JP2002270408A - チップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法 - Google Patents
チップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な溶断特性が得られるとともに、抵抗器
として良好な抵抗温度係数等の電気的特性が得られるチ
ップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 抵抗体膜１５にヒューズ素子としての溶
断部１７を形成したチップ型ヒューズ抵抗器において、
抵抗体膜１５は銀・パラジウム二元系の抵抗ペーストに
より形成されたものである。
として良好な抵抗温度係数等の電気的特性が得られるチ
ップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 抵抗体膜１５にヒューズ素子としての溶
断部１７を形成したチップ型ヒューズ抵抗器において、
抵抗体膜１５は銀・パラジウム二元系の抵抗ペーストに
より形成されたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗体膜パターン
に狭隘部を形成し、該狭隘部を負荷集中部（溶断部）と
して用いるチップ型ヒューズ抵抗器に関する。
に狭隘部を形成し、該狭隘部を負荷集中部（溶断部）と
して用いるチップ型ヒューズ抵抗器に関する。
【０００２】
【従来の技術】チップ型ヒューズ抵抗器は、その外観構
造はチップ抵抗器と同様であり、表面実装に好適な構造
を備えている。そして、通常の使用時には抵抗素子とし
て機能するが、過電流が流れると上記溶断部が溶断する
ことで、回路の損傷を防止するヒューズとしての機能を
備えている。図４は、チップ型ヒューズ抵抗器の構造を
示す。チップ型ヒューズ抵抗器は、アルミナ等の絶縁基
板１１の上面両端部に電極１３が配置され、抵抗体膜１
５が電極間にまたがるように配置されている。抵抗体膜
１５には切込み部が設けられ、その切込み部間が狭隘部
となり、電流負荷が集中する溶断部１７となる。従っ
て、所定の過大電流が流れると、この溶断部１７が溶断
することでヒューズ素子として機能する。抵抗体膜１５
にはガラス及び／又は樹脂の保護膜２１が被覆され、電
極１３を被覆する外部電極としてめっき電極２３が設け
られていることもチップ抵抗器と同様である。
造はチップ抵抗器と同様であり、表面実装に好適な構造
を備えている。そして、通常の使用時には抵抗素子とし
て機能するが、過電流が流れると上記溶断部が溶断する
ことで、回路の損傷を防止するヒューズとしての機能を
備えている。図４は、チップ型ヒューズ抵抗器の構造を
示す。チップ型ヒューズ抵抗器は、アルミナ等の絶縁基
板１１の上面両端部に電極１３が配置され、抵抗体膜１
５が電極間にまたがるように配置されている。抵抗体膜
１５には切込み部が設けられ、その切込み部間が狭隘部
となり、電流負荷が集中する溶断部１７となる。従っ
て、所定の過大電流が流れると、この溶断部１７が溶断
することでヒューズ素子として機能する。抵抗体膜１５
にはガラス及び／又は樹脂の保護膜２１が被覆され、電
極１３を被覆する外部電極としてめっき電極２３が設け
られていることもチップ抵抗器と同様である。
【０００３】従来のチップ型ヒューズ抵抗器の製造方法
は、まず、アルミナ等の絶縁基板１１を準備し、電極１
３を形成する。次に、抵抗体ペーストパターンをスクリ
ーン印刷により形成した後に、仮乾燥して、高温で焼成
する。これにより抵抗体膜１５が形成される。ここで、
従来のチップ型ヒューズ抵抗器においては、抵抗体ペー
