KR20140036194A - 조명 장치를 제조하기 위한 방법 및 조명 장치 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 64
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 60
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 60
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 37
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 11
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- F21V19/001—Fastening of light sources or lamp holders the light sources being semiconductors devices, e.g. LEDs
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/20—Light sources comprising attachment means
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/90—Methods of manufacture
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2101/00—Point-like light sources
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2105/00—Planar light sources
- F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/30—Semiconductor lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
본 발명은 제 1 캐리어(1)를 제공하는 단계; 제 2 캐리어(2)를 제 1 캐리어(1)에 체결하는 단계; 상기 제 2 캐리어(2)가 상기 제 1 캐리어(1)에 체결된 후에 상기 제 2 캐리어(2)를 적어도 2개의 부분들(21, ..., 28)로 분할하는 단계; 및 적어도 2개의 루미넨슨스 다이오드 칩들(3)을 상기 제 1 캐리어(1)로부터 떨어져 면하는 상기 제 2 캐리어(2)의 측에 체결하는 단계를 포함하는 조명 장치를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.
Description
조명 장치(lighting device)를 제조하기 위한 방법 및 조명 장치가 특정되어 있다.
다루어지는 문제점은 노후화에 특히 안정적인 조명 장치를 제조하기 위한 방법을 특정하는 것에 있다. 특히, 상기 방법에 의해 제조되는 조명 장치는 열 기계적 교대 응력(thermomechanical alternating stress)들에 대하여 특히 강건하다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 상기 방법은 제 1 마운트(mount)가 제공되는 방법 단계를 포함한다. 제 1 마운트는 제조되어야 할 조명 장치의 부품들을 기계적으로 지지하도록 설계되어 있다. 또한, 제 1 마운트는 특히, 특히 양호한 열 전도성에 특징이 있다. 예를 들어, 이 경우, 제 1 마운트는 전기적으로 전도성이 되도록 설계될 수 있다. 특히, 이에 따라, 제 1 마운트는 예를 들어, 구리와 같은 금속으로 형성되는 금속성 마운트(metallic mount)이다. 따라서, 제 1 마운트는 동작 동안에 조명 장치의 부품들에 의해 발생되는 열을 흡수할 수 있고, 특히, 외부로 양호하게 열을 방출할 수 있다. 이것은 제 1 마운트가 특히, 조명 장치의 히트 싱크(heat sink)를 형성한다는 것을 의미한다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 제 2 마운트는 제 1 마운트 상에 체결된다. 예를 들어, 제 2 마운트는 제 1 마운트의 주 영역 상에 체결된다. 제 2 마운트의 체결은 예를 들어, 제 1 마운트 및 제 2 마운트 사이의 기계적 연결에 부가하여, 제 1 마운트 및 제 2 마운트 사이에 열적 연결을 또한 생성하는 연결 수단에 의하여 수행된다. 이것은 연결 수단이 양호한 열 전도성에 특징이 있을 수 있다는 것을 의미한다.
제 2 마운트는 제 1 마운트로부터 멀리 떨어진 자신의 측 상에 조명 장치의 부품들의 일부를 수용하고 기계적으로 지지하도록 설계되어 있는 마운트이다. 이 경우, 제 2 마운트는 특히, 제 1 마운트보다 더 작은 기본 영역을 가진다. 제 2 마운트도 마찬가지로 양호한 열 전도성에 특징이 있다. 이 경우, 제 2 마운트는 특히, 전기적으로 절연성이 되도록 설계될 수 있다. 예를 들어, 제 2 마운트는 도핑되지 않은(undoped) 반도체 재료 또는 세라믹 재료로 형성된다. 이것은 제 2 마운트가 특히 세라믹 마운트일 수 있다는 것을 의미한다. 예를 들어, 제 2 마운트는 대략 180 W/mK의 열 전도성 계수에 특징이 있는 AlN으로 형성된다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 제 2 마운트는 제 2 마운트의 제 1 마운트 상으로의 체결 이후에 적어도 2개의 부분들로 적어도 부분적으로 절단된다. 제 2 마운트의 재료가 절단에 의해 제조되는 제 2 마운트의 부분들 사이에 임의의 연결을 부여하지 않도록, 제 2 마운트가 분할될 수 있다. 절단에 의해 제조되는 제 2 마운트의 부분들은 예를 들어, 제 1 마운트로의 그 연결을 위해서만, 서로에 대해 그리고 제 1 마운트에 대해 기계적으로 고정된 위치에 유지되고, 이 위치는 제 2 마운트의 절단에 의해 변경되지 않고 남아 있다. 다시 말해서, 완전한 절단이 발생할 수 있다.
또한, 제 2 마운트의 부분적인 절단이 발생하는 것이 가능하다. 이 경우, 트렌치(trench)가 제 2 마운트 내에 도입되고, 트렌치는 제 2 마운트의 부분들 사이의 희망하는 중단점(breaking point)으로서 작용한다. 조명 장치의 동작 동안에, 제 1 마운트는 제 2 마운트보다 더 큰 열 팽창을 거치고, 제 2 마운트의 완전한 절단은 희망하는 중단점을 따라 발생할 수 있다. 이 경우, 제 1 마운트로부터 멀리 떨어진 측으로부터 제 2 마운트 내로의 트렌치의 침투 깊이는 제 2 마운트의 평균 두께의 적어도 5%, 특히, 적어도 10%이다. 이와 같은 방식으로, 희망하는 중단점을 따른 완전한 절단이 동작 동안에 발생할 수 있는 것을 보장하는 것이 가능하다.
이 경우, 제 2 마운트의 부분들 사이의 분리 라인들은 가로로, 특히, 제 2 마운트와 대향하는 제 1 마운트의 상부 측에 수직으로 뻗어 있다. 다시 말해서, 제 2 마운트의 부분들의 기본 영역은 제 2 마운트의 기본 영역보다 더 작다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 적어도 2개의 루미넨슨스 다이오드 칩(luminescence diode chip)들이 제 1 마운트로부터 멀리 떨어진 제 2 마운트 측 상에 체결된다. 이 경우, 루미넨슨스 다이오드 칩들은 특히, 제 2 마운트에 기계적으로 고정되도록 연결될 수 있고, 양호한 열 전도성을 가지면서 상기 제 2 마운트에 연결된다.
루미넨슨스 다이오드 칩들은 동작 동안에 전자기 복사(electromagnetic radiation), 특히, 광을 발생하는 발광 다이오드(light-emitting diode) 칩들 또는 레이저 다이오드(laser diode) 칩들이다. 이러한 방식으로, 전자기 복사, 특히, 광은 동작 동안에 조명 장치에 의해 마찬가지로 방출될 수 있다. 특히, 루미넨슨스 다이오드 칩들이 백색(white) 및/또는 유색(colored) 광을 방출하는 것이 가능하다. 루미넨슨스 다이오드 칩들이 백색 광을 방출하기 위해 설계되는 경우에 대해, 이 루미넨슨스 다이오드 칩들은 예를 들어, 전자기 복사의 하향-변환(down-conversion)을 위해 설계되어 있는 루미넨슨스 변환 재료(luminescence conversion material)를 포함한다.
