JP2002275368A - 芳香族ポリカーボネート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学式ディスク基板にした際に、耐静電気性
が改良され、また色素塗布性の向上し、さらに色相や耐
湿熱性に優れている組成物を提供する。 【解決手段】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
テルとのエステル交換反応によって得られる芳香族ポリ
カーボネートであって、ｐＫａ値が２以下である非イオ
ウ系酸性化合物を芳香族ポリカーボネートに対して、
０．１〜２０重量ｐｐｍ含有する芳香族ポリカーボネー
ト。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、品質の優れた芳香
族ポリカーボネートに関するものであり、更に詳しくは
耐静電気性が改良され、また色素塗布性が向上し、さら
に色相や耐湿熱性も良好な芳香族ポリカーボネートに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】芳香族ポリカーボネートは、耐衝撃性な
どの機械的特性に優れている上、透明性にも優れた樹脂
であり、幅広い分野で利用されている。特に、オーディ
オディスク、レーザディスク、光ディスクメモリ、また
は光磁気ディスク等のレーザ光を利用して情報の再生、
追記書換えを行なう光学式情報記録媒体に用いられる光
学式ディスクとして用途を拡げている。

【０００３】このポリカーボネートの工業的製法として
は、ビスフェノールＡとホスゲンを塩化メチレン溶媒中
で反応させる界面重合法が一般的であるが、この方法は
工業的に取り扱いの難しいホスゲンや塩化メチレンを用
いる必要があることから、近年、これらの化合物を用い
ず、ビスフェノールＡなどの芳香族ジヒドロキシ化合物
とジフェニルカーボネートなどの炭酸ジエステルとを原
料に、無溶媒下、エステル交換反応によりポリカーボネ
ートを製造する方法が一部工業化されている（例えば、
特開昭６３−５１４２９号、特開平２−１５３９２５号
及び特公平６−９９５５２号公報等参照）。

【０００４】しかしながら、エステル交換反応により製
造された芳香族ポリカーボネートは、エステル交換触媒
を使用しているため、光学式ディスクなどを高温成形す
ると熱分解が加速され、ポリマー色相が悪化するなどの
欠点を有していた。この問題を克服するため、以前から
イオウ含有酸性化合物および／または該酸性化合物から
形成される誘導体が塩基性のエステル交換触媒を中和
（失活）するために使用されていた（例えば、Hermann
Schnell "Chemistry and physics of Polycarbonate" J
ohn Wiley & Sons,Inc.,P.49,2(1964)、特公昭５４−４
４３０３号及び特開平４−３２８１２４号公報等参
照）。

【０００５】一方、上記エステル交換反応によって製造
されたコンパクトディスク（以下、「ＣＤ」という）
は、その特徴として、高い負の静電荷（典型的には−
２．０ｋＶ未満）が発生することが知られている（特開
平１１−２７９３９６号公報）。この高い負の静電荷に
より、成形品は、ほこりを寄せ付け、そのようなディス
クの最終品質を落としてしまうことになる。

【０００６】また、高い静電荷により、ディスク同士が
引き付けあい、輸送工程中、たとえば射出成形機からの
移送中にディスクが互いにくっついてしまうため、ＣＤ
製造を停止したりその歩留まりが落ちたりするという状
況に至ることにもなる。さらに、色素塗布時の濡れ性増
加により、色素塗布不良も発生していた。そのため、書
き換え可能な基板をディスク表面にスピンコートするＣ
Ｄ用途の場合、書き換え可能な層の均一な湿潤のために
は、低い負の静電荷ないしは正の静電荷が必要であっ
た。

【０００７】上記問題を解決するべく、エステル交換反
応によって製造された芳香族ポリカーボネートから得ら
れ、ＣＤ作成時の高い負の静電荷を抑制する手法が開示
されている。例えば、特開昭６２−２０７３５８号及び
特開平１１−２７９３９６号公報では、芳香族ポリカー
ボネートに帯電防止剤を添加している。また、米国特許
６，０２２，９４３号では、芳香族ジヒドロキシ化合物
に対する炭酸ジエステルのモル比を通常より高く設定す
ることなどにより、末端ＯＨ基を全ての末端基に対して
１０モル％以下に低減させようという試みがなされてい
た。

