JP2002298465A

JP2002298465A - 多値記録再生方法及び装置

Info

Publication number: JP2002298465A
Application number: JP2001100434A
Authority: JP
Inventors: Akiyoshi Ito; 彰義伊藤; Katsuji Nakagawa; 活二中川
Original assignee: Nihon University
Current assignee: Nihon University
Priority date: 2001-03-30
Filing date: 2001-03-30
Publication date: 2002-10-11

Abstract

(57)【要約】【課題】光磁気記録媒体に情報を多値記録し、多値記
録された情報を再生する。【解決手段】情報の記録により記録マークが形成さ
れ、第１の補償温度Ｔ１_Ｃ _ＯＭＰを有する第１の記録層
と、情報の記録により記録マークが形成され、第１の補
償温度Ｔ１_ＣＯＭＰとは異なる第２の補償温度Ｔ２
_ＣＯＭＰを有する第２の記録層と、第１の記録層及び第
２の記録層から情報が磁気転写される再生層と、第１の
記録層及び第２の記録層から再生層に情報が磁気転写さ
れるように補助する補助層とが少なくとも積層されてお
り、第１の記録層と第２の記録層とは、交換結合をして
いる光磁気記録媒体１に、所定の方向に所定の強さで記
録磁界を印加する記録磁界印加部５０と、光磁気記録媒
体に、第１の補償温度Ｔ１_ＣＯＭＰまで昇温する第１の
昇温部と、光磁気記録媒体に、第２の補償温度Ｔ２
_ＣＯＭＰまで昇温する第２の昇温部と、光磁気記録媒体
から情報を再生するために再生ビームを照射する再生ビ
ーム照射部とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、第１の記録層、第
２の記録層、再生層及び補助層が少なくとも積層されて
いる光磁気記録媒体に情報を多値記録し、再生する多値
記録再生方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＩＴ産業の目覚ましい発展によ
り、家庭等においてもデータ量の大きな情報を扱う機会
が多くなってきている。これにともない、光磁気記録媒
体の大容量化が求められている。例えば、光磁気記録媒
体に形成する記録マークサイズの微小化により記録密度
を向上し、光磁気記録媒体の大容量化を図っている。以
下に光磁気記録媒体の高密度化について述べる。

【０００３】光磁気記録媒体は、一般的に、光磁気記録
装置により記録信号に対応したレーザ光が照射され、上
記レーザ光の熱エネルギーを用いて、記録層に記録マー
クを形成することにより情報が記録される記録媒体であ
る。また、光磁気記録媒体は、光磁気再生装置によりレ
ーザ光が照射され、磁気光学効果を利用して記録された
情報が再生される。

【０００４】光磁気記録媒体の記録密度は、記録及び再
生に用いる光学系のレーザ光の波長λ及び上記レーザ光
を情報記録面に手交する対物レンズの開口数ＮＡに依存
する。光磁気記録装置のレーザ光のスポット径Ｒは、以
下の式に示すとおり、上記波長λと開口数ＮＡにより決
まる。Ｒ∝λ／ＮＡ（１）従って、光磁気記録媒体の記録密度の向上には、スポッ
ト径Ｒの小規模化を図る必要がある。

【０００５】従来の光磁気記録装置及び光磁気再生装置
は、レーザ光のスポット径よりも細かい記録信号を記録
再生することが困難であった。そのため、従来の光磁気
記録媒体の記録密度は、レーザ光のスポット径Ｒによっ
て制限されていた。したがって、従来の光磁気記録媒体
を用いて高記録密度化を実現するためには、レーザ光の
波長λを短くするとともに、対物レンズの開口数ＮＡを
大きくする必要があった。

【０００６】光磁気記録媒体は、記録層となる磁性薄膜
の膜構成、信号の記録方式、あるいは信号の再生方式等
を工夫することにより、高記録密度化が図られている。

【０００７】このような高密度化の方法には、磁気超解
像（ＭＳＲ、Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙｉｎｄｕｃｅ
ｄＳｕｐｅｒＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）がある。ＭＳＲ
には、前方開口検出（ＦＡＤ、ＦｒｏｎｔＡｐｅｒｔ
ｕｒｅＤｅｔｅｃｔｉｏｎ）、後方開口検出（ＲＡ
Ｄ、ＲｅａｒＡｐｅｒｔｕｒｅＤｅｔｅｃｔｉｏｎ）
及び中央開口検出（ＣＡＤ、ＣｅｎｔｅｒＡｐｅｒｔ
ｕｒｅＤｅｔｅｃｔｉｏｎ）の検出方法がある。ま
た、ＭＳＲに使用する光磁気記録媒体は、記録層の上に
直接、再生層が積層されている。再生層の磁気モーメン
トは、室温においては面内方向を向いており、室温では
磁気光学効果による信号を生じない。一方、再生レーザ
の照射により再生層の所定の場所が昇温された場合、再
生レーザ中心付近の磁気モーメントが面内方向から垂直
方向に変化しやすい状態になる。再生レーザの中心付近
は、温度上昇が大きいためにこのようなことが起こる。
上述の状態のとき、再生層の磁気モーメントは、再生層
と記録層との交換結合により記録層の磁気モーメントと
同じ方向に揃う。

【０００８】ＭＳＲは、再生ビームのスポット径Ｒより
小さい領域で記録層の磁気モーメントを再生層に磁気転
写するので、空間分解能が大幅に向上する。しかし、Ｍ
ＳＲは、再生ビームのスポット径Ｒより小さい領域から
信号を検出する必要があり、信号強度の低下が問題とな
っている。

【０００９】上述のＭＳＲの問題点を解決するのが磁区
拡大再生方式（ＭＡＭＭＯＳ、ＭａｇｎｅｔｉｃＡｍ
ｐｌｉｆｙｉｎｇＭａｇｎｅｔｏ−ＯｐｔｉｃａｌＳ
ｙｓｔｅｍ）である。ＭＡＭＭＯＳに使用する光磁気記
録媒体は、再生層、補助層及び記録層が積層されてい
る。ＭＡＭＭＯＳは、記録層の磁気モーメントが補助層
を介して再生層に磁気転写される。そして、ＭＡＭＭＯ
Ｓは、情報を再生する際、外部磁界を光磁気記録媒体に
照射し、再生層に磁気転写されている磁気モーメントを
拡大する。

【００１０】また、上述のＭＡＭＭＯＳを利用して、多
層記録膜に情報を多値記録する方法及び再生方法がOPTR
ONICS(1998)No.4 pp.115-124に提案されている。上記資
料には、基板上に互いに保持力が異なる複数の磁性層を
積層した光磁気記録媒体に、磁界強度を多段階に変調し
た記録磁界を印加し、特定の磁性層の磁気モーメントを
選択的に磁化反転させることにより情報を多値記録する
ことが記載されている。

