JP2002305234A - シリコンウェハ裏面のエッチング方法およびシリコンウェハの保護テープ - Google Patents
シリコンウェハ裏面のエッチング方法およびシリコンウェハの保護テープInfo
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- JP2002305234A JP2002305234A JP2001106755A JP2001106755A JP2002305234A JP 2002305234 A JP2002305234 A JP 2002305234A JP 2001106755 A JP2001106755 A JP 2001106755A JP 2001106755 A JP2001106755 A JP 2001106755A JP 2002305234 A JP2002305234 A JP 2002305234A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウェハを十分な保持力で保持して不
具合を防止することができるシリコンウェハ裏面のエッ
チング方法およびシリコンウェハの保護テープを提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 シリコンウェハ７の回路形成面の裏面を
プラズマエッチングにより除去するエッチング方法にお
いて、基材２０ａの一方側に粘着材２０ｂによる粘着面
が形成され、基材２０ａの他方側の表面に導電層２０ｃ
が形成された保護テープ２０を、シリコンウェハ７の回
路形成面に貼着し、このシリコンウェハ７を保護テープ
２０をプラズマ処理装置の電極体５の絶縁層６に接触さ
せて載置し、静電吸着により保持させる。これにより、
絶縁層６に直接接触した状態の導電層２０ｃと電極体５
との間のクーロン力により、シリコンウェハ７を十分な
保持力で密着性よく保持することができる。
具合を防止することができるシリコンウェハ裏面のエッ
チング方法およびシリコンウェハの保護テープを提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 シリコンウェハ７の回路形成面の裏面を
プラズマエッチングにより除去するエッチング方法にお
いて、基材２０ａの一方側に粘着材２０ｂによる粘着面
が形成され、基材２０ａの他方側の表面に導電層２０ｃ
が形成された保護テープ２０を、シリコンウェハ７の回
路形成面に貼着し、このシリコンウェハ７を保護テープ
２０をプラズマ処理装置の電極体５の絶縁層６に接触さ
せて載置し、静電吸着により保持させる。これにより、
絶縁層６に直接接触した状態の導電層２０ｃと電極体５
との間のクーロン力により、シリコンウェハ７を十分な
保持力で密着性よく保持することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェハの
回路形成面の裏面を除去するシリコンウェハ裏面のエッ
チング方法およびこのエッチング時にシリコンウェハを
保護する保護テープに関するものである。
回路形成面の裏面を除去するシリコンウェハ裏面のエッ
チング方法およびこのエッチング時にシリコンウェハを
保護する保護テープに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置に用いられるシリコン基板の
製造工程では、半導体装置の薄型化にともない基板の厚
さを薄くするための薄化加工が行われる。この薄化加工
は、シリコン基板の表面に回路パターンを形成した後
に、回路形成面の裏面を機械研磨することによって行わ
れる。機械研磨加工においてはシリコン基板の表面には
機械研磨によって発生するマイクロクラックを含むスト
レス層が生成され、このストレス層によるシリコン基板
の強度低下を防止するため、機械研磨後にはシリコン表
面のストレス層を除去するエッチング処理が行われる。
製造工程では、半導体装置の薄型化にともない基板の厚
さを薄くするための薄化加工が行われる。この薄化加工
は、シリコン基板の表面に回路パターンを形成した後
に、回路形成面の裏面を機械研磨することによって行わ
れる。機械研磨加工においてはシリコン基板の表面には
機械研磨によって発生するマイクロクラックを含むスト
レス層が生成され、このストレス層によるシリコン基板
の強度低下を防止するため、機械研磨後にはシリコン表
面のストレス層を除去するエッチング処理が行われる。
