JP4116454B2 - 誘電性物体のプラズマ処理のための装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電性物体のプラズマ処理のための装置および方法に関し、特に誘電性物体のプラズマ・コーティングまたはプラズマ調整のための装置および方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
種々の化学気相堆積法(CVD法)が、とりわけ、複数の膜を作成するために使用される。
【0003】
CVD法において、膜は、気体反応化合物によって、処理されるべき工作物の周辺に堆積し、その化合物はエネルギーを与えることによってイオン化する。反応生成物は、工作物の表面上に沈降し、その組成が元の材料と異なる膜を形成する。その時、中間生成物の、気相から材料の相への最終反応は、通常、工作物の表面上でのみ起こる。大幅に異なる遊離体を互いに混合できるため、CVD法は、種々の化学的および物理的特性を有する、非常に広い範囲の膜を生成するのに使用することができる。気体物質および気化できる物質の両方を遊離体として使用できる。
【0004】
詳細に、熱CVD法とプラズマ励起CVD法(PECVD法)の間の差を引き出す。
熱CVDコーティングの場合、遊離体の反応は熱的に引き起こされ、この反応は、通常600℃と1300℃の間のプロセス温度を必要とする。必要とされるのが比較的高い基板温度のため、全ての材料が、熱CVD堆積によるコーティングに適しているわけではない。
【0005】
一方、PECVD堆積の場合、外部電磁界によるイオン化によってプラズマが生成するので、必要とされるプロセス温度はより低い。500℃と室温の間であるコーティング温度が、通常この目的のために使用される。
長手方向送りまたは円形送りとして構成されるプラズマ・コーティング・システムは、基板上の薄膜の工業用作製に使用される。これらのシステムにおいて、個々の電磁供給源を介して、コーティングされるべき各工作物に対して、電磁界が個々に供給されて、プラズマが生成される。たとえば、これは工作物の上にシュラウドを設置することによって行われ、そのシュラウドを介して電磁界が注入される。
【0006】
しかし、連続プロセス・シーケンスを作り出すことを目的とする場合、これは複雑なシステムを必要とする。工作物がコーティング装置を通って移動する、このような連続生産プロセスの場合、電磁エネルギーを供給するデバイスはまた、移動する工作物とともに移動しなければならないであろう。しかし、連続生産プロセスは、プロセス時間変動に比較的鈍感なため特に有利である。たとえば、このことは、コーティング持続時間が長くてもシステム廃棄率(scrap rate)に少ししか影響を与えないことを意味する。逆に、不連続プロセス・シーケンスと比べて、同じコーティング持続時間について、所与の時間内により多くの物体すなわち工作物をコーティングできる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明は、工作物をプラズマ・コーティングするために連続生産プロセスを遂行することを可能にする装置および方法を提供するという目的に基づく。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この目的は、請求項1に記載の装置および請求項29に記載の方法によって、非常に簡単な方法で達成される。
有利なかつ/または好ましい実施形態および開発は、各独立請求項の主題である。
【0009】
したがって、本発明によれば、工作物のプラズマ処理のための装置が装備されており、装置は、移送デバイスおよび動作中に装置の領域内に電磁エネルギーを注入するプラズマ発生デバイスを備え、装置において、移送デバイスは、領域を通して工作物を連続して搬送する。
【0010】
プラズマ発生デバイスが電磁エネルギーをそこに注入し、工作物がそこを通して連続して運ばれる領域は、以下の文章において、コーティング領域とも呼ばれる。プラズマ処理という表現は、PECVDコーティングだけでなくプラズマ調整もまた意味するものとして理解されるべきである。プラズマ調整は、たとえば酸素雰囲気中で遂行され、そうすることによって、酸素プラズマが、処理される表面領域への酸素ラジカルの蓄積をもたらし、蓄積の結果として、表面は別のプロセス工程に対して整えられる。
【0011】
個々のコーティング・チャンバを有する長手方向または円形送りの形態である公知のシステムに対する、本発明による装置の利点は、本装置がプロセス時間変動にあまり敏感でないことである。たとえば、工作物が、かなり長いコーティング持続期間を必要とするコーティングを施される場合、連続プロセス手順は、コーティング・システムの廃棄率にあまり影響を与えないことを意味する。したがって、同じコーティング持続期間に対して、より高いスループット(throughput rate)をさらに達成することができ、このことは、生産プロセスがよりコスト効率が高いことを意味する。
