JP2002329930A5

JP2002329930A5 -

Info

Publication number: JP2002329930A5
Application number: JP2002045481A
Authority: JP
Filing date: 2002-02-21
Publication date: 2005-07-07

Claims

発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層の厚さを、５ｎｍ〜５０ｎｍの厚さであって、前記半導体分布ブラッグ反射鏡の反射率変化が急激に大きくならない範囲とした反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、該発光光源に光信号を伝送するための光ファイバー伝送路を光学的にカップリングさせるとともに、前記伝送路の前記発光光源と反対側に光学的にカップリングさせた受光ユニットを設けた光送受信システムにおいて、該光送受信システムは、建物内部の通信を行うための構内光送受信システムであって、建物内の第１の地点に前記発光光源を、建物内の第２の地点に前記受光ユニットを設置し、前記第１の地点と第２の地点の間に前記伝送路の方向変換のための反射部材を設けたことを特徴とする光送受信システム。
光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層を２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、該発光光源に光信号を伝送するための光ファイバー伝送路を光学的にカップリングさせるとともに、前記伝送路の前記発光光源と反対側に光学的にカップリングさせた受光ユニットを設けた光送受信システムにおいて、該光送受信システムは、建物内部の通信を行うための構内光送受信システムであって、建物内の第１の地点に前記発光光源を、建物内の第２の地点に前記受光ユニットを設置し、前記第１の地点と第２の地点の間に前記伝送路の方向変換のための反射部材を設けたことを特徴とする光送受信システム。
発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とし、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとるＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｙ＜ｚ＜ｘ≦１）よりなるヘテロスパイク緩衝層を２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さに設けた反射鏡であるような面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、該発光光源に光信号を伝送するための光ファイバー伝送路を光学的にカップリングさせるとともに、前記伝送路の前記発光光源と反対側に光学的にカップリングさせた受光ユニットを設けた光送受信システムにおいて、該光送受信システムは、建物内部の通信を行うための構内光送受信システムであって、建物内の第１の地点に前記発光光源を、建物内の第２の地点に前記受光ユニットを設置し、前記第１の地点と第２の地点の間に前記伝送路の方向変換のための反射部材を設けたことを特徴とする光送受信システム。
発振波長が１．１μｍ〜１．７μｍであり、光を発生する活性層の主たる元素がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓからなる層、もしくはＧａ、Ｉｎ、Ａｓよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡は反射波長が１．１μｍ以上で該反射鏡を構成する材料層の屈折率が小大異なる値に周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）とし、前記屈折率が大の材料層はＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ（０≦ｙ＜ｘ≦１）とした反射鏡であり、前記活性層と前記反射鏡の間に主たる組成がＧａｘＩｎ１−ｘＰｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層よりなる非発光再結合防止層を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、該発光光源に光信号を伝送するための光ファイバー伝送路を光学的にカップリングさせるとともに、前記伝送路の前記発光光源と反対側に光学的にカップリングさせた受光ユニットを設けた光送受信システムにおいて、該光送受信システムは、建物内部の通信を行うための構内光送受信システムであって、建物内の第１の地点に前記発光光源を、建物内の第２の地点に前記受光ユニットを設置し、前記第１の地点と第２の地点の間に前記伝送路の方向変換のための反射部材を設けたことを特徴とする光送受信システム。
前記反射部材は、前記伝送路の方向を９０°変換することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光送受信システム。