ストとして、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）系又はＲｕＯ
２／Ａｇ／Ｐｄ三元系ペーストが用いられるのが一般的
であった。又、従来の抵抗体パターンの形成方法とし
て、Ｎｉ−Ｐ系の金属膜を無電解めっきにより着膜する
方法もある。
は、まず、アルミナ等の絶縁基板１１を準備し、電極１
３を形成する。次に、抵抗体ペーストパターンをスクリ
ーン印刷により形成した後に、仮乾燥して、高温で焼成
する。これにより抵抗体膜１５が形成される。ここで、
従来のチップ型ヒューズ抵抗器においては、抵抗体ペー
ストとして、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）系又はＲｕＯ
２／Ａｇ／Ｐｄ三元系ペーストが用いられるのが一般的
であった。又、従来の抵抗体パターンの形成方法とし
て、Ｎｉ−Ｐ系の金属膜を無電解めっきにより着膜する
方法もある。
【０００４】そして、レーザトリミングを行い、ヒュー
ズ素子としての狭隘部（溶断部）１７を形成する。更
に、ガラス及び／又は樹脂による保護膜２１を抵抗体膜
上に被覆する。更に基板分割後に側面電極及び上下面電
極としてニッケルめっき及びはんだめっき等を施して外
部電極２３を形成し、チップ型ヒューズ抵抗器として完
成する。
ズ素子としての狭隘部（溶断部）１７を形成する。更
に、ガラス及び／又は樹脂による保護膜２１を抵抗体膜
上に被覆する。更に基板分割後に側面電極及び上下面電
極としてニッケルめっき及びはんだめっき等を施して外
部電極２３を形成し、チップ型ヒューズ抵抗器として完
成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように形成されたチップ型ヒューズ抵抗器は、その電気
的特性が必ずしも十分なものではなかった。即ち、ヒュ
ーズ抵抗器が過負荷によって溶断した後の残留抵抗値
は、なるべく高いことが好ましい。しかしながら、Ｒｕ
Ｏ２系又は、ＲｕＯ２／Ａｇ／Ｐｄ三元系のチップ型ヒ
ューズ抵抗器においては溶断後の残留抵抗値のバラツキ
が大きく、溶断後の抵抗値が必ずしも十分に高くないと
いう場合があった。又、チップ型ヒューズ抵抗器の特性
としては、その抵抗値精度及び抵抗温度係数（ＴＣＲ）
が重要であるが、Ｎｉ−Ｐ系のチップ型ヒューズ抵抗器
においては、溶断特性は良好であるが、抵抗温度係数
（ＴＣＲ）が例えば５００ｐｐｍ／℃又は１０００ｐｐ
ｍ／℃等の大きな規格値が必要であった。
ように形成されたチップ型ヒューズ抵抗器は、その電気
的特性が必ずしも十分なものではなかった。即ち、ヒュ
ーズ抵抗器が過負荷によって溶断した後の残留抵抗値
は、なるべく高いことが好ましい。しかしながら、Ｒｕ
Ｏ２系又は、ＲｕＯ２／Ａｇ／Ｐｄ三元系のチップ型ヒ
ューズ抵抗器においては溶断後の残留抵抗値のバラツキ
が大きく、溶断後の抵抗値が必ずしも十分に高くないと
いう場合があった。又、チップ型ヒューズ抵抗器の特性
としては、その抵抗値精度及び抵抗温度係数（ＴＣＲ）
が重要であるが、Ｎｉ−Ｐ系のチップ型ヒューズ抵抗器
においては、溶断特性は良好であるが、抵抗温度係数
（ＴＣＲ）が例えば５００ｐｐｍ／℃又は１０００ｐｐ
ｍ／℃等の大きな規格値が必要であった。
【０００６】本発明は上述した事情に鑑みて為されたも
ので、良好な溶断特性が得られるとともに、抵抗器とし
て良好な抵抗温度係数等の電気的特性が得られるチップ
型ヒューズ抵抗器及びその製造方法を提供することを目
的とする。
ので、良好な溶断特性が得られるとともに、抵抗器とし
て良好な抵抗温度係数等の電気的特性が得られるチップ