【0012】
電磁エネルギーを装置の領域に注入するプラズマ発生デバイスは、少なくとも1つの電界アプリケータを有するのが好ましい。好ましい実施形態において、装置はまた、電磁エネルギーを生成する供給源を有し、その供給源は電界アプリケータに接続されるため、供給源が生成したエネルギーは、電界アプリケータに伝達され、プラズマ生成のために電界アプリケータから領域内に注入される。
【0013】
一実施形態によれば、工作物は、移送デバイスによって、装置を通る円形経路に沿って運ばれる。これは、たとえば、移送デバイスが、工作物がその上に設置される丸い走行テーブルを有することによって行われる。
【0014】
しかし、装置はさらにまた、長手方向送りシステムとして設計することができる。この場合、工作物は、移送デバイスによって直線経路に沿って運ばれる。
【0015】
特に、本発明による装置の円形送り実施形態に関して、電界アプリケータは、円形に湾曲し、かつ半径方向に離間して配置された2つのプレートを備えるアンテナ機構を有してもよい。すなわち、プレートは、AC電圧が供給されると、2つのプレートの間で半径方向に延在する交流電界を生成するアンテナ機構を形成する。適当な気体雰囲気に置くことで、交流電界の影響によって2つのプレートの、互いに面する表面の間にプラズマが生成され、次に、工作物が、そのプラズマを通って、移送デバイスによって連続して運ばれて、コーティングが行われるかつ/または調整が行われる。
【0016】
平行に配置された平坦プレートはさらにまた、特に、長手方向送りシステムを使用する時に、交流電磁界の生成に好適である。
【0017】
供給源によって生成され、電界アプリケータによって放出される電磁界は、用途に応じて、連続またはパルス状交流電磁界であってもよい。パルス状DC電圧もまた好適である。この目的のためのパルス繰り返し周波数は、0.001kHzと300kHzの間の範囲にあるのが好ましい。
【0018】
上述したアンテナ形態に加えて、1つまたは複数の導電性ロッドを備えるアンテナ機構を有する電磁界アプリケータはまた、電磁界を生成するのに好適である。この場合、これらのロッドは、工作物の走行方向に対して平行および直角の両方で配置することができ、こうした場合、本文脈において、走行方向とは、工作物がアンテナ機構に最も近い地点における工作物の走行方向を意味するものとする。
【0019】
こうした電界アプリケータは、無線周波数範囲における電磁界の使用に特に適する。しかし、他の周波数範囲もまた、プラズマ処理用のプラズマを生成するのに使用することができる。たとえば、マイクロ波をプラズマの生成および維持に使用することができる。ロッド・アンテナ、スロット・アンテナ要素またはホーン・アンテナ要素は、この目的のための電界アプリケータとして使用するのに特に適する。電磁放射を放出するために、工作物の方を指す一端が開いている矩形のまたは丸い導波路もまた有利に使用することができる。
【0020】
コーティング領域における電磁界を強めるために、コーティング領域が矩形または円筒形共振器の形態であることもまた有利である。
【0021】
使用される電磁供給源の周波数にかかわりなく、上述したように、いくつかの放射要素を、上下に重ねておよび横に並べて配置することができるので、装置は、種々の物体の高みをコーティングするのに柔軟に使用することができる。たとえば、いずれの場合にも、2つ以上の放射要素を接続して1つの電磁供給源にすることができる。これらの放射要素は、物体の高さに応じてオンまたはオフして切り換えることができる。
【0022】
本発明によるプラズマ処理は、誘電性材料部品を有する工作物に特に適する。特に、本発明は、プラスチック、セラミックまたはガラスから成る誘電性材料部品を有する工作物の処理を行うことができる。
【0023】
連続コーティング・プロセスおよびそれに関連するスループットの結果として、装置はまた、ボトルなどの大量生産される製品のコーティングにきわめて適しており、ボトルは、こうして、たとえば、拡散バリア膜をコスト効率良く塗布されることができる。
【0024】
他の材料の中でもとりわけ、多環式炭化水素、ポリカーボネート、ポリテレフタル酸エチレン、ポリスチレン、ポリエチレン、特にHDPE、ポリプロピレン、ポリアクリル酸メチルおよびPESなどのプラスチック材料が、この場合、プラズマ・コーティング・プロセスに好適であることがわかっている。
【0025】
装置はまた、内面または凸表面を処理するために、たとえば、ハロゲン・ランプの反射鏡のCVDコーティングのため、またはボトルの内面コーティングのためにセットアップすることができる。この目的のために、装置はさらに、工作物の一部、特に中空または凹状工作物の内側部分を、環境から気密方法で遮蔽して、キャビティを形成するためのデバイスを有する。たとえば、こうした気密キャビティは、ハロゲン放射要素の反射鏡の内側でおよびボトルで形成されるであろう。この時、反射鏡は、移送デバイスの移送ユニットの適当なシール上に取り付けられて、キャビティが作られる。
