JP2002289660A - 半導体ウエハの評価方法およびその評価装置 - Google Patents
半導体ウエハの評価方法およびその評価装置Info
- Publication number
- JP2002289660A JP2002289660A JP2001087035A JP2001087035A JP2002289660A JP 2002289660 A JP2002289660 A JP 2002289660A JP 2001087035 A JP2001087035 A JP 2001087035A JP 2001087035 A JP2001087035 A JP 2001087035A JP 2002289660 A JP2002289660 A JP 2002289660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- semiconductor wafer
- wafer
- dissolving
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 酸などの薬液に対する漏れ性がなく、これま
で困難であったウエハ周辺部の正確な金属不純物の汚染
状態の把握を可能とする。 【解決手段】 半導体ウエハ１０を溶解液に接触させ、
該溶解液を回収して分析することにより該半導体ウエハ
１０の清浄度を評価する評価装置であって、前記溶解液
を収納する容器１と、前記半導体ウエハ１０を保持する
保持手段２とからなり、前記容器の溶解液収納部分が半
導体ウエハ１０周辺部の少なくとも一部を挿入できる溝
であって、該溝がその溝内に収納された前記溶解液の移
動を防止する移動防止手段を設けたことを特徴とする半
導体ウエハ１０周辺部の評価装置。
で困難であったウエハ周辺部の正確な金属不純物の汚染
状態の把握を可能とする。 【解決手段】 半導体ウエハ１０を溶解液に接触させ、
該溶解液を回収して分析することにより該半導体ウエハ
１０の清浄度を評価する評価装置であって、前記溶解液
を収納する容器１と、前記半導体ウエハ１０を保持する
保持手段２とからなり、前記容器の溶解液収納部分が半
導体ウエハ１０周辺部の少なくとも一部を挿入できる溝
であって、該溝がその溝内に収納された前記溶解液の移
動を防止する移動防止手段を設けたことを特徴とする半
導体ウエハ１０周辺部の評価装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの加
工後における清浄度を評価する半導体ウエハの評価方法
およびその評価装置に関する。
工後における清浄度を評価する半導体ウエハの評価方法
およびその評価装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの表面における金属汚染な
どの汚染物質の清浄度を評価する方法として、WSA法（W
afer Surface Analysis）と呼ばれる代表的な方法があ
り、プロセスの汚染評価に活用されている。この方法
は、被測定物表面に溶解液を滴下し、被測定物を傾倒さ
せることにより溶解液を移動させて、移動後にこの溶解
液を回収して、黒鉛炉原子吸光装置(GFAAS)やICP質量分
析装置(ICP-MS)で分析するものである。この方法によっ
て半導体ウエハの全表面に対して汚染物質の分布状態を
測定する場合、半導体ウエハの全表面を100箇所以上の
多くの区画に碁盤目状に区分けし各区画での不純物濃度
を夫々について測定し、表面全体の不純物の分布状態を
マップ化していた。
どの汚染物質の清浄度を評価する方法として、WSA法（W
afer Surface Analysis）と呼ばれる代表的な方法があ
り、プロセスの汚染評価に活用されている。この方法
は、被測定物表面に溶解液を滴下し、被測定物を傾倒さ
せることにより溶解液を移動させて、移動後にこの溶解
液を回収して、黒鉛炉原子吸光装置(GFAAS)やICP質量分
析装置(ICP-MS)で分析するものである。この方法によっ
て半導体ウエハの全表面に対して汚染物質の分布状態を
測定する場合、半導体ウエハの全表面を100箇所以上の
多くの区画に碁盤目状に区分けし各区画での不純物濃度
を夫々について測定し、表面全体の不純物の分布状態を
マップ化していた。
【０００３】しかし、この様な方法では、ウエハ全面の
不純物の分布状態を測定する場合には精度良く測定しよ
うとすると、分割する区画を小さくしなければならず、
一区画の表面積が小さくなれば区画内での溶解液に溶け
る不純物量が少なくなり、従って測定区画毎の溶解液中
の不純物濃度が低くなるために測定感度が低下し、低濃
度で汚染された半導体ウエハの汚染物マップを作成する
