JP2002293827A - 側鎖型ラジカル重合性化合物、及びそれを用いた液晶デバイス - Google Patents

側鎖型ラジカル重合性化合物、及びそれを用いた液晶デバイス

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JP2002293827A
JP2002293827A JP2001092571A JP2001092571A JP2002293827A JP 2002293827 A JP2002293827 A JP 2002293827A JP 2001092571 A JP2001092571 A JP 2001092571A JP 2001092571 A JP2001092571 A JP 2001092571A JP 2002293827 A JP2002293827 A JP 2002293827A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 新規な側鎖型ラジカル重合性化合物と、該化
合物を含むラジカル重合性組成物、及び該化合物又は組
成物を用いた、低温でも高いコントラスト、低電圧駆動
が可能である液晶デバイスを提供すること。 【解決手段】 一般式(I) 【化1】 (式中、R12は−O−、−OCH2−等を、R3は脂肪
族基,脂肪族エーテル基等を、R45は互いに異なって
脂肪族基、脂肪族エーテル基等を、R67は各々水素原
子又は−CH3を、Xは−CH2−等を、Y及びZは各々
にエーテル結合等を、mは1〜3、p、q、nは0又は
1を表す)で表される側鎖型ラジカル重合性化合物、該
化合物を含むラジカル重合性組成物、及び該化合物又は
組成物を用いた液晶デバイス。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、側鎖型ラジカル重
合性化合物とそれを用いた液晶デバイスに関し、更に詳
しくは、新規な側鎖型ラジカル重合性化合物とそれを用
いた、低電圧駆動性を有し、高コントラストで、且つ低
温での作動性が改善された液晶デバイスに関する。
【0002】本発明の側鎖型ラジカル重合性化合物を用
いた液晶デバイスは、視野の遮断、開放、及び明かり、
もしくは照明光の透過制限、遮断、透過を電気的、又は
熱的に操作でき、建築物の窓やショーウィンドウ等の視
野遮断の為のスクリーンや、採光コントロールの為のカ
ーテンや、文字や図形を表示し高速応答性で電気的に表
示を切り換える広告板や装飾表示板、時計やコンピュー
ター末端等の表示素子や、デジタルペーパー、プロジェ
クション等の表示装置として有用である。
【0003】
【従来の技術】偏光板、及び配向処理を必要とせず、明
るくコントラストの良い大型で廉価な液晶デバイスとし
て、特表昭58−501631号公報には、液晶のカプ
セル化によりポリマー中に液晶を分散させて、フィルム
化したものを調光層に用いた液晶デバイスが開示され、
また、特開平1−198725号公報には、液晶材料の
連続層中に三次元網目状の透明性高分子物質を介在させ
たものを調光層に用いた液晶デバイスが開示されてい
る。
【0004】これらの中でも、後者の液晶デバイスは、
しきい値電圧を示し、偏光板が不要で駆動電圧を低電圧
化できることから、廉価な表示材料として注目されてい
る。しかし、後者の液晶デバイスも、その駆動電圧が低
電圧であるとはいえ、その駆動電圧の範囲は15〜30
Vであり、汎用の液晶表示装置駆動用のICドライバー
を使用するには困難であった。
【0005】駆動電圧を低電圧化する問題を解決するた
めに、特開平6−32761号公報には、三次元網目状
の透明性高分子として、一般式(II)
【0006】
【化2】
【0007】(式中、R8及びR9はそれぞれ独立に脂肪
族基,脂環族基,芳香族基,複素環基又はそれらの置換
体を表し、R10は水素原子又は−CH3を表し、Xは−
O−、又は−COO−を表し、Yは−O−、−COO−
又は環を形成していてもよい−N−を表し、nは2〜4
の整数を表す)
【0008】で表される側鎖型重合性化合物を含有する
ラジカル重合性組成物の重合物を用いた液晶デバイスが
提案されている。しかしながら、特開平6−32761
号公報に開示された液晶デバイスは、低電圧駆動が可能
ではあるが、未だに不十分で、また低温での電気光学特
性が良くない問題点があった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、新規な側鎖型ラジカル重合性化合物と、該
化合物を含むラジカル重合性組成物、及び該化合物又は
該組成物を用いた、低温でも高いコントラスト、低電圧
駆動が可能である液晶デバイスを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決するために、液晶デバイスの調光層に使用する重合
性組成物について鋭意検討した結果、調光層の三次元構
造を形成する透明性高分子物質として、特定の構造を有
する側鎖型ラジカル重合性化合物を含有するラジカル重
合性組成物を重合してなる高分子物質を用いた液晶デバ
イスが、0℃の低温においても低電圧駆動、高急峻性、
高コントラストを示し、温度特性に優れる電気光学特性
を有することを見いだし、本発明を完成するに至った。
【0011】即ち、本発明は、一般式(I)
【0012】
【化3】
【0013】(式中、R1とR2はそれぞれ独立に−O
−、−OCH2−、−CH2O−又は−OCH2CH2CO
OCH2−、−CH2OCOCH2CH2O−、−OCH2
CH2COO−、−OCOCH2CH2O−を表し、R3
脂肪族基,脂肪族エーテル基、環状脂肪族基,又は芳香
族基を表し、R4とR5はそれぞれ独立に脂肪族基,脂肪
族エーテル基、環状脂肪族基、又は芳香族基を表し、R
6とR7は各々水素原子又は−CH3を表し、Xは−CH2
−、エーテル結合又はエステル結合、Y及びZは各々独
立にエーテル結合、又はエステル結合を表し、mは1〜
3までの整数であり、p、q及びnは0又は1を表す)
で表される側鎖型ラジカル重合性化合物である。
【0014】本発明は、特にR3、R4、R5がそれぞれ
独立に脂肪族基及び又は脂肪族エーテル基である一般式
(I)の側鎖型ラジカル重合性化合物や、一般式(I)の
pとqが0である側鎖型ラジカル重合性化合物や、pが
1で、qが0である側鎖型ラジカル重合性化合物や、一
般式(I)のR4とR5がそれぞれ異なる炭素数4〜25
の飽和アルキル基であることを特徴とする側鎖型ラジカ
ル重合性化合物であり、また、とりわけ一般式(I)の
4が炭素数4〜25の直鎖アルキル基であり、R5が炭
素数4〜26の分岐アルキル基であることを特徴とする
側鎖型ラジカル重合性化合物である。
【0015】更に本発明は、本発明の側鎖型ラジカル重
合性化合物を含有するラジカル重合性組成物及び、これ
ら側鎖型ラジカル重合性化合物の重合物を用いた液晶デ
バイス、並びに、本発明の側鎖型ラジカル重合性化合物
を含有するラジカル重合性組成物(A)を重合して形成
される透明性高分子物質と、液晶材料(B)とからなる
液晶デバイス、及び該液晶デバイスが、特に透明性高分
子物質からなる三次元網目構造中に液晶材料が連続層で
形成された調光層を有する液晶デバイスを含むものであ
る。
【0016】
【発明の実施の形態】一般式(I)
【0017】
【化4】
【0018】本発明で使用する一般式(I)で表される
側鎖型ラジカル重合性化合物のR3は脂肪族基、脂肪族
エーテル基、環状脂肪族基、又は芳香族基を表すが、よ
り具体的には、鎖式アルキレン基、ポリエーテル基、脂
環炭化水素基、アリーレン基、又はアラルキレン基であ
り、炭素−炭素結合、エーテル結合、エステル結合から
選ばれる1種以上の結合を任意に含んでも良い。またR
3は、上述の基に更に置換基を有していても良く、置換
基としては、例えばハロゲン原子、アルコキシ基、アル
コキシカルボニル基、アシリオキシ基、アルカノイル基
等が挙げられる。
【0019】より具体的には、R3としては、分子量6
0〜1000、好ましくは60〜600のポリオキシメ
チレン基、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレ
ン基、ポリオキシブチレン基、ポリオキシテトラメチレ
ン基、トリメチロールプロパンポリオキシエチレン基、
トリメチロールプロパンポリオキシプロピレン基、ペン
タエリスリトールオキシエチレン基、ペンタエリスリト
ールオキシプロピレン基、ネオペンチルグリコールポリ
オキシエチレン基、ジメチロールヘプタンポリオキシエ
チレン基、ジメチロールヘプタンポリオキシプロピレン
基等の脂肪族エーテル基や、
【0020】ビスフェノールA基、エチレンオキサイド
変性ビスフェノールA基、ブロピレングリコール変性ビ
スフェノールA基、ビスエトキシフルオレン基、フタル
酸残基等の芳香族基や、水添ビスフェノールA基、エチ
レンオキサイド変性水添ビスフェノールA基、ダイマー
酸及びダイマー酸ジオール残基、ヘキサヒドロフタル酸
残基、トリシクロデカンジメチロール残基等の環状脂肪
族基や、炭素原子数2〜30までのアルキレン基、12
−ビニル−8−オクタデセン二酸残基、又は8,12−
エイコサジエン二酸残基等の脂肪族基である。
【0021】R4とR5は、互いに異なる、脂肪族基、脂
肪族エーテル基、環状脂肪族基、芳香族基を表すが、具
体的には、各々、鎖式アルキル基、オキシアルキル基、
脂環炭化水素基、アリール基、又はアラルキル基であ
り、炭素−炭素結合、エーテル結合、エステル結合から
選ばれる1種以上の結合を任意に含んでも良い。また、
4とR5は、上述の基に更に置換基を有していても良
く、置換基としては、例えばハロゲン原子、アルコキシ
基、アルコキシカルボニル基、アシリオキシ基、アルカ
ノイル基、シアノ基等が挙げられる。
【0022】より具体的には、R4とR5として、それぞ
れ異なる、炭素数2〜30(より好ましくは炭素数4〜
25)の直鎖アルキル基及びオキシアルキル基、炭素数
4〜30(より好ましくは、炭素数4〜26)の分岐ア
ルキル基、炭素数2〜20(より好ましくは炭素数4〜
18)の直鎖アルケニル基、炭素数4〜30(より好ま
しくは炭素数4〜26)の分岐アルケニル基、炭素数4
〜30(より好ましくは炭素数4〜25)のポリオキシ
アルキレン基、2−エチルヘキシルオキシエチレン基、
ヘキシルジオキシエチレン基、シクロヘキシル基、ペン
チルシクロヘキシル基、ペンチルシクロヘキシルフェニ
ル基、ノニルフェニル基、ノニルオキシフェニル基、又
はオクチルフェニル基である。作成する液晶デバイスの
駆動電圧の面からは、炭素数4〜25の飽和アルキル基
が好ましい。
【0023】本発明の一般式(I)で表される化合物の
合成方法としては、例えば多価エポキシ基を有する化合
物(a)と、エポキシ基と反応し得る活性水素を有する
ラジカル重合性化合物(b)とを反応させ、更に生成し
た水酸基と水酸基と反応しうる基を有する非重合性化合
物(c)及び(c')とを反応させることにより得るこ
