JP2002252296A - 電子部品実装基板及びその製造方法 - Google Patents

電子部品実装基板及びその製造方法

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JP2002252296A
JP2002252296A JP2001045811A JP2001045811A JP2002252296A JP 2002252296 A JP2002252296 A JP 2002252296A JP 2001045811 A JP2001045811 A JP 2001045811A JP 2001045811 A JP2001045811 A JP 2001045811A JP 2002252296 A JP2002252296 A JP 2002252296A
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electronic component
pattern
bridge
component mounting
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Takeshi Iwashita
斌 岩下
Haruhiko Makino
晴彦 牧野
Hidetoshi Kusano
英俊 草野
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路電極パターンを跨ぐ架橋構造を工夫し、
従来方式に比べて浮遊容量やリアクタンスの変動を低減
できるようにすると共に、当該基板の信頼性を向上でき
るようにする。 【解決手段】 絶縁性の担持部材22と、この担持部材
22に担持された所定の回路電極パターン13A〜13
Cと、この回路電極パターン13A〜13Cに実装され
た半導体チップ11と、この半導体チップ11に接続さ
れた端子電極15A,15Bと、この端子電極15Bに
接続されると共に、回路電極パターン15Cを立体交差
するように配置された架橋電極部23とを備え、この架
橋電極部23はメッキ及びエッチング可能な導電性の基
材の両面に所望の導電部材がメッキにより形成され、そ
の後、導電性の基材を選択エッチング除去して形成され
たものである。この構成によって、従来例に係る跨線方
法に比べて、架橋電極部23をしっかりと回路電極パタ
ーン13B、端子電極15Bに固定する構造を採ること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、NEW−TAB
(Tape Automated Bonding)技術及びUFPL(Ul
tra Fine Pattern Lead−flame)技術に関し、電子
部品に接続された回路電極パターンを跨ぐように交差す
る配線部分を含む実装基板に適用して好適な電子部品実
装基板及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、情報通信分野ではマルチメディア
の発達に伴い通信機能に加えて多種多様な機能を備えた
携帯電話機や携帯ゲーム機等が使用される場合が多くな
ってきた。これらの携帯端末装置等には通信機能や情報
検索機能などを実現する多数の電子部品や配線パターン
を実装したモールド樹脂封止基板が使用される場合が多
い。モールド樹脂封止基板に実装される半導体チップで
は、電源供給点や信号供給点などの入出力配置により、
配線パターンを跨いで端子電極に接続される場合があ
る。
【0003】この種のモールド樹脂封止基板には軽量化
及び小型化が要求されるが、従来から片面銅箔を有した
有機基板が使用されている。有機基板はガラスエポキシ
プリプレイグと呼ばれるガラス繊維布に半硬化状態のエ
ポキシ樹脂を塗布したものである。
【0004】図10は従来例に係るモールド樹脂封止基
板10の構成例を示す断面図である。図10に示すモー
ルド樹脂封止基板10はワイヤーボンディング可能な半
導体チップ1を実装したものであり、その内部に有機基
板8を有している。この有機基板8の表面には所定の回
路電極パターン3が設けられており、この回路電極パタ
ーン3上には半導体チップ1が実装されている。半導体
チップ1は一方で端子電極5Aに金線4Aにより接続さ
れ、他方で回路電極パターン3Bに金線4Bにより接続
されている。回路電極パターン3Bは回路電極パターン
3Cを跨ぐように金線4Cにより端子電極5Bに接続さ
れている。これらの回路電極パターン3A〜3C、及び
端子電極5A,5Bは片面銅箔付きの有機基板8を使用
して形成されたものである。
【0005】この製造方法によれば、まず、有機基板8
の銅箔面にレジストパターニング処理をし、図示しない
レジストをマスクにして不要な銅箔をエッチング除去す
る。その後、回路電極パターン3A〜3C及び端子電極
5A、5Bを形成する。そして、回路電極パターン3C
を跨ぐように回路電極パターン3Bと端子電極5Bとが
金線4Cにより接続される。その後、回路電極パターン
3A〜3C、半導体チップ1の全部及び端子電極5A,
5Bの一部を覆うように封止部材2により絶縁封止され
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来方式の
交差配線付きのモールド樹脂封止基板10の製造方法に
よれば、回路電極パターン3Cを跨ぐとき、この回路電
極パターン3Cの両側に回路電極パターン3Bと端子電
極5Bとを設け、この回路電極パターン3Bと端子電極
5Bとの間に金線4を接続している。このため、以下の
ような問題がある。
【0007】 封止工程時に、跨線用の金線14Cが
モールド樹脂に押されて回路電極パターン3Cの方へ近
づいてしまうおそれがあり、金線14Cと回路電極パタ
ーン3Cとの間の離隔距離が他の跨線部分や、他のモー
