JP2002278114A - 電子写真方法及び電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ａ−Ｓｉ系感光体と注入帯電を用い、トナー
リサイクルシステムを達成する電子写真方法及び装置を
提供する。 【解決手段】 導電性基体上にａ−Ｓｉ系光導電層及び
少なくともシリコン原子を含有するａ−Ｃ表面層を積層
してなり、該表面層のシリコン原子含有率が０．２〜２
０原子％である像担持体と、少なくとも結着樹脂と磁性
体とを含有するトナー粒子と、無機微粉体とを有し、平
均円形度が０．９５０以上であり７９．６ｋＡ／ｍ下に
おける飽和磁化が１０〜５０Ａｍ²／ｋｇである磁性ト
ナーと、粒径が０．１〜１０μｍである導電性粒子を主
成分とする帯電粒子と、導電性と弾性を有した表面を備
え、該帯電粒子を担持する帯電粒子担持体により構成さ
れする帯電手段を備え、該帯電粒子が該像担持体に接触
して負極性に帯電させ、ＩＡＥ方式で静電潜像を形成
し、転写から帯電までの間にクリーニング工程が無い電
子写真方法及び装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非単結晶シリコン
系電子写真感光体と接触帯電手段と球形トナーを用い、
転写から帯電までの間にクリーニング工程が無い特定の
システムを用いる電子写真方法及び装置に関し、詳しく
は、特定のシリコン原子含有率（シリコン原子と炭素原
子の総量に対するシリコン原子の比率）の表面層を付加
した非単結晶シリコン感光体を用いた電子写真方法及び
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真方法は、帯電−露光−現
像−転写−転写残トナーのクリーニング−感光体残留電
荷の除電−帯電といったサイクルを繰り返す事が一般的
であった。この方式においては、転写後の感光体（像担
持体）に残存する転写残トナーはクリーナー（クリーニ
ング装置）によって感光体面から除去されて廃トナーと
なるが、この廃トナーは環境保護の面からも出ないこと
が望ましい。そこでクリーナーをなくし、転写後の感光
体上の転写残トナーは現像装置によって「現像兼クリー
ニング」で感光体上から除去し現像装置に回収・再用す
る装置構成にしたトナーリサイクルプロセスの電子写真
装置も出現している。特開平１０−３０７４５５号公報
には、こうした電子写真装置の開示がある。

【０００３】現像兼クリーニングとは、転写後に感光体
上に残留したトナーを次工程以降の現像時、即ち引き続
き感光体を帯電し、露光して潜像を形成し、該潜像の現
像時にかぶり取りバイアス（現像装置に印加する直流電
圧と感光体の表面電位間の電位差であるかぶり取り電位
差Ｖｂａｃｋ）によって回収する方法である。この方法
によれば、転写残トナーは現像装置に回収されて次工程
以後に再利用されるため、廃トナーをなくし、メンテナ
ンスに手を煩わせることも少なくすることができる。ま
たクリーナーレスであることでスペース面での利点も大
きく、電子写真装置を大幅に小型化できるようになる。

【０００４】以下に、図３を用いて簡単に現像兼クリー
ニング工程を利用したトナーリサイクルプロセスを説明
する。 （１）感光体２０１は接触帯電部材２０２により、電圧
を印加され均一に帯電される。この図の場合は負帯電と
する。 （２）均一に負帯電された感光体２０１上に、画像情報
に対応した反転現像方式の露光（例えばレーザー光）２
０３が与えられ潜像を形成する。 （３）現像器２０４から電荷を付与された着色粉体であ
るトナー２０５が、潜像に応じた形で感光体２０１表面
に供給され顕像を形成する。この場合、トナーとしては
負帯電のものを用いる。 （４）転写ローラー２０６で電圧を印加、或いは静電吸
着力を付与する部材によって、転写材２０７にトナー像
が転写され、定着装置２０９で定着される。この際、一
部のトナーは転写され残留し、且つ更にその一部はトナ
ーと逆極性の電圧を印加された転写帯電部材によって本
来の極性と逆極性に帯電されるものが生じる。これを反
転トナー２０８と呼ぶ。この場合、転写帯電は正帯電と
なる。 （５）感光体表面に残留した転写残トナーは（１）の電
圧を印加された接触帯電部材２０２と感光体２０１との
摺擦により、上記反転トナーも含めて帯電極性と等しい
極性に電荷を再付与され、感光体上に再度吐き出され
る。反転トナーを元の極性にそろえる事をトナー極性の
正規化と呼ぶ。 （６）帯電極性と等しい電荷を再付与されたトナー２０
５は、現像器の現像バイアスにより、現像時の余剰トナ
ーと共に再度現像器２０４に回収される。このような一
連のサイクルにより、廃トナーを生じないシステムが可
能となる。ここでの説明は、概要を述べたものであり、
この記載に限定されるものではない。

【０００５】尚、特開平１０−３０７４５５号公報に非
単結晶シリコン感光体のトナーリサイクルプロセスの開
示がある。特開２０００−９８８４６号公報には非単結
晶シリコン感光体、特には非単結晶炭素からなる表面層
を有する非単結晶シリコン感光体の接触帯電に関する開
示がある。

【０００６】また、特許公報第２８１１３１２号等で、
組成式Ｓｉ_1-xＣ_xのｘの値が０．５＜ｘ＜０．９の技術
開示があり、特開平１０−２０６６３号公報等で、組成
式Ｓｉ_1-xＣ_xのｘの値が０．９５≦ｘ＜１の技術開示が
ある。

【０００７】一方、特開平１０−２１３９４６号公報に
は、感光体の飽和電位より低い電圧を帯電手段に印加し
て使用する事で、クリーナーレスでトナーの吐き出しを
良くする技術の開示があり、特開平１０−２７４８８４
号公報には、トナーリサイクルプロセスにおいてトナー
を正規化しておいた方が良い旨の技術開示があり、さら
に特開平９−３２５５７８号公報には、帯電突入前に残
トナートリボを帯電と逆極性に帯電する、本来の帯電以
外の電荷付与手段に関する開示がある。

【０００８】非単結晶シリコン感光体は比類なき電位安
定性を持ち、特に高速複写機、高速プリンター領域で用
いられている。特に導電性基体上にシリコン原子を母体
とする非単結晶材料で構成された光導電層に炭素原子を
母体とする非単結晶材料で構成された表面層を積層した
感光体は、非単結晶炭素膜の特徴である潤滑性、高硬
度、耐酸化性から融着防止、長寿命、環境安定性といっ
た優れた性能を有している。

【０００９】小型機、普及機の領域においてもその優れ
た電位安定性を望む声は大きかったが、本体が棄却され
るまでのプリント枚数は多くて百万枚ほどであり、非単
結晶シリコン感光体の数百万枚といった耐久寿命とのミ
スマッチでなかなか広く普及していない。

【００１０】また、前述クリーナーレスシステムにおい
ては、非単結晶シリコン感光体の中には、トナーや帯電
部材との帯電系列、等のミスマッチから、（５）の工程
において反転トナーをカブリ取りバイアスによっても回
収しにくい極性分布、具体的には帯電極性と逆の方向の
平均極性に変換してしまう現象があり、非単結晶シリコ
ン感光体のメリットを十分に付加したクリーナーレスシ
ステムを達成し得ない課題があった。

【００１１】特に、炭素原子を母体とする非単結晶材料
で構成された表面層では、樹脂など有機物からなる表面
層に比べ、反転トナーが正規化されにくい傾向にあり、
これによって画像カブリ、現像剤劣化による濃度薄など
の画像トラブルを生じる事があった。

【００１２】特に重要なのは、トナーと感光体の帯電極
性が同じ事、すなわち画像部を露光し、電位減衰させた
部分を現像するＩＡＥ（Image Area Exposure、「イメ
ージ露光」の意）方式による画像形成方式であることで
ある。帯電器内に混入したトナーは、上記のごとく帯電
される事によって、帯電部材と反発して感光体上に吐き
出され、その状態がトナーとして正規の状態であるか
ら、現像バイアスによって回収される、というプロセス
が成立する。逆に非画像部を露光し、電位減衰させた部
分以外を現像するＢＡＥ（「バックスキャン露光」の
意）方式であると、トナーと感光体の帯電極性が異なる
為、帯電工程で充分に帯電されないで吐き出されなかっ
たり、充分帯電して吐き出されたとしても現像工程で回
収されない、という不具合が生じることがある。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の技術
課題の解決を目指したものであり、非単結晶シリコン感
光体を用いた場合においても、広く小型機、普及機にも
普及可能とならしめる、リサイクル効果をもつクリーナ
ーレストナーリサイクルプロセスを良好に機能させる電
子写真方法及び電子写真装置を提供する事を目的とす
る。

【００１４】すなわち、電子写真装置の生涯寿命に渡っ
て排出される廃棄物が大幅に削減され、さまざまな環境
においても画像流れや画像ムラが発生せず、きわめて鮮
明な画像が長期間安定して得られる電子写真装置及び電
子写真方法を提供することを目的とする。

【００１５】さらに、帯電部材の寿命が長く、最小のメ
ンテナンスコストで長期間、安定して高品質な画像が得
られる電子写真装置及び電子写真方法を提供することを
目的とする。

【００１６】また、ａ−Ｓｉ感光体が均一に帯電され、
ムラがなく、均一で高コントラストで解像度が高く、か
ぶりの少ない鮮明な画像が得られる電子写真装置及び電
子写真方法を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為
に、本発明者らは（５）の反転トナーを正規化する工程
について鋭意研究を行ったところ、炭素原子を母体とし
少なくともシリコン原子を含有する非単結晶材料で特定
のシリコン原子含有率（シリコン原子と炭素の総量に対
するシリコン原子の比率）を有する表面層を付加した非
単結晶シリコン感光体を用いる事でこの工程がきわめて
円滑且つ安定的に行われる事を見出した。

【００１８】具体的には、該像担持体は、導電性基体上
にシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された
光導電層及び炭素原子を母体とし少なくともシリコン原
子を含有する非単結晶材料で構成された表面層を積層し
てなり、該表面層のシリコン原子含有率（シリコン原子
と炭素の総量に対するシリコン原子の比率）が０．２原
子％以上２０原子％以下であり、該トナーは、少なくと
も結着樹脂と磁性体とを含有するトナー粒子と無機微粉
体とを有し、平均円形度が０．９５０以上である磁性ト
ナーであって、該磁性トナーの７９．６ｋＡ／ｍ（１０
００エルステッド）下における飽和磁化が１０Ａｍ²／
ｋｇ（ｅｍｕ／ｇ）以上５０Ａｍ²／ｋｇ以下であり、
該帯電手段は、粒径が０．１μｍ〜１０μｍである導電
性粒子を主成分とする帯電粒子と、導電性と弾性を有し
た表面を備え、該帯電粒子を担持する帯電粒子担持体に
より構成され、該帯電粒子は該像担持体に接触し、該像
担持体表面を負極性に帯電し、露光により電位を減衰さ
せるＩＡＥ方式で静電潜像を形成し、電位が減衰した部
分をトナーにより現像し、転写から帯電までの間にクリ
ーニング工程が無い事を特徴とする電子写真方法及び装
置で極めて良好なトナーリサイクルプロセスが達成され
た。

【００１９】本発明者らは、上記像担持体（以下、「ａ
−Ｓｉ感光体」ともいう）用いた電子写真装置におい
て、高画質化を追求すると共に、電子写真装置の生涯寿
命の間に排出される廃棄物を大幅に削減する検討を鋭意
行ってきた。その結果、転写残トナーを再利用するため
にクリーニング工程を取り除き、現像工程で転写残トナ
ーを回収することが、転写残トナーの排出を抑えること
が可能となり廃棄物の削減に大変有効であるとの結論に
至った。

【００２０】しかしながら、帯電工程でコロナ帯電器を
用いた場合は、転写残トナーを現像工程で回収するため
に、転写残トナーが帯電器を通過する際に、ａ−Ｓｉ感
光体上の転写残トナーの影響によりコロナ放電むらが誘
発して帯電むらが発生したり、最悪の場合は異常放電が
発生してａ−Ｓｉ感光体を破損する場合があることがわ
かった。

【００２１】そこでａ−Ｓｉ感光体をコロナ帯電器によ
って帯電した場合に問題となりやすい画像流れや帯電ム
ラをなくすために注目されている接触帯電方式の帯電器
を使用して検討したところ、異常放電の発生は防止でき
るようになったものの、転写残トナーが帯電器を通過す
る際に、転写残トナーが接触帯電器を汚染することによ
り帯電部材の性能が劣化し、帯電部材の寿命が短くなっ
たり、帯電能力が低下して画像コントラストや均一性が
悪化したり、更には接触帯電器に付着した転写残トナー
が性能劣化して画像品質が低下、例えばカブリが増加す
る場合があった。

【００２２】そこで本発明者らは、異常放電を抑止でき
る接触帯電方式を用いて、ａ−Ｓｉ感光体及びトナーの
最適化を鋭意検討した結果、ａ−Ｓｉ感光体の表面を構
成する材料として、少なくとも水素を含有し、炭素原子
を母体とし少なくともシリコン原子を含有する非単結晶
材料であり、該表面層のシリコン原子含有率（シリコン
原子と炭素の総量に対するシリコン原子の比率）が０．
２原子％以上２０原子％以下であり、トナーとして、少
なくとも結着樹脂を含有するトナー粒子と無機微粉体と
を有し、平均円形度が０．９５０以上である球形トナー
であるトナーを用いることが効果的であることを見いだ
した。転写残トナーによる接触帯電部材の汚染の状況に
ついて検討した結果、たとえ一旦帯電部材が転写残トナ
ーに汚染されても、該帯電部材上の転写残トナーが速や
かにａ−Ｓｉ感光体上に吐き出され、現像工程で回収さ
れることにより、帯電部材の寿命や帯電能力の低下を防
ぐことが可能である知見が得られた。そこで帯電部材か
らａ−Ｓｉ感光体へ転写残トナーが吐き出しやすい構成
を検討した結果、前述した特定の表面層を有する像担持
体と特定の球形トナーを用いることが有用であることが
判明した。

【００２３】このメカニズムについては現在、詳細は不
明であるが、ａ−Ｓｉ感光体とトナーが特定の付着力を
有することにより、帯電部材上に存在する転写残トナー
が効率的にａ−Ｓｉ感光体へ吐き出されるものと推定さ
れ、その際に特定の表面層と球形トナーが効果的である
ことから、像担持体の表面層の表面自由エネルギーと球
形トナーの形状に起因する付着力（主に分子間力と推定
される）が大きく作用しているものと推定され、この付
着力は表面層のシリコン原子含有率（シリコン原子と炭
素の総量に対するシリコン原子の比率）と球形トナーの
平均円形度に大きく依存するものと考えられる。

【００２４】以上述べてきたように、本発明は接触帯電
装置、特定の球形トナー、特定のシリコン原子含有率
（シリコン原子と炭素の総量に対するシリコン原子の比
率）の表面層を有するａ−Ｓｉ感光体という三者を組み
合わせることによって、高画質、長寿命で廃棄物の排出
量が少ない電子写真装置を可能としたものである。

【００２５】以下に、本発明の詳細を説明する。本発明
に用いられる像担持体は、導電性基体と、該導電性基体
上に少なくとも水素及びハロゲンのいずれかを含みシリ
コン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電
層と、少なくとも水素及びハロゲンのいずれかを含み炭
素原子を母体とし少なくともシリコン原子を含有する非
単結晶材料で構成された表面層とを有しており、該表面
層のシリコン原子含有率（シリコン原子と炭素の総量に
対するシリコン原子の比率）が０．２原子％以上２０原
子％以下であることを特徴とする。