【００１１】ここで、上記資料について詳細を述べる。
上記資料に記載の光磁気記録媒体は、基板上に下地層、
第１の記録層、中間層及び第２の記録層が積層されてい
る。下地層、第１の記録層及び第２の記録層は、希土類
元素（以下ＲＥと呼ぶ。）と遷移金属元素（以下ＴＭと
呼ぶ。）との合金性の非晶質膜であり、磁気モーメント
が互いに逆向きに結合しているフェリ磁性体である。下
地層は、ＰｔＣｏのフェリ磁性体であり、ＴＭリッチの
磁性層である。第１の記録層及び第２の記録層は、Ｔｂ
ＦｅＣｏのフェリ磁性体であり、ＲＥリッチの磁性層で
ある。また、第２の記録層は、下地層の上部に積層され
ており、下地層と交換結合している。

【００１２】ここで、当該光磁気記録媒体を用いて情報
を多値記録する多値記録方法について述べる。レーザ照
射部は、光磁気記録媒体の所定の場所にレーザビームを
照射する。また、磁界印加部は、上述のレーザビームが
照射されている所定の場所に記録磁界を印加する。この
ときの磁界強度又は／及び磁界方向に応じて、４つの記
録状態で光磁気記録媒体に情報が記録される。

【００１３】ここで第１の記録層及び第２の記録層のそ
れぞれの磁気モーメントの状態について、以下に説明す
る。

【００１４】第２の記録層の磁気モーメントは、記録磁
界が負バイアスのときには、負バイアス方向（↓）を向
き、記録磁界が正バイアスのときには、正バイアス方向
（↑）を向く。つまり、第２の記録層の磁気モーメント
は、外部磁界のバイアス方向に応じた方向を向く。

【００１５】また、第１の記録層の磁気モーメントは、
記録磁界が負バイアスの磁界Ｈａより小さいとき（Ｈ＜
Ｈａ）は、負バイアス方向（↓）を向き、記録磁界が負
バイアスの磁界Ｈａより大きくゼロより小さいとき（Ｈ
ａ＜Ｈ＜０）は、正バイアス方向（↑）を向き、また、
記録磁界がゼロより大きく正バイアスの磁界Ｈｂより小
さいとき（０＜Ｈ＜Ｈｂ）は、負バイアス方向（↓）を
向き、記録磁界が正バイアスの磁界Ｈｂより大きいとき
（Ｈ＞Ｈｂ）は、正バイアス方向（↑）を向く。

【００１６】第１の記録層の磁気モーメントは、負バイ
アスの磁界Ｈａから正バイアスの磁界Ｈｂの領域では、
印加される記録磁界よりも第１の記録層及び下地層間に
働く交換結合の方が影響力が強いために記録磁界のバイ
アス方向とは異なる方向に反転する。

【００１７】記録磁界の磁界強度とバイアス方向とによ
り、光磁気記録媒体は、（↑↑）、（↑↓）、（↓↑）
及び（↓↓）の４つの記録状態で情報が記録される。

【００１８】上述のように光磁気記録媒体に情報を多値
記録する際、再生時のＳ／Ｎ比（ＳｉｇｎａｌｔｏＮ
ｏｉｓｅＲａｔｉｏ）の劣化防止を図るために、各記
録層に適した波長による多波長記録及び再生が行われて
いる。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この光
磁気記録媒体に対して各記録層に適した波長による多波
長記録及び再生を行う際、多波長を発生させる手段に高
い技術を必要とし、装置が高価となる問題がある。

【００２０】そこで、本発明は、上述したような実状に
鑑みて提案されたものであり、複数の記録層を有する光
磁気記録媒体に情報を多値記録し、多値記録されている
情報を再生する際、各記録層ごとに情報を再生層に転写
し、Ｓ／Ｎ比を劣化することなく、転写した情報の組み
合わせにより光磁気記録媒体から多値記録されている情
報を再生する多値記録再生方法及び装置を提供すること
を目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る多値記録再
生方法は、上述の課題を解決するために、情報の記録に
より記録マークが形成され、第１の補償温度Ｔ１
_ＣＯＭＰを有する第１の記録層と、情報の記録により記
録マークが形成され、上記第１の補償温度Ｔ１_ＣＯＭ _Ｐ
とは異なる第２の補償温度Ｔ２_ＣＯＭＰを有する第２の
記録層と、上記第１の記録層及び上記第２の記録層から
情報が磁気転写される再生層と、上記第１の記録層及び
上記第２の記録層から上記再生層に情報が磁気転写され
るように補助する補助層とが少なくとも積層されてお
り、上記第１の記録層と上記第２の記録層とは交換結合
をしている光磁気記録媒体に、情報を上記第１の記録層
と上記第２の記録層との磁化状態の組み合わせにより多
値記録し、多値記録した情報を再生する多値記録再生方
法であって、上記光磁気記録媒体に記録ビームを照射す
るとともに、上記光磁気記録媒体に所定の方向に所定の
強さで記録磁界を印加して、上記光磁気記録媒体に情報
を多値記録し、多値記録されている上記光磁気記録媒体
に光ビームを照射して、第１の補償温度Ｔ１_ＣＯＭＰま
で昇温することにより、上記第２の記録層から上記再生
層に第１の記録マークを磁気転写し、上記再生層に再生
ビームを照射して上記第１の記録マークを再生し、上記
光磁気記録媒体に光ビームを照射して、第２の補償温度
Ｔ２_ＣＯＭＰまで昇温することにより、上記第１の記録
層から上記再生層に第２の記録マークを磁気転写し、上
記再生層に再生ビームを照射して上記第２の記録マーク
を再生し、上記第１の記録マーク及び上記第２の記録マ
ークの組み合わせにより上記光磁気記録媒体から多値記
録されている情報を再生する。

【００２２】このような多値記録再生方法は、交換結合
している第１の記録層及び第２の記録層と、再生層と、
補助層とが積層されている光磁気記録媒体に、記録ビー
ムの照射とともに、記録磁界を印加することにより情報
を多値記録し、多値記録した情報を再生する際、光磁気
記録媒体を第１の補償温度Ｔ１_ＣＯＭＰまで昇温して、
第２の記録層から再生層に第１の記録マークを磁気転写
し、再生層に再生ビームを照射して第１の記録マークを
再生し、また、第１の補償温度Ｔ１_ＣＯＭＰにより昇温
した場所を第２の補償温度Ｔ２_ＣＯＭＰまで昇温して、
第１の記録層から再生層に第２の記録マークを磁気転写
し、再生層に再生ビームを照射して第２の記録マークを
再生して、上記第１の記録マークと上記第２の記録マー
クの組み合わせにより多値情報を再生する。