ルド樹脂封止基板10のその部分と比較してばらつくお
それがある。このような離隔距離の変動は浮遊容量やリ
アクタンスの変動をもたらし、高周波回路用の半導体チ
ップ搭載実装基板においてクロストークの原因となるお
それがある。
【0008】因みに金線14Cの回路部分を両面銅箔基
板の裏面の銅箔を利用して交差する方法があるが、その
場合にはスルーホールを開孔したり、その内側にメッキ
を施す等の工程増となる。このような工程増は跨線部分
の設置数が多くなるほど著しい。
【0009】 また、片面銅箔付きの有機基板8に回
路電極パターン3A〜3Cや、端子電極5A,5Bなど
を形成する際に、オーバーエッチングによって銅箔の側
面(エッチング面)が垂直に切り立つことなく、その側
面が内部にえぐれた鼓状にラインエッジが仕上がってし
まうおそれがある。これは配線パターンが微細化するほ
ど著しい。
【0010】 配線パターンの残りしろが安定せず、
表皮効果の点でインピーダンス特性にばらつきを生ずる
おそれがある。
【0011】 TAB実装方法ではテープの薄型化に
よりチップ実装後にテープのうねりが生じ、封止工程時
の位置決めが益々困難になる。
【0012】そこで、この発明はこのような従来の課題
を解決したものであって、回路電極パターンを跨ぐ架橋
構造を工夫し、従来方式に比べて浮遊容量やリアクタン
スの変動を低減できるようにすると共に、当該基板の信
頼性を向上できるようにした電子部品実装基板及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上述した課題は、少なく
とも、絶縁性の担持部材と、この担持部材に担持された
所定の回路電極パターンと、この回路電極パターンに実
装された電子部品と、この電子部品に接続された端子電
極と、この端子電極に接続されると共に、回路電極パタ
ーンを立体交差するように配置された架橋電極部とを備
え、架橋電極部はメッキ及びエッチング可能な導電性の
基材の両面に所望の導電部材がメッキにより形成され、
その後、導電性の基材を選択エッチング除去して形成さ
れたものであることを特徴とする電子部品実装基板によ
って解決される。
【0014】本発明に係る電子部品実装基板によれば、
ボンディングワイヤによって架橋する場合に比べて、架
橋電極部をしっかりと回路電極パターンに固定する構造
を採ることができ、浮遊容量やリアクタンスの変動を無
くすことができる。従って、高周波領域における伝送特
性を安定化することができる。しかも、従来方式に比べ
て接続個所が少なくなるので、信頼性を向上させること
ができる。
【0015】これにより、銅箔をエッチングして得られ
た配線パターンや端子電極よりも、ラインエッジが整っ
た高精度の回路電極パターンや、厚みの揃った端子電極
及び高さの揃った架橋電極部を有した高周波対応の電子
部品実装基板を提供することができる。また、総ての端
子電極が同一面上に配置されるので、容易に半田付けを
行うことができる。
【0016】本発明に係る電子部品実装基板の製造方法
はメッキ及びエッチング可能な導電性の基材の一方の面
に所望の導電部材をメッキして所定の回路電極パターン
を形成すると共に、その基材の他方の面に導電部材をメ
ッキして所定数の端子電極パターン及び架橋電極画定用
の各々のパターンを形成する工程と、回路電極、端子電
極及び架橋電極画定用の各々のパターンを形成された回
路電極基板上に絶縁性の担持部材を形成する工程と、こ
の回路電極、端子電極及び架橋電極画定用の各々のパタ
ーンをマスクにして回路電極基板から導電性の基材を選
択エッチング除去する工程とを含むことを特徴とするも
のである。
【0017】本発明に係る電子部品実装基板の製造方法
によれば、回路電極、端子電極及び架橋電極画定用の各
々のパターンをマスクにして回路電極基板から導電性の
基材を選択エッチングすることにより、その基材の不要
部分が取り除かれ、回路電極パターン、端子電極及び架
橋電極部を同時に素子分離することができる。しかも、
導電性の基材のエッチング残留部分によって端子電極及
び、回路電極パターンを跨ぐように立体交差する架橋電
極部を同時に形成することができる。
【0018】また、銅箔をエッチングして得られた配線
パターンや端子電極よりも、ラインエッジが整った高精
度の回路電極パターンや、厚みの揃った端子電極及び高
さの揃った架橋電極部を有した電子部品実装基板を再現
性良く製造することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】続いて、この発明に係る電子部品
実装基板及びその製造方法の一実施の形態について、図
面を参照しながら説明をする。 (1)実施形態 図1は本発明に係る実施形態としての電子部品実装基板
100の構成例を示す断面図である。この実施形態では
回路電極、端子電極及び架橋電極画定用の各々のパター
ンを形成された回路電極基板上に絶縁性の担持部材を形
成した後に、この回路電極、端子電極及び架橋電極画定
用の各々のパターンをマスクにして回路電極基板から導
電性の基材を選択エッチング除去するようにして架橋電
極部を形成し、従来方式に比べて浮遊容量やリアクタン
スの変動を低減できるようにすると共に、当該基板の信
頼性を向上できるようにしたものである。
【0020】図1に示す電子部品実装基板100は交差
配線実装基板に適用して好適であり、少なくとも、補強
部材を兼ねた絶縁性の担持部材22を有している。担持
部材22にはポリイミド樹脂膜が使用されるが、電磁波
遮蔽材料を使用してもよい。この担持部材22上には電
磁波吸収部材24が設けられている。
【0021】また、担持部材22には所定の回路電極パ
ターン13A〜13Cが担持されている。この回路電極
パターン13A下には電子部品の一例となるワイヤーボ