とができる。
【0024】また別の合成方法としては、例えば多価エ
ポキシ基を有する化合物(a)とエポキシ基と反応しう
る基を有する非重合性化合物(d)及び(d')とを反
応させ、水酸基と反応し得るラジカル重合性化合物
(b')とを反応させることにより得ることができる。
【0025】具体的に示せば、一般式(I)においてp
=0、q=0、nとmが1、Xがエステル結合、Y及び
Zがエステル結合であり、R1が−OCH2−、R2が−
CH2O−である側鎖型重合性化合物の場合は、多価エ
ポキシ基を有する化合物(a−1)にフタル酸ジグリシ
ジルエステルを用い、アクリル酸(b−1)をグリシジ
ル基1当量に対し1.1当量を加えトリフェニルフォス
フィンやN,N−ジメチルベンジルアミンを触媒とし、
80〜120℃の条件下で反応させ、水酸基含有ラジカ
ル重合性化合物を得ることが出来る。反応温度が120
℃を越えるとアクリル基同士が重合する恐れがあるので
好ましくない。
【0026】次に、この水酸基含有ラジカル重合性化合
物の水酸基1当量に対して0.5当量のカプリン酸、ラ
ウリン酸、シクロヘキサンカルボン酸、安息香酸などの
モノカルボン酸(c−1)及びこれらの酸塩化物(c−
2)とのエステル化反応によりR4の側鎖を導入し、更
にラジカル重合性化合物の水酸基の残基1当量に対して
1当量のR4と異なる構造を有するイソミリスチン酸、
イソステアリン酸、パーフルオロカルボン酸等のモノカ
ルボン酸(c−3)及びこれらの酸塩化物(c−4)と
のエステル化反応によりR4とR5に異なった側鎖基を有
する側鎖型ラジカル重合性化合物を得ることが出来る。
【0027】エステル化反応の手段としてカルボン酸を
使用する場合は、カルボン酸と同当量のジシクロヘキシ
ルカルボジイミドや、1−エチル−3−(3'−ジメチ
ルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩を加え、ジメ
チルアミノピリジンを触媒として塩化メチレン下、室温
で5〜6時間反応させることにより、側鎖型ラジカル重
合性化合物を製造することができる。この反応は公知で
あり高い収率が得られる。
【0028】反応の参考文献としては、ビー・ネイセス
(B.Neises)、ダブリュー・ステイグリッヒ(W.Steglic
h)による「アンゲワァンデテ・ケミー・インターナシ
ョナル・エディション・イン・イングリッシュ(Angewa
ndte Chemie InternationalEdition in English)17
巻、522頁、1978年」や丹羽らによる「テトラヘドロン
・レターズ(Tetrahedron Lett)30巻、4985頁、1989
年」等が挙げられる。
【0029】一方、酸塩化物(c−2)を使用する場合
は、酸塩化物1当量に対し1.1当量のトリエチルアミ
ンを加え、無水イソプピルエーテル下で4時間環流させ
ることにより側鎖型ラジカル重合性化合物を製造するこ
とが出来る。
【0030】本発明の一般式(I)において、p=1、
q=0、n及びmが1であり、Xがエーテル結合、Yが
エステル結合、Zがエーテル結合であり、R1が−O−
であり、R2が−CH2O−である側鎖型重合性化合物の
場合は、多価エポキシ基を有する化合物にトリシクロデ
カンジメチロールジグリシジルエーテル(a−2)を用
い、カプリン酸、ラウリン酸、シクロヘキサンカルボン
酸、安息香酸などのモノカルボン酸(d−1)をグリシ
ジル基1当量に対し0.5当量を加え、トリフェニルフ
ォスフィンやN,N−ジメチルベンジルアミンを触媒と
して、80〜120℃の条件下で反応させて、R4を有
し、且つ水酸基及びエポキシ基を有する化合物を得るこ
とが出来る。
【0031】次いで水酸基1当量に対してアクリル酸塩
化物(b'−1)を1当量及び1.1当量のトリエチル
アミンを加え、無水イソプピルエーテル下で4時間環流
させる。更にエポキシ基の残基1当量に対し、アクリル
酸(b−1)を1当量加え、トリフェニルフォスフィン
やN,N−ジメチルベンジルアミンを触媒とし、80〜
120℃の条件下で反応させ側鎖基及び水酸基を含有す
るラジカル重合性化合物を得ることが出来る。反応温度
が120℃を越えるとアクリル基同士が重合する恐れが
あるので好ましくない。
【0032】次に、この側鎖基及び水酸基を含有するラ
ジカル重合性化合物の水酸基1当量に対して、1当量の
4と異なる構造を有する塩化ドデシル、塩化イソミリ
スチル、塩化イソステアリル等の塩化アルキル(c−
5)、及び1当量の水酸化ナトリウムを加え、テトラ−
n−ブチルアンモニウムブロマイドを触媒として無水ト
ルエン下で60℃、4時間反応させることにより、R4
とR5に異なった側鎖基を有する側鎖型ラジカル重合性
化合物を得ることが出来る。
【0033】また、本発明の一般式(I)において、p
=1、q=1、nが0であり、mが1であり、Xがエス
テル結合、Y及びZがエーテル結合であり、R1が−O
CH2−であり、R2が−OCOCH2CH2−である側鎖
型重合性化合物の場合は、モノエポキシ基を有する化合
物(a'−1)にノニルフェニルグリシジルエーテルを
用い、アクリル酸(b−1)をグリシジル基1当量に対
し1.1当量を加えトリフェニルフォスフィンやN,N
−ジメチルベンジルアミンを触媒とし、80〜120℃
の条件下で反応させ水酸基含有ラジカル重合性化合物
(f−1)を得ることが出来る。
【0034】次いで同様にモノエポキシ基を有する化合
物(a'−2)に2−エチルヘキシルグリシジルエーテ
ルを用い、アクリル酸ダイマー(b−2)をグリシジル
基1当量に対し1.1当量を加えトリフェニルフォスフ
ィンやN,N−ジメチルベンジルアミンを触媒とし、8
0〜120℃の条件下で反応させ水酸基含有ラジカル重
合性化合物(f−2)を得ることが出来る
【0035】次に2価のカルボン酸を有するダイマー酸
のカルボキシル基1当量に対して水酸基含有ラジカル重
合性化合物(f−1)を0.5当量加え、水酸基と同当
量の1−エチル−3−(3'−ジメチルアミノプロピ
ル)カルボジイミド塩酸塩を加え、ジメチルアミノピリ
ジンを触媒として無水トルエン下、室温で1昼夜反応さ
せる。次いでカルボキシル基の残基1当量に対して、水
酸基含有ラジカル重合性化合物(f−2)を1当量加え
同様にエステル化反応をさせる事によりR4とR5に異な
った側鎖基を有する側鎖型ラジカル重合性化合物を得る
ことが出来る。
【0036】本発明で使用する多価エポキシ基を有する
化合物(a)としては、(メチル)エピクロルヒドリン
とポリエーテルポリオール、アルキルジオール、ビスフ
ェノール、長鎖二塩基酸、ダイマー酸、ダイマー酸ジオ
ール、シクロヘキサンジカルボン酸等との反応により製
造することができ、あるいは2つ以上の不飽和基を有す
る化合物を過酸化水素、メタクロロ過安息香酸及び過酢
酸等で酸化することにより容易に得ることができる。
【0037】より具体的には、ポリエチレングリコール
ジ(メチル)グリシジルエーテル、ポリプロピレングリ
コールジ(メチル)グリシジルエーテル、ポリブチレン
グリコールジ(メチル)グリシジルエーテル、ポリメチ
ルテトラメチレングリコールジ(メチル)ジグリシジル
エーテル、トリメチロールプロパントリ(メチル)グリ
シジルエーテル、プロピレンオキサイド変性トリメチロ
ールプロパントリ(メチル)グリシジルエーテル、ネオ
ペンチルグリコールジ(メチル)グリシジルエーテル、
1,6−ヘキサンジオールジ(メチル)グリシジルエー
テル、
【0038】1,4−ブタンジオールジ(メチル)グリ
シジルエーテル、テレフタル酸ジ(メチル)グリシジル
エステル、アジピン酸ジ(メチル)グリシジルエステ
ル、セバシン酸ジ(メチル)グリシジルエステル、ビス
フェノールAジ(メチル)グリシジルエーテル、ダイマ
ー酸ジ(メチル)グリシジルエーテル、4,4'−ビフ
ェニルジ(メチル)グリシジルエーテル、1,6−ナフ
タリンジオールジ(メチル)グリシジルエーテル、8−
エチルオクタデカン二酸ビス(オキシラニルメチル)エ
ステル、1,2,7,8−ジエポキシオクタン、3,9
−ジビニルスピロ(m−ジオキサン)ジエポキシド等が
挙げられる。
【0039】本発明で使用するエポキシ基を有する化合
物(a′)としては、カプリル酸、ミリスチル酸、ラウ
リル酸、ステアリル酸、イソステアリル酸等の脂肪族カ
ルボン酸の(メチル)グリシジルエステル、安息香酸等
の芳香族カルボン酸の(メチル)グリシジルエステル、
ブチル(メチル)クリシジルエーテル、セチル(メチ
ル)グリシジルエーテル、ステアリル(メチル)グリシ
ジルエーテル、モルホリノ(メチル)グリシジルエーテ
ル、2ーエチルヘキシル(メチル)グリシジルエーテ
ル、フェニル(メチル)グリシジルエーテル等のグルシ
ジルエーテル、長鎖アルキル基のエポキシ化合物である
AOEX24、AOEX68(ダイセル化学株式会社
製)などのモノエポキシ化合物が挙げられる。
【0040】本発明で使用するエポキシ基と反応し得る
活性水素を有するラジカル重合性化合物(b)として
は、アクリル酸、メタアクリル酸、アクリル酸ダイマ
ー、メタアクリル酸ダイマーが挙げられ、水酸基と反応
し得るラジカル重合性化合物(b')としてはアクリル
酸塩化物、メタアクリル酸塩化物、アクリル酸ダイマー
及びメタアクリル酸ダイマーの酸塩化物が挙げられる。
【0041】本発明で使用する水酸基と反応しうる基を
有する化合物(c)及び(C')としては、ハロゲン化
化合物やカルボン酸及びカルボン酸クロライド化合物が
挙げられる。具体的な化合物としては、ギ酸、酢酸、酪
酸、カプリル酸、カプロン酸、ラウリル酸、ステアリン
酸、シクロヘキサンカルボン酸、ミリスチル酸、イソス
テアリン酸、パルミチン酸、2−エチルヘキサン酸、2
−デシルドデカン酸、2−ドデシルテトラデカン酸、3
−ペンチルオクタン酸、3−ヘプチルデカン酸、3−ノ
ニルドデカン酸、安息香酸、p−トルイル酸、α−フェ
ニル酪酸、シクロヘキサンジカルボン酸、セバシン酸、
アジピン酸、ダイマー酸及びこれらの酸塩化物や、ミリ
スチルクロライド,ラウリルクロライド,ステアリルク
ロライド等が挙げられる。
【0042】更に本発明で用いるエポキシ基と反応し得
る化合物(d)及び(d′)としては、ヘキサノール、
2−エチルヘキサノール、デカノール、ラウリルアルコ
ール、ステアリルアルコール、トリエチレングリコール
モノメチルエーテル、シクロヘキサノール、ノニルフェ
ノール、イソステアリルアルコール、モルホリノアルコ
ール等のアルコール化合物や、ギ酸、酢酸、酪酸、カプ
リル酸、カプロン酸、ラウリル酸、ステアリン酸、シク
ロヘキサンカルボン酸、ミリスチル酸、イソステアリン
酸、パルミチン酸、2−エチルヘキサン酸、2−デシル
ドデカン酸、2−ドデシルテトラデカン酸、3−ペンチ
ルオクタン酸、3−ヘプチルデカン酸、3−ノニルドデ
カン酸、安息香酸、p−トルイル酸、α−フェニル酪酸
等のカルボン酸等が挙げられる。
【0043】本発明で使用する側鎖型ラジカル重合性化
合物は、上記の方法で容易に合成することができる。次