【０００３】このような薄化処理に際しては、脆化した
シリコンウェハの破損を防止するため、予め補強用の保
護テープをシリコンウェハの回路形成面に貼着すること
が行われる。上述のエッチング処理に際しては、シリコ
ンウェハを処理対象面（裏面）を上向きにした姿勢で保
持する必要があるため、エッチング時にはシリコンウェ
ハは回路形成面側を保護テープを介して保持される。
シリコンウェハの破損を防止するため、予め補強用の保
護テープをシリコンウェハの回路形成面に貼着すること
が行われる。上述のエッチング処理に際しては、シリコ
ンウェハを処理対象面（裏面）を上向きにした姿勢で保
持する必要があるため、エッチング時にはシリコンウェ
ハは回路形成面側を保護テープを介して保持される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなシリコンウ
ェハを保持する方法として、静電吸着が用いられる場合
がある。この方法は、シリコンウェハを保持する保持部
に直流電圧を印加し、この保持部上に載置されたシリコ
ンウェハを、半導体であるシリコンと保持部の静電吸着
面との間に作用するクーロン力によって保持するもので
ある。
ェハを保持する方法として、静電吸着が用いられる場合
がある。この方法は、シリコンウェハを保持する保持部
に直流電圧を印加し、この保持部上に載置されたシリコ
ンウェハを、半導体であるシリコンと保持部の静電吸着
面との間に作用するクーロン力によって保持するもので
ある。
【０００５】ところが、前述の保護テープが貼着された
状態のシリコンウェハを静電吸着によって保持する場合
には、クーロン力は保護テープを介在させた状態で作用
するため、直接シリコンウェハを静電吸着面に密着させ
た場合と比較して静電吸着力が低く十分な保持力が得ら
れない場合があった。このため、エッチング時にシリコ
ンウェハが保持部から部分的に剥離し易く、エッチング
手段としてプラズマエッチングを用いた場合には、シリ
コンウェハや保護テープからの熱が保持部に良好に伝達
せず、装置が備えたウェハ冷却機能が十分に機能しな
い。この結果エッチング過程でシリコンウェハが過熱
し、保護テープが溶断するなどの不具合が発生してい
た。
状態のシリコンウェハを静電吸着によって保持する場合
には、クーロン力は保護テープを介在させた状態で作用
するため、直接シリコンウェハを静電吸着面に密着させ
た場合と比較して静電吸着力が低く十分な保持力が得ら
れない場合があった。このため、エッチング時にシリコ
ンウェハが保持部から部分的に剥離し易く、エッチング
手段としてプラズマエッチングを用いた場合には、シリ
コンウェハや保護テープからの熱が保持部に良好に伝達
せず、装置が備えたウェハ冷却機能が十分に機能しな
い。この結果エッチング過程でシリコンウェハが過熱
し、保護テープが溶断するなどの不具合が発生してい
た。
【０００６】そこで本発明は、シリコンウェハを十分な
保持力で保持して不具合を防止することができるシリコ
ンウェハ裏面のエッチング方法およびシリコンウェハの
保護テープを提供することを目的とする。
保持力で保持して不具合を防止することができるシリコ
ンウェハ裏面のエッチング方法およびシリコンウェハの
保護テープを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のシリコン
ウェハ裏面のエッチング方法は、シリコンウェハの回路
形成面の裏面をエッチングにより除去するシリコンウェ
ハ裏面のエッチング方法であって、保護テープを前記シ
リコンウェハの回路形成面に粘着させて貼着するテープ
貼着工程と、前記シリコンウェハを保護テープが載置部
に接触する姿勢で載置する載置工程と、このシリコンウ
ェハを載置部に保持させる保持工程と、保持されたシリ
コンウェハの裏面をエッチングするエッチング工程とを
含み、前記保持工程において、前記保護テープの少なく
とも前記シリコンウェハとは反対側の表面に形成された
導電層を前記載置部に静電吸着させる。
ウェハ裏面のエッチング方法は、シリコンウェハの回路
形成面の裏面をエッチングにより除去するシリコンウェ
ハ裏面のエッチング方法であって、保護テープを前記シ
リコンウェハの回路形成面に粘着させて貼着するテープ
貼着工程と、前記シリコンウェハを保護テープが載置部
に接触する姿勢で載置する載置工程と、このシリコンウ
ェハを載置部に保持させる保持工程と、保持されたシリ
コンウェハの裏面をエッチングするエッチング工程とを