ンディング可能な半導体チップ11が実装されている。
電子部品はこれに限られることはなく、面接合可能なフ
リップチップ方式の半導体チップであってもよい。
【0022】半導体チップ11は回路電極パターン13
Aのマウント部に接着剤18を介在して接合されてい
る。この半導体チップ11には複数の端子電極15A,
15B等が接続されている。この半導体チップ11は一
方の側で金線14Aを介在して端子電極(外部リード)
15Aに接続されており、他方の側で金線14Bを介在
して端子電極15Bに接続されている。
【0023】電子部品実装基板100によっては数十〜
数百本の端子電極15A,15Bが設けられる。一部の
端子電極15Bには架橋電極部23が接続され、上述の
回路電極パターン13Cを立体交差するように配置され
る。架橋電極部23は橋脚部及び架橋部を有してい
る。
【0024】回路電極パターン13A〜13Cは、メッ
キ及びエッチング可能な導電性の基材の一方の面に所望
の導電部材がメッキにより形成され、架橋電極部23は
同一の基材の両面に所望の導電部材がメッキにより形成
され、その後、導電性の基材を選択エッチング除去して
同時に形成されたものである。回路電極パターン13A
〜13Cの全部、端子電極15A,15B及び架橋電極
部23の一部は電解メッキ法により形成されている。
【0025】この回路電極パターン13A〜13C、端
子電極15A,15B及び架橋電極部23の一部は少な
くとも、金、ニッケル、銅、ニッケル、金の順にメッキ
されており、端子電極15A,15B及び架橋電極部2
3は導電性の基材のエッチング残留物を芯材となされ、
この芯材の一方の面側は金、ニッケル、銅、ニッケル、
金の順にメッキされて成り、他方の面側はニッケル及び
金の順にメッキされて形成される。
【0026】このように形成すると、導電性の基材を封
止部材形成工程に至るまでの仮の基板として使用できる
他に、その導電性の基材のエッチング残留部分を使用し
た端子電極15A,15B及び架橋電極部23を構成す
ることができる。
【0027】しかも、回路電極パターン13A〜13C
のサイドエッジを垂直に切り立つように整形することが
でき、銅箔をエッチングしてパターン形成する場合に比
べてラインエッジが整った高精度の回路電極パターン1
3A〜13C及び、表皮効果に優れた配線パターンが得
られ、高周波動作に最適となる。端子電極15A,15
B及び架橋電極部23も、ある程度の高さを確保するこ
とができ、内部抵抗に低い電極を得ることができる。
【0028】この電子部品実装基板100で半導体チッ
プ11の実装領域と架橋電極部23の隙間領域及びこの
架橋電極部23と端子電極15Bとの隙間領域には絶縁
性の封止部材12が充填されている。封止部材12には
モールド樹脂が使用される。電子部品実装基板100の
外部形状は所定の射出金型にセットされ、モールド樹脂
を注入することにより成形される。
【0029】このように構成された電子部品実装基板1
00によれば、ボンディングワイヤによって架橋する場
合に比べて、架橋電極部23をしっかりと回路電極パタ
ーン13Bや端子電極15Bに固定する構造を採ること
ができる。
【0030】続いて、電子部品実装基板100の製造方
法について説明をする。図2〜図8は電子部品実装基板
100の形成例(その1〜7)を示す工程図である。
【0031】この例ではメッキ及びエッチング可能な導
電性の基材の一方の面に所望の導電部材をメッキにより
形成すると共に、その導電性の基材の片面に所望の導電
部材をメッキにより形成し、その後、その導電性の基材
を選択エッチングして除去することにより回路電極パタ
ーン13A〜13C、外部リードとなる端子電極15
A,15B及びこの回路電極パターン13Cを立体交差
する架橋電極部23を同時に形成する場合を例に挙げ
る。
【0032】また、回路電極パターン13、端子電極1
5A,15B及び架橋電極部23は導電性の基材に非メ
ッキ部材を選択的に形成した後に、その非メッキ部材を
マスクにしてその基材に所望の導電部材をメッキにより
成長させる場合を想定する。
【0033】これを前提にして、まず、メッキ及びエッ
チング可能な導電性の基材の一例となる、図2Aの断面
図に示すような板厚tの銅合金板20を準備する。銅合
金板20は通常のリードフレームと同様の素材のものを
用いるとよい。銅合金板20の板厚tは100〜200
μm程度であり、この例ではt=125μmの銅合金板
20を使用する。この銅合金板20は電子部品実装基板
100を製造する過程で仮の基板として使用されると共
に、その銅合金板20の一部が端子電極15A,15B
の心材及び架橋電極部23を構成するようになされる。
【0034】このような銅合金板20が準備できたら、
チップ用のマウント部を含む回路電極パターン13A〜
13C、所定数の端子電極15A,15B、及びブリッ
ジ状の架橋電極部23を形成するために、図2Bの平面
図において、銅合金板20の一方の面(表面)に非メッ
キ部材の一例となるレジストを写真法によりパターニン
グする。例えば、銅合金板20の一方の面にレジストを
塗布し、所定数の端子電極パターン及びマウント部を含
む回路電極パターンを焼き付けたレチクルをマスクにし
て露光する。
【0035】その後、レジストを現像した後に不要なレ
ジスト膜を除去する。これにより、銅合金板20の一方
の面に、図2Bに示す端子電極パターンP1,P5、回
路電極パターンP2、P3,P4を反転したレジストパ
ターン16を形成することができる。この端子電極パタ
ーンP1,P5によって数十〜数百本の端子電極15
A,15Bを銅合金板20から電気的に素子分離するよ
うになされる。
【0036】なお、この例では端子電極15A,15B
となる銅合金板20の側壁にはレジストが形成されな
い。これは端子電極15A,15Bとなる銅合金板20