【0026】
こうして形成されたキャビティは、次に、適当なデバイスによって真空にされ、意図するプラズマ処理に必要な組成を有する気体で満たされる。
【0027】
それによってキャビティが満たされる気体は、有利には、外部環境とは異なる組成を有し、異なる圧力であってよいが、その時、キャビティ内の圧力は外部圧力より低いのが好ましい。プラズマ発生装置によって放出される電磁界エネルギーおよび/または、環境と中空物体の間の圧力差は、プラズマがキャビティ内のみで生成され、外部領域では生成されないよう、純粋に内部コーティングのために設定することができる。
【0028】
プラズマを生成するためのパラメータおよびプラズマの強度のためのパラメータはまた適当な磁界によって影響を受ける可能性がある。したがって、デバイスは、その中でプラズマが燃焼するコーティングのその部分において磁界を生成するのに有利である。特に、こうした磁気封じ込めによって、低気体密度を使用する時(この場合、こうした低気体密度に関連する気体分子の自由行路長が長いのだが)、プラズマが励起され、維持される領域を制限し、画定することが可能になる。
【0029】
移送デバイスはまた、有利には、工作物を保持する個々の移送ユニットを有することができる。これらの移送ユニットは、工作物を固定するのにかつ/または工作物の凹表面を遮蔽するのに、必要な内部圧力を生成するのに、また内部コーティング用のプロセス・ガスを供給するのに使用される。
【0030】
特に一様なコーティングを得るために、移送ユニットはまた1つの軸に対して回転する。その結果、コーティングされる表面領域は、所定時間にわたって平均化される時に一様となるプラズマ強度にさらされる。
【0031】
工作物のプラズマ処理方法はまた、本発明の範囲内で提供される。この目的のために、電磁界が領域内で生成されて、この領域内でプラズマが励起され、次に、工作物がその領域を通して連続して運ばれる間に、電磁界によって生成されたプラズマによって工作物が処理される。
【0032】
この方法は、有利には、PECVDコーティングの生成を可能にし、この目的のために工作物を処理するステップは、工作物をプラズマ・パルス・誘導気相堆積によってコーティングするステップを含む。
【0033】
PECVDコーティングに加えて、またはその代わりに、本方法はまた、有利には、工作物、特にその表面をプラズマによって調整するのに好適である。工作物のプラズマ調整のプロセス工程は、後続の別のプロセスのための表面の予備的処理のために使用される。たとえば、表面はラジカルを導入することによって活性化することができる。こうした活性化は、とりわけ、酸素を含む気体雰囲気においてプラズマ処理を行うことによって行われる。
【0034】
工作物の内部をコーティングするために、たとえば個々の、特に、凹状表面をコーティングするために、工作物をプラズマによって処理するステップは、プラズマを、工作物によって少なくとも部分的に境界を付けられたキャビティの内部でプラズマを生成するステップを含む。
【0035】
本発明による方法はまた、特に、拡散バリア膜を材料部品に塗布するのに使用することができる。こうした拡散バリア膜は、たとえばプラスチック・ボトルに広く使用される。
【0036】
本発明は、たとえば、好ましい実施形態を用いて、また添付図面を参照して、以下の本文においてより詳細に述べられるであろう。
【0037】
【発明の実施の形態】
図1は、誘電性物体の連続プラズマ・コーティングまたはプラズマ調整のための、本発明による装置の平面略図を示す。装置は、プラスチック、セラミックまたはガラス材料から成る工作物を処理するのに使用するのが好ましい。図1に示す装置1の実施形態は、円形送りの形態である。
【0038】
処理されるべき工作物9は、送りセクション2を介して装置の主チャンバ11に送られる。プラズマ処理用の気体または気体混合物は、低い圧力で主チャンバ内に収容される。プラズマ処理用の通常の圧力は、10−3mBarと1mBarの間である。工作物9を気体雰囲気内に送るプロセスの間に、工作物は、丸い送りテーブル12上の移送セグメント8上に設置され、次に、回転テーブル5上を、主チャンバの種々のセクションを通して送られる。プロセスにおいて、工作物は、まず調整セクション3に入る。プラズマ処理に必要な予備処理は、このセクションで実施される。たとえば、このセクションは、工作物をプラズマ処理に必要な温度に過熱するヒータ31を含んでよい。他の予備処理は、プラズマによる予備過熱および/または調整ならびに工作物の清浄および減菌であってよい。
【0039】
