JP2002324939A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2002324939A5 JP2002324939A5 JP2002045467A JP2002045467A JP2002324939A5 JP 2002324939 A5 JP2002324939 A5 JP 2002324939A5 JP 2002045467 A JP2002045467 A JP 2002045467A JP 2002045467 A JP2002045467 A JP 2002045467A JP 2002324939 A5 JP2002324939 A5 JP 2002324939A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- light
- reflecting mirror
- semiconductor laser
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Claims (5)
- レーザチップと、該レーザチップを駆動する半導体レーザ駆動ICとを含んでなる光通信システムにおいて、前記半導体レーザ駆動ICはCMOSからなり、前記レーザチップは発振波長が1.1μm〜1.7μmであり、光を発生する活性層の主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が1.1μm以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAlxGa1−xAs(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAlyGa1−yAs(0≦y<x≦1)とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるAlzGa1−zAs(0≦y<z<x≦1)よりなるヘテロスパイク緩衝層の厚さを、5nm〜50nmの厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたものであることを特徴とする光通信システム。
- レーザチップと、該レーザチップを駆動する半導体レーザ駆動ICとを含んでなる光通信システムにおいて、前記半導体レーザ駆動ICはCMOSからなり、前記レーザチップは、光を発生する活性層の主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAlxGa1−xAs(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAlyGa1−yAs(0≦y<x≦1)とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるAlzGa1−zAs(0≦y<z<x≦1)よりなるヘテロスパイク緩衝層を20nm〜50nmの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたものであることを特徴とする光通信システム。
- レーザチップと、該レーザチップを駆動する半導体レーザ駆動ICとを含んでなる光通信システムにおいて、前記半導体レーザ駆動ICはCMOSからなり、前記レーザチップは、発振波長が1.1μm〜1.7μmであり、光を発生する活性層の主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が1.1μm以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAlxGa1−xAs(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAlyGa1−yAs(0≦y<x≦1)とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるAlzGa1−zAs(0≦y<z<x≦1)よりなるヘテロスパイク緩衝層を20nm〜50nmの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたものであることを特徴とする光通信システム。
- レーザチップと、該レーザチップを駆動する半導体レーザ駆動ICとを含んでなる光通信システムにおいて、前記半導体レーザ駆動ICはCMOSからなり、前記レーザチップは発振波長が1.1μm〜1.7μmであり、光を発生する活性層の主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が1.1μm以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大と異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAlxGa1−xAs(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAlyGa1−yAs(0≦y<x≦1)とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がGaxIn1−xPyAs1−y(0<x≦1、0<y≦1)層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源としたものであることを特徴とする光通信システム。
- 前記半導体レーザ駆動ICとレーザチップの間が、高周波伝送線路で接続されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光通信システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002045467A JP2002324939A (ja) | 2001-02-26 | 2002-02-21 | 光通信システム |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001051261 | 2001-02-26 | ||
JP2001-51261 | 2001-02-26 | ||
JP2002045467A JP2002324939A (ja) | 2001-02-26 | 2002-02-21 | 光通信システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002324939A JP2002324939A (ja) | 2002-11-08 |
JP2002324939A5 true JP2002324939A5 (ja) | 2005-07-07 |
Family
ID=26610138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002045467A Pending JP2002324939A (ja) | 2001-02-26 | 2002-02-21 | 光通信システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002324939A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009021459A (ja) | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザの駆動方法および光伝送モジュール |
-
2002
- 2002-02-21 JP JP2002045467A patent/JP2002324939A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5436919A (en) | Multiwavelength upconversion waveguide laser | |
KR101270166B1 (ko) | 외부 공진기형 면발광 레이저 | |
WO2001015246A3 (en) | Multiple-wavelength light emitting device | |
JP2007134698A (ja) | ポンプビーム反射層を有する外部共振器型面発光レーザ | |
KR100773540B1 (ko) | 광펌핑 방식의 면발광 레이저 | |
US7688873B2 (en) | Laser chips and vertical external cavity surface emitting lasers using the same | |
CN101005195A (zh) | 垂直外腔面发射激光器 | |
JP2008304932A5 (ja) | ||
JP2007142394A (ja) | ポンプビームの再活用の可能な外部共振器型面発光レーザ | |
EP1146615A4 (en) | LUMINOUS ELEMENT AND LUMINOUS ELEMENT MODULE | |
JP2002329928A5 (ja) | ||
JP2002324939A5 (ja) | ||
JP2012098495A (ja) | レーザ光波長変換装置 | |
JP2002324941A5 (ja) | ||
JP2002324940A5 (ja) | ||
JP2006518548A5 (ja) | ||
JP2002329923A5 (ja) | ||
JP2002323646A5 (ja) | ||
JP2002329930A5 (ja) | ||
JP2002280663A (ja) | 半導体レーザ素子及び光集積デバイス | |
JP2002324945A5 (ja) | ||
JP2002324935A5 (ja) | ||
JP2005197650A (ja) | 発光素子 | |
JP2002329919A5 (ja) | ||
JP2008117880A (ja) | フォトニック結晶を用いたミラー及びそれを用いた面発光レーザ |