ことができないと言う問題があった。
不純物の分布状態を測定する場合には精度良く測定しよ
うとすると、分割する区画を小さくしなければならず、
一区画の表面積が小さくなれば区画内での溶解液に溶け
る不純物量が少なくなり、従って測定区画毎の溶解液中
の不純物濃度が低くなるために測定感度が低下し、低濃
度で汚染された半導体ウエハの汚染物マップを作成する
ことができないと言う問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、半導体ウエハを
溶解液に接触させて得られる溶解液を回収して分析する
ことによって半導体ウエハの清浄度を評価する評価方法
は、半導体ウエハの表面に関する不純物面内分布を精度
良く測定することはできなかった。
溶解液に接触させて得られる溶解液を回収して分析する
ことによって半導体ウエハの清浄度を評価する評価方法
は、半導体ウエハの表面に関する不純物面内分布を精度
良く測定することはできなかった。
【０００５】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
で、低濃度で汚染された半導体ウエハの汚染物マップを
作成可能な半導体ウエハの評価方法およびその評価装置
を提供することを課題とする。
で、低濃度で汚染された半導体ウエハの汚染物マップを
作成可能な半導体ウエハの評価方法およびその評価装置
を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の半導体ウエハの評価方法は、略円盤形状
の半導体ウエハ表面に対して前記円盤形状の中心から同
心円状のリング状領域に溶解液を接触させて前記表面を
溶解し前記表面に存在する汚染物を前記溶解液中に溶か
す工程と、前記溶解液中の前記汚染物を検出する評価工
程とを有することを特徴とする。
に、請求項１の半導体ウエハの評価方法は、略円盤形状
の半導体ウエハ表面に対して前記円盤形状の中心から同
心円状のリング状領域に溶解液を接触させて前記表面を
溶解し前記表面に存在する汚染物を前記溶解液中に溶か
す工程と、前記溶解液中の前記汚染物を検出する評価工
程とを有することを特徴とする。
【０００７】請求項２の半導体ウエハの評価装置は、収
納する略円盤形状の半導体ウエハ表面に圧着し前記表面
の一部が露出する開口を備え、且つ前記半導体ウエハを
圧着した状態で前記収納容器と相対的に摺動・回転させ
前記開口に供給した溶解液を前記表面に接触させて前記
表面に存在する汚染物を前記溶解液中に溶かしながら取
り込む収納容器と、前記溶解液に溶けた前記汚染物を検
出する評価手段とを有することを特徴とする。
納する略円盤形状の半導体ウエハ表面に圧着し前記表面
の一部が露出する開口を備え、且つ前記半導体ウエハを
圧着した状態で前記収納容器と相対的に摺動・回転させ
前記開口に供給した溶解液を前記表面に接触させて前記
表面に存在する汚染物を前記溶解液中に溶かしながら取
り込む収納容器と、前記溶解液に溶けた前記汚染物を検
出する評価手段とを有することを特徴とする。
【０００８】本発明においては、半導体ウエハの周辺部
及び局所部における重金属汚染や有機物汚染などの状態
について、高精度に分析するため、可能な限り少量の溶
解液を半導体ウエハと接触させて反応させ、この溶解液
を回収して分析することにより、溶解した物質の種類と
量を評価する。即ち、少量の溶解液だからこそ、より微
量の汚染物を確実に回収できるようにしたもので、具体
的には容器の開口の底に溶解液が溜まるようになってい
る。回収の際は、最後にこの容器の開口部に溶解液が残
る。ここから回収する溶液にはリング状の広い領域の汚
染物を溶かしているので、汚染物の濃度を高めた効果が
あり、従って微量分析が可能である。本発明者らは試料
ウエハ表面に分布した汚染物の濃度分布は試料ウエハ表
面においてはその中心から同心円状に濃度勾配が存在す
ることを見出し、本発明に至った。即ち、同心円状のリ
ング状領域ではほぼ同一濃度の汚染物質が存在すること
を利用してウエハ表面のリング状領域に溶解液を接触さ
せることで従来に比べて広い領域の汚染物質を溶解液に
溶かすことができ低濃度分析を可能にした。
及び局所部における重金属汚染や有機物汚染などの状態
について、高精度に分析するため、可能な限り少量の溶
解液を半導体ウエハと接触させて反応させ、この溶解液
を回収して分析することにより、溶解した物質の種類と
量を評価する。即ち、少量の溶解液だからこそ、より微
量の汚染物を確実に回収できるようにしたもので、具体
的には容器の開口の底に溶解液が溜まるようになってい
る。回収の際は、最後にこの容器の開口部に溶解液が残