の側壁にもメッキを成長することで、銅合金板エッチン
グ時にエッチャントの浸食を防げるからである。図2C
は図2Bに示した銅合金板20のX1−X2矢視断面図
である。図2Cにおいて、レジストパターン17は端子
電極パターンP6,P8及び架橋電極用のパターンP7
を反転したものである。
【0037】つまり、図3Aに示す銅合金板20の平面
図において、銅合金板20の他方の面(裏面)に非メッ
キ部材の一例となるレジストを写真法によりパターニン
グする。例えば、銅合金板20の一方の面にレジストを
塗布し、I字状の架橋電極用のパターン及び端子電極パ
ターンを焼き付けたレチクルをマスクにして露光する。
I字状の架橋電極用のパターンには例えば、端子電極パ
ターンに連続したものと、端子電極パターンに独立した
ものとが準備される。もちろん、どちらか一方のパター
ンであってもよい。
【0038】この例で図3Bに示す平面図において、架
橋電極画定用パターンP7は橋脚部、及び架橋部
により構成される。ここで橋脚部、を画定するパタ
ーン幅をaとし、橋脚部を画定するパターン幅をbと
すると、橋脚部、間の長さL及び銅合金板20の厚
みtにもよるが、パターン幅aに比べてパターン幅bを
狭くするように設定される。
【0039】このように設定すると、架橋電極画定用パ
ターンP7に関してレジストパターン17の広い領域と
狭い領域とが形成され、これらのパターン幅a,bに応
じた導電部材をメッキすることができる。従って、銅合
金板20にメッキされた導電部材(マスク)に面積の広
い領域と狭い領域を用意することができる。これによ
り、導電部材の選択エッチング(等芳香性しい当方エッ
チング)の際に、パターン幅bのように狭い所はそのパ
ターン幅aのように広い所に比べてサイドエッチングが
多く起こり、架橋電極画定用パターンP7下の銅がエッ
チングされてブリッジを生じるようになる。
【0040】この架橋電極画定用パターンP7下のサイ
ドエッチ量については、本発明者らの実験結果によれ
ば、板厚がt=125μmの銅合金板20で、パターン
幅がa=70μmで、b=20μmとしたとき、24μ
mのサイドエッチが観測されている。このようなパター
ンP7では左右両方からサイドエッチが進行するので、
当該パターンP7下の銅合金板20は2倍エッチングが
進行する。そこで、この部分をオーバーエッチ気味に仕
上げることにより、回路電極パターン13Cを跨ぐよう
なブリッジ状の架橋電極部23を形成することができ
る。
【0041】従って、銅合金板20の板厚をt=125
μmとしてブリッジ状の架橋電極部23を形成するに
は、パターン幅をそれぞれa=70μm以上とし、b=
20μm〜40μmとするように設定するとよい。な
お、長さLが長い場合はbを広めに設定し、長さLが短
い場合はbを細めに設計するとよい。
【0042】このような架橋電極画定用のパターンP7
が準備できたら、レジストを現像した後に不要なレジス
ト膜を除去する。これにより、銅合金板20の他方の面
に、図2Cに示したような端子電極パターンP6,P8
及び架橋電極用のパターンP7を反転したレジストパタ
ーン17を形成することができる。この端子電極パター
ンP6,P8は表面の端子電極パターンP1,P5と共
に電気的に素子分離するようになされる。
【0043】そして、図4に示す電気メッキ装置200
に銅合金板20をセットして、レジストパターン16、
17等をマスクにして銅合金板20上に所望の導電部材
をメッキにより成長する。電気メッキ装置200には周
知の電解メッキ方法が適用される。電気メッキ装置20
0はメッキ容器201の中に電解液202、1組の陽極
203A,203B、その外部に直流電源204及び電
流計205を有している。陽極203A,203Bには
所望の導電部材を用いてもよい。
【0044】メッキ母材となる銅合金板20は直流電源
204の−端子に接続され、陽極203A,203Bは
電流計205を通じて直流電源204の+端子に接続し
て使用される。電解液202は導電部材によって取り替
えるようになされる。例えば銅のメッキ時には電解液2
02として硫酸銅の水溶液が使用される。導電部材はエ
ッチングマスク兼半田付け良好な金属材料が好ましい。
この例で導電部材(メッキ部材)には金、ニッケル及び
銅が使用される。
【0045】また、レジストパターン16を形成された
銅合金板20にはニッケル、金、ニッケル、銅、ニッケ
ル、金の順にメッキがなされる。レジストパターン17
を形成された銅合金板20にはニッケル、金の順にメッ
キがなされる。このようにメッキによって導電部材を多
層化するのは回路電極パターン13A〜13Cのどちら
の面にも電子部品を接続可能とするためである。更に、
多層化によって表皮効果の良い電極を形成することがで
きる。
【0046】各々のメッキ部材におけるメッキ電流Iは
電流計205を見ながら調整し、各々のメッキ部材の厚
みを調整することにより、回路電極パターン13A〜1
3Cの全体の厚みを制御するようになされる。各々のメ
ッキ部材の厚みはメッキ電流Iを多くし、通電時間を長
くするとメッキ量を多くすることができる。銅箔パター
ンにより配線を形成する場合に比べて厚みのある回路電
極パターン13A〜13Cを形成することができる。
【0047】このようにメッキ電流Iを制御し、その
後、レジスト膜等を除去すると、図5Aに示すような銅
合金板20の一方の面に回路電極パターン13A〜13
C及び端子電極15A,15Bを形成することができ
る。銅合金板20の他方の面には図5Bに示すような端
子電極15A,15B及び架橋電極部23を形成するこ
とができる。この例では銅合金板20の側壁にもメッキ
を成長するようになされる。
【0048】この時点では回路電極パターン13A〜1
3C、端子電極15A,15B、架橋電極部23は電気
