JP2002309373A - 化学気相成長用原料及び金属化合物 - Google Patents
化学気相成長用原料及び金属化合物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学気相成長（ＣＶＤ）法による希土類元素
を含む機能性セラミックスの製造に適した希土類元素の
金属化合物を用いた化学気相成長（ＣＶＤ）用原料及び
これに用いられる金属化合物を提供する。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表される金属化合物
を含有してなる化学気相成長用原料。 【化１】
を含む機能性セラミックスの製造に適した希土類元素の
金属化合物を用いた化学気相成長（ＣＶＤ）用原料及び
これに用いられる金属化合物を提供する。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表される金属化合物
を含有してなる化学気相成長用原料。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特定の分子構造を
有する金属化合物を含有してなる化学気相成長（ＣＶ
Ｄ）法用原料及びこれに用いられる特定の金属化合物に
関し、詳しくは、特定の分子構造を有するβ−ジケトン
錯体であるトリスβ−ジケトネート化合物を含有してな
る化学気相成長（ＣＶＤ）用原料及びこれに用いられる
特定の金属化合物に関する。
有する金属化合物を含有してなる化学気相成長（ＣＶ
Ｄ）法用原料及びこれに用いられる特定の金属化合物に
関し、詳しくは、特定の分子構造を有するβ−ジケトン
錯体であるトリスβ−ジケトネート化合物を含有してな
る化学気相成長（ＣＶＤ）用原料及びこれに用いられる
特定の金属化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】希土類
元素を含む機能性セラミックスは、特異な電気特性、光
学特性を有するので、半導体、電子部品、光学部品等に
応用が期待されており、特に高温超電導体、半導体メモ
リ、光通信用回路等への応用が検討されている。
元素を含む機能性セラミックスは、特異な電気特性、光
学特性を有するので、半導体、電子部品、光学部品等に
応用が期待されており、特に高温超電導体、半導体メモ
リ、光通信用回路等への応用が検討されている。
【０００３】その中でも、希土類元素をドープした光学
ガラスは、特異的な光学特性を有するので、レーザ発信
器、光ファイバ、光導波路、光増幅器等に応用されてお
り、これらを用いた光通信用回路は高速大容量通信シス
テムを実現するものとして期待されている。特にプラセ
オジム、エルビウム、ツリウムは、光増幅器のドーパン
トとして優れた性質を有しており有用な元素である。こ
れらについては、例えば、マテリアルインテグレーショ
ンＶｏｌ．１３、Ｎｏ．９（２０００）、化学工業時報
（平成１２年８月５日）に記載がある。
ガラスは、特異的な光学特性を有するので、レーザ発信
器、光ファイバ、光導波路、光増幅器等に応用されてお
り、これらを用いた光通信用回路は高速大容量通信シス
テムを実現するものとして期待されている。特にプラセ
オジム、エルビウム、ツリウムは、光増幅器のドーパン
トとして優れた性質を有しており有用な元素である。こ
れらについては、例えば、マテリアルインテグレーショ
ンＶｏｌ．１３、Ｎｏ．９（２０００）、化学工業時報
（平成１２年８月５日）に記載がある。
【０００４】これら希土類元素を含む機能性セラミック
スの製造法としては、火焔堆積法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法、塗布熱分解法やゾルゲル法等
のＭＯＤ法が挙げられるが、組成制御性、段差被覆性に
優れること、半導体デバイスと類似のプロセスを用いる
ことが可能で量産化に適すること、ハイブリッド集積が
可能である等の多くの長所を有しているので、化学気相
成長（以下、ＣＶＤと記載することもある）法が最適な
製造プロセスである。
スの製造法としては、火焔堆積法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法、塗布熱分解法やゾルゲル法等
のＭＯＤ法が挙げられるが、組成制御性、段差被覆性に
優れること、半導体デバイスと類似のプロセスを用いる
ことが可能で量産化に適すること、ハイブリッド集積が
可能である等の多くの長所を有しているので、化学気相
成長（以下、ＣＶＤと記載することもある）法が最適な
製造プロセスである。
【０００５】上記のＣＶＤ法に使用される原料として
は、所望のセラミックスを構成する金属元素を気相の状
態で容易に供給することができる化合物、即ち、揮発性
が大きく、安定して揮発させることのできる金属化合物
が求められており、また、原料の輸送等の操作性が良好
である液体の温度域の大きいものが求められている。
は、所望のセラミックスを構成する金属元素を気相の状
態で容易に供給することができる化合物、即ち、揮発性
が大きく、安定して揮発させることのできる金属化合物
が求められており、また、原料の輸送等の操作性が良好
である液体の温度域の大きいものが求められている。
【０００６】希土類元素のＣＶＤ原料としては、従来
は、２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−
ジオン（ＴＨＤ）、ヘキサフルオロアセチルアセトン
（ＨＦＡ）のβ−ジケトン錯体が用いられてきた。これ
らは、高融点の固体なので、ライン中での析出、詰まり
等が発生する場合があり、インラインでの原料の輸送性
に問題点があった。また、原料の気化工程において、昇
華現象でガス化させるか、あるいは、融点以上の高温に
原料を保つ必要があり、揮発量不足、経時変化等の原料
ガス安定供給性に問題があった。
は、２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−
ジオン（ＴＨＤ）、ヘキサフルオロアセチルアセトン
（ＨＦＡ）のβ−ジケトン錯体が用いられてきた。これ
らは、高融点の固体なので、ライン中での析出、詰まり
等が発生する場合があり、インラインでの原料の輸送性
に問題点があった。また、原料の気化工程において、昇
華現象でガス化させるか、あるいは、融点以上の高温に
原料を保つ必要があり、揮発量不足、経時変化等の原料
ガス安定供給性に問題があった。
【０００７】上記の問題点に対し、比較的低融点の金属
化合物の使用が提案されている。例えば、Ｊ．ｉｎｏｒ
ｇ．ｎｕｃｌ．Ｃｈｅｍ．，３３（１９７１）に２，２
−ジメチル−６，６，７，７，８，８，８−ヘプタフル
オロオクタン−３，５−ジオン（ＦＯＤ）の錯体、特開
平９−４１１４４号公報には、６−エチル−２，２−ジ
メチル−３，５−オクタンジオンの錯体、特開平９−２
２８０４９号公報には２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−オクタンジオンの錯体が報告されているが、上
記の問題に対して充分に満足できるものではない。ま
た、特開平９−１３６８５７号公報に金属化合物に対し
液体状態を与えるエーテル鎖を有するβ−ジケトンの金
属化合物が報告されているが、希土類元素の金属化合物
については、具体的に記載されていない。
化合物の使用が提案されている。例えば、Ｊ．ｉｎｏｒ
ｇ．ｎｕｃｌ．Ｃｈｅｍ．，３３（１９７１）に２，２
−ジメチル−６，６，７，７，８，８，８−ヘプタフル
オロオクタン−３，５−ジオン（ＦＯＤ）の錯体、特開
平９−４１１４４号公報には、６−エチル−２，２−ジ
メチル−３，５−オクタンジオンの錯体、特開平９−２
２８０４９号公報には２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−オクタンジオンの錯体が報告されているが、上
記の問題に対して充分に満足できるものではない。ま
た、特開平９−１３６８５７号公報に金属化合物に対し
液体状態を与えるエーテル鎖を有するβ−ジケトンの金
属化合物が報告されているが、希土類元素の金属化合物
については、具体的に記載されていない。
【０００８】従って、本発明の目的は、化学気相成長
