JP4573867B2 - 半導体装置 - Google Patents
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図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置であるLED/駆動IC複合チップの一部を概略的に示す斜視図である。また、図2は、第1の実施形態に係るLED/駆動IC複合チップの一部を概略的に示す平面図であり、図3は、図2をS3−S3線で切る面を概略的に示す断面図である。また、図4は、第1の実施形態に係るLED/駆動IC複合チップの回路図である。
図10は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置であるLED/駆動IC複合チップの一部を概略的に示す斜視図であり、図11は、LED/駆動IC複合チップの一部を概略的に示す平面図である。また、図12は、図11をS12−S12線で切る面を概略的に示す断面図である。
図13は、本発明の第3の実施形態に係るLED/駆動IC複合チップの一部を概略的に示す斜視図であり、図14は、第3の実施形態に係るLED/駆動IC複合チップの一部を概略的に示す平面図である。また、図15及び図16は、第3の実施形態に係るLED/駆動IC複合チップの製造プロセスを概略的に示す斜視図である。
図17は、本発明に係る半導体装置を組み込んだLEDプリントヘッド700を概略的に示す断面図である。図17に示されるように、LEDプリントヘッド700は、ベース部材701と、ベース部材701に固定されたLEDユニット702と、柱状の光学素子を多数配列したロッドレンズアレイ703と、ロッドレンズアレイ703を保持するホルダ704と、これらの構成701〜704を固定するクランプ705とを有する。LEDユニット702には、上記実施形態の半導体装置であるLED/駆動ICチップ又はLEDアレイチップが搭載されている。LEDユニット702で発生した光はロッドレンズアレイ703を通して照射される。LEDプリントヘッド700は、電子写真プリンタや電子写真コピー装置等の露光装置として用いられる。
なお、上記実施形態においては、Si基板上にメタル層103を形成した場合を説明したが、メタル層103に代えてポリシリコンや、ITO、ZnO等の導電性酸化物等の金属以外の導電性薄膜層を用いてもよい。
101 Si基板、
102 集積回路、
103,153 メタル層、
104,204 エピタキシャルフィルム(LEDエピフィルム)、
104a エピタキシャル層、
105 LED(発光部)、
106 個別配線層、
107 集積回路の個別電極領域、
108 集積回路の共通電極領域、
109 駆動IC、
111 GaAsコンタクト層(n型GaAs層)、
112 AlGaAs下クラッド層(n型AlxGa1−xAs層)、
113 AlGaAs活性層(n型AlyGa1−yAs層)、
114 AlGaAs上クラッド層(n型AlzGa1−zAs層)、
115 GaAsコンタクト層、
115a GaAsコンタクト層(GaAs層に形成されたZn拡散領域)、
116 Zn拡散領域、
117 層間絶縁膜、
120 LEDエピフィルム形成用基板、
121 GaAs基板、
122 GaAsバッファ層、
123 (AlGa)InPエッチングストップ層、
124 AlAs剥離層、
131 共通配線、
132 信号配線、
153a メタル層の延長部、
211 GaAs層、
212 p型AlxGa1−xAs層、
213 p型AlyGa1−yAs層、
214 n型AlzGa1−zAs層、
215 n型GaAs層、
303 メタル層、
303a メタル層の端部、
314 分離前のLEDエピフィルム、
700 LEDプリントヘッド、
702 LEDユニット、
703 ロッドレンズアレイ。
Claims (1)
- 集積回路が形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、前記集積回路により独立に電位を制御可能なm個(mは2以上の整数)の導通層と、
m個の前記導通層の各々に貼り付けられ、前記導通層に面する側が共通接続された前記導通層当たりn個(nは2以上の整数)のLED素子が略直線状に配列された厚さが10μm以下のLEDアレイフィルムと、
前記導通層と前記集積回路とを接続する共通配線と、
一の前記導通層に貼り付けられた前記LEDアレイフィルムに含まれるn個のLED素子の各々から、前記LED素子の配列方向と略直交する方向に、前記LEDアレイフィルムの上面の一部と密着するとともに側面の段差に沿って前記集積回路まで延在させて引き出された個別配線層と
を備え、
前記LEDアレイフィルムは、前記半導体基板とは異なる成長基板表面にエピタキシャル成長されたLEDエピタキシャル層を前記成長基板から剥離されて、該剥離されたLEDエピタキシャル層を前記導通層上に直接貼り付けて形成されたものであり、
前記LEDアレイフィルムは、前記LED素子の配列方向の前記LEDアレイフィルムの端部が、当該LEDアレイフィルムと対応する前記導通層の端部と整列されるとともに、前記個別配線層の引き出し方向の前記LEDアレイフィルムの端部が、前記個別配線層の引き出し方向の前記導通層の端部よりも前記導通層の内側になるように、前記LEDアレイフィルムの前記引き出し方向の長さを前記導通層の前記引き出し方向の長さより短く形成され、
前記個別配線層は、前記LEDアレイフィルムの前記導通層とは反対側の前記LED素子に接続された
ことを特徴とする半導体装置。
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