【０００８】しかしながら、帯電防止剤の添加効果はほ
とんどなく、また末端ＯＨ基を低減させても問題解決に
は至らず、根本的な解決手法が強く望まれていた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上記
のような従来技術に伴う問題点を解決しようとするもの
であり、耐静電気性が改良され、また色素塗布性が向上
し、さらに色相や耐湿熱性も良好な芳香族ポリカーボネ
ートを提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者は耐静電気性が
改良され、また色素塗布性が向上し、さらに色相や耐湿
熱性も良好な芳香族ポリカーボネートを見い出すべく鋭
意検討したところ、特定の酸性化合物を特定量含有した
芳香族ポリカーボネートが、耐静電気性が改良され、ま
た色素塗布性が向上し、さらに色相や耐湿熱性も良好な
ものが得られることを見い出し、本発明を完成するに至
った。

【００１１】すなわち、本発明は、芳香族ジヒドロキシ
化合物と炭酸ジエステルとのエステル交換反応によって
得られる芳香族ポリカーボネートであって、ｐＫａ値が
２以下である非イオウ系酸性化合物を芳香族ポリカーボ
ネートに対して、０．１〜２０重量ｐｐｍ含有すること
を特徴とする芳香族ポリカーボネートに関する。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明について具体的に説
明する。本発明の芳香族ポリカーボネートは、原料とし
て芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを用
い、エステル交換触媒の存在下、エステル交換反応によ
って得ることができる。

【００１３】本発明で用いられる芳香族ジヒドロキシ化
合物は、通常、下記の一般式（１）で表される。

【００１４】

【化１】

【００１５】（式中、Ｗは単結合、炭素数１〜８のアル
キレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜
１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロア
ルキリデン基又は、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯ−，−ＳＯ
−，−ＳＯ₂−で示される２価の基からなる群から選ば
れるものであり、Ｙ及びＺは、ハロゲン又は炭素数１〜
６の炭化水素基であり、ｐ及びｑは０〜２の整数であ
り、ＹとＺ、ｐとｑは、いずれも、同一であっても異な
っていてもよい。） 上記一般式（１）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物
としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシジフェニル）
メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェ
ニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−
ｔ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、２，
２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニ
ル）プロパン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジ
ヒドロキシビフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフ
ィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）ケトン等が例示されるが、
特に好ましくは、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン（以下、「ビスフェノールＡ」と略す）が
挙げられる。これらの芳香族ジヒドロキシ化合物は単独
でも、２種以上を混合してもよい。

【００１６】本発明で使用される炭酸ジエステルは下記
の一般式（２）で表される。（式中Ａ及びＡ’は炭素数
１〜１８の置換してもよい脂肪族基、又は芳香族基もし
くは置換芳香族基であり、同一であっても異なっていて
もよい。）

【００１７】

【化２】

【００１８】上記一般式（２）で表される炭酸ジエステ
ルは、例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボ
ネート、ジ−ｔ−ブチルカーボネート等の炭酸ジアルキ
ル化合物、ジフェニルカーボネート、およびジトリルカ
ーボネート等の置換ジフェニルカーボネートなどが例示
されるが、好ましくはジフェニルカーボネート、置換ジ
フェニルカーボネートであり、特にジフェニルカーボネ
ートが好ましい。これらの炭酸ジエステルは単独、ある
いは２種以上を混合してもよい。