조명 장치를 제조하기 위한 방법의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 상기 방법은 다음의 단계들을 포함한다:
- 제 1 마운트를 제공하는 단계,
- 제 2 마운트를 제 1 마운트에 체결하는 단계,
- 상기 제 2 마운트를 상기 제 1 마운트에 체결한 후에 상기 제 2 마운트를 적어도 2개의 부분들로 적어도 부분적으로 절단하는 단계, 및
- 적어도 2개의 루미넨슨스 다이오드 칩들을 상기 제 1 마운트로부터 멀리 떨어져 있는 상기 제 2 마운트의 측에 체결하는 단계.
이 경우, 상기 방법은 특히, 개별적인 방법 단계들이 열거되는 순서로 구현될 수 있다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 루미넨슨스 다이오드 칩들 중 적어도 2개는 제 2 마운트의 상이한 부분들 상에 피팅(fitting)된다. 다시 말해서, 제 2 마운트의 제 1 부분은 예를 들어, 조명 장치의 제 1 루미넨슨스 다이오드 칩을 지지하고, 상기 제 2 마운트의 제 2 부분은 조명 장치의 제 2 루미넨슨스 다이오드 칩을 지지한다. 따라서, 이 2개의 루미넨슨스 다이오드 칩들은 기계적으로, 전기적으로, 또는 열적으로 제 2 마운트에 의해 서로 연결되지 않는다. 따라서, 제 2 마운트의 상이한 부분들 상에서의 2개의 루미넨슨스 다이오드 칩들 사이의 기계적 연결은 제 1 마운트에 의해서만 또는 제 1 마운트에 의해 주로 제공된다.
여기에서 설명된 방법은 그 중에서도 다음의 고려사항들에 기반으로 하고 있다:
루미넨슨스 다이오드 칩들의 양호한 열적 연결은 전기 전력 손실에 의해 루미넨슨스 다이오드 칩에서 생성되는 열을 발산하기 위해 유익하다. 예를 들어, 루미넨슨스 다이오드 칩들의 휘도(brightness)는 온도의 함수이다. 온도가 증가함에 따라, 루미넨슨스 다이오드 칩들의 휘도 및 효율은 감소한다. 또한, 대부분의 노후화 처리들이 온도에 의해 활성화되므로, 낮은 동작 온도들은 루미넨슨스 다이오드 칩의 수명에 유리한 효과를 가진다. 그러므로, 양호한 열 관리는 높은 등급의 효율성의 달성에 기여하고, 긴 수명들의 구현을 가능하게 한다.
루미넨슨스 다이오드 칩의 장착 면과의 전기적 접촉을 행할 가능성은 또 다른 중요한 양상이다. 루미넨슨스 다이오드 칩은 자신의 장착 면이 히트 싱크 상에 장착된다. 히트 싱크는 그 자신이 하우징 내에 다시 피팅된다. 루미넨슨스 다이오드 칩 후방 측은 전기적 전위를 가지고, 하우징은 무전위(potential-free)이어야 한다. 그러므로, 전기적 절연 평면이 루미넨슨스 다이오드 칩의 장착 면 및 하우징 사이에서 유익할 수 있다는 점이 발명자들에 의해 확인되었다.
특히, 금속 재료들은 히트 싱크로서 그리고 하우징 재료로서 이용된다. 이 금속 재료들은 비교적 낮은 비용들과 함께, 양호한 가공성, 양호한 기계적 속성들 및 양호한 열 전도성에 특징이 있다. 대부분의 금속 재료들의 단점은 기존의 반도체 재료들에 비해 그 높은 열 팽창 계수이고, 그리고 이 상황에서는 그 전기적 전도성이다.
하우징이 금속 재료들로 제작된다고 가정되는 경우, 루미넨슨스 다이오드 칩의 반도체 재료들의 낮은 열 팽창 계수로부터 금속 하우징 재료들의 높은 열 팽창 계수로의 전이는 어떤 포인트에서는 열 경로를 따라 구현되어야 한다. 재료들 사이의 높은 열 전도성으로의 연결은 특히, 납땜 및 소결 방법들에 의해 실현될 수 있다. 이러한 연결들은 기계적으로 매우 강성이다. 그러므로, 팽창 계수에 있어서 차이가 있는 경우, 힘들이 접합부(joint) 평면상에 발생된다. 결국, 이 힘들은 접합부 표면에서의 합성물 또는 접합부에서의 더 약한 파트너(partner)의 손상 또는 파괴를 초래할 수 있다. 매칭되지 않는 팽창 계수를 갖는 접합부 파트너들을 포함하는 연결의 견고함은 접합부 표면의 크기에 따라 변한다. 대량의 기계적 팽창을 갖는 접합부 표면들은 작은 접합부 표면들보다 제어하기가 더욱 어렵다. 이 때문에, 작은 구조적 크기들을 갖는 영역에서 반도체 재료의 낮은 팽창 계수(예를 들어: 게르마늄 5.8 ppm/K)로부터 금속 재료의 더 높은 팽창 계수(예를 들어: 알루미늄 23 ppm/K)로의 열 경로에서의 전이를 구현하는 것이 유리하다.
또 다른 문제점은 다수의 개별적인 칩들의 평평한 피팅(flat fitting)에 있다. 개별적인 루미넨슨스 다이오드 칩들이 금속 마운트 상에 장착되는 경우, 루미넨슨스 다이오드 칩들 모두의 장착 면들은 공통의 전기적 전위에 있다. 이 설계는 병렬 회로에 대응한다. 개별적인 루미넨슨스 다이오드 칩들이 U/I 특성들에 있어서 차이들을 가지는 경우, 회로 레이아웃은 낮은 순방향 전압에 의해 루미넨슨스 다이오드 칩들의 과에너지화(overenergization)를 초래한다. 이 루미넨슨스 다이오드 칩 배열의 또 다른 단점은 전압에 대한 전류의 비율일 수 있다. 병렬 회로들은 낮은 순방향 전압이 주어지면 기본적으로 높은 동작 전류들을 가진다. 이것은 증가된 구동기 비용들 및/또는 더 낮은 구동기 효율을 초래할 수 있다. 병렬 회로들 및 직렬 회로들을 구현할 가능성은 여기에서 유익하다.
그러므로, 루미넨슨스 다이오드 칩들이 또 다른 전기적으로 절연성이지만 열적으로 전도성인 층에 적용되는 회로 평면상에 장착되는 설계가 유익할 수 있다고 확인되었다. 따라서, 전기적 절연성 층은 반도체 재료의 낮은 팽창 계수와, 히트 싱크 및 하우징의 높은 팽창 계수 사이에서 조정될 수 있다.
지금까지, 다양한 해결책들이 폭넓게 이용되었다:
A) 금속-코어(metal-core) 인쇄 회로 기판(MCPCB : metal-core printed circuit board) 상의 루미넨슨스 다이오드 칩들. 이 접근은 간단한 해결책을 나타낸다. MCPCB의 후방 측은 전기적으로 절연된다. MCPCB는 보통은 비교적 용이하게 장착될 수 있는 알루미늄 시트(aluminum sheet)에 기반하고 있다. 회로 평면이 구조화될 수 있고, 그 결과, 상이한 회로 변형들이 특정 제한들과 함께 제조될 수 있다. 절연층은 특정 탄성을 가지므로, 기저 판(base plate)의 반도체 및 알루미늄 사이의 상이한 팽창 계수들은 다수의 응용들에 대하여 충분히 양호하게 보상된다. 이 해결책의 약점은 절연층의 제한된 열 전도성(d=38 ㎛의 두께에서 3 W/mK)에 있다.
