JP2002329923A5 - - Google Patents
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- レーザチップと、該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が1.1μm〜1.7μmであり、光を発生する活性層を、主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が1.1μm以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAlxGa1−xAs(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAlyGa1−yAs(0≦y<x≦1)とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるAlzGa1−zAs(0≦y<z<x≦1)よりなるヘテロスパイク緩衝層の厚さを、5nm〜50nmの厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたものであり、前記面発光型半導体レーザ素子チップの光射出部の面積をS(mm2)、レーザ素子動作電圧をV(V)とするとき、V/Sを15000〜30000の範囲にしたことを特徴とする光通信システム。
- レーザチップと、該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは、光を発生する活性層を、主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAlxGa1−xAs(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAlyGa1−yAs(0≦y<x≦1)とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるAlzGa1−zAs(0≦y<z<x≦1)よりなるヘテロスパイク緩衝層を20nm〜50nmの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたものであり、前記面発光型半導体レーザ素子チップの光射出部の面積をS(mm 2 )、レーザ素子動作電圧をV(V)とするとき、V/Sを15000〜30000の範囲にしたことを特徴とする光通信システム。
- レーザチップと、該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは、発振波長が1.1μm〜1.7μmであり、光を発生する活性層を、主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が1.1μm以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAlxGa1−xAs(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAlyGa1−yAs(0≦y<x≦1)とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるAlzGa1−zAs(0≦y<z<x≦1)よりなるヘテロスパイク緩衝層を20nm〜50nmの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたものであり、前記面発光型半導体レーザ素子チップの光射出部の面積をS(mm 2 )、レーザ素子動作電圧をV(V)とするとき、V/Sを15000〜30000の範囲にしたことを特徴とする光通信システム。
- レーザチップと、該レーザチップと接続される光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が1.1μm〜1.7μmであり、光を発生する活性層の主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が1.1μm以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAlxGa1−xAs(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAlyGa1−yAs(0≦y<x≦1)とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がGaxIn1−xPyAs1−y(0<x≦1、0<y≦1)層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたものであり、前記面発光型半導体レーザ素子チップの光射出部の面積をS(mm2)、レーザ素子動作電圧をV(V)とするとき、V/Sを15000〜30000の範囲にしたことを特徴とする光通信システム。
- 前記面発光型半導体レーザ素子は連続発振させて使用することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光通信システム。
Priority Applications (1)
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JP2002045468A JP2002329923A (ja) | 2001-02-26 | 2002-02-21 | 光通信システム |
Applications Claiming Priority (3)
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JP2001-50083 | 2001-02-26 | ||
JP2001050083 | 2001-02-26 | ||
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Publications (2)
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JP2002329923A JP2002329923A (ja) | 2002-11-15 |
JP2002329923A5 true JP2002329923A5 (ja) | 2005-07-07 |
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ID=26610082
Family Applications (1)
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JP2002045468A Pending JP2002329923A (ja) | 2001-02-26 | 2002-02-21 | 光通信システム |
Country Status (1)
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Families Citing this family (2)
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JP5787071B2 (ja) * | 2011-07-04 | 2015-09-30 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、光走査装置及び画像形成装置 |
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2002
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