【００２３】また、本発明に係る多値記録再生装置は、
上述の課題を解決するために、情報の記録により記録マ
ークが形成され、第１の補償温度Ｔ１_ＣＯＭＰを有する
第１の記録層と、情報の記録により記録マークが形成さ
れ、上記第１の補償温度Ｔ１ _ＣＯＭＰとは異なる第２の
補償温度Ｔ２_ＣＯＭＰを有する第２の記録層と、上記第
１の記録層及び上記第２の記録層から情報が磁気転写さ
れる再生層と、上記第１の記録層及び上記第２の記録層
から上記再生層に情報が磁気転写されるように補助する
補助層とが少なくとも積層されており、上記第１の記録
層と上記第２の記録層とは、交換結合をしている光磁気
記録媒体に、情報を上記第１の記録層と上記第２の記録
層との磁化状態の組み合わせにより多値記録し、多値記
録した情報を再生する多値記録再生装置であって、上記
光磁気記録媒体が所定の記録温度に達するまで記録ビー
ムを照射する記録ビーム照射手段と、上記光磁気記録媒
体に所定の方向に所定の強さで記録磁界を印加する記録
磁界印加手段と、上記光磁気記録媒体に、第１の補償温
度Ｔ１_ＣＯＭＰまで昇温する第１の昇温手段と、上記光
磁気記録媒体に、第２の補償温度Ｔ２_ＣＯＭＰまで昇温
する第２の昇温手段と、上記光磁気記録媒体から情報を
再生するために再生ビームを照射する再生ビーム照射手
段とを備え、上記記録ビーム照射手段及び上記記録磁界
印加手段により上記光磁気記録媒体に情報を多値記録
し、上記光磁気記録媒体に上記第１の昇温手段により第
１の補償温度Ｔ１_ＣＯＭＰまで昇温することにより上記
第２の記録層から上記再生層に第１の記録マークを磁気
転写し、上記再生ビーム照射手段により上記再生層から
上記第１の記録マークを再生し、上記光磁気記録媒体に
上記第２の昇温手段により第２の補償温度Ｔ２_ＣＯＭＰ
まで昇温することにより上記第１の記録層から上記再生
層に第２の記録マークを磁気転写し、上記再生ビーム照
射手段により上記再生層から上記第２の記録マークを再
生して、上記第１の記録マーク及び上記第２の記録マー
クの組み合わせにより上記光磁気記録媒体から多値記録
されている情報を再生する。

【００２４】このような多値記録装置は、交換結合して
いる第１の記録層及び第２の記録層と、再生層と、補助
層とが積層されている光磁気記録媒体に、再生ビーム照
射手段により再生ビームを照射するとともに、記録磁界
印加手段により記録磁界を印加して情報を多値記録し、
第１の昇温手段により第２の記録層から再生層に第１の
記録マークを磁気転写して、再生ビーム照射手段により
第１の記録マークを再生し、また、第２の昇温手段によ
り第１の記録層から再生層に第２の記録マークを磁気転
写して、再生ビーム照射手段により第２の記録マークを
再生して、上記第１の記録マークと上記第２の記録マー
クの組み合わせにより多値情報を再生する。

【００２５】本発明に係る多値記録再生方法は、情報の
記録により記録マークが形成される第１の記録層及び第
２の記録層と、上記第１の記録層及び上記第２の記録層
から記録マークが磁気転写される再生層と、上記第１の
記録層及び上記第２の記録層の垂直方向の磁化状態によ
り発生する漏洩磁界Ｈ１に応じて記録マークが上記再生
層に磁気転写されるように補助する補助層とが少なくと
も積層されており、上記第１の記録層と上記第２の記録
層とは交換結合をしている光磁気記録媒体に、情報を上
記第１の記録層と上記第２の記録層との磁化状態の組み
合わせにより多値記録し、多値記録した情報を再生する
多値記録再生方法であって、上記光磁気記録媒体に記録
ビームを照射するとともに、上記光磁気記録媒体に所定
の方向に所定の強さで記録磁界を印加して、上記光磁気
記録媒体に情報を多値記録し、多値記録されている上記
光磁気記録媒体に再生磁界Ｈ２を印加して、上記漏洩磁
界Ｈ１及び上記再生磁界Ｈ２の合成磁界Ｈ３（Ｈ１＋Ｈ
２）に応じた大きさの記録マークを上記再生層に磁気転
写し、上記合成磁界Ｈ３に応じた大きさの記録マークが
再生層に磁気転写されている上記光磁気記録媒体に再生
ビームを照射して、上記照射に応じて上記光磁気記録媒
体から反射される光を検出することにより上記光磁気記
録媒体から多値記録されている情報を再生する。

【００２６】このような多値記録再生方法は、交換結合
している第１の記録層及び第２の記録層と、再生層と、
補助層とが積層されており、上記第１の記録層及び上記
第２の記録層の垂直方向の磁化状態により漏洩磁界Ｈ１
が発生している光磁気記録媒体に、記録ビームの照射と
ともに、記録磁界を印加することにより情報を多値記録
し、多値記録した情報を再生する際、光磁気記録媒体に
再生磁界Ｈ２を印加して、漏洩磁界Ｈ１及び再生磁界Ｈ
２の合成磁界Ｈ３（Ｈ１＋Ｈ２）に応じた大きさの記録
マークを再生層に磁気転写し、再生ビームの照射により
生じる反射光を検出することで上記光磁気記録媒体から
多値記録されている情報を再生する。

【００２７】また、本発明に係る多値記録再生装置は、
情報の記録により記録マークが形成される第１の記録層
及び第２の記録層と、上記第１の記録層及び上記第２の
記録層から記録マークが磁気転写される再生層と、上記
第１の記録層及び上記第２の記録層の垂直方向の磁化状
態により発生する漏洩磁界Ｈ１に応じて記録マークが上
記再生層に磁気転写されるように補助する補助層とが少
なくとも積層されており、上記第１の記録層と上記第２
の記録層とは交換結合をしている光磁気記録媒体に、情
報を上記第１の記録層と上記第２の記録層との磁化状態
の組み合わせにより多値記録し、多値記録した情報を再
生する多値記録再生装置であって、上記光磁気記録媒体
が記録温度に達するまで記録ビームを照射する記録ビー
ム照射手段と、上記光磁気記録媒体に所定の方向に所定
の強さで記録磁界を印加する記録磁界印加手段と、上記
光磁気記録媒体に再生磁界Ｈ２を印加する再生磁界印加
手段と、上記光磁気記録媒体から情報を再生するために
再生ビームを照射する再生ビーム照射手段と、上記再生
ビームの照射により上記光磁気記録媒体から反射される
光を検出する検出手段とを備え、上記記録ビーム照射手
段及び上記記録磁界印加手段により上記光磁気記録媒体
に情報を多値記録し、上記光磁気記録媒体に上記再生磁
界印加手段により再生磁界Ｈ２を印加することで、上記
漏洩磁界Ｈ１及び上記再生磁界Ｈ２の合成磁界Ｈ３（Ｈ
１＋Ｈ２）に応じた大きさの記録マークを上記再生層に
磁気転写し、上記合成磁界Ｈ３に応じた大きさの記録マ
ークが再生層に磁気転写されている上記光磁気記録媒体
に上記再生ビーム照射手段により再生ビームを照射し、
上記照射に応じて上記光磁気記録媒体から反射される光
を上記検出手段により検出することで上記光磁気記録媒
体から多値記録されている情報を再生する。