【００１９】本発明で芳香族ポリカーボネートを製造す
るには、特に芳香族ジヒドロキシ化合物としてビスフェ
ノールＡと炭酸ジエステルとしてジフェニルカーボネー
トが用いられ、ジフェニルカーボネートはビスフェノー
ルＡ１モルに対して、１．００１〜１．３０モル、好ま
しくは１．０２〜１．２０の量で用いられることが好ま
しい。モル比が１．００１より小さくなると、製造され
た芳香族ポリカーボネートの末端ＯＨ基が増加して、ポ
リマーの熱安定性が悪化する傾向があり、また、モル比
が１．３より大きくなると、同一条件下ではエステル交
換反応の速度が低下し、所望の分子量の芳香族ポリカー
ボネートの製造が困難となる傾向がある。

【００２０】本発明において、芳香族ポリカーボネート
を得るためには、エステル交換触媒が使用される。該触
媒としてはアルカリ金属化合物及び／又はアルカリ土類
金属化合物が使用され、補助的に、塩基性ホウ素化合
物、塩基性リン化合物、塩基性アンモニウム化合物、あ
るいはアミン系化合物などの塩基性化合物を併用するこ
とも可能であるが、物性面や取り扱いの面で、アルカリ
金属化合物及び／又はアルカリ土類金属化合物が単独で
使用されることが特に好ましい。

【００２１】この触媒量としては、芳香族ジヒドロキシ
化合物１モルに対して、１×１０^-7〜９×１０^-7モルの
範囲で用いられるのが好ましく、さらに好ましくは１．
５×１０^-7〜８×１０^-7モルの範囲で、特に好ましくは
２×１０^-7〜７×１０^-7モルの範囲で用いられる。この
量より少なければ、所定の分子量、末端ヒドロキシ基量
のポリカーボネートを製造するのに必要な重合活性が得
られない傾向があり、この量より多い場合は、ポリマー
色相が悪化し、分岐が多くなりポリマーの成形性が損な
われる傾向がある。

【００２２】アルカリ金属化合物としては、例えば、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水
酸化セシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウ
ム、炭酸水素リチウム、炭酸水素セシウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、酢
酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、酢酸セシ
ウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウ
ム、ステアリン酸リチウム、ステアリン酸セシウム、水
素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、水素化
ホウ素リチウム、水素化ホウ素セシウム、フェニル化ホ
ウ素ナトリウム、フェニル化ホウ素カリウム、フェニル
化ホウ素リチウム、フェニル化ホウ素セシウム、安息香
酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウム、
安息香酸セシウム、リン酸水素２ナトリウム、リン酸水
素２カリウム、リン酸水素２リチウム、リン酸水素２セ
シウム、フェニルリン酸２ナトリウム、フェニルリン酸
２カリウム、フェニルリン酸２リチウム、フェニルリン
酸２セシウム、ナトリウム、カリウム、リチウム、セシ
ウムのアルコレート、フェノレート、ビスフェノールＡ
の２ナトリウム塩、２カリウム塩、２リチウム塩、２セ
シウム塩などが挙げられる。

【００２３】また、アルカリ土類金属化合物としては、
例えば、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マ
グネシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシウ
ム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水
素ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭
酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カルシウ
ム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチ
ウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウ
ム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ストロン
チウムなどが挙げられる。

【００２４】塩基性ホウ素化合物の具体例としては、テ
トラメチルホウ素、テトラエチルホウ素、テトラプロピ
ルホウ素、テトラブチルホウ素、トリメチルエチルホウ
素、トリメチルベンジルホウ素、トリメチルフェニルホ
ウ素、トリエチルメチルホウ素、トリエチルベンジルホ
ウ素、トリエチルフェニルホウ素、トリブチルベンジル
ホウ素、トリブチルフェニルホウ素、テトラフェニルホ
ウ素、ベンジルトリフェニルホウ素、メチルトリフェニ
ルホウ素、ブチルトリフェニルホウ素などのナトリウム
塩、カリウム塩、リチウム塩、カルシウム塩、バリウム
塩、マグネシウム塩、あるいはストロンチウム塩等が挙
げられる。

