JP6677816B2 - 発光素子搭載用基板、発光装置および発光モジュール - Google Patents

発光素子搭載用基板、発光装置および発光モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP6677816B2
JP6677816B2 JP2018547713A JP2018547713A JP6677816B2 JP 6677816 B2 JP6677816 B2 JP 6677816B2 JP 2018547713 A JP2018547713 A JP 2018547713A JP 2018547713 A JP2018547713 A JP 2018547713A JP 6677816 B2 JP6677816 B2 JP 6677816B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
metal plate
emitting element
mounting substrate
element mounting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018547713A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2018079595A1 (ja
Inventor
将 山▲崎▼
将 山▲崎▼
光治 坂井
光治 坂井
なつ美 越智
なつ美 越智
幸雄 森田
幸雄 森田
利弘 橋本
利弘 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of JPWO2018079595A1 publication Critical patent/JPWO2018079595A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6677816B2 publication Critical patent/JP6677816B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50Cooling arrangements
    • F21V29/502Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components
    • F21V29/503Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components of light sources
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50Cooling arrangements
    • F21V29/70Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/74Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
    • F21V29/76Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical parallel planar fins or blades, e.g. with comb-like cross-section
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/85Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems characterised by the material
    • F21V29/89Metals
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28FDETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F9/00Casings; Header boxes; Auxiliary supports for elements; Auxiliary members within casings
    • F28F9/26Arrangements for connecting different sections of heat-exchange elements, e.g. of radiators
    • F28F9/262Arrangements for connecting different sections of heat-exchange elements, e.g. of radiators for radiators
    • F28F9/266Arrangements for connecting different sections of heat-exchange elements, e.g. of radiators for radiators by screw-type connections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/05Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/053Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10106Light emitting diode [LED]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10409Screws