に該側鎖型ラジカル重合性化合物を用いた液晶デバイス
について説明する。
【0044】低電圧駆動性や高散乱性等の種々の好まし
い特性を有する液晶デバイスを得る為には、使用するラ
ジカル重合性化合物の主鎖構造と側鎖構造との組み合わ
せが重要であり、液晶との相溶性が高い側鎖基を導入す
ることにより、低電圧駆動が可能となる。側鎖型ラジカ
ル重合性化合物の側鎖構造が長鎖の直鎖基であると、室
温での低電圧駆動は良好であるが、0℃などの低温では
駆動電圧が上昇してしまう。
【0045】また、側鎖型ラジカル重合性化合物の側鎖
構造に長鎖の分岐基を用いると、0℃などの低温から6
0℃くらいまでは駆動電圧を一定にできるが、駆動電圧
値が大きい。そこで、温度特性に優れた液晶デバイスを
得るためには、側鎖型ラジカル重合性化合物の側鎖構造
が直鎖であるモノマーと分岐鎖であるモノマーを混合使
用することにより、液晶とポリマー界面の界面状態を制
御することにより、温度特性をある程度、改善すること
ができる。
【0046】しかしながら、より好ましい特性を有する
液晶デバイスを得る為には、液晶とポリマー界面の界面
状態が微少領域レベルで均一であることが好ましく、上
述の直鎖構造を持つモノマーと分岐構造を持つモノマー
とのコポリマーを用いた場合は、両構造の側鎖基が微少
領域レベルで完全に均一状態で繰り返し配置する訳では
ない為に、液晶とポリマー界面での界面状態が微少領域
レベルで均一ではなく、得られる温度特性の改善は不完
全なものとなる。
【0047】そこで、本発明者らは、直鎖構造と分岐構
造の2つの異なる構造の側鎖基を、1分子中に導入した
側鎖型ラジカル重合性化合物を作製することにより、液
晶とポリマー界面に構造が異なる側鎖基を分子レベルで
均一に分布させることにより、液晶とポリマー界面を微
少領域レベルで制御でき、急峻性等の特性を向上させる
ことができることを見出した。
【0048】本発明の側鎖型ラジカル重合性化合物を含
有するラジカル重合性組成物を重合して形成される透明
性高分子物質と液晶材料からなる液晶デバイスにおい
て、液晶材料に非極性のフッ素系液晶を用いる場合に
は、側鎖型ラジカル重合性化合物の側鎖基として、アル
キル基及びアルケニル基を用いた2官能体の(メタ)ア
クリルエステルモノマーを用いることがより好ましい。
また本発明のこれら側鎖型ラジカル重合性化合物を2種
以上混合して用いても構わない。
【0049】本発明の側鎖型ラジカル重合性化合物を含
有するラジカル重合性組成物(A)を重合して形成され
る透明性高分子物質と、液晶材料(B)からなる液晶デ
バイスにおいては、該透明性高分子物質が、液晶材料の
連続層中に三次元網目状構造の透明性高分子物質を形成
したものが好ましい。
【0050】また、本発明の側鎖型ラジカル重合性化合
物を含有するラジカル重合性組成物(A)を重合して形
成される透明性高分子物質としては、本発明の側鎖型ラ
ジカル重合性化合物のみでも十分であるが、他のラジカ
ル重合性化合物を併用しても構わない。
【0051】これらのラジカル重合性化合物の具体的例
としては、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メ
タ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリ
レート、イソオクチル(メタ)アクリレート、ラウリル
(メタ)アクリレート、イソミリスチル(メタ)アクリ
レート、イソステアリル(メタ)アクリレート、メトキ
シエチル(メタ)アクリレート、エトキシエチル(メ
タ)アクリレート、メチルカルビトール(メタ)アクリ
レート、エチルカルビトール(メタ)アクリレート、シ
クロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボロニル(メ
タ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アク
リレート、
【0052】フェノキシ(メタ)アクリレート、メトキ
シジプロピレングリコール(メタ)アクリレート、トリ
フルオロエチル(メタ)アクリレート、ジメチルアミノ
(メタ)アクリレート、モルホリノエチル(メタ)アク
リレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレ
ート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレー
ト、エピクロルヒドリン変性1,6−ヘキサンジオール
ジ(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルジ(メ
タ)アクリレート、ビスフェノールAジ(メタ)アクリ
レート、エピクロルヒドリン変性ビスフェノールAジ
(メタ)アクリレート、
【0053】ビスフェノールFジ(メタ)アクリレー
ト、プロピレンオキサイド変性ビスフェノールAジ(メ
タ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)
アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アク
リレート、3,3−ジメチロールペンタンジ(メタ)ア
クリレート、3,3−ジメチロールヘプタンジ(メタ)
アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)ア
クリレート、エチレンオキサイド変性トリメチロールプ
ロパントリ(メタ)アクリレート、プロピレンオキサイ
ド変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレー
ト、
【0054】ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリ
レート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレ
ート、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレ
ート等のアクリルエステルモノマーやN,N−ジメチル
アクリルアミド、N,N−ジメチルアミノプロピルアク
リルアミド等のアクリルアミド化合物、ウレタンアクリ
レート、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレ
ート、ポリテトラエチレングリコールジマレイミド、エ
チレンオキサイド変性ビスフェノールAジマレイミド等
が挙げられる。
【0055】本発明で使用する液晶材料(B)は、単一
の液晶性化合物や、2種以上の液晶性化合物や液晶性化
合物以外の物質も含んだ混合物であっても良く、通常こ
の技術分野で液晶材料として認識されている、公知慣用
の液晶材料であれば、特に制限なく用いることができ
る。
【0056】用いられる液晶としては、ネマチック液
晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶が好まし
く、特にネマチック液晶が好ましい。また、その性能を
改善するために、コレステリック液晶、カイラルネマチ
ック液晶、カイラルスメクチック液晶等、カイラル化合
物等が適宜含まれていても良い。
【0057】本発明で使用できる液晶材料は、以下に示
した化合物群より構成される配合組成物であり、液晶材
料の特性、即ち、等方性液体と液晶の相転移温度、融
点、粘度、複屈折率、誘電異方性(Δε)の正負を考慮
し、又は重合性組成物等との溶解性等を調節することを
目的として適宜選択、配合して用いることができる。
【0058】液晶材料(B)としては、安息香酸エステ
ル系、シクロヘキサンカルボン酸エステル系、ビフェニ
ル系、ターフェニル系、フェニルシクロヘキサン酸系、
ピリミジン系、ピリジン系、ジオキサン系、シクロヘキ
サンシクロヘキサンエステル系、トラン系、アルケニル
系、フルオロ系、シアノ系、ナフタレン系等の、例え
ば、一般式(III)
【0059】
【化5】
【0060】(式中、環A、B及びCは、それぞれ独立
に、下記の環のいずれかを表し、
【0061】
【化6】
【0062】nは0〜2の整数、mは1〜4の整数を表
し、Y1及びY2は、それぞれ独立に、単結合、−CH2
CH2−、−CH2O−、−COO−、−OCO−、−C
≡C−、−CH=CH−、−CF=CF−、−(C
24−、−CH2CH2CH2O−、又は−CH2=CH
CH2CH2を表し、Y3は、単結合、−COO−、又は
−OCO−を表し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原
子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数1〜20のア
ルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルケニルオ
キシ基、フルオロアルキル基、又はフルオロアルコキシ
基を表す。)で表される液晶化合物を用いることが出来
る。
【0063】調光層形成材料中の液晶材料(B)の含有
量は、50〜99重量%の範囲が好ましく、より好まし
くは60〜90重量%の範囲である。本発明のラジカル
重合性組成物(A)の重合手段としては、熱、及び/又
は紫外線等のエネルギー線を用いることができる。熱重
合の場合は、重合開始剤として熱重合開始剤を用いるこ
とが好ましい。熱重合開始剤としては、公知慣用の熱重
合開始剤をいずれも特に限定なく用いることが出来る。
【0064】それらの熱重合開始剤としては、例えば、
ベンゾイルパーオキサイド、2,4−ジクロロベンゾイ
ルパーオキサイド、1,1−ジ(ターシャリーブチルパ
ーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、
n−ブチル−4,4’−ジ(ターシャリーブチルパーオ
キシ)バレレート、ジクミルパーオキサイドの如き過酸
化物類;7−アゾビスイソブチルニトリルの如きアゾ化
合物類;テトラメチルチウラムジスルフィド等が挙げら
れる。
【0065】また、エネルギー線は、製造工程が容易で
あり好ましく、エネルギー線として紫外線を用いる場合
には、重合開始剤として光重合開始剤を該組成物中に添
加することが好ましい。光重合開始剤としては、分子内
結合開裂型と分子内水素引き抜き型の2種に大別でき
る。
【0066】前者の例は、ジエトキシアセトフェノン、
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−
1−オン、ベンジルジメチルケタール、1−(4−イソ
プロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロ
パン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェ
ニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、1−
ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、2−メチ
ル−2−モルホリノ(4−チオメチルフェニル)プロパ
ン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1
−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン等のアセトフ
ェノン系;
【0067】ベンゾイン、ベンゾインイソプロピルエー
テル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾイン
系;2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホス
フィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド系;
ベンジル、メチルフェニルグリオキシエステル等が挙げ
られる。
【0068】後者の例としては、ベンゾフェノン、ο−
ベンゾイル安息香酸メチル、4−フェニルベンゾフェノ
ン、4,4′−ジクロロベンゾフェノン、ヒドロキシベ
ンゾフェノン、4−ベンゾイル−4′−メチル−ジフェ
ニルサルファイド、アクリル化ベンゾフェノン、3,
3′,4,4′−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボ
ニル)ベンゾフェノン、3,3′−ジメチル−4−メト
キシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系;
【0069】2−イソプロピルチオキサントン、2,4
−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサ
ントン、2,4−ジクロロチオキサントン等のチオキサ
ントン系;ミヒラーケトン、4,4′−ジエチルアミノ
ベンゾフェノン等のアミノベンゾフェノン系;10−ブ
チル−2−クロロアクリドン、2−エチルアンスラキノ
ン、9,10−フェナンスレンキノン、カンファーキノ
ンなどが挙げられる。
【0070】重合開始剤の添加量は、ラジカル重合組成
物(A)中0.01〜10重量%、好ましくは1〜5重
量%である。本発明のラジカル重合性組成物(A)を紫
外線照射した場合、上記の光重合開始剤の添加だけでも
硬化するが、硬化性をより向上させるために、光増感剤
を併用することが好ましい。
【0071】かかる光増感剤としては、公知慣用の、ト
リエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリ
イソプロパノールアミン、4−ジメチルアミノ安息香酸
メチル、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメ
チルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸(2−ジメチ
ルアミノ)エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸(n−
ブトキシ)エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸2−エ
チルヘキシル等のアミン類が挙げられる。
【0072】光増感剤の配合量は、樹脂組成物中0.0
1〜10重量%、好ましくは0.05〜5重量%であ
る。ラジカル重合性組成物(A)にマレイミド化合物を
含有する場合は、光重合開始剤を無くすか、極少量で低
減することが出来る。
【0073】また本発明のラジカル重合性組成物(A)
には、上記以外に酸化防止剤、紫外線吸収剤、非反応性
のオリゴマーや無機充填剤、有機充填剤、重合禁止剤、
消泡剤、レベリング剤、可塑剤、シランカップリング剤
等を適宜、添加しても良い。
【0074】本発明の液晶デバイスは、例えば次のよう
にして製造することができる。電極層を有する少なくと
も一方が透明性を有する二枚の基板間に、一般式(I)
で表される化合物を含有するラジカル重合性組成物
(A)及び液晶材料(B)及び必要に応じて開始剤
(C)からなる調光層形成材料を介在ざせ、この調光層
形成材料に熱又はエネルギー線を照射して、ラジカル重
合性組成物(A)を重合させ液晶材料(B)及び透明性
高分子物質からなる調光層を形成させる。
【0075】本発明で使用する基板は、堅固な材料、例
えば、ガラス、金属であってもよく、柔軟性を有する材
料、例えば、プラスチックフィルムの如きものであって
もよい。そして、基板は2枚が対向して適当な間隔を隔
て得るものである。その少なくとも一方は透明性を有
し、それらの2枚の間に挟持される調光層を外界視覚で
きるものでなければならない。但し、完全な透明性を必
須とするものではない。
【0076】デバイスの一方の側から他方の側へ通過す
る光に対して作用させる目的で、この液晶デバイスが使
用される場合は、2枚の基板は、共に適当な透明性を持
つ。この基板には、目的に応じて透明、不透明の適宜な
電極がその全面又は部分的に配置されてもよい。但し、
プラスチックの如き柔軟性を有する材料には、堅固な材
料、例えば、ガラス、金属等に固定したうえで本発明の
液晶デバイスに用いることができる。
【0077】2枚の基板間には、液晶材料(B)及び透
明性高分子物質から成る調光層が介在される。尚、2枚
の基板間には、通常、周知の液晶デバイスと同様、間隔
保持用のスペーサーを介在させることが望ましい。スペ
ーサーとしては、例えば、プラスチックビーズ、シリカ
ビーズ、アルミナ等種々の液晶セル用のものを用いるこ
とが出来る。これらの透明性固体物質は、堅固なものに
限らず、目的に応じ得る限り可とう性、柔軟性、弾性を
有するものであっても良い。
【0078】本発明の液晶デバイスにおける調光層の厚
さは、5〜100μmであることが好ましく、より好ま
しくは6〜50μmである。また、調光層は、低電圧駆
動性、高速応答性等の面から、液晶材料の連続層中に透
明性高分子物質が三次元網目状構造を形成してなるもの
が好ましい。三次元網目構造の平均網目の大きさは、
0.2〜5μmであることが好ましく、より好ましくは
0.5〜3μmである。
【0079】液晶材料の連続層と該連続層中に均一な三
次元網目状構造を有する透明性高分子物質を含有する調
光層を基板上に形成する方法としては、例えば、(1)
ラジカル重合性組成物(A)、液晶材料(B)、及び必
要に応じて重合開始剤(C)とからなる調光層形成材料
の均一溶液を、電極層を有する二枚の基板間に挟持さ
せ、これにエネルギー線を照射するか、熱的に重合させ
て、三次元網目状の透明性高分子物質を含有する層を形
成する。
【0080】又は、(2)一方の基板の電極層上にスピ
ンコーター、バーコーター、アプリケーター等のコータ
ーを使用して調光層形成材料の均一溶液を塗布し、次い
で他方の基板を重ねてもよく、これにエネルギー線を照
射するか、又は熱的に重合硬化させて、三次元網目状の
透明性高分子物質を含有する層を形成する等の方法が挙
げられる。
【0081】本発明で用いるエネルギー線とは、紫外
線、電子線、α線、β線、γ線のような電離放射線、可
視光線、マイクロ波、高周波等をいうが、ラジカル性活
性種を生成させうるならば、いかなるエネルギー種でも
かまわない。紫外線を発生するものとしては、例えば超
高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メ
タルハライドランプ、ケミカルランプ、ブラックライト
ランプ、水銀ーキセノンランプ、ショートアーク灯等が
挙げられ、ラジカル性活性種を発生させる化合物の吸収
波長を考慮して選択すればよい。
【0082】特に、紫外線による光重合法は、好適であ
る。また、調光層形成材料の等方性液体状態を保持しな
がら紫外線を照射することは、均一な調光層を形成する
上で好ましい。更に、光照射方法として、時間的、平面
的に均一に照射することは基板間に介在するラジカル重
合性組成物(A)に瞬間的に強い光を照射して重合を進
行させ、これによって網目の大きさを均一にする上で効
果的である。
【0083】本発明の側鎖型ラジカル重合性化合物を用
いた液晶デバイスは、調光層中に占める液晶材料(B)
の比率を高くすることが可能で、液晶材料が連続層を形
成している為に、12Vrms以下の低駆動電圧であ
り、ICドライバー駆動が十分可能であり、電圧印加時
の光透過性が80%以上と透明性が高く、またコントラ
スト(T100 /T0)が20以上、急峻性も1.7
以下と極めて優れた電気光学特性を示す。更に、0℃で
の低温駆動性にも優れている。
【0084】本発明の側鎖型ラジカル重合性化合物を用
いた液晶デバイスは、その特性から視野の遮断・開放及
び明かりもしくは照明光の透過制限、遮断・透過を電気
的又は熱的に操作でき、建築物の窓やショーウィンドウ
等の視野遮断のスクリーン、採光コントロールのカーテ
ン、文字や図形を表示し高速応答性で電気的に表示を切
り換える広告板や装飾表示板、時計、コンピューター末
端等の表示素子やデジタルペーパー、プロジェクション
等の表示装置として有用である。
【0085】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示し、本発明を更
に具体的に説明する。しかしながら、本発明はこれらの
実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例
において「%」及び「部」は特に断りのない限り「重量
%」及び「重量部」を表しす。また特性の記号、その意
味及び内容を表1に示す。また、紫外線照度は、ウシオ
電機社製の受光器「UVD−365PD」付きユニメー
タUIT−150」を用いて測定した。
【0086】
【表1】
【0087】始めに本発明の側鎖型ラジカル重合性化合
物の合成例を示す。 (実施例1)撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計
を備えた四つ口フラスコにジプロピレングリコールジグ
リシジルエーテル(ナガセ化成工業社製の商品名「EX
−941」)120g(0.52mol)、アクリル酸
80g(1.1mol)、p−メトキシフェノール20
0mg、及び触媒としてN,N−ジメチルベンジルアミ
ン1.0gを入れ、80℃で撹拌した。
【0088】次いで反応液を100℃に昇温させ温度を
保ち、5時間撹拌して反応を完結させた。次いでトルエ
ン300ml加え、5%水酸化ナトリウム溶液300m
lで洗浄後、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥させ、有機溶媒を減圧溜去して、水酸基価
270の淡褐色透明液状の水酸基含有ラジカル重合性化
合物を得た。
【0089】次いで、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及
び温度計を備えた四つ口フラスコに、ラウリン酸15.