【００２５】塩基性リン化合物としては、例えば、トリ
エチルホスフィン、トリ−ｎ−プロピルホスフィン、ト
リイソプロピルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィ
ン、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、
あるいは四級ホスホニウム塩などが挙げられる。塩基性
アンモニウム化合物としては、例えば、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒ
ドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチ
ルエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジ
ルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルフェニルアン
モニウムヒドロキシド、トリエチルメチルアンモニウム
ヒドロキシド、トリエチルベンジルアンモニウムヒドロ
キシド、トリエチルフェニルアンモニウムヒドロキシ
ド、トリブチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、ト
リブチルフェニルアンモニウムヒドロキシド、テトラフ
ェニルアンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリフェニ
ルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリフェニルアン
モニウムヒドロキシド、ブチルトリフェニルアンモニウ
ムヒドロキシドなどが挙げられる。

【００２６】アミン系化合物としては、例えば、４−ア
ミノピリジン、２−アミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
−４−アミノピリジン、４−ジエチルアミノピリジン、
２−ヒドロキシピリジン、２−メトキシピリジン、４−
メトキシピリジン、２−ジメチルアミノイミダゾール、
２−メトキシイミダゾール、イミダゾール、２−メルカ
プトイミダゾール、２−メチルイミダゾール、アミノキ
ノリンなどが挙げられる。

【００２７】エステル交換反応は一般には２段階以上の
多段工程で実施される。具体的には、第１段目の反応
は、９．３×１０⁴〜１．３３×１０³Ｐａの減圧下に１
２０〜２６０℃、好ましくは１８０〜２４０℃の温度で
０．１〜５時間、好ましくは０．１〜３時間反応させ
る。ついで、反応系の減圧度を上げながら反応温度を高
め、最終的には１３３Ｐａ以下の減圧下、２４０〜３２
０℃の温度で重縮合反応を行う。反応の形式は、バッチ
式、連続式、あるいはバッチ式と連続式の組み合わせの
いずれの反応でもよく、使用する装置は、槽型、管型、
あるいは塔型のいずれの形式であってもよい。

【００２８】本発明における芳香族ポリカーボネートの
粘度平均分子量は、好ましくは１２，０００〜２０，０
００の範囲であり、さらに好ましくは、１３，０００〜
１９，０００の範囲である。粘度平均分子量が低すぎる
と強度が実用上、耐えられなくなり、高すぎると成形
性，光学的特性の点で十分な性能を得られなくなる。本
発明の芳香族ポリカーボネートは、ｐＫａ値が２以下で
ある非イオウ系酸性化合物を含有していることが必要で
ある。ここで、本発明における非イオウ系酸性化合物と
は、分子中にイオウ原子を有しない化合物のことであ
る。

【００２９】また、本発明において、このｐＫａ値は２
５℃の水中での値であり、ｐＫａ値が２以下である非イ
オウ系酸性化合物とは、具体的には、亜リン酸、ピロリ
ン酸、マレイン酸、しゅう酸、トリクロロ酢酸、ホスフ
ィン酸であり、特に好ましくは亜リン酸、ピロリン酸、
ホスフィン酸である。これらは、単独で使用しても、ま
た、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

【００３０】ｐＫａ値が２以下である非イオウ系酸性化
合物を含有する芳香族ポリカーボネートを用いて光学式
ディスク基板を製造すると、光学式ディスク基板の帯電
圧の値が−２．０ｋＶより大きな値になり、ほこりを寄
せ付けつけなくなったり、さらには、色素塗布時の濡れ
性が低下し、色素塗布不良が起こりにくくなる。さら
に、光学式ディスク基板の高温成形にもかかわらず、該
基板の色相は良好であり、耐湿熱性にも優れている。