【００２８】このような多値記録再生装置は、交換結合
している第１の記録層及び第２の記録層と、再生層と、
補助層とが積層されており、上記第１の記録層及び上記
第２の記録層の垂直方向の磁化状態により漏洩磁界Ｈ１
が発生している光磁気記録媒体に、再生ビーム照射手段
により再生ビームを照射するとともに、記録磁界印加手
段により記録磁界を印加して情報を多値記録し、再生磁
界印加手段により再生磁界Ｈ２を印加して、漏洩磁界Ｈ
１及び再生磁界Ｈ２の合成磁界Ｈ３（Ｈ１＋Ｈ２）に応
じた大きさの記録マークを再生層に磁気転写し、再生ビ
ーム照射手段により再生ビームを照射し、照射により生
じる反射光を検出手段により検出することで上記光磁気
記録媒体から多値記録されている情報を再生する。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。

【００３０】本発明は、例えば図１に示すような光磁気
記録媒体１に情報の多値記録を行う。

【００３１】この光磁気記録媒体１は、基板１０上に第
１の記録層１１と、第２の記録層１２と、補助層１３
と、再生層１４とが積層されている。第１の記録層１１
は、希土類元素（以下ＲＥと呼ぶ。）と遷移金属元素
（以下ＴＭと呼ぶ。）との合金性の磁性層であり、補償
温度Ｔ１_ＣＯＭＰを有するＴＭリッチのフェリ磁性層で
ある。第２の記録層１２は、ＲＥとＴＭとの合金性の磁
性層であり、補償温度Ｔ１ _ＣＯＭＰとは異なる補償温度
Ｔ２_ＣＯＭＰを有するＲＥリッチのフェリ磁性層であ
る。第２の記録層１２の磁気モーメントは、第１の記録
層１１の磁気モーメントが作る磁界の方向を向く。これ
は、交換結合と呼ばれる磁気的な結合で、量子力学的な
効果の一つである。交換結合は、二つの隣接した磁気モ
ーメント間において、互いに平行に並ぼうとする性質の
ものである。また、交換結合は、隣接する原子間でのみ
働くもので、直接積層された磁性層の界面に働く。

【００３２】補助層１３は、磁気的性質のない非磁性層
である。再生層１４は、ＲＥとＴＭとの合金性の非晶質
膜である。また、再生層１４は、例えば、ＴＭリッチの
フェリ磁性層である。

【００３３】光磁気記録媒体１は、リムーバブル方式の
媒体でもよいし、固定方式の媒体でもよい。

【００３４】このような光磁気記録媒体１は、例えば図
２に示す、多値記録再生装置２により情報の多値記録及
び再生が行われる。

【００３５】多値記録再生装置２は、磁界印加部２０
と、第１の光ビーム照射部２１と、第２の光ビーム照射
部２２と、第１のハーフミラー２３と、第２のハーフミ
ラー２４と、対物レンズ２５と、光検出部２６とを備え
る。

【００３６】磁界印加部２０は、正バイアス磁界及び負
バイアス磁界及び多段階に磁界強度を変化させた記録磁
界を発生することができ、バイアスの方向と磁界強度の
強弱により光磁気記録媒体１に情報を記録する。また、
磁界印加部２０は、例えば、右ねじの法則を利用して、
電圧を所定の方向に印加し、記録磁界を生じさせる。な
お、上記以外の方法で記録磁界を発生させてもよい。第
１の光ビーム照射部２１は、多段階に光強度を変化させ
ることができ、第１のハーフミラー２３、第２のハーフ
ミラー２４及び対物レンズ２５を介して光磁気記録媒体
１に光ビームを照射する。対物レンズ２５は、第１の光
ビーム照射部２１から出力された光ビームを光磁気記録
媒体１の所定の場所に集光する。

【００３７】第２の光ビーム照射部２２は、第１のハー
フミラー２３、第２のハーフミラー２４及び対物レンズ
２５を介して光磁気録媒体１に再生用の光ビームを照射
する。光磁気記録媒体１は、照射された再生用光ビーム
を反射再生用光ビームとして反射する。反射された反射
再生用光ビームは、対物レンズ２５及び第２のハーフミ
ラー２４を介して光検出部２６に出射される。光検出部
２６は、波長板３０と、偏光ビームスプリッタ（以下、
ＰＢＳと呼ぶ。）３１と、第１の光検出器３２と、第２
の光検出器３３とを備えている。光磁気記録媒体１から
反射された反射再生用光ビームは、波長板３０及びＰＢ
Ｓ３１を介して第１の光検出器３２及び第２の光検出器
３３に入射される。なお、第１の光ビーム照射部２１及
び第２の光ビーム照射部２２は、一つの光ビーム照射部
で構成されていてもよい。

【００３８】ここで、反射再生用光ビームが入射された
ときの光検出部２６の動作について以下に述べる。反射
再生用光ビームは、波長板３０により直線偏光にされ
る。そして、直線偏光にされた反射再生用光ビームは、
ＰＢＳ３１によりＳ偏光成分の光とＰ偏光成分の光とに
偏光分離される。Ｐ偏光成分の光は、第１の光検出器３
２に出射され、Ｓ偏光成分の光は、第２の光検出器３３
に出射される。第１の光検出器３２は、Ｐ偏光成分の光
からカー回転角等を検出する。また、第２の光検出器３
３は、Ｓ偏光成分の光から同様にカー回転角等を検出す
る。光磁気記録媒体１は、通常、直線偏光の光ビームが
光磁気記録媒体に照射されると、右回り円偏光又は左回
り円偏光を反射光ビームとして反射する。この反射光ビ
ームの回転する方向は、光磁気記録媒体の磁化状態によ
り決まる。

【００３９】多値記録再生装置２により光磁気記録媒体
１に情報を多値記録する際の方法を説明する。第１の光
ビーム照射部は、第１のハーフミラー２３、第２のハー
フミラー２４及び対物レンズ２５を介して光磁気記録媒
体１に光ビームを照射する。磁界印加部２０は、光磁気
記録媒体１の第１の記録層１１及び第２の記録層１２が
光ビームの照射により記録温度に達した際、記録磁界を
印加する。光磁気記録媒体１は、記録磁界のバイアス方
向及び磁界強度により、４つの記録状態で情報が記録さ
れる。

【００４０】また、ここで多値記録再生装置２により光
磁気記録媒体１に情報が多値記録される際の各記録層の
磁気モーメントの状態について図３及び図４を用いて以
下に説明する。

【００４１】第２の記録層１２の磁気モーメントは、図
３（ａ）に示すとおり、記録磁界が負バイアスのときに
は、負バイアス方向（↓）を向き、記録磁界が正バイア
スのときには、正バイアス方向（↑）を向く。つまり、
第２の記録層１２の磁気モーメントは、外部磁界のバイ
アス方向に応じた方向を向く。

【００４２】また、第１の記録層１１の磁気モーメント
は、図３（ｂ）に示すとおり、記録磁界が負バイアスの
磁界Ｈａより小さいとき（Ｈ＜Ｈａ）は、負バイアス方
向（↓）を向き、記録磁界が負バイアスの磁界Ｈａより
大きくゼロより小さいとき（Ｈａ＜Ｈ＜０）は、正バイ
アス方向（↑）を向き、また、記録磁界がゼロより大き
く正バイアスの磁界Ｈｂより小さいとき（０＜Ｈ＜Ｈ
ｂ）は、負バイアス方向（↓）を向き、記録磁界が磁界
Ｈｂより大きいとき（Ｈ＞Ｈｂ）は、正バイアス方向
（↑）を向く。