（ＣＶＤ）法による希土類元素を含む機能性セラミック
スの製造に適した希土類元素の金属化合物を用いた化学
気相成長（ＣＶＤ）用原料及びこれに用いられる金属化
合物を提供することにある。
（ＣＶＤ）法による希土類元素を含む機能性セラミック
スの製造に適した希土類元素の金属化合物を用いた化学
気相成長（ＣＶＤ）用原料及びこれに用いられる金属化
合物を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、検討を重
ねた結果、特定の分子構造を有するβ−ジケトン化合物
を用いた金属化合物が、上記の問題点を解決し得ること
を知見し、本発明に到達した。
ねた結果、特定の分子構造を有するβ−ジケトン化合物
を用いた金属化合物が、上記の問題点を解決し得ること
を知見し、本発明に到達した。
【００１０】本発明は、上記知見に基づいてなされたも
のであり、下記一般式（Ｉ）で表される金属化合物（ト
リスβ−ジケトネート）を含有してなる化学気相成長
（ＣＶＤ）用原料に関する。
のであり、下記一般式（Ｉ）で表される金属化合物（ト
リスβ−ジケトネート）を含有してなる化学気相成長
（ＣＶＤ）用原料に関する。
【化３】
【００１１】また、本発明は、上記のＣＶＤ原料に用い
られる下記一般式（II）で表される新規の金属化合物に
関する。
られる下記一般式（II）で表される新規の金属化合物に
関する。
【化４】
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１３】本発明に係る上記一般式（Ｉ）で表される
金属化合物において、Ｍで表される希土類元素として
は、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウ
ム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウ
ム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプ
ロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテ
ルビウム、ルテチウムが挙げられる。
金属化合物において、Ｍで表される希土類元素として
は、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウ
ム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウ
ム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプ
ロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテ
ルビウム、ルテチウムが挙げられる。
【００１４】また、Ｒ1 又はＲ2 で表される炭素数１〜
８のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、イソブチル、第二ブチル、第三
ブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、１−エチル
ブチル、１，１−ジメチルプロピル、１−メチルペンチ
ル、１，１−ジメチルブチル、ヘキシル、シクロヘキシ
ル、ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、１−エチ
ルペンチル、１−メチルシクロヘキシル、ｎ−オクチ
ル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル
が挙げられる。
８のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、イソブチル、第二ブチル、第三
ブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、１−エチル
ブチル、１，１−ジメチルプロピル、１−メチルペンチ
ル、１，１−ジメチルブチル、ヘキシル、シクロヘキシ
ル、ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、１−エチ
ルペンチル、１−メチルシクロヘキシル、ｎ−オクチ
ル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル
が挙げられる。
【００１５】さらに、Ｒ1 又はＲ2 で表される鎖中に１
〜３個の酸素原子を含んでもよい炭素数６〜１０のアル
キル基としては、１−エチルブチル、１−メチルペンチ
ル、１，１−ジメチルブチル、ヘキシル、シクロヘキシ
ル、１−メチルシクロヘキシル、ヘプチル、イソヘプチ
ル、第三ヘプチル、１−エチルペンチル、ｎ−オクチ
ル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシ
ル、１−（２−メトキシエトキシ）−１−メチルエチ
ル、２−（２−メトキシエトキシ）−１−メチルエチ
ル、２−（２−メトキシエトキシ）−１，１−ジメチル
エチル、２−（２−メトキシエトキシ）エトキシメチ
ル、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エ
チル、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］
−１，１−ジメチルエチル等が挙げられる。
〜３個の酸素原子を含んでもよい炭素数６〜１０のアル
キル基としては、１−エチルブチル、１−メチルペンチ
ル、１，１−ジメチルブチル、ヘキシル、シクロヘキシ
ル、１−メチルシクロヘキシル、ヘプチル、イソヘプチ
ル、第三ヘプチル、１−エチルペンチル、ｎ−オクチ
ル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシ
ル、１−（２−メトキシエトキシ）−１−メチルエチ
ル、２−（２−メトキシエトキシ）−１−メチルエチ
ル、２−（２−メトキシエトキシ）−１，１−ジメチル
エチル、２−（２−メトキシエトキシ）エトキシメチ
ル、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エ
チル、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］
−１，１−ジメチルエチル等が挙げられる。
【００１６】これらの中でも、上記一般式（II）で表さ
れる金属化合物は、特に原料供給性及び原料輸送性に優
れるので、ＣＶＤ原料として好ましいものである。
れる金属化合物は、特に原料供給性及び原料輸送性に優
れるので、ＣＶＤ原料として好ましいものである。
【００１７】上記一般式（II）において、Ｍは、上記一
般式（Ｉ）と同様に希土類元素を表し、Ｒ3 及びＲ
4 は、一方が第三ブチルを表し、他方が１−エチルペン
チル又は２−（２−メトキシエトキシ）−１，１−ジメ
チルエチルを表す。
般式（Ｉ）と同様に希土類元素を表し、Ｒ3 及びＲ
4 は、一方が第三ブチルを表し、他方が１−エチルペン
チル又は２−（２−メトキシエトキシ）−１，１−ジメ
チルエチルを表す。
【００１８】上記のＭで表される希土類元素は、得られ
る機能性セラミックスの組成により、任意に選ばれるも
のである。例えば、酸化銅系高温超電導体の原料として
は、イットリウム、ランタン、セリウム、ネオジム、サ
マリウム、イッテルビウムが挙げられ、強誘電体半導体
メモリの原料としては、ランタン、プラセオジムが挙げ
られ、光ファイバ増幅器用のドーパント原料としては、
プラセオジム、エルビウム、ツリウムが挙げられる。
る機能性セラミックスの組成により、任意に選ばれるも
のである。例えば、酸化銅系高温超電導体の原料として
は、イットリウム、ランタン、セリウム、ネオジム、サ
マリウム、イッテルビウムが挙げられ、強誘電体半導体
メモリの原料としては、ランタン、プラセオジムが挙げ
られ、光ファイバ増幅器用のドーパント原料としては、
プラセオジム、エルビウム、ツリウムが挙げられる。
【００１９】本発明に係る上記の金属化合物の具体例と
しては、例えば、下記に例示する化合物Ｎｏ１〜８が挙
げられる。尚、下記式では、便宜上Ｒ1 とＲ2 又はＲ3