【００３１】一方、ｐＫａ値が２を越える非イオウ系酸
性化合物を含有する芳香族ポリカーボネートを用いて光
学式ディスク基板を製造すると、ｐＫａ値が２を越える
非イオウ系酸性化合物はエステル交換触媒を中和できな
いため、光学式ディスク基板の高温成形により、該基板
の色相が悪化するので好ましくない。これら非イオウ系
酸性化合物は、製造した芳香族ポリカーボネートに対し
て０．１〜２０重量ｐｐｍ、好ましくは０．２〜１５重
量ｐｐｍ、特に好ましくは０．５〜１０重量ｐｐｍの範
囲で添加する。０．１重量ｐｐｍより少ない場合は、エ
ステル交換触媒を中和できずに、光学式ディスク基板の
高温成形により、該基板の色相が悪化し、２０重量ｐｐ
ｍより多い場合は、該基板の耐湿熱性試験後、加水分解
性白点が多数発生するので好ましくない。

【００３２】さらに、本発明の芳香族ポリカーボネート
中において、イオウ含有酸性化合物および／または該酸
性化合物から形成される誘導体を実質含まない、または
含有されている場合でも少ない方が好ましく、具体的に
は、０．１重量ｐｐｍ以下であることが好ましい。さら
に好ましくは０．０５重量ｐｐｍ以下であり、特に好ま
しくは０．０１重量ｐｐｍ以下である。

【００３３】芳香族ポリカーボネート中において、イオ
ウ含有酸性化合物および／または該酸性化合物が０．１
重量ｐｐｍを越える量含有された芳香族ポリカーボネー
トを用いて光学式ディスク基板を製造すると、光学式デ
ィスク基板の帯電圧の値が−２．０ｋＶより小さな値に
なり、ほこりを寄せ付け易いくなったり、さらに、色素
塗布時の濡れ性増加により、色素塗布不良が発生しやす
くなる。

【００３４】本発明の芳香族ポリカーボネートにより製
造した光学式ディスク基板の帯電圧は、−２〜８ｋＶの
範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは−１．５
〜７．５ｋＶの範囲であり、特に好ましくは、−１．０
〜７．０ｋＶの範囲である。これに加えて、該光学式デ
ィスク基板の水滴接触角が７８度以上であることが好ま
しく、さらに好ましくは８０度以上、特に好ましくは、
８２度以上である。光学式ディスク基板の水滴接触角が
７８度以上になると、色素塗布時の濡れ性が低下し、色
素塗布不良が起こりにくくなり、反対に小さくなると、
色素塗布時の濡れ性増加により、色素塗布不良が発生し
やすくなる傾向がある。

【００３５】前記非イオウ系酸性化合物を添加する時期
としては、重縮合反応後であれば、いつでもよく、添加
方法にも特別な制限はなく、非イオウ系酸性化合物の性
状や所望の条件に応じて、直接添加する方法、適当な溶
媒に溶解して添加する方法、或いはペレットやフレーク
状のマスターバッチを使用する方法等のいずれの方法で
も良い。

【００３６】本発明の芳香族ポリカーボネートには、本
発明の効果を損なわない範囲で、安定剤、紫外線吸収
剤、離型剤、着色剤等の添加剤を添加してもよい。

【００３７】

【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明を説明
する。なお、以下の実施例において得られた芳香族ポリ
カーボネートの物性及び評価は以下のようにして測定し
た。 （１）粘度平均分子量（Ｍｖ）：６ｇ／ｌの塩化メチレ
ン溶液をウベローデ粘度計を用い固有粘度を測定し、次
式により粘度平均分子量を求めた。

【００３８】

【数１】［η］＝１．２３×１０^-4（Ｍｖ）^0.83 （２）帯電圧（単位：ｋＶ）：製造した芳香族ポリカー
ボネートを射出成形（成形温度：３３０℃、金型温度：
８０℃）し、光ディスク基板（基板サイズ：１３０ｍｍ
φ、厚み０．６ｍｍ）を得た後、成形直後の帯電圧をミ
ーチ９８０静電場計（ミーチ社製）を用い、基板から
５．０ｃｍの距離のところで測定した。