4g(77mmol)、p−メトキシフェノール20m
g、1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)
カルボジイミド塩酸塩(同仁化学社製の商品名「ドータ
イトWSC」、以下ドータイトWSC)15g(77m
mol)及び4−ジメチルアミノピリジン1.0gを触
媒として加え、塩化メチレン300mlを仕込み、水氷
バスを用いて5℃に保ち、上記で合成した水酸基含有ラ
ジカル重合性化合物30gを溶解させた塩化メチレン溶
液50ml溶液を1時間かけてゆっくり滴下した。
【0090】滴下終了後、水氷バスを外し、室温で10
時間撹拌し反応を完結させた。反応終了後、1/10N
の塩酸溶液、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧溜去して、濃
縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し水酸
基価93の水酸基含有ラジカル重合性化合物を得た。
【0091】次いで、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及
び温度計を備えた四つ口フラスコに、2−n−ヘプチル
ウンデカン酸17.1g(77mmol)、p−メトキ
シフェノール20mg、ドータイトWSC 15g(7
7mmol)及び4−ジメチルアミノピリジン1.0g
を触媒として加え、塩化メチレン500mlを仕込み水
氷バスを用いて5℃に保ち、上記で合成した水酸基含有
ラジカル重合性化合物44gを溶解させた塩化メチレン
溶液50ml溶液を1時間かけて滴下した。
【0092】滴下終了後、水氷バスを外し、室温で10
時間撹拌し反応を完結させた。反応終了後、1/10N
の塩酸溶液、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧溜去し、濃縮
液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製して下式
で表される透明液状の側鎖型ラジカル重合性化合物(A
−1)約33gを得た。
【0093】
【化7】
【0094】赤外線吸収スペクトルより3200〜36
00cm-1の水酸基の吸収が消失しており、完全にエス
テル化されていることを確認した。
【0095】(物性値) 1H−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ:6.45(2
H),6.14(2H),5.87(2H),5.25(2H),4.44(2H),4.33(2H),3.
8(2H),3.7-3.6(10H),2.34(2H),2.30(1H),1.7(4H),1.60
(2H),1.30-1.20(40H),1.12(9H)
【0096】13C−NMR(溶媒:重クロロホルム):
δ:173.5,165.9,131.53,131.3,128.4,70.9,69.9,68.9,
63.1,62.7,42.4,34.2,30.6,29.6-29.0,25.8,22.6,14.5
赤外吸収スペクトル(IR)(KBr)cm-1:2930,2
861,1744,1652-1622,1176,807.5 元素分析:C=67.0%(68.7),H=9.9%(10.3)
【0097】(実施例2)撹拌装置、窒素導入管、冷却
管及び温度計を備えた四つ口フラスコに1,6−ヘキサ
ンジオールルジグリシジルエーテル(共栄社製の商品名
「エポライト1600」)15g(65mmol)、
2,2,4,8,10,10−ヘキサメチルウンデカン
酸18.5g(65mmol)、p−メトキシフェノー
ル200mg、及び触媒としてN,N−ジメチルベンジ
ルアミン0.5gを入れ、80℃で撹拌した。
【0098】次いで反応液を100℃に昇温させ温度を
保ち、5時間撹拌して反応を完結させた。次いでトルエ
ン300ml加え、5%水酸化ナトリウム溶液300m
lで洗浄後、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥させ、有機溶媒を溜去し、水酸基価100
の淡褐色透明液状の水酸基含有化合物を得た。
【0099】次いで、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及
び温度計を備えた四つ口フラスコに上記で合成した水酸
基含有化合物25.5g(50mmol)、p−メトキ
シフェノール10mg、トリエチルアミン5g(50m
mol)、テトラヒドロフラン(THF)100mlを
仕込み水氷バスを用いて5℃に保ち、アクリル酸クロラ
イド4.6gを溶解させたTHF溶液10ml溶液を1
時間かけてゆっくり滴下した。
【0100】滴下終了後、水氷バスを外し、50℃で4
時間撹拌し反応を完結させた。反応終了後、反応液を濾
過し、濾液にトルエン300ml加えて飽和食塩水で洗
浄し有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。有機層
の溶媒を減圧溜去して、濃縮液をシリカゲルクロマトグ
ラフィー(濃縮液に対して40倍量のシリカゲルを使
用)により精製し、エポキシ基を有するラジカル重合性
化合物を22g得た。
【0101】撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計
を備えた四つ口フラスコに、上記で合成したエポキシ基
を有するラジカル重合性化合物29g(0.50mo
l)、アクリル酸3.6g(0.5mol)、p−メト
キシフェノール10mg、触媒としてN,N−ジメチル
ベンジルアミン0.5gを加え80℃で撹拌した。
【0102】次いで反応液を100℃に昇温させ温度を
保ち、5時間撹拌して反応を完結させた。次いでトルエ
ンを200ml加え5%水酸化ナトリウム溶液300m
lで洗浄後、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥させ、有機溶媒を溜去し、水酸基価82の
水酸基含有ラジカル重合性化合物を得た。
【0103】更に、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び
温度計を備えた四つ口フラスコに、ラウリン酸9g(4
5mmol)、ドータイトWSC8.6g(45mmo
l)及び4−ジメチルアミノピリジン 1.0gを触媒
として加え、塩化メチレン300mlを仕込み水氷バス
を用いて5℃に保ち、上記で合成した水酸基含有ラジカ
ル重合性化合物30gを溶解させた塩化メチレン溶液5
0ml溶液を1時間かけてゆっくり滴下した。
【0104】滴下終了後、水氷バスを外し、室温で10
時間撹拌し反応を完結させた。反応終了後、1/10N
の塩酸溶液、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧溜去して、濃
縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製して下
式で表される透明液状の側鎖型ラジカル重合性化合物
(A−2)約28gを得た。
【0105】
【化8】
【0106】赤外線吸収スペクトルより3200〜36
00cm-1の水酸基の吸収が消失しており、完全にエス
テル化されていることを確認した。
【0107】(物性値) 1H−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ:6.45(2
H),6.14(2H),5.87(2H),5.28(2H),4.44(2H),4.33(2H),4.
22(2H),3.6(4H),3.4(4H),2.34(2H),2.20(1H),1.59(2H),
1.50(2H),1.30-1.20(22H),0.90(27H)
【0108】13C−NMR(溶媒:重クロロホルム):
δ:173.5,165.9,131.53,131.3,128.4,71.9,70.6,68.9,
52.7,51.3,50.8,42.4,34.2,30.6,29.6-29.0,25.8,22.6,
19.9,19.7,14.5赤外吸収スペクトル(IR)(KBr)
cm-1:2930,2861,1744,1652-1622,1176,807.5 元素分析:C=69.7%(70.0),H=10.3%(10.5)
【0109】(実施例3)撹拌装置、窒素導入管、冷却
管及び温度計を備えた四つ口フラスコにエポライト16
00 15g(65mmol)、イソミリスチル酸1
4.8g(65mmol)、p−メトキシフェノール2
00mg、及び触媒としてN,N−ジメチルベンジルア
ミン0.5gを入れ、80℃で撹拌した。
【0110】次いで反応液を100℃に昇温させ、5時
間撹拌して反応を完結させた。次いでトルエン300m
l加え、5%水酸化ナトリウム溶液300mlで洗浄
後、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナトリウムで
乾燥させ、有機溶媒を溜去し、水酸基価115の淡褐色
透明液状の水酸基含有化合物を得た。
【0111】次いで、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及
び温度計を備えた四つ口フラスコに上記で合成した水酸
基含有化合物22.9g(50mmol)、p−メトキ
シフェノール10mg、トリエチルアミン5.1g(5
0mmol)、THF100mlを仕込み、水氷バスで
5℃に保ち、アクリル酸クロライド4.6gを溶解させ
たTHF溶液10ml溶液を1時間かけてゆっくり滴下
した。
【0112】滴下終了後、水氷バスを外し、50℃で4
時間撹拌して反応を完結させた。反応終了後、反応液を
濾過し、濾液にトルエンを300ml加え飽和食塩水で
洗浄し有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。有機
層の溶媒を減圧溜去して、シリカゲルクロマトグラフィ
ーにより精製し、エポキシ基を有するラジカル重合性化
合物を28g得た。
【0113】撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計
を備えた四つ口フラスコに上記で合成したエポキシ基を
有するラジカル重合性化合物21g(0.40mo
l)、アクリル酸2.8g(0.4mol)、p−メト
キシフェノール10mg、及び触媒としてN,N−ジメ
チルベンジルアミン0.5g、トルエン50mlを入
れ、80℃で撹拌した。次いで反応液を100℃に昇温
させ温度を保ち、5時間撹拌して反応を完結させた。次
いでトルエン300mlを加え、5%水酸化ナトリウム
溶液300mlで洗浄後、飽和食塩水で洗浄し有機層を
無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、有機溶媒を減圧溜去し
て、水酸基価85の水酸基含有ラジカル重合性化合物を
27g得た。
【0114】次いで、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及
び温度計を備えた四つ口フラスコ2−デシルドデカン酸
11.9g(35mmol)、ドータイトWSC 6.