B) DCB(direct copper bonding :직접 구리 본딩). DCB 처리에서는, 얇은 구리 시트들이 압력 및 온도 하에서 세라믹 판들(Al2O3, AlN)과 접합된다. 비교적 얇은 구리 및 세라믹 층들로 인해, 응력들은 탄성 변형에 의해 흡수될 수 있다. 따라서, 반도체 및 하우징 사이의 팽창 계수들에 있어서의 차이들은 부분적으로 보상될 수 있다. 이 변형의 하나의 결점은 회로 평면의 구조화가 식각과 함께 사진 기술에 의해 구현된다는 점에 있다. 따라서, 비용에 의해 결정되는 최소 치수들 미만으로 떨어뜨리는 것이 어렵다.
C) 세라믹 기판. 이 설계가 주어지면, 세라믹들은 일측 또는 양측 상이 금속-도금(metal-plate)된다. 금속-도금된 세라믹(낮은 팽창 계수) 상의 루미넨슨스 다이오드 칩들(낮은 팽창 계수)의 설계는 임의의 문제점들 없이 가능하다. 세라믹 모듈을 금속성 하우징 내에 피팅할 때에 어려움들이 시작된다. 예를 들어, 세라믹 모듈이 하우징으로 납땜 될 경우, 양호한 열 발산(heat dissipation)이 달성될 수 있다. 그러나, 납땜된 접합부의 높은 레벨의 기계적 강성으로 인해, 힘들이 생성될 수 있고, 이것은 접합부 또는 세라믹 기판의 파괴를 초래할 수 있다.
제 2 마운트가 제 1 마운트 상에 체결된 후에 적어도 2개의 부분들로 적어도 부분적으로 절단되는 조명 장치는 이러한 절단이 없을 때보다 제조하기가 기술적으로 더욱 어렵다. 그러나, 이 절단이 발생하지 않는 조명 장치의 실질적인 결점은 제 2 마운트가 적용되는 제 1 마운트의 표면과 평행한 측면 방향으로의 제 2 마운트의 열 팽창으로 인한, 그리고 제 1 마운트 및 제 2 마운트 사이의 열 팽창 계수에 있어서의 상당한 차이로 인한 교대 열 응력이 있을 경우의 조명 장치의 낮은 내구성에 있다.
여기에서 설명된 방법에서는, 제 2 마운트가 제 1 마운트 상에 체결된 후에 더 작은 조각들, 즉 제 2 마운트의 부분들로 이제 분리될 수 있다. 다음으로, 제 2 마운트의 부분들 사이의 거리는 절단에 의해 생성되는 재료 부식에 의해 단지 결정된다. 다시 말해서, 제 2 마운트의 부분들이 제 1 마운트 상에 개별적으로 장착되는 것에 의해 달성될 수 없는 바와 같이, 제 2 마운트의 부분들은 서로로부터 특히 작은 거리를 가진다. 이 작은 거리들의 영역에서 그리고 제 2 마운트의 부분들의 작은 측면 팽창으로 인해, 제 2 마운트 및 제 1 마운트 사이의 열 팽창 계수에 있어서의 차이는 생성되는 힘들이, 파괴에 대한 재료-특정 한계 값들이 초과되지 않으면서 탄성 변형에 의해 흡수될 수 있다는 사실에 의하여 제어될 수 있다. 제 2 마운트를 적어도 부분적으로 절단하기 위한 적당한 방법은 예를 들어, 다음의 방법들 중의 하나 또는 다음의 방법들의 몇 개의 조합들일 수 있다: 기계적 소잉(mechanical sawing), 연마 커팅(abrasive cutting), 레이저 커팅 방법들, 이온 식각 방법들, 화학적 커팅 방법들.
제 1 마운트 및 제 2 마운트 사이와, 제 2 마운트의 부분들 및 루미넨슨스 다이오드 칩들 사이의 연결들은 소결 방법들 및/또는 납땜 방법들에 의해 제조될 수 있다. 그 결과, 양호한 열 전도성 및 높은 강도를 갖는 연결들이 실현된다. 제 2 마운트는 특히, 전기적으로 절연성이 되도록 설계될 수 있고, 그 결과, 상기 제 2 마운트는 전기적으로 무전위 히트 싱크를 형성한다. 특히, AlN 또는 Al2O3과 같은 세라믹 재료들이 이것에 적당하다. 제 1 마운트는 특히 금속성이고, 이에 따라, 예를 들어, 조명 장치를 위한 하우징 내에 용이하게 통합될 수 있다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 제 2 마운트의 절단 이전에, 제 1 구조화된 금속층이 제 1 마운트로부터 멀리 떨어진 제 2 마운트의 그 표면에 적용되고, 제 1 구조화된 금속층의 영역들은 적어도 하나의 트렌치에 의해 서로 분리되고, 이 적어도 하나의 트렌치를 따라, 적어도 2개의 부분들로의 제 2 마운트의 절단이 발생한다. 다시 말해서, 제 1 마운트로부터 멀리 떨어진 제 2 마운트의 상부 측 상의 제 1 구조화된 금속층에 의하여, 제 2 마운트는 제 1 구조화된 금속층의 영역들 사이의 트렌치들에 의해 규정되는 바와 같이, 패턴에 따라 상기 제 2 마운트의 부분들로 절단된다. 이 금속층의 구조화에 의하여, 구조화된 금속층이 전기적으로 전도성이 있도록 루미넨슨스 다이오드 칩들에 연결될 때, 추가적으로, 조명 장치의 루미넨슨스 다이오드 칩들 사이의 직렬 회로들 및/또는 병렬 회로들이 실현될 수 있다. 다시 말해서, 루미넨슨스 다이오드 칩들은 특히, 제 1 구조화된 금속층에서 전기적으로 전도성이 있도록 연결될 수 있다. 각각의 경우에 있어서, 제조된 제 1 접합부는 처리 체인(process chain)에서 최고 연화점(softening point)을 가지고 제조된 최종 접합부는 최저 연화점을 가지도록, 제 1 마운트 및 제 2 마운트와 루미넨슨스 다이오드 칩들 사이의 납땜된 접합부들 및/또는 소결된 접합부들이 이 경우에는 자신들의 연화점들에 관하여 선택된다. 이러한 방식으로, 추후의 연결이 행해지는 결과로, 이미 제조된 연결들의 손상 또는 심지어 분리가 전혀 발생할 수 없다는 것이 보장된다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 제 2 마운트의 제 1 마운트로의 체결 이전에, 구조화된 연결층이 제 1 마운트 및 제 2 마운트 사이에 배열되고, 상기 연결층은 제작 공차(manufacturing tolerance)들 내에서 제 1 구조화된 금속층과 적어도 부분적으로 일치한다.