的な素子分離はなされていない。銅合金板20で短絡さ
れた状態となっている。なお、図6Aは図5Bに示すY
1−Y2矢視断面図である。以後の形成例では電子部品
実装基板100の断面の形成工程について説明する。
【0049】つまり、図6Aに示す銅合金板20の一方
の面にはその波線円内図に示すように、Ni/Au/N
i/Cu/Ni/Auを積層した回路電極パターン13
A〜13C及び端子電極15A,15Bを形成すること
ができる。銅合金板20の他方の面にはNi/Auを積
層した端子電極15A,15B及び架橋電極部23を形
成することができる。ここで回路電極パターン13A〜
13C、端子電極15A,15B及び架橋電極部23に
係るパターンがメッキされた銅合金板20を以後、回路
電極基板20’ともいう。
【0050】そして、図6Bにおいて回路電極基板2
0’上に担持部材22を形成する。担持部材22にはポ
リイミド系の絶縁樹脂を用いる。例えば、ポリイミド樹
脂の前駆体であるポリアミックス酸のペーストをスクリ
ーン印刷法により回路電極基板20’の全面に塗布し、
その後、加熱して硬化ポリイミド化することによりポリ
イミド樹脂膜を形成する。この際の加熱条件は270℃
で5分間である。その後、徐々に常温に戻すようになさ
れる。
【0051】この担持部材22は後工程における封止工
程によって、図6Bに示すように両端の端子電極15
A,15B上で止めても良い。また、図6Bの二点鎖線
に示すように両端の端子電極15A,15Bの端まで担
持部材22を形成してもよい。この担持部材22によっ
て回路電極パターン13A〜13C、端子電極15A,
15B及び架橋電極部23が裏打ちされるので、回路電
極パターン13A〜13C下の銅合金板20を除去して
も担持姿勢を保つことができる。
【0052】その後、図6Cにおいて、担持部材付きの
回路電極基板20’から、仮の基板として使用していた
銅合金板20を回路電極パターン13A〜13C、端子
電極15A,15B及び架橋電極画定パターンP7をマ
スクにして選択的にエッチング除去する。架橋電極部2
3はサイドエッチが必要なので、ややオーバ−エッチ気
味に行うようになされる。銅のエッチングにはニッケル
が犯されない薬品としてアルカリの水溶液を使用する。
【0053】例えば、銅の専用エッチャントをアンモニ
アによりペーハーを8.0乃至8.5程度に調整した水
溶液を45℃にして使用する。このエッチングにより、
不要部分の銅合金板20が除去され、マウント部を含む
回路電極パターン13A〜13C、複数の端子電極15
A,15B及びブリッジ状の架橋電極部23が電気的に
素子分離される。
【0054】この素子分離によって回路電極パターン1
3Cと架橋電極部23との間に空間部26が生じ、端子
電極15Bと架橋電極部23との間にも隙間領域が生ず
る。回路電極パターン13A〜13Cが露出する。これ
により、回路電極パターン13Cと架橋電極部23とが
構造的に分離される。この銅合金板20のエッチング終
了後、ニッケルをエッチングして金面が現れるようにす
るとよい。金面は半田ボンディングがし易くなるからで
ある。ニッケルのエッチング液には専用酸性エッチャン
トを温度35℃にして使用する。
【0055】その後、図7Aにおいて回路電極基板2
0’のマウント部を含む回路電極パターン13A下に電
子部品を実装する。この時点で回路電極パターン13A
を露出した回路電極基板20’を天地反転させ、開口部
分を上に向けるように姿勢を整えてもよい。ここでは接
着剤18を使用して回路電極パターン13Aのマウント
部に半導体チップ11をダイボンディングして接合され
る。半導体チップ11の一方のパッド電極19Aと端子
電極15Aとの間は金線14Aにより半田ボンディング
し、半導体チップ11の他方のパッド電極19Bと端子
電極15Bとを他の金線14Bにより半田ボンディング
する。
【0056】その後、半導体チップ11を実装された回
路電極基板20’に図7Bに示す絶縁性の封止部材12
を形成する。封止部材12にはエポキシ系のモールド樹
脂が使用される。この封止工程では金線14A,14B
が隠れる厚みを確保するように回路電極基板20’の内
側にモールド樹脂が封止される。ここで回路電極パター
ン13C上の隙間領域及び、端子電極15Bと架橋電極
部23との隙間領域にもモールド樹脂を充填するように
なされる。
【0057】この封止工程では金線14A,14Bは元
より架橋電極部23が隠れる厚みを確保するように、か
つ、半導体チップ11を覆うように射出金型成形装置を
使用してモールド樹脂封止をしてもよい。これにより、
図1に示したような電子部品実装基板100が完成す
る。
【0058】また、高周波対用の実装基板を形成する場
合は、図8に示すように片面のみをモールド樹脂封止す
るようにしてもよい。この場合は、担持部材22上に補
強材を兼ねる電磁波吸収部材24を形成する。電磁波吸
収部材24にはフエライト粉末や扁平金属粉を樹脂と混
合してシート状にした電磁波吸収シートや、これらの成
形品が使用される。電磁波吸収部材24は銅合金板20
のエッチング工程の前に、担持部材22に続いて先に積
層形成しておいてもよい。
【0059】このように、本発明に係る第1の実施形態
としての電子部品実装基板100によれば、ボンディン
グワイヤによって架橋する場合に比べて、架橋電極部2
3をしっかりと回路電極パターン13B及び端子電極1
5Bに固定する構造を採ることができ、浮遊容量やリア
クタンスの変動を無くすことができる。従って、高周波
領域における伝送特性を安定化することができる。しか
も、従来方式に比べて接続個所が少なくなるので、信頼
性を向上させることができる。
【0060】これにより、銅箔をエッチングして得られ
た配線パターンや端子電極よりも、ラインエッジが整っ