とＲ4 を区別した形で記載しているが、これは、金属原
子と配位子であるβ−ジケトンとの錯体化合物を表す方
法の一つであり、Ｒ1 とＲ2 又はＲ3 とＲ4 を厳密に区
別しているものではない。化合物Ｎｏ．１〜８は、２５
℃で液体又はガラス状の固体であり、１３０℃の低温度
で充分な流動性を有する液体であるので、ＣＶＤ原料と
して輸送性に特に優れるので好ましい。
しては、例えば、下記に例示する化合物Ｎｏ１〜８が挙
げられる。尚、下記式では、便宜上Ｒ1 とＲ2 又はＲ3
とＲ4 を区別した形で記載しているが、これは、金属原
子と配位子であるβ−ジケトンとの錯体化合物を表す方
法の一つであり、Ｒ1 とＲ2 又はＲ3 とＲ4 を厳密に区
別しているものではない。化合物Ｎｏ．１〜８は、２５
℃で液体又はガラス状の固体であり、１３０℃の低温度
で充分な流動性を有する液体であるので、ＣＶＤ原料と
して輸送性に特に優れるので好ましい。
【００２０】
【化５】
【００２１】本発明に係る上記の金属化合物において、
その製造方法は、特に制限を受けることはなく、希土類
元素の塩とβ−ジケトンとの反応等の周知一般の方法を
用いることができる。例えば、塩化物、硝酸塩等の無機
塩又はその水和物と、該当するβ−ジケトン化合とを水
酸化ナトリウム、アンモニア、アミン等の塩基の存在下
で反応させて製造してもよく、トリメトキシド、トリエ
トキシド、トリイソプロポキシド、トリブトキシド等の
低分子アルコールのアルコキシドと該当する配位子化合
物との交換反応により製造してもよい。
その製造方法は、特に制限を受けることはなく、希土類
元素の塩とβ−ジケトンとの反応等の周知一般の方法を
用いることができる。例えば、塩化物、硝酸塩等の無機
塩又はその水和物と、該当するβ−ジケトン化合とを水
酸化ナトリウム、アンモニア、アミン等の塩基の存在下
で反応させて製造してもよく、トリメトキシド、トリエ
トキシド、トリイソプロポキシド、トリブトキシド等の
低分子アルコールのアルコキシドと該当する配位子化合
物との交換反応により製造してもよい。
【００２２】また、本発明に係る金属化合物の配位子で
ある上記のβ−ジケトン化合物は、該当するケトンと有
機酸エステル、酸ハライド等の有機酸の反応性誘導体と
の公知の縮合反応等によって得られる。例えば、６−エ
チル−２，２−ジメチルデカン−３，５−ジオンは、ピ
ナコリンと２−エチルヘキサン酸フェニルをナトリウム
アミドで縮合させることにより得ることができる。
ある上記のβ−ジケトン化合物は、該当するケトンと有
機酸エステル、酸ハライド等の有機酸の反応性誘導体と
の公知の縮合反応等によって得られる。例えば、６−エ
チル−２，２−ジメチルデカン−３，５−ジオンは、ピ
ナコリンと２−エチルヘキサン酸フェニルをナトリウム
アミドで縮合させることにより得ることができる。
【００２３】本発明の化学気相成長（ＣＶＤ）用原料と
は、上記の金属化合物を含有してなるものであり、その
形態は、使用されるＣＶＤ法の輸送供給方法等の手法に
より適宜選択されるものである。
は、上記の金属化合物を含有してなるものであり、その
形態は、使用されるＣＶＤ法の輸送供給方法等の手法に
より適宜選択されるものである。
【００２４】輸送供給方法としては、ＣＶＤ用原料を原
料容器中で加熱及び／又は減圧することにより気化さ
せ、必要に応じて用いられるアルゴン、窒素、ヘリウム
等のキャリアガスと共に堆積反応部へと導入する気体輸
送法、ＣＶＤ用原料を液体又は溶液の状態で気化室まで
輸送し、気化室で加熱及び／又は減圧することにより気
化させて、堆積反応部へと導入する液体輸送法がある。
気体輸送法の場合は、上記の金属化合物そのものがＣＶ
Ｄ用原料となり、液体輸送法の場合は、該金属化合物そ
のもの又は該金属化合物を有機溶剤に溶かした金属化合
物溶液がＣＶＤ用原料となる。
料容器中で加熱及び／又は減圧することにより気化さ
せ、必要に応じて用いられるアルゴン、窒素、ヘリウム
等のキャリアガスと共に堆積反応部へと導入する気体輸
送法、ＣＶＤ用原料を液体又は溶液の状態で気化室まで
輸送し、気化室で加熱及び／又は減圧することにより気
化させて、堆積反応部へと導入する液体輸送法がある。
気体輸送法の場合は、上記の金属化合物そのものがＣＶ
Ｄ用原料となり、液体輸送法の場合は、該金属化合物そ
のもの又は該金属化合物を有機溶剤に溶かした金属化合
物溶液がＣＶＤ用原料となる。
【００２５】また、多成分系薄膜を製造する多成分系の
ＣＶＤ法においては、ＣＶＤ用原料を各成分独立で気
化、供給する方法（以下、シングルソース法と記載する
こともある）と、多成分原料を予め所望の組成で混合し
た混合原料を気化、供給する方法（以下、カクテルソー
ス法と記載することもある）がある。カクテルソース法
の場合、本発明に係る金属化合物と他の成分の金属供給
源化合物との混合物或いは混合溶液がＣＶＤ用原料であ
る。
ＣＶＤ法においては、ＣＶＤ用原料を各成分独立で気
化、供給する方法（以下、シングルソース法と記載する
こともある）と、多成分原料を予め所望の組成で混合し
た混合原料を気化、供給する方法（以下、カクテルソー
ス法と記載することもある）がある。カクテルソース法
の場合、本発明に係る金属化合物と他の成分の金属供給
源化合物との混合物或いは混合溶液がＣＶＤ用原料であ
る。
【００２６】上記のＣＶＤ用原料に使用する有機溶剤と
しては、特に制限を受けることはなく周知一般の有機溶
剤を用いることができる。該有機溶剤としては、例え
ば、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−
ブタノール等のアルコール類；酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、酢酸メトキシエチル等の酢酸エステル類、エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエー
テル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等のエ
ーテルアルコール類；テトラヒドロフラン、エチレング
リコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジブチルエーテル等のエーテル類；メチルブチルケ
トン、メチルイソブチルケトン、エチルブチルケトン、
ジプロピルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミル
ケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等
のケトン類；ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロ
ヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、トルエン、キシレン等の炭化水素類が挙げられ、こ
れらは、溶質の溶解性、使用温度と沸点、引火点の関係
等によって適宜選択される。
しては、特に制限を受けることはなく周知一般の有機溶
剤を用いることができる。該有機溶剤としては、例え
ば、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−
ブタノール等のアルコール類；酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、酢酸メトキシエチル等の酢酸エステル類、エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエー
テル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等のエ
ーテルアルコール類；テトラヒドロフラン、エチレング
リコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジブチルエーテル等のエーテル類；メチルブチルケ
トン、メチルイソブチルケトン、エチルブチルケトン、
ジプロピルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミル
ケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等
のケトン類；ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロ
ヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、トルエン、キシレン等の炭化水素類が挙げられ、こ
れらは、溶質の溶解性、使用温度と沸点、引火点の関係
等によって適宜選択される。
【００２７】上記の他の成分の金属供給源化合物として
は、特に制限を受けず周知一般のＣＶＤ原料となる化合
物を用いることができる。該金属供給源化合物として
は、アルコール化合物、グリコール化合物、β−ジケト
ン化合物、シクロペンタジエン化合物等の１種類又は２
種類以上の有機配位化合物と金属との化合物が挙げられ
る。
は、特に制限を受けず周知一般のＣＶＤ原料となる化合
物を用いることができる。該金属供給源化合物として
は、アルコール化合物、グリコール化合物、β−ジケト
ン化合物、シクロペンタジエン化合物等の１種類又は２
種類以上の有機配位化合物と金属との化合物が挙げられ
る。
【００２８】上記の他の成分の金属供給源化合物として
は、例えば、光学ガラスの場合は、珪素化合物として
は、モノシラン、ジシラン、トリメチルシラン、トリエ
チルシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシ
ラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシ
シラン、テトラブトキシシラン、オクタメチルシクロテ
トラシロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサ
エトキシジシロキサン、トリメトキシメチルシラン、ト
リエトキシメチルシラン、トリメチルメトキシシラン、
トリメチルエトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン
等が挙げられ、硼素化合物としては、ボラン、ジボラ
ン、トリメチルボレート、トリエチルボレート、トリメ
チル硼素、トリエチル硼素等が挙げられ、リン化合物と
しては、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェ
ート、トリプロピルホスフェート、トリイソプロピルホ
スフェート、トリブチルホスフェート、トリメチルホス
ファイト、トリエチルホスファイト、トリプロピルホス
ファイト、トリイソプロピルホスファイト等が挙げら
れ、珪素−硼素化合物及び珪素−リン化合物としては、
特開平２−１２９１６号公報に記載のトリス（トリメチ
ルシリル）ボレート、ジメチル（トリメチルシリル）ホ
スファイト等が挙げられ、ゲルマニウム化合物として
は、ゲルマン、テトラメトキシゲルマニウム、テトラエ
トキシゲルマニウム、テトラプロポキシゲルマニウム、
テトライソプロポキシゲルマニウム、テトラメチルゲル
マニウム、テトラエチルゲルマニウム等が挙げられ、チ
タン化合物としては、テトラメトキシチタン、テトラエ
トキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブ
トキシチタン、ビス（２，２，６，６−テトラメチルヘ
プタン−３，５−ジオナト）ジイソプロポキシチタン、
テトラキス（２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−
３，５−ジオナト）チタン、ビス（２，２，６，６−テ
トラメチルヘプタン−３，５−ジオナト）チタン−２−
メチルペンタン−２，４−ジオキシド等が挙げられ、ア
ルミニウム化合物としては、トリメチルアルミニウム、
トリエチルアルミニウム、トリブチルアルミニウム、ト
リメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、
トリイソプロポキシアルミニウム、トリス（２，２，
６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオナト）ア
ルミニウム等が挙げられる。
は、例えば、光学ガラスの場合は、珪素化合物として
は、モノシラン、ジシラン、トリメチルシラン、トリエ
チルシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシ
ラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシ
シラン、テトラブトキシシラン、オクタメチルシクロテ
トラシロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサ
エトキシジシロキサン、トリメトキシメチルシラン、ト
リエトキシメチルシラン、トリメチルメトキシシラン、
トリメチルエトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン
等が挙げられ、硼素化合物としては、ボラン、ジボラ
ン、トリメチルボレート、トリエチルボレート、トリメ
チル硼素、トリエチル硼素等が挙げられ、リン化合物と
しては、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェ
ート、トリプロピルホスフェート、トリイソプロピルホ
スフェート、トリブチルホスフェート、トリメチルホス
ファイト、トリエチルホスファイト、トリプロピルホス
ファイト、トリイソプロピルホスファイト等が挙げら
れ、珪素−硼素化合物及び珪素−リン化合物としては、
特開平２−１２９１６号公報に記載のトリス（トリメチ
ルシリル）ボレート、ジメチル（トリメチルシリル）ホ
スファイト等が挙げられ、ゲルマニウム化合物として
は、ゲルマン、テトラメトキシゲルマニウム、テトラエ
トキシゲルマニウム、テトラプロポキシゲルマニウム、
テトライソプロポキシゲルマニウム、テトラメチルゲル
マニウム、テトラエチルゲルマニウム等が挙げられ、チ
タン化合物としては、テトラメトキシチタン、テトラエ
トキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブ
トキシチタン、ビス（２，２，６，６−テトラメチルヘ
プタン−３，５−ジオナト）ジイソプロポキシチタン、
テトラキス（２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−
３，５−ジオナト）チタン、ビス（２，２，６，６−テ
トラメチルヘプタン−３，５−ジオナト）チタン−２−
メチルペンタン−２，４−ジオキシド等が挙げられ、ア
ルミニウム化合物としては、トリメチルアルミニウム、
トリエチルアルミニウム、トリブチルアルミニウム、ト
リメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、
トリイソプロポキシアルミニウム、トリス（２，２，
６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオナト）ア
ルミニウム等が挙げられる。
【００２９】本発明のＣＶＤ用原料には、必要に応じて
金属化合物の安定性を付与するため求核性試薬を含有し
てもよい。該求核試薬としては、グライム、ジグライ
ム、トリグライム、テトラグライム等のエチレングリコ
ールエーテル類、１８−クラウン−６、ジシクロヘキシ
ル−１８−クラウン−６、２４−クラウン−８、ジシク
ロヘキシル−２４−クラウン−８、ジベンゾ−２４−ク
ラウン−８等のクラウンエーテル類、エチレンジアミ
ン、Ｎ, Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ジエチ
レントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチ
レンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、１，１，
４，７，７−ペンタメチルジエチレントリアミン、１，
１，４，７，１０，１０−ヘキサメチルトリエチレンテ
トラミン等のポリアミン類、サイクラム、サイクレン等