円形送りテーブル12の回転によって、工作物9は、調整セクションにおける調整または予備処理後に、コーティング・セクション4を通して運ばれる。コーティング・セクションの主要な部品は、電磁エネルギーのための電界アプリケータ機構であり、アプリケータ機構によって、点火されたプラズマが維持される。図1に示す電界アプリケータ機構の実施形態は、アンテナ44および45を備え、アンテナは、その上を工作物が連続プラズマ・コーティングのために装置を通して運ばれる経路の一部に沿って延在する。図1に示す実施形態において、アンテナ44および45は、2つの同心プレートであり、同心プレートは陽極と陰極の形態であり、同心プレートの間に、プラズマを維持するために電磁界が延在する。
【0040】
供給源46が生成する電磁界は、アンテナ44および45に印加される。パルス状かまたは連続である可能性のある無線周波数交流電磁界は、この場合、アンテナ間でプラズマを維持するのに好適である。しかし、パルス状DC電圧を有する供給源がさらにまた可能であり、この時、DC供給源は1Hzと300kHzの間の周波数範囲でパルスを発生する。
【0041】
アンテナ機構の領域の点火装置42は、プラズマを点火するのに使用され、プラズマは、次に、アンテナ44および45の間の電磁界によってさらに維持される。点火装置は、たとえば、それに対してパルス状高電圧が印加される電極または電極の対を備えることができる。電極は、発熱ワイヤの形態であってよいため、気体は電子によって衝撃イオン化され、電子は、発熱ワイヤからの発熱放出によって放出され、印加される高電圧によって加速される。
【0042】
さらに、コーティングおよびプラズマを監視するセンサは、コーティング・セクション4の領域に配置されて、プラズマ・コーティングまたはプラズマ調整プロセスを監視する。プラズマからの付随する光放出を検出する光センサは、この目的のために好適であり、たとえば、その場合、光のスペクトル分析はまた、気体組成についての推論を提供し、またプロセス制御用のパラメータを提供することができる。工作物上に堆積する材料の膜厚もまた、光センサを用いて、たとえば偏光解析測定によって監視される。
【0043】
プラズマの磁気封じ込めは、適当な磁界を印加することによって達成することができる。たとえば、図1に示すように、この目的のために、一対のセクタ磁石43が使用され、セクタ磁石は、円形送りテーブル12の上下に配置され、テーブル12の回転軸の方向に軸方向磁界を生成する。しかし、移送方向のまたは移送方向に直角な半径方向の磁界成分を有する磁場は、さらに好適である。
【0044】
コーティング・セクション4の後、工作物は、後処理セクション5を通って円形送りテーブル12上を通過する。後処理および最終出力のための準備のためのプロセスは、後処理セクションで実施することができる。たとえば、後処理セクション5は、冷却要素51を有することができ、冷却要素によって、調整セクション3において、以前に過熱された工作物は再び冷却され、その結果、出力された後の、濃い雰囲気において不均一に冷却することから生ずる工作物の大きな温度ストレスを避けることが可能になる。
【0045】
最後に、出力セクション6に運ばれ、出力セクションにおいて、工作物は主チャンバ11から出力される。
【0046】
図2は、図1に示す電界アプリケータ機構の略図を示す。電磁界アプリケータ機構のこの実施形態は、円形形状に湾曲し、かつ半径方向に互いに離間して配置された2つのプレート44および45を備えるアンテナ機構を有する。
【0047】
これらのプレートに対する交流電磁界の印加によって、矢印で示すように、半径方向に延在する交流電界が生ずる。
【0048】
円形送りテーブル12は、テーブル上に設置される工作物9が、同心上に配置されたプレートの間で、かつプレートによって放出される交流電磁界を通して、円形経路上を連続して移動するように配置される。
【0049】
図3は、プラズマ処理のための、本発明による装置の別の実施形態に対する断面略図を示す。装置は移送デバイス12を有する。上述した実施形態におけるように、移送デバイスは、円形送りテーブルを有するかそうでなければ直線移送のための長手方向送りの形態である。
【0050】
図3を参照して実施例により説明する装置は、ハロゲン・ランプ用の反射鏡などの中空または凹状表面を有する工作物の内部コーティングに好適である。特に、この装置はまた、ボトルの内部をコーティングすることを可能にする。たとえば、ボトルは拡散バリア膜を施すことができる。
【0051】
中空工作物9は、まず、設置デバイス20によって移送デバイス12の移送ユニット8のシール73上に設置され、その結果、工作物9の凹表面91によって部分的に境界付けられるキャビティが生成され、キャビティは工作物を環境から気密方法で遮蔽する。
【0052】