型ヒューズ抵抗器及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型ヒュー
ズ抵抗器は、抵抗体膜にヒューズ素子としての溶断部を
形成したチップ型ヒューズ抵抗器において、前記抵抗体
膜は導電成分が銀・パラジウム二元系の抵抗ペーストに
より形成されたものであることを特徴とする。ここで、
前記銀・パラジウム二元系の抵抗ペーストの組成比が
銀：パラジウム＝４０：６０乃至６０：４０であり、導
電材と絶縁材の組成比が、導電材：絶縁材＝９５：５乃
至６５：３５であることが好ましい。
ズ抵抗器は、抵抗体膜にヒューズ素子としての溶断部を
形成したチップ型ヒューズ抵抗器において、前記抵抗体
膜は導電成分が銀・パラジウム二元系の抵抗ペーストに
より形成されたものであることを特徴とする。ここで、
前記銀・パラジウム二元系の抵抗ペーストの組成比が
銀：パラジウム＝４０：６０乃至６０：４０であり、導
電材と絶縁材の組成比が、導電材：絶縁材＝９５：５乃
至６５：３５であることが好ましい。
【０００８】本発明のチップ型ヒューズ抵抗器の製造方
法は、絶縁基板上に導電成分が銀・パラジウム二元系の
抵抗ペーストを用いて抵抗体パターンをスクリーン印刷
により形成し、その後に高温で焼成して抵抗体膜を形成
することを特徴とする。ここで、前記銀・パラジウム二
元系の抵抗ペーストの組成比が銀：パラジウム＝４０：
６０乃至６０：４０であり、導電材と絶縁材の組成比
が、導電材：絶縁材＝９５：５乃至６５：３５であるこ
とが好ましい。
法は、絶縁基板上に導電成分が銀・パラジウム二元系の
抵抗ペーストを用いて抵抗体パターンをスクリーン印刷
により形成し、その後に高温で焼成して抵抗体膜を形成
することを特徴とする。ここで、前記銀・パラジウム二
元系の抵抗ペーストの組成比が銀：パラジウム＝４０：
６０乃至６０：４０であり、導電材と絶縁材の組成比
が、導電材：絶縁材＝９５：５乃至６５：３５であるこ
とが好ましい。
【０００９】上述した本発明によれば、抵抗体膜を導電
成分が銀・パラジウム二元系の抵抗ペーストにより形成
することで、溶断後の残留抵抗値が十分に高くなり、こ
れにより安定した溶断特性が得られる。又、上記材料を
用いることで、抵抗器としての抵抗温度係数（ＴＣＲ）
が例えば±２００ｐｐｍ／℃以下となり、極めて良好な
抵抗器としての電気的特性が得られる。
成分が銀・パラジウム二元系の抵抗ペーストにより形成
することで、溶断後の残留抵抗値が十分に高くなり、こ
れにより安定した溶断特性が得られる。又、上記材料を
用いることで、抵抗器としての抵抗温度係数（ＴＣＲ）
が例えば±２００ｐｐｍ／℃以下となり、極めて良好な
抵抗器としての電気的特性が得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１乃至図３を参照しながら説明する。
て、図１乃至図３を参照しながら説明する。
【００１１】図１は、本発明の実施の形態のチップ型ヒ
ューズ抵抗器を示す。アルミナ等の絶縁基板１１の上面
に電極１３，１３が配置され、その電極１３，１３間に
またがる抵抗体１５が配置されている。ここで電極１
３，１３は、銀又は銀・パラジウムからなる通常のチッ
プ抵抗器に採用されている厚膜導電ペーストをスクリー
ン印刷後に焼成して形成した電極である。本発明のチッ
プ型ヒューズ抵抗器においては、抵抗体１５は、その導
電成分が銀・パラジウム二元系の抵抗ペーストを用いて
スクリーン印刷により配置し、これを焼成して形成した
抵抗体である。ここで、銀・パラジウムの組成比は、
銀：パラジウム＝４０：６０乃至６０：４０程度である
ことが好ましい。ここで、Ａｇの比率が高過ぎると良好