【００２６】図１及び図２は本発明に用いられる像担持
体の模式的な断面図の一例である。図１に示すａ−Ｓｉ
感光体はアルミニウム等の導電性基体１０１と、導電性
基体１０１の表面に順次積層された電荷注入阻止層（下
部阻止層）１０２と光導電層１０３及び表面層１０５を
有する。ここで、電荷注入阻止層１０２は導電性基体１
０１から光導電層１０３への電荷の注入を阻止するもの
であり、必要に応じて設けられる。また、光導電層１０
３は少なくともシリコン原子を含む非単結晶材料で構成
され、光導電性を示すものである。更に光導電層１０３
と表面層１０５の間に表面から光導電層１０３への電荷
の注入を阻止する能力をもつ層として、かつまたは表面
を保護する能力をもつ層としてバッファ層１０４を設け
ても良い。

【００２７】図２に示したように光導電層１０３は、少
なくともシリコン原子と炭素原子を含む非単結晶材料で
構成された電荷輸送層１０７と、少なくともシリコン原
子を含む非単結晶材料で構成された電荷発生層１０６が
順次積層された構成の機能分離型としても良い。まず、
母体となる非単結晶シリコン感光体部分の作製概要を述
べる。

【００２８】（導電性基体）導電性基体の基材として
は、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性基体
としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎ
ｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅの如き金属、お
よびこれらの合金、例えばステンレスが挙げられる。ま
た、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、
セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリスチレン、ポリアミドの如き合成樹脂のフィル
ムまたはシート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支
持体の少なくとも感光層を形成する側の表面を導電処理
したものも導電性基体として用いることができる。

【００２９】（光導電層）光導電層は、例えばグロー放
電法（例えば、低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、または直流
放電ＣＶＤ法）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオ
ンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法の如き数
々の薄膜堆積法によって形成することができる。これら
の薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程
度、製造規模、作製される電子写真装置用像担持体に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、所望の特性を有する電子写真装置用像担持体を製
造するに当たっての条件の制御が比較的容易であること
からしてグロー放電法、特にＲＦ帯、μＷ帯またはＶＨ
Ｆ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電法が好適で
ある。

【００３０】グロー放電法によって光導電層１０３を形
成するには、基本的には周知のごとくシリコン原子（Ｓ
ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子
（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガス、及びハロゲン
原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスの少なくと
もいずれかを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望の
ガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起
させ、導入した原料ガスを分解し、あらかじめ所定の位
置に設置されてある所定の導電性基体１０１上にａ−Ｓ
ｉ：Ｈ、Ｘからなる層を形成すればよい。

【００３１】また、シリコン原子の未結合手を補償し、
層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を向上
させるためには、光導電層１０３中に水素原子及びハロ
ゲン原子の少なくともいずれかが含有されることが必要
であるが、水素原子またはハロゲン原子の含有量、また
は水素原子とハロゲン原子の和の量は、シリコン原子と
水素原子及びハロゲン原子の和に対して１０〜３０原子
％、より好ましくは１５〜２５原子％とされるのが、上
記の目的（シリコン原子の未結合手の補償等）を達成す
る上で望ましい。

【００３２】本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂）、Ｂｒ
Ｆ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ
₇の如きハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロ
ゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置
換されたシラン誘導体としては、具体的には、たとえば
ＳｉＦ₄、Ｓｉ₂Ｆ₆の如き弗化珪素が好ましいものとし
て挙げることができる。

【００３３】本発明においては、光導電層１０３には必
要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好
ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１０３中に
万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、ま
たは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分
があってもよい。

【００３４】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表１３族に属する原子（以
後「１３族原子」と略記する）またはｎ型伝導特性を与
える周期律表１５族に属する原子（以後「第１５族原
子」と略記する）を用いることができる。

【００３５】第１３族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）があり、特にＢ、
Ａｌ、Ｇａが好適である。第１５族原子としては、具体
的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、
ビスマス（Ｂｉ）があり、特にＰ、Ａｓが好適である。

【００３６】光導電層１０３に含有される伝導性を制御
する原子の含有量としては、帯電特性や電子写真装置等
についての所期の性能等によって適切に決定することが
望ましいが、好ましくは１×１０^-2〜１×１０⁴原子ｐ
ｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５×１０³原子ｐｐ
ｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０³原子ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

【００３７】伝導性を制御する原子、たとえば、第１３
族原子または第１５族原子を構造的に導入するには、層
形成の際に、第１３族原子導入用の原料物質または第１
５族原子導入用の原料物質をガス状態で、光導電層１０
３を形成するための他のガスとともに反応容器中に導入
してやればよい。第１３族原子導入用の原料物質または
第１５族原子導入用の原料物質となり得るものとして
は、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。

【００３８】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂やＨｅ等により希釈し
て使用してもよい。

【００３９】さらに本発明においては、光導電層１０３
に炭素原子、酸素原子、及び窒素原子を単独でまたは複
数種含有させることも有効である。炭素原子、酸素原
子、及び窒素原子の含有量は、シリコン原子、炭素原
子、酸素原子及び窒素原子の和に対して、好ましくは１
×１０^-5〜１０原子％、より好ましくは１×１０^-4〜８
原子％、最適には１×１０^-3〜５原子％が望ましい。炭
素原子、酸素原子、及び窒素原子は、光導電層中に万遍
なく均一に含有されても良いし、光導電層の層厚方向に
含有量が変化するような不均一な分布をもたせた部分が
あっても良い。

【００４０】本発明において、光導電層１０３の層厚
は、所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果
等の点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは
１５〜６０μｍ、より好ましくは２０〜５０μｍ、最適
には２０〜４０μｍとされるのが望ましい。１５μｍ未
満であると帯電部材への通過電流量が増大し劣化が早ま
りやすい。６０μｍを超えるとａ−Ｓｉ感光体の異常成
長部位が大きくなり、具体的には水平方向で５０〜１５
０μｍ、高さ方向で５〜２０μｍとなり表面を摺擦する
帯電部材へのダメージが無視しえなくなる場合がある。

【００４１】なお、光導電層１０３の層厚は、原料ガス
の導入量等の成膜条件によって調整することができる
が、膜厚計（例えばＨＥＬＭＵＴＦＩＳＨＥＲＧＭＢＨ
社製ＦｉｓｈｅｒＳｃｏｐｅｍｍｓ）を用いることによ
り測定することができ、光導電層１０３の層厚を確認す
ることができる。

【００４２】さらに、光導電層を堆積する際の導電性基
体１０１の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が
選択されるが、通常の場合、好ましくは２００〜３５０
℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、最適には２５０
〜３１０℃とするのが望ましい。

【００４３】（表面層）本発明に用いられる像担持体
は、少なくとも水素及びハロゲンのいずれかを含み炭素
原子を母体とし少なくともシリコン原子を含有する非単
結晶材料（「ａ−ＳｉＣ：Ｈ（Ｘ）」とも示す）で構成
された表面層を有する。この表面層に含まれるシリコン
原子の含有量は、表面層中の炭素原子とシリコン原子の
和に対するシリコン原子の比率Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｃ）で
０．２原子％以上２０原子％以下であることを特徴とす
る。

【００４４】表面層中のシリコン原子の含有量が０．２
原子％よりも少ないと、帯電手段から吐き出されたトナ
ーの正規化が不十分になり、カブリを生じやすくなる。
シリコン原子の含有量が２０原子％超えると、帯電手段
からのトナーの吐き出しが悪くなり、帯電特性が悪化し
て、カブリが発生したり、表面磨耗の増加等を生じやす
くなる。

【００４５】ａ−ＳｉＣ：Ｈ（Ｘ）及びａ−Ｃ：Ｈ
（Ｘ）（「水素及びハロゲンの少なくともいずれかを含
み炭素原子を母体とする非単結晶材料」の意）は、高硬
度で耐久性に優れている。ここで言うａ−Ｃ：Ｈ（Ｘ）
とは、黒鉛（グラファイト）とダイヤモンドとの中間的
な性質を持つアモルファス状の炭素を主に表している
が、微結晶や多結晶を部分的に含んでいても良い。本発
明に用いられるａ−ＳｉＣ：Ｈ（Ｘ）を含む表面層１０
５は多少の不純物が含有されても、同様の効果を得るこ
とができる。例えば、該表面層にＮ、Ｏ、Ｐ、Ｂ等の不
純物が含有されたとしても、含有量が全元素に対して１
０原子％以下程度であれば本発明の効果は充分に得られ
る。

【００４６】本発明に用いられる表面層中には、好まし
くは水素原子が含有される。水素原子を含有させること
で効果的に膜中の構造欠陥が補償され、局在準位密度が
低減するため、膜の透明性が改善され、表面層中では好
ましくない不要の光吸収が抑えられることによって光感
度が改善する。また、膜中の水素原子の存在が固体潤滑
性に重要な役割を果たしているといわれている。

【００４７】本発明で用いられる表面層の膜中に含まれ
る水素原子の含有量は、Ｈ／（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ）で４１原
子％〜６０原子％、更に好適には４５原子％〜５０原子
％が適している。水素量が４１原子％より少ない場合に
は光学的バンドギャップが狭くなり、感度の面で適さな
くなる。また、６０原子％を超える場合には硬度が低下
し、削れが発生し易くなる。光学的バンドギャップは一
般には１．２ｅＶ〜２．２ｅＶ程度の値であれば好適に
用いることができ、感度の点からは１．６ｅＶ以上とす
ることが更に望ましい。

【００４８】この表面層は自由表面を有し、主に長期間
の使用における摩耗や傷の防止といった効果と共に、帯
電部材の長寿命化や帯電能力の安定化といった本発明の
目的を達成するために設けられる。

【００４９】表面層の層厚は、反射分光式干渉計（大塚
電子（株）製ＭＣＰＤ２０００）により干渉度合いを測
定し、この値と既知の屈折率から膜厚を算出する。後述
する表面層の膜厚は成膜条件等によって調整することが
できる。膜厚は５〜２０００ｎｍが好ましく、より好ま
しくは１０〜１００ｎｍである。５ｎｍより薄くなると
長期的な使用における効果を得るのが難しくなる。２０
００ｎｍを超えると光感度の低下や残電等のデメリット
を考慮する必要がでてくるので、２０００ｎｍ以下であ
ることが好ましい。

【００５０】また、基板温度は室温から４００℃までに
調整されるが、あまり基板温度が高過ぎるとバンドギャ
ップが低下して透明度が低下するため低めの温度設定が
好ましい。

【００５１】また表面層の屈折率は、１．６〜２．８程
度であれば好適に用いられ、好ましくは１．６〜２．
２、特には１．６〜２．０が好ましい。ここで、屈折率
は、長波長光多重干渉により測定する。具体的にはガラ
ス基板（Ｃｏａｎｉｎｇ社製７０５９）上に表面層を成
膜したサンプルを可視分光器（日立社製３３０など）
で、２５００ｎｍ付近から短波長側に分光透過率を測定
し（極値が４〜５個判る波長範囲）、得られた極値の波
長・透過率を用いて屈折率を計算する。また、表面層１
０５の比誘電率は、屈折率を二乗することにより求めら
れる。

【００５２】さらに表面層のシリコン原子含有率（シリ
コン原子と炭素の総量に対するシリコン原子の比率）
は、ＥＳＣＡ（米国ＳＳＩ社製「ＳＳＸ−１００」な
ど）を用いて、シリコン原子と炭素の相対値を測定し、
その比率を計算することによって得た。

【００５３】該表面層１０５は、例えばグロー放電法、
スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング
法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法の如き周知の薄膜堆積法に
よって形成することができる。これらの薄膜堆積法は、
製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作製
される電子写真装置用像担持体に所望される特性等の要
因によって適宜選択されて採用されるが、像担持体の生
産性から光導電層と同等の堆積法によることが好まし
い。

【００５４】表面層の形成については、少なくとも炭化
水素系のガスなどの原料ガスをプラズマで分解し、堆積
成膜させて形成する公知の方法が用いられる。より具体
的には、５０〜４５０ＭＨｚの高周波（ＶＨＦ帯）を用
いたプラズマＣＶＤ法や、ＲＦ電力を用いるプラズマＣ
ＶＤ法を好ましくは例示することができる。

【００５５】原料ガスを分解するための高周波電力につ
いては、出来るだけ高い方が炭化水素の分解が充分に進
むため好ましく、具体的には原料ガスに対して、単位時
間（ｍｉｎ）、標準状態（ｎｏｒｍａｌ）におけるガス
の単位容積（ｍｌ）あたりの電気量（Ｗ）が５Ｗ・ｍｉ
ｎ／ｍｌ（ｎｏｒｍａｌ）以上が好ましいが、あまり高
くなると異常放電が発生してしまい、像担持体の特性を
劣化させるので、異常放電が発生しない程度の電力に抑
える必要がある。

【００５６】放電空間の圧力については通常のＲＦ（代
表的には１３．５６ＭＨｚ）電力を用いる場合には１
３．３Ｐａ〜１３３３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏ
ｒｒ）、ＶＨＦ帯（代表的には５０〜４５０ＭＨｚ）を
用いる場合には１３.３ｍＰ 〜１３．３Ｐａ（０．１ｍ
Ｔｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ）程度に保たれる。

【００５７】さらに本発明においては、表面層１０５に
は必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させること
が好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１０５中
に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、
または層厚方向には不均一な分布状態で含有している部
分があってもよい。

【００５８】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第１３族に属する原
子、またはｎ型伝導特性を与える周期律表第１５族に属
する原子を用いることができる。本発明において表面層
中に含有される伝導性を制御する原子の含有量として
は、所望にしたがって適宜決定されるが、好ましくは１
０〜１×１０⁴原子ｐｐｍ、より好適には５０〜５×１
０³原子ｐｐｍ、最適には１×１０²〜１×１０³原子ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

【００５９】また表面層１０５と光導電層１０３との間
に、炭素原子の含有量が光導電層１０３に向かって減少
するように変化する領域を設けても良い。これにより表
面層と光導電層の密着性を向上させ、界面での光の反射
による干渉の影響をより少なくすることができる。

【００６０】本発明の表面層中には必要に応じてハロゲ
ン原子が含まれていても良い。ハロゲン原子供給用ガス
となり得る物質としては、たとえばＦ₂、ＢｒＦ、Ｃｌ
Ｆ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇の如き
ハロゲン間化合物を挙げることができる。更にＣＦ₄、
ＣＨＦ₃、Ｃ₂Ｆ₆、ＣｌＦ₃、ＣＨＣｌＦ₂、Ｆ₂、Ｃ
₃Ｆ ₈、Ｃ₄Ｆ₁₀の如きフッ素含有ガスが好適に用いられ
る。

【００６１】ハロゲン原子を表面層中に含有させる場合
では、成膜時の高周波電力については、出来るだけ高い
方が原料ガスの分解が充分に進むため好ましく、具体的
には原料ガスに対して１ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）
当り５Ｗ以上が好ましいが、あまり高くなると異常放電
が発生してしまい、電子写真感光体の特性を劣化させる
ので、異常放電が発生しない程度の電力に抑える必要が
ある。

【００６２】ハロゲン原子を表面層中に含有させる場合
では、成膜時の放電空間の圧力については通常のＲＦ
（代表的には１３．５６ＭＨｚ）電力を用いる場合に
は、一般に１３．３Ｐａ〜１３３３Ｐａ、中でも特に１
３３Ｐａ以下の範囲で作製した場合に良好な膜が得られ
る。ＶＨＦ帯（代表的には５０〜４５０ＭＨｚ）を用い
る場合には、一般に１３．３ｍＰａ〜１３．３Ｐａ程度
に保たれるが、可能な限り低い圧力が望ましい。