구조화된 연결층은 예를 들어, 경질 납땜층(hard solder layer)이다. 구조화된 연결층은 제 2 마운트의 반대의 상부 측 내의 트렌치들, 즉, 제 1 구조화된 금속층 내의 트렌치들과 일치하는 구조화된 연결층의 영역들 사이에 트렌치들을 마찬가지로 가지도록 적용된다. 따라서, 제 1 구조화된 금속층의 트렌치들을 따라 제 2 마운트를 자신의 부분들로 절단할 때, 연결층의 커팅(cutting)이 전혀 발생할 필요가 없는 것이 가능하다. 대신, 절단 후에, 절단 이전에 이미 존재하는 연결층의 각각의 영역은 제 2 마운트의 부분과 고유하게 연관되고 상기 제 2 마운트의 부분과 기계적으로 체결된다. 다시 말해서, 제 2 마운트의 부분들의 기계적 결합해제는 또한 제 1 마운트 및 제 2 마운트 사이의 연결층으로 연장된다.
대안적으로, 제 1 마운트 및 제 2 마운트 사이의 연결층이 제 1 마운트와 대향하는 제 2 마운트의 하부 측 상의 전체 영역 위에서 구현되는 것이 가능하다. 이 경우, 제 2 마운트의 자신의 부분들로의 절단 동안에, 연결층도 또한 커팅된다. 그러나, 이 경우, 제 2 마운트를 절단한 후에 커팅 방법을 변경하는 것이 필요할 수 있다. 예를 들어, 일단 제 2 마운트가 절단되었으면, 세라믹 재료를 절단하기에 적당한 소우 블레이드(saw blade)를 특히, 금속 연결층을 절단하기에 적당한 소우 블레이드로 교체하는 것이 필요할 수 있다. 그 결과, 추가적인 처리 공학기술의 복잡성이 수반될 수 있다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 제 2 마운트의 제 1 마운트 상으로의 체결 이전에, 제 2 구조화된 금속층은 제 1 마운트와 대향하는 제 2 마운트의 그 표면에 적용되고, 상기 제 2 구조화된 금속층은 제작 공차들 내에서 제 1 구조화된 금속층과 일치한다. 제 2 구조화된 금속층은 특히, 제 2 마운트 및 연결층 사이의 연결을 생성하도록 작용한다. 제 2 구조화된 금속층이 제 2 마운트의 절단 동안에 그 부분들로 커팅되지 않지만, 제 1 구조화된 금속층 내의 트렌치들과 일치하는 제 2 구조화된 금속층 내의 트렌치들에 의하여 커팅이 발생하도록, 제 2 구조화된 금속층이 제 2 마운트에 적용된다.
제 1 및 제 2 구조화된 금속층들은 동일하게 설계될 수 있다. 다시 말해서, 2개의 금속층들은 동일한 재료들로 형성되고, 동일한 층 구조를 가지고, 동일한 패턴으로 제 2 마운트의 양 측들에 적용된다. 예를 들어, 이 금속층들은 제 2 마운트의 상부 측 및 하부 측 상에서의 스퍼터링(sputtering), 기상 증착(vapor deposition), 무전해 도금(electroless plating) 및/또는 갈바니 도금(galvanic plating)과 같은 코팅 방법들에 의해 적용된다. 예를 들어, 구조화된 금속층들은 금(gold), 구리(copper), 니켈(nickel) 및/또는 크롬(chromium)과 같은 금속들로 형성될 수 있다.
상기 방법의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 제 1 구조화된 금속층 내의 적어도 하나의 트렌치의 두께는 최대 150 ㎛이다. 다음으로, 절단에 의하여 제조되는 제 2 마운트의 부분들 사이의 거리는 그들 사이의 트렌치의 두께에 의해 결정되고, 즉, 그것은 최대 150 ㎛이다. 특히, 바람직하게는, 절단 동안에 구조화된 금속층을 손상시키지 않기 위하여, 재료 부식이 발생하는 절단을 위해 더 얇은 영역이 선택되므로, 부분들 사이의 거리는 이에 따라 더 작다.
또한, 조명 장치가 특정되어 있다. 조명 장치는 특히, 여기에서 설명된 방법으로 제조될 수 있다. 다시 말해서, 상기 방법에 대해 개시된 특징들 모두는 또한 조명 장치에 대해 개시되어 있고, 그 반대도 성립한다.
조명 장치의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 조명 장치는 제 1 마운트와, 제 1 마운트 상에 체결되는 제 2 마운트와, 제 1 마운트로부터 멀리 떨어진 제 2 마운트의 그 측 상에 체결되는 적어도 2개의 루미넨슨스 다이오드 칩들을 포함한다. 이 경우, 마운트들 및 루미넨슨스 다이오드 칩들은 특히 위에서 더욱 특정된 바와 같이 설계된다.
제 2 마운트는 적어도 2개의 부분들을 포함하고, 이 적어도 2개의 부분들은 제 2 마운트를 통해 부분적으로 또는 완전히 연장되는 적어도 하나의 분리 영역에 의해 서로 분리된다.
다시 말해서, 제 2 마운트의 2개의 부분들은 예를 들어, 제 2 마운트의 재료에 의해 서로 기계적으로 연결되는 것이 아니라, 제 2 마운트의 부분들 사이의 기계적 연결은 예를 들어, 제 1 마운트에 의해 단지 제조된다.
추가적으로, 위에서 더욱 설명된 바와 같이, 2개의 부분들이 희망하는 중단점에 의해 서로 분리되는 것이 가능하다. 조명 장치의 동작 동안에는, 이에 따라, 2개의 부분들의 완전한 분리가 생길 수 있고, 그 결과, 열 응력들이 감소된다.
이 경우, 제 2 마운트의 적어도 2개의 부분들은 서로로부터 최대 125 ㎛의 거리를 가진다. 다시 말해서, 마운트의 2개의 부분들은 특히 서로 밀집하도록 배열되고, 여기서 부분들은 사이의 거리는 너무 작아서, 제 2 마운트의 부분들이 제 1 마운트에 개별적으로 적용되는 결과로, 거의 실현될 수 없거나, 또는 매우 높은 등급의 조절 복잡성으로만 실현될 수 있다.
조명 장치의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 2개의 부분들이 상호 대향하는 측면들 상에서 분리 처리의 흔적들을 각각 가진다. 측면들은 각도를 이루어 뻗어 있거나 측방향에 수직으로 뻗어 있는 제 2 마운트의 부분들의 외부 면의 부분들이다. 상기 측면들은 상기 설명된 절단 방법에 의해 특히 제조되고, 예를 들어, 이 분리 처리로부터 소잉된 홈(sawn groove)들과 같은 오목부(recess)들을 가진다. 그러므로, 분리 처리의 흔적들은 특히, 재료 부식의 흔적들이고, 예를 들어, 파손된 에지(edge)들이 아니다.