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Description

本発明は、発光素子搭載用基板、発光装置および発光モジュールに関する。
近年、従来の光源に比べて消費電力が小さく視認性に優れるLED(Light Emitting Diode)などの発光素子が、各種の発光装置(たとえば、自動車のヘッドランプ)の光源として採用されている。
LED素子の場合は、温度が上昇すると発光量が低下するという特性があるので、放熱対策を施して温度上昇を抑える必要がある。これに対し、一般には、ヒートシンク(「放熱部材」とも称する。)上にLED素子を搭載する基板を固定し、LED素子で発生した熱をヒートシンクに逃がすという対策が講じられている。ただし、上記ヒートシンクのみでは十分な放熱効果が得られず、例えば特許文献1に記載されているように、基板−ヒートシンク間にグリス層(「グリース層」とも称する。)を設けることによって、放熱効果を改善する技術が開示されている。そして、より放熱効果の高い発光素子搭載用基板、発光装置および発光モジュールが求められている。
特開2014−120502号公報
本開示の発光素子搭載基板は、金属板と、絶縁層と、1以上の発光素子が搭載される電極層とが、この順に積層されて成る発光素子搭載用基板であって、
前記金属板は、前記絶縁層に接する面と対向する面に開口する非貫通のねじ孔が設けられ
前記金属板におけるねじ孔の最深部に、当該金属板の硬度より低い硬度、または当該金属板の熱伝導率と同等以上の熱伝導率、を有する接合金属が配設される。
また、本開示の発光素子搭載基板は、金属板と、絶縁層と、1以上の発光素子が搭載される電極層とが、この順に積層されて成る発光素子搭載用基板であって、
前記金属板は、前記絶縁層に接する面と対向する面に開口する非貫通のねじ孔が設けられ、
前記金属板におけるねじ孔の最深部に、当該金属板の硬度より低い硬度であり、かつ当該金属板の熱伝導率と同等以上の熱伝導率を有する接合金属が配設される。
また、本開示の発光装置は、上記の発光素子搭載用基板と、1以上の発光素子と、を備える。
さらに、本開示の発光モジュールは、上記の発光装置と、前記ねじ孔に対応する位置に貫通孔を有するヒートシンクと、前記ねじ孔に螺合し、前記ヒートシンクと前記金属板とを締結するボルト、または該締結する全ねじおよびナットと、を備え、前記ボルト、または前記全ねじおよびナットの熱伝導率は、前記金属板の熱伝導率と同等以上である。
本開示の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
第1実施形態に係る発光モジュールの一例を模式的に示した概観図である。 第1実施形態に係る発光素子搭載用基板の一例を模式的に示した平面図である。 図2Aの発光素子搭載用基板を切断面線A−A’で切断した場合の断面図である。 第1実施形態に係る発光モジュールの一例を模式的に示した平面図である。 図3Aの発光モジュールを切断面線B−B’で切断した場合の断面図である。 第2実施形態に係る発光モジュールの一例を模式的に示した平面図である。 図4Aの発光モジュールを切断面線C−C’で切断した場合の断面図である。 第3実施形態に係る発光モジュールの一例を模式的に示した平面図である。 図5Aの発光モジュールを切断面線D−D’で切断した場合の断面図である。 第4実施形態に係る発光モジュールの一例を模式的に示した平面図である。 図6Aの発光モジュールを切断面線E−E’で切断した場合の断面図である。 第5実施形態に係る発光モジュールの一例を模式的に示した平面図である。
以下では、本実施形態である発光素子搭載用基板、発光装置および発光モジュールについて、添付の図面を参照しながら説明する。以下の説明において、上または上位などのように上下を区別して記載しているが、これは便宜的なものであり、実際に発光モジュールなどを使用する際の上下を限定するものではない。
(第1実施形態)
図1は、本実施形態に係る発光モジュールの一例を模式的に示した外観図である。図1に示す発光モジュール1は、たとえば自動車のヘッドライトに採用される部材であり、放熱用のヒートシンク40の上に、LEDなどの発光素子20を搭載した発光装置30が配設され、ヒートシンク40と発光装置30とをボルト(図示せず)などによって固定している。ここで、ヒートシンク40は一般的なヒートシンクであり、その材質は、たとえばアルミニウムである。また、発光装置30の形状は平板状であり、そのサイズは、たとえば、縦2mm×横5mmまたは縦30mm×横40mmであり、その厚さは4〜6mm程度である。