た高精度の回路電極パターンや、厚みの揃った端子電極
及び高さの揃った架橋電極部23を有した、ワイヤボン
ディング方式の半導体チップ実装高周波対応基板を再現
性良く製造することができる。また、総ての端子電極1
5A,15Bが同一面上に配置されるので、プリント基
板等に容易に半田付けを行うことができる。
【0061】更に、電子部品実装基板の製造方法によれ
ば、端子電極パターンP1,P5,P6,P8、回路電
極パターンP2,P3,P4及び架橋電極用のパターン
P7をマスクにして回路電極基板20’から銅合金板2
0を選択エッチングすることにより、その銅合金板20
の不要部分が取り除かれ、回路電極パターン13A〜1
3C、端子電極15A,15B及び架橋電極部23を同
時に素子分離することができる。しかも、銅合金板20
のエッチング残留部分によって端子電極15A、15B
及び、回路電極パターン13Cを跨ぐように立体交差す
る架橋電極部23を同時に形成することができる。
【0062】(2)第2の実施形態 図9は本発明に係る第2の実施形態としての電子部品実
装基板200の構成例を示す断面図である。この実施形
態では電子部品に関してワイヤーボンディング可能な半
導体チップ11に代えて面接合可能なフリップチップ方
式の半導体チップを適用したものである。
【0063】図9に示す電子部品実装基板200は交差
配線実装基板に適用して好適であり、第1の実施形態と
同様にして補強材を兼ねた絶縁性の担持部材22を有し
ている。担持部材22にはポリイミド樹脂膜が使用され
るが、電磁波遮蔽材料を使用してもよい。この担持部材
22上には電磁波吸収部材24が設けられている。
【0064】また、担持部材22には所定の回路電極パ
ターン33A〜33Dが担持されている。この回路電極
パターン33A〜33D下には電子部品の一例となるフ
リップチップ方式の半導体チップ31が実装されてい
る。半導体チップ31は複数のバンプ電極(エリアバン
プ)34A〜34E等を有している。
【0065】この半導体チップ31のバンプ電極34A
は端子電極15Aに接続され、そのバンプ電極34Bは
回路電極パターン33Aに接続され、そのバンプ電極3
4Cは回路電極パターン33Bに接続され、そのバンプ
電極34Dは回路電極パターン33Cに接続され、その
バンプ電極34Eは回路電極パターン33Dに各々接続
されている。電子部品実装基板200によっては数十〜
数百本の端子電極15A,15Bが設けられる。一部の
端子電極15Bには架橋電極部23が接続され、上述の
回路電極パターン33Cを立体交差するように配置され
る。
【0066】回路電極パターン33A〜33Dは、メッ
キ及びエッチング可能な導電性の基材の一方の面に所望
の導電部材がメッキにより形成され、架橋電極部23は
同一の基材の両面に所望の導電部材がメッキにより形成
され、その後、導電性の基材を選択エッチング除去して
同時に形成されたものである。回路電極パターン33A
〜33Dの全部、端子電極15A,15B及び架橋電極
部23の一部は電解メッキ法により形成されている。
【0067】この回路電極パターン33A〜33D、端
子電極15A,15B及び架橋電極部23の一部は金、
ニッケル、銅、ニッケル、金の順にメッキされており、
端子電極15A,15B及び架橋電極部23は導電性の
基材のエッチング残留物を芯材となされ、この芯材の一
方の面側は金、ニッケル、銅、ニッケル、金の順にメッ
キされて成り、他方の面側はニッケル、金の順にメッキ
されて形成される。
【0068】このように形成すると、導電性の基材を封
止部材形成工程に至るまでの仮の基板として使用できる
他に、その導電性の基材のエッチング残留部分を使用し
た端子電極15A,15B及び架橋電極部23を構成す
ることができる。
【0069】しかも、回路電極パターン33A〜33D
のサイドエッジを垂直に切り立つように整形することが
でき、銅箔をエッチングしてパターン形成する場合に比
べてラインエッジが整った高精度の回路電極パターン3
3A〜33D及び、表皮効果に優れた配線パターンが得
られ、高周波動作に最適となる。端子電極15A,15
B及び架橋電極部23も、ある程度の高さを確保するこ
とができ、内部抵抗に低い電極を得ることができる。
【0070】この電子部品実装基板200で半導体チッ
プ11の実装領域と架橋電極部23の隙間領域及びこの
架橋電極部23と端子電極15Bとの隙間領域には絶縁
性の封止部材12が充填されている。封止部材12には
モールド樹脂が使用される。電子部品実装基板100の
外部形状は所定の射出金型にセットされ、モールド樹脂
を注入することにより成形される。
【0071】このように、本発明に係る第2の実施形態
としての電子部品実装基板200によれば、ボンディン
グワイヤによって架橋する場合に比べて、架橋電極部2
3をしっかりと回路電極パターン33D及び端子電極1
5Bに固定する構造を採ることができ、浮遊容量やリア
クタンスの変動を無くすことができる。従って、第1の
実施形態と同様にして高周波領域における伝送特性を安
定化することができる。しかも、従来方式に比べて接続
個所が少なくなるので、信頼性を向上させることができ
る。
【0072】これにより、銅箔をエッチングして得られ
た配線パターンや端子電極よりも、ラインエッジが整っ
た高精度の回路電極パターン33A〜33Dや、厚みの
揃った端子電極15A,15B及び高さの揃った架橋電
極部23を有した、フリップチップ方式の半導体チップ
実装高周波対応基板を再現性良く製造することができ
る。また、総ての端子電極15A,15Bが同一面上に
配置されるので、第1の実施形態と同様にしてプリント
基板等に容易に半田付けを行うことができる。
【0073】更に、電子部品実装基板の製造方法によれ
ば、所望の導電部材から成る端子電極パターン、回路電
