JP2002329719A5 - - Google Patents

Description

【００２３】
前記した各基板の処理装置における載置台は，基板に対して逆バイアス電圧を印加することが可能なように構成してもよい。これによって電子線の入射速度を弱めて基板に対する電子線のエネルギーを制御することが可能である。
本発明は，基板に絶縁膜を形成する基板の処理装置であって，基板に絶縁膜となる塗布液を塗布する塗布ユニットと，前記絶縁膜が塗布された基板を加熱処理する加熱ユニットとを有する第１処理ステーションと，前記加熱ユニットで加熱処理された基板の絶縁膜に対し電子線を照射して当該絶縁膜を硬化させる硬化処理ユニットを有する第２処理ステーションと，前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションとの間で基板を搬送する基板搬送体と，を備えたことを特徴とする。
上記基板の処理装置の前記硬化処理ユニットは，処理室内の雰囲気を少なくとも大気の酸素濃度よりも低い所定の低酸素雰囲気に維持できるように構成されていてもよい。
また，前記硬化処理ユニットは，処理室内で基板を載置する載置台と，電子線を照射する電子線管に対向する位置で前記載置台を回転させる回転手段を備えていてもよい。
さらに，前記載置台には，前記載置台を前記加熱ユニットの加熱処理の温度よりも高い所定温度に昇温し維持する加熱手段が設けられていてもよい。
前記載置台は，前記電子線管との距離を調節可能にする距離調節手段を備えていてもよい。

Claims (22)

1. 基板の処理方法であって，
   基板に層間絶縁膜を形成する工程と，
   処理室内で前記基板上の層間絶縁膜に対して電子線を照射し，当該層間絶縁膜を硬化させる工程とを有することを特徴とする，基板の処理方法。
2. 前記層間絶縁膜を硬化させる工程において，基板が所定温度に加熱されることを特徴とする，請求項１に記載の基板の処理方法。
3. 前記層間絶縁膜を硬化させる工程は，少なくとも大気よりも酸素濃度の低い低酸素雰囲気で行われることを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の基板の処理方法。
4. 少なくとも前記基板周辺の雰囲気を酸素よりも分子量の小さい気体に置換することによって，前記低酸素雰囲気を作り出すことを特徴とする，請求項３に記載の基板の処理方法。
5. 前記処理室内を減圧することによって，前記低酸素雰囲気を作り出すことを特徴とする，請求項３又は４のいずれかに記載の基板の処理方法。
6. 前記層間絶縁膜を形成する工程は，基板に層間絶縁膜となる塗布液を塗布する工程を有し，
   当該塗布工程と前記層間絶縁膜を硬化させる工程との間に，基板を加熱するプレ加熱工程が行われることを特徴とする，請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の基板の処理方法。
7. 前記プレ加熱工程が終了してから基板に電子線が照射されるまでの時間が一定に制御されることを特徴とする，請求項６に記載の基板の処理方法。
8. 前記プレ加熱は，前記層間絶縁膜を硬化させる工程における基板の温度よりも低い温度で行われることを特徴とする，請求項６又は７のいずれかに記載の基板の処理方法。
9. 前記層間絶縁膜を硬化させる工程後に，基板を加熱するポスト加熱工程を有することを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７又は８のいずれかに記載の基板の処理方法。
10. 前記ポスト加熱は，前記層間絶縁膜を硬化させる工程における基板の温度よりも高い温度で行われることを特徴とする，請求項９に記載の基板の処理方法。
11. 電子線を照射して層間絶縁膜を硬化させた後，前記処理室内でプラズマを発生させる工程を有することを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９又は１０のいずれかに記載の基板の処理方法。
12. 前記プラズマは電子線の照射によって発生させることを特徴とする，請求項１１に記載の基板の処理方法。
13. 前記プラズマは高周波電力の供給によって発生させることを特徴とする，請求項１１に記載の基板の処理方法。
14. 基板の処理方法であって，
    基板に層間絶縁膜となる塗布液を塗布するの塗布工程と，前記塗布工程の後，基板を加熱するプレ加熱工程とを繰り返し行い，
    最終の塗布工程の後，処理室内で前記基板上の複数の層間絶縁膜に対して電子線を照射して当該複数の層間絶縁膜を同時に硬化する工程とを有することを特徴とする，基板の処理方法。
15. 基板の処理装置であって，
    処理室内で基板を載置する載置台と，
    前記載置台上の基板に電子線を照射する装置と，
    前記載置台と電子線を照射する装置との間に配置されるグリッド電極と
    を有していることを特徴とする，基板の処理装置。
16. 基板の処理装置であって，
    処理室内で基板を載置する載置台と，
    前記載置台上の基板に電子線を照射する装置と，
    前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置と
    を有していることを特徴とする，基板の処理装置。
17. 前記載置台は，基板に対して逆バイアス電圧を印加することが可能であることを特徴とする，請求項１５又は１６に記載の基板の処理装置。
18. 基板に絶縁膜を形成する基板の処理装置であって，
    基板に絶縁膜となる塗布液を塗布する塗布ユニットと，前記絶縁膜が塗布された基板を加熱処理する加熱ユニットとを有する第１処理ステーションと，
    前記加熱ユニットで加熱処理された基板の絶縁膜に対し電子線を照射して当該絶縁膜を硬化させる硬化処理ユニットを有する第２処理ステーションと，
    前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションとの間で基板を搬送する基板搬送体と，を備えたことを特徴とする，基板の処理装置。
19. 前記硬化処理ユニットは，処理室内の雰囲気を少なくとも大気の酸素濃度よりも低い所定の低酸素雰囲気に維持できるように構成されていることを特徴とする，請求項１８に記載の基板の処理装置。
20. 前記硬化処理ユニットは，処理室内で基板を載置する載置台と，電子線を照射する電子線管に対向する位置で前記載置台を回転させる回転手段とを備えていることを特徴とする，請求項１８又は１９のいずれかに記載の基板の処理装置。
21. 前記載置台には，前記載置台を前記加熱ユニットの加熱処理の温度よりも高い所定温度に昇温し維持する加熱手段が設けられていることを特徴とする，請求項２０に記載の基板の処理装置。
22. 前記載置台は，前記電子線管との距離を調節可能にする距離調節手段を備えていることを特徴とする，請求項２０又は２１のいずれかに記載の基板処理装置。