る。ここから回収する溶液にはリング状の広い領域の汚
染物を溶かしているので、汚染物の濃度を高めた効果が
あり、従って微量分析が可能である。本発明者らは試料
ウエハ表面に分布した汚染物の濃度分布は試料ウエハ表
面においてはその中心から同心円状に濃度勾配が存在す
ることを見出し、本発明に至った。即ち、同心円状のリ
ング状領域ではほぼ同一濃度の汚染物質が存在すること
を利用してウエハ表面のリング状領域に溶解液を接触さ
せることで従来に比べて広い領域の汚染物質を溶解液に
溶かすことができ低濃度分析を可能にした。
【０００９】また、この開口は試料ウエハの被処理面に
圧接され、摺動しながら半導体ウエハ表面に溶解液を散
布する様になっているため、溶解液（エッチング液）の
外部への漏れを防止するとともに、溶解液の表面張力と
半導体ウエハの回転により、溶解液が引きずられない、
すなわち、移動防止手段の一つとしても有効である。
圧接され、摺動しながら半導体ウエハ表面に溶解液を散
布する様になっているため、溶解液（エッチング液）の
外部への漏れを防止するとともに、溶解液の表面張力と
半導体ウエハの回転により、溶解液が引きずられない、
すなわち、移動防止手段の一つとしても有効である。
【００１０】上記したように、溶解液が開口から漏れな
いようにしながら移動させるため、半導体ウエハの周辺
部の移動による溶解液の液面の変化も緩和される。従っ
て、この周辺部の浸漬する深さをある程度一定に保つこ
とができる。
いようにしながら移動させるため、半導体ウエハの周辺
部の移動による溶解液の液面の変化も緩和される。従っ
て、この周辺部の浸漬する深さをある程度一定に保つこ
とができる。
【００１１】なお、後述する実施例は重金属汚染を評価
する目的で、溶解液の例としてはHF水溶液またはHF/HNO
3水溶液を使用したものを示しているが、これに限られ
るものではなく、溶解液として、アセトン、メタノー
ル、イソプロピルアルコール、エタノールなどの溶媒を
使用することにより、GC-MS(Gas Chromatography MassS
pectroscopy)または LC-MS(liquid Chromatography Mas
s Spectroscopy)といった分析装置によりキャリアや包
装容器などの周囲の樹脂などから発散される有機物（汚
染物）を特定することも可能である。
する目的で、溶解液の例としてはHF水溶液またはHF/HNO
3水溶液を使用したものを示しているが、これに限られ
るものではなく、溶解液として、アセトン、メタノー
ル、イソプロピルアルコール、エタノールなどの溶媒を
使用することにより、GC-MS(Gas Chromatography MassS
pectroscopy)または LC-MS(liquid Chromatography Mas
s Spectroscopy)といった分析装置によりキャリアや包
装容器などの周囲の樹脂などから発散される有機物（汚
染物）を特定することも可能である。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本実施例の評価装置の構成
を示す斜視図、図２は図１の断面図、図３は他の実施例
の評価装置を示す。
を示す斜視図、図２は図１の断面図、図３は他の実施例
の評価装置を示す。
【００１３】図１及び図２に示すように、本実施例の評
価装置は、溶解液を収納する容器１と半導体ウエハ10を
保持する保持手段２とからなり、保持手段２は半導体ウ
エハ１０の片面の特定外周部を圧接して保持し、全体を
回転させることができるように設けられている。容器１
の材質としては耐薬品性が高いフッ素樹脂などが好適で
あり、本実施例ではPTFEにより形成している。
価装置は、溶解液を収納する容器１と半導体ウエハ10を
保持する保持手段２とからなり、保持手段２は半導体ウ
エハ１０の片面の特定外周部を圧接して保持し、全体を
回転させることができるように設けられている。容器１
の材質としては耐薬品性が高いフッ素樹脂などが好適で
あり、本実施例ではPTFEにより形成している。
【００１４】容器１には溶解液収納部分としての溝１１
が底状に形成され、この溝１１の最深部分には容器の開
口部１２が形成されている。この開口部１２内に溝１１
から溶解液３を供給できるようになっている。図１に示
すように、この溝１１は外周１（11a）全体にわたって
リング状に形成されており、面取り加工され汚染されや
すい半導体ウエハ１０の周縁部１０a、１０b、１０c、
を避けるようにして圧着できる様に設けられている。こ
こで、周縁部１０cから開口部１２までの間隙dは０．３
〜０．５cmが測定精度を向上させる面から望ましい。ま