なお、図1においては、発光素子を4個搭載した発光モジュールの例を示しているが、本実施形態では、4個に限らず、1個以上の発光素子を搭載するものとする。また、図1では、発光モジュール1における電源および配線などの図示は省略している。
図2Aは、本実施形態に係る発光素子搭載用基板の一例を模式的に示した平面図であり、図2Bは、上記図2Aの発光素子搭載用基板を切断面線A−A’で切断した場合の断面図である。図2Bに示すように、発光素子搭載用基板10は、金属板13の上位に絶縁層12を有し、絶縁層12の上位に電極層11を有する積層構造を成している。なお、金属板13の下位に裏面絶縁層14を有していてもよい。
金属板13は、たとえば、厚さが3mm以上5mm以下の銅板であり、後述するボルト(または全ねじ)と螺合するめねじ(たとえば、φ=3mm)が切られたねじ孔13aが設けられている。
絶縁層12は、たとえば厚さが0.1mmの窒化珪素(Si)、または厚さが0.3mmの窒化アルミニウム(AlN)で構成されている。なお、絶縁層12の材質としては、窒化アルミニウムであってもよい。なお、当該基板10の反りを防止するために、裏面絶縁層14を設けてもよい。この場合、裏面絶縁層14の材質および厚さは、上記絶縁層12と同一であってもよい。
電極層11は、正極11aまたは負極11bを有しており、たとえば厚さが1μm〜100μmの銅または金で構成されるパターンが配設されている。電極層11の上には、発光素子が搭載される。
上記の発光素子搭載用基板10によれば、発光素子で生じた熱を、金属板13のねじ孔13aに螺合するボルトなどを介して、より確実に外部に伝達させることが可能となる。
図3Aは、本実施形態に係る発光モジュールの一例を模式的に表した平面図であり、図3Bは、上記図3Aの発光モジュールを切断面線B−B’で切断した場合の断面図である。図3Bに示すように、発光モジュール1は、上記の発光素子搭載用基板10の上位に発光素子20a〜20dが搭載されており、発光素子搭載用基板10(より具体的には、金属板13)とヒートシンク40とが、ボルト50で締結されている。なお、発光素子搭載用基板10とヒートシンク40との間にグリス層60を有していてもよい。
ここで、金属板13とヒートシンク40を締結する部材は、ボルトに限らず、ボルトと同様の機能を発揮する「全ねじおよびナット」であってもよい。
図3Aに示すように、平面透視した場合は、電極層11における、複数の発光素子20a〜20dが搭載される領域の中心と、ボルト50の中心とが一致するように配設することで、放熱性の点で偏りのない、より高い放熱効果を有する発光モジュールを実現することが可能となる。
また、図3Bの矢印で示されるように、発光素子20a〜20dで生じた熱は、電極層11、絶縁層12および金属板13を介し、さらにボルト50を経てヒートシンク40に伝導する。ここで、金属板13の熱伝導率と、ボルト50(または全ねじおよびナット)の熱伝導率とが等しいか、金属板13の熱伝導率よりボルト50の熱伝導率が大きい場合は、高い放熱効果を発揮する。上記の例としては、たとえば、金属板13とボルト50(または全ねじおよびナット)の材質を、いずれも銅としてもよい。
ここで、図2Bに示されるねじ孔13aの深さbと、金属板13の厚さaとは、
0.3a≦b≦0.9a ・・・ (1)
の関係を有していてもよい。さらに、
0.5a≦b≦0.9a ・・・ (2)
の関係を有していてもよい。上記の関係は、放熱効率と金属板の強度(最終的には発光素子搭載用基板の強度)との兼ね合いに基づいて決定してもよい。
上記のように発光モジュールを構成することで、発光素子で生じた熱を、金属板およびボルトを介して、より確実にヒートシンクに伝達させることが可能となる。
(第2実施形態)
上記第1実施形態に係る発光モジュール1においては、金属板13のねじ孔13aに螺合させたボルト50の先端と、これに対向するねじ孔13aの最深部(以下「ねじ孔の最深部」と称する。)13bとの間には、空気層の間隙(以下「間隙」と称する。)15が形成されてしまうので、この部分で放熱効果が低下する。このため、第2実施形態では、上記の間隙15における放熱効果の低下を抑制するため、間隙15に接合金属を配設することとした。