極パターン及び架橋電極用の各々のパターンをマスクに
して回路電極基板から銅合金板を選択エッチングするこ
とにより、その銅合金板の不要部分が取り除かれ、回路
電極パターン33A〜33D、端子電極15A,15B
及び架橋電極部23を同時に素子分離することができ
る。しかも、第1の実施形態と同様にして銅合金板のエ
ッチング残留部分によって端子電極15A、15B及
び、回路電極パターン33Dを跨ぐように立体交差する
架橋電極部23を同時に形成することができる。
【0074】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電子
部品実装基板によれば、回路電極パターンを立体交差す
るように配置された架橋電極部を備え、この架橋電極部
はメッキ及びエッチング可能な導電性の基材の両面に所
望の導電部材がメッキにより形成され、その後、この導
電性の基材を選択エッチング除去して形成されたもので
ある。
【0075】この構成によって、ボンディングワイヤに
よって架橋する場合に比べて、架橋電極部をしっかりと
回路電極パターンに固定する構造を採ることができ、浮
遊容量やリアクタンスの変動を無くすことができる。従
って、高周波領域における伝送特性を安定化することが
できる。また、従来方式に比べて接続個所が少なくなる
ので、信頼性を向上させることができる。
【0076】これにより、銅箔をエッチングして得られ
た配線パターンや端子電極よりも、ラインエッジが整っ
た高精度の回路電極パターンや、厚みの揃った端子電極
及び高さの揃った架橋電極部を有した高周波対応の電子
部品実装基板を提供することができる。また、総ての端
子電極が同一面上に配置されるので、容易に半田付けを
行うことができる。
【0077】本発明に係る電子部品実装基板の製造方法
によれば、回路電極、端子電極及び架橋電極画定用の各
々のパターンを形成された回路電極基板上に絶縁性の担
持部材を形成した後に、この回路電極、端子電極及び架
橋電極画定用の各々のパターンをマスクにして回路電極
基板から導電性の基材を選択エッチング除去するように
なされる。
【0078】この構成によって、回路電極パターン、端
子電極及び架橋電極部を同時に素子分離することができ
る。しかも、導電性の基材のエッチング残留部分によっ
て端子電極及び、回路電極パターンを跨ぐように立体交
差する架橋電極部を同時に形成することができる。
【0079】また、銅箔をエッチングして得られた配線
パターンや端子電極よりも、ラインエッジが整った高精
度の回路電極パターンや、厚みの揃った端子電極及び高
さの揃った架橋電極部を有した電子部品実装基板を再現
性良く製造することができる。この発明は電子部品に接
続された回路電極パターンを跨ぐように交差する配線部
分を含む実装基板に適用して極めて好適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る第1の実施形態としての電子部品
実装基板100の構成例を示す断面図である。
【図2】A〜Cは電子部品実装基板100の形成例(そ
の1)を示す工程図である。
【図3】A及びBは電子部品実装基板100の形成例
(その2)を示す平面図及び架橋電極用のパターンP7
のイメージ図である。
【図4】電子部品実装基板100の形成例(その3)を
示す電気メッキ装置の断面のイメージ図である。
【図5】A及びBは電子部品実装基板100の形成例
(その4)を示す銅合金板20の表裏のメッキ例に係る
平面図である。
【図6】A〜Cは電子部品実装基板100の形成例(そ
の5)を示す工程図である。
【図7】A及びBは電子部品実装基板100の形成例
(その6)を示す工程図である。
【図8】電子部品実装基板100の形成例(その7)を
示す工程図である。
【図9】本発明に係る第2の実施形態としての電子部品
実装基板200の構成例を示す断面図である。
【図10】従来例に係るモールド樹脂封止基板10の構
成例を示す断面図である。
【符号の説明】
11・・・半導体チップ、12・・・封止部材、13A
〜13C,33A〜33E・・・回路電極パターン、1
4A,14B・・・金線、15A,15B・・・端子電
極、16,17・・・レジストパターン、20・・・銅
合金板、22・・・担持部材、23・・・架橋電極部、
24・・・電磁波吸収部材、34A〜34E・・・バン
プ電極、100,200・・・電子部品実装基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 草野 英俊 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも、絶縁性の担持部材と、 前記担持部材に担持された所定の回路電極パターンと、 前記回路電極パターンに実装された電子部品と、 前記電子部品に接続された端子電極と、 前記端子電極に接続されると共に、前記回路電極パター
    ンを立体交差するように配置された架橋電極部とを備
    え、 前記架橋電極部は、 メッキ及びエッチング可能な導電性の基材の両面に所望
    の導電部材がメッキにより形成され、その後、前記導電
    性の基材を選択エッチング除去して形成されたものであ
    ることを特徴とする電子部品実装基板。
  2. 【請求項2】 前記電子部品の実装領域及び前記架橋電
    極部の隙間領域に絶縁性の封止部材を充填されて成るこ
    とを特徴とする請求項1に記載の電子部品実装基板。
  3. 【請求項3】 前記端子電極の一部及び回路電極パター
    ンの全部は電解メッキ法により形成されて成ることを特
    徴とする請求項1に記載の電子部品実装基板。
  4. 【請求項4】 前記回路電極パターンは少なくとも金、
    ニッケル、銅、ニッケル、金の順にメッキされて成るこ
    とを特徴とする請求項1に記載の電子部品実装基板。