【００６３】本発明において表面層中に含有されるハロ
ゲン原子の含有量としては、所望に従って適宜決定され
るが、好ましくは全原子に対して６〜５０原子％、より
好適には３０〜５０原子％とされるのが好ましい。

【００６４】（バッファ層）本発明に用いられる像担持
体は、前記表面層と前記光導電層の間にバッファ層１０
４が設けられている形態であることも好ましい。

【００６５】バッファ層は、少なくとも水素及びハロゲ
ンのいずれかを含み、シリコン原子を母体としたアモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ（Ｈ、Ｘ））をベースとし、
更に炭素原子、窒素原子および酸素原子から選ばれる少
なくとも一種以上の原子を更に含有する非単結晶材料か
ら構成される。このような非単結晶材料として、少なく
とも水素及びハロゲンのいずれかを含むアモルファス炭
化珪素、アモルファス窒化珪素、アモルファス酸化珪素
が挙げられる。より好ましくはａ−Ｓｉとａ|Ｃ：Ｈの
中間の組成であるアモルファス炭化珪素（ａ−Ｓｉ：Ｃ
（Ｈ、Ｘ））を主体とする非単結晶材料で形成されるこ
とが好ましい。

【００６６】この場合、光導電層１０３から表面層１０
５に向かってバッファ層１０４の組成を連続的に変化さ
せる事も可能であり、このようなバッファ層を設けるこ
とが干渉防止等に効果的である。また、このバッファ層
１０４に１３族元素、１５族元素などのドーパントを含
有させることにより伝導型を制御し、表面からの帯電キ
ャリアの注入を阻止する上部阻止能を持たせることも可
能である。

【００６７】本発明におけるバッファ層に用いられる原
料ガスとしては、次のようなものが好適に挙げられる。

【００６８】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀の如きガス状態の、ま
たはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるものとし
て挙げられる。

【００６９】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ、ＮＯ₂、Ｏ₂、ＣＯ、Ｃ
Ｏ₂、Ｎ₂の如きガス状態の、またはガス化し得る化合物
が有効に使用されるものとして挙げられる。

【００７０】バッファ層は、例えばプラズマＣＶＤ法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法によって作
製可能である。また、本発明におけるバッファ層を作製
する際のプラズマＣＶＤ法に用いる放電周波数としては
如何なる周波数も用いることが出来、工業的にはＲＦ周
波数帯と呼ばれる１ＭＨｚ以上、５０ＭＨｚ未満の高周
波でも、ＶＨＦ帯と呼ばれる５０ＭＨｚ以上、４５０Ｍ
Ｈｚ以下の高周波でも好適に用いることが出来る。

【００７１】また、バッファ層を堆積する際の導電性基
板温度は５０〜４５０℃、より好ましくは、１００〜３
００℃に調整されることが好ましい。

【００７２】（その他の層）本発明における感光体は、
上記表面層、バッファ層、光導電層の他に、下部阻止層
が光導電層と導電性基体との間に設けられていても好ま
しい。

【００７３】下部阻止層１０２を設ける場合には、一般
的にａ−Ｓｉ（Ｈ、Ｘ）をベースとし、１３族元素、１
５族元素などのドーパントを含有させることにより伝導
型を制御し、導電性基体からのキャリアの注入阻止能を
持たせることが可能である。この場合、必要に応じて、
炭素原子、窒素原子および酸素原子から選ばれる少なく
とも一種以上の原子を含有させることで応力を調整し、
感光層の密着性向上の機能を持たせることもできる。

【００７４】以下、図５の装置を用いた非単結晶シリコ
ン感光体の作製手順の一例を述べる。図５は、高周波電
源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による像担持体の堆積
装置の一例を模式的に示した図である。

【００７５】この装置は大別すると、反応容器２１１０
を有する堆積装置２１００、原料ガス供給装置２２０
０、反応容器２１１０内を減圧する為の排気装置（図示
せず）から構成されている。堆積装置２１００中の反応
容器２１１０内にはアースに接続された導電性基体２１
１２、導電性基体加熱用ヒーター２１１３、原料ガス導
入管２１１４が設置され、更に高周波マッチングボック
ス２１１５を介して高周波電源２１２０が接続されてい
る。

【００７６】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄、
Ｈ₂、ＣＨ₄、ＮＯ、Ｂ₂Ｈ₆、ＣＦ₄の如き原料ガスボン
ベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２３６、圧
力調整器２２６１〜２２６６、流入バルブ２２４１〜２
２４６、流出バルブ２２５１〜２２５６及びマスフロー
コントローラー２２１１〜２２１６から構成され、各原
料ガスを封入したガスのボンベは補助バルブ２２６０を
介して反応容器２１１０内の原料ガス導入管２１１４に
接続されている。導電性基体２１１２は導電性受け台の
上に設置されることによってアースに接続される。

【００７７】以下、図５の装置を用いた、像担持体作製
手順の一例について説明する。反応容器２１１０内に導
電性基体２１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば
真空ポンプ）により反応容器２１１０内を排気する。続
いて導電性基体加熱用ヒーター２１１３により導電性基
体２１１２の温度を２０℃〜５００℃の所望の温度に制
御する。次いで、像担持体形成用の原料ガスを反応容器
２１１０内に流入させる。原料ガスの導入は、ガスボン
ベのバルブ２２３１〜２２３６、反応容器のリークバル
ブ２１１７が閉じられている事を確認し、又、流入バル
ブ２２４１〜２２４６、流出バルブ２２５１〜２２５
６、補助バルブ２２６０が開かれている事を確認し、メ
インバルブ２１１８を開いて反応容器２１１０及びガス
供給配管２１１６を排気する。

【００７８】その後、真空計２１１９の読みが０．６７
ｍＰａになった時点で補助バルブ２２６０、流出バルブ
２２５１〜２２５６を閉じる。その後原料ガスボンベ２
２２１〜２２２６より各ガスをバルブ２２３１〜２２３
６を開いて導入し、圧力調整器２２６１〜２２６６によ
り各ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ²（０．２ＭＰａ）に調整す
る。次に流入バルブ２２４１〜２２４６を徐々に開けて
各ガスをマスフローコントローラー２２１１〜２２１６
内に導入する。

【００７９】以上の手順によって成膜準備を完了した
後、導電性基体２１１２上に、まず光導電層の形成を行
う。

【００８０】即ち、導電性基体２１１２が所望の温度に
なったところで、各流出バルブ２２５１〜２２５６のう
ちの必要なものと補助バルブ２２６０とを徐々に開き、
各原料ガスボンベ２２２１〜２２２６から所望の原料ガ
スを原料ガス導入管２１１４を介して反応容器２１１０
内に導入する。次に、各マスフローコントローラー２２
１１〜２２１６によって、各原料ガスが所望の流量にな
る様に調整する。その際、反応容器２１１０内が１３
３．３Ｐａ以下の所望の圧力になる様に、真空計２１１
９を見ながらメインバルブ２１１８の開口を調整する。

【００８１】内圧が安定したところで、高周波電源２１
２０を所望の電力に設定して、例えば周波数１ＭＨｚ〜
４５０ＭＨｚ、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を
高周波マッチングボックス２１１５を通じてカソード電
極２１１１に供給し高周波グロー放電を生起させる。こ
の放電エネルギーによって反応容器２１１０内に導入さ
せた各原料ガスが分解され、導電性基体２１１２上にシ
リコン原子を主成分とする所望の非単結晶材料で構成さ
れる光導電層が堆積する。所望の層厚の形成が行われた
後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ２２５１〜
２２５６を閉じて反応容器２１１０への各原料ガスの流
入を止め、光導電層の形成を終える。光導電層の組成や
層厚は公知のものを使用することができる。

【００８２】上記光導電層に表面層を形成する場合も、
基本的には上記の操作を繰り返せばよい。

【００８３】図４は、ＶＨＦ電源を用いたＶＨＦプラズ
マＣＶＤ法による感光体の堆積装置の一例を模式的に示
した図である。この装置は図５に示した堆積装置２１０
０を図４の堆積装置３１００に置き換えることで構成さ
れる。

【００８４】ＶＨＦプラズマＣＶＤ法によるこの装置で
の堆積膜の形成は、基本的にＲＦプラズマＣＶＤ法の場
合と同様に行うことができる。但し、印加する高周波電
力は５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚ、例えば周波数１０５Ｍ
ＨｚのＶＨＦ電源によりおこない、圧力は１３．３ｍＰ
ａ〜１３．３Ｐａ程度のＲＦプラズマＣＶＤ法よりも低
めに保たれる。

【００８５】先ず反応容器３１１０内に導電性基体３１
１２を設置する。そして不図示の排気装置（例えば拡散
ポンプ）により反応容器３１１０内を排気管３１２１を
介して排気する。続いて、基体加熱用ヒータ３１１３に
より導電性基体３１１２を加熱する。そして不図示のガ
ス導入管よりガスを導入する。本装置においては導電性
基体３１１２により取り囲まれた放電空間３１３０にお
いて、導入された原料ガスは、マッチングボックス３１
１５を通じて放電空間３１３０にＶＨＦ電力を導入する
ことにより生起されたグロー放電によって、励起されて
解離し、導電性基体３１１２上に所定の堆積膜が形成さ
れる。この時、層形成の均一化を図るため導電性支持体
を回転させる回転用モーター３１２０によって、所望の
回転速度で回転させる。

【００８６】次に、本発明の電子写真方法、装置につい
て概要を述べる。本発明の電子写真方法は、前述したよ
うに特定のａ−Ｓｉ感光体を接触帯電により帯電し、イ
メージ露光（ＩＡＥ）により静電潜像を形成し、後述す
る特定のトナーで静電潜像を現像することを特徴とす
る。本発明の電子写真方法は、このような工程を含むも
のであれば良く、定着、前露光等の他の工程を含むもの
であっても良い。

【００８７】また、本発明の電子写真装置は、上記の電
子写真方法を実現することのできる装置であれば特に限
定されず、本発明の電子写真装置を構成する各手段等に
ついては、従来より知られている技術を利用して作製す
ることもでき、また実現すべき機能を有しているもので
あれば、従来より知られている種々の手段等を好適に用
いることができる。

【００８８】図３は、本発明に従う電子写真装置の一例
を示す概略構成図である。本実施形態における電子写真
装置は、回転する像担持体と、該像担持体の表面を帯電
させる帯電手段と、該像担持体の帯電面に静電潜像を形
成する潜像形成手段と、該像担持体表面にトナーを付着
させることにより該静電潜像をトナー像として現像する
現像手段と、該トナー像を記録媒体に転写する転写手段
と、未定着のトナー像を記録媒体に定着させる定着手段
とを備えている。

【００８９】［像担持体］図３において、２０１は、像
担持体としての回転ドラム型の電子写真像担持体（単に
「像担持体」ともいう）である。本実施形態の複写機は
反転現像を用いており、像担持体２０１は例えば直径３
０ｍｍの負極性像担持体であり、前述した表面層や光導
電層等が形成されている。像担持体２０１は、矢印の方
向に例えば２００ｍｍ／ｓｅｃの表面速度をもって回転
駆動される。

【００９０】［帯電］２０２は、所定の押圧力をもって
像担持体２０１に接触させて配設した可撓性の接触帯電
部材としての帯電粒子担持体である導電性弾性ローラー
（以下、「帯電ローラー」ともいう）である。この帯電
ローラー２０２には予めその外周面に帯電粒子をコート
して担持させてあり、像担持体２０１との帯電ニップ部
には帯電粒子が存在している。

【００９１】帯電ローラー２０２は、本実施の形態にお
いては、帯電ニップ部において像担持体２０１の回転方
向と逆方向（カウンター）に１００％の周速で回転駆動
され、像担持体２０１の面に対して相対的な速度差を持
って接触する。そしてこの帯電ローラー２０２に帯電バ
イアス電源から所定の帯電バイアスが印加される。これ
により像担持体２０１の外周面が注入帯電方式で所定の
極性・電位に一様に接触帯電処理される。

【００９２】本実施形態では、像担持体２０１の現像部
位電位が１５０Ｖ〜８００Ｖ、好ましくは２５０Ｖ〜６
００Ｖ、より好ましくは３００Ｖ〜４５０Ｖに一様に帯
電処理されるように、帯電バイアス電源から帯電バイア
スを帯電ローラー２０２に印加する。１５０Ｖ未満であ
るとトナーがトナー担持体からａ−Ｓｉ感光体へ現像さ
せることが出来ず、それが蓄積して画像濃度薄などの弊
害を引き起こすことがある。また８００Ｖを超えると帯
電部材への通過電流量が増加し帯電部材の劣化が早まる
事、印加電圧が大きくなり部分的に微細放電が発生する
ことがあるため好ましくない。この帯電ローラー、帯電
粒子Ｍ、注入帯電等については別項で詳述する。

【００９３】［露光］２０３はレーザーダイオード・ポ
リゴンミラー等を含む潜像形成手段であるレーザービー
ムスキャナ（露光装置）等から目的の画像情報の時系列
電気ディジタル画素信号に対応して強度変調されたレー
ザー光であり、該潜像形成手段はレーザー光２０３を出
力し、該レーザー光でもって上記像担持体２０１の一様
帯電面を走査露光する露光である。この走査露光により
像担持体２０１の面に目的の画像情報に対応した静電潜
像が形成される。

【００９４】静電潜像形成手段に用いる光源は、上記レ
ーザービームスキャナに限定されず、ＬＥＤアレイであ
っても良く、この場合は、目的の画像情報に対応する位
置のＬＥＤを点灯し、像担持体２０１の面に静電潜像を
形成する。より詳しくは、像担持体の帯電面において、
現像時にトナーが付着すべき画像部となる部分に光を照
射し、像担持体の帯電面の所定の部分の電位を減衰させ
て静電潜像を形成（イメージ露光：ＩＡＥ）する。

【００９５】［現像］２０４は現像手段としての現像器
である。像担持体２０１に形成された静電潜像は、現像
器２０４によりトナー像として現像される。なお、ここ
ではトナー２０５として負帯電トナーが用いられる。こ
の現像手段は、現像兼クリーニングが可能な現像手段で
あれば特に限定されず、例えば、トナーを収容する現像
容器と、この現像容器の開口部に設けられトナーを担持
搬送する導電性の現像スリーブと、現像スリーブ内に固
定されて複数の磁界を形成する磁石等の磁界発生手段
と、現像スリーブ上におけるトナーの層厚を規制するト
ナー規制部材（例えばスリーブに当接する弾性ブレード
や、スリーブに対して離間して設けられ、先端に磁界を
集中させることによりトナーの層厚を規制する金属製の
ブレード）とを有し、現像スリーブに所望の現像バイア
スを印加できる公知の現像手段を用いることが出来る。

【００９６】［転写］２０６は接触転写手段としての転
写手段である中抵抗の転写ローラーであり、像担持体２
０１に所定に圧接させて転写ニップ部を形成させてあ
る。この転写ニップ部に不図示の給紙部から所定のタイ
ミングで被記録体（記録媒体）としての転写材２０７が
給紙され、かつ転写ローラー２０６に所定の転写バイア
ス電圧、ここでは正帯電、が印加されることで、像担持
体２０１側のトナー像、ここでは負帯電トナー、が転写
ニップ部に給紙された転写材２０７の面に、静電気力と
押圧力にて順次に転写されていく。なお、本発明では上
記の転写手段に特に限定されるものではなく、公知の転
写手段を用いることが出来る。

【００９７】［定着］２０９は熱定着方式等の定着装置
である。像担持体２０１側のトナー像の転写を受けた転
写材２０７は像担持体２０１の面から分離されてこの定
着装置２０９に導入され、トナー像の定着を受けて画像
形成物（プリント、コピー）として装置外へ排出され
る。なお、本実施の形態では図に示されるように加熱加
圧定着手段が例示されているが、本発明では上記の定着
手段に限定されず、公知の種々の定着手段を好適に用い
ることが出来る。