図4Aは、第2実施形態に係る発光モジュールを模式的に示した平面図であり、図4Bは、上記図4Aの発光モジュールを切断面線C−C’で切断した場合の断面図である。
図4Bに示すように、金属板13の最深部13bとボルト50の先端50aとによって形成される間隙15には、接合金属70aが設けられている。
接合金属70aは、(イ)金属板13の硬度より低い硬度を有するか、または(ロ)金属板13の熱伝導率と同等以上の熱伝導率を有していてもよい。さらに、(ハ)金属板13の硬度より低い硬度であり、かつ金属板13の熱伝導率と同等以上の熱伝導率を有する接合金属を配設することとしてもよい。
具体的には、たとえば、表1の数値に従い、金属板13の材質を銅にした場合は、上記(イ)の例としては、接合金属70aの材質を、銀、金、アルミニウムおよびはんだなどとしてもよい。また、上記(ロ)の例としては、接合金属70aの材質を、銀などとしてもよい。さらに、上記(ハ)の例としては、接合金属70aの材質を、銀などとしてもよい。したがって、金属板13の材質を銅にした場合は、接合金属70aの材質を、銀としてもよい。
このように、間隙15に接合金属70aを配設することによって間隙15における放熱効果の低下が抑制されるので、発光素子20a〜20dで生じた熱を、金属板13を介して確実にボルト50などに伝達させることが可能となる。
(第3実施形態)
本実施形態においては、上記の第2実施形態と同様の目的を達成しつつ、第2実施形態とは異なる形態で接合金属を配設した実施例を示す。図5Aは、本実施形態に係る発光モジュールを模式的に示した平面図であり、図5Bは、上記図5Aの発光モジュールを切断面線D−D’で切断した場合の断面図である。
図5Bに示すように、金属板13におけるねじ孔13aの内面には、ボルト50のおねじを取り囲むように接合金属70bが配設されている。このように、金属板13のねじ孔13aの内面全体を覆うように接合金属70bを配設し、金属板13のねじ孔13aとボルト50のおねじとによって生じる間隙15に接合金属70bを充填することによって、発光素子20a〜20dで生じた熱を、金属板13を介して確実にボルト50に伝達させることが可能となる。なお、本実施形態における接合金属70bの材質は、上記第2実施形態における接合金属70aの材質と同一の考え方で決定してもよい。
(第4実施形態)
本実施形態においては、上記の第2実施形態における接合金属に比べて、より放熱効果が高くなるように接合金属を配設した実施例を示す。図6Aは、第4実施形態に係る発光モジュールを模式的に示した平面図であり、図6Bは、上記図6Aの発光モジュールを切断面線E−E’で切断した場合の断面図である。
図6Bに示すように、金属板13の最深部13bよりもさらに奥部に小孔13cを設け、この小孔13cに接合金属70cを充填することによって、金属板13と接合金属とが接する表面積が増大したので、発光素子20a〜20dで生じた熱を、金属板13を介して、より確実にボルト50に伝達させることが可能となる。なお、本実施形態における接合金属70cの材質は、上記第2実施形態における接合金属70aの材質と同一の考え方で決定してもよい。
(第5実施形態)
図7は、本実施形態に係る発光素子の搭載態様を模式的に示した平面図である。図7に示すように、複数の発光素子20a〜20dを、正極11cおよび負極11dを有する電極層11の上に格子状に配置してもよい。そして、本実施形態においても、平面透視した場合に、電極層11における、複数の発光素子20a〜20dが搭載される領域の中心と、ボルト50の中心とが一致するように配設することで、偏りのない、より高い放熱効果を有する発光モジュールを実現することが可能となる。
本開示は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本開示の範囲は請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、請求の範囲に属する変形や変更は全て本開示の範囲内のものである。
1,1a,1b,1c,1d 発光モジュール
10 発光素子搭載用基板
11 電極層
11a,11c 正極
11b,11d 負極
12 絶縁層
13 金属板
13a ねじ孔
13b 最深部
13c 小孔
14 裏面絶縁層
15 間隙
20 発光素子
20a,20b,20c,20d 発光素子
30 発光装置
40 ヒートシンク
50 ボルト
50a ボルト50の先端
60 グリス層
70a,70b,70c 接合金属