な抵抗温度係数（ＴＣＲ）が得られない。又、Ｐｄの比
率が高過ぎるとコストアップという問題が生じる。又、
導電材と絶縁材（ガラス）との組成比は、導電材：絶縁
材＝９５：５乃至６５：３５とすることが好ましい。
ューズ抵抗器を示す。アルミナ等の絶縁基板１１の上面
に電極１３，１３が配置され、その電極１３，１３間に
またがる抵抗体１５が配置されている。ここで電極１
３，１３は、銀又は銀・パラジウムからなる通常のチッ
プ抵抗器に採用されている厚膜導電ペーストをスクリー
ン印刷後に焼成して形成した電極である。本発明のチッ
プ型ヒューズ抵抗器においては、抵抗体１５は、その導
電成分が銀・パラジウム二元系の抵抗ペーストを用いて
スクリーン印刷により配置し、これを焼成して形成した
抵抗体である。ここで、銀・パラジウムの組成比は、
銀：パラジウム＝４０：６０乃至６０：４０程度である
ことが好ましい。ここで、Ａｇの比率が高過ぎると良好
な抵抗温度係数（ＴＣＲ）が得られない。又、Ｐｄの比
率が高過ぎるとコストアップという問題が生じる。又、
導電材と絶縁材（ガラス）との組成比は、導電材：絶縁
材＝９５：５乃至６５：３５とすることが好ましい。
【００１２】抵抗体パターン１５には、その中央部に狭
隘部１７を備え、この部分が電流が集中する部分であ
り、過電流により溶断する部分である。このような狭隘
部１７は、この実施形態においては抵抗体パターンのス
クリーン印刷時に予めマスクパターンの一部として配置
しておくことにより形成される。しかしながら、この狭
隘部１７は、レーザトリミングによる切り込みによって
形成するようにしてもよい。但し、予め抵抗体パターン
のマスクとして狭隘部を設けることにより、レーザトリ
ミングの負担を軽減することができる。従って、抵抗値
の調整は狭隘部１７以外の部分に、図示するようにレー
ザトリミングの切り込み１８を設けることによって、そ
の抵抗体の抵抗値を調整することができる。これによ
り、一定幅の狭隘部が得られ溶断特性を安定化させつ
つ、精密な抵抗値調整が行える。
隘部１７を備え、この部分が電流が集中する部分であ
り、過電流により溶断する部分である。このような狭隘
部１７は、この実施形態においては抵抗体パターンのス
クリーン印刷時に予めマスクパターンの一部として配置
しておくことにより形成される。しかしながら、この狭
隘部１７は、レーザトリミングによる切り込みによって
形成するようにしてもよい。但し、予め抵抗体パターン
のマスクとして狭隘部を設けることにより、レーザトリ
ミングの負担を軽減することができる。従って、抵抗値
の調整は狭隘部１７以外の部分に、図示するようにレー
ザトリミングの切り込み１８を設けることによって、そ
の抵抗体の抵抗値を調整することができる。これによ
り、一定幅の狭隘部が得られ溶断特性を安定化させつ
つ、精密な抵抗値調整が行える。
【００１３】抵抗体パターン１５は、ガラス又は樹脂か
らなる保護膜２１により被覆されている。ここで保護膜
２１は、ガラス層及び樹脂層を各１層づつ配置した複合
層としてもよく、又ガラス層及び樹脂層をそれぞれ１層
以上配置するようにした複合保護膜としても勿論よい。
銀・パラジウム等の電極１３の上部及び基板１１の側面
及び下部にはニッケルめっき層及びハンダめっき層から
なる外部電極２３が形成されている。これにより、通常
のチップ抵抗器と同様に回路基板等に容易に表面実装す
ることが可能となる。
らなる保護膜２１により被覆されている。ここで保護膜
２１は、ガラス層及び樹脂層を各１層づつ配置した複合
層としてもよく、又ガラス層及び樹脂層をそれぞれ１層
以上配置するようにした複合保護膜としても勿論よい。
銀・パラジウム等の電極１３の上部及び基板１１の側面