含み、前記保持工程において、前記保護テープの少なく
とも前記シリコンウェハとは反対側の表面に形成された
導電層を前記載置部に静電吸着させる。
【０００８】請求項２記載のシリコンウェハの保護テー
プは、シリコンウェハの回路形成面の裏面をエッチング
により除去する前に前記回路形成面に貼着されるシリコ
ンウェハの保護テープであって、前記保護テープに剛性
を付与する基材と、この基材の一方側の表面に形成され
基材を前記回路形成面に粘着させて貼着する粘着層と、
基材の粘着層とは反対側の少なくとも表面に形成された
導電層とを備え、この導電層によって前記エッチング時
にシリコンウェハを静電吸着により保持することを可能
にした。
プは、シリコンウェハの回路形成面の裏面をエッチング
により除去する前に前記回路形成面に貼着されるシリコ
ンウェハの保護テープであって、前記保護テープに剛性
を付与する基材と、この基材の一方側の表面に形成され
基材を前記回路形成面に粘着させて貼着する粘着層と、
基材の粘着層とは反対側の少なくとも表面に形成された
導電層とを備え、この導電層によって前記エッチング時
にシリコンウェハを静電吸着により保持することを可能
にした。
【０００９】本発明によれば、シリコンウェハを載置部
に保持させる保持工程において、保護テープの粘着面の
他方側の少なくとも表面に形成された導電層によってこ
の保護テープを介してシリコンウェハを載置部に静電吸
着させることにより、シリコンウェハを十分な保持力で
密着性よく保持することができる。
に保持させる保持工程において、保護テープの粘着面の
他方側の少なくとも表面に形成された導電層によってこ
の保護テープを介してシリコンウェハを載置部に静電吸
着させることにより、シリコンウェハを十分な保持力で
密着性よく保持することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態のプラ
ズマ処理装置の断面図、図２は本発明の一実施の形態の
プラズマ処理装置の載置部の部分断面図、図３は本発明
の一実施の形態のシリコンウェハの保護テープの断面
図、図４は本発明の一実施の形態のシリコンウェハ裏面
のエッチング方法の工程説明図である。
参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態のプラ
ズマ処理装置の断面図、図２は本発明の一実施の形態の
プラズマ処理装置の載置部の部分断面図、図３は本発明
の一実施の形態のシリコンウェハの保護テープの断面
図、図４は本発明の一実施の形態のシリコンウェハ裏面
のエッチング方法の工程説明図である。
【００１１】まず図１を参照してプラズマ処理装置につ
いて説明する。図１において、真空チャンバ１の内部は
プラズマ処理を行う処理室２となっており、処理室２内
部には、下部電極３および上部電極４が上下に対向して
配設されている。下部電極３は電極体５を備えており、
電極体５は下方に延出した支持部５ａによって真空チャ
ンバ１に電気的に絶縁した状態で装着されている。電極
体５の上面には絶縁層６が形成されており、絶縁層６上
には処理対象物であるシリコンウェハ７が載置される。
いて説明する。図１において、真空チャンバ１の内部は
プラズマ処理を行う処理室２となっており、処理室２内
部には、下部電極３および上部電極４が上下に対向して
配設されている。下部電極３は電極体５を備えており、
電極体５は下方に延出した支持部５ａによって真空チャ
ンバ１に電気的に絶縁した状態で装着されている。電極
体５の上面には絶縁層６が形成されており、絶縁層６上
には処理対象物であるシリコンウェハ７が載置される。
【００１２】シリコンウェハ７は、回路形成面の裏側を
機械研磨によって研磨された直後の状態であり、図２
（ａ）に示すようにシリコンウェハ７の回路形成面に貼
着された保護テープ２０を絶縁層６に当接させ、研磨加
工面を上向きにした状態で載置される。図２（ｂ）に示
すように保護テープ２０は、一方の面をシリコンウェハ
７の回路形成面に貼着されており、シリコンウェハ７と
は反対側の表面には、導電層２０ｃが形成されており、
シリコンウェハ７を電極体５上に載置する際には、この
導電層２０ｃ側を絶縁層６に接触させる。
機械研磨によって研磨された直後の状態であり、図２
（ａ）に示すようにシリコンウェハ７の回路形成面に貼
着された保護テープ２０を絶縁層６に当接させ、研磨加
工面を上向きにした状態で載置される。図２（ｂ）に示