の環状ポリアミン類、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エ
チル、アセト酢酸−２−メトキシエチル等のβ−ケトエ
ステル類又はβ−ジケトン類が挙げられ、これら安定剤
の使用量は、金属化合物１モルに対して０．１モル〜１
０モルの範囲で使用され、好ましくは１〜４モルで使用
される。
金属化合物の安定性を付与するため求核性試薬を含有し
てもよい。該求核試薬としては、グライム、ジグライ
ム、トリグライム、テトラグライム等のエチレングリコ
ールエーテル類、１８−クラウン−６、ジシクロヘキシ
ル−１８−クラウン−６、２４−クラウン−８、ジシク
ロヘキシル−２４−クラウン−８、ジベンゾ−２４−ク
ラウン−８等のクラウンエーテル類、エチレンジアミ
ン、Ｎ, Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ジエチ
レントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチ
レンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、１，１，
４，７，７−ペンタメチルジエチレントリアミン、１，
１，４，７，１０，１０−ヘキサメチルトリエチレンテ
トラミン等のポリアミン類、サイクラム、サイクレン等
の環状ポリアミン類、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エ
チル、アセト酢酸−２−メトキシエチル等のβ−ケトエ
ステル類又はβ−ジケトン類が挙げられ、これら安定剤
の使用量は、金属化合物１モルに対して０．１モル〜１
０モルの範囲で使用され、好ましくは１〜４モルで使用
される。
【００３０】本発明のＣＶＤ用原料は、ＣＶＤのプロセ
ス、製造されるセラミックスの用途及び組成等の使用方
法により何ら制限を受けることなく用いることができ
る。
ス、製造されるセラミックスの用途及び組成等の使用方
法により何ら制限を受けることなく用いることができ
る。
【００３１】上記のＣＶＤプロセスは、原料の輸送供給
方法、成膜方法等があり、例えば、輸送供給方法として
は、上記の気体輸送法、液体輸送法、シングルソース
法、カクテルソース法等が挙げられ、成膜法としては、
熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等の方法を挙げる
ことができる。
方法、成膜方法等があり、例えば、輸送供給方法として
は、上記の気体輸送法、液体輸送法、シングルソース
法、カクテルソース法等が挙げられ、成膜法としては、
熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等の方法を挙げる
ことができる。
【００３２】上記の用途、組成については、例えば、高
温超電導体用途の組成として、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 −δ
（ＹＢＣ）型酸化物やＹＢＣ型酸化物のＹサイトの一部
又は全部をランタン、セリウム、ネオジム、サマリウ
ム、イッテルビウム等のランタノイド元素で置換したＲ
ＥＢＣ型酸化物が挙げられ、強誘電体メモリ用途として
はランタン添加チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＬＺＴ）が挙
げられ、光ファイバ増幅器用途等の光学ガラスの組成と
しては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ゲルマニウ
ム、酸化チタンから選ばれる１種以上からなるシリカ系
ガラス；フッ化ジルコニウム、フッ化バリウム、フッ化
ランタン、フッ化アルミニウム、フッ化ナトリウムから
選ばれる１種以上からなるフッ化物ガラス；テルライト
ガラス、硼酸ガラス、カルコゲナイトガラス、硫化物ガ
ラス、ビスマス系ガラス、リン酸珪酸ガラス、硼酸珪酸
ガラス等の光学ガラスにプラセオジム、エルビウム、ツ
リウムをドープしたものが挙げられる。
温超電導体用途の組成として、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 −δ
（ＹＢＣ）型酸化物やＹＢＣ型酸化物のＹサイトの一部
又は全部をランタン、セリウム、ネオジム、サマリウ
ム、イッテルビウム等のランタノイド元素で置換したＲ
ＥＢＣ型酸化物が挙げられ、強誘電体メモリ用途として
はランタン添加チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＬＺＴ）が挙
げられ、光ファイバ増幅器用途等の光学ガラスの組成と
しては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ゲルマニウ
ム、酸化チタンから選ばれる１種以上からなるシリカ系
ガラス；フッ化ジルコニウム、フッ化バリウム、フッ化
ランタン、フッ化アルミニウム、フッ化ナトリウムから
選ばれる１種以上からなるフッ化物ガラス；テルライト
ガラス、硼酸ガラス、カルコゲナイトガラス、硫化物ガ
ラス、ビスマス系ガラス、リン酸珪酸ガラス、硼酸珪酸
ガラス等の光学ガラスにプラセオジム、エルビウム、ツ
リウムをドープしたものが挙げられる。
【００３３】
【実施例】以下、製造実施例及び評価例をもって本発明
を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下の
製造実施例及び評価例によって何ら制限を受けるもので
はない。
を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下の
製造実施例及び評価例によって何ら制限を受けるもので
はない。
【００３４】［製造実施例１］ （化合物Ｎｏ．１の合成）アルゴン置換した２００ｍｌ
反応用フラスコに乾燥メタノール２０ｍｌ、６−エチル
−２，２−ジメチルデカン−３，５−ジオン４．７５
ｇ、水酸化ナトリウム０．８４ｇを仕込み、これに三硝
酸ランタン六水和物３．０３ｇと乾燥メタノール２０ｍ
ｌの混合物を加え、２５℃で８時間撹拌した。系内を減
圧濃縮して得られた残渣に乾燥ヘキサンを５０ｍｌ加
え、６０℃で加熱撹拌した後、濾過、脱溶媒を行い、得
られた残渣を、クーゲルロール分留器を用いて、１５０
〜２００℃、３３〜２３Ｐａで減圧蒸留を行い目的物で
ある軟化点１２３〜１２５℃のガラス状固体を４．７０
ｇ（収率８２．４％）得た。得られたガラス状固体につ
いて、以下の分析を行い目的物である化合物Ｎｏ．１で
あることを確認した。
反応用フラスコに乾燥メタノール２０ｍｌ、６−エチル
−２，２−ジメチルデカン−３，５−ジオン４．７５
ｇ、水酸化ナトリウム０．８４ｇを仕込み、これに三硝
酸ランタン六水和物３．０３ｇと乾燥メタノール２０ｍ
ｌの混合物を加え、２５℃で８時間撹拌した。系内を減
圧濃縮して得られた残渣に乾燥ヘキサンを５０ｍｌ加
え、６０℃で加熱撹拌した後、濾過、脱溶媒を行い、得
られた残渣を、クーゲルロール分留器を用いて、１５０
〜２００℃、３３〜２３Ｐａで減圧蒸留を行い目的物で
ある軟化点１２３〜１２５℃のガラス状固体を４．７０
ｇ（収率８２．４％）得た。得られたガラス状固体につ
いて、以下の分析を行い目的物である化合物Ｎｏ．１で
あることを確認した。
【００３５】（分析値） ＜元素分析＞炭素６１．８質量％（理論値６１．９０
％）、水素９．２６質量％（理論値９．２７７％）、ラ
ンタン１７．０質量％（理論値１７．０４％） ＜スペクトル分析＞ ＩＲ分析 ・β−ジケトンに特徴的な１６００ｃｍ-1のピークが無
いことを確認し、以下に示すβ−ジケトン錯体に特徴的
な吸収波数を確認した。２９５９ｃｍ-1、２９３１ｃｍ
-1、２８７３ｃｍ-1、２８５０ｃｍ-1、１５７３ｃ
ｍ-1、１５２９ｃｍ-1、１５０４ｃｍ-1。
％）、水素９．２６質量％（理論値９．２７７％）、ラ
ンタン１７．０質量％（理論値１７．０４％） ＜スペクトル分析＞ ＩＲ分析 ・β−ジケトンに特徴的な１６００ｃｍ-1のピークが無
いことを確認し、以下に示すβ−ジケトン錯体に特徴的
な吸収波数を確認した。２９５９ｃｍ-1、２９３１ｃｍ