【００９８】［帯電ローラー］本実施形態における接触
帯電部材としての帯電ローラー２０２は芯金上にゴムま
たは発泡体の中抵抗層を形成することにより作製され
る。

【００９９】中抵抗層は樹脂（例えばウレタン）、導電
性粒子（例えばカーボンブラック）、硫化剤、発泡剤等
により処方され、芯金の上にローラー状に形成される。
その後必要に応じて表面を研磨する。

【０１００】本実施形態の帯電ローラー２０２のローラ
ー抵抗を測定したところ、該抵抗は１００ｋΩ・ｃｍで
あった。なお、ローラー抵抗は、帯電ローラー２０２の
芯金に総圧１ｋｇの加重がかかるよう直径３０ｍｍのア
ルミ基体に帯電ローラー２０２を圧着した状態で、芯金
とアルミ基体との間に１００Ｖを印加し計測した。

【０１０１】ここで、接触帯電部材である帯電ローラー
２０２は電極として機能することが重要である。つま
り、弾性を持たせて被帯電体との十分な接触状態を得る
と同時に、移動する被帯電体を充電するに十分低い抵抗
を有する必要がある。一方では被帯電体にピンホールな
どの低耐圧欠陥部位が存在した場合に電圧のリークを防
止する必要がある。被帯電体として電子写真用像担持体
を用いた場合、体積固有抵抗が１×１０³〜１×１０⁸Ω
・ｃｍであることが好ましく、十分な帯電性と耐リーク
を得るには１０⁴〜１０⁷Ω・ｃｍの抵抗がより望まし
い。帯電ローラーの抵抗が上記の範囲から外れると、前
述した充電及び耐リークを達成できないことがある。

【０１０２】帯電ローラー２０２の表面は帯電粒子を保
持できるミクロな凹凸等に代表される多孔体表面を有す
るものが望ましい。

【０１０３】帯電ローラー２０２の硬度は、アスカーＣ
硬度で５０度以下が好ましいが、硬度が低すぎると形状
が安定しないために被帯電体との接触性が悪くなり、高
すぎると被帯電体との間に帯電ニップ部を確保できない
だけでなく、被帯電体表面へのミクロな接触性が悪くな
るので、アスカーＣ硬度で２５度から５０度がより好ま
しい範囲である。なお、帯電ローラー２０２の硬度は、
高分子計器（株）製のＡｓｋｅｒ−Ｃマイクロゴム硬度
計を用いて測定することができる。より詳しくは、本硬
度計により、帯電ローラーの任意の五点におけるゴム硬
度を測定し、その五点の平均値をもって帯電ローラーの
硬度とする。

【０１０４】帯電ローラー２０２の材質としては、弾性
発泡体に限定するものではなく、弾性体の材料として、
ＥＰＤＭ、ウレタン、ＮＢＲ、シリコーンゴムや、ＩＲ
等に抵抗調整のためにカーボンブラックや金属酸化物等
の導電性物質を分散したゴム材や、またこれらを発泡さ
せたものがあげられる。また、特に導電性物質を分散せ
ずに、イオン導電性の材料を用いて抵抗調整をすること
も可能である。

【０１０５】帯電ローラー２０２は被帯電体としての像
担持体２０１に対して弾性に抗して所定の押圧力で圧接
させて配設し、本実施形態では幅数ｍｍの帯電ニップ部
を形成させてある。

【０１０６】［帯電粒子］本発明に用いられる帯電粒子
は、導電性微粉体を主成分とするものであり、導電性微
粉体の平均粒子径は０.１〜１０μｍである。帯電粒子
の平均粒子径が小さいと、現像性の低下を防ぐために帯
電粒子のトナー全体に対する含有量を小さく設定しなけ
ればならない。帯電粒子の平均粒子径が０.１μｍ未満
では、帯電粒子の有効量を確保できず、帯電工程におい
て、接触帯電部材への絶縁性の転写残トナーへの付着・
混入による帯電阻害に打ち勝って像担持体の帯電を良好
に行なわせるのに十分な量の帯電粒子を帯電部材と像担
持体とのニップ部或いはその近傍の帯電領域に介在させ
ることができず、帯電不良を生じ易くなる。この観点か
ら、導電性微粉体の平均粒子径は好ましくは０．１５μ
ｍ以上、更に好ましくは０．２μｍ以上、５μｍ以下が
良い。

【０１０７】また、導電性微粉体の平均粒子径が１０μ
ｍよりも大きいと、帯電部材から脱落した帯電粒子は静
電潜像を書き込む露光光を遮光或いは拡散し、静電潜像
の欠陥を生じ画像品位を低下させることがある。更に、
帯電粒子である導電性微粉体の平均粒子径が大きいと、
単位重量当りの粒子数が減少するため、帯電部材からの
帯電粒子の脱落等による減少、劣化を考慮して帯電粒子
を帯電部材と像担持体とのニップ部或いはその近傍の帯
電領域に逐次に帯電粒子が供給し続け介在させるため
に、また、接触帯電部材が帯電粒子を介して像担持体へ
の緻密な接触性を維持し良好な帯電性を安定して得るた
めには、帯電粒子のトナー全体に対する含有量を大きく
しなければならない。しかし、帯電粒子の含有量を大き
くしすぎると、特に高湿環境下で、現像性を低下させ、
画像濃度低下やトナー飛散を生ずる。

【０１０８】本実施形態では、帯電粒子として、比抵抗
が１０⁷Ω・ｃｍ、平均粒径１．５μｍの導電性酸化亜
鉛粒子を用いる。

【０１０９】本発明における帯電粒子の平均粒径及び粒
度分布の測定には、ベックマンコールター社製、ＬＳ−
２３０型レーザー回折式粒度分布測定装置にリキッドモ
ジュールを取付けて用い、０．０４〜２０００μｍの測
定範囲で測定した。測定法としては、純水１０ｍｌに微
量の界面活性剤を添加し、これに導電性微粉体の試料１
０ｍｇを加え、超音波分散機（超音波ホモジナイザー
）にて１０分間分散した後、測定時間９０秒、測定回
数１回で測定した。

【０１１０】本発明において、帯電粒子の粒度及び粒度
分布の調整方法としては、帯電粒子の一次粒子が製造時
において所望の粒度及び粒度分布が得られるように製造
法、製造条件を設定する方法以外にも、一次粒子の小さ
な粒子を凝集させる方法、一次粒子の大きな粒子を粉砕
する方法或いは分級による方法等が可能であり、更に
は、所望の粒度及び粒度分布の基材粒子の表面の一部も
しくは全部に導電性粒子を付着或いは固定化する方法、
所望の粒度及び粒度分布の粒子に導電性成分が分散され
た形態を有する導電性微粒子を用いる方法等も可能であ
り、これらの方法を組み合わせて帯電粒子の粒度及び粒
度分布を調整することも可能である。

【０１１１】帯電粒子が凝集体として構成されている場
合の粒径は、その凝集体としての平均粒径として定義さ
れる。帯電粒子は、一次粒子の状態で存在するばかりで
なく二次粒子の凝集した状態で存在することも問題はな
い。どのような凝集状態であれ、凝集体として帯電部材
と像担持体とのニップ部或いはその近傍の帯電領域に介
在し、帯電補助或いは促進の機能が実現できればその形
態は問わない。

【０１１２】帯電粒子の抵抗は、１０⁹Ω・ｃｍ以下が
好ましく良い。帯電粒子の抵抗が、１０⁹Ω・ｃｍより
も大きいと帯電粒子を帯電部材と像担持体とのニップ部
或いはその近傍の帯電領域に介在させ、接触帯電部材の
帯電粒子を介しての像担持体への緻密な接触性を維持さ
せても、良好な帯電性を得るための帯電促進効果が得ら
れないことがある。帯電粒子の帯電促進効果を十分に引
き出し、良好な帯電性を安定して得るためには、帯電粒
子の抵抗が、接触帯電部材の表面部或いは像担持体との
接触部の抵抗よりも小さいことが好ましい。

【０１１３】更に、帯電粒子の抵抗が、１０⁶Ω・ｃｍ
以下であることが、接触帯電部材への絶縁性の転写残ト
ナーへの付着・混入による帯電阻害に打ち勝って像担持
体の帯電をより良好に行なわせる上で好ましく良い。一
方、抵抗値は低すぎてもよくなく、該帯電粒子が帯電し
非画像部に現像され帯電を促進するために１×１０^-1Ω
・ｃｍ以上であることが好ましい。本実施形態では１×
１０⁷Ω・ｃｍのものを用いる。

【０１１４】抵抗測定は、錠剤法により測定し正規化し
て求めた。即ち、底面積２．２６ｃｍ²の円筒内に約
０．５ｇの粉体試料を入れ、上下電極に１５ｋｇの加圧
を行うと同時に１００Ｖの電圧を印加して抵抗値を計測
し、その後正規化して比抵抗を算出した。

【０１１５】帯電粒子は、潜像露光時に妨げにならない
よう、白色または透明に近いことが望ましい。また、非
磁性であることが好ましい。さらに、帯電粒子が像担持
体上から記録材Ｐに一部転写されてしまうことを考える
とカラー記録では、透明、白色または淡色の帯電粒子で
あることがよく、より好ましくは、帯電粒子の露光光に
対する透過率が３０％以上であることが良い。

【０１１６】なお本発明においては、粒子の光透過性に
ついては以下の手順で測定した。片面に接着層を有する
透明のフィルムの導電性微粉体を一層分固定した状態で
透過率を測定する。光はシートの鉛直方向から照射しフ
ィルム背面に透過した光を集光し光量を測定した。フィ
ルムのみと粒子を付着したときの光量から正味の光量と
して粒子の透過率を算出した。実際にはＸ−Ｒｉｔｅ社
製３１０Ｔ透過型濃度計を用いて測定した。

【０１１７】帯電粒子の材料としては、本実施形態では
酸化亜鉛を用いるが、これに限るものではない。例えば
カーボンブラック、グラファイトの如き炭素微粉末；
銅、金、銀、アルミニウム、ニッケルの如き金属微粉
末；酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化アルミニウ
ム、酸化インジウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸
化バリウム、酸化モリブデン、酸化鉄、酸化タングステ
ンの如き金属酸化物；硫化モリブデン、硫化カドミウ
ム、チタン酸カリの如き金属化合物、またはこれらの複
合酸化物が必要に応じて粒度及び粒度分布を調整するこ
とで使用できる。これらの中でも酸化亜鉛、酸化スズ、
酸化チタンの金属酸化物微粒子が特に好ましい。

【０１１８】また、導電性金属酸化物の抵抗値を制御す
る等の目的で、アンチモン、アルミニウムの如き元素を
ドープした金属酸化物、導電性材料を表面に有する微粒
子も使用できる。例えば酸化スズ・アンチモンで表面処
理された酸化チタン微粒子、アンチモンでドープされた
酸化第二スズ微粒子、または酸化第二スズ微粒子であ
る。その他、酸化チタンやアルミナなど他の金属酸化物
の導電性無機粒子や有機物との混合物、または、これら
に表面処理を施したものなど各種導電粒子が使用可能で
ある。二つ以上混合して使用しても良い。市販の酸化ス
ズ・アンチモン処理された導電性酸化チタン微粒子とし
ては、例えばＥＣ−３００（チタン工業株式会社）、Ｅ
Ｔ−３００、ＨＪ−１、ＨＩ−２（以上、石原産業株式
会社）、Ｗ−Ｐ（三菱マテリアル株式会社）などが挙げ
られる。市販のアンチモンドープの導電性酸化スズとし
ては、例えばＴ−１（三菱マテリアル株式会社）やＳＮ
−１００Ｐ（石原産業株式会社）などが、また市販の酸
化第二スズとしては、ＳＨ−Ｓ（日本化学産業株式会
社）などが挙げられる。

【０１１９】また、帯電粒子には、上記のような導電性
微粉体の他に、帯電粒子の導電性、光透過性、色調、比
重、流動性等の諸物性を調整するために、他の微粉体を
添加しても良い。この微粉体は帯電粒子の所望の物性を
調整するものであれば良く、導電性のないものも使用す
ることができる。

【０１２０】帯電粒子を前記当接部に介在させる方法に
ついては特に限定されないが、帯電ローラー表面に帯電
粒子を供給する帯電粒子補給手段を帯電手段に備える方
法や、トナーに帯電粒子を外添させて間接的に介在させ
る方法等が挙げられる。

【０１２１】［注入帯電］像担持体２０１と接触帯電部
材である帯電ローラー２０２との帯電ニップ部Ａに帯電
粒子を介在させることで、該粒子の滑剤効果により、摩
擦抵抗が大きくてそのままでは像担持体２０１に対して
速度差を持たせて接触させることが困難であった帯電ロ
ーラーであっても、それを像担持体２０１面に対して無
理なく容易に効果的に速度差を持たせて接触させた状態
にすることが可能となると共に、該帯電ローラー２０２
が該帯電粒子を介して像担持体２０１面に密に接触して
より高い頻度で像担持体２０１面に接触する構成とな
る。

【０１２２】帯電ローラー２０２と像担持体２０１との
間に十分な速度差を設けることにより、帯電ローラー２
０２と像担持体２０１の帯電ニップ部において帯電粒子
が像担持体２０１に接触する機会を格段に増加させ、高
い接触性を得ることができ、帯電ローラー２０２と像担
持体２０１の帯電ニップ部Ａに存在する帯電粒子が像担
持体２０１表面を隙間なく摺擦することで像担持体２０
１に電荷を直接注入できるようになり、帯電ローラー２
０２による像担持体２０１の接触帯電は帯電粒子の介在
により注入帯電機構が支配的となる。

【０１２３】速度差を設ける構成としては、帯電ローラ
ー２０２を回転駆動または固定して像担持体２０１と速
度差を設けることになる。好ましくは、帯電ローラー２
０２を回転駆動し、さらに、その回転方向は像担持体２
０１表面の移動方向とは逆方向に回転するように構成す
ることが望ましい。

【０１２４】［トナー］本発明に用いられるトナーは、
少なくとも結着樹脂及び磁性体を含有するトナー粒子
と、無機微粉体とを含み、平均円形度が０．９５０以上
である磁性トナーであって、該磁性トナーの７９．６ｋ
Ａ／ｍ（１０００エルステッド）下における飽和磁化が
１０Ａｍ²／ｋｇ（ｅｍｕ／ｇ）以上５０Ａｍ²／ｋｇ以
下であることを特徴とする。本発明に用いられるトナー
は、上記の物性を有するものであれば特に限定されず、
製造方法や構成材料等については従来より知られている
種々の技術を利用することができる。

【０１２５】本発明に用いられるトナーは、粉砕法によ
って製造することも可能であるが、この粉砕法で得られ
るトナー粒子は一般に不定形のものであり、本発明に用
いられるトナーの必須要件である平均円形度が０．９５
０以上という物性という好ましい物性を得るためには機
械的・熱的または何らかの特殊な処理を行うことが必要
となる。そこで、本発明においては、トナー粒子を懸濁
重合法により製造（以下、重合法で製造されたトナーを
「重合トナー」ともいう）することが好ましい。但し、
下記に述べる重合トナー以外の粉砕トナーでも、球形度
が条件に入っていれば同様の効果が得られる。

【０１２６】重合トナーは、形状がほぼ均一な球状であ
り、粒径のばらつきも少ないことから流動性に優れ、ま
た、粒子表面への着色剤の露出等が生ぜず、均一な摩擦
帯電性を有するために高画質化に有利となる。また、ワ
ックスを内包化することができ、良好な定着性、耐オフ
セット性が得られる。このため、高画質機において徐々
に採用が広がりつつある。