すように保護テープ２０は、一方の面をシリコンウェハ
７の回路形成面に貼着されており、シリコンウェハ７と
は反対側の表面には、導電層２０ｃが形成されており、
シリコンウェハ７を電極体５上に載置する際には、この
導電層２０ｃ側を絶縁層６に接触させる。
【００１３】ここで図３を参照して、保護テープ２０に
ついて説明する。図３（ａ）に示すように、保護テープ
２０は、保護テープ２０に剛性を付与するためのＰＥＴ
（ポリエチレンテレフタレート）などの樹脂より成る基
材２０ａの表面に、粘着層２０ｂと導電層２０ｃを形成
して構成されている。すなわち基材２０ａの一方側の面
は、基材２０ａをアクリルなどの粘着材でシリコンウェ
ハ７の回路形成面に粘着させる粘着層２０ｂ（図３にお
いて上側の面）となっており、基材２０ａの粘着層２０
ｂとは反対側（図３において下側）の表面には、導電層
２０ｃが形成されている。このような構成の保護テープ
２０を用いることにより、後述するように、シリコンウ
ェハ７を静電吸着によって保持する場合に、この導電層
２０ｃを直接静電吸着面に当接させることにより、良好
な吸着力を得られるという利点がある。
ついて説明する。図３（ａ）に示すように、保護テープ
２０は、保護テープ２０に剛性を付与するためのＰＥＴ
（ポリエチレンテレフタレート）などの樹脂より成る基
材２０ａの表面に、粘着層２０ｂと導電層２０ｃを形成
して構成されている。すなわち基材２０ａの一方側の面
は、基材２０ａをアクリルなどの粘着材でシリコンウェ
ハ７の回路形成面に粘着させる粘着層２０ｂ（図３にお
いて上側の面）となっており、基材２０ａの粘着層２０
ｂとは反対側（図３において下側）の表面には、導電層
２０ｃが形成されている。このような構成の保護テープ
２０を用いることにより、後述するように、シリコンウ
ェハ７を静電吸着によって保持する場合に、この導電層
２０ｃを直接静電吸着面に当接させることにより、良好
な吸着力を得られるという利点がある。
【００１４】この保護テープ２０の導電層２０ｃは、基
材２０ａの表面に銅箔などの金属膜をエポキシ樹脂など
の接着剤によって接着して積層する方法や、基材２０ａ
の表面に炭素の微粉をプラズマジェットによって吹き付
けて炭素膜を付着させる方法などによって形成される。
なお基材２０ａの表面に導電層２０ｃを形成する替わり
に、図３（ｂ）に示すように、基材自体に炭素粒子など
の導電粒子を含有させて導電性の基材２０’ａとし、こ
の基材２０’ａと粘着材２０’ｂとを組み合わせた保護
テープ２０’を用いてもよい。この場合には、基材２
０’ａ全体が導電層として機能する。
材２０ａの表面に銅箔などの金属膜をエポキシ樹脂など
の接着剤によって接着して積層する方法や、基材２０ａ
の表面に炭素の微粉をプラズマジェットによって吹き付
けて炭素膜を付着させる方法などによって形成される。
なお基材２０ａの表面に導電層２０ｃを形成する替わり
に、図３（ｂ）に示すように、基材自体に炭素粒子など
の導電粒子を含有させて導電性の基材２０’ａとし、こ
の基材２０’ａと粘着材２０’ｂとを組み合わせた保護
テープ２０’を用いてもよい。この場合には、基材２
０’ａ全体が導電層として機能する。
【００１５】電極体５の内部には冷却用の冷媒流路５ｂ
が設けられており、冷媒流路５ｂは支持部５ａ内を貫通
して設けられた管路５ｃと連通している。管路５ｃは冷
媒循環部８と接続されており、冷媒循環部８を駆動する
ことにより、冷媒流路５ｂ，５ｃ内を冷却水などの冷媒
が循環し、これによりプラズマ処理時に発生した熱によ
って加熱された電極体５が冷却される。電極体５を冷却
する目的は、シリコンウェハ７の回路形成面に貼着され
た樹脂製の保護テープ２０がプラズマの熱で溶融してし
まうのを防止するためである。
が設けられており、冷媒流路５ｂは支持部５ａ内を貫通
して設けられた管路５ｃと連通している。管路５ｃは冷
媒循環部８と接続されており、冷媒循環部８を駆動する
ことにより、冷媒流路５ｂ，５ｃ内を冷却水などの冷媒
が循環し、これによりプラズマ処理時に発生した熱によ
って加熱された電極体５が冷却される。電極体５を冷却
する目的は、シリコンウェハ７の回路形成面に貼着され
た樹脂製の保護テープ２０がプラズマの熱で溶融してし
まうのを防止するためである。
【００１６】電極体５は高周波電源部９と電気的に接続
されている。また真空チャンバ１内の処理室２は、真空
排気・大気開放部１０と接続されている。真空排気・大
気開放部１０は、処理室２からの真空排気、および処理