【００４３】第１の記録層１１の磁気モーメントは、磁
界Ｈａから磁界Ｈｂの領域では、印加される記録磁界よ
りも第１の記録層１１及び第２の記録層１２の間に働く
交換結合の方が影響力が強いために記録磁界のバイアス
方向とは異なる方向に反転する。

【００４４】記録磁界の磁界強度とバイアス方向とによ
り、図４に示すとおり、光磁気記録媒体１は、（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の４つの記録状態で情報が多
値記録される。また、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）
の順で、漏れ磁界が強くなる。なお、図４では、ＴＭと
ＲＥとの合成磁気モーメントで向きを表わしている。

【００４５】次に、上述のように情報が多値記録されて
いる光磁気記録媒体１から、多値記録再生装置２により
情報を再生する動作について図５を用いて説明する。な
お、第１の記録層１１における補償温度とキュリー温度
との関係は、図５の上部に示し、第２の記録層１２にお
ける補償温度とキュリー温度との関係は、図５の下部に
示す。

【００４６】次に、上述のように情報が多値記録された
光磁気記録媒体１から情報を再生する動作について以下
に説明する。第１の光ビーム照射部２１は、光磁気記録
媒体１に光ビームを照射し、第１の記録層１１が有する
補償温度Ｔ１_ＣＯＭＰ付近まで昇温する。第１の記録層
１１は、図５に示す点ａに相当する補償温度Ｔ１_ＣＯ
_ＭＰ付近まで昇温されると、ＴＭとＲＥとの磁気モーメ
ントの大きさが等しくなり見かけ上、磁気がなくなる。
従って、第１の光ビーム照射部２１により光磁気記録媒
体１が補償温度Ｔ１_ＣＯＭＰ付近まで昇温されると、再
生層１４には、第２の記録層１２の磁化状態のみが磁気
転写されることになる。そして、第２の光ビーム照射部
２２は、第２の記録層１２の磁化状態が磁気転写されて
いる上記再生層１４に再生用の光ビームを照射する。光
磁気記録媒体１は、照射された再生用の光ビームを反射
再生用光ビームとして反射する。反射再生用光ビーム
は、対物レンズ２５、ハーフミラー、波長板３０及びＰ
ＢＳ３１を介して第１の光検出器３２及び第２の光検出
器３３に入射される。上述のようにして第１の記録マー
クが再生される。

【００４７】また、上述と同じ場所に第１の光ビーム照
射部２１により光ビームを照射し、第２の記録層１２が
有する補償温度Ｔ２_ＣＯＭＰ付近まで昇温する。第２の
記録層１２は、図５に示す点ｂに相当する補償温度Ｔ２
_ＣＯＭＰ付近まで昇温されると、ＴＭとＲＥとの磁気モ
ーメントの大きさが等しくなり見かけ上、磁気がなくな
る。従って、第１の光ビーム照射部２１により光磁気記
録媒体１が補償温度Ｔ２_ＣＯＭＰ付近まで昇温される
と、再生層１４には、第１の記録層１１の磁化状態のみ
が磁気転写されることになる。そして、第２の光ビーム
照射部２２は、第１の記録層１１の磁化状態が磁気転写
されている上記再生層１４に再生用の光ビームを照射す
る。光磁気記録媒体１は、照射された再生用の光ビーム
を反射再生用光ビームとして反射する。反射再生用光ビ
ームは、対物レンズ２５、ハーフミラー、波長板３０及
びＰＢＳ３１を介して第１の光検出器３２及び第２の光
検出器３３に入射される。上述のようにして第２の記録
マークが再生される。

【００４８】多値記録再生装置２は、上記第１の記録マ
ーク及び上記第２の記録マークの組み合わせにより多値
記録情報を再生する。

【００４９】また、第１の記録層１１及び第２の記録層
１２の垂直方向に記録されている記録状態を磁気モーメ
ントで表わすと、図４（ａ）〜（ｄ）に示すとおり、４
つの記録状態で表わせる。上記の４つの記録状態を例え
ば、（↑）を”１”とし、（↓）を”０”とすると、図
４（ａ）の記録状態は、第１の記録層１１、第２の記録
層１２の順で（↓↓）であるから（００）となり、図４
（ｂ）の記録状態は、（↓↑）であるから（０１）とな
り、図４（ｃ）の記録状態は、（↑↓）であるから（１
０）となり、図４（ｄ）の記録状態は、（↑↑）である
から（１１）となる。

【００５０】ここで、２値の記録信号（０１１０１１０
０１０００１１０１０１０１）があったときに、（０
０）を”０”とし、（０１）を”１”とし、（１０）
を”２”とし、（１１）を”３”とすると、上記の２値
の記録信号は、（１２３０２０３１１１）と４値の記録
信号で表わすことができる。

【００５１】このようにして多値記録再生装置２は、補
償温度Ｔ１_ＣＯＭＰを有する第１の記録層１１と、補償
温度Ｔ２_ＣＯＭＰを有する第２の記録層１２と、補助層
１３と、再生層１４とを有する光磁気記録媒体１に第１
の光ビーム照射部２１と磁界印加部２０とにより情報を
多値記録でき、また、第１の光ビーム照射手段で第１の
記録層１１及び第２の記録層１２の情報をそれぞれ独立
に再生層１４に磁気転写し、再生層１４に磁気転写され
ている情報を第２の光ビーム照射手段で光検出部２６に
第１の記録マーク及び第２の記録マークとして呼び出
し、第１の記録マーク及び第２の記録マークの組み合わ
せによりＳ／Ｎ比を劣化させることなく光磁気記録媒体
１から多値記録されている情報を再生することができ
る。

【００５２】なお、本例においては、光磁気記録媒体１
の第１の記録層１１をＴＭリッチとし、第２の記録層１
２をＲＥリッチとしたが、第１の記録層１１をＲＥリッ
チとし、第２の記録層１２をＲＥリッチとしてもよい。

【００５３】つぎに、第２の実施の形態について説明す
る。

【００５４】本発明は、例えば図６に示すような光磁気
記録媒体３に情報の多値記録を行う。

【００５５】この光磁気記録媒体３は、基板４０上に第
１の記録層４１と、第２の記録層４２と、補助層４３
と、再生層４４とが積層されている。第１の記録層４１
は、希土類元素（以下ＲＥと呼ぶ。）と遷移金属元素
（以下ＴＭと呼ぶ。）との合金性の磁性層であり、ＴＭ
リッチのフェリ磁性層である。第２の記録層４２は、Ｒ
ＥとＴＭとの合金性の磁性層であり、ＲＥリッチのフェ
リ磁性層である。第２の記録層４２の磁気モーメント
は、第１の記録層４１の磁気モーメントが作る磁界の方
向を向く。これは、交換結合と呼ばれる磁気的な結合
で、量子力学的な効果の一つである。交換結合について
は、上述の第１の実施例で述べたとおりである。