及び下部にはニッケルめっき層及びハンダめっき層から
なる外部電極２３が形成されている。これにより、通常
のチップ抵抗器と同様に回路基板等に容易に表面実装す
ることが可能となる。
【００１４】図１に示すチップ型ヒューズ抵抗器は、上
述したようにチップ抵抗器と同一形状で、容易に表面実
装が可能である。そして、その抵抗値範囲も例えば０．
２Ωから数百Ω程度まで上述したように銀・パラジウム
材とガラス等の絶縁材との混合比率を調整することによ
り制御することが可能である。そして、抵抗値の許容誤
差はレーザトリミングを用いることにより所要範囲に制
御可能である。係るチップ型ヒューズ抵抗器において
は、例えば２〜３Ｗ以上の電力を連続的に供給すること
により、溶断部１７が例えば最大６０秒以内に溶断す
る。即ち、このヒューズ抵抗器においては、通常の使用
時には抵抗体として機能し、異常時には溶断することに
よりその抵抗体を介して接続された回路の種々の素子の
損傷を防止する。
述したようにチップ抵抗器と同一形状で、容易に表面実
装が可能である。そして、その抵抗値範囲も例えば０．
２Ωから数百Ω程度まで上述したように銀・パラジウム
材とガラス等の絶縁材との混合比率を調整することによ
り制御することが可能である。そして、抵抗値の許容誤
差はレーザトリミングを用いることにより所要範囲に制
御可能である。係るチップ型ヒューズ抵抗器において
は、例えば２〜３Ｗ以上の電力を連続的に供給すること
により、溶断部１７が例えば最大６０秒以内に溶断す
る。即ち、このヒューズ抵抗器においては、通常の使用
時には抵抗体として機能し、異常時には溶断することに
よりその抵抗体を介して接続された回路の種々の素子の
損傷を防止する。
【００１５】図２は、溶断前後の抵抗値の比較例を示
す。ヒューズ抵抗器は、上述したように過負荷によって
溶断するが、溶断後の残留抵抗はなるべく高いことが好
ましい。
す。ヒューズ抵抗器は、上述したように過負荷によって
溶断するが、溶断後の残留抵抗はなるべく高いことが好
ましい。
【００１６】図中の○印は、本発明の実施形態を示す。
図示するように本発明の実施形態においては、抵抗体を
上述した組成の銀・パラジウム二元系ペーストを用いる
ことにより、溶断前の抵抗値（一例として１０Ω）から
溶断後の残留抵抗が１ＭΩ以上に集中している。これに
対して図中の●印は従来例１を示し、ＲｕＯ２又は、Ｒ
ｕＯ２／Ａｇ／Ｐｄ三元系のチップ型ヒューズ抵抗器に
おいては、溶断後の残留抵抗値は１ｋΩ〜１ＭΩ以上に
広い範囲でばらついている。これにより、本発明のヒュ
ーズ抵抗器においては優れた溶断特性を備えていること
が分かる。
図示するように本発明の実施形態においては、抵抗体を
上述した組成の銀・パラジウム二元系ペーストを用いる
ことにより、溶断前の抵抗値（一例として１０Ω）から
溶断後の残留抵抗が１ＭΩ以上に集中している。これに
対して図中の●印は従来例１を示し、ＲｕＯ２又は、Ｒ
ｕＯ２／Ａｇ／Ｐｄ三元系のチップ型ヒューズ抵抗器に
おいては、溶断後の残留抵抗値は１ｋΩ〜１ＭΩ以上に
広い範囲でばらついている。これにより、本発明のヒュ
ーズ抵抗器においては優れた溶断特性を備えていること
が分かる。
【００１７】又、同時に、本発明の実施形態のヒューズ
抵抗器においては、その抵抗温度係数が±２００ｐｐｍ
／℃以下に抑えられる。この特性は、抵抗体の材料とし
て、上述した組成の銀・パラジウム二元系の抵抗ペース
トを用いたことに依存していると考えられる。図中の△
印は、従来例２を示し、Ｎｉ−Ｐ系のチップ型ヒューズ
抵抗器においては、溶断特性に優れるものの、上述した
ように抵抗温度係数（ＴＣＲ）は、通常５００乃至１０