室２内の真空破壊時の大気開放を行う。また電極体５は
静電吸着電源部１１と接続されており、静電吸着電源部
１１を駆動することにより、電極体５には直流電圧が印
加される。これにより、絶縁層６上に載置されるシリコ
ンウェハ７や保護テープ２０の導電層２０ｃとの間にク
ーロン力が発生し、シリコンウェハ７を絶縁層６に対し
て強力に保持する。特に導電層２０ｃとの間に発生する
クーロン力は、シリコンウェハ７の保持力の大部分を占
める。
されている。また真空チャンバ１内の処理室２は、真空
排気・大気開放部１０と接続されている。真空排気・大
気開放部１０は、処理室２からの真空排気、および処理
室２内の真空破壊時の大気開放を行う。また電極体５は
静電吸着電源部１１と接続されており、静電吸着電源部
１１を駆動することにより、電極体５には直流電圧が印
加される。これにより、絶縁層６上に載置されるシリコ
ンウェハ７や保護テープ２０の導電層２０ｃとの間にク
ーロン力が発生し、シリコンウェハ７を絶縁層６に対し
て強力に保持する。特に導電層２０ｃとの間に発生する
クーロン力は、シリコンウェハ７の保持力の大部分を占
める。
【００１７】上部電極４（対向電極）は、接地部１４に
接地された電極体１２を備えており、電極体１２は上方
に延出した支持部１２ａによって真空チャンバ１に装着
されている。電極体１２の下面には多数のガス噴出孔１
２ｄが空隙部１２ｃと連通して設けられている。これら
のガス噴出孔１２ｄは、空隙部１２ｃおよび支持部１２
ａ内を貫通して設けられたガス供給路１２ｂを介してガ
ス供給部１３と接続されている。なおガス噴出口１２ｄ
を設ける替わりに、微細孔がランダムに掲載された多孔
質材を電極体１２の下面に装着し、これらの微細孔から
ガスを噴出させるようにしてもよい。
接地された電極体１２を備えており、電極体１２は上方
に延出した支持部１２ａによって真空チャンバ１に装着
されている。電極体１２の下面には多数のガス噴出孔１
２ｄが空隙部１２ｃと連通して設けられている。これら
のガス噴出孔１２ｄは、空隙部１２ｃおよび支持部１２
ａ内を貫通して設けられたガス供給路１２ｂを介してガ
ス供給部１３と接続されている。なおガス噴出口１２ｄ
を設ける替わりに、微細孔がランダムに掲載された多孔
質材を電極体１２の下面に装着し、これらの微細孔から
ガスを噴出させるようにしてもよい。
【００１８】ガス供給部１３は、６フッ化硫黄（Ｓ
Ｆ6）などのフッ素系ガスとヘリウムの混合ガスをプラ
ズマ発生用ガスとして処理室２内に供給する。真空排気
・大気開放部１０を駆動して処理室２内を真空排気し、
次いでガス供給部１３を駆動することにより、上部電極
４のガス噴出孔１２ｄより下方に向けてプラズマ発生用
ガスが噴出する。この状態で高周波電源９を駆動して下
部電極３の電極体５に高周波電圧を印加することによ
り、上部電極４と下部電極３との間の空間にはプラズマ
放電が発生する。そしてこのプラズマ放電により発生し
たプラズマによって、絶縁層６上に載置されたシリコン
ウェハ７の上面のプラズマエッチング処理が行われる。
Ｆ6）などのフッ素系ガスとヘリウムの混合ガスをプラ
ズマ発生用ガスとして処理室２内に供給する。真空排気
・大気開放部１０を駆動して処理室２内を真空排気し、
次いでガス供給部１３を駆動することにより、上部電極
４のガス噴出孔１２ｄより下方に向けてプラズマ発生用
ガスが噴出する。この状態で高周波電源９を駆動して下
部電極３の電極体５に高周波電圧を印加することによ
り、上部電極４と下部電極３との間の空間にはプラズマ
放電が発生する。そしてこのプラズマ放電により発生し
たプラズマによって、絶縁層６上に載置されたシリコン
ウェハ７の上面のプラズマエッチング処理が行われる。
【００１９】次に図４を参照して、シリコンウェハ裏面
のエッチング方法について説明する。図４（ａ）におい
て、シリコンウェハ７の回路形成面（図において下面
側）に、保護テープ２０が貼着される（テープ貼着工
程）。そしてこの後シリコンウェハ７は保護テープ２０
で補強された状態で取り扱われ、機械研磨工程に送られ
る。図４（ｂ）に示すように、シリコンウェハ７の回路
形成面の裏側（図において上面側）は、研磨ツール２１
によって機械研磨され、薄化加工が行われる。これによ
り薄化されたシリコンウェハ７’が得られる。
のエッチング方法について説明する。図４（ａ）におい
て、シリコンウェハ７の回路形成面（図において下面
側）に、保護テープ２０が貼着される（テープ貼着工