【０１２７】本発明の電子写真方法に関わる重合トナー
の製造方法では、一般に重合性単量体中に磁性体、離型
剤、荷電制御剤、その他必要に応じて着色剤、架橋剤、
可塑剤の如きその他の添加剤及び、例えば重合反応で生
成する重合体の粘度を低下させるために入れる有機溶
媒、高分子重合体、分散剤等を適宜加えて、ホモジナイ
ザー、ボールミル、コロイドミル、超音波分散機等の分
散機に依って均一に溶解または分散せしめ、得られた単
量体系を、分散安定剤を含有する水系媒体中に懸濁す
る。この時、高速撹拌機もしくは超音波分散機のような
高速分散機を使用して一気に所望のトナー粒子のサイズ
とするほうが、得られるトナー粒子の粒径を整える上で
好ましい。重合開始剤添加の時期としては、重合性単量
体中に他の添加剤を添加する時同時に加えても良いし、
水系媒体中に懸濁する直前に混合しても良い。又、造粒
直後、重合反応を開始する前に重合性単量体または溶媒
に溶解した重合開始剤を加える事も出来る。これらの原
料は、通常トナーの製造で用いられるものが使用でき
る。

【０１２８】重合トナーの製造条件としては、重合温度
は４０℃以上、一般には５０〜９０℃の温度に設定して
重合を行う。この温度範囲で重合を行うと、内部に封じ
られるべき離型剤やワックスの類が、相分離により析出
して内包化がより完全となる。残存する重合性単量体を
消費するために、重合反応終期ならば、反応温度を９０
〜１５０℃にまで上げることは可能である。

【０１２９】さらにまた、本発明に用いられるトナー
は、単量体には可溶で得られる重合体が不溶な水系有機
溶剤を用い直接トナーを生成する分散重合方法又は水溶
性極性重合開始剤存在下で直接重合しトナーを生成する
ソープフリー重合方法に代表される乳化重合方法等を用
いトナーを製造する方法、乳化重合で得られたポリマー
粒子等を会合凝集させる方法でも製造が可能である。

【０１３０】重合トナー粒子は重合終了後、公知の方法
によって濾過、洗浄、乾燥を行い、無機微粉体を混合し
表面に付着させることで、トナーを得ることができる。
また、製造工程に分級工程を入れ、粗粉や微粉をカット
することも、本発明の望ましい形態の一つである。

【０１３１】この懸濁重合法で得られるトナーは、個々
のトナー粒子形状がほぼ球形に揃っているため、平均円
形度が０．９５０以上という本発明に必須な物性要件を
満たすトナーが得られやすく、さらにこういったトナー
は帯電量の分布も比較的均一となるため高い転写性を有
している。

【０１３２】本発明に用いられるトナーは、少なくとも
結着樹脂及び磁性体を含有するトナー粒子と、無機微粉
体とを有する。上記結着樹脂としては、従来より知られ
ている種々の結着樹脂を用いることができる。このよう
な結着樹脂としては、例えば、ポリスチレン、ポリビニ
ルトルエンの如きスチレン及びその置換体の単重合体；
スチレン−プロピレン共重合体、スチレン−ビニルトル
エン共重合体、スチレン−ビニルナフタリン共重合体、
スチレン−アクリル酸メチル共重合体、スチレン−アク
リル酸エチル共重合体、スチレン−アクリル酸ブチル共
重合体、スチレン−アクリル酸オクチル共重合体、スチ
レン−アクリル酸ジメチルアミノエチル共重合体、スチ
レン−メタアクリル酸メチル共重合体、スチレン−メタ
アクリル酸エチル共重合体、スチレン−メタアクリル酸
ブチル共重合体、スチレン−メタクリル酸ジメチルアミ
ノエチル共重合体、スチレン−ビニルメチルエーテル共
重合体、スチレン−ビニルエチルエーテル共重合体、ス
チレン−ビニルメチルケトン共重合体、スチレン−ブタ
ジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体、スチ
レン−マレイン酸共重合体、スチレン−マレイン酸エス
テル共重合体の如きスチレン系共重合体；ポリメチルメ
タクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニルブチ
ラール、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド
樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリル酸樹脂、ロジン、変
性ロジン、テルペン樹脂、フェノール樹脂、脂肪族また
は脂環族炭化水素樹脂、芳香族系石油樹脂を例示するこ
とができる。これらは一種または二種以上で用いること
ができる。

【０１３３】前記懸濁重合法において好適に用いられる
重合性単量体としては、例えば、スチレン、ｏ−メチル
スチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、
ｐ−メトキシスチレン、ｐ−エチルスチレンの如きスチ
レン系単量体、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、
アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリ
ル酸ｎ−プロピル、アクリル酸ｎ−オクチル、アクリル
酸ドデシル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル
酸ステアリル、アクリル酸２−クロルエチル、アクリル
酸フェニルの如きアクリル酸エステル類、メタクリル酸
メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ−プロピ
ル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸イソブチ
ル、メタクリル酸ｎ−オクチル、メタクリル酸ドデシ
ル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸ス
テアリル、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ジメチ
ルアミノエチル、メタクリル酸ジエチルアミノエチルの
如きメタクリル酸エステル類、その他のアクリロニトリ
ル、メタクリロニトリル、アクリルアミドを例示するこ
とができ、これらの一種または二種以上を用いることが
できる。上述の単量体の中でも、スチレンまたはスチレ
ン誘導体を少なくとも含むように上記単量体を使用する
ことが、得られる磁性トナーの現像特性及び耐久性の点
から好ましい。

【０１３４】また、前記重合性単量体を重合させるにあ
たり用いることができる重合開始剤としては、例えば、
２，２'−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロニトリ
ル）、２，２'−アゾビスイソブチロニトリル、１，１'
−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、
２，２'−アゾビス−４−メトキシ−２，４−ジメチル
バレロニトリル、アゾビスイソブチロニトリルの如きア
ゾ系またはジアゾ系重合開始剤、ベンゾイルパーオキサ
イド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ジイソプロ
ピルパーオキシカーボネート、クメンヒドロパーオキサ
イド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ラ
ウロイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシ−２−
エチルヘキサノエートの如き過酸化物系重合開始剤を例
示することができ、これらを一種または二種以上用いる
ことができる。

【０１３５】また、前記重合性単量体を重合させるにあ
たり用いることができる架橋剤としては、例えば、主と
して二個以上の重合可能な二重結合を有する化合物で従
来より知られている種々の架橋剤を使用することがで
き、例えば、ジビニルベンゼン、ジビニルナフタレンの
如き芳香族ジビニル化合物；例えばエチレングリコール
ジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレー
ト、１，３−ブタンジオールジメタクリレートの如き二
重結合を二個有するカルボン酸エステル；ジビニルアニ
リン、ジビニルエーテル、ジビニルスルフィド、ジビニ
ルスルホンの如きジビニル化合物；及び三個以上のビニ
ル基を有する化合物を例示することができ、これらを一
種または二種以上用いることができる。

【０１３６】また、前記懸濁重合法で好適に用いられる
分散安定剤としては、公知の界面活性剤、有機・無機分
散剤を用いることができる。中でも無機分散剤が有害な
超微粉を生じ難く、その立体障害性により分散安定性を
得ているので反応温度を変化させても安定性が崩れ難
く、洗浄も容易でトナーに悪影響を与え難いので、好ま
しく使用できる。

【０１３７】界面活性剤としては、例えば、ドデシルベ
ンゼン硫酸ナトリウム、テトラデシル硫酸ナトリウム、
ペンタデシル硫酸ナトリウム、オクチル硫酸ナトリウ
ム、オレイン酸ナトリウム、ラウリル酸ナトリウム、ス
テアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム等を例示
することができ、これらを一種または二種以上用いるこ
とができる。

【０１３８】有機分散剤としては、例えば、ポリビニル
アルコール、ゼラチン、メチルセルロース、メチルヒド
ロキシプロピルセルロール、エチルセルロース、カルボ
キシメチルセルロースのナトリウム塩、ポリアクリル酸
及びその塩、デンプンを例示することができ、これらを
一種または二種以上用いることができる。

【０１３９】無機分散剤としては、例えば、燐酸カルシ
ウム、燐酸マグネシウム、燐酸アルミニウム、燐酸亜鉛
の如き燐酸多価金属塩、炭酸カルシウム、炭酸マグネシ
ウムの如き炭酸塩、メタ硅酸カルシウム、硫酸カルシウ
ム、硫酸バリウムの如き無機塩、水酸化カルシウム、水
酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、シリカ、ベン
トナイト、アルミナ如きの無機酸化物を例示することが
でき、これらを一種または二種以上用いることができ
る。

【０１４０】また、本発明に用いられるトナーには、離
型性や可塑性を調整するワックス類を用いることができ
る。このようなワックス類としては、例えば、パラフィ
ンワックス、マイクロクリスタリンワックス、ペトロラ
クタムの如き石油系ワックス及びその誘導体、モンタン
ワックス及びその誘導体、フィッシャートロプシュ法に
よる炭化水素ワックス及びその誘導体、ポリエチレンに
代表されるポリオレフィンワックス及びその誘導体、カ
ルナバワックス、キャンデリラワックスの如き天然ワッ
クス及びその誘導体などで、誘導体には酸化物や、ビニ
ル系モノマーとのブロック共重合物、グラフト変性物を
含む。さらには、高級脂肪族アルコール、ステアリン
酸、パルミチン酸の如き脂肪酸、またはその化合物、酸
アミドワックス、エステルワックス、ケトン、硬化ヒマ
シ油及びその誘導体、植物系ワックス、動物性ワックス
を例示することができ、これらを一種または二種以上を
用いることができる。

【０１４１】また、本発明に用いられるトナーには、ト
ナーの帯電性を制御する荷電制御剤を用いることができ
る。このような荷電制御剤としては、例えば、ネガ系荷
電制御剤としてサリチル酸、アルキルサリチル酸、ジア
ルキルサリチル酸、ナフトエ酸、ダイカルボン酸の如き
芳香族カルボン酸の金属化合物、アゾ染料またはアゾ顔
料の金属塩または金属錯体、スルホン酸またはカルボン
酸基を側鎖に持つ高分子型化合物、ホウ素化合物、尿素
化合物、ケイ素化合物、カリックスアレーンをネガ系荷
電制御剤として例示することができ、これらを一種また
は二種以上用いることができる。また、ポジ系荷電制御
剤としては、例えば、四級アンモニウム塩、該四級アン
モニウム塩を側鎖に有する高分子型化合物、グアニジン
化合物、ニグロシン系化合物、イミダゾール化合物を例
示することができ、これらを一種または二種以上用いる
ことができる。

【０１４２】また、本発明に用いられるトナーには、必
要に応じて着色剤を用いることができる。このような着
色剤としては、例えば、磁性または非磁性無機化合物、
公知の染料及び顔料、より具体的には、例えば、コバル
ト、ニッケルの如き強磁性金属粒子、またはこれらにク
ロム、マンガン、銅、亜鉛、アルミニウム、希土類元素
などを加えた合金、ヘマタイトの如き粒子、チタンブラ
ック、ニグロシン染料／顔料、カーボンブラック、フタ
ロシアニンを例示することができ、これらを一種または
二種以上用いることができる。なお、着色剤は、後述す
る磁性体や無機微粉体と同様に疎水化処理したものを用
いても良い。

【０１４３】本発明に用いられるトナーに含まれる磁性
体には、公知の磁性体を用いることができる。このよう
な磁性体としては、例えば、四三酸化鉄、γ−酸化鉄の
如き酸化鉄を主成分とするものを例示することができ、
これらを一種または二種以上を用いることができる。磁
性体には、さらにリン、コバルト、ニッケル、銅、マグ
ネシウム、マンガン、アルミニウム、珪素等の他の元素
を含んでも良い。なお、トナーの飽和磁化は、用いられ
る磁性体の種類や磁性体の配合量等によって調整するこ
とができる。

【０１４４】上記磁性体は、表面が疎水化処理されてい
ることが好ましく、公知の処理剤を用い公知の方法によ
って疎水化処理を行うことができる。このような疎水化
処理に用いられる処理剤としては、水系媒体中で加水分
解しながら磁性体の表面に結合するシランカップリング
剤やチタンカップリング剤の如きカップリング剤、特に
シランカップリング剤が好ましく、このようなシランカ
ップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシ
ラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリルオキ
シプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシ
シラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキ
シシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジメチルジ
メトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチ
ルメトキシシラン、ヒドロキシプロピリトリメトキシシ
ラン、フェニルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシル
トリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシ
ランを例示することができ、これらを一種または二種以
上を用いることができる。

【０１４５】本発明に用いられるトナーには、トナーの
流動性等を調整する目的で無機微粉体が含まれる。この
ような無機微粉体としては、例えば、シリカ、アルミ
ナ、チタニアを例示することができ、これらを一種また
は二種以上用いることができる。より詳しくは、例え
ば、ケイ酸微粉体としてはケイ素ハロゲン化物の蒸気相
酸化により生成されたいわゆる乾式法又はヒュームドシ
リカと称される乾式シリカ、及び水ガラス等から製造さ
れるいわゆる湿式シリカの両者が使用可能であるが、表
面及びシリカ微粉体の内部にあるシラノール基が少な
く、またＮａ₂Ｏ、ＳＯ₃ ^2-等の製造残滓の少ない乾式シ
リカの方が好ましい。また乾式シリカにおいては、製造
工程において例えば、塩化アルミニウム、塩化チタン等
他の金属ハロゲン化合物をケイ素ハロゲン化合物と共に
用いることによって、シリカと他の金属酸化物の複合微
粉体（複酸化物）を得ることも可能であり、前記無機微
粉体はそれらも包含するものである。

【０１４６】また、上記無機微粉体は、トナー全量に対
して総量で０．１〜３．０質量％配合されることが好ま
しい。無機微粉体の配合量が０．１質量％よりも小さい
と、無機微粉体の外添による効果（トナーの流動性や帯
電性の向上等）が十分に発揮されないことがある。ま
た、無機微粉体の配合量が３．０質量％よりも大きい
と、定着性が悪くなることがある。

【０１４７】また、上記無機微粉体は、一次粒径が４〜
１００ｎｍであることが好ましい。無機微粉体の平均粒
径が上記範囲よりも小さいと無機微粉体の凝集性が高ま
り、凝集体による像担持体等の損傷を引き起こし、画像
欠陥を生じやすくなる。また、無機微粉体の平均粒径が
上記範囲よりも大きいとトナーの流動性向上効果が十分
に得られず、トナーの帯電不足に起因する画像欠陥を生
じやすくなる。

【０１４８】無機微粉体の平均粒径は、従来より知られ
ている種々の測定方法によって測定することができる。
より具体的には、本発明に用いられる無機微粉体の平均
粒径は、走査型電子顕微鏡によりトナーを拡大撮影し、
走査型電子顕微鏡に付属させたＸＭＡ等の元素分析手段
によって無機微粉体に含まれる元素でマッピングされた
トナーの写真を対照しつつ、トナー表面に付着または遊
離して存在している無機微粉体の一次粒子を１００個以
上測定することにより測定することができる。

【０１４９】また、上記無機微粉体は、比表面積（ＢＥ
Ｔ値）が２０〜４００ｍ²／ｇであることが好ましい。
ＢＥＴ値は、後述する疎水化処理によってそれほどに影
響を受けないことから疎水化処理の前後いずれで測定し
ても良いが、疎水化処理後に測定することが、より実際
的な無機微粉体の物性を把握する上で好ましい。無機微
粉体のＢＥＴ値は、ＢＥＴ法に従って、比表面積測定装
置オートソーブ１（湯浅アイオニクス社製）を用い、試
料表面に窒素ガスを吸着させ、ＢＥＴ多点法を用いて算
出することができる。