た、開口部１１の直径Ｄは１〜２cmが望ましい。このこ
のウエハ端面１０cから開口部１２また、溝１１の位置
を外周２b、外周３c、外周４d、中央１１eと随時変更す
ることにより、同心円状にシリコンウエハを分析する局
所分析も可能となり、表面全体の汚染物質の濃度分布を
示した汚染マップを完成することができる。
が底状に形成され、この溝１１の最深部分には容器の開
口部１２が形成されている。この開口部１２内に溝１１
から溶解液３を供給できるようになっている。図１に示
すように、この溝１１は外周１（11a）全体にわたって
リング状に形成されており、面取り加工され汚染されや
すい半導体ウエハ１０の周縁部１０a、１０b、１０c、
を避けるようにして圧着できる様に設けられている。こ
こで、周縁部１０cから開口部１２までの間隙dは０．３
〜０．５cmが測定精度を向上させる面から望ましい。ま
た、開口部１１の直径Ｄは１〜２cmが望ましい。このこ
のウエハ端面１０cから開口部１２また、溝１１の位置
を外周２b、外周３c、外周４d、中央１１eと随時変更す
ることにより、同心円状にシリコンウエハを分析する局
所分析も可能となり、表面全体の汚染物質の濃度分布を
示した汚染マップを完成することができる。
【００１５】次に、本評価装置を使用した評価方法につ
いて説明する。まず、本発明の評価方法においては、溶
解液による処理を行う前に、半導体ウエハに表面状態を
疎水性に変化させる前処理を行う。また、本実施例にお
いては、重金属汚染の状態を評価する目的で、溶解液と
して希HF水溶液またはHF+HNO3水溶液を使用した。
いて説明する。まず、本発明の評価方法においては、溶
解液による処理を行う前に、半導体ウエハに表面状態を
疎水性に変化させる前処理を行う。また、本実施例にお
いては、重金属汚染の状態を評価する目的で、溶解液と
して希HF水溶液またはHF+HNO3水溶液を使用した。
【００１６】次に、図１に示すように、保持装置２によ
り半導体ウエハ１０の片面の略中心を圧接して保持・固
定する。図２に示すように、容器１の溝１１に約５ｍｌ
の溶解液３を滴下する。半導体ウエハ１０の周辺部１０
aをこの溶解液３に浸漬し、保持装置２により半導体ウ
エハ１０を回転させる。これにより、半導体ウエハ１０
の周辺部１０aは容器液３の浸漬した状態で移動し、そ
の表面にFeやCuといった重金属は、溶解液３内に溶出す
る。
り半導体ウエハ１０の片面の略中心を圧接して保持・固
定する。図２に示すように、容器１の溝１１に約５ｍｌ
の溶解液３を滴下する。半導体ウエハ１０の周辺部１０
aをこの溶解液３に浸漬し、保持装置２により半導体ウ
エハ１０を回転させる。これにより、半導体ウエハ１０
の周辺部１０aは容器液３の浸漬した状態で移動し、そ
の表面にFeやCuといった重金属は、溶解液３内に溶出す
る。
【００１７】上記反応を終了した溶解液３を清浄なピペ
ットなどにより回収する。回収された溶解液３は黒鉛炉
原子吸光分析またはICP/MSなどにより、その含有量を分
析し、これにより半導体ウエハ１０の周辺部１０aの重
金属汚染状態を評価できる。
ットなどにより回収する。回収された溶解液３は黒鉛炉
原子吸光分析またはICP/MSなどにより、その含有量を分
析し、これにより半導体ウエハ１０の周辺部１０aの重
金属汚染状態を評価できる。
【００１８】さらに、本発明の容器では、これまでのふ
っ素樹脂（PTFE）よりも、既に出願している高純度PTFE
樹脂を用いることにより、従来よりも低汚染で金属不純
物を分析することが可能である。
っ素樹脂（PTFE）よりも、既に出願している高純度PTFE
樹脂を用いることにより、従来よりも低汚染で金属不純
物を分析することが可能である。
【００１９】
【実施例】以下、本発明に関わる実施例および比較例に
より、更に詳細に本発明を説明する。 （実施例１） ウエハ周縁部の分析 市販の８インチのSiウエハを図１及び図２に示した本発
明にかかるウエハ周辺部分解処理冶具にセットし、HF(3
8%):HNO3(68%)=1:40の混酸をエッチング分解薬液（溶解
液）とした。ウエハの外周１（１１a）に５ｍｌ注入
し、注入後５分間経過したエッチング分解薬液をテフロ
ン（登録商標）容器に回収し、分析用試料とした。これ
らの分析試料を所定の前処理により、測定用試料溶液と
した後、ＧＦＡＡＳによりＦｅ，Ｃｕ，Ｃｒの濃度を測
定した。この結果を本法として図４に示す。 （比較例１）次いで、図４に示した従来の外周部分解装
置を用いて、ウエハの外周部を分析した。ここで３１０
は試料ウエハ、３１１は試料ウエハ端部、３１２は溶解
液溜め、３１は溶解液収容容器、３２は試料ウエハ固定
・回転装置である。エッチング分解溶液を１ｍｌとした