7g(45mmol)及び4−ジメチルアミノピリジン
1.0gを触媒として加え、塩化メチレン300ml
を仕込み、水氷バスを用いて5℃に保ち、上記で合成し
た水酸基含有ラジカル重合性化合物 21gを溶解させ
た塩化メチレン溶液50ml溶液を1時間かけてゆっく
り滴下した。
【0115】滴下終了後、水氷バスを外し、室温で10
時間撹拌して反応を完結させた。反応終了後、1/10
Nの塩酸溶液、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナ
トリウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧溜去して、
シリカゲルクロマトグラフィーにより精製して下式で表
される透明液状の側鎖型ラジカル重合性化合物(A−
3)約18gを得た。
【0116】
【化9】
【0117】赤外線吸収スペクトルより3200〜36
00cm-1の水酸基の吸収が消失しており、完全にエス
テル化されていることを確認した。
【0118】(物性値) 1H−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ:6.45(2
H),6.14(2H),5.87(2H),5.28(1H),5.26(1H),4.37-4.21(4
H),3.6(4H),3.4(4H),2.36(1H),2.30(1H),1.61-1.10(40
H),0.90(18H)
【0119】13C−NMR(溶媒:重クロロホルム):
δ:173.5,165.9,131.53,131.3,128.4,71.9,70.6,68.9,
52.7,50.8,42.4,34.2,30.6,29.6-29.0,25.8,22.6,19.9,
14.5 赤外吸収スペクトル(IR)(KBr)cm-1:2930,2
861,1744,1652-1622,1176,807.5 元素分析:C=71.0%(71.5),H=10.7%(10.9)
【0120】(実施例4)撹拌装置、窒素導入管、冷却
管及び温度計を備えた四つ口フラスコにデシルグリシジ
ルエーテル(日本油脂社製の商品名「エピオールL4
1」)100g(0.5mol)、アクリル酸40g
(0.55mol)、p−メトキシフェノール200m
g、及び触媒としてN,N−ジメチルベンジルアミン
1.0gを入れ、80℃で撹拌した。更に、反応液を1
00℃に昇温させ温度を保ち、5時間撹拌して反応を完
結させた。その後、トルエン300ml加え、5%水酸
化ナトリウム溶液300mlで洗浄後、飽和食塩水で洗
浄し有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、有機溶媒
を溜去して、水酸基価200の淡褐色透明液状の水酸基
含有ラジカル重合性化合物(1)を得た。
【0121】次いで同様に、撹拌装置、窒素導入管、冷
却管及び温度計を備えた四つ口フラスコに2−エチルヘ
キシルグリジルエーテル(日本油脂社製の商品名「エピ
オール-EH」)86g(0.5mol)、アクリル酸
40g(0.55mol)、p−メトキシフェノール2
00mg、及び触媒としてN,N−ジメチルベンジルア
ミン1.0gを入れ、80℃で撹拌した。更に、反応液
を100℃に昇温させ温度を保ち、5時間撹拌して反応
を完結させた。その後、トルエン300ml加え、5%
水酸化ナトリウム溶液300mlで洗浄後、飽和食塩水
で洗浄し有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、有機
溶媒を減圧溜去して、水酸基価230の水酸基含有ラジ
カル重合性化合物(2)を得た。
【0122】その後、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及
び温度計を備えた四つ口フラスコに、水添ダイマー酸2
8g(50mmol)、p−メトキシフェノール20m
g、ドータイトWSC(同仁化学社製)9.6g(50
mmol)及び4−ジメチルアミノピリジン0.6gを
触媒として加え、塩化メチレン300mlを仕込み、水
氷バスを用いて5℃に保ち、上記で合成した水酸基含有
ラジカル重合性化合物(1)13.6gを溶解させた塩
化メチレン溶液20ml溶液を1時間かけてゆっくり滴
下した。
【0123】滴下終了後、水氷バスを外し、室温で10
時間撹拌し反応を完結させた。反応終了後、1/10N
の塩酸溶液、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧溜去して、濃
縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、カ
ルボン酸含有ラジカル重合性化合物を得た。
【0124】更に、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び
温度計を備えた四つ口フラスコに、上記で合成したカル
ボン酸含有ラジカル重合性化合物21g、p−メトキシ
フェノール10mg、ドータイトWSC 4.8g(2
5mmol)及び4−ジメチルアミノピリジン0.3g
を触媒として加え、塩化メチレン200mlを仕込み、
水氷バスを用いて5℃に保ち、上記で合成した水酸基含
有ラジカル重合性化合物(2)6.1gを溶解させた塩
化メチレン溶液10ml溶液を1時間かけてゆっくり滴
下した。
【0125】滴下終了後、水氷バスを外し、室温で10
時間撹拌して反応を完結させた。反応終了後、1/10
Nの塩酸溶液、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナ
トリウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧溜去して、
濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製して
下式で表される透明液状の側鎖型ラジカル重合性化合物
(A−4)約17gを得た。
【0126】
【化10】
【0127】また、赤外線吸収スペクトルより3200
〜3600cm-1の水酸基の吸収が消失しており、完全
にエステル化されていることを確認した。
【0128】(物性値) 1H−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ:6.46(2
H),6.14(2H),5.87(2H),5.33(2H),4.37(4H),3.6(4H),3.3
(4H),2.45(1H),2.30(1H),1.60-1.10(92H),0.90(15H)
【0129】13C−NMR(溶媒:重クロロホルム):
δ:173.5,165.9,131.53,131.3,128.4,71.9,70.6,68.9,
63.1,52.7,50.8,42.4,37.0-22.0,19.9,15.4,14.5 赤外吸収スペクトル(IR)(KBr)cm-1:2930,2
861,1744,1652-1622,1176,807.5 元素分析:C=71.3.0%(70.8),H=10.1%(9.8)
【0130】(実施例5)撹拌装置、窒素導入管、冷却
管及び温度計を備えた四つ口フラスコに1,2,9,1
0−ジエポキシデカン85g(0.5mol)、アクリ
ル酸ダイマー(東亜合成社製の商品名「M5600」)
80g(0.55mol)、p−メトキシフェノール4
00mg、及び触媒としてN,N−ジメチルベンジルア
ミン1.2gを入れ、80℃で撹拌した。更に、反応液
を100℃に昇温させ温度を保ち、5時間撹拌して反応
を完結させた。その後、トルエン500mlを加え、5
%水酸化ナトリウム溶液300mlで洗浄後、純水及び
飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥
させ、有機溶媒を減圧溜去して、水酸基価120の水酸
基含有ラジカル重合性化合物を得た。
【0131】次いで、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及
び温度計を備えた四つ口フラスコに、カプリル酸3.6
g(25mmol)、p−メトキシフェノール10m
g、ドータイトWSC 4.8g(25mmol)及び
4−ジメチルアミノピリジン0.3gを触媒として加
え、塩化メチレン200mlを仕込み、水氷バスを用い
て5℃に保ち、上記で合成した水酸基含有ラジカル重合
性化合物11.5gを溶解させた塩化メチレン溶液10
ml溶液を1時間かけてゆっくり滴下した。
【0132】滴下終了後、水氷バスを外し室温で10時
間撹拌して反応を完結させた。反応終了後、1/10N
の塩酸溶液、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧溜去して、シ
リカゲルクロマトグラフィーにより精製して水酸基価9
3の水酸基含有ラジカル重合性化合物を10g得た。
【0133】更に、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び
温度計を備えた四つ口フラスコに、2−デシルドデカン
酸5g(15mmol)、p−メトキシフェノール10
mg、ドータイトWSC2.8g(15mmol)及び
4−ジメチルアミノピリジン0.2gを触媒として加
え、塩化メチレン200mlを仕込み、水氷バスを用い
て5℃に保ち、上記で合成した水酸基含有ラジカル重合
性化合物8.8gを溶解させた塩化メチレン溶液10m
l溶液を1時間かけてゆっくり滴下した。
【0134】滴下終了後、水氷バスを外し、室温で10
時間撹拌し反応を完結させた。反応終了後、1/10N
の塩酸溶液、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧溜去して、シ
リカゲルクロマトグラフィーにより精製して下式で表さ
れる透明液状の側鎖型ラジカル重合性化合物(A−5)
約9.5gを得た。
【0135】
【化11】
【0136】また、赤外線吸収スペクトルより3200
〜3600cm-1の水酸基の吸収が消失しており、完全
にエステル化されていることを確認した。
【0137】(物性値) 1H−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ:6.46(2
H),6.16(2H),5.91(2H),4.90(2H),4.40-4.21(8H), 2.36
(6H),2.30(1H),1.60-1.10(58H),0.90(9H)
【0138】13C−NMR(溶媒:重クロロホルム):
δ:173.5,173.3,171.3,165.9,165.4,131.53,131.3,12
8.4,76.0,71.0,67.4,42.4,34.2,30.6,29.6-29.0,25.8,2
2.6,19.9,14.5 赤外吸収スペクトル(IR)(KBr)cm-1:2930,2
861,1744,1652-1622,1176,807.5 元素分析:C=69.4%(68.8),H=10.9%(10.0)
【0139】(実施例6)撹拌装置、窒素導入管、冷却
管及び温度計を備えた四つ口フラスコに、ラウリン酸1
0g(50mmol)、p−メトキシフェノール10m
g、ドータイトWSC9.6g(50mmol)及び4
−ジメチルアミノピリジン0.6gを触媒として加え、
塩化メチレン200mlを仕込み、水氷バスを用いて5
℃に保ち、エピクロロヒドリン変性1,6−ヘキサンジ
オールジアクリレート(日本化薬社製の商品名「カヤラ
ッドR―167」)18.7gを溶解させた塩化メチレ
ン溶液20ml溶液を1時間かけてゆっくり滴下した。
【0140】滴下終了後、水氷バスを外し、室温で10
時間撹拌し反応を完結させた。反応終了後、1/10N
の塩酸溶液、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧溜去して、シ
リカゲルクロマトグラフィーにより精製し水酸基価95
の水酸基含有ラジカル重合性化合物を約19g得た。
【0141】次いで、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及
び温度計を備えた四つ口フラスコに、上記で合成した水
酸基含有ラジカル重合性化合物14g(25mmo
l)、4−オクチルシクロヘキシルクロライド5.8g
(25mmol)、トルエン100ml、水酸化ナトリ
ウム4gを加え、テトラ−n−ブチルアンモニウムブロ
マイドを触媒として60℃で5時間反応させた。
【0142】反応終了後、トルエン200ml加え、飽
和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥さ
せた。有機層の溶媒を減圧溜去して、シリカゲルクロマ
トグラフィーにより精製して、下式で表される透明液状
の側鎖型ラジカル重合性化合物(A−6)約20gを得
た。
【0143】
【化12】
【0144】赤外線吸収スペクトルより3200〜36
00cm-1の水酸基の吸収が消失しており完全にエーテ
ル化されていることを確認した。
【0145】(物性値) 1H−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ:6.46(2
H),6.14(2H),5.87(2H),5.28(1H),4.43(2H),4.28(2H),3.
6(2H),3.56(4H),3.44(4H),2.32(2H),1.60-1.10(42H),0.