  5. 【請求項5】 前記端子電極及び架橋電極部は、 前記導電性の基材のエッチング残留物を芯材となされ、 前記芯材の一方の面側は金、ニッケル、銅、ニッケル、
    金の順にメッキされて成り、他方の面側はニッケル及び
    金の順にメッキされて成ることを特徴とする請求項1に
    記載の電子部品実装基板。
  6. 【請求項6】 前記担持部材には電磁波遮蔽材料が使用
    されることを特徴とする請求項1に記載の電子部品実装
    基板。
  7. 【請求項7】 前記担持部材は補強部材を兼ねることを
    特徴とする請求項1に記載の電子部品実装基板。
  8. 【請求項8】 前記担持部材上に電磁波吸収部材を備え
    て成ることを特徴とする請求項1に記載の電子部品実装
    基板。
  9. 【請求項9】 前記架橋電極部は橋脚部及び架橋部を有
    しており、 前記橋脚部を画定するパターン幅に比べてその架橋部を
    画定するパターン幅を狭くするように架橋電極画定用の
    パターンが設定されることを特徴とする請求項1に記載
    の電子部品実装基板。
  10. 【請求項10】 前記電子部品はワイヤーボンディング
    可能な半導体チップであることを特徴とする請求項1に
    記載の電子部品実装基板。
  11. 【請求項11】 前記電子部品は面接合可能なフリップ
    チップ方式の半導体チップであることを特徴とする請求
    項1に記載の電子部品実装基板。
  12. 【請求項12】 メッキ及びエッチング可能な導電性の
    基材の一方の面に所望の導電部材をメッキして所定の回
    路電極パターンを形成すると共に、該基材の他方の面に
    前記導電部材をメッキして所定数の端子電極パターン及
    び架橋電極画定用の各々のパターンを形成する工程と、 前記回路電極、端子電極及び架橋電極画定用の各々のパ
    ターンを形成された回路電極基板上に絶縁性の担持部材
    を形成する工程と、 前記回路電極、端子電極及び架橋電極画定用の各々のパ
    ターンをマスクにして前記回路電極基板から前記導電性
    の基材を選択エッチング除去する工程とを含むことを特
    徴とする電子部品実装基板の製造方法。
  13. 【請求項13】 前記導電性の基材に非メッキ部材を選
    択的に形成した後に、前記非メッキ部材をマスクにして
    前記基板に導電部材をメッキすることにより前記回路電
    極、端子電極及び架橋電極画定用の各々のパターンを形
    成することを特徴とする請求項12に記載の電子部品実
    装基板の製造方法。
  14. 【請求項14】 前記回路電極、端子電極及び架橋電極
    画定用の各々のパターンは電解メッキ法により形成し、
    該メッキ電流を調整して前記回路電極、端子電極及び架
    橋電極画定用の各々のパターンの厚みを制御することを
    特徴とする請求項12に記載の電子部品実装基板の製造
    方法。
  15. 【請求項15】 前記導電性の基材の一方の面にニッケ
    ル、金、ニッケル、銅、ニッケル及び金の順にメッキす
    ることにより前記回路電極パターン及び一方の面側の端
    子電極パターンを形成することを特徴とする請求項12
    に記載の電子部品実装基板の製造方法。
  16. 【請求項16】 前記導電性の基材の他方の面にニッケ
    ル及び金の順にメッキすることにより他方の面側の端子
    電極パターン及び架橋電極画定用のパターンを形成する
    ことを特徴とする請求項12に記載の電子部品実装基板
    の製造方法。
  17. 【請求項17】 前記架橋電極画定用のパターンをマス
    クにして前記回路電極基板から前記導電性の基材を選択
    的に除去することにより、前記回路電極パターンの一部
    を跨ぐように立体交差する架橋電極部を形成することを
    特徴とする請求項12に記載の電子部品実装基板の製造
    方法。
  18. 【請求項18】 前記架橋電極部に関して橋脚部及び架
    橋部により構成する場合であって、 前記架橋電極画定用のパターンは、 前記橋脚部を画定するパターン幅に比べてその架橋部を
    画定するパターン幅を狭くすることを特徴とする請求項
    17に記載の電子部品実装基板の製造方法。
  19. 【請求項19】 前記担持部材には電磁波遮蔽材料が使
    用されることを特徴とする請求項12に記載の電子部品
    実装基板の製造方法。
  20. 【請求項20】 前記導電性の基材を除去した後に、 前記回路電極パターン上に電子部品を実装することを特
    徴とする請求項12に記載の電子部品実装基板の製造方
    法。
  21. 【請求項21】 前記電子部品はワイヤーボンディング
    可能な半導体チップであることを特徴とする請求項12
    に記載の電子部品実装基板の製造方法。
  22. 【請求項22】 前記電子部品は面接合可能なフリップ
    チップ方式の半導体チップであることを特徴とする請求
    項12に記載の電子部品実装基板の製造方法。
  23. 【請求項23】 前記電子部品を実装された電子部品実
    装部材の隙間領域に絶縁性の封止部材を充填することを
    特徴とする請求項12に記載の電子部品実装基板の製造
    方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100096513A (ko) * 2009-02-24 2010-09-02 삼성테크윈 주식회사 반도체 칩을 내장하는 반도체 패키지와, 이를 제조하는 방법
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