キャビティは、次に、チャネル71を介して真空に引かれる。次に、CVDコーティングまたは表面調整に好適な気体がチャネルを介して導入される。この場合、内部の気体圧力は、環境の圧力より小さいのが好ましく、10−3mBarと1mBarの間の範囲である。
【0053】
プラズマを生成するために、装置は、電磁エネルギー用の供給源46を有し、供給源は適当な接続部49を介してアンテナ機構に接続される。この実施例において、アンテナ機構は、導電性ロッド48または平行に配置された、いくつかのロッド48を備える。この例示的な実施形態におけるロッドは、送り方向に平行に配置され、送り方向は図3の矢印で示される。
【0054】
供給源46によって生成されるエネルギーの放出によって、移送デバイス12とアンテナ機構48の間の領域47内に電磁界が生成される。この電磁界によって、移送プロセス中にこの領域内に位置決めされる工作物9のキャビティ内で、それぞれの遮蔽されたキャビティにおいてプラズマが生成されることになる。しかし、工作物の外側では気体密度が非常に大きく、これに関連する気体分子の自由行路長が短か過ぎるため、電磁界の加速による気体分子のイオン化エネルギーを克服することができない。こうして、反射鏡上にCVDコーティングを生成するなどの、工作物のプラズマ内部処理を実施することが可能である。
【0055】
移送ユニット8は、移送ユニットが軸72のまわりに回転するように移送デバイス12上に配置される。したがって、工作物9は、コーティング領域47におけるコーティング・プロセス中にその長手軸のまわりに回転する。このことによって、コーティング領域47の電磁界の不均一性によって生ずる不均一なコーティングが補償される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるコーティング装置の一実施形態の平面図である。
【図2】本発明によるコーティング装置の一実施形態による電磁界アプリケータ機構の略図である。
【図3】本発明によるコーティング装置の、別の実施形態の断面略図である。
Claims (34)
- 中空または凹状工作物のプラズマ処理のための装置であって、
移送デバイス(12)と、
動作中に、該装置の領域(47)に電磁エネルギーを注入するプラズマ発生デバイス(44、45)とを備え、
前記移送デバイスは、前記中空または凹状工作物を前記領域(47)を通して連続的に搬送し、前記装置はさらに、
前記中空または凹状工作物の内側部分を、環境から気密方法でシールドして、キャビティを形成するためのデバイスと、
前記キャビティを真空にするためのデバイスと、
10 −3 hPaから1hPaの圧力である酸素を含む気体で前記キャビティを満たすためのデバイスとを備え、
前記プラズマ発生デバイスによって前記領域(47)に注入されるエネルギーは、前記中空または凹状工作物の前記キャビティ内においてのみプラズマを生成させる装置。 - 前記プラズマ発生デバイスは、少なくとも1つの電界アプリケータ(44、45)を有する請求項1に記載の装置。
- 前記プラズマ発生デバイスは、電磁エネルギーを生成するための少なくとも1つの供給源(46)を有する請求項1または2に記載の装置。
- 前記中空または凹状工作物は、前記移送デバイス(12)によって円形経路に沿って運ばれる請求項1乃至3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記中空または凹状工作物は、前記移送デバイス(12)によって直線経路に沿って運ばれる請求項1乃至3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの電界アプリケータ(44、45)は、円形形状に湾曲し、かつ半径方向に離間して配置された2つのプレートを備えるアンテナ機構を有する請求項2乃至5のいずれか1項に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの電界アプリケータ(44、45)は、2つの平行プレートを備えるアンテナ機構を有する請求項2乃至6のいずれか1項に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの電界アプリケータ(44、45)は、少なくとも1つの導電性ロッドを有する請求項2乃至7のいずれか1項に記載の装置。
- 前記少なくとも1つのロッドは、前記中空または凹状工作物の移動方向に平行に延在する請求項8に記載の装置。