【０１５０】また、上記無機微粉体は、表面が疎水化処
理されていることが好ましい。無機微粉体の疎水化処理
は、無機微粉体の種類等によって用いられる処理剤を適
宜選択すると良く、このような疎水化処理に使用される
処理剤としては、例えば、シランカップリング剤やチタ
ンカップリング剤の如きカップリング剤やシリコーンオ
イルの如き公知の処理剤を例示することができる。また
無機微粉体の疎水化処理は、磁性体の疎水化処理と同様
またはそれに準じて行うことができる。

【０１５１】また、上記無機微粉体は、シリコーンオイ
ルで疎水化処理されていることがより好ましい。このよ
うな疎水化処理に使用されるシリコーンオイルとして
は、例えば、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニ
ルシリコーンオイル、α−メチルスチレン変性シリコー
ンオイル、クロルフェニルシリコーンオイル、フッ素変
性シリコーンオイルを例示することができ、これらを一
種または二種以上用いることができる。

【０１５２】本発明に用いられるトナーは、平均円形度
が０．９５０以上であり、好ましくは０．９７０以上で
ある。トナーの平均円形度が０．９５０よりも大きくな
ると、トナーの形状がより球形に近くなり、トナー粒子
と像担持体との接触面積が小さくなり、鏡像力やファン
デルワールス力等に起因するトナー粒子の像担持体への
付着力が低下し、転写性が向上する。さらに平均円形度
が高い場合では、磁性トナーが現像部において均一で細
い穂を形成し、潜像に対して忠実な現像を行うことが可
能となり、画質の向上が期待できる。一方で平均円形度
が０．９５０よりも小さくなると、上記の効果が得られ
ないことがあるため好ましくない。

【０１５３】本発明に用いられるトナーの平均円形度
は、粒子の形状を定量的に表現する簡便な方法として用
いたものであり、本発明では東亜医用電子製フロー式粒
子像分析装置「ＦＰＩＡ−１０００」を用いて測定を行
い、３μｍ以上の円相当径の粒子群について測定された
各粒子の円形度（Ｃｉ）を下式（１）によりそれぞれ求
め、さらに下式（２）で示すように測定された全粒子の
円形度の総和を全粒子数（ｍ）で除した値を平均円形度
（Ｃ）と定義する。

【０１５４】

【外１】式（１）

【０１５５】なお、本発明で用いている測定装置である
「ＦＰＩＡ−１０００」は、各粒子の円形度を算出後、
平均円形度の算出に当たって、粒子を得られた円形度に
よって、円形度０．４０〜１．００を６１分割したクラ
スに分け、分割点の中心値と頻度を用いて平均円形度の
算出を行う算出法を用いている。しかしながら、この算
出法で算出される平均円形度の値と、上述した各粒子の
円形度を直接用いる算出式によって算出される平均円形
度の値との誤差は非常に少なく、実質的には無視出来る
程度のものであり、本発明においては、算出時間の短絡
化や算出演算式の簡略化の如きデータの取り扱い上の理
由で、上述した各粒子の円形度を直接用いる算出式の概
念を利用し、一部変更したこのような算出法を用いても
良い。

【０１５６】具体的な測定方法としては、界面活性剤を
約０．１ｍｇ溶解している水１０ｍｌに現像剤約５ｍｇ
を分散させて分散液を調整し、超音波（２０ｋＨｚ、５
０Ｗ）を分散液に５分間照射し、分散液濃度を５０００
〜２万個／μｌとして、前記装置により測定を行い、３
μｍ以上の円相当径の粒子群の平均円形度を求める。

【０１５７】本発明における平均円形度とは、現像剤の
凹凸の度合いの指標であり、現像剤が完全な球形の場合
１．０００を示し、現像剤の表面形状が複雑になるほど
平均円形度は小さな値となる。

【０１５８】なお、本測定において３μｍ以上の円相当
径の粒子群についてのみ円形度を測定する理由は、３μ
ｍ未満の円相当径の粒子群にはトナー粒子とは独立して
存在する外部添加剤の粒子群も多数含まれるため、その
影響によりトナー粒子群についての円形度が正確に見積
もれないからである。

【０１５９】なお、本発明に用いられるトナーは、現像
特性、転写性、帯電性等の観点から重量平均粒径が３〜
１０μｍであることが好ましい。この範囲よりも小さす
ぎると転写効率が低下し帯電の均一性の維持が困難にな
る。また、重量平均粒径が上記範囲よりも大きすぎると
現像性が低下し高画質の画像を形成できなくなる。

【０１６０】本発明に用いられるトナーの重量平均粒径
は、粉体の重量平均粒径を測定する種々の方法で測定す
ることができるが、本発明ではコールターマルチサイザ
ー（コールター社製）を好適に用いることができ、これ
に個数分布、体積分布を出力するインターフェイス（日
科機社製）及びＰＣ９８０１パーソナルコンピュータ
（ＮＥＣ社製）を接続した測定装置を例示することがで
きる。

【０１６１】重量平均粒径の測定方法は、用いる測定装
置等によって異なるが、上記測定装置では、電解水溶液
（例えばコールターサイエンティフィックジャパン社製
ＩＳＯＴＯＮＲ−II）に分散剤（例えばアルキルベンゼ
ンスルホン酸等の界面活性剤）を必要に応じて加え、測
定試料（トナー）を添加し、超音波分散器等により分散
処理を行い、１００μｍアパーチャーを用い前記コール
ターマルチサイザーにより２μｍ以上のトナー粒子の体
積及び個数を測定し、これらの測定結果からトナー粒子
の体積分布及び個数分布を算出し、この体積分布から体
積基準の重量平均粒径を求める方法を例示することがで
きる。

【０１６２】本発明に用いられる磁性トナーの７９．６
ｋＡ／ｍ（１０００エルステッド）下における飽和磁化
は、１０〜５０Ａｍ²／ｋｇ（ｅｍｕ／ｇ）である。

【０１６３】しかし、トナーの磁場７９．６ｋＡ／ｍに
おける飽和磁化が１０Ａｍ²／ｋｇ未満であると、トナ
ー担持体上に磁力を作用させるとトナーの穂立ちが不安
定となり、トナーへの帯電付与が均一に行えないことに
よるカブリ、画像濃度ムラ、転写残トナーの回収不良等
の画像不良を生じる易くなる。磁性トナーの磁場７９．
６ｋＡ／ｍにおける飽和磁化が５０Ａｍ²／ｋｇよりも
大きいと、トナーに磁力を作用させると磁気凝集により
トナーの流動性が著しく低下し、転写性が低下すること
で転写残トナーが増加し、及びトナー粒子と導電性微粉
体がともに挙動する傾向が強まることで帯電粒子担持体
に付着・混入して介在する導電性微粉体が減少するとと
もに、帯電粒子担持体と像担持体との当接部に介在する
導電性微粉体量が転写残トナー量に対して相対的にも減
少し、帯電性の低下に伴うカブリ及び画像汚れを生じ易
くなる。

【０１６４】本発明において磁性トナーの飽和磁化は、
振動型磁力計ＶＳＭＰ−１−１０（東英工業社製）を用
いて、２５℃の室温にて外部磁場７９．６ｋＡ／ｍで測
定することができる。

【０１６５】また、本発明に用いられる磁性トナーは、
導電性微粉体を外添させることも好ましい。本発明にお
いて、導電性微粉体のトナー全体に対する含有量は、
０.１〜１０質量％であることが好ましく良い。導電性
微粉体のトナー全体に対する含有量が０.１質量％より
も少ないと、接触帯電部材への絶縁性の転写残トナーへ
の付着・混入による帯電阻害に打ち勝って像担持体の帯
電を良好に行なわせるのに十分な量の導電性微粉体を、
帯電部材と像担持体とのニップ部或いはその近傍の帯電
領域に介在させることができず、帯電性が低下し帯電不
良を生じることがある。また、含有量が１０質量％より
も多い場合では、現像兼クリーニングによって回収され
る導電性微粉体が多くなりすぎることによる現像部での
トナーの帯電能、現像性を低下させ、画像濃度低下やト
ナー飛散を生ずることがある。導電性微粉体のトナー全
体に対する含有量は、０．２〜５質量％であることが更
に好ましく良い。

【０１６６】

【実施例】以下、実施例により本発明の効果を具体的に
説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。なお、実施例において測定された物性
は、実施の形態に記載した方法と同様の方法によって測
定した。また、本実施例で「部」とは質量部である。

【０１６７】［実施例１］まず、図５に記載のＲＦによ
るプラズマＣＶＤ装置を用いて下記に示した条件により
直径３０ｍｍ、肉厚２．５ｍｍのアルミニウム製導電性
基体としての鏡面加工を施したシリンダー上に、下部阻
止層、光導電層及びバッファ層を積層した。さらにその
上にＳｉを微量含有したａ−Ｃ：Ｈからなる表面層を積
層することで、表面層のシリコン原子含有率（シリコン
原子と炭素の総量に対するシリコン原子の比率）の異な
る負帯電用ａ−Ｓｉ感光体（Ａ１）〜（Ａ４）及び
（Ａ）〜（Ｅ）を作製した。なお、ＲＦの周波数は１
３．５６ＭＨｚを用いた。

【０１６８】 ＜感光体の製造条件＞下部阻止層 ＳｉＨ₄ ： １５０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ：２５℃、１０^５Ｐａ） ＰＨ₃ ： ５００ｐｐｍ（ＳｉＨ_４基準） ＮＯ ： １０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） パワー ： ２００Ｗ 内圧 ： ６７Ｐａ 基体温度 ： ２４０℃ 膜厚 ： １μｍ光導電層 ＳｉＨ₄ ： ２００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） パワー ： ５００Ｗ 内圧 ： ６７Ｐａ 基体温度 ： ２４０℃ 膜厚 ： ２５μｍバッファ層 ＳｉＨ₄ ： ５０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） ＣＨ₄ ： ５００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） パワー ： １５００Ｗ 内圧 ： ６７Ｐａ 基体温度 ： ２４０℃ 膜厚 ： ０．５μｍ表面層 ＳｉＨ₄ ： （Ａ１）０．１５ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ａ２）０．２ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ａ３）０．５ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ａ４）０．７ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ａ）１．０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ｂ）１．５ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ｃ）４．０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ｄ）６．０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ｅ）８．０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） ＣＨ₄ ： １００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） パワー ： １５００Ｗ 内圧 ： ６７Ｐａ 基体温度 ： ５０℃ 膜厚 ： ０．３μｍ 次の手順で重合トナー（１）を作製した。イオン交換水
７０９ｇに０．１Ｍ−Ｎａ₃ＰＯ₄水溶液４５１ｇを投入
し６０℃に加温した後、１．０Ｍ−ＣａＣｌ₂水溶液６
７．７ｇを徐々に添加してＣａ₃（ＰＯ₄）₂を含む水系
媒体を得た。

【０１６９】 スチレン ８０部 ｎ−ブチルアクリレート ２０部 不飽和ポリエステル樹脂 ２部 飽和ポリエステル樹脂 ３部 負荷電性制御剤（モノアゾ染料系のＦｅ化合物） １部 表面処理疎水化磁性体 ９０部 上記処方をアトライター（三井三池化工機（株））を用
いて均一に分散混合した。この単量体組成物を６０℃に
加温し、そこにベヘニン酸ベヘニルを主体とするエステ
ルワックス（ＤＳＣにおける吸熱ピークの極大値７２
℃）６部を添加混合溶解し、これに重合開始剤２，２'
−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）［ｔ1/
2＝１４０分、６０℃条件下］５ｇを溶解した。

【０１７０】前記水系媒体中に上記重合性単量体系を投
入し、６０℃、Ｎ₂雰囲気下においてＴＫ式ホモミキサ
ー（特殊機化工業（株））にて１０，０００ｒｐｍで１
５分間撹拌し、造粒した。その後パドル撹拌翼で撹拌し
つつ、６０℃で６時間反応させた。その後液温を８０℃
とし更に４時間撹拌を続けた。反応終了後、８０℃で更
に２時間蒸留を行い、その後、懸濁液を冷却し、塩酸を
加えてリン酸カルシウム塩を溶解し、濾過、水洗、乾燥
して重量平均粒径６．５μｍのトナー粒子を得た。

【０１７１】このトナー粒子１００部と、一次粒径８ｎ
ｍのシリカにヘキサメチルジシラザンで表面を処理し処
理後のＢＥＴ値が２５０ｍ²／ｇの疎水性シリカ微粉体
１．２部及び帯電粒子２部をヘンシェルミキサー（三井
三池化工機（株））で混合して、重合トナー（１）を調
製した。得られたトナーの平均円形度は０．９８３、磁
場７９．６ｋＡ／ｍにおける磁化の強さは、２８Ａｍ²
／ｋｇであった。

【０１７２】本実施例における帯電粒子としては酸化亜
鉛を用いた。ここで使用した酸化亜鉛からなる導電性微
粉体は一次粒子径０．１〜０．３μｍの酸化亜鉛一次粒
子を圧力により造粒して得られた粒子を風力分級して得
られた、体積平均粒径１．５μｍ、粒度分布における
０．５μｍ以下が３５体積％、５μｍ以上が０個数％の
微粒子（抵抗１０⁷Ω・ｃｍ、透過率３５％）である。
この酸化亜鉛微粉体は、走査型電子顕微鏡にて３０００
倍及び３万倍で観察したところ、０．１〜０．３μｍの
酸化亜鉛一次粒子と１〜４μｍの凝集体からなってい
た。

【０１７３】以上の手順で作製した像担持体及び重合ト
ナー（１）を用い、導電性微粉体を介して像担持体の帯
電を行う弾性ローラー帯電器を用いた図３に示される構
成の電子写真装置により評価を行った。結果を表１に示
す。なお、この際のプロセススピードは４００ｍｍ／
ｓ、感光体と弾性ローラーの相対速度は逆方向２００％
とした。

【０１７４】（表面層のシリコン原子含有率の算出）上
記負帯電用ａ−Ｓｉ感光体（Ａ１）〜（Ａ４）及び
（Ａ）〜（Ｅ）の表面層と同条件でシリコンウェハー上
にサンプルを作製し、ＥＳＣＡを用いて、シリコン原子
と炭素原子の相対値を測定し、その比率を計算すること
によってシリコン原子含有率（シリコン原子と炭素の総
量に対するシリコン原子の比率）を得た。

【０１７５】（帯電器の帯電能力）Ａ４紙を用いて１０
万枚通紙耐久を行った。この際、帯電器には一定電圧を
印加し、１万枚毎での現像器位置での暗部電位を測定
し、耐久による暗部電位の変化を評価した。更に、暗部
電位画像がハーフトーン濃度で現像されるように現像バ
イアスを調整してベタハーフトーン画像を出力し、画像
濃度の分布を目視で評価し、次の基準を設けて３段階に
評価した。 Ａ：測定誤差内で暗部電位の変化は認められず、ハーフ
トーン画像も均一。 Ｂ：耐久後半で暗部電位の低下が認められ、ハーフトー
ン画像で若干の濃度ムラが認められる。 Ｃ：耐久中に徐々に暗部電位が低下し、ハーフトーン画
像で濃度ムラが認められる。

