JPH07318698A

JPH07318698A - 電子線照射装置

Info

Publication number: JPH07318698A
Application number: JP11076094A
Authority: JP
Inventors: Masatoshi Kodera; 正俊小寺; Takashi Fujisawa; 高志藤沢
Original assignee: Denki Kogyo Co Ltd
Current assignee: DKK Co Ltd
Priority date: 1994-05-25
Filing date: 1994-05-25
Publication date: 1995-12-08

Abstract

(57)【要約】【目的】径が大きく特に断面形状が単純でない試料の
場合であっても、一基の加速器により試料の全周から同
時に電子線を一回で照射し得て能率的な電子線照射を行
なうことができ、電子線照射技術の産業応用対象の範囲
を拡大できるような電子線照射装置を提供する。【構成】試料１８の中心軸を取り囲む環状領域に沿っ
て複数の電子源（電子銃７）を配置し、これらの複数の
電子源７からそれぞれ放出される電子を試料１８の中心
軸に向けて加速するための直流電場または高周波電場を
発生せしめるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、産業用電子線照射処理
を行なうために使用される電子線照射装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】低エネルギー電子線は、分子材料の架橋
反応による特性の改善や、重合反応の促進、異なる分子
間のグラフト反応による新材料の製造、医療用あるいは
包装用材料の表面滅菌等に広く使用されている。

【０００３】従来より用いられている３００ＫｅＶ〜５
ＭｅＶの電子線照射装置としては、図４に示すような多
分割型の加速管４０の上部に電子源４１を置き、高電圧
電源４２の直流電圧で電子を加速する方式が一般的であ
る。

【０００４】加速管４０で加速された電子は、交流の磁
場または電場によりビーム掃引スキャン装置４３におい
て急速に方向を変えられ、扇状真空箱４４の出口に張ら
れた金属薄膜４５を通して大気中に取り出されて、大気
中を移動している試料４６を照射するようになってい
る。

【０００５】なお、上述のように電子線（電子ビーム）
の方向を変更させるのは、電子線が金属薄膜４５を通過
する際の面積を大きくして、金属薄膜４５の加熱密度を
小さくするためである。しかし、金属薄膜４５にあたる
角度が過度に大きくなると、電子が金属薄膜４５を通過
する距離が長くなり、これに伴いエネルギー損失が大き
くなるので、電子線を振る角度はあまり大きくすること
はできない。

【０００６】また、５ＭｅＶ以上の加速には、マイクロ
波等の高周波加速器が使用されるが、その場合も上記と
同じような電子線のスキャンニング法によって、電子線
を大気中に取り出すようにしている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の電子線
照射装置で処理できる試料４６の形状は殆ど平面的なも
のに限られており、例えば円形や多角形等の二次元的表
面構造を持つ試料の場合は、その試料を電子線の下を繰
返し通過させることにより全周囲への電子線の照射を行
なう方式を採用しているのが実状である。このような方
式を採用している理由は、電子線照射装置に使用される
加速器の構造上の関係から、照射電子線が一定の方向の
平行ビームまたは小さな角度の発散ビームであるため、
図５に示すように二次元的状表面構造の試料４６ａ，４
６ｂ，４６ｃ等に電子線４７を照射した場合に試料４６
ａ，４６ｂ，４６ｃ等の後方部分（電子線４７の下流部
分）に影を作ってしまい、この影の部分に電子線４７が
照射されないからである。

【０００８】そこで、この問題を回避するために、図６
に示すように磁石４８を配設してその直流磁場により電
子線４７を曲げて、試料４６ａ等の側面や裏面の全てを
照射する方法が提案されている。しかし、この場合に
は、繰返し照射の場合と同じように特殊な照射搬送装置
を設置しなければならないという問題がある。その上
に、加速エネルギーごとに磁場強度を調整して、電子線
４７の照射が試料４６ａ等の側面や裏面に確実に行われ
るように常に注意しなければならず、その調整が非常に
面倒である。

【０００９】なお、磁石４８の代わりに凹面形状の金属
反射体を置いて、この金属反射体から反射してくる電子
線により試料の側面や裏面を照射する提案もあるが、こ
の場合には、反射率が１より小さく、電子のエネルギー
も変化しているので、試料の側面や裏面における照射線
量および照射深度が直接照射される部分より可成り小さ
くなることは避けられない。