- 前記少なくとも1つのロッドは、前記中空または凹状工作物の移動方向に直角に延在する請求項9に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの電界アプリケータ(44、45)は、少なくとも1つのロッド・アンテナを有する請求項2乃至10のいずれか1項に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの電界アプリケータ(44、45)は、少なくとも1つのスロット・アンテナ要素を有する請求項2乃至11のいずれか1項に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの電界アプリケータ(44、45)は、少なくとも1つのホーン・アンテナ要素を有する請求項2乃至12のいずれか1項に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの電界アプリケータ(44、45)は、一端が開いている、少なくとも1つの円形の、または矩形の導波路を有する請求項2乃至13のいずれか1項に記載の装置。
- 前記領域(47)は、矩形の、または円筒形の共振器を備える請求項2乃至14のいずれか1項に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの供給源(46)は、連続の、またはパルス状の無線周波数交流電磁界を生成する請求項3乃至15のいずれか1項に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの供給源(46)は、パルス状DC電圧を生成する請求項3乃至15のいずれか1項に記載の装置。
- 前記パルス繰り返し周波数は、0.001kHz〜300kHzの間である請求項17に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの供給源(46)は、マイクロ波を生成する請求項3乃至15のいずれか1項に記載の装置。
- 前記中空または凹状工作物は誘電性材料からなる部品を有する請求項1乃至19のいずれか1項に記載の装置。
- 前記誘電性材料からなる部品は、ガラス、プラスチックまたはセラミックから成る請求項20に記載の装置。
- 前記誘電性材料からなる部品はボトルである請求項20または21のいずれか1項に記載の装置。
- 前記誘電体材料からなる部品は、HDPE、ポリプロピレン、ポリアクリル酸メチルおよびPESを含むグループからの少なくとも1つのプラスチックから成る請求項20、21または22に記載の装置。
- 前記プラズマの前記領域(47)において磁界を生成するデバイス(43)をさらに有する請求項1乃至23のいずれか1項に記載の装置。
- 前記移送デバイス(12)は、前記中空または凹状工作物(9)を保持する複数の移送ユニット(8)を有する請求項1乃至24のいずれか1項に記載の装置。
- 前記複数の移送ユニットは、前記領域(47)内の1つの軸のまわりを回転する請求項1乃至25のいずれか1項に記載の装置。
- 中空または凹状工作物のプラズマ処理のための方法であって、
領域(47)内で電磁界を生成するステップであって、それによって、その領域内にプラズマを生成させる、ステップと、
前記電磁界によって生成する前記プラズマによって、中空または凹状工作物(9)を処理するステップとを含み、
前記中空または凹状工作物が前記領域(47)を通って連続して運ばれることを特徴とし、
前記処理するステップは、前記中空または凹状工作物によって少なくとも一部を境界付けられている中空物体の内部で前記プラズマを生成させるステップを含み、前記中空または凹状工作物の内側部分は気密方法で環境からシールドされてキャビティを形成し、前記キャビティは真空にされ、前記キャビティは、10 −3 hPaから1hPaの圧力である酸素を含む気体で満たされ、前記生成するステップによって前記領域(47)に注入されるエネルギーは、前記中空または凹状工作物の前記キャビティ内においてのみプラズマを生成させる方法。 - 前記中空または凹状工作物(9)を処理する前記ステップは、プラズマ・パルス・誘導気相堆積によって前記中空または凹状工作物をコーティングするステップを含む請求項27に記載の方法。
- 前記中空または凹状工作物(9)を処理する前記ステップは、前記中空または凹状工作物をプラズマ調整するステップを含む請求項27または28に記載の方法。
- 前記プラズマ調整するステップは、酸素を含む気体雰囲気内でプラズマ調整するステップを含む請求項29に記載の方法。
- 前記中空または凹状工作物(9)を処理する前記ステップは、前記中空または凹状工作物(9)を1つの軸(72)のまわりに回転させるステップを含む請求項27乃至30のいずれか1項に記載の方法。
- 前記中空または凹状工作物を処理する前記ステップは、ボトルをコーティングするステップを含む請求項27乃至31のいずれか1項に記載の方法。
- ボトルをコーティングする前記ステップは、ボトルの内部にコーティングするステップを含む請求項32に記載の方法。
- 前記中空または凹状工作物を処理する前記ステップは、拡散バリア膜を塗布するステップを含む請求項27乃至33のいずれか1項に記載の方法。
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