【０１７６】（帯電器からの吐き出し効率）上記帯電器
の帯電能力評価と同時に、べた黒後のべた白部分のカブ
リを１万枚毎に測定した。この際、ドラム上のトナーを
粘着テープで剥離し濃度を測定し、帯電器突入前、帯電
器通過後のテープ剥離濃度から、濃度差（帯電器前濃度
−帯電器後濃度）の帯電器前濃度に対する比率を吐き出
し効率とし、次の基準を設けて３段階に評価した。 Ａ：吐き出し効率５０％以上 Ｂ：吐き出し効率３０％以上５０％未満 Ｃ：吐き出し効率３０％未満 （帯電器からの吐き出しトナーの帯電量） ホソカワミクロン社製の帯電量（以下、トリボも併用）
測定器「Ｅ−ＳＰＡＲＴＡＮＡＬＹＺＥＲＭＯＤＥＬＥ
ＳＴ−II」を用いて帯電量分布を測定した。帯電量分布
の指標として便宜的に平均帯電量を用い、次の基準を設
けて３段階に評価した。尚、測定結果の例を図６に示
す。実線がランクＡの測定結果に相当し、破線がランク
Ｃの測定結果に相当する。 Ａ：平均帯電量が充分ネガになっている。 Ｂ：平均帯電量が若干ネガになっている。 Ｃ：平均帯電量がほぼ０付近。

【０１７７】（カブリ）上記帯電器の帯電能力評価、吐
き出し効率評価と同時に、１万枚毎にキヤノン製ＴＥＳ
ＴＳＨＥＥＴＮＡ−７（Ａ）（部品番号：ＦＹ９−９０
６０Ａ−０１０）でサンプル画像を出し、白地部分の反
射濃度を反射濃度計（マクベス社製ＲＤ９１４）で測定
し、次の基準を設けて地かぶりのレベルを３段階に評価
した。 Ａ：測定誤差内で反射濃度の変化は認められず、地かぶ
りレベルは良好 Ｂ：耐久後半で反射濃度の増加が認められ、地かぶりが
若干認められる Ｃ：耐久中に徐々に反射濃度が増加し、地かぶりが認め
られる （磨耗量）上記耐久前後の表面層の膜厚を干渉式膜厚計
で測定し、その磨耗量を測定した。そして、次の基準を
設けて３段階に評価した。 Ａ：測定誤差内で磨耗量は検出されず、非常に良好 Ｂ：磨耗しているが、軽微であり、良好Ｃ：磨耗量が多
い。

【０１７８】［比較例１］図５に記載のＲＦによるプラ
ズマＣＶＤ装置を用いて直径３０ｍｍ、肉厚２．５ｍｍ
のアルミニウム製導電性基体としての鏡面加工を施した
シリンダー上に実施例１に示す条件で下部阻止層、光導
電層、バッファ層を積層した。さらにその上に下記の作
製条件でＳｉを微量含有したａ−Ｃ：Ｈからなる表面層
を積層することで、表面層のシリコン原子含有率（シリ
コン原子と炭素の総量に対するシリコン原子の比率）の
異なる負帯電用ａ−Ｓｉ感光体（Ｆ）〜（Ｉ）を作製し
た。なお、ＲＦの周波数は１３．５６ＭＨｚを用いた。

【０１７９】 ＜感光体の製造条件＞表面層 ＳｉＨ₄ ： （Ｆ）０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ｇ）０．１ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ｈ）９．０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ｉ）１５．０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） ＣＨ₄ ： １００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） パワー ： １５００Ｗ 内圧 ： ６７Ｐａ 基体温度 ： ５０℃ 膜厚 ： ０．３μｍ こうして得られた感光体（Ｆ）〜（Ｉ）と重合トナー
（１）について、実施例１と同様に評価を行った。結果
を表１に示す。

【０１８０】

【表１】

【０１８１】実施例１、比較例１の結果から、表面層の
シリコン原子含有率が０．２原子％以上にすることで吐
き出しトナーのトリボがネガ化する為、カブリが悪化し
ないことがわかった。また、２０原子％以下にすること
で高い吐き出し効率を維持できる為、トナー混入による
帯電器の帯電能力が低下することはなくなり、同時に帯
電器の寿命も確保することができることがわかった。さ
らにシリコン原子含有量の低い方が磨耗に関しては有利
であることがわかった。総合評価は、各項目を総合的に
判断し、非常に良好をＡ、良好をＢ、従来と同等以下を
Ｃとした。

【０１８２】［実施例２］実施例１と同様の手順でａ−
Ｓｉ感光体（Ｂ）を作製した。次に、重合トナー（１）
と同様の手法により、平均円形度の異なる球形トナー
（Ａ）〜（Ｅ）を作製した。こうして得られたａ−Ｓｉ
感光体（Ｂ）と球形トナー（Ａ）〜（Ｅ）について、実
施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示す。

【０１８３】［比較例２］実施例１と同様の手順でａ−
Ｓｉ感光体（Ｂ）を作製した。次に、重合トナー（１）
と同様の手法により、トナー（Ｆ）を作製した。こうし
て得られたａ−Ｓｉ感光体（Ｂ）とトナー（Ｆ）につい
て、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示
す。

【０１８４】

【表２】

【０１８５】実施例２、比較例２の結果から、重合トナ
ーの球形度が０．９５０以上にすることで高い吐き出し
効率を維持できる為、トナー混入による帯電器の帯電能
力が低下することはなくなり、同時に帯電器の寿命も確
保することができることがわかった。また、球形度の高
い方が、吐き出しトナーのトリボがネガ化することに関
しては有利であることがわかった。総合評価は、各項目
を総合的に判断し、非常に良好をＡ、良好をＢ、従来と
同等以下をＣとした。

【０１８６】［実施例３］実施例１と同様の手順で、負
帯電用ａ−Ｓｉ感光体（Ｃ）を作製した。次に、次の手
順で粉砕トナーを作製した。 ・スチレン／ｎ−ブチルアクリレート共重合体（質量比８０／２０） １００質 量部 ・不飽和ポリエステル樹脂 ２質量部 ・飽和ポリエステル樹脂 ３質量部 ・負荷電性制御剤（モノアゾ染料系のＦｅ化合物） １質量部 ・表面処理疎水化磁性体 ９０質量部 ・エステルワックス（ＤＳＣにおける吸熱ピークの極大値７２℃） ５質量部 上記材料をブレンダーにて混合し、１１０℃に加熱した
二軸エクストルーダーで溶融混練し、冷却した混練物を
ハンマーミルで粗粉砕し、粗粉砕物をジェットミルで微
粉砕後、機械式球形化処理を行い、得られた処理物を風
力分級して重量平均粒径８．９μｍの黒色粒子を得た。
この黒色粒子１００部と、ヘキサメチルジシラザンで処
理をした後シリコーンオイルで処理し、処理後のＢＥＴ
値が１８０ｍ²／ｇの疎水性シリカ微粉体０．９部、及
び酸化亜鉛微粉体２部とをヘンシェルミキサー（三井三
池化工機（株））で混合して、平均円形度の異なる粉砕
トナー（Ａ）〜（Ｂ）を調製した。得られたトナーの磁
場７９．６ｋＡ／ｍにおける磁化の強さは２８Ａｍ²／
ｋｇであった。

【０１８７】こうして得られたａ−Ｓｉ感光体（Ｃ）と
粉砕トナー（Ａ）〜（Ｂ）について、実施例１と同様に
評価を行った。結果を表３に示す。

【０１８８】［比較例３］実施例１と同様の手順でａ−
Ｓｉ感光体（Ｃ）を作製した。次に、機械式球形化処理
を行わない以外は実施例３と同様の手法により、平均円
形度の異なる粉砕トナー（Ｃ）を作製した。こうして得
られたａ−Ｓｉ感光体（Ｃ）と粉砕トナー（Ｃ）につい
て、実施例１と同様に評価を行った。結果を表３に示
す。

【０１８９】

【表３】

【０１９０】実施例３、比較例３の結果から、粉砕トナ
ーにおいても球形度が０．９５０以上にすることで高い
吐き出し効率を維持できる為、トナー混入による帯電器
の帯電能力が低下することはなくなり、同時に帯電器の
寿命も確保することができることがわかった。また、球
形度の高い方が、吐き出しトナーのトリボがネガ化に関
しては有利であることがわかった。総合評価は、各項目
を総合的に判断し、非常に良好をＡ、良好をＢ、従来と
同等以下をＣとした。

【０１９１】［実施例４］図４に示すＶＨＦプラズマＣ
ＶＤ法によるａ−Ｓｉ感光体の製造装置を用い、鏡面加
工を施したアルミニウムシリンダー上に、下記に示す条
件で電荷注入阻止層、光導電層、バッファ層、表面層を
積層し、負帯電用ａ−Ｓｉ感光体（Ｊ１）〜（Ｊ４）及
び（Ｊ）〜（Ｌ）を得た。なお、ＶＨＦ周波数は１０５
ＭＨｚを用いた。

【０１９２】 ＜感光体の製造条件＞下部阻止層 ・ＳｉＨ₄ ： ２００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） ・Ｈ₂ ： ４００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） ・ＮＯ ： １０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） ・ＰＨ₃ ： ２０００ｐｐｍ（ＳｉＨ₄に対して） ・パワー ： １２００Ｗ ・放電空間の圧力 ： ０．８Ｐａ ・基体温度 ： ２５０℃ ・膜厚 ： ２μｍ光導電層 ・ＳｉＨ₄ ： ２００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） ・Ｈ₂ ： ４００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） ・パワー ： １２００Ｗ ・放電空間の圧力 ： ０．８Ｐａ ・基体温度 ： ２５０℃ ・膜厚 ： ３０μｍバッファ層 ・ＳｉＨ₄ ： ２０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） ・ＣＨ₄ ： ５０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） ・パワー ： １２００Ｗ ・放電空間の圧力 ： ０．８Ｐａ ・基体温度 ： ２５０℃ ・膜厚 ： ０．３μｍ表面層 ・ＳｉＨ₄ ： （Ｊ１）０．０７ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ｊ２）０．１ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ｊ３）０．２５ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ｊ４）０．３５ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ｊ）０．５ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ｋ）２．０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ｌ）４．０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） ・ＣＨ₄ ： ５０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） ・パワー ： １５００Ｗ ・放電空間の圧力 ： ０．５Ｐａ ・基体温度 ： １００℃ ・膜厚 ： ０．５μｍ 次の手順で重合トナー（２）を作製した。まず、重合ト
ナー（１）と同様の手法により重量平均粒径６．４μｍ
のトナー粒子を得た。このトナー粒子１００部と、一次
粒径８ｎｍのシリカにヘキサメチルジシラザンで表面を
処理した後シリコーンオイルで処理し、処理後のＢＥＴ
値が１５０ｍ²／ｇの疎水性シリカ微粉体１．２部、及
び酸化亜鉛からなる導電性微粉体２部とをヘンシェルミ
キサー（三井三池化工機（株））で混合して、重合トナ
ー（２）を調製した。得られたトナーの平均円形度は
０．９８３、磁場７９．６ｋＡ／ｍにおける磁化の強さ
は、２８Ａｍ²／ｋｇであった。

【０１９３】こうして得られた感光体（Ｊ１）〜（Ｊ
４）及び（Ｊ）〜（Ｌ）と重合トナー（２）について、
実施例１と同様に評価を行った。結果を表４に示す。

【０１９４】［比較例４］図４に示すＶＨＦプラズマＣ
ＶＤ装置を用いて直径３０ｍｍ、肉厚２．５ｍｍのアル
ミニウム製導電性基体としての鏡面加工を施したシリン
ダー上に実施例４に示す条件で下部阻止層、光導電層、
バッファ層を積層した。さらにその上に下記の作製条件
でＳｉを微量含有したａ−Ｃ：Ｈからなる表面層を積層
することで、表面層のシリコン原子含有率（シリコン原
子と炭素の総量に対するシリコン原子の比率）の異なる
負帯電用ａ−Ｓｉ感光体（Ｍ）及び（Ｎ）を作製した。
なお、ＶＨＦ周波数は１０５ＭＨｚを用いた。

【０１９５】 ＜感光体の製造条件＞表面層 ＳｉＨ₄ ： （Ｍ）０．０３ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） （Ｎ）４．５ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） ＣＨ₄ ： ５０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ） パワー ： １５００Ｗ 放電空間の圧力 ： ０．５Ｐａ 基体温度 ： １００℃ 膜厚 ： ０．５μｍ こうして得られた感光体（Ｍ）及び（Ｎ）と重合トナー
（２）について、実施例１と同様に評価を行った。結果
を表４に示す。

【０１９６】

【表４】

【０１９７】実施例４、比較例４の結果から、表面層の
シリコン原子含有率が０．２原子％以上にすることで吐
き出しトナーのトリボがネガ化する為、カブリが悪化し
ないことがわかった。また、２０原子％以下にすること
で高い吐き出し効率を維持できる為、トナー混入による
帯電器の帯電能力が低下することはなくなり、同時に帯
電器の寿命も確保することができることがわかった。さ
らにシリコン原子含有量の低い方が磨耗に関しては有利
であることがわかった。総合評価は、各項目を総合的に
判断し、非常に良好をＡ、良好をＢ、従来と同等以下を
Ｃとした。

【０１９８】ＶＨＦにより作製したａ−Ｓｉ感光体を用
いても、本発明は同様に効果が得られることが判明し
た。また、トナーとして重合トナーを用いることで非常
に良好な高画質画像が得られることが分かった。

【０１９９】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、ａ−Ｓｉ感光体を像担持体とする電子写真方法及び
装置において、導電性基体と、該導電性基体上に少なく
とも水素及びハロゲンのいずれかを含みシリコン原子を
母体とする非単結晶材料で構成された光導電層と、少な
くとも水素及びハロゲンのいずれかを含み炭素原子を母
体とし少なくともシリコン原子を０．２原子％以上２０
原子％以下含有する非単結晶材料で構成された表面層と
を有する像担持体を用い、少なくとも結着樹脂及び磁性
体を含有するトナー粒子と無機微粉体とを含み、平均円
形度が０．９５０以上である磁性トナーであって、該磁
性トナーの７９．６ｋＡ／ｍにおける飽和磁化が１０Ａ
ｍ²／ｋｇ以上５０Ａｍ²／ｋｇ以下であるトナーを用
い、粒径が０．１μｍ〜１０μｍである導電性微粉体を
主成分とする帯電粒子と、導電性と弾性を有した表面を
備え、表面に該帯電粒子を担持し、該帯電粒子を介して
該像担持体に接触する帯電粒子担持体とを用いて該像担
持体表面を負極性に帯電させ、ＩＡＥ方式で潜像を形成
する電子写真方法及び装置により、転写から帯電までの
間にクリーニング工程が無くても極めて良好なトナーリ
サイクルプロセスを達成する事が可能になった。

【０２００】これにより、電子写真装置の生涯寿命に渡
って排出される廃棄物が大幅に削減され、さまざまな環
境においても画像流れや画像ムラが発生せず、きわめて
鮮明な画像が長期間安定して得られる電子写真装置及び
電子写真方法を提供することができる。

【０２０１】さらに、帯電部材の寿命が長く、最小のメ
ンテナンスコストで長期間、安定して高品質な画像が得
られる電子写真装置及び電子写真方法を提供することが
できる。

【０２０２】また、ａ−Ｓｉ感光体が均一に帯電され、
ムラがなく、均一で高コントラストで解像度が高く、か
ぶりの少ない鮮明な画像が得られる電子写真装置及び電
子写真方法を提供することができる。

【０２０３】さらに本発明では、像担持体の光導電層と
表面層の間に、少なくとも水素及びハロゲンのいずれか
を含み、シリコンを主体とし、炭素、酸素、窒素から選
ばれる少なくとも一つ以上の原子を更に含有する非単結
晶材料から成るバッファ層を有すると、表面層と光導電
層との密着性の向上や、界面での光の反射による干渉の
影響の軽減等の観点からより一層効果的である。

【０２０４】さらに本発明では、表面層が、５０〜４５
０ＭＨｚの高周波を用いたプラズマＣＶＤ法によって、
少なくとも炭化水素系のガスを分解することによって堆
積成膜により形成されると、より低圧な条件で表面層が
形成され、表面保護や光透過等の表面層の特性の劣化を
抑制する上でより一層効果的である。