【００１０】また、図７に示すように複数基（例えば、
３つ）の加速装置５０ａ，５０ｂ，５０ｃを試料４６の
周囲に配置して、試料４６の全周を照射する方式も提案
されているが、この場合には、大きなスペースを必要と
し、しかもコストも高くなることから実用的でない。

【００１１】一方、３００ＫｅＶ以下の電子線照射装置
では、図８に示すように円筒状カバー５１の中心に高電
位に保たれた線状の電子源５２を配置し、アース電位の
円筒状カバー５１に向かって電子を直流電場にて膜状に
加速し、この加速した電子を金属薄膜から成る金属薄膜
窓５３を通して大気中に取り出す方式も提案されてい
る。この場合は、電子線はスキャンなしで充分な広さに
広げられており、従って電子が金属薄膜窓５３を通過す
る密度は小さく、発熱による金属薄膜の破壊が起きない
ようになっている。しかし、この場合も、試料４６の側
面や裏面を照射するするためには、既述の３００ＫｅＶ
以上の照射装置と同様の問題点がある。

【００１２】また、試料（被照射材料）の断面が二次元
的表面構造すなわち円形の断面を有する電線５５等の場
合には、電線５５の寸法等に応じて次のような方式で電
子線の照射を行うようにしている。すなわち、例えば細
い電線の絶縁被覆の耐熱性向上のための電子線照射の場
合には、図９（ａ），（ｂ）に示すように電線５５を一
対の巻取ドラム５６，５７間にクロス状に掛け渡して矢
印α及びβ方向に移動させながら照射領域５８において
往復照射を行ない、やや太い電線の場合には、捻りを与
えながら電子線を照射して、電線の全周に一様な電子線
照射を行なうようにしている。

【００１３】しかし、上述のような被照射材料の搬送お
よび電子線照射を行なうための装置としては、単に一方
向に走行させつつ電子線照射をすれば済むようなシート
状の被照射材料用の電子線照射装置とは異なる構造の搬
送照射装置を使用しなければならない。特に、被照射材
料の直径が更に太く、断面の形状が複雑である場合に
は、電子線照射装置の設計もより難しくなり、電子線照
射の回数も増加して時間もかかり、効率の良い処理を行
なうことが困難となる。

【００１４】本発明は、このような種々の問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、径が大きく特に
断面形状が単純でない試料の場合であっても、一基の加
速器により試料の全周から同時に電子線を一回で照射し
得て能率的な電子線照射を行なうことができ、電子線照
射技術の産業応用対象の範囲を拡大できるような電子線
照射装置を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明では、試料の中心軸を取り囲む環状領域に
沿って複数の電子源を配置し、前記複数の電子源からそ
れぞれ放出される電子を前記試料の中心軸に向けて加速
するための直流電場または高周波電場を発生せしめるよ
うに構成している。

【００１６】また、本発明では、前記複数の電子源が環
状の真空容器の中に配置されると共に、前記試料が前記
真空容器の中心部の大気中に置かれ、前記複数の電子源
からそれぞれ放出される電子の加速が真空に保たれた空
間で直流電場によりなされ、加速の終了した電子が前記
真空容器の金属薄膜窓を通って前記試料の全周に照射さ
れるようにしている。

【００１７】また、本発明では、前記複数の電子源が外
導体と内導体とを有する１／２波長同軸共振器の中に配
置されると共に、前記試料が前記内導体の中心部の大気
中に置かれ、前記複数の電子源からそれぞれ放出される
電子の加速が前記１／２波長同軸共振器内の高周波電場
によりなされ、加速の終了した電子が前記内導体の金属
薄膜窓を通って前記試料の全周に照射されるようにして
いる。

【００１８】また、本発明では、前記複数の電子源の各
々から前記試料に照射される電子線照射量を個々に変更
して非対称照射を行ない得るように構成している。

【００１９】また、本発明では、断面形状が単純形状で
なく、二次元的な広がりを持つ試料を照射処理すること
を対象としている。

【００２０】また、本発明では、前記試料が紐状または
パイプ状のものであり、その軸心方向に沿って移動され
つつ電子線照射されるようにしている。

【００２１】

【作用】上述の構成によれば、複数の電子源からそれぞ
れ放出された電子線は加速電場により加速されて試料の
全周に照射されることとなり、一基の装置により１回の
操作で一部に影（電子線照射されない部分）を生じるこ
となく試料の全体の電子線照射がなされる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例について図１〜図３を
参照して説明する。