程）。そしてこの後シリコンウェハ７は保護テープ２０
で補強された状態で取り扱われ、機械研磨工程に送られ
る。図４（ｂ）に示すように、シリコンウェハ７の回路
形成面の裏側（図において上面側）は、研磨ツール２１
によって機械研磨され、薄化加工が行われる。これによ
り薄化されたシリコンウェハ７’が得られる。
【００２０】研磨加工においてはシリコンウェハの表面
には機械研磨によって発生するマイクロクラックを含む
ストレス層７’ａが生成される。このストレス層による
シリコン基板の強度低下を防止するため、機械研磨後に
はシリコン表面のストレス層を除去するプラズマエッチ
ング処理が行われる。
には機械研磨によって発生するマイクロクラックを含む
ストレス層７’ａが生成される。このストレス層による
シリコン基板の強度低下を防止するため、機械研磨後に
はシリコン表面のストレス層を除去するプラズマエッチ
ング処理が行われる。
【００２１】すなわち図４（ｃ）に示すように、シリコ
ンウェハ７’はプラズマ処理装置の電極体５上の絶縁層
６に保護テープ２０が接触する姿勢で載置される（載置
工程）。そして静電吸着部１１を駆動することにより、
載置されたシリコンウェハ７’は電極体５に静電吸着に
より保持される（保持工程）。この後、シリコンウェハ
７’の上面は、フッ素系ガスとヘリウムとの混合ガスを
プラズマ発生用ガスとするプラズマ処理によるエッチン
グが行われる（エッチング工程）。これにより、図４
（ｄ）に示すように、シリコンウェハ７’の表面に形成
されたストレス層７’ａがプラズマによるエッチング作
用で除去され、強度が改善された薄化処理後のシリコン
ウェハが得られる。
ンウェハ７’はプラズマ処理装置の電極体５上の絶縁層
６に保護テープ２０が接触する姿勢で載置される（載置
工程）。そして静電吸着部１１を駆動することにより、
載置されたシリコンウェハ７’は電極体５に静電吸着に
より保持される（保持工程）。この後、シリコンウェハ
７’の上面は、フッ素系ガスとヘリウムとの混合ガスを
プラズマ発生用ガスとするプラズマ処理によるエッチン
グが行われる（エッチング工程）。これにより、図４
（ｄ）に示すように、シリコンウェハ７’の表面に形成
されたストレス層７’ａがプラズマによるエッチング作
用で除去され、強度が改善された薄化処理後のシリコン
ウェハが得られる。
【００２２】上記プラズマエッチング処理において、シ
リコンウェハ７は表面に導電層が形成された保護テープ
２０を介して電極体５上の絶縁層６上面（静電吸着面）
に載置されるため、静電吸着面には導電層２０ｃが直接
接触する。これにより、静電吸着用の直流電圧を印加す
ることによる電極体５と導電層２０ｃとの間のクーロン
力は、電極体５とシリコンウェハ７との間に保護テープ
２０を介在させた状態でシリコンウェハ７と電極体５の
間で発生するクーロン力と比較して十分に大きい。
リコンウェハ７は表面に導電層が形成された保護テープ
２０を介して電極体５上の絶縁層６上面（静電吸着面）
に載置されるため、静電吸着面には導電層２０ｃが直接
接触する。これにより、静電吸着用の直流電圧を印加す
ることによる電極体５と導電層２０ｃとの間のクーロン
力は、電極体５とシリコンウェハ７との間に保護テープ
２０を介在させた状態でシリコンウェハ７と電極体５の
間で発生するクーロン力と比較して十分に大きい。
【００２３】したがって、プラズマエッチング過程にお
いて保護テープ２０は絶縁層６に密着性よく保持され
る。このためシリコンウェハ７や保護テープ２０から電
極体５への熱伝導が良好に行われ、シリコンウェハ７や
保護テープ２０は電極体５の冷却機能によって良好に冷
却される。これにより、保護テープ２０がプラズマ放電
によって発生する熱で過熱され、溶断する不具合が発生
しない。
いて保護テープ２０は絶縁層６に密着性よく保持され
る。このためシリコンウェハ７や保護テープ２０から電
極体５への熱伝導が良好に行われ、シリコンウェハ７や
保護テープ２０は電極体５の冷却機能によって良好に冷
却される。これにより、保護テープ２０がプラズマ放電
によって発生する熱で過熱され、溶断する不具合が発生
しない。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、シリコンウェハを載置
部に保持させる保持工程において、保護テープの粘着面
の他方側の少なくとも表面に形成された導電層によって
この保護テープを介してシリコンウェハを載置部に静電