【０２０５】さらに本発明では、帯電粒子を担持してい
る帯電粒子担持体の表面と像担持体の表面が相対的速度
差を有して移動している状態で帯電粒子を介して像担持
体に接触して像担持体を帯電させると、帯電粒子と像担
持体の高い接触性が得られる観点においてより効果的で
あり、帯電粒子担持体の表面と像担持体表面が互いに逆
方向に移動しつつ像担持体を帯電させると、より一層効
果的である。

【０２０６】さらに本発明では、帯電粒子担持体は多孔
体表面を有する弾性体で形成されていると、帯電粒子担
持体上に十分な帯電粒子を担持することが可能となり、
帯電粒子と像担持体の接触性を高める上でより一層効果
的である。

【０２０７】さらに本発明では、帯電粒子担持体は、ア
スカーＣ硬度が５０度以下、より好ましくは２５度以上
５０度以下のローラー部材であると、帯電粒子担持体の
形状安定性、及び帯電粒子担持体表面のミクロな凹凸に
対する追従性が得られることから、像担持体との接触性
を高める上でより一層効果的である。

【０２０８】さらに本発明では、帯電粒子担持体の体積
固有抵抗が１×１０³Ω・ｃｍ以上１×１０⁸Ω・ｃｍ以
下のローラー部材であると、像担持体に対する帯電特性
及び耐リーク性が得られることから、像担持体に対する
帯電特性を向上させる上でより一層効果的である。

【０２０９】さらに本発明では、導電性微粉体の抵抗が
１×１０⁹Ω・ｃｍ以下、より好ましくは１×１０^-1Ω
・ｃｍ以上１×１０⁹Ω・ｃｍ以下であると、像担持体
に対する帯電促進を向上させる上でより効果的である。

【０２１０】さらに本発明では、導電性微粉体をトナー
の表面に付着させる構成とすると、トナーの過剰な帯電
を防止し、トナーの過剰帯電に伴う現像性の低下を防止
する上でより一層効果的である。

【０２１１】さらに本発明では、無機微粉体が疎水化処
理されていると、環境変動に伴う無機微粉体の特性変化
をより抑制することができ、トナーの帯電性、現像特
性、転写性、及び形成される画像の画質などについて、
環境変化に伴う特性の変動を防止する上でより効果的で
ある。

【０２１２】さらに本発明では、トナーの表面に付着し
ている導電性微粉体が現像工程で像担持体に付着し、転
写工程の後も該像担持体上に残留し運ばれて帯電粒子担
持体に到達する構成とすると、現像手段が帯電粒子担持
体への帯電粒子の供給手段を兼ねることが可能となり、
装置の小型化やメンテナンス性の向上等の観点からより
一層効果的である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真装置に用いられる電子写真感
光体の一例を示す模式的断面図である。

【図２】本発明の電子写真装置に用いられる電子写真感
光体の他の一例を示す模式的断面図である。

【図３】本発明に用いられる電子写真装置の一例を示す
模式的断面図である。

【図４】本発明の電子写真感光体を形成するための堆積
装置の一例を示す模式的断面図である。

【図５】本発明の電子写真感光体を形成するための堆積
装置の一例を示す模式的断面図である。

【図６】トナーの帯電量分布を測定した結果の一例を示
す図である。

【符号の説明】 １０１ 導電性基体 １０２ 下部阻止層（電荷注入阻止層） １０３ 光導電層 １０４ バッファ層 １０５ 表面層 １０６ 電荷発生層 １０７ 電荷輸送層 ２０１ 電子写真像担持体（感光体） ２０２ 接触帯電部材（帯電粒子担持体） ２０３ レーザー光 ２０４ 現像器（現像手段） ２０５ トナー ２０６ 転写ローラー（転写手段） ２０７ 転写材（記録媒体） ２０８ 反転トナー ２０９ 定着装置 ２１００、３１００ 堆積装置 ２１１０、３１１０ 反応容器 ２１１１、３１１１ カソード電極 ２１１２、３１１２ 導電性基体 ２１１３、３１１３ 導電性基体加熱用ヒーター ２１１４ 原料ガス導入管 ２１１５、３１１５ 高周波マッチングボックス ２１１６ ガス供給配管 ２１１７ リークバルブ ２１１８ メインバルブ ２１１９ 真空計 ２１２０ 高周波電源 ２１２１ 絶縁材料 ２１２３ 導電性受け台 ２２００ 原料ガス供給装置 ２２１１〜２２１６ マスフローコントローラー ２２２１〜２２２６ 原料ガスボンベ ２２３１〜２２３６ バルブ ２２４１〜２２４６ 流入バルブ ２２５１〜２２５６ 流出バルブ ２２６０ 補助バルブ ２２６１〜２２６６ 圧力調整器 ３１２０ 回転モーター ３１２１ 排気口 ３１３０ 放電空間

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｇ 9/08 ３７４ Ｇ０３Ｇ 9/08 ３７４ 9/083 15/02 １０１ 15/02 １０１ １０３ １０３ 9/08 １０１ 15/08 ５０７ 15/08 ５０７Ｂ (72)発明者 橋爪 淳一郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 (72)発明者 三浦 正治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H005 AA01 AA02 AA08 AA15 EA02 2H068 DA04 DA05 DA24 DA54 DA55 DA56 DA57 EA24 FC03 2H077 AA37 AC11 AC16 AD02 AD06 GA04 2H200 FA14 GA15 GA23 GA33 GA44 GB11 GB37 HA02 HA21 HA29 HB12 HB17 HB45 HB46 HB47 HB48 JA02 JA28 MA08 MB01 MB04 MB06 MC01 MC02 NA02 PA11

Claims (30)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回転する像担持体の表面を帯電させる帯
   電工程と、該像担持体の帯電面に静電潜像を形成する潜
   像形成工程と、該像担持体表面にトナーを付着させるこ
   とにより該静電潜像をトナー像として現像する現像工程
   と、該トナー像を記録媒体に転写する転写工程とを含む
   電子写真方法に於いて、前記像担持体は、導電性基体
   と、該導電性基体上に少なくとも水素及びハロゲンのい
   ずれかを含みシリコン原子を母体とする非単結晶材料で
   構成された光導電層と、少なくとも水素及びハロゲンの
   いずれかを含み炭素原子を母体とし少なくともシリコン
   原子をＳｉ／（Ｓｉ＋Ｃ）で０．２原子％以上２０原子
   ％以下含有する非単結晶材料で構成された表面層とを有
   し、前記トナーは、少なくとも結着樹脂及び磁性体を含
   有するトナー粒子と無機微粉体とを含み、平均円形度が
   ０．９５０以上である磁性トナーであって、該磁性トナ
   ーの７９．６ｋＡ／ｍにおける飽和磁化が１０Ａｍ²／
   ｋｇ以上５０Ａｍ²／ｋｇ以下であり、前記帯電工程
   は、粒径が０．１μｍ〜１０μｍである導電性微粉体を
   主成分とする帯電粒子と、導電性と弾性を有した表面を
   備え、表面に該帯電粒子を担持し、該帯電粒子を介して
   該像担持体に接触する帯電粒子担持体とを用いて、該像
   担持体表面を負極性に帯電させ、前記潜像形成工程は、
   画像部を露光して電位を減衰させることにより静電潜像
   を形成する潜像形成工程であり、転写から帯電までの間
   にクリーニング工程が無い事を特徴とする電子写真方
   法。
2. 【請求項２】 前記像担持体の前記光導電層と前記表面
   層の間に、少なくとも水素及びハロゲンのいずれかを含
   み、シリコンを主体とし、炭素、酸素、窒素から選ばれ
   る少なくとも一つ以上の原子を更に含有する非単結晶材
   料から成るバッファ層を有することを特徴とする請求項
   １に記載の電子写真方法。
3. 【請求項３】 前記表面層が、５０〜４５０ＭＨｚの高
   周波を用いたプラズマＣＶＤ法によって、少なくとも炭
   化水素系のガスを分解することによって堆積成膜により
   形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の
   電子写真方法。
4. 【請求項４】 前記帯電工程は、前記帯電粒子を担持し
   ている前記帯電粒子担持体の表面と前記像担持体の表面
   が相対的速度差を有して移動している状態で帯電粒子を
   介して像担持体に接触して像担持体を帯電させることを
   特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子
   写真方法。
5. 【請求項５】 前記帯電工程は、前記帯電粒子担持体の
   表面と前記像担持体表面が互いに逆方向に移動しつつ像
   担持体を帯電させることを特徴とする請求項４に記載の
   電子写真方法。
6. 【請求項６】 前記帯電工程において、前記帯電粒子担
   持体は多孔体表面を有する弾性体で形成されていること
   を特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電
   子写真方法。
7. 【請求項７】 前記帯電粒子担持体は、アスカーＣ硬度
   が５０度以下のローラー部材であることを特徴とする請
   求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子写真方法。
8. 【請求項８】 前記帯電粒子担持体は、アスカーＣ硬度
   が２５度以上５０度以下のローラー部材であることを特
   徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子写
   真方法。
9. 【請求項９】 前記帯電粒子担持体は、体積固有抵抗が
   １×１０³Ω・ｃｍ以上１×１０⁸Ω・ｃｍ以下のローラ
   ー部材であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれ
   か一項に記載の電子写真方法。
10. 【請求項１０】 前記導電性微粉体の抵抗が１×１０⁹
    Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至９の
    いずれか一項に記載の電子写真方法。
11. 【請求項１１】 前記導電性微粉体の抵抗が１×１０^-1
    Ω・ｃｍ以上１×１０⁹Ω・ｃｍ以下であることを特徴
    とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電子写真
    方法。
12. 【請求項１２】 前記トナーは表面に導電性微粉体を有
    することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項
    に記載の電子写真方法。
13. 【請求項１３】 前記トナーは疎水化処理されている無
    機微粉体を有することを特徴とする請求項１乃至１２の
    いずれか一項に記載の電子写真方法。
14. 【請求項１４】 前記無機微粉体はシリコーンオイルで
    処理されていることを特徴とする請求項１乃至１３のい
    ずれか一項に記載の電子写真方法。
15. 【請求項１５】 前記導電性微粉体が、前記現像工程で
    前記像担持体に付着し、前記転写工程の後も該像担持体
    上に残留し運ばれて前記帯電粒子担持体に到達すること
    を特徴とする請求項１２に記載の電子写真方法。
16. 【請求項１６】 回転する像担持体と、該像担持体の表
    面を帯電させる帯電手段と、該像担持体の帯電面に静電
    潜像を形成する潜像形成手段と、該像担持体表面にトナ
    ーを付着させることにより該静電潜像をトナー像として
    現像する現像手段と、該トナー像を記録媒体に転写する
    転写手段とを備えた電子写真装置に於いて、前記像担持
    体は、導電性基体と、該導電性基体上に少なくとも水素
    及びハロゲンのいずれかを含みシリコン原子を母体とす
    る非単結晶材料で構成された光導電層と、少なくとも水
    素及びハロゲンのいずれかを含み炭素原子を母体とし少
    なくともシリコン原子をＳｉ／（Ｓｉ＋Ｃ）で０．２原
    子％以上２０原子％以下含有する非単結晶材料で構成さ
    れた表面層とを有し、前記トナーは、少なくとも結着樹
    脂及び磁性体を含有するトナー粒子と無機微粉体とを含
    み、平均円形度が０．９５０以上である磁性トナーであ
    って、該磁性トナーの７９．６ｋＡ／ｍにおける飽和磁
    化が１０Ａｍ²／ｋｇ以上５０Ａｍ²／ｋｇ以下であり、
    前記帯電手段は、粒径が０．１μｍ〜１０μｍである導
    電性微粉体を主成分とする帯電粒子と、導電性と弾性を
    有した表面を備え、該帯電粒子を表面に担持し、該帯電
    粒子を介して該像担持体に接触する帯電粒子担持体とを
    有し、該像担持体表面を負極性に帯電し、前記潜像形成
    手段は、画像部を露光して電位を減衰させることにより
    静電潜像を形成する潜像形成手段であり、転写から帯電
    までの間にクリーニング手段が無い事を特徴とする電子
    写真装置。
17. 【請求項１７】 前記像担持体の前記光導電層と前記表
    面層の間に、少なくとも水素及びハロゲンのいずれかを
    含み、シリコンを主体とし、炭素、酸素、窒素から選ば
    れる少なくとも一つ以上の原子を更に含有する非単結晶
    材料から成るバッファ層を有することを特徴とする請求
    項１６に記載の電子写真装置。
18. 【請求項１８】 前記表面層が、５０〜４５０ＭＨｚの
    高周波を用いたプラズマＣＶＤ法によって、少なくとも
    炭化水素系のガスを分解することによって堆積成膜によ
    り形成されることを特徴とする請求項１６または１７に
    記載の電子写真装置。
19. 【請求項１９】 前記帯電手段は、前記帯電粒子を担持
    している前記帯電粒子担持体の表面と前記像担持体の表
    面が、相対的速度差を有して移動している状態で帯電粒
    子を介して像担持体に接触して像担持体を帯電させるこ
    とを特徴とする請求項１６乃至１８のいずれか一項に記
    載の電子写真装置。
20. 【請求項２０】 前記帯電手段は、前記帯電粒子担持体
    の表面と前記像担持体の表面が互いに逆方向に移動しつ
    つ像担持体を帯電させることを特徴とする請求項１９に
    記載の電子写真装置。
21. 【請求項２１】 前記帯電手段において、前記帯電粒子
    担持体は多孔体表面を有する弾性体で形成されているこ
    とを特徴とする請求項１６乃至２０のいずれか一項に記
    載の電子写真装置。
22. 【請求項２２】 前記帯電粒子担持体は、アスカーＣ硬
    度が５０度以下のローラー部材であることを特徴とする
    請求項１６乃至２１のいずれか一項に記載の電子写真装
    置。
23. 【請求項２３】 前記帯電粒子担持体は、アスカーＣ硬
    度が２５度以上５０度以下のローラー部材であることを
    特徴とする請求項１６乃至２１のいずれか一項に記載の
    電子写真装置。
24. 【請求項２４】 前記帯電粒子担持体は、体積固有抵抗
    １×１０³Ω・ｃｍ以上１×１０⁸Ω・ｃｍ以下のローラ
    ー部材であることを特徴とする請求項１６乃至２３のい
    ずれか一項に記載の電子写真装置。
25. 【請求項２５】 前記導電性微粉体の抵抗が１×１０⁹
    Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１６乃至２
    ４のいずれか一項に記載の電子写真装置。
26. 【請求項２６】 前記導電性微粉体の抵抗が１×１０^-1
    Ω・ｃｍ以上１×１０⁹Ω・ｃｍ以下であることを特徴
    とする請求項１６乃至２４のいずれか一項に記載の電子
    写真装置。
27. 【請求項２７】 前記トナーは表面に導電性微粉体を有
    することを特徴とする請求項１６乃至２６のいずれか一
    項に記載の電子写真装置。
28. 【請求項２８】 前記トナーは疎水化処理されている無
    機微粉体を有することを特徴とする請求項１６乃至２７
    のいずれか一項に記載の電子写真装置。
29. 【請求項２９】 前記無機微粉体はシリコーンオイルで
    処理されていることを特徴とする請求項１６乃至２８の
    いずれか一項に記載の電子写真装置。
30. 【請求項３０】 前記導電性微粉体が、前記現像手段に
    よって前記像担持体に付着し、前記トナー像転写後も該
    像担持体上に残留し運ばれて前記帯電粒子担持体に到達
    することを特徴とする請求項２７に記載の電子写真装
    置。