90(6H)13 C−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ:173.5,16
5.9,131.53,131.3,128.4,71.9,70.6,68.9,63.1,52.7,4
2.4,29.6-27.0,24.3,14.5
【0146】赤外吸収スペクトル(IR)(KBr)c
-1:2930,2861,1744,1652-1622,1176,807.5 元素分析:C=71.0%(70.3),H=10.9%(10.4)
【0147】(実施例7)撹拌装置、窒素導入管、冷却
管及び温度計を備えた四つ口フラスコにビスフェノール
フルオレンジグリシジルエーテル23g(0.5mo
l)、アクリル酸40g(0.55mol)、p−メト
キシフェノール200mg、及び触媒としてN,N−ジ
メチルベンジルアミン1.0gを入れ、80℃で撹拌し
た。更に、反応液を100℃に昇温させ温度を保ち、5
時間撹拌して反応を完結させた。その後、トルエン50
0mlを加え、5%水酸化ナトリウム溶液300mlで
洗浄後、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥させ、有機溶媒を溜去して、水酸基価180の
水酸基含有ラジカル重合性化合物を得た。
【0148】次いで、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及
び温度計を備えた四つ口フラスコに、2−n−ヘプチル
ウンデカン酸14g(50mmol)、p−メトキシフ
ェノール10mg、ドータイトWSC 9.6g(50
mmol)及び4−ジメチルアミノピリジン0.6gを
触媒として加え、塩化メチレン300mlを仕込み、水
氷バスを用いて5℃に保ち、上記で合成した水酸基含有
ラジカル重合性化合物30gを溶解させた塩化メチレン
溶液30ml溶液を1時間かけて滴下した。
【0149】滴下終了後、水氷バスを外し、室温で10
時間撹拌し反応を完結させた。反応終了後、1/10N
の塩酸溶液、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧溜去して、シ
リカゲルクロマトグラフィーにより精製し水酸基価75
の水酸基含有ラジカル重合性化合物を約25g得た。
【0150】次いで、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及
び温度計を備えた四つ口フラスコに、上記で合成した水
酸基含有ラジカル重合性化合物22g(25mmo
l)、ラウリルクロライド5.1g(25mmol)、
トルエン100ml、水酸化ナトリウム4gを加え、テ
トラ−n−ブチルアンモニウムブロマイドを触媒として
60℃で5時間反応させた。
【0151】反応終了後、トルエン200ml水、飽和
食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ
た。有機層の溶媒を減圧溜去して、シリカゲルクロマト
グラフィーにより精製して、下式で表される透明液状の
側鎖型ラジカル重合性化合物(A−7)約19gを得
た。
【0152】赤外線吸収スペクトルより3200〜36
00cm-1の水酸基の吸収が消失しており完全にエーテ
ル化されていることを確認した。
【0153】
【化13】
【0154】(物性値) 1H−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ:7.23(4
H),7.15(4H),6.99(4H),6.88(4H),6.82(4H),6.45(2H),6.
16(2H),5.88(2H),5.26(2H),4.33(2H),4.26(2H),4.12(4
H),3.56(2H),2.34(4H),2.30(1H),1.56(6H),1.44-1.24(4
4H),0.90(9H)
【0155】13C−NMR(溶媒:重クロロホルム):
δ: 175.5,166.4,131.3,131.4,129.8,129.7,128.4,12
7.4,114.3,71.0,70.9,62.7,52.1,34.2,30.6,29.6-29.0,
25.8,22.6,19.9,14.5 赤外吸収スペクトル(IR)(KBr)cm-1:2930,2
861,1744,1652-1622,1176,807.5 元素分析:C=76.7%(77.2),H=8.3%(8.9)
【0156】(実施例8)撹拌装置、窒素導入管、冷却
管及び温度計を備えた四つ口フラスコに、ミリスチン酸
11.5g(50mmol)、p−メトキシフェノール
10mg、ドータイトWSC 9.6g(50mmo
l)及び4−ジメチルアミノピリジン0.6gを触媒と
して加え、塩化メチレン200mlを仕込み、水氷バス
を用いて5℃に保ち、二塩基酸のエポキシアクリレート
(岡村製油社製の商品名「IPS−22GA」)32g
を溶解させた塩化メチレン溶液20ml溶液を1時間か
けてゆっくり滴下した。
【0157】滴下終了後水氷バスを外し、室温で10時
間撹拌し反応を完結させた。反応終了後、1/10Nの
塩酸溶液、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧溜去して、シリ
カゲルクロマトグラフィーにより精製し水酸基価130
の水酸基含有ラジカル重合性化合物を約38g得た。
【0158】次いで撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び
温度計を備えた四つ口フラスコに、4−ノニルオキシ安
息香酸6.6g(25mmol)、p−メトキシフェノ
ール5mg、ドータイトWSC 4.7g(25mmo
l)及び4−ジメチルアミノピリジン0.2gを触媒と
して加え、塩化メチレン300mlを仕込み、水氷バス
を用いて5℃に保ち、上記で合成した水酸基含有ラジカ
ル重合性化合物21gを溶解させた塩化メチレン溶液2
0ml溶液を1時間かけて滴下した。
【0159】滴下終了後、水氷バスを外し、室温で10
時間撹拌して反応を完結させた。反応終了後、1/10
Nの塩酸溶液、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナ
トリウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧溜去して、
シリカゲルクロマトグラフィーにより精製して、下式で
表される透明液状の側鎖型ラジカル重合性化合物(A−
8)約19gを得た。
【0160】
【化14】
【0161】赤外線吸収スペクトルより3200〜36
00cm-1の水酸基の吸収が消失しており完全にエステ
ル化されていることを確認した。
【0162】(物性値) 1H−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ:7.23(2
H),7.10(2H),6.46(2H),6.14(2H),5.87(2H),5.35(2H),4.
4-4.1(8H),3.8(2H),2.35(6H),1.70-1.12(76H),0.90(12
H)13 C−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ:175.6,17
3.2,165.5,131.5,131.4,129.8,129.7,128.4,68.9,62.1,
45.7,38.9,34.2,32-29.0,27.4,19.9,15.4,14.5,10.8
【0163】赤外吸収スペクトル(IR)(KBr)c
-1:2930,2861,1744,1652-1622,1176,807.5 元素分析:C=69.8%(70.8),H=9.6%(9.8)
【0164】(実施例9)撹拌装置、窒素導入管、冷却
管及び温度計を備えた四つ口フラスコにトリメチロール
プロパントリグリシジルエーテル(ナガセ化成工業社製
の商品名「デナコールEX−314」)75g(0.2
5mol)、アクリル酸54g(0.75mol)、p
−メトキシフェノール200mg、及び触媒としてN,
N−ジメチルベンジルアミン1.0gを入れ、80℃で
撹拌した。更に、反応液を100℃に昇温させ温度を保
ち、5時間撹拌して反応を完結させた。その後トルエン
500mlを加え、5%水酸化ナトリウム溶液300m
lで洗浄後、純水及び飽和食塩水で洗浄し有機層を無水
硫酸ナトリウムで乾燥させ、有機溶媒を溜去して、水酸
基価320の水酸基含有ラジカル重合性化合物を得た。
【0165】撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計
を備えた四つ口フラスコに、ラウリン酸20g(0.1
mol)、p−メトキシフェノール10mg、ドータイ
トWSC 19g(0.1mol)及び4−ジメチルア
ミノピリジン1gを触媒として加え、塩化メチレン30
0mlを仕込み、水氷バスを用いて5℃に保ち、上記で
合成した水酸基含有ラジカル重合性化合物26gを溶解
させた塩化メチレン溶液30ml溶液を1時間かけて滴
下した。
【0166】滴下終了後水氷バスを外し、室温で10時
間撹拌して反応を完結させた。反応終了後、1/10N
の塩酸溶液、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧溜去して、シ
リカゲルクロマトグラフィーにより精製し水酸基価62
の水酸基含有ラジカル重合性化合物を約28g得た。
【0167】次いで、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及
び温度計を備えた四つ口フラスコに、2,2,4,8,
10,10−ヘキサメチルウンデカン酸7.1g(25
mmol)、p−メトキシフェノール5mg、ドータイ
トWSC 4.7g(25mmol)及び4−ジメチル
アミノピリジン0.2gを触媒として加え、塩化メチレ
ン300mlを仕込み、水氷バスを用いて5℃に保ち、
上記で合成した水酸基含有ラジカル重合性化合物 22
gを溶解させた塩化メチレン溶液20ml溶液を1時間
かけて滴下した。
【0168】滴下終了後、水氷バスを外し、室温で10
時間撹拌して反応を完結させた。反応終了後、1/10
Nの塩酸溶液、飽和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナ
トリウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧溜去して、
シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、下式で表
される透明液状の側鎖型ラジカル重合性化合物(A−
9)約18gを得た。
【0169】
【化15】
【0170】赤外線吸収スペクトルより3200〜36
00cm-1の水酸基の吸収が消失しており完全にエステ
ル化されていることを確認した。
【0171】(物性値) 1H−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ:6.46(3
H),6.20(3H),5.89(3H),5.29(3H),4.38(3H),4.29(3H),3.