조명 장치의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 제 2 마운트의 각각의 부분은 제 1 마운트로부터 멀리 떨어진 자신의 표면상에 제 1 구조화된 금속층의 영역을 가지고, 여기서 각각의 영역은 제 2 마운트의 부분과 고유하게 연관되고, 제 1 구조화된 금속층의 영역들 중의 적어도 2개는 연결 배선에 의해 서로 전기적으로 전도성이 되도록 연결된다. 다시 말해서, 구조화된 금속층이 제 2 마운트의 부분들 위에서 연장되는 것이 아니라, 제 2 마운트의 각각의 부분이 그것과 고유하게 연관되는 구조화된 금속층의 영역을 포함한다. 연결 배선과 같은 전기적 연결 엘리먼트에 의해, 구조화된 금속층의 적어도 2개의 영역들, 즉, 제 2 마운트의 상이한 부분들 상의 영역들을 연결하는 것에 의하여, 특히, 조명 장치의 루미넨슨스 다이오드들의 플렉시블 상호연결(flexible interconnection)이 발생할 수 있다.
조명 장치의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 제 1 구조화된 금속층의 영역에 의해 서로 직렬로 연결되는 2개의 루미넨슨스 다이오드 칩들은 제 1 구조화된 금속층의 영역들 중의 적어도 하나에 적용된다. 이 경우, 루미넨슨스 다이오드 칩들 중 제 1 루미넨슨스 다이오드 칩에는 예를 들어, 영역 상에 자신의 p 측이 적용되고, 루미넨슨스 다이오드 칩들 중의 또 다른 루미넨슨스 다이오드 칩에는 영역에 자신의 n 측이 적용된다. 그러므로, 이 경우에는, 제 2 마운트의 부분이 적어도 2개의 루미넨슨스 다이오드 칩들을 지지한다.
조명 장치의 적어도 하나의 실시예에 따르면, 제 2 마운트는 제 1 마운트의 에지에 및/또는 그 모서리에 배열되고, 여기서 제 2 마운트 상의 적소들에 배열되는 루미넨슨스 다이오드 칩들 모두를 전기적으로 연결하기 위한 전기적 연결 수단은 제 2 마운트와 연관되어 있는 제 1 마운트의 표면을 따라 그리고 그 표면상에 뻗어 있다.
이 경우, 제 2 마운트의 적어도 하나의 측면은 예를 들어, 제 1 마운트의 적어도 하나의 측면과 동일한 높이로 마감될 수 있다. 특히, 제 2 마운트는 이에 따라 제 1 마운트의 중앙 영역에 배열되는 것이 아니라 상기 제 1 마운트의 에지에 배열되고, 그 결과, 제 2 마운트와 대향하는 제 1 마운트의 표면의 비교적 큰 부분이 연결 수단을 지지하기 위한 기계적 엘리먼트로서 작용할 수 있고, 이 연결 수단을 통해, 조명 장치의 루미넨슨스 다이오드 칩들이 전기적으로 연결된다. 연결 수단은 예를 들어, 제 1 마운트의 언급된 표면상에 체결되는 플렉시블 인쇄 회로 기판 및/또는 인쇄 회로 기판이다.
또한, 조명 장치들의 어레인지먼트가 특정되어 있다. 조명 장치들의 어레인지먼트는 제 2 마운트가 제 1 마운트의 에지 또는 모서리에 배열되는, 여기에서 설명된 바와 같은 적어도 2개의 조명 장치들을 포함한다. 다음으로, 제 2 마운트들 상에 배열되는 루미넨슨스 다이오드 칩들이 공통의 발광 영역을 형성하도록, 조명 장치들의 제 2 마운트들은 서로에 대해 인접하게 배열된다. 특히, 루미넨슨스 다이오드 칩들이 상이한 제 1 및 제 2 마운트들과 연관되는 것은 인간 관찰자의 육안(naked eye)으로는 거의 인지가능하지 않다. 대신, 적어도 2개의 조명 장치들의 루미넨슨스 다이오드 칩들은 이에 따라 예를 들어, 행(row)들 및 열(column)들의 규칙적인 배열의 형태로 있는 것으로 보일 수 있다.
이것은 특히, 2개의 상이한 조명 장치들의 제 2 마운트들이 서로로부터 최대 125 ㎛의 거리를 가질 때에 그러하다. 다시 말해서, 조명 장치들의 어레인지먼트의 2개의 상이한 조명 장치들의 루미넨슨스 다이오드 칩들 사이의 거리는 이에 따라, 대략 또는 정확하게는, 에지 또는 모서리의 영역에서의 조명 장치들 중의 하나의 조명 장치 내의 루미넨슨스 다이오드 칩들 사이의 거리만큼 크다. 이러한 정확한 조절은 특히, 비교적 큰 부품들이 서로에 대해 조명 장치의 제 1 마운트들과 함께 위치되고, 상기 부품들이 절단에 의해 제조되는 제 2 마운트의 그러한 부분들보다 실질적으로 더 큰 측면 크기를 가진다는 사실에 의하여 가능하게 된다.
여기에서 설명된 방법 및 여기에서 설명된 조명 장치는 예시적인 실시예들 및 연관된 도면들을 이용하여 아래에서 더욱 상세하게 설명될 것이다. 도 1은 개략적인 사시도로 여기에서 설명된 조명 장치를 도시한다.
여기에서 설명된 조명 장치의 예시적인 실시예는 도 1의 개략적인 사시도를 이용하여 더욱 상세하게 설명된다.
여기에서 설명된 방법의 예시적인 실시예는 도 2a 내지 도 2f의 개략적인 도면들을 이용하여 더욱 상세하게 설명된다.
조명 장치들의 여기에서 설명된 어레인지먼트는 도 3의 개략적인 사시도를 이용하여 더욱 상세하게 설명된다.
동일하거나, 유사하거나 또는 기능적으로 동일한 엘리먼트들에는 도면들에서 동일한 참조 기호들이 제공되었다. 도면들에서 예시된 엘리먼트들의 서로에 대한 수치들 및 크기 비율들은 축척에 맞게 있는 것으로 고려되지 않아야 한다. 대신, 개별적인 엘리먼트들은 개선된 명료함 및/또는 개선된 가해성(comprehensibility)을 위하여 과도하게 큰 것으로 예시될 수 있다.
여기에서 설명된 조명 장치의 예시적인 실시예는 도 1의 개략적인 사시도를 이용하여 더욱 상세하게 설명된다.
여기에서 설명된 방법의 예시적인 실시예는 도 2a 내지 도 2f의 개략적인 도면들을 이용하여 더욱 상세하게 설명된다.
조명 장치들의 여기에서 설명된 어레인지먼트는 도 3의 개략적인 사시도를 이용하여 더욱 상세하게 설명된다.
동일하거나, 유사하거나 또는 기능적으로 동일한 엘리먼트들에는 도면들에서 동일한 참조 기호들이 제공되었다. 도면들에서 예시된 엘리먼트들의 서로에 대한 수치들 및 크기 비율들은 축척에 맞게 있는 것으로 고려되지 않아야 한다. 대신, 개별적인 엘리먼트들은 개선된 명료함 및/또는 개선된 가해성(comprehensibility)을 위하여 과도하게 큰 것으로 예시될 수 있다.
도 1은 여기에서 설명된 조명 장치를 개략적인 사시도로 도시한다.