【００３９】（３）水滴接触角（単位：度）：（２）と
同様に、成形直後の光ディスク基板の表面に超純水を滴
下し、接触角計（液適法：協和科学株式会社製）によ
り、その液滴の半径ｒ、高さｈを測定し接触角θを計算
した。

【００４０】

【数２】θ＝２×ｔａｎ^-1（ｈ／ｒ） （４）色相：前記（２）で得られた光ディスク基板につ
いて、カラーテスター（スガ試験機株式会社製ＳＣ−１
−ＣＨ）で、色の絶対値である三刺激値ＸＹＺを測定
し、次の関係式により黄色度の指標であるＹＩ値を計算
した。

【００４１】

【数３】ＹＩ＝（１００／Ｙ）×（１．２８×Ｘ−１．
０６×Ｚ） このＹＩ値が大きいほど着色していることを示す。 （５）湿熱試験後の加水分解性白点数：前記（２）で得
られた光ディスク基板について、１２０℃、１００％Ｒ
Ｈ、２４時間の湿熱試験を行った後、光ディスク基板上
の加水分解性白点数を測定した。加水分解性白点数が多
いほど、耐湿熱性に劣ることを示す。

【００４２】［実施例１］コンデンサーを具備したステ
ンレス製２０リットルの竪型攪拌反応装置にビスフェノ
ールＡ２２８３ｇ（１０．０モル）、ジフェニルカーボ
ネート２２９０ｇ（１０．７モル）、触媒として０．０
１Ｎ水酸化ナトリウム０．７ｍｌ（ビスフェノールＡ１
モルに対して７×１０^-6モル）を仕込み窒素置換を行っ
た。この混合物を２２０℃で４０分かけて原料モノマー
を溶融した後、２２０℃／１．３３×１０⁴Ｐａで６０
分、２４０℃／２．００×１０³Ｐａで６０分、２７０
℃／６６．７Ｐａで６０分間反応を行った後に、さらに
ｐＫａ１．５（水中、２５℃）の亜リン酸を非イオウ系
酸性化合物として芳香族ポリカーボネートに対して２重
量ｐｐｍ添加し反応を終了させた。その結果、粘度平均
分子量１５，４００の芳香族ポリカーボネートが得ら
れ、カッターで切断してペレットとした。

【００４３】得られた芳香族ポリカーボネートの粘度平
均分子量（Ｍｖ）および該樹脂を光ディスク基板に射出
成形した後測定した帯電圧と水滴接触角の値を表１に、
また光ディスク基板の色相及び湿熱試験後の加水分解性
白点数を表１に示す。 ［実施例２］実施例１において、亜リン酸を６重量ｐｐ
ｍ添加した他は、実施例１と同様にして芳香族ポリカー
ボネートを得た。

【００４４】得られた芳香族ポリカーボネートの粘度平
均分子量（Ｍｖ）および該樹脂を光ディスク基板に射出
成形した後測定した帯電圧と水滴接触角の値を表１に、
また光ディスク基板の色相及び湿熱試験後の加水分解性
白点数を表１に示す。 ［実施例３］実施例１において、亜リン酸に代えてｐＫ
ａ０．８（水中、２５℃）のピロリン酸を２重量ｐｐｍ
添加した他は、実施例１と同様にして芳香族ポリカーボ
ネートを得た。

【００４５】得られた芳香族ポリカーボネートの粘度平
均分子量（Ｍｖ）および該樹脂を光ディスク基板に射出
成形した後測定した帯電圧と水滴接触角の値を表１に、
また光ディスク基板の色相及び湿熱試験後の加水分解性
白点数を表１に示す。 ［実施例４］実施例１において、亜リン酸に代えてｐＫ
ａ１．２（水中、２５℃）のホスフィン酸を２重量ｐｐ
ｍ添加した他は、実施例１と同様にして芳香族ポリカー
ボネートを得た。