【００５６】補助層４３は、磁気的性質のない非磁性層
である。再生層４４は、ＲＥとＴＭとの合金性の非晶質
膜である。また、再生層４４は、例えば、ＴＭリッチの
フェリ磁性層である。

【００５７】光磁気記録媒体３は、リムーバブル方式の
媒体でもよいし、固定方式の媒体でもよい。

【００５８】このような光磁気記録媒体３は、例えば図
７に示す、多値記録再生装置４により情報の多値記録及
び再生が行われる。

【００５９】多値記録再生装置４は、磁界印加部５０
と、第１の光ビーム照射部５１と、第２の光ビーム照射
部５２と、第１のハーフミラー５３と、第２のハーフミ
ラー５４と、対物レンズ５５と、光検出部５６とを備え
る。

【００６０】磁界印加部５０は、正バイアス磁界及び負
バイアス磁界及び多段階に磁界強度を変化させることに
より記録磁界及び再生磁界を発生することができる。ま
た、磁界印加部５０は、バイアスの方向と磁界強度の強
弱により光磁気記録媒体３に情報を記録する。また、磁
界印加部５０は、例えば、右ねじの法則を利用して、電
圧を所定の方向に印加し、記録磁界及び再生磁界を生じ
させる。なお、上記以外の方法で記録磁界及び再生磁界
を発生させてもよい。第１の光ビーム照射部５１は、第
１のハーフミラー５３、第２のハーフミラー５４及び対
物レンズ５５を介して光磁気記録媒体３に記録用の光ビ
ームを照射する。対物レンズ５５は、第１の光ビーム照
射部５１から出力された光ビームを光磁気記録媒体３の
所定の場所に集光する。

【００６１】第２の光ビーム照射部５２は、第１のハー
フミラー５３、第２のハーフミラー５４及び対物レンズ
５５を介して光磁気録媒体１に再生用の光ビームを照射
する。光磁気記録媒体３は、照射された再生用光ビーム
を反射再生用光ビームとして反射する。反射された反射
再生用光ビームは、対物レンズ５５及び第２のハーフミ
ラー５４を介して光検出部５６に出射される。光検出部
５６は、反射再生用光ビームから記録信号の大きさを検
出する。なお、第１の光ビーム照射部５１及び第２の光
ビーム照射部５２は、一つの光ビーム照射部で構成され
ていてもよい。

【００６２】多値記録再生装置４により光磁気記録媒体
３に情報を多値記録する際の方法を説明する。第１の光
ビーム照射部は、第１のハーフミラー５３、第２のハー
フミラー５４及び対物レンズ５５を介して光磁気記録媒
体３に光ビームを照射する。磁界印加部５０は、光磁気
記録媒体３の第１の記録層４１及び第２の記録層４２が
光ビームの照射により記録温度に達した際、記録磁界を
印加する。光磁気記録媒体３は、記録磁界のバイアス方
向及び磁界強度により、４つの記録状態で情報が記録さ
れる。

【００６３】また、多値記録再生装置４により光磁気記
録媒体３に情報が多値記録される際の各記録層の磁気モ
ーメントの状態については、上述の第１の実施例で述べ
たとおりである。

【００６４】情報が多値記録されている光磁気記録媒体
３から、多値記録再生装置４により情報を再生する動作
について図８を用いて説明する。

【００６５】第１の記録層４１及び第２の記録層４２
は、４つの記録状態で情報が記録されているとき、それ
ぞれの状態により漏洩磁界Ｈ１が異なる。漏洩磁界Ｈ１
は、第１の記録層４１及び第２の記録層４２が（↑↑）
の状態の際、図８に示すとおり、漏洩磁界Ｈ１ａとな
り、第１の記録層４１及び第２の記録層４２が（↓↑）
の状態の際、図８に示すとおり、漏洩磁界Ｈ１ｂとな
る。また、漏洩磁界Ｈ１は、第１の記録層４１及び第２
の記録層４２が（↑↓）の状態の際、図８に示すとお
り、漏洩磁界Ｈ１ｃとなり、第１の記録層４１及び第２
の記録層４２が（↓↓）の状態の際、図８に示すとお
り、漏洩磁界Ｈ１ｄとなる。再生層４４は、漏洩磁界Ｈ
１の状態に基づいた大きさで記録マークが磁気転写され
る。

【００６６】磁界印加部５０は、上述のとおり、漏洩磁
界Ｈ１が発生している光磁気記録媒体３に再生磁界Ｈ２
を印加する。漏洩磁界Ｈ１及び再生磁界Ｈ２の合成磁界
Ｈ３（Ｈ１＋Ｈ２）は、漏洩磁界Ｈ１の状態によりそれ
ぞれ異なる。合成磁界Ｈ３は、漏洩磁界Ｈ１が漏洩磁界
Ｈ１ａの状態の際、図に示すとおり、合成磁界Ｈ３ａと
なり、漏洩磁界Ｈ１が漏洩磁界Ｈ１ｂの状態の際、図８
に示すとおり、合成磁界Ｈ３ｂとなり、また、漏洩磁界
Ｈ１が漏洩磁界Ｈ１ｃの状態の際、図８に示すとおり、
合成磁界Ｈ３ｃとなる。合成磁界Ｈ３は、漏洩磁界Ｈ１
が漏洩磁界Ｈ１ｄの状態の際、生じないこととする。再
生層４４は、合成磁界Ｈ３の状態に基づいた大きさで記
録マークが拡大される。

【００６７】第２の光ビーム照射部５２は、上述のとお
り、合成磁界Ｈ３のそれぞれの状態で記録マークが磁気
転写及び拡大されている光磁気記録媒体３に再生用の光
ビームを照射する。光磁気記録媒体３は、記録マークの
大きさに応じた記録信号を持つ反射再生用光ビームを反
射する。光検出部３は、反射再生用光ビームを検出す
る。

【００６８】多値記録再生装置４は、光検出部３で検出
された反射再生用光ビームの記録信号の大きさにより多
値記録情報を再生する。したがって、多値記録再生装置
４は、光磁気記録媒体４の再生層４４に３つの大きさの
記録マークを形成することができる。例えば、合成磁界
Ｈ３ａに基づいて形成された記録マークを”３”、合成
磁界Ｈ３ｂに基づいて形成された記録マークを”２”及
び合成磁界Ｈ３ｃに基づいて形成された記録マークを”
１”として表わし、また、再生する記録マークがないと
きには、”０”として表わすと、”３”、”２”、”
１”及び”０”の４値の記録信号で表わすことができ
る。

【００６９】このようにして多値記録再生装置４は、交
換結合している第１の記録層４１及び第２の記録層４２
と、再生層４４と、補助層４３とが積層されており、上
記第１の記録層４１及び上記第２の記録層４２の垂直方
向の磁化状態により漏洩磁界Ｈ１が発生している光磁気
記録媒体に、記録ビームを照射するとともに、記録磁界
を印加して情報を多値記録でき、また、再生磁界Ｈ２を
印加して、漏洩磁界Ｈ１及び再生磁界Ｈ２の合成磁界Ｈ
３（Ｈ１＋Ｈ２）に応じた大きさの記録マークを再生層
４４に磁気転写し、再生ビームの照射により生じる反射
再生用光ビームの検出により多値記録されている情報を
再生できるので、Ｓ／Ｎ比を劣化させることなく情報を
再生することができる。