조명 장치는 제 1 마운트(mount)(1)를 포함한다. 이 경우, 제 1 마운트(1)는 금속 마운트, 특히, 구리(copper)로 구성된 히트 싱크(heat sink)일 수 있다. 금속 마운트(1)는 개구부(opening)들(11)을 포함하고, 이 개구부들을 통해, 마운트(1)는 예를 들어, 다월 핀(dowel pin)들 및 나사(screw)들을 이용하여, 조명 장치를 위한 의도된 장소에 기계적으로 체결될 수 있다.
복수의 부분들(21 내지 28)로 절단되는 제 2 마운트(2)는 제 1 마운트(1)의 상부 측 상에 배열된다.
구조화된 연결층(6)은 제 1 마운트(1) 및 제 2 마운트(2) 사이에 배열되고, 구조화된 연결층(6)의 각각의 영역은 제 2 마운트(2)의 각각의 부분과 고유하게 연관된다.
이 경우, 9개의 루미넨슨스 다이오드 칩들은 제 2 마운트(2)의 부분들에 적용되고, 제 1 마운트로부터 멀리 떨어진 제 2 마운트(2)의 그 상부 측 상의 연결 배선들(8)에 의하여 서로 전기적으로 상호연결된다.
각각의 루미넨슨스 다이오드 칩(3)은 제 2 마운트(2)로부터 멀리 떨어진 자신의 상부 측 상에서, 전자기 복사(electromagnetic radiation)의 하향-변환(down-conversion)을 위해 설계되고 예를 들어, 백색 광(white light)을 생성하기 위해 이용되는 변환기(12)로 구성된 층을 포함한다.
이 경우, 제 2 마운트(2)는 전기적으로 절연성이고 세라믹(ceramic)인 것으로 설계된다. 제 2 마운트(2)는 예를 들어, AlN 또는 Al2O3로 구성된다.
제 2 마운트(2)의 부분들(21 내지 28)은 분리 영역들(51)에 의해 서로로부터 분리된다. 이 분리 영역들(51)은 제 2 마운트(2)의 재료가 없다. 서로 대향하는 제 2 마운트(2)의 그러한 부분들의 측면들(2a)(또한, 이와 관련하여 도 2e 참조)은 제 2 마운트의 부분들(21 내지 28)을 제조하기 위해 이용되는 절단 처리의 흔적들을 가진다.
이 경우, 제 2 마운트의 외부면 상의 제 2 마운트의 2개의 측면들이 제작 공차(manufacturing tolerance)들 내에서 제 1 마운트의 외부면 상의 2개의 측면들과 동일한 높이로 마감하는 방식으로, 제 2 마운트(2)가 제 1 마운트(1)의 모서리에 배열된다.
전기적 연결 수단(10), 이 경우, 예를 들어, 플렉스보드(flexboard)와 같은 플렉시블 인쇄 회로 기판이 그 상부에 도포되는 인쇄 회로 기판은 제 1 마운트(1)의 상부 측을 따라 뻗어있다. 조명 장치의 루미넨슨스 다이오드 칩들(3) 모두는 전기적 연결 수단(10)에 의하여 전기적으로 연결된다.
여기에서 설명된 조명 장치는 예를 들어, 적어도 30 V, 예를 들어, 35 V의 순방향 전압을 가진다. 추가적으로, 여기에서 설명된 조명 장치(100)는 예를 들어, 적어도 0.8 A, 예를 들어, 1 A의 순방향 전류를 가진다. 광속(luminous flux)은 3000 lm보다 클 수 있고, 특히, 3200 lm보다 클 수 있으며, 조도(illuminance)는 250 lm/mm2, 예를 들어, 290 lm/mm2보다 많을 수 있다. 이 경우, 동작 동안에 발생된 열은 조명 장치(100)에 대한 손상을 초래하는 열 교대 응력 없이 절단된 제 2 마운트 및 제 1 마운트의 조합에 의해 특히 효과적으로 발산될 수 있다.
도 2a 내지 도 2f의 개략도들은 조명 장치(100)를 제조하기 위한 여기에서 설명된 방법의 예시적인 실시예의 방법 단계들을 도시한다.
도 2a와 함께, 제 1 마운트(1)가 제공되는 방법 단계가 더욱 상세하게 설명된다. 구조화된 연결층(6)은 제 1 마운트(1)의 상부 측에 적용된다. 구조화된 연결층(6)은 제 1 마운트와 대향하는 제 2 마운트(2)의 하부 측 상의 제 2 구조화된 금속층(7)과 일치하는 상호 분리된 영역들에서 구조화된다(이와 관련하여 도 2b와 비교). 구조화된 금속층 및 구조화된 연결층이 동일하게 구조화된다는 사실에 의하여, 제 2 마운트(2)가 제 1 마운트(1)에 적용되고 구조화된 연결층(6)에 의하여 체결될 때, 제 1 마운트(1) 상에서의 제 2 마운트(2)의 자기-조절(self-adjustment)이 발생한다.
제 2 마운트(2)는 제 1 마운트(1)로부터 멀리 떨어진 자신의 상부 측 상에 제 1 구조화된 금속층(4)을 가지고, 제 1 구조화된 금속층(4)은 적소들에서 구조화된 연결층(6) 및 제 2 구조화된 금속층(7)과 일치한다. 특히, 제 1 구조화된 금속층(4)의 영역들 사이의 트렌치들(5)은 구조화된 연결층(6)의 영역들 사이 또는 제 2 구조화된 금속층(7)의 영역들 사이의 트렌치들(5)에 대응한다.
다시 말해서, 특히, 제 2 마운트(2)의 부분들(21 내지 28) 사이의 추후의 분리 영역들(51) 중의 영역에는, 트렌치들(5)이 구조화된 층들 모두에 위치된다.
도 2c에는, 제 2 마운트(2)의 길이 l, 폭 b에 대한 예시적인 값들이 제공된다. 추가적으로, 트렌치들(5)의 두께 및 제 2 마운트의 인접한 부분들 사이의 거리 A1에 대한 예시적인 값들이 특정되어 있다. 특히, 제 1 구조화된 금속층(4)의 인접한 영역들 사이의 트렌치(5)의 두께는 100 ㎛ 또는 그 미만일 수 있다. 트렌치(5)를 따라 뻗어 있는 분리 영역(51)은 그 다음 제 2 마운트(2)의 부분들(21 내지 28) 사이의 더 이후의 거리를 결정하며 트렌치들(5)의 두께 d보다 작은 두께 A1을 가진다.
도 2d는 제 2 마운트(2)의 영역들(21 내지 28)로의 절단 후의 설계를 예시한다. 다시 말해서, 두께 A1을 가지는 분리 영역들(51)은 제 1 구조화된 금속층(4)의 영역들 사이의 트렌치들(5)을 따라 제 2 마운트(2)의 부분들(21 내지 28) 사이에 배열된다. 제 2 마운트(2)의 절단은 이 경우에 위에서 설명된 바와 같이 발생할 수 있다.