【００２３】図１及び図２は本発明に係る電子線照射装
置をそれぞれ示すものであって、図１の装置は直流電場
加速方式の電子線照射装置であり、図２の装置は高周波
電場加速方式の電子線照射装置である。

【００２４】まず、図１に示す直流電場加速方式の電子
線照射装置１について説明すると、次の通りである。す
なわち、図１において２は環状の真空容器であって、こ
の真空容器２は、互いに同軸状に配設された円筒形状の
外壁３及び内壁４と、これらの外壁３及び内壁４の両端
部に配設された左右一対の円環状の側壁５，６とで構成
されている。そして、この真空容器２の内部には、電子
源としての複数の電子銃７を内蔵した環状電子源８が前
記外壁３及び内壁４間においてこれらに対して同軸状に
配置されている。

【００２５】上述の環状電子源８は、互いに同軸状に配
設された外部カバーと内部カバーとから成る電子源カバ
ー１０内に複数の電子銃７を所定の配列で配置したもの
である。すなわち、軸心を中心軸とする周方向に沿って
複数の電子銃７がほぼ等角度間隔で環状に配置固定され
ると共に、軸心方向に沿って複数の電子銃７がほぼ等間
隔で直列配置されている。そして、電子源カバー１０の
内側壁には、複数の電子銃７の各々に対応する箇所に孔
（またはスロット）１１がそれぞれ形成されており、電
子銃７から発射された電子がこれらの孔１１を通って真
空容器２の中心軸に向かう方向に放出されるようになっ
ている。

【００２６】また、真空容器２の内壁４には、前記孔１
１に対応する箇所に開口１２がそれぞれ設けられてお
り、これらの開口１２は金属薄膜にて大気を遮断し真空
を保つ金属薄膜窓１３として構成されている。

【００２７】一方、真空容器２の外壁３には、高電圧絶
縁碍子１４を介して電極１５が取付られ、直流電源１６
からの負の直流電圧がリード線１７及び電極１５を介し
て電子源カバー９，１０に供給され、電子源カバー１０
が負電位となされるようになっている。一方、真空容器
２の内壁４はアース電位に保たれるように構成されてい
る。かくして、真空容器２内の真空空間には、高い負電
圧の電子源カバー１０と、内壁４の金属薄膜窓１３を構
成するアース電位の金属薄膜との間に軸対称の直流電場
が形成されるようになっている。

【００２８】また、真空容器２の内壁４によって取り囲
まれた中心部（試料移動用空間部）４ａは大気に連通さ
れており、この中心部４ａの中心軸上に沿って電線等の
紐状の試料１８が所定速度で移動されるようになってい
る。

【００２９】次に、上述の構成の電子線照射装置１の作
用について説明する。まず、複数の電子銃７から放出さ
れた電子は電子源カバー１０の孔またはスロット１１を
通して引き出され、真空容器２内に形成されている直流
電場により、金属薄膜窓１３に向かって加速される。こ
の際、電子源カバー１０は、電子銃７の陰極と電子引き
出し電極との電位差並びに前記カバー１０の幾何学的寸
法の適宜な設定により、電子光学系を構成して電子線
（ビーム）を金属薄膜窓１３に導く役目を果たすと共
に、電子銃を強い電場から遮断して局所的に大きな電場
が発生するのを防止し、放電を起こり難くする機能を持
っている。

【００３０】真空容器２内において直流電場にて加速さ
れた電子は、真空容器２の軸心（ひいては試料１８の中
心軸）に向けて加速され、金属薄膜窓１３に達してこれ
を通過する。この際、電子銃７とそれを収容する電子源
カバー１０の幾何学的配置と電場の値とを適宜に選択す
ることにより、電子線を収束させ、金属薄膜窓１３を通
過する電子線の割合を大きくすることができる。

【００３１】なお、金属薄膜窓１３には電子線の通過の
際のエネルギー損失を小さくするために、機械強度の許
す限りできるだけ薄い金属薄膜を使用するのであるが、
それでもエネルギー損失による発熱があり、金属薄膜が
高温となる。そこで、金属薄膜窓１３を構成する材料と
して融点の高い金属を使用すると共に、気体の吹き付け
や薄膜に密着する金属部分の水冷を行なうようにし、こ
れにより過度の温度上昇を抑制する必要がある。また、
金属薄膜が電子線による加熱その他の原因により破損し
たときに、その金属薄膜の交換を容易に行い得るように
設計するのが望ましい。