Claims (12)

  1. 金属板と、絶縁層と、1以上の発光素子が搭載される電極層とが、この順に積層されて成る発光素子搭載用基板であって、
    前記金属板は、前記絶縁層に接する面と対向する面に開口する非貫通のねじ孔が設けられ
    前記金属板におけるねじ孔の最深部に、当該金属板の硬度より低い硬度、または当該金属板の熱伝導率と同等以上の熱伝導率、を有する接合金属を配設したことを特徴とする発光素子搭載用基板。
  2. 金属板と、絶縁層と、1以上の発光素子が搭載される電極層とが、この順に積層されて成る発光素子搭載用基板であって、
    前記金属板は、前記絶縁層に接する面と対向する面に開口する非貫通のねじ孔が設けられ、
    前記金属板におけるねじ孔の最深部に、当該金属板の硬度より低い硬度であり、かつ当該金属板の熱伝導率と同等以上の熱伝導率を有する接合金属を配設したことを特徴とする発光素子搭載用基板。
  3. 平面透視した場合に、前記電極層における発光素子が搭載される領域と、前記金属板におけるねじ孔とは、少なくとも一部が重なっていることを特徴とする請求項1または2に記載の発光素子搭載用基板。
  4. 平面透視した場合に、前記電極層における発光素子が搭載される領域の中心と、前記金属板におけるねじ孔の中心とは、一致することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板。
  5. 前記接合金属の材質は、はんだ、金、銀またはアルミ二ウムであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板。
  6. 前記接合金属は、前記ねじ孔の内面全体に亘って配設されていることを特徴とする請求項に記載の発光素子搭載用基板。
  7. 前記金属板は、前記最深部よりさらに奥部に小孔が設けられており、該小孔は前記接合金属で充填されていることを特徴とする請求項に記載の発光素子搭載用基板。
  8. 前記ねじ孔の深さは、前記金属板の厚さの50%以上90%以下であることを特徴とする請求項1〜のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板。
  9. 請求項1〜のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板と、
    1以上の発光素子と、を備えることを特徴とする発光装置。
  10. 請求項に記載の発光装置と、
    前記ねじ孔に対応する位置に貫通孔を有するヒートシンクと、
    前記ねじ孔に累合し、前記ヒートシンクと前記金属板とを締結するボルト、または該締結する全ねじおよびナットと、を備え、
    前記ボルト、または前記全ねじおよびナットの熱伝導率は、前記金属板の熱伝導率と同等以上であることを特徴とする発光モジュール。
  11. 前記金属板と前記ヒートシンクとの間の裏面絶縁層であって、前記ねじ孔に対応する位置に貫通孔を有する裏面絶縁層を備えたことを特徴とする請求項10に記載の発光モジュール。
  12. 前記金属板、ならびに前記ボルト、または前記全ねじおよびナットの材質は銅であり、
    前記接合金属の材質は銀であり、
    前記裏面絶縁層の材質は、SiまたはAlNであることを特徴とする請求項11に記載の発光モジュール。
JP2018547713A 2016-10-25 2017-10-25 発光素子搭載用基板、発光装置および発光モジュール Active JP6677816B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016209100 2016-10-25
JP2016209100 2016-10-25
PCT/JP2017/038498 WO2018079595A1 (ja) 2016-10-25 2017-10-25 発光素子搭載用基板、発光装置および発光モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018079595A1 JPWO2018079595A1 (ja) 2019-07-18
JP6677816B2 true JP6677816B2 (ja) 2020-04-08

Family

ID=62025058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018547713A Active JP6677816B2 (ja) 2016-10-25 2017-10-25 発光素子搭載用基板、発光装置および発光モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10985305B2 (ja)
EP (1) EP3534060B1 (ja)
JP (1) JP6677816B2 (ja)
CN (1) CN109863611B (ja)
WO (1) WO2018079595A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6484982B2 (ja) * 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10986722B1 (en) * 2019-11-15 2021-04-20 Goodrich Corporation High performance heat sink for double sided printed circuit boards
KR102483766B1 (ko) * 2022-02-18 2023-01-03 주식회사 비와이티이씨 방열성능이 우수한 led 조명기구