이 경우, 제 2 마운트(2)의 부분들(21 내지 28)은 구조화된 연결층(6)에 의해, 즉, 특히, 납땜된 접합부(soldered joint)에 의해 제 1 마운트(1)에 연결된다. 그 결과, 특히 낮은 열 저항(thermal resistance)을 갖는 연결이 생성된다. 구리의 열 팽창 계수는 AlN의 열 팽창 계수보다 3배를 초과하여 더 크다. 열 팽창 계수들에 있어서 이러한 큰 차이는 서로 매우 밀집하도록 배열되는 상대적으로 작은 부분들(2)로의 제 2 마운트(2)의 절단에 의해 보상될 수 있다.
이후의 방법 단계, 도 2e에서는, 루미넨슨스 다이오드 칩들(3)이 제 1 마운트(1)로부터 멀리 떨어진 제 2 마운트(2)의 그 상부 측 상에 체결된다. 이 경우, 루미넨슨스 다이오드 칩들을 상호연결하는 것은 적당한 장착 및/또는 연결 배선들(8)에 의한 상호연결에 의해 수행될 수 있다. 이 경우, 루미넨슨스 다이오드 칩들(3)은 서로 직렬로 연결되고, 구조화된 금속층(4)의 자신의 고유하게 연관된 영역들을 갖는 부분들(26, 27 및 28)은 각각 2개의 루미넨슨스 다이오드 칩들을 직렬로 연결하고, 상기 루미넨슨스 다이오드 칩들은 상이한 방위(orientation)로 제 2 마운트(2) 상에서 각각 체결된다.
도 2f를 참조한 이후의 방법 단계에서는, 전기적 연결 수단(10)이 루미넨슨스 다이오드 칩들(3)에 전기적으로 전도가능하게 연결될 수 있다. 이것은 예를 들어, 전기적 연결 수단(10) 및 제 1 구조화된 금속층(4)에 연결되는 연결 배선들(8)을 통해 수행될 수 있다.
도 2f에 예시되는 바와 같이, 루미넨슨스 다이오드 칩들(3)은 루미넨슨스 다이오드 칩들(2)의 적용 이전 또는 이후에 제 2 마운트(2)에 적용될 수 있는 변환기(12)를 갖는 층을 각각 포함할 수 있다. 이에 따라, 루미넨슨스 다이오드 칩들(2)은 예를 들어, 백색 광을 생성하기에 적당하다.
도 3과 함께, 여기에서 설명된 조명 장치(100)의 어레인지먼트가 개략적인 사시도를 이용하여 더욱 상세하게 설명된다. 상기 어레인지먼트는 4개의 조명 장치들(100)을 포함하고, 각각의 경우에 있어서, 제 2 마운트(2)는 제 1 마운트(1)의 모서리에 배열된다. 4개의 조명 장치들(100)의 루미넨슨스 다이오드 칩들 모두의 공통의 발광(light-emitting) 영역(9)이 생성되고, 상기 공동의 발광 영역(9) 상에서, 루미넨슨스 다이오드 칩들(3)은 행(row)들 및 열(column)들로 배열되도록, 개별적인 조명 장치들(100)이 서로에 대해 조절된다. 이 경우, 상기 조절은 제 1 마운트(1) 내의 개구부들(11)에 의하여 수행될 수 있다.
도시된 기하구조에 부가하여, 따라서 루미넨슨스 다이오드 칩들의 긴 라인들은 예를 들어, 행(row)에서 서로에 대해 인접하게 배열될 수 있다. 이 경우, 조명 장치(100)의 루미넨슨스 다이오드 칩들(3)은 또 다른 조명 장치(100)의 루미넨슨스 다이오드 칩들(3)에 무관하게 동작될 수 있다.
다시 말해서, 여기에서 설명된 조명 장치는 또한 발광 영역(9)의 스케일링(scaling)을 특히 간단한 방식으로 가능하게 한다. 따라서, 예를 들어, 행에서 서로 인접하게 밀집되도록 배열된 개별적인 행의 루미넨슨스 다이오드 칩들을 포함하는 조명 장치(100)들의 선형 어레인지먼트가 특정될 수 있다.
이 경우, 여기에서 설명된 조명 장치(100) 및 여기에서 설명된 어레인지먼트(100)는 요약하면, 다음의 장점들 중의 적어도 하나를 특히 특징으로 할 수 있다:
1) 양호한 열 전도성. 접합부 표면들에서의 납땜(soldering) 또는 소결(sintering) 방법들의 이용에 의하여, 매우 양호한 열 전달이 달성된다. 양호한 열 전도성을 갖는 재료들의 이용에 의하여, 양호한 열 발산이 달성된다.
2) 무전위 히트 싱크(potential-free heat sink). 세라믹 마운트의 이용에 의하여, 히트 싱크는 전기적 전위가 없는 상태로 유지된다.
3) 세라믹 마운트의 금속-도금이 구조화될 수 있다. 따라서, 멀티-칩 모듈들을 설계할 때, 직렬 회로들, 병렬 회로들 또는 행렬 회로들이 구현될 수 있다.
4) 세라믹 마운트의 작은 아일랜드(island)들로의 분리에 의하여, 낮은 팽창 계수(반도체)로부터 높은 팽창 계수(금속)로의 전이가 작은 구조체들로 실현된다. 매칭되지 않는 팽창 계수들에 의해 야기되는 힘들은 처리되는 재료들에 대한 임계 부하 문턱값(critical loading threshold)들을 초과하지 않는다. 제 1 마운트 상에 장착된 후의 제 2 마운트의 작은 아일랜드들로의 분리에 의하여, 열 교대 응력에 관하여 매우 견고한 기판이 제조된다.
5) 비용. 본 발명에서 설명된 기판, 즉, 제 1 및 제 2 마운트들의 제안된 조합에 대하여, 비교적 염가로 상업적으로 입수가능한 재료들 및 처리들이 이용된다. 이것은 비교적 낮은 비용의 견고한 기판 재료를 초래한다.
본 발명은 이 예시적인 실시예들의 설명에 의해 예시적인 실시예들로 제한되지 않는다. 대신, 이 특징 또는 이 조합이 특허 청구항들 또는 예시적인 실시예들에서 그 자체가 명시적으로 특정되지 않더라도, 본 발명은 특허 청구항들에서 특징들의 임의의 조합을 특히 포함하는 임의의 신규의 특징 및 특징들의 임의의 조합을 포함한다.