【００３２】加速された電子は、試料１８を取り囲む真
空容器２に設けられた金属薄膜窓１３を通過して大気中
に入り、空気の層を通って照射対象である試料１８に衝
突する。すなわち、加速された電子は、金属薄膜窓１３
を通過する際に金属薄膜内の金属分子により散乱されて
内壁４内の大気中に放出され、更にこの大気中の分子で
散乱されて急速に広がって試料１８の表面に衝突する。
そのため、電子線が試料１８に達したときには真空容器
２内を走っているときより遥かに大きなビーム断面を持
ち、電子線の間隔が狭ければ隣接の電子線と近接あるい
は重なり合って、試料１８の表面の全周に亘ってほぼ一
様な線量の電子線照射がなされることとなる。この場
合、金属薄膜窓１３の金属薄膜と試料１８との間の距離
および電子線の本数（ビーム数）を適宜に選ぶことによ
り、試料１８の表面に衝突するときの電子密度をほぼ一
様とし、試料１８の表面に均等の線量を与えることが可
能である。

【００３３】図３はこの種の直流電場加速方式の電子線
照射装置１の具体例を示すものであって、本装置１は２
００ＫｅＶ照射器の例である。本例の場合には、真空容
器２の壁を加速電流量に応じて３０〜５０ｍｍの鉄で構
成し、発生するＸ線の遮蔽を兼ねたものとなっている。
さらに、真空容器２の外径は約７００ｍｍ，軸方向の長
さは約６００ｍｍであり、装置の設置場所を広くとらな
いで済む小型寸法のものである。

【００３４】なお、多数の電子線照射装置１を使用する
場合には、共通の高電圧源からケーブルで加速電力を供
給するように構成できる。この場合の消費電力は必要線
量を与えるためのビーム電力が大部分を占め、全照射処
理工程の電力効率は高い。

【００３５】ところで、直流電場加速方式の電子線照射
装置１にあっては、真空容器２内の電子軌道の収束が良
好であれば電子線（ビーム）が金属薄膜窓１３を通過す
る割合が大きいが、それでも金属薄膜窓１３以外の部分
に当たって失われる電子があり、それに起因して熱を発
生すると共に有害なＸ線が放出される。そのため、Ｘ線
の放出量を極力少なくすべく、電子の衝突が予想される
場所の冷却および放射線遮蔽を充分に考慮した設計が必
要である。

【００３６】Ｘ線は金属薄膜や照射試料でも発生するか
ら、それらの遮蔽もしなければならないが、試料１８が
原子番号の小さい元素で構成される場合はＸ線の発生量
は少ないので、金属隔膜から発生されるＸ線の遮蔽のみ
を考えれば良い。この場合の照射装置の構造は、Ｘ線の
遮蔽設計が容易であるという特徴がある。

【００３７】次に、図２に示す高周波電場加速方式の電
子線照射装置２０の構成について述べると、以下の通り
である。すなわち、本装置２０は、図２に示すように、
両端を短絡した導体の同軸円筒（外導体２１および内導
体２２）から成る１／２波長同軸共振器２３を具備して
おり、外導体２１の外周側に同軸状に設けられた環状突
出部２４内に、周方向および軸心方向に沿ってそれぞれ
等間隔に配置された複数の電子銃７から成る環状電子源
２５が内蔵されている。

【００３８】なお、図２において、２６は上述の環状電
子源２５のカバー（電子源カバー）、２７は電子線取り
出し用の孔またはスロット、２８は内導体２２に形成さ
れた複数の電子線取出し用の開口、２９はこれらの開口
２８を気密に覆うように金属薄膜が配設されて成る金属
薄膜窓である。

【００３９】また、試料３０が中心軸に沿って移動され
る内導体２２はアース電位に保たれ、外導体２１には高
周波励振器３１から高い高周波電圧が供給されるように
構成されている。かくして、共振モードが１／２波長共
振となる高周波で励振することにより、外導体２１と内
導体２２との間に高電圧が発生されてその間の空間に電
子線加速用の高周波電場が形成されるようになってい
る。