吸着させるようにしたので、シリコンウェハを十分な保
持力で密着性よく保持することができる。
部に保持させる保持工程において、保護テープの粘着面
の他方側の少なくとも表面に形成された導電層によって
この保護テープを介してシリコンウェハを載置部に静電
吸着させるようにしたので、シリコンウェハを十分な保
持力で密着性よく保持することができる。
【図１】本発明の一実施の形態のプラズマ処理装置の断
面図
面図
【図２】本発明の一実施の形態のプラズマ処理装置の載
置部の部分断面図
置部の部分断面図
【図３】本発明の一実施の形態のシリコンウェハの保護
テープの断面図
テープの断面図
【図４】本発明の一実施の形態のシリコンウェハ裏面の
エッチング方法の工程説明図
エッチング方法の工程説明図
１ 真空チャンバ ２ 処理室 ３ 下部電極 ４ 上部電極 ７ シリコンウェハ ２０ 保護テープ ２０ａ 基材 ２０ｂ 粘着材 ２０ｃ 導電層
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 BA04 BB22 DA18 DA22 DB01 FA08 5F031 CA02 DA05 DA15 HA16 HA78 MA24 MA37
Claims (2)
- 【請求項１】シリコンウェハの回路形成面の裏面をエッ
チングにより除去するシリコンウェハ裏面のエッチング
方法であって、保護テープを前記シリコンウェハの回路
形成面に粘着させて貼着するテープ貼着工程と、前記シ
リコンウェハを保護テープが載置部に接触する姿勢で載
置する載置工程と、このシリコンウェハを載置部に保持
させる保持工程と、保持されたシリコンウェハの裏面を
エッチングするエッチング工程とを含み、前記保持工程
において、前記保護テープの少なくとも前記シリコンウ
ェハとは反対側の表面に形成された導電層を前記載置部
に静電吸着させることを特徴とするシリコンウェハ裏面
のエッチング方法。 - 【請求項２】シリコンウェハの回路形成面の裏面をエッ
チングにより除去する前に前記回路形成面に貼着される
シリコンウェハの保護テープであって、前記保護テープ
に剛性を付与する基材と、この基材の一方側の表面に形
成され基材を前記回路形成面に粘着させて貼着する粘着
層と、基材の粘着層とは反対側の少なくとも表面に形成
された導電層とを備え、この導電層によって前記エッチ
ング時にシリコンウェハを静電吸着により保持すること
を可能にしたことを特徴とするシリコンウェハの保護テ
ープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001106755A JP2002305234A (ja) | 2001-04-05 | 2001-04-05 | シリコンウェハ裏面のエッチング方法およびシリコンウェハの保護テープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001106755A JP2002305234A (ja) | 2001-04-05 | 2001-04-05 | シリコンウェハ裏面のエッチング方法およびシリコンウェハの保護テープ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002305234A true JP2002305234A (ja) | 2002-10-18 |
Family
ID=18959205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001106755A Pending JP2002305234A (ja) | 2001-04-05 | 2001-04-05 | シリコンウェハ裏面のエッチング方法およびシリコンウェハの保護テープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002305234A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2001
- 2001-04-05 JP JP2001106755A patent/JP2002305234A/ja active Pending
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070126 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071218 |