Claims (15)
- 조명 장치를 제조하기 위한 방법으로서,
- 제 1 마운트(1)를 제공하는 단계,
- 제 2 마운트(2)를 상기 제 1 마운트(1)에 체결하는(fastening) 단계,
- 상기 제 2 마운트(2)를 상기 제 1 마운트(1)에 체결한 후에 상기 제 2 마운트(2)를 적어도 2개의 부분들(21, ..., 28)로 적어도 부분적으로 절단하는 단계, 및
- 적어도 2개의 루미넨슨스 다이오드 칩들(3)을 상기 제 1 마운트(1)로부터 멀리 떨어져 있는 상기 제 2 마운트(2)의 그 측에 체결하는 단계
를 포함하는,
조명 장치를 제조하기 위한 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 루미넨슨스 다이오드 칩들(3)의 적어도 2개는 상기 제 2 마운트(2)의 상이한 부분들(21, ..., 28) 상에 피팅되는,
조명 장치를 제조하기 위한 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 마운트(1)는 전기적으로 전도성이 되도록 설계되고, 상기 제 2 마운트(2)는 전기적으로 절연성이 되도록 설계되는,
조명 장치를 제조하기 위한 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 마운트(1)는 금속성(metallic)이고 상기 제 2 마운트(2)는 세라믹(ceramic)인,
조명 장치를 제조하기 위한 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 마운트(2)의 절단 이전에, 제 1 구조화된 금속층(4)이 상기 제 1 마운트(1)로부터 멀리 떨어진 상기 제 2 마운트(2)의 그 표면에 적용되고, 상기 제 1 구조화된 금속층(4)의 영역들은 적어도 하나의 트렌치(trench)(5)에 의해 서로 분리되고, 상기 적어도 하나의 트렌치를 따라, 상기 제 2 마운트(2)의 적어도 2개의 부분들(21, ..., 28)로의 절단이 발생하는,
조명 장치를 제조하기 위한 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 마운트(2)의 상기 제 1 마운트(1)로의 체결 이전에, 구조화된 연결층(6)이 상기 제 1 마운트(1) 및 상기 제 2 마운트(2) 사이에 배열되고, 상기 연결층은 제작 공차들 내에서 제 1 구조화된 금속층(4)과 일치하는,
조명 장치를 제조하기 위한 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 마운트(2)의 상기 제 1 마운트(1) 상으로의 체결 이전에, 제 2 구조화된 금속층(7)이 상기 제 1 마운트(1)와 대향하는 상기 제 2 마운트(2)의 그 표면에 적용되고, 상기 제 2 구조화된 금속층은 제작 공차들 내에서 상기 제 1 구조화된 금속층(4)과 일치하는,
조명 장치를 제조하기 위한 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 트렌치의 두께(d)는 최대 150 ㎛인,
조명 장치를 제조하기 위한 방법. - 조명 장치로서,
- 제 1 마운트(1),
- 상기 제 1 마운트 상에 체결되는 제 2 마운트(2),
- 상기 제 1 마운트(1)로부터 멀리 떨어진 상기 제 2 마운트(2)의 그 측 상에 체결되는 적어도 2개의 루미넨슨스 다이오드 칩들(3)
을 포함하고,
- 상기 제 2 마운트(2)는 상기 제 2 마운트(2)를 통해 부분적으로 또는 완전히 연장되는 적어도 하나의 분리 영역(51)에 의해 서로 분리되는 적어도 2개의 부분들(21, ..., 28)을 포함하고,
- 상기 제 2 마운트(2)의 상기 적어도 2개의 부분들(21, ..., 28)은 서로로부터 최대 125 ㎛의 거리(A1)를 가지는,
조명 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 2개의 부분들(21, ..., 28)은 서로 대향하는 측면들(2a) 상에 분리 처리의 흔적들을 각각 가지는,
조명 장치. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 2 마운트(2)의 각각의 부분(21, ..., 28)은 상기 제 1 마운트(1)로부터 멀리 떨어진 자신의 표면상에 제 1 구조화된 금속층(4)의 영역을 가지고, 여기서 각각의 영역은 상기 제 2 마운트(2)의 부분(21, ..., 28)과 고유하게 연관되고, 상기 제 1 구조화된 금속층(4)의 영역들 중의 적어도 2개는 연결 배선(8)에 의해 서로 전기적으로 전도성이 있도록 연결되는,
조명 장치. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 2 마운트(2)의 각각의 부분(21, ..., 28)은 상기 제 1 마운트(1)로부터 멀리 떨어진 자신의 표면상에 제 1 구조화된 금속층(4)의 영역을 가지고, 여기서 각각의 영역은 상기 제 2 마운트(2)의 부분(21, ..., 28)과 고유하게 연관되고, 2개의 루미넨슨스 다이오드 칩들(3)은 상기 제 1 구조화된 금속층(4)의 영역들 중의 적어도 하나에 적용되고, 상기 루미넨슨스 다이오드 칩들은 상기 영역에 의해 직렬로 연결되는,
조명 장치. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 2 마운트(2)는 상기 제 1 마운트(1)의 에지(edge) 및/또는 모서리에 배열되고, 여기서 적소들에서 상기 제 2 마운트(2) 상에 배열되는 상기 루미넨슨스 다이오드 칩들(3)의 모두를 전기적으로 연결하기 위한 전기적 연결 수단(10)이 상기 제 2 마운트(2)와 연관되는 상기 제 1 마운트(1)의 그 표면을 따라 그리고 상기 그 표면상에 뻗어 있는,
조명 장치. - - 제 9 항 또는 제 10 항에 따른 적어도 2개의 조명 장치들(100)을 포함하는 조명 장치의 어레인지먼트로서,
- 제 2 마운트들(2) 상에 배열되는 루미넨슨스 다이오드 칩들(12)이 공통의 발광 영역(9)을 형성하도록, 상기 조명 장치들의 제 2 마운트들(2)은 서로 인접하게 배열되는,
조명 장치의 어레인지먼트. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
2개의 상이한 조명 장치들(100)의 제 2 마운트들(2)은 서로로부터 최대 125 ㎛의 거리(A2)를 가지는,
조명 장치의 어레인지먼트.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011077614.1 | 2011-06-16 | ||
| DE102011077614.1A DE102011077614B4 (de) | 2011-06-16 | 2011-06-16 | Verfahren zur Herstellung einer Leuchtvorrichtung und Leuchtvorrichtung |
| PCT/EP2012/061066 WO2013004455A1 (de) | 2011-06-16 | 2012-06-12 | Verfahren zur herstellung einer leuchtvorrichtung und leuchtvorrichtung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140036194A true KR20140036194A (ko) | 2014-03-25 |
| KR101867499B1 KR101867499B1 (ko) | 2018-06-15 |
Family
ID=46581908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020137030920A KR101867499B1 (ko) | 2011-06-16 | 2012-06-12 | 조명 장치를 제조하기 위한 방법 및 조명 장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9488344B2 (ko) |
| JP (1) | JP5901752B2 (ko) |
| KR (1) | KR101867499B1 (ko) |
| CN (1) | CN103608941B (ko) |
| DE (1) | DE102011077614B4 (ko) |
| WO (1) | WO2013004455A1 (ko) |
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2012
- 2012-06-12 KR KR1020137030920A patent/KR101867499B1/ko active IP Right Grant
- 2012-06-12 JP JP2014515153A patent/JP5901752B2/ja active Active
- 2012-06-12 WO PCT/EP2012/061066 patent/WO2013004455A1/de active Application Filing
- 2012-06-12 CN CN201280027077.7A patent/CN103608941B/zh active Active
- 2012-06-12 US US14/125,356 patent/US9488344B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2013004455A1 (de) | 2013-01-10 |
| US9488344B2 (en) | 2016-11-08 |
| CN103608941B (zh) | 2016-08-31 |
| US20150036343A1 (en) | 2015-02-05 |
| JP2014517542A (ja) | 2014-07-17 |
| CN103608941A (zh) | 2014-02-26 |
| KR101867499B1 (ko) | 2018-06-15 |
| JP5901752B2 (ja) | 2016-04-13 |
| DE102011077614B4 (de) | 2023-08-17 |
| DE102011077614A1 (de) | 2012-12-20 |
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