【００７０】また、再生磁界Ｈ２の大きさを可変し、記
録信号を検出する回数により、多値記録されている情報
を再生してもよい。

【００７１】なお、本例においては、光磁気記録媒体４
の第１の記録層４１をＴＭリッチとし、第２の記録層４
２をＲＥリッチとしたが、第１の記録層４１をＲＥリッ
チとし、第２の記録層４２をＲＥリッチとしてもよい。

【００７２】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る多値記録再生方法は、補償温度Ｔ１ _ＣＯＭＰを有する
第１の記録層と、補償温度Ｔ２_ＣＯＭＰを有する第２の
記録層と、補助層と、再生層とを有し、第１の記録層及
び第２の記録層は交換結合している光磁気記録媒体に、
記録ビームの照射とともに、外部磁界を印加することに
より情報を多値記録し、第１の記録層及び第２の記録層
の記録マークをそれぞれ独立に再生層に磁気転写し、第
１の記録マーク及び第２の記録マークを独立に読み出
し、第１の記録マーク及び第２の記録マークの組み合わ
せにより多値記録されている情報を再生するので、Ｓ／
Ｎ比を劣化させることなく情報を再生することができ
る。

【００７３】また、本発明に係る多値記録再生装置は、
補償温度Ｔ１_ＣＯＭＰを有する第１の記録層と、補償温
度Ｔ２_ＣＯＭＰを有する第２の記録層と、補助層と、再
生層とを有し、第１の記録層及び第２の記録層は交換結
合している光磁気記録媒体に、記録ビームを照射する記
録ビーム照射手段と、情報を多値記録する記録磁界印加
手段とにより情報を多値記録し、光磁気記録媒体を補償
温度Ｔ１付近まで昇温する第１の昇温手段と、上記光磁
気記録媒体を補償温度Ｔ２付近まで消音する第２の昇温
手段と、上記光磁気記録媒体からから情報を再生する再
生ビーム照射手段とにより、第１の記録層及び第２の記
録層の記録マークをそれぞれ独立に再生層に磁気転写
し、第１の記録マーク及び第２の記録マークの組み合わ
せにより多値記録されている情報を再生するので、Ｓ／
Ｎ比を劣化させることなく情報を再生することができ
る。

【００７４】本発明に係る多値記録再生方法は、交換結
合している第１の記録層及び第２の記録層と、再生層
と、補助層とが積層されており、上記第１の記録層及び
上記第２の記録層の垂直方向の磁化状態により漏洩磁界
Ｈ１が発生している光磁気記録媒体に、記録ビームの照
射とともに、記録磁界を印加することにより情報を多値
記録し、再生磁界Ｈ２を印加して、漏洩磁界Ｈ１及び再
生磁界Ｈ２の合成磁界Ｈ３（Ｈ１＋Ｈ２）に応じた大き
さの記録マークを再生層に磁気転写し、再生ビームの照
射により生じる反射光の検出により多値記録されている
情報を再生するので、Ｓ／Ｎ比を劣化させることなく情
報を再生することができる。

【００７５】また、本発明に係る多値記録再生装置は、
交換結合している第１の記録層及び第２の記録層と、再
生層と、補助層とが積層されており、上記第１の記録層
及び上記第２の記録層の垂直方向の磁化状態により漏洩
磁界Ｈ１が発生している光磁気記録媒体に、記録ビーム
を照射する記録ビーム照射手段と、情報を多値記録する
記録磁界印加手段とにより情報を多値記録し、再生磁界
Ｈ２を印加する再生磁界印加手段と、再生ビームを照射
する再生ビーム照射手段と、再生ビームの反射光を検出
する検出手段とにより漏洩磁界Ｈ１及び再生磁界Ｈ２の
合成磁界Ｈ３（Ｈ１＋Ｈ２）に応じた大きさの記録マー
クが再生層に磁気転写され、再生ビームの照射により生
じる反射光の検出により多値記録されている情報を再生
するので、Ｓ／Ｎ比を劣化させることなく情報を再生す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した光磁気記録媒体の断面図であ
る。

【図２】本発明を適用した多値記録再生装置の構成を示
すブロック図である。

【図３】本発明を適用した多値記録再生装置により光磁
気記録媒体に情報を多値記録した際の第１の記録層及び
第２の記録層の磁気モーメントの状態を示す図である。

【図４】本発明を適用した多値記録再生装置により光磁
気記録媒体に情報を多値記録した際の記録状態を示す図
である。

【図５】本発明を適用した多値記録再生装置により光磁
気記録媒体に情報を多値記録する際の、第１の記録層及
び第２の記録層の補償温度とキュリー温度との関係を示
す図である。