００ｐｐｍ／℃以下という範囲であった。これと比較し
て、本発明のチップ型ヒューズ抵抗器においては、この
特性が大幅に改善されていることが分かる。
抵抗器においては、その抵抗温度係数が±２００ｐｐｍ
／℃以下に抑えられる。この特性は、抵抗体の材料とし
て、上述した組成の銀・パラジウム二元系の抵抗ペース
トを用いたことに依存していると考えられる。図中の△
印は、従来例２を示し、Ｎｉ−Ｐ系のチップ型ヒューズ
抵抗器においては、溶断特性に優れるものの、上述した
ように抵抗温度係数（ＴＣＲ）は、通常５００乃至１０
００ｐｐｍ／℃以下という範囲であった。これと比較し
て、本発明のチップ型ヒューズ抵抗器においては、この
特性が大幅に改善されていることが分かる。
【００１８】図３は、本発明の実施の形態のチップ型ヒ
ューズ抵抗器の製造工程を示す。（ａ）に示すようにア
ルミナ等の絶縁基板１１を準備し、この上面に厚膜導電
ペーストを用いて電極１３をスクリーン印刷により形成
した後焼成して、電極１３を形成する。電極１３は、通
常のチップ抵抗器と同様に銀・パラジウム導電ペースト
により形成する。次に、（ｂ）に示すように、抵抗体パ
ターン１５を形成する。この抵抗体パターン１５は、電
流が集中する溶断部となる狭隘部１７を備えている。上
述したように、この抵抗体ペーストは、銀・パラジウム
二元系の抵抗ペーストを用いて形成するので、上述した
ように良好な溶断特性及び抵抗器としての電気的特性が
得られる。銀とパラジウムの組成比は、４０：６０乃至
６０：４０とすることが好ましく、導電材と絶縁材の組
成比は、９５：５乃至６５：３５とすることが好まし
い。
ューズ抵抗器の製造工程を示す。（ａ）に示すようにア
ルミナ等の絶縁基板１１を準備し、この上面に厚膜導電
ペーストを用いて電極１３をスクリーン印刷により形成
した後焼成して、電極１３を形成する。電極１３は、通
常のチップ抵抗器と同様に銀・パラジウム導電ペースト
により形成する。次に、（ｂ）に示すように、抵抗体パ
ターン１５を形成する。この抵抗体パターン１５は、電
流が集中する溶断部となる狭隘部１７を備えている。上
述したように、この抵抗体ペーストは、銀・パラジウム
二元系の抵抗ペーストを用いて形成するので、上述した
ように良好な溶断特性及び抵抗器としての電気的特性が
得られる。銀とパラジウムの組成比は、４０：６０乃至
６０：４０とすることが好ましく、導電材と絶縁材の組
成比は、９５：５乃至６５：３５とすることが好まし
い。
【００１９】そして、（ｃ）に示すように、必要に応じ
てレーザトリミングにより、抵抗値の調整を行う。ここ
にレーザトリミングの痕跡を符号１８で示す。更に、
（ｄ）に示すように、抵抗体パターン１５にガラス及び
樹脂の保護膜２１を形成し、更に基板１１の上面、側
面、下面に外部電極２３をめっき等により形成すること
でチップ抵抗器として完成する。
てレーザトリミングにより、抵抗値の調整を行う。ここ
にレーザトリミングの痕跡を符号１８で示す。更に、
（ｄ）に示すように、抵抗体パターン１５にガラス及び
樹脂の保護膜２１を形成し、更に基板１１の上面、側
面、下面に外部電極２３をめっき等により形成すること
でチップ抵抗器として完成する。
【００２０】尚、図示の例はチップ型ヒューズ抵抗器の
１個について示したが、実際にはブレーク溝を備えた多
数個取りの基板を用い、保護膜の形成工程までを同時に
形成し、これをブレークした後に上面、側面、下面に外
部電極２３を形成する工程は、通常のチップ抵抗器の製
造工程と同様である。又、保護膜の形成に当たっても、
ガラス及び樹脂の保護膜をそれぞれ１層づつ形成するよ
うにしてもよく、又複数層形成するようにしてもよい。