-1、２８７３ｃｍ-1、２８５０ｃｍ-1、１５７３ｃ
ｍ-1、１５２９ｃｍ-1、１５０４ｃｍ-1。
【００３６】［製造実施例２］ （化合物Ｎｏ．２の合成）アルゴン置換した５００ｍｌ
反応用フラスコに乾燥メタノール３５ｍｌ、６−エチル
−２，２−ジメチルデカン−３，５−ジオン１０．０
ｇ、水酸化ナトリウム１．７７ｇを仕込み、これに三硝
酸プラセオジム六水和物６．６７ｇと乾燥メタノール３
５ｍｌの混合物を加え、２５℃で４時間撹拌した。系内
を減圧濃縮して得られた残渣に乾燥ヘキサンを１５０ｍ
ｌ加え、６０℃で加熱撹拌した後、濾過、脱溶媒を行
い、得られた残渣を、クーゲルロール分留器を用いて、
１５０〜２００℃、４５〜２５Ｐａで減圧蒸留を行い目
的物である軟化点１０４〜１０５℃のガラス状固体を１
０．３５ｇ（収率８６．３％）得た。得られたガラス状
固体について、以下の分析を行い目的物である化合物Ｎ
ｏ．２であることを確認した。
反応用フラスコに乾燥メタノール３５ｍｌ、６−エチル
−２，２−ジメチルデカン−３，５−ジオン１０．０
ｇ、水酸化ナトリウム１．７７ｇを仕込み、これに三硝
酸プラセオジム六水和物６．６７ｇと乾燥メタノール３
５ｍｌの混合物を加え、２５℃で４時間撹拌した。系内
を減圧濃縮して得られた残渣に乾燥ヘキサンを１５０ｍ
ｌ加え、６０℃で加熱撹拌した後、濾過、脱溶媒を行
い、得られた残渣を、クーゲルロール分留器を用いて、
１５０〜２００℃、４５〜２５Ｐａで減圧蒸留を行い目
的物である軟化点１０４〜１０５℃のガラス状固体を１
０．３５ｇ（収率８６．３％）得た。得られたガラス状
固体について、以下の分析を行い目的物である化合物Ｎ
ｏ．２であることを確認した。
【００３７】（分析値） ＜元素分析＞炭素６１．６質量％（理論値６１．７５
％）、水素９．２２質量％（理論値９．２５４％）、プ
ラセオジム１７．２質量％（理論値１７．２５％） ＜スペクトル分析＞ ・ＩＲ分析 β−ジケトンに特徴的な１６００ｃｍ-1のピークが無い
ことを確認し、以下に示すβ−ジケトン錯体に特徴的な
吸収波数を確認した。２９５９ｃｍ-1、２９３０ｃ
ｍ-1、２８７３ｃｍ-1、２８５０ｃｍ-1、１５７１ｃｍ
-1、１５２９ｃｍ-1、１５０２ｃｍ-1。
％）、水素９．２２質量％（理論値９．２５４％）、プ
ラセオジム１７．２質量％（理論値１７．２５％） ＜スペクトル分析＞ ・ＩＲ分析 β−ジケトンに特徴的な１６００ｃｍ-1のピークが無い
ことを確認し、以下に示すβ−ジケトン錯体に特徴的な
吸収波数を確認した。２９５９ｃｍ-1、２９３０ｃ
ｍ-1、２８７３ｃｍ-1、２８５０ｃｍ-1、１５７１ｃｍ
-1、１５２９ｃｍ-1、１５０２ｃｍ-1。
【００３８】［製造実施例３］ （化合物Ｎｏ．３の合成）アルゴン置換した２００ｍｌ
反応用フラスコに乾燥メタノール５０ｍｌ、６−エチル
−２，２−ジメチルデカン−３，５−ジオン９．１６
ｇ、水酸化ナトリウム１．６２ｇを仕込み、これに三塩
化エルビウム水和物（塩素含有量２６．５％品）５．０
０ｇと乾燥メタノール５０ｍｌの混合物を加え、２５℃
で２時間撹拌した。系内を減圧濃縮して得られた残渣に
乾燥ヘキサンを８０ｍｌ加え、６０℃で加熱撹拌した
後、濾過、脱溶媒を行い、得られた残渣を、１９０〜２
１０℃、４５〜３０Ｐａで減圧蒸留を行い目的物である
液体９．８１ｇ（収率９３．１％）得た。得られた液体
について、以下の分析を行い目的物である化合物Ｎｏ．
３であることを確認した。
反応用フラスコに乾燥メタノール５０ｍｌ、６−エチル
−２，２−ジメチルデカン−３，５−ジオン９．１６
ｇ、水酸化ナトリウム１．６２ｇを仕込み、これに三塩
化エルビウム水和物（塩素含有量２６．５％品）５．０
０ｇと乾燥メタノール５０ｍｌの混合物を加え、２５℃
で２時間撹拌した。系内を減圧濃縮して得られた残渣に
乾燥ヘキサンを８０ｍｌ加え、６０℃で加熱撹拌した
後、濾過、脱溶媒を行い、得られた残渣を、１９０〜２
１０℃、４５〜３０Ｐａで減圧蒸留を行い目的物である
液体９．８１ｇ（収率９３．１％）得た。得られた液体
について、以下の分析を行い目的物である化合物Ｎｏ．
３であることを確認した。
【００３９】（分析値） ＜元素分析＞炭素５９．７質量％（理論値５９．８２
％）、水素８．９２質量％（理論値８．９６５％）、エ
ルビム１９．８質量％（理論値１９．８３％） ＜スペクトル分析＞ ・ＩＲ分析 β−ジケトンに特徴的な１６００ｃｍ-1のピークが無い
ことを確認し、以下に示すβ−ジケトン錯体に特徴的な
吸収波数を確認した。２９５８ｃｍ-1、２９３１ｃ
ｍ-1、２８７３ｃｍ-1、２８５０ｃｍ-1、１５６９ｃｍ
-1、１５２７ｃｍ-1、１５００ｃｍ-1。
％）、水素８．９２質量％（理論値８．９６５％）、エ
ルビム１９．８質量％（理論値１９．８３％） ＜スペクトル分析＞ ・ＩＲ分析 β−ジケトンに特徴的な１６００ｃｍ-1のピークが無い
ことを確認し、以下に示すβ−ジケトン錯体に特徴的な
吸収波数を確認した。２９５８ｃｍ-1、２９３１ｃ
ｍ-1、２８７３ｃｍ-1、２８５０ｃｍ-1、１５６９ｃｍ
-1、１５２７ｃｍ-1、１５００ｃｍ-1。
【００４０】［製造実施例４］ （化合物Ｎｏ．５の合成）アルゴン置換した５００ｍｌ
反応用フラスコに乾燥メタノール６０ｍｌ、該当するβ
−ジケトン２１．２４ｇ、水酸化ナトリウム３．２９ｇ
を仕込み、これに三硝酸ランタン六水和物１１．８６ｇ
と乾燥メタノール６０ｍｌの混合物を加え、２５℃で３
時間撹拌した。系内を減圧濃縮して得られた残渣に乾燥
ヘキサンを３００ｍｌ加え、６０℃で加熱撹拌した後、
濾過、脱溶媒を行い、得られた残渣を、２００〜２４０
℃、２０〜８Ｐａで減圧蒸留を行い目的物である液体１
７．０ｇ（収率６８．１％）得た。得られた液体につい
て、以下の分析を行い目的物である化合物Ｎｏ．５であ
ることを確認した。
反応用フラスコに乾燥メタノール６０ｍｌ、該当するβ
−ジケトン２１．２４ｇ、水酸化ナトリウム３．２９ｇ
を仕込み、これに三硝酸ランタン六水和物１１．８６ｇ
と乾燥メタノール６０ｍｌの混合物を加え、２５℃で３
時間撹拌した。系内を減圧濃縮して得られた残渣に乾燥
ヘキサンを３００ｍｌ加え、６０℃で加熱撹拌した後、
濾過、脱溶媒を行い、得られた残渣を、２００〜２４０
℃、２０〜８Ｐａで減圧蒸留を行い目的物である液体１
７．０ｇ（収率６８．１％）得た。得られた液体につい
て、以下の分析を行い目的物である化合物Ｎｏ．５であ
ることを確認した。
【００４１】（分析値） ＜元素分析＞炭素５５．３質量％（理論値５５．３７
％）、水素８．２７質量％（理論値８．３００％）、ラ
ンタン１５．２質量％（理論値１５．２５％） ＜スペクトル分析＞ ・ＩＲ分析 β−ジケトンに特徴的な１６００ｃｍ-1のピークが無い
ことを確認し、以下に示すβ−ジケトン錯体に特徴的な
吸収波数を確認した。２９６４ｃｍ-1、２８６７ｃ
ｍ-1、１５９６ｃｍ-1、１５７７ｃｍ-1、１５４２ｃｍ
-1、１５０７ｃｍ-1、１１１２ｃｍ-1。
％）、水素８．２７質量％（理論値８．３００％）、ラ
ンタン１５．２質量％（理論値１５．２５％） ＜スペクトル分析＞ ・ＩＲ分析 β−ジケトンに特徴的な１６００ｃｍ-1のピークが無い
ことを確認し、以下に示すβ−ジケトン錯体に特徴的な
吸収波数を確認した。２９６４ｃｍ-1、２８６７ｃ
ｍ-1、１５９６ｃｍ-1、１５７７ｃｍ-1、１５４２ｃｍ
-1、１５０７ｃｍ-1、１１１２ｃｍ-1。
【００４２】［製造実施例５］ （化合物Ｎｏ．６の合成）アルゴン置換した５００ｍｌ
反応用フラスコに乾燥メタノール６０ｍｌ、該当するβ
−ジケトン２１．２４ｇ、水酸化ナトリウム３．２９ｇ
を仕込み、これに三硝酸プラセオジム六水和物１１．９
２ｇと乾燥メタノール６０ｍｌの混合物を加え、２５℃
で３時間撹拌した。系内を減圧濃縮して得られた残渣に
乾燥ヘキサンを３００ｍｌ加え、６０℃で加熱撹拌した
後、濾過、脱溶媒を行い、得られた残渣について、１４
０℃、２７〜１０Ｐａで低沸分の除去を行い目的物であ
る液体２２．７ｇ（収率９０．６％）得た。得られた液
体について、以下の分析を行い目的物である化合物Ｎ
ｏ．６であることを確認した。
反応用フラスコに乾燥メタノール６０ｍｌ、該当するβ
−ジケトン２１．２４ｇ、水酸化ナトリウム３．２９ｇ