【図６】本発明を適用した光磁気記録媒体の断面図であ
る。

【図７】本発明を適用した多値記録再生装置の構成を示
すブロック図である。

【図８】本発明を適用した多値記録再生装置により光磁
気記録媒体から情報を再生する際の磁気転写の様子を示
す図である。

【符号の説明】

１，３磁気記録媒体、２，４多値記録再生装置、１
１，４１第１の記録層、１２，４２第２の記録層、
１３，４３補助層、１４，４４再生層、２０，５０
磁界印加部、２１，５１第１の光ビーム照射部、２
２，５２第２の光ビーム照射部、２３，５３第１の
ハーフミラー、２４，５４第２のハーフミラー、２
５，５５対物レンズ、２６，５６光検出部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】情報の記録により記録マークが形成さ
れ、第１の補償温度Ｔ１ _ＣＯＭＰを有する第１の記録層
と、情報の記録により記録マークが形成され、上記第１
の補償温度Ｔ１_ＣＯＭＰとは異なる第２の補償温度Ｔ２
_ＣＯＭＰを有する第２の記録層と、上記第１の記録層及
び上記第２の記録層から情報が磁気転写される再生層
と、上記第１の記録層及び上記第２の記録層から上記再
生層に情報が磁気転写されるように補助する補助層とが
少なくとも積層されており、上記第１の記録層と上記第
２の記録層とが交換結合をしている光磁気記録媒体に、
情報を上記第１の記録層と上記第２の記録層との磁化状
態の組み合わせにより多値記録し、多値記録した情報を
再生する多値記録再生方法であって、上記光磁気記録媒体に記録ビームを照射するとともに、
上記光磁気記録媒体に所定の方向に所定の強さで記録磁
界を印加して、上記光磁気記録媒体に情報を多値記録
し、多値記録されている上記光磁気記録媒体に光ビームを照
射して、第１の補償温度Ｔ１_ＣＯＭＰまで昇温すること
により、上記第２の記録層から上記再生層に第１の記録
マークを磁気転写し、上記再生層に再生ビームを照射し
て上記第１の記録マークを再生し、上記光磁気記録媒体に光ビームを照射して、第２の補償
温度Ｔ２_ＣＯＭＰまで昇温することにより、上記第１の
記録層から上記再生層に第２の記録マークを磁気転写
し、上記再生層に再生ビームを照射して上記第２の記録
マークを再生し、上記第１の記録マーク及び上記第２の
記録マークの組み合わせにより上記光磁気記録媒体から
多値記録されている情報を再生することを特徴とする多
値記録再生方法。
【請求項２】情報の記録により記録マークが形成さ
れ、第１の補償温度Ｔ１ _ＣＯＭＰを有する第１の記録層
と、情報の記録により記録マークが形成され、上記第１
の補償温度Ｔ１_ＣＯＭＰとは異なる第２の補償温度Ｔ２
_ＣＯＭＰを有する第２の記録層と、上記第１の記録層及
び上記第２の記録層から情報が磁気転写される再生層
と、上記第１の記録層及び上記第２の記録層から上記再
生層に情報が磁気転写されるように補助する補助層とが
少なくとも積層されており、上記第１の記録層と上記第
２の記録層とが交換結合をしている光磁気記録媒体に、
情報を上記第１の記録層と上記第２の記録層との磁化状
態の組み合わせにより多値記録し、多値記録した情報を
再生する多値記録再生装置であって、上記光磁気記録媒体が所定の記録温度に達するまで記録
ビームを照射する記録ビーム照射手段と、上記光磁気記録媒体に所定の方向に所定の強さで記録磁
界を印加する記録磁界印加手段と、上記光磁気記録媒体に、第１の補償温度Ｔ１_ＣＯＭＰま
で昇温する第１の昇温手段と、上記光磁気記録媒体に、第２の補償温度Ｔ２_ＣＯＭＰま
で昇温する第２の昇温手段と、上記光磁気記録媒体から情報を再生するために再生ビー
ムを照射する再生ビーム照射手段とを備え、上記記録ビーム照射手段及び上記記録磁界印加手段によ
り上記光磁気記録媒体に情報を多値記録し、上記光磁気
記録媒体に上記第１の昇温手段により第１の補償温度Ｔ
１_ＣＯＭＰまで昇温することにより上記第２の記録層か
ら上記再生層に第１の記録マークを磁気転写し、上記再
生ビーム照射手段により上記再生層から上記第１の記録
マークを再生し、上記光磁気記録媒体に上記第２の昇温
手段により第２の補償温度Ｔ２_ＣＯＭＰまで昇温するこ
とにより上記第１の記録層から上記再生層に第２の記録
マークを磁気転写し、上記再生ビーム照射手段により上
記再生層から上記第２の記録マークを再生して、上記第
１の記録マーク及び上記第２の記録マークの組み合わせ
により上記光磁気記録媒体から多値記録されている情報
を再生することを特徴とする多値記録再生装置。
【請求項３】上記記録ビーム照射手段、上記第１の昇
温手段、上記第２の昇温手段及び上記再生ビーム照射手
段は、一つの光ビーム生成手段によりなることを特徴と
する請求項２記載の多値記録再生装置。
【請求項４】情報の記録により記録マークが形成され
る第１の記録層及び第２の記録層と、上記第１の記録層
及び上記第２の記録層から記録マークが磁気転写される
再生層と、上記第１の記録層及び上記第２の記録層の垂
直方向の磁化状態により発生する漏洩磁界Ｈ１に応じて
記録マークが上記再生層に磁気転写されるように補助す
る補助層とが少なくとも積層されており、上記第１の記
録層と上記第２の記録層とは交換結合をしている光磁気
記録媒体に、情報を上記第１の記録層と上記第２の記録
層との磁化状態の組み合わせにより多値記録し、多値記
録した情報を再生する多値記録再生方法であって、上記光磁気記録媒体に記録ビームを照射するとともに、
上記光磁気記録媒体に所定の方向に所定の強さで記録磁
界を印加して、上記光磁気記録媒体に情報を多値記録
し、多値記録されている上記光磁気記録媒体に再生磁界Ｈ２
を印加して、上記漏洩磁界Ｈ１及び上記再生磁界Ｈ２の
合成磁界Ｈ３（Ｈ１＋Ｈ２）に応じた大きさの記録マー
クを上記再生層に磁気転写し、上記合成磁界Ｈ３に応じた大きさの記録マークが再生層
に磁気転写されている上記光磁気記録媒体に再生ビーム
を照射して、上記照射に応じて上記光磁気記録媒体から
反射される光を検出することにより上記光磁気記録媒体
から多値記録されている情報を再生することを特徴とす
る多値記録再生方法。
【請求項５】情報の記録により記録マークが形成され
る第１の記録層及び第２の記録層と、上記第１の記録層
及び上記第２の記録層から記録マークが磁気転写される
再生層と、上記第１の記録層及び上記第２の記録層の垂
直方向の磁化状態により発生する漏洩磁界Ｈ１に応じて
記録マークが上記再生層に磁気転写されるように補助す
る補助層とが少なくとも積層されており、上記第１の記
録層と上記第２の記録層とは交換結合をしている光磁気
記録媒体に、情報を上記第１の記録層と上記第２の記録
層との磁化状態の組み合わせにより多値記録し、多値記
録した情報を再生する多値記録再生装置であって、上記光磁気記録媒体が記録温度に達するまで記録ビーム
を照射する記録ビーム照射手段と、上記光磁気記録媒体に所定の方向に所定の強さで記録磁
界を印加する記録磁界印加手段と、上記光磁気記録媒体に再生磁界Ｈ２を印加する再生磁界
印加手段と、上記光磁気記録媒体から情報を再生するために再生ビー
ムを照射する再生ビーム照射手段と、上記再生ビームの照射により上記光磁気記録媒体から反
射される光を検出する検出手段とを備え、上記記録ビーム照射手段及び上記記録磁界印加手段によ
り上記光磁気記録媒体に情報を多値記録し、上記光磁気
記録媒体に上記再生磁界印加手段により再生磁界Ｈ２を
印加することで、上記漏洩磁界Ｈ１及び上記再生磁界Ｈ
２の合成磁界Ｈ３（Ｈ１＋Ｈ２）に応じた大きさの記録
マークを上記再生層に磁気転写し、上記合成磁界Ｈ３に
応じた大きさの記録マークが再生層に磁気転写されてい
る上記光磁気記録媒体に上記再生ビーム照射手段により
再生ビームを照射し、上記照射に応じて上記光磁気記録
媒体から反射される光を上記検出手段により検出するこ
とで上記光磁気記録媒体から多値記録されている情報を
再生することを特徴とする多値記録再生装置。
【請求項６】上記記録ビーム照射手段及び上記再生ビ
ーム照射手段は、一つのビーム照射手段よりなることを
特徴とする請求項５記載の多値記録再生装置。
【請求項７】上記記録磁界印加手段及び上記再生磁界
印加手段は、一つの磁界印加手段によりなることを特徴
とする請求項５記載の多値記録再生装置。
【請求項８】上記再生磁界印加手段は、多段階に再生
磁界Ｈ２を発生することが可能であることを特徴とする
請求項５記載の多値記録再生装置。
【請求項９】上記検出手段により、上記光磁気記録媒
体の反射光から記録信号の大きさを検出することを特徴
とする請求項５記載の多値記録再生装置。