１個について示したが、実際にはブレーク溝を備えた多
数個取りの基板を用い、保護膜の形成工程までを同時に
形成し、これをブレークした後に上面、側面、下面に外
部電極２３を形成する工程は、通常のチップ抵抗器の製
造工程と同様である。又、保護膜の形成に当たっても、
ガラス及び樹脂の保護膜をそれぞれ１層づつ形成するよ
うにしてもよく、又複数層形成するようにしてもよい。
【００２１】
【発明の効果】総じて本発明によれば、溶断特性が良好
で且つ抵抗温度係数（ＴＣＲ）等の電気的特性に優れた
チップ型ヒューズ抵抗器を提供することが可能となる。
で且つ抵抗温度係数（ＴＣＲ）等の電気的特性に優れた
チップ型ヒューズ抵抗器を提供することが可能となる。
【図１】本発明の実施の形態のチップ型ヒューズ抵抗器
の構造例を示す上面図と断面図である。
の構造例を示す上面図と断面図である。
【図２】本発明と従来例について、ヒューズ抵抗器の溶
断前後の抵抗値特性例を示すグラフである。
断前後の抵抗値特性例を示すグラフである。
【図３】本発明の実施の形態のチップ型ヒューズ抵抗器
の製造工程例を示す上面図と断面図である。
の製造工程例を示す上面図と断面図である。
【図４】チップ型ヒューズ抵抗器の構造例を示す上面図
と断面図である。
と断面図である。
１１ 基板 １３ 電極 １５ 抵抗体パターン １７ 溶断部（電流負荷集中部） １８ レーザトリミング跡 ２１ 保護膜 ２３ 外部電極
Claims (4)
- 【請求項１】 抵抗体膜にヒューズ素子としての溶断部
を形成したチップ型ヒューズ抵抗器において、 前記抵抗体膜は銀・パラジウム二元系の抵抗ペーストに
より形成されたものであることを特徴とするチップ型ヒ
ューズ抵抗器。 - 【請求項２】 前記銀・パラジウム二元系の抵抗ペース
トの組成比が 銀：パラジウム＝４０：６０乃至６０：４０ であり、導電材と絶縁材の組成比が、 導電材：絶縁材＝９５：５乃至６５：３５ であることを特徴とする請求項１記載のチップ型ヒュー
ズ抵抗器。 - 【請求項３】 抵抗体膜に溶断部を備えたチップ型ヒュ
ーズ抵抗器の製造方法において、絶縁基板上に導電成分
が銀・パラジウム二元系の抵抗ペーストを用いて抵抗体
パターンをスクリーン印刷により形成し、その後に高温
で焼成して抵抗体膜を形成することを特徴とするチップ
型ヒューズ抵抗器の製造方法。 - 【請求項４】 前記抵抗体膜は、前記銀・パラジウム二
元系の抵抗ペーストの組成比が 銀：パラジウム＝４０：６０乃至６０：４０ であり、導電材と絶縁材の組成比が、 導電材：絶縁材＝９５：５乃至６５：３５ であることを特徴とする請求項３記載のチップ型ヒュー
ズ抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001062767A JP2002270408A (ja) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | チップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001062767A JP2002270408A (ja) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | チップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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-
2001
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