以外は上記実施例１と同様に処理して、Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃ
ｒの濃度を測定した。この結果を従来法として図４にま
とめて示す。比較例１の値は実施例１の60〜80%の低値
を示し、ウエハ表面に液ダレの痕跡が見られた。すなわ
ち、エッチングされた溶液が回転時に同時に液面を離
れ、その液が遠心力で拡散あるいはウエハ表面に付着
し、正確な値の測定が困難であることがわかった。
より、更に詳細に本発明を説明する。 （実施例１） ウエハ周縁部の分析 市販の８インチのSiウエハを図１及び図２に示した本発
明にかかるウエハ周辺部分解処理冶具にセットし、HF(3
8%):HNO3(68%)=1:40の混酸をエッチング分解薬液（溶解
液）とした。ウエハの外周１（１１a）に５ｍｌ注入
し、注入後５分間経過したエッチング分解薬液をテフロ
ン（登録商標）容器に回収し、分析用試料とした。これ
らの分析試料を所定の前処理により、測定用試料溶液と
した後、ＧＦＡＡＳによりＦｅ，Ｃｕ，Ｃｒの濃度を測
定した。この結果を本法として図４に示す。 （比較例１）次いで、図４に示した従来の外周部分解装
置を用いて、ウエハの外周部を分析した。ここで３１０
は試料ウエハ、３１１は試料ウエハ端部、３１２は溶解
液溜め、３１は溶解液収容容器、３２は試料ウエハ固定
・回転装置である。エッチング分解溶液を１ｍｌとした
以外は上記実施例１と同様に処理して、Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃ
ｒの濃度を測定した。この結果を従来法として図４にま
とめて示す。比較例１の値は実施例１の60〜80%の低値
を示し、ウエハ表面に液ダレの痕跡が見られた。すなわ
ち、エッチングされた溶液が回転時に同時に液面を離
れ、その液が遠心力で拡散あるいはウエハ表面に付着
し、正確な値の測定が困難であることがわかった。
【００２０】これに対し、本発明にかかる局所分析装置
処理冶具はエッチング分解容器使用時の漏れは認められ
ず、ウエハ表面にも液ダレはなかった。 （実施例２） 同心円状外周部の分析 市販の８インチのSiウエハを図１及び図２に示した本発
明にかかる周辺部分解処理冶具にセットし、HF(38%):HN
O3(68%)=1:100の混酸をエッチング分解薬液とした。な
お、外周部から順次２ｃｍの同心円状で図１に示した５
外周分つまり外周１（１１a）、外周２（１１b）、外周
３（１１c）、外周４（１１d）、中央（１１e）の夫々
の位置に対して形成された溝１２から液滴を滴下して溶
解液に溶けた汚染物質の濃度を測定する。具体的には、
各外周部に分解溶液を10ｍｌ注入し、注入後５分間経過
したエッチング分解薬液をテフロン容器に回収し、分析
用試料とした。この操作を5回繰り返し、深さ方向分析
用の試料とした。これらの分析試料を所定の前処理によ
り、測定用試料溶液とした後、ICP-MSによりＡｌの濃度
を測定した。この結果を図５に示す。各区画領域の分布
が異なることが分かる。 （比較例２）従来の全面エッチング溶液冶具を用いて、
ウエハの被処理盤面全体を位置領域として、エッチング
分解薬液量の注入量を上記各領域への合計注入量２５ｍ
ｌとした以外は、上記実施例２と同様に処理して、ウエ
ハ全面平均値としての深さ方向分析のＡｌの濃度を測定
した。この結果を同様に、図６に示す。
処理冶具はエッチング分解容器使用時の漏れは認められ
ず、ウエハ表面にも液ダレはなかった。 （実施例２） 同心円状外周部の分析 市販の８インチのSiウエハを図１及び図２に示した本発
明にかかる周辺部分解処理冶具にセットし、HF(38%):HN
O3(68%)=1:100の混酸をエッチング分解薬液とした。な
お、外周部から順次２ｃｍの同心円状で図１に示した５
外周分つまり外周１（１１a）、外周２（１１b）、外周
３（１１c）、外周４（１１d）、中央（１１e）の夫々
の位置に対して形成された溝１２から液滴を滴下して溶
解液に溶けた汚染物質の濃度を測定する。具体的には、
各外周部に分解溶液を10ｍｌ注入し、注入後５分間経過
したエッチング分解薬液をテフロン容器に回収し、分析
用試料とした。この操作を5回繰り返し、深さ方向分析
用の試料とした。これらの分析試料を所定の前処理によ
り、測定用試料溶液とした後、ICP-MSによりＡｌの濃度
を測定した。この結果を図５に示す。各区画領域の分布
が異なることが分かる。 （比較例２）従来の全面エッチング溶液冶具を用いて、
ウエハの被処理盤面全体を位置領域として、エッチング
分解薬液量の注入量を上記各領域への合計注入量２５ｍ
ｌとした以外は、上記実施例２と同様に処理して、ウエ