を仕込み、これに三硝酸プラセオジム六水和物１１．９
２ｇと乾燥メタノール６０ｍｌの混合物を加え、２５℃
で３時間撹拌した。系内を減圧濃縮して得られた残渣に
乾燥ヘキサンを３００ｍｌ加え、６０℃で加熱撹拌した
後、濾過、脱溶媒を行い、得られた残渣について、１４
０℃、２７〜１０Ｐａで低沸分の除去を行い目的物であ
る液体２２．７ｇ（収率９０．６％）得た。得られた液
体について、以下の分析を行い目的物である化合物Ｎ
ｏ．６であることを確認した。
【００４３】（分析値） ＜元素分析＞炭素５５．１質量％（理論値５５．２５
％）、水素８．２７質量％（理論値８．２８１％）、プ
ラセオジム１５．４質量％（理論値１５．４３％） ＜スペクトル分析＞ ・ＩＲ分析 β−ジケトンに特徴的な１６００ｃｍ-1のピークが無い
ことを確認し、以下に示すβ−ジケトン錯体に特徴的な
吸収波数を確認した。２９６２ｃｍ-1、２８６７ｃ
ｍ-1、１５９２ｃｍ-1、１５７７ｃｍ-1、１５４０ｃｍ
-1、１５０６ｃｍ-1、１１１２ｃｍ-1。
％）、水素８．２７質量％（理論値８．２８１％）、プ
ラセオジム１５．４質量％（理論値１５．４３％） ＜スペクトル分析＞ ・ＩＲ分析 β−ジケトンに特徴的な１６００ｃｍ-1のピークが無い
ことを確認し、以下に示すβ−ジケトン錯体に特徴的な
吸収波数を確認した。２９６２ｃｍ-1、２８６７ｃ
ｍ-1、１５９２ｃｍ-1、１５７７ｃｍ-1、１５４０ｃｍ
-1、１５０６ｃｍ-1、１１１２ｃｍ-1。
【００４４】［製造実施例６］ （化合物Ｎｏ．７の合成）アルゴン置換した２００ｍｌ
反応用フラスコに乾燥メタノール５０ｍｌ、該当するβ
−ジケトン９．８５ｇ、水酸化ナトリウム１．５２ｇを
仕込み、これに三塩化エルビウム水和物（塩素含有量２
６．５％品）５．００ｇと乾燥メタノール５０ｍｌの混
合物を加え、２５℃で２時間撹拌した。系内を減圧濃縮
して得られた残渣に乾燥ヘキサンを６０ｍｌ加え、６０
℃で加熱撹拌した後、濾過、脱溶媒を行い、得られた残
渣について、１４０℃、２７〜１０Ｐａで低沸分の除去
を行い目的物である液体８．３７ｇ（収率７１．５％）
得た。得られた液体について、以下の分析を行い目的物
である化合物Ｎｏ．７であることを確認した。
反応用フラスコに乾燥メタノール５０ｍｌ、該当するβ
−ジケトン９．８５ｇ、水酸化ナトリウム１．５２ｇを
仕込み、これに三塩化エルビウム水和物（塩素含有量２
６．５％品）５．００ｇと乾燥メタノール５０ｍｌの混
合物を加え、２５℃で２時間撹拌した。系内を減圧濃縮
して得られた残渣に乾燥ヘキサンを６０ｍｌ加え、６０
℃で加熱撹拌した後、濾過、脱溶媒を行い、得られた残
渣について、１４０℃、２７〜１０Ｐａで低沸分の除去
を行い目的物である液体８．３７ｇ（収率７１．５％）
得た。得られた液体について、以下の分析を行い目的物
である化合物Ｎｏ．７であることを確認した。
【００４５】（分析値） ＜元素分析＞炭素質量５３．６質量％（理論値５３．７
０％）、水素７．９９質量％（理論値８．０４９％）、
エルビウム１７．８質量％（理論値１７．８１％） ＜スペクトル分析＞ ・ＩＲ分析 β−ジケトンに特徴的な１６００ｃｍ-1のピークが無い
ことを確認し、以下に示すβ−ジケトン錯体に特徴的な
吸収波数を確認した。２９６２ｃｍ-1、２８６７ｃ
ｍ-1、１５９０ｃｍ-1、１５７５ｃｍ-1、１５３８ｃｍ
-1、１５０６ｃｍ-1、１１１２ｃｍ-1。
０％）、水素７．９９質量％（理論値８．０４９％）、
エルビウム１７．８質量％（理論値１７．８１％） ＜スペクトル分析＞ ・ＩＲ分析 β−ジケトンに特徴的な１６００ｃｍ-1のピークが無い
ことを確認し、以下に示すβ−ジケトン錯体に特徴的な
吸収波数を確認した。２９６２ｃｍ-1、２８６７ｃ
ｍ-1、１５９０ｃｍ-1、１５７５ｃｍ-1、１５３８ｃｍ
-1、１５０６ｃｍ-1、１１１２ｃｍ-1。
【００４６】［評価例１］ （原料輸送性評価）上記で得られた化合物と下記に示す
比較化合物について、流動性を観察した。２５℃で流動
性のあるものを◎、１３０℃で流動性のあるものを○、
１３０℃で流動性のないものを×とした。結果を表１〜
２に示す。尚、表２には、比較化合物の融点も記した。
比較化合物について、流動性を観察した。２５℃で流動
性のあるものを◎、１３０℃で流動性のあるものを○、
１３０℃で流動性のないものを×とした。結果を表１〜
２に示す。尚、表２には、比較化合物の融点も記した。
【００４７】
【表１】
【００４８】
【表２】
【００４９】上記結果より、本発明に係る金属化合物
は、ＣＶＤ原料として充分な輸送性を有していることが
確認できた。
は、ＣＶＤ原料として充分な輸送性を有していることが
確認できた。
【００５０】［評価例２］ （原料供給性評価）図１に示すＣＶＤ装置を用いて、石
英ガラス基板上に、原料温度１８０℃、酸化ガス；酸
素、３６ｓｃｃｍ、キャリアガス；アルゴン、５４ｓｃ
ｃｍ、反応圧力；４００〜３５０Ｐａ、反応温度；４５
０℃で酸化エルビウム成膜を１０分間行い、成膜後、ア
ルゴン中で５００℃、１０分間アニールを行った。これ
を連続して十回繰り返し、一回目と十回目の膜厚を触針
段差計で測定し、一回目と十回目の成膜速度の差により
原料供給性を評価した。製造した薄膜の組成はＸ線回折
で確認した。結果を表３に示す。
英ガラス基板上に、原料温度１８０℃、酸化ガス；酸
素、３６ｓｃｃｍ、キャリアガス；アルゴン、５４ｓｃ
ｃｍ、反応圧力；４００〜３５０Ｐａ、反応温度；４５
０℃で酸化エルビウム成膜を１０分間行い、成膜後、ア
ルゴン中で５００℃、１０分間アニールを行った。これ
を連続して十回繰り返し、一回目と十回目の膜厚を触針
段差計で測定し、一回目と十回目の成膜速度の差により
原料供給性を評価した。製造した薄膜の組成はＸ線回折
で確認した。結果を表３に示す。
【００５１】
【表３】
【００５２】上記結果より、本発明に係る金属化合物
は、ＣＶＤ原料として安定な原料供給性を有し、経時変
化のない安定したＣＶＤプロセスを与えることが確認で
きた。
は、ＣＶＤ原料として安定な原料供給性を有し、経時変
化のない安定したＣＶＤプロセスを与えることが確認で
きた。
【００５３】
【発明の効果】本発明は、ＣＶＤ法による希土類元素を
含む機能性セラミックスの製造に適した希土類元素の金
属化合物を用いたＣＶＤ原料を提供できる。
含む機能性セラミックスの製造に適した希土類元素の金
属化合物を用いたＣＶＤ原料を提供できる。
【図１】図１は、本発明に用いられるＣＶＤ装置の一例
を示す概略説明図である。
を示す概略説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 宏樹 東京都荒川区東尾久７丁目２番35号 旭電 化工業株式会社内 (72)発明者 桜井 淳 東京都荒川区東尾久７丁目２番35号 旭電 化工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AB84 4H048 AA01 AB92 VA70 VB10 4K030 AA11 AA14 AA16 BA42 BA59 CA06 DA09 LA03 LA15
Claims (6)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表される金属化合物
を含有してなる化学気相成長用原料。 【化１】 - 【請求項２】 上記一般式（Ｉ）において、鎖中に１〜
３個の炭素原子を含んでもよい炭素数６〜１０のアルキ
ル基が、１−エチルペンチルである請求項１に記載の化
学気相成長用原料。 - 【請求項３】 上記一般式（Ｉ）において、鎖中に１〜
３個の炭素原子を含んでもよい炭素数６〜１０のアルキ
ル基が、２−（２−メトキシエトキシ）−１，１−ジメ
チルエチルである請求項１に記載の化学気相成長用原
料。 - 【請求項４】 上記一般式（Ｉ）において、Ｍで表され
る希土類元素がランタン、プラセオジム、エルビウムか
ら選ばれるものである請求項１、２又は３に記載の化学
気相成長用原料。 - 【請求項５】 下記一般式（II）で表される金属化合
物。 【化２】 - 【請求項６】 上記一般式（II）において、Ｍで表され
る希土類元素がランタン、プラセオジム、エルビウムか
