸部と前記鏡面との間でエッジ
部を形成する工程と、 前記メッキ用マスクを除去した後、隣接する凸部間に形
成された溝部に沿って板状部材を切断する工程と、 によって製造されることを特徴とするヒートシンク。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10096449A JPH11298089A (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | ヒートシンクおよびその加工方法 |
| US09/286,420 US6355505B1 (en) | 1998-04-08 | 1999-04-06 | Heat sink and method of manufacturing heat sink |
| EP99106955A EP0949727A3 (en) | 1998-04-08 | 1999-04-08 | Heat sink and method of manufacturing heat sink |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10096449A JPH11298089A (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | ヒートシンクおよびその加工方法 |
| US09/286,420 US6355505B1 (en) | 1998-04-08 | 1999-04-06 | Heat sink and method of manufacturing heat sink |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11298089A true JPH11298089A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=26437646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10096449A Pending JPH11298089A (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | ヒートシンクおよびその加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11298089A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329928A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-11-15 | Ricoh Co Ltd | 光通信システム |
| CN1300903C (zh) * | 2004-03-23 | 2007-02-14 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 复合热沉半导体激光器结构及制备方法 |
| JP2008060279A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法 |
| JP2008147565A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Anritsu Corp | 半導体発光素子の固定手段及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-04-08 JP JP10096449A patent/JPH11298089A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329928A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-11-15 | Ricoh Co Ltd | 光通信システム |
| CN1300903C (zh) * | 2004-03-23 | 2007-02-14 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 复合热沉半导体激光器结构及制备方法 |
| JP2008060279A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法 |
| JP2008147565A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Anritsu Corp | 半導体発光素子の固定手段及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1995775B1 (en) | Semiconductor device with stress reducing element | |
| KR100688317B1 (ko) | 반도체 발광소자, 그 제조방법 및 탑재기판 | |
| JP4077521B2 (ja) | レーザーダイオードアレイのパッケージング | |
| US5977567A (en) | Optoelectronic assembly and method of making the same | |
| JP3386963B2 (ja) | レーザダイオードデバイスの製造方法 | |
| US6034430A (en) | Integrated thermal coupling for a heat generating device | |
| US6355505B1 (en) | Heat sink and method of manufacturing heat sink | |
| HUT73312A (en) | Method and apparatus for producing integrated circuit devices, and integrated circuit device | |
| JPS6257277A (ja) | ガラスフアイバに対する半導体レ−ザの自動調節位置決め装置 | |
| JPH04144157A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11298089A (ja) | ヒートシンクおよびその加工方法 | |
| US7468554B2 (en) | Heat sink board and manufacturing method thereof | |
| JP2001102782A (ja) | ヒートシンクの製造方法 | |
| US20180019179A1 (en) | Silicon-Based Heat Dissipation Device For Heat-Generating Devices | |
| JP2006185931A (ja) | 半導体レーザー装置およびその製造方法 | |
| EP1041651A2 (en) | Peltier module | |
| JP3848477B2 (ja) | ヒートシンクの加工方法 | |
| JP2007013002A (ja) | 半導体レーザー装置 | |
| JPS61168951A (ja) | 半導体集積回路チツプの実装構造 | |
| JP5296977B2 (ja) | 複合材ヒートシンクとその製造方法 | |
| EP1729342A1 (en) | Heat sink board and manufacturing method thereof | |
| KR20140036194A (ko) | 조명 장치를 제조하기 위한 방법 및 조명 장치 | |
| JP2001024113A (ja) | ヒートシンクの加工方法 | |
| JP2000091479A (ja) | 半導体装置用放熱フィンの製造方法 | |
| JP2000022284A (ja) | ヒートシンクおよびその加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040303 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060822 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060829 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061030 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070206 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070703 |