ハ全面平均値としての深さ方向分析のＡｌの濃度を測定
した。この結果を同様に、図６に示す。
【００２１】図５と図６の結果から、ウエハの微量金属
不純物の深さ方向分布は、ウエハ面の局所領域により大
きく異なり、ウエハ全面の平均値としても分布プロファ
イルのみではウエハの実際の汚染状態を的確に把握し得
ないことが認められた。
不純物の深さ方向分布は、ウエハ面の局所領域により大
きく異なり、ウエハ全面の平均値としても分布プロファ
イルのみではウエハの実際の汚染状態を的確に把握し得
ないことが認められた。
【００２２】以上説明したように、本発明は従来のシリ
コンウエハ全面をエッチングする分解処理冶具を改良
し、上記本発明に示した構成を用いることにより、次に
示すような優れた効果がある。
コンウエハ全面をエッチングする分解処理冶具を改良
し、上記本発明に示した構成を用いることにより、次に
示すような優れた効果がある。
【００２３】評価対象である半導体ウエハの周辺部を溶
解液に直接接触させた評価であるため、得られた評価値
は信頼性が高い。
解液に直接接触させた評価であるため、得られた評価値
は信頼性が高い。
【００２４】非常に微量な溶解液を使用した評価も可能
であり、それによりある特定な金属汚染について高精度
に評価を実施し、高品質な製品製造に反映できる。仕切
り板は試料ウエハの被処理面に圧接され、その下端部は
密着するため、エッチング分解用薬液の外部への漏れを
防止すると共に、分割された被処理面のエッチング分解
用薬液が混合されるのを防止することができる。
であり、それによりある特定な金属汚染について高精度
に評価を実施し、高品質な製品製造に反映できる。仕切
り板は試料ウエハの被処理面に圧接され、その下端部は
密着するため、エッチング分解用薬液の外部への漏れを
防止すると共に、分割された被処理面のエッチング分解
用薬液が混合されるのを防止することができる。
【００２５】
【発明の効果】上記構成によって、本発明は、低濃度で
汚染された半導体ウエハの汚染物マップを作成可能な半
導体ウエハの評価方法およびその評価装置を提供するこ
とができる。
汚染された半導体ウエハの汚染物マップを作成可能な半
導体ウエハの評価方法およびその評価装置を提供するこ
とができる。
【図１】 本発明にかかるウエハ周辺部分解冶具の正面
図。
図。
【図２】 本発明に係わるウエハ周辺部分解冶具の断面
図。
図。
【図３】 従来のウエハ周辺部の分解冶具の一例。
【図４】 実施例１、比較例１におけるウエハ周縁部の
Fe,Cu,Cr濃度。
Fe,Cu,Cr濃度。
【図５】 実施例２におけるウエハ外周域、中間域、中
央域、各区間ごとの深さ方向のＡｌの濃度分布を表した
図。
央域、各区間ごとの深さ方向のＡｌの濃度分布を表した
図。
【図６】 比較例２におけるウエハ全面域での深さ方向
のＡｌの濃度分布を表した図。
のＡｌの濃度分布を表した図。
１ 容器 ２ 保持手段 １０ 半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G042 AA01 AA10 BC06 BC08 BC10 BD18 CA02 CA03 CB03 DA03 EA01 FA01 FA09 FA20 FB02 HA02 2G052 AA13 AB01 AB11 AB27 AD12 AD32 AD46 BA04 BA17 CA18 CA29 CA40 DA33 ED11 FB06 FD00 FD10 GA01 GA24 GA25 GA27 GA28 HC02 HC36 JA09 JA16 JA22 JA23 4M106 AA01 BA12 CA29 DH11 DH60 DJ32
Claims (2)
- 【請求項１】略円盤形状の半導体ウエハ表面に対して前
記円盤形状の中心から同心円状のリング状領域に溶解液
を接触させて前記表面を溶解し前記表面に存在する汚染
物を前記溶解液中に溶かす工程と、前記溶解液中の前記
汚染物を検出する評価工程とを有することを特徴とする
半導体ウエハの評価方法。 - 【請求項２】収納する略円盤形状の半導体ウエハ表面に
圧着し前記表面の一部が露出する開口を備え、且つ前記
半導体ウエハを圧着させた状態で前記収納容器と相対的
に摺動・回転させ前記開口に供給した溶解液を前記表面
に接触させて前記表面に存在する汚染物を前記溶解液中
に溶かしながら取り込む収納容器と、前記溶解液に溶け
た前記汚染物を検出する評価手段とを有することを特徴