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100991827B1 (ko) * 2001-12-29 2010-11-10 항조우 후양 신잉 띠앤즈 리미티드 Led 및 led램프
TWM271255U (en) * 2004-10-08 2005-07-21 Bright Led Electronics Corp High-power surface-mounted light-emitting diode with high heat dissipation property
JP4711715B2 (ja) * 2005-03-30 2011-06-29 株式会社東芝 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
JP5303443B2 (ja) * 2009-12-07 2013-10-02 新電元工業株式会社 基板の積層固定構造、及び、基板の積層固定方法
JP5457851B2 (ja) * 2010-01-19 2014-04-02 パナソニック株式会社 照明器具
JP2011166001A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Oki Data Corp 半導体装置
US9583690B2 (en) * 2010-04-07 2017-02-28 Shenzhen Qin Bo Core Technology Development Co., Ltd. LED lampwick, LED chip, and method for manufacturing LED chip
KR101077378B1 (ko) * 2010-06-23 2011-10-26 삼성전기주식회사 방열기판 및 그 제조방법
TWI446602B (zh) * 2011-06-13 2014-07-21 Subtron Technology Co Ltd 封裝載板及封裝結構
JP5985846B2 (ja) * 2011-06-29 2016-09-06 Flexceed株式会社 発光素子搭載用基板及びledパッケージ
KR101262917B1 (ko) * 2011-09-09 2013-05-09 (주)포인트엔지니어링 기판 일체형 방열 구조를 갖는 광소자 어레이 기판 및 그 제조 방법
JP5848976B2 (ja) * 2012-01-25 2016-01-27 新光電気工業株式会社 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法
JP2014075429A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Sharp Corp 発光装置および発光装置へのヒートシンク取付方法
US20150276198A1 (en) * 2012-10-19 2015-10-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus and structure for attaching light-emitting apparatus to heat sink
JP6057161B2 (ja) * 2012-12-13 2017-01-11 東芝ライテック株式会社 発光装置
JP6026315B2 (ja) * 2013-02-20 2016-11-16 スタンレー電気株式会社 発光素子モジュール
CN103247742B (zh) * 2013-04-22 2015-12-09 广州有色金属研究院 一种led散热基板及其制造方法
EP3032594A4 (en) * 2013-08-09 2017-01-25 Koha Co., Ltd. Light emitting device
US9541273B2 (en) * 2014-05-22 2017-01-10 Wen-Sung Hu Heat dissipation structure of SMD LED
CN205122643U (zh) * 2015-12-08 2016-03-30 上海策元实业有限公司 基于室温液态金属的陶瓷基板led散热系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN109863611A (zh) 2019-06-07
JPWO2018079595A1 (ja) 2019-07-18
EP3534060B1 (en) 2022-07-06
CN109863611B (zh) 2021-08-17
US20190280179A1 (en) 2019-09-12
EP3534060A4 (en) 2020-07-01
US10985305B2 (en) 2021-04-20
EP3534060A1 (en) 2019-09-04
WO2018079595A1 (ja) 2018-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6677816B2 (ja) 発光素子搭載用基板、発光装置および発光モジュール
US7408204B2 (en) Flip-chip packaging structure for light emitting diode and method thereof
JP2008034622A (ja) 半導体発光素子アセンブリ
KR101805556B1 (ko) 차량용 광모듈 조립체
US7796392B2 (en) Electronic construction unit and electrical circuit carrier
KR20150015900A (ko) Led칩 온 보드형 플렉시블 pcb 및 플렉시블 방열 패드 그리고 플렉시블 방열 패드를 이용하는 led 방열구조
JP3150052U (ja) 発光構造
JP2006344692A (ja) 発光素子実装用基板および発光素子モジュール
US10236429B2 (en) Mounting assembly and lighting device
JP2003069083A (ja) 発光装置
WO2012042333A1 (ja) Ledモジュール
JP2008091432A (ja) 電子部品
US8841172B2 (en) Method for forming package substrate
JP2011096416A (ja) Led照明器具
KR101867499B1 (ko) 조명 장치를 제조하기 위한 방법 및 조명 장치
JP2011029433A (ja) Ledパッケージ
KR20090033592A (ko) 방열 특성이 향상된 led 어레이 모듈
JP2007335896A (ja) 発光素子実装用基板および発光素子モジュール
US20240206047A1 (en) Electronic assembly, light module, and method for constructing an electronic assembly
JP2013065706A (ja) 発熱デバイス組立体および発熱デバイス組立体の製造方法
KR20240129438A (ko) 메탈 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2010102924A (ja) 照明装置
KR101056092B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
JP2011082264A (ja) Ledパッケージ
TWM317543U (en) LED lamp having heat-dissipation device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190403

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200204

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200313

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6677816

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150