【００４６】得られた芳香族ポリカーボネートの粘度平
均分子量（Ｍｖ）および該樹脂を光ディスク基板に射出
成形した後測定した帯電圧と水滴接触角の値を表１に、
また光ディスク基板の色相及び湿熱試験後の加水分解性
白点数を表１に示す。 ［比較例１］実施例１において、亜リン酸を添加しない
他は、実施例１と同様にして芳香族ポリカーボネートを
得た。

【００４７】得られた芳香族ポリカーボネートの粘度平
均分子量（Ｍｖ）および該樹脂を光ディスク基板に射出
成形した後測定した帯電圧と水滴接触角の値を表１に、
また光ディスク基板の色相及び湿熱試験後の加水分解性
白点数を表１に示す。 ［比較例２］実施例１において、亜リン酸を２５重量ｐ
ｐｍ添加した他は、実施例１と同様にして芳香族ポリカ
ーボネートを得た。

【００４８】得られた芳香族ポリカーボネートの粘度平
均分子量（Ｍｖ）および該樹脂を光ディスク基板に射出
成形した後測定した帯電圧と水滴接触角の値を表１に、
また光ディスク基板の色相及び湿熱試験後の加水分解性
白点数を表１に示す。 ［比較例３］実施例１において、亜リン酸に代えてｐＫ
ａ４．２（水中、２５℃）の安息香酸を６重量ｐｐｍ添
加した他は、実施例１と同様にして芳香族ポリカーボネ
ートを得た。

【００４９】得られた芳香族ポリカーボネートの粘度平
均分子量（Ｍｖ）および該樹脂を光ディスク基板に射出
成形した後測定した帯電圧と水滴接触角の値を表１に、
また光ディスク基板の色相及び湿熱試験後の加水分解性
白点数を表１に示す。 ［比較例４］実施例１において、亜リン酸に代えてｐＫ
ａ１．２（水中、２５℃）のｐ−トルエンスルホン酸を
６重量ｐｐｍ添加した他は、実施例１と同様にして芳香
族ポリカーボネートを得た。

【００５０】得られた芳香族ポリカーボネートの粘度平
均分子量（Ｍｖ）および該樹脂を光ディスク基板に射出
成形した後測定した帯電圧と水滴接触角の値を表１に、
また光ディスク基板の色相及び湿熱試験後の加水分解性
白点数を表１に示す。 ［比較例５］実施例１において、亜リン酸に代えてｐＫ
ａ１．２（水中、２５℃）のｐ−トルエンスルホン酸ブ
チルを６重量ｐｐｍ添加した他は、実施例１と同様にし
て芳香族ポリカーボネートを得た。

【００５１】得られた芳香族ポリカーボネートの粘度平
均分子量（Ｍｖ）および該樹脂を光ディスク基板に射出
成形した後測定した帯電圧と水滴接触角の値を表１に、
また光ディスク基板の色相及び湿熱試験後の加水分解性
白点数を表１に示す。

【００５２】

【表１】

【００５３】

【発明の効果】本発明の芳香族ポリカーボネートを用い
た光学式ディスク基板は、耐静電気性が改良され、また
色素塗布性の向上し、さらに色相や耐湿熱性に優れてい
る。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
   テルとのエステル交換反応によって得られる芳香族ポリ
   カーボネートであって、ｐＫａ値が２以下である非イオ
   ウ系酸性化合物を芳香族ポリカーボネートに対して、
   ０．１〜２０重量ｐｐｍ含有することを特徴とする芳香
   族ポリカーボネート。
2. 【請求項２】 前記芳香族ポリカーボネート中におい
   て、イオウ含有酸性化合物および／または該酸性化合物
   から形成される誘導体を実質的に含まないか、又は０．
   １重量ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１記載
   の芳香族ポリカーボネート。
3. 【請求項３】 前記芳香族ポリカーボネートの粘度平均
   分子量が１２，０００〜２０，０００であることを特徴
   とする請求項１又は２記載の芳香族ポリカーボネート。