とする半導体ウエハの評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001087035A JP2002289660A (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 半導体ウエハの評価方法およびその評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001087035A JP2002289660A (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 半導体ウエハの評価方法およびその評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289660A true JP2002289660A (ja) | 2002-10-04 |
Family
ID=18942330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001087035A Pending JP2002289660A (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 半導体ウエハの評価方法およびその評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002289660A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006001451A1 (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-05 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | 半導体ウェーハの薬液回収方法および装置 |
| JP2010025847A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Sumco Corp | シリコン材料表層における金属不純物分析方法 |
| JP2021522505A (ja) * | 2018-05-04 | 2021-08-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 処理チャンバのためのナノ粒子測定 |
-
2001
- 2001-03-26 JP JP2001087035A patent/JP2002289660A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006001451A1 (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-05 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | 半導体ウェーハの薬液回収方法および装置 |
| JP2006013234A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウェーハの薬液回収方法および装置 |
| US7686891B2 (en) | 2004-06-28 | 2010-03-30 | Sumco Techxiv Corporation | Method and apparatus for collecting chemicals from semiconductor wafer |
| JP4521861B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2010-08-11 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェーハの薬液回収方法および装置 |
| US8080113B2 (en) | 2004-06-28 | 2011-12-20 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for collecting chemicals from semiconductor wafer |
| JP2010025847A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Sumco Corp | シリコン材料表層における金属不純物分析方法 |
| JP2021522505A (ja) * | 2018-05-04 | 2021-08-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 処理チャンバのためのナノ粒子測定 |