【００４０】この高周波電場加速方式の電子線照射装置
２０の場合も、既述の直流電場加速式の電子線照射装置
と同様に作動して試料３０の表面への電子線照射を行な
う。すなわち、環状電子源２５の複数の電子銃７から発
射された電子は孔またはスロット２７を通って１／２波
長同軸共振器２３の高周波電場内に至り、内導体２２の
中心軸上を移動している試料３０の中心軸に向けて加速
される。そして、加速された電子線が金属薄膜窓２９を
通過して内導体２２内の大気中に散乱され、試料３０の
軸心を中心とする全周囲の表面に電子線がほぼ一様に照
射される。

【００４１】なお、本例の如き高周波電場加速方式の電
子線照射装置２０の場合には、環状電子源２５は外導体
２１の部分に配置され、ほぼアース電位に保たれるの
で、電子銃７への電力の供給や制御が直流電場加速方式
の場合より容易であるという利点がある。

【００４２】また、電極の間の距離を同じとした場合に
は、高周波電圧のほうが直流電圧よりも放電しにくいの
で、電子をより高いエネルギーまで充分に加速できると
いう利点もある。

【００４３】更に、直流電場加速方式では、電子源カバ
ー１０の全ての面と真空容器２の壁との間隔を放電が発
生しない距離としなければならない関係上、真空容器２
の外径が大きくなってしまうが、高周波電場加速方式の
場合には上述のような制約がないので外導体２１の外径
を比較的小さくすることが可能である。

【００４４】しかし、他方では、高周波電場加速方式の
場合には１／２波長共振のために軸心方向に一定の長さ
が必要であるため、試料３０の走行方向に沿って長くな
る可能性がある。また、高周波電場加速方式では直流電
場加速方式に比べてより高いエネルギーの加速が可能で
あるが、電力効率は直流電場加速方式に劣る。

【００４５】従って、加速電場としては直流電場及び高
周波電場の何れでもよいが、それぞれの用途に必要な加
速エネルギー（電子線照射に必要な電子エネルギー）や
電流量、照射室のスペース等に応じて、適当なタイプを
選択するのが望ましい。

【００４６】以上、本発明の実施例につき述べたが、本
発明はこの実施例に限定されるものではなく、本発明の
技術的思想に基づいて各種の変形及び変更が可能であ
る。

【００４７】例えば、既述の実施例では、何れの場合も
試料１８，３０を大気中で移動させて電子線照射を行な
うようにしているが、これに限定されない。すなわち、
電子は大気中を走る際に空気の分子を励起してオゾンや
窒素酸化物を発生するが、それらの化合物の発生を防ぐ
必要があるときは、試料１８，３０を照射する部分の大
気を窒素等の不活性気体に置き換えて無酸素状態にする
ような対策を採るようにしてもよい。図１および図２に
示す装置１，２０の構造は、このような対策を採るのに
適している。

【００４８】また、照射が行われる場所の電子線量を加
速電圧と電流強度とのパラメータとして予め測定してお
くことにより、試料の照射処理で与えた電子線量を連続
的にモニターすることが可能である。更に、試料の走行
速度を照射電流量で制御したり、あるいはその逆の制御
を行なうことにより、試料に与える電子線量を高い精度
でコントロールすることも可能である。

【００４９】更に、複数の電子銃７の各々から試料に照
射される電子線照射量を個々に変更して非対称照射を行
い得るように構成することも可能であり、必要に応じて
試料表面への線量付与を周囲の角度位置ごとに調整して
使用するようにしてもよい。

【００５０】

【発明の効果】以上の如く、本発明は、試料の中心軸を
取り囲む環状領域に沿って複数の電子源を配置し、前記
複数の電子源からそれぞれ放出される電子を前記試料の
中心軸に向けて加速するための直流電場または高周波電
場を発生せしめるように構成したものであるから、照射
処理すべき試料の表面形状が不規則な二次元的な広がり
を有するものであったりその断面が大きいものであって
も、大がかりな繰返し照射用の搬送設備や複数の加速器
を必要とすることなく、一基の加速器にて試料の全周を
同時に照射処理することができる。従って、本発明によ
れば、構成が簡単で低コストの電子線照射装置でありな
がら、試料の全周への電子線照射を１回の操作にて迅速
に能率良く行なうことができる。

【００５１】このため、従来の装置では電子線による処
理が困難あるいは非能率的とされてきた太いパイプ状の
試料や、断面の形状が単純でない二次元的な広がりを持
つ紐状の高分子試料の特性改善、あるいは医療材料の滅
菌等のための照射処理を容易に行なうことができ、ひい
ては電子線照射技術の産業応用対象の範囲を拡大でき
る。