ら選ばれるものである請求項５に記載の金属化合物。
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|---|---|---|---|
| JP2001115368A JP4618927B2 (ja) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | 化学気相成長用原料及び金属化合物 |
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|---|---|---|---|
| JP2001115368A JP4618927B2 (ja) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | 化学気相成長用原料及び金属化合物 |
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|---|---|
| JP2002309373A true JP2002309373A (ja) | 2002-10-23 |
| JP4618927B2 JP4618927B2 (ja) | 2011-01-26 |
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|---|---|---|---|
| JP2001115368A Expired - Fee Related JP4618927B2 (ja) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | 化学気相成長用原料及び金属化合物 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4618927B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005121401A1 (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Adeka Corporation | 薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
| KR100590051B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-06-19 | 한국화학연구원 | 란탄계 산화물 선구물질 및 그 제조 방법 |
| KR100684992B1 (ko) | 2006-04-06 | 2007-02-22 | 한국화학연구원 | 신규의 란타늄 화합물 및 그 제조 방법 |
| JP2012025726A (ja) * | 2009-08-24 | 2012-02-09 | Ube Industries Ltd | ジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体、およびその金属錯体を用いる金属含有薄膜の製造法 |
| JP2014240358A (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | 宇部興産株式会社 | プラセオジム化合物およびその製造方法 |
| JP2015010093A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-19 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機金属錯体のための補助配位子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03503662A (ja) * | 1988-03-31 | 1991-08-15 | イギリス国 | 金属フッ化物堆積用の前駆物質及びその使用 |
| JPH06235834A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路部品およびその製造方法 |
| JPH09136857A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Asahi Denka Kogyo Kk | β−ジケトン化合物およびその金属錯体 |
-
2001
- 2001-04-13 JP JP2001115368A patent/JP4618927B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03503662A (ja) * | 1988-03-31 | 1991-08-15 | イギリス国 | 金属フッ化物堆積用の前駆物質及びその使用 |
| JPH06235834A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路部品およびその製造方法 |
| JPH09136857A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Asahi Denka Kogyo Kk | β−ジケトン化合物およびその金属錯体 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005121401A1 (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Adeka Corporation | 薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
| US7335783B2 (en) | 2004-06-14 | 2008-02-26 | Adeka Corporation | Thin film-forming material and method for producing thin film |
| KR100590051B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-06-19 | 한국화학연구원 | 란탄계 산화물 선구물질 및 그 제조 방법 |
| KR100684992B1 (ko) | 2006-04-06 | 2007-02-22 | 한국화학연구원 | 신규의 란타늄 화합물 및 그 제조 방법 |
| JP2012025726A (ja) * | 2009-08-24 | 2012-02-09 | Ube Industries Ltd | ジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体、およびその金属錯体を用いる金属含有薄膜の製造法 |
| JP2014240358A (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | 宇部興産株式会社 | プラセオジム化合物およびその製造方法 |
| JP2015010093A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-19 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機金属錯体のための補助配位子 |
| JP2020164536A (ja) * | 2013-07-01 | 2020-10-08 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機金属錯体のための補助配位子 |
| JP7101723B2 (ja) | 2013-07-01 | 2022-07-15 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機金属錯体のための補助配位子 |
| JP2022116030A (ja) * | 2013-07-01 | 2022-08-09 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機金属錯体のための補助配位子 |
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