| JP7228600B2 (ja) | 2018-05-04 | 2023-02-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 処理チャンバのためのナノ粒子測定 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3059144B2 (ja) | 不純物の測定方法 | |
| JP3116871B2 (ja) | 半導体基板表面分析の前処理方法及びその装置 | |
| JP3179175B2 (ja) | 分析前処理方法 | |
| JPS6069531A (ja) | 半導体薄膜の分解装置 | |
| JP2002289660A (ja) | 半導体ウエハの評価方法およびその評価装置 | |
| US8815107B2 (en) | Method of etching surface layer portion of silicon wafer and method of analyzing metal contamination of silicon wafer | |
| JP2006214877A (ja) | 気相分解装置ならびにそれを用いた試料前処理装置および蛍光ｘ線分析システム | |
| JP2001242052A (ja) | 半導体基板又は薬品の不純物分析方法 | |
| JP2003202278A (ja) | 試料分解処理装置及びこれを用いた不純物分析方法 | |
| JP4073138B2 (ja) | 石英中に含有される金属の分析方法 | |
| JP4755746B2 (ja) | 半導体ウエハ表面の不純物測定方法及びそのための不純物回収装置 | |
| JP3414976B2 (ja) | 不純物分析試料容器およびそれに用いられる試料収容部材 | |
| JP3804864B2 (ja) | 不純物の分析方法 | |
| JP3688593B2 (ja) | 珪素材料中の不純物分析方法 | |
| JP4204434B2 (ja) | ウェーハ周辺部の被測定物を回収する方法および装置 | |
| JP2002296269A (ja) | 試料水の水質評価装置および水質評価方法 | |
| JP4000027B2 (ja) | 半導体試料の不純物分析方法および半導体試料の不純物濃縮装置 | |
| Ko et al. | Evaluation of metal migration and determination of trace metals after microwave digestion for lithographic materials | |
| JP5083089B2 (ja) | シリコン材料表層における金属不純物分析方法 | |
| JP3754350B2 (ja) | 半導体基板の分析方法及び分析装置 | |
| JP3627918B2 (ja) | 半導体基板の表面評価分析装置とそれに用いる冶具 | |
| JP3523068B2 (ja) | 局所分解処理治具及びこれを用いた試料ウエハの不純物分析方法 | |
| KR20000067357A (ko) | 반도체 웨이퍼 표면의 오염 시료를 채취하는 방법 | |
| US7399635B2 (en) | Impurity measuring method for Ge substrates | |
| JPH085526A (ja) | 溶液試料サンプリング治具 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20031121 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040528 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040921 |
|
| A072 | Dismissal of procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073 Effective date: 20041122 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050114 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050315 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050412 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050614 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060411 |