【００５２】また、本発明に係る電子線照射装置は、試
料の回りに電子銃等の電子源を複数配設するような構造
のため、装置の設置面積が少なくて済み、しかも電子線
照射中に発生するＸ線の自己遮蔽のための設計が容易で
使用電力も少ないことから、既存の工場内に容易に設置
できるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した直流電場加速方式の電子線照
射装置を示すものであって、（ａ）は電子線照射装置の
水平断面図、（ｂ）は電子線照射装置の垂直断面図であ
る。

【図２】本発明を適用した高周波電場加速方式の電子線
照射装置を示すものであって、（ａ）は電子線照射装置
の水平断面図、（ｂ）は電子線照射装置の垂直断面図で
ある。

【図３】図１の直流電場加速方式の電子線照射装置の具
体例を示すものであって、（ａ）は電子線照射装置の水
平断面図、（ｂ）は電子線照射装置の垂直断面図であ
る。

【図４】従来より一般的に用いられている３００ＫｅＶ
〜５ＭｅＶの産業用直流電子線照射装置の構成概念図で
ある。

【図５】平行な電子線が試料に照射された場合に試料の
一部に電子線が照射されない部分が生じることを説明す
るための説明図である。

【図６】磁場を利用して電子線を曲げることにより、径
の大きい試料の全周を同時に照射するようにした電子線
照射装置の提案例を説明するための説明図である。

【図７】複数個の電子線照射装置を使用して試料の全周
を同時に照射するようにした提案例を説明するためのも
のであって、（ａ）はその装置の平面図、（ｂ）はその
装置の側面図である。

【図８】従来より用いられている３００ＫｅＶ以下の非
掃引型産業用直流電子線照射装置を示すものであって、
（ａ）はその装置の水平断面図、（ｂ）は垂直断面図で
ある。

【図９】電線等の紐状の試料を往復照射してその全周を
照射処理するのに用いられる従来の電子線照射装置を示
すものであって、（ａ）はその装置の側面図、（ｂ）は
その装置の平面図である。

【符号の説明】

１直流電場加速方式の電子線照射装置２真空容器７電子源としての電子銃８環状電子源１０電子源カバー１３金属薄膜窓１６直流電源１８試料２０高周波電場加速方式の電子線照射装置２１外導体２２内導体２３１／２波長同軸共振器２５環状電子源２６電子源カバー２９金属薄膜窓３０試料３１高周波励振器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】試料の中心軸を取り囲む環状領域に沿っ
て複数の電子源を配置し、前記複数の電子源からそれぞ
れ放出される電子を前記試料の中心軸に向けて加速する
ための直流電場または高周波電場を発生せしめるように
構成したことを特徴とする電子線照射装置。
【請求項２】前記複数の電子源が環状の真空容器の中
に配置されると共に、前記試料が前記真空容器の中心部
の大気中に置かれ、前記複数の電子源からそれぞれ放出
される電子の加速が真空に保たれた空間で直流電場によ
りなされ、加速の終了した電子が前記真空容器の金属薄
膜窓を通って前記試料の全周に照射されるようにしたこ
とを特徴とする請求項１に記載の電子線照射装置。
【請求項３】前記複数の電子源が外導体と内導体とを
有する１／２波長同軸共振器の中に配置されると共に、
前記試料が前記内導体の中心部の大気中に置かれ、前記
複数の電子源からそれぞれ放出される電子の加速が前記
１／２波長同軸共振器内の高周波電場によりなされ、加
速の終了した電子が前記内導体の金属薄膜窓を通って前
記試料の全周に照射されるようにしたことを特徴とする
請求項１に記載の電子線照射装置。
【請求項４】前記複数の電子源の各々から前記試料に
照射される電子線照射量を個々に変更して非対称照射を
行ない得るように構成したことを特徴とする請求項１乃
至請求項３の何れか１項に記載の電子線照射装置。
【請求項５】前記試料の断面形状が単純形状でなく、
二次元的な広がりを持つものであることを特徴とする請
求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の電子線照射装
置。
【請求項６】前記試料が紐状またはパイプ状のもので
あり、その軸心方向に沿って移動されつつ電子線照射さ
れるようにしたことを特徴とする請求項１乃至請求項５
の何れか１項に記載の電子線照射装置。