58(6H),3.48(6H),2.34(5H),1.60(8H),1.47-1.00(42H),
0.9(27H)13 C−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ:175.6,17
3.2,165.5,131.5,131.4,128.4,71.8,70.3,69.9,68.5,6
2.1,51.3,50.1,45.7,34.2,32-29.0,27.4,19.9,19.7
【0172】赤外吸収スペクトル(IR)(KBr)c
-1:2930,2861,1744,1652-1622,1176,807.5 元素分析:C=69.2%(68.8),H=10.6%(10.2)
【0173】(実施例10〜20)液晶デバイス次に、
実施例1〜9で得た側鎖型ラジカル重合性化合物を用
い、表2及び表3に示した組成で各原料を配合し調光層
形成材料を調製した。これらの調光層形成材料を、1
1.0μmのガラスファイバー製スペーサーが塗布され
た2枚のITO電極ガラス基板に挟み込み、調光層形成
材料を均一な溶液状態に保つように基板全体を温度コン
トロールし、40mW/cm2の紫外線を60秒照射し
調光層の厚さ約11μmの液晶デバイスを得た。
【0174】得られた液晶デバイスの印加電圧と光透過
率の関係の測定結果を表2及び表3にまとめて示した。
また、表4には実施例2で作製した液晶デバイスを、測
定温度0℃、25℃及び50℃で測定した結果を示し
た。
【0175】(比較例1)ラジカル重合性化合物とし
て、ラジカル重合性2重結合間に側鎖を持たない1,6
−ヘキサンジオールジアクリレート(日本化薬社製の商
品名「HDDA」)を用いた以外は、実施例と同様にし
て液晶デバイスを製造し、実施例と同様に評価を行い、
その結果を表3に示した。
【0176】(比較例2)ラジカル重合性化合物とし
て、ビスフェノールAのエチレンオキサイド平均4モル
付加物のジアクリレート(東亜合成化学社製の商品名
「M210」)を用い実施例と同様にして液晶デバイス
を製造し、実施例と同様に評価を行い、その結果を表3
に示した。
【0177】(比較例3)ラジカル重合性化合物とし
て、3,3−ジメチロールヘプタンジアクリレート,
(第一工業製薬社製の商品名「C9A」)を用い実施例
と同様にして液晶デバイスを製造し、実施例と同様に評
価を行い、その結果を表3に示した。
【0178】(比較例4と5)エピクロロヒドリン変性
1,6−ヘキサンジオールジアクリレート(日本化薬社
製の商品名「R−167」)を用い、実施例と同様にし
て液晶デバイスを製造し、実施例と同様に評価を行い、
その結果を表3に示した。
【0179】
【表2】
【0180】
【表3】
【0181】表中、液晶材料「PN006」は大日本イ
ンキ化学工業社製のトラン系ネマチック液晶材料、「イ
ルガキュアー651」はチバスペシャリティーケミカル
社製の2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノ
ンから成る光重合開始剤、「HDDA」は日本化薬社製
の1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、「M−2
10」は東亜合成化学社製のビスフェノールAのエチレ
ンオキサイド平均4モル付加物のジアクリレート、「C
9A」は第一工業製薬社製の3,3−ジメチロールヘプ
タンジアクリレート、「R−167」は日本化薬社製の
エピクロロヒドリン変性1,6−ヘキサンジオールジア
クリレートを表す。
【0182】(実施例21)実施例2で作製した液晶デ
バイスを、測定温度0℃、25℃、50℃で評価し、そ
の結果を表4に示した。
【0183】(比較例6)撹拌装置、冷却管及び温度計
を備えた四つ口フラスコにエチレングリコリコールジグ
リシジルエーテル(日本油脂社製の商品名「エピオール
E−100」)17.4g(0.1mol)、ラウリン
酸60g(0.2mol)及び触媒としてN,N−ジメ
チルベンジルアミン1.61gを入れ、80℃で撹拌し
た。次いで反応液を110℃にゆっくり昇温させ温度を
保ち、10時間撹拌して反応を完結させた。次いで5%
水酸化ナトリウム溶液300mlで洗浄後、純水及び飽
和食塩水で洗浄し有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥さ
せ、有機溶媒を溜去し、水酸基価190の淡褐色透明液
状生成物を77g得た。
【0184】次に、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び
温度計を備えた四つ口フラスコに上記の液状生成物29
g、p−メトキシフェノール10mg、トリエチルアミ
ン15.1g(0.15mol)及びテトラヒドロフラ
ン500mlを加え窒素気流下で、水氷バスを用い5℃
に保ち、次いで塩化アクリロイル9g(0.1mol)
を1時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、水氷バ
スを外し、5時間還流させ反応を完結させた。
【0185】反応終了後、析出した塩酸塩を濾別し濃縮
した。濃縮液をトルエン200mlに溶解させ、0.1
N塩酸溶液300mlで洗浄後、純水及び飽和食塩水で
洗浄し有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。有機
層の溶媒を減圧溜去し、濃縮液をシリカゲルクロマトグ
ラフィー(濃縮液に対して40倍量のシリカゲルを使
用)により精製して、下式で表される透明液状の側鎖型
ラジカル重合性化合物(A−10)約13gを得た。
【0186】
【化16】
【0187】赤外線吸収スペクトルより3200〜36
00cm-1の水酸基の吸収が消失しており、完全にエス
テル化されていることを確認した。
【0188】(物性値) 1H−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ6.42(2H),
6.10(2H),5.86(2H),5.64(2H),4.24(4H),3.71(4H),3.55
(4H),2.33(4H),1.55(4H),1.3-1.24(32H),0.88(6H)13 C−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ173.7,173.
5,165.5,165.3,131.5,131.3,128.4,128.1,81.2,70.63,7
0.56,70.22,34.3,29.6-29.0,25.8,24.9,14.6赤外吸収ス
ペクトル(IR)(KBr)cm-1:2925,2854,1742,
1652-1620,1176,807.9、 元素分析:C=66.22%(66.49),H=10.32%(10.19)
【0189】(比較例7)撹拌装置、窒素導入管、冷却
管及び温度計を備えた四つ口フラスコにエピクロルヒド
リン変性1,6−ヘキサンジオールエポキシアクリレー
ト(日本化薬株式会社製の商品名「R−167」、水酸
基価268.7KOHmg/g)21g、p−メトキシ
フェノール20mg、トリエチルアミン15.1g
(0.15mol)及びテトラヒドロフラン500ml
を加え窒素気流下で、水氷バスを用い5℃に保ち、次い
で塩化n−オクタノイル17.8g(0.1mol)を
1時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、水氷バス
を外し、5時間還流させ反応を完結させた。
【0190】反応終了後、析出した塩酸塩を濾別し、濃
縮した。濃縮液をトルエン200mlに溶解させ、0.
1N塩酸溶液300mlで洗浄後、純水及び飽和食塩水
で洗浄し有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。有
機層の溶媒を減圧溜去し、濃縮液をシリカゲルクロマト
グラフィー(濃縮液に対して40倍量のシリカゲルを使
用)により精製して、下式で示される透明液状の側鎖型
ラジカル重合性化合物(A−11)約16gを得た。
【0191】
【化17】
【0192】また、赤外線吸収スペクトル(IR)より
3200〜3600cm-1の水酸基の吸収が消失してお
り、完全にエステル化されていることを確認した。
【0193】(物性値) 1H−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ:6.42(2
H),6.10(2H),5.86(2H),5.24(2H),4.34(2H),4.26(2H),3.
68-3.58(8H),2.34(4H),1.60(4H),1.25(24H),0.87(6H)13 C−NMR(溶媒:重クロロホルム):δ:173.6,16
5.5,131.3,128.1,70.8,70.4,69.5,62.5,34.3,31.9,29.6
-29.0,24.8,22.6,14.0
【0194】赤外吸収スペクトル(IR)(KBr)c
-1:2925,2854,1742,1652-1620,1176,807.9、 元素分析:C=64.2%(65.2),H=9.1%(9.3)
【0195】
【表4】
【0196】表4より、比較例7は25℃の電気光学特
性は優れているが、0℃の低温では駆動電圧が上昇し、
散乱特性が低下した。また、表4には本発明の側鎖型ラ
ジカル重合性化合物としてA−2だけを示したが、実施
例1及び実施例3〜9で合成した側鎖型ラジカル重合性
化合物A−1及びA−3〜A−9を用いた場合でも0℃
の測定でT0、Vr90、CR、γr等の電気光学特性
に殆ど変化が見られず、本発明の側鎖型ラジカル重合性
化合物を用いた液晶デバイスは電気光学特性の温度依存
性が小さいことが明らかであった。
【0197】
【発明の効果】本発明は、新規な側鎖型ラジカル重合性
化合物と、該化合物を含むラジカル重合性組成物、及び
該化合物又は該組成物を用いた、低温でも高いコントラ
スト、低電圧駆動が可能である液晶デバイスを提供する
ことができる。
【0198】本発明の側鎖型ラジカル重合性化合物は、
液晶材料と透明性高分子物質から成る調光層を有する液
晶デバイスの透明性高分子物質の構成材料として用いた
場合、偏光板が不要で、表示面積が明るく、高急峻性、
高コントラストで、且つ12Vrms以下という低電圧駆動
が可能で、電気光学特性の温度依存性が小さい薄型液晶
デバイスを製造することが出来る。 更に、高抵抗である
ため、電圧保持率を向上させることが出来、TFTなど
のアクティブマトリックス駆動が可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H089 HA04 KA04 QA16 4H027 BA13 BC04 BD02 BD04 BD06 BD20 BD23 4J100 AL66P BA02P BA15P BC04P BC43P BC48P CA01 CA04 FA03 JA32

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (式中、R1とR2はそれぞれ独立に−O−、−OCH2
    −、−CH2O−又は−OCH2CH2COOCH2−、−
    CH2OCOCH2CH2O−、−OCH2CH2COO
    −、−OCOCH2CH2O−を表し、R3は脂肪族基,
    脂肪族エーテル基、環状脂肪族基,又は芳香族基を表
    し、R4とR5はそれぞれ独立に脂肪族基,脂肪族エーテ
    ル基、環状脂肪族基、又は芳香族基を表し、R6とR7
    各々水素原子又は−CH3を表し、Xは−CH2−、エー
    テル結合又はエステル結合、Y及びZは各々独立にエー
    テル結合、又はエステル結合を表し、mは1〜3までの
    整数であり、p、q及びnは0又は1を表す)で表され
    る側鎖型ラジカル重合性化合物。
  2. 【請求項2】 一般式(I)のR3、R4、R5がそれぞれ
    独立に脂肪族基及び又は脂肪族エーテル基である請求項
    1に記載の側鎖型ラジカル重合性化合物。
  3. 【請求項3】 一般式(I)のpとqが0である請求項
    1又は2に記載の側鎖型ラジカル重合性化合物。
  4. 【請求項4】 一般式(I)のpが1で、qが0である
    請求項1又は2に記載の側鎖型ラジカル重合性化合物。
  5. 【請求項5】 一般式(I)のR4とR5がそれぞれ異な
    る炭素数4〜25の飽和アルキル基である請求項1〜4
    のいずれか1つに記載の側鎖型ラジカル重合性化合物。
  6. 【請求項6】 一般式(I)のR4が炭素数4〜25の直
    鎖アルキル基であり、R5が炭素数4〜26の分岐アル
    キル基である請求項1〜4のいずれか1つに記載の側鎖
    型ラジカル重合性化合物。
  7. 【請求項7】 請求項1〜6のいずれか1つに記載の側
    鎖型ラジカル重合性化合物を含有するラジカル重合性組
    成物。
  8. 【請求項8】 請求項1〜6のいずれか1つに記載の側
    鎖型ラジカル重合性化合物の重合物を用いた液晶デバイ
    ス。
  9. 【請求項9】 請求項7に記載のラジカル重合性組成物
    (A)を重合して形成される透明性高分子物質と、液晶
    材料(B)とからなる液晶デバイス。
  10. 【請求項10】 透明性高分子物質からなる三次元網目
    構造中に液晶材料が連続層で形成された調光層を有する
    請求項9に記載の液晶デバイス。
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