JP2002249455A - 高純度ハフニウム錯体Ｈｆ（ＤＰＭ）４の製造方法 - Google Patents
高純度ハフニウム錯体Ｈｆ（ＤＰＭ）４の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ法によるハフニウム含有金属酸化物膜
を形成するための原料として、ハフニウム錯体Ｈf(ＤＰ
Ｍ)4を超高純度で再現性良く製造する方法の提供。 【解決手段】 不活性ガス雰囲気下、精製・脱水した有
機溶媒中に塩化ハフニウムとジピバロイルメタンを入
れ、加熱還流して直接反応せしめると共に溶液を濃縮
し、次いで濃縮した溶液を冷却して、得られる結晶を再
結晶によって十分精製することによって、金属不純物含
有量が０.０１ｗt.ｐｐｍ以下であり、純度が９９.９９
９９９ｗt.％以上であるＨf(ＤＰＭ)4の構造式で表され
る高純度ハフニウム錯体の製造方法。
を形成するための原料として、ハフニウム錯体Ｈf(ＤＰ
Ｍ)4を超高純度で再現性良く製造する方法の提供。 【解決手段】 不活性ガス雰囲気下、精製・脱水した有
機溶媒中に塩化ハフニウムとジピバロイルメタンを入
れ、加熱還流して直接反応せしめると共に溶液を濃縮
し、次いで濃縮した溶液を冷却して、得られる結晶を再
結晶によって十分精製することによって、金属不純物含
有量が０.０１ｗt.ｐｐｍ以下であり、純度が９９.９９
９９９ｗt.％以上であるＨf(ＤＰＭ)4の構造式で表され
る高純度ハフニウム錯体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野 】本発明は、宇宙船等の耐熱
素材として使用される超耐環境性先進材料であり、又、
ＬＳＩや光ＩＣの製造等においては、次世代高誘電体ゲ
ート絶縁膜（ＨfＯ2）用として注目されているハフニウ
ム（Ｈf）を含む金属酸化物薄膜を、化学気相析出法
（Ｃhemical Ｖapor Ｄeposition、以下「ＣＶＤ法」と
いう。）によって作製するための原料として有用であ
り、従来にない超高純度なハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4
の製造方法に関する。
素材として使用される超耐環境性先進材料であり、又、
ＬＳＩや光ＩＣの製造等においては、次世代高誘電体ゲ
ート絶縁膜（ＨfＯ2）用として注目されているハフニウ
ム（Ｈf）を含む金属酸化物薄膜を、化学気相析出法
（Ｃhemical Ｖapor Ｄeposition、以下「ＣＶＤ法」と
いう。）によって作製するための原料として有用であ
り、従来にない超高純度なハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高誘電体ゲート絶縁膜としてシリ
コン酸化膜が使用されてきた。そして、近時、通信機器
等の小型化・軽量化に伴い、半導体集積回路の高集積化
が企図され、シリコン酸化膜の薄膜化が進んできた。然
るに、シリコン酸化膜の薄膜化に伴い、薄膜中にトンネ
ル電流が流れて絶縁効果が低下し、シリコン酸化膜での
これ以上の薄膜化は限界となっている。そこで、シリコ
ン酸化膜に代わる次世代高誘電体ゲート絶縁膜の実現が
望まれ、開発が活発化しており、その成膜材料としてハ
フニウム（Ｈf）が注目されている。
コン酸化膜が使用されてきた。そして、近時、通信機器
等の小型化・軽量化に伴い、半導体集積回路の高集積化
が企図され、シリコン酸化膜の薄膜化が進んできた。然
るに、シリコン酸化膜の薄膜化に伴い、薄膜中にトンネ
ル電流が流れて絶縁効果が低下し、シリコン酸化膜での
これ以上の薄膜化は限界となっている。そこで、シリコ
ン酸化膜に代わる次世代高誘電体ゲート絶縁膜の実現が
望まれ、開発が活発化しており、その成膜材料としてハ
フニウム（Ｈf）が注目されている。
【０００３】本発明の対象とするＨf(ＤＰＭ)4（但し、
ＤＰＭ＝(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3；ジピバ
ロイルメタン）は、ハフニウムを含有する化合物や錯体
の中でも大気中に安定であり、優れた蒸気圧特性を有し
ていることから、ＣＶＤ法による薄膜形成用原料として
適している。ただ次世代高誘電体ゲート絶縁膜では膜厚
が数ｎｍと極薄膜が要求されているため、原料中に微量
でも不純物が混入していると、薄膜の電気的特性が低下
し、ゲート絶縁膜としての機能を果たさなくなる。これ
は半導体デバイス製造工程での歩留まりの低下につなが
り、半導体デバイスメーカーにとっては非常に重要な問
題である。そこで、この原料を供給する原料メーカーに
おいては、ＣＶＤ法による薄膜形成用のＨf(ＤＰＭ)4原
料として、如何にして超高純度のＨf(ＤＰＭ)4を製造し
得るかということが、大きな課題となっている。
ＤＰＭ＝(ＣＨ3)3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ(ＣＨ3)3；ジピバ
ロイルメタン）は、ハフニウムを含有する化合物や錯体
の中でも大気中に安定であり、優れた蒸気圧特性を有し
ていることから、ＣＶＤ法による薄膜形成用原料として
適している。ただ次世代高誘電体ゲート絶縁膜では膜厚
が数ｎｍと極薄膜が要求されているため、原料中に微量
でも不純物が混入していると、薄膜の電気的特性が低下
し、ゲート絶縁膜としての機能を果たさなくなる。これ
は半導体デバイス製造工程での歩留まりの低下につなが
り、半導体デバイスメーカーにとっては非常に重要な問
題である。そこで、この原料を供給する原料メーカーに
おいては、ＣＶＤ法による薄膜形成用のＨf(ＤＰＭ)4原
料として、如何にして超高純度のＨf(ＤＰＭ)4を製造し
得るかということが、大きな課題となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した現
状に鑑みなされたもので、その目的、課題は、ＣＶＤ法
による薄膜形成用の原料として大気中での安定性や蒸気
圧特性に優れているＨf(ＤＰＭ)4について、再現性良く
超高純度のＨf(ＤＰＭ)4を得る製造方法を提供すること
にある。
状に鑑みなされたもので、その目的、課題は、ＣＶＤ法
による薄膜形成用の原料として大気中での安定性や蒸気
圧特性に優れているＨf(ＤＰＭ)4について、再現性良く
超高純度のＨf(ＤＰＭ)4を得る製造方法を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１に係る発明として、不活性ガス雰囲気下、
精製・脱水した有機溶媒中に塩化ハフニウムとジピバロ
イルメタンを入れ、加熱還流して直接反応せしめた後冷
却し、析出して得られる粗結晶を再結晶によって十分精
製することを特徴とする分子式（I）で表される高純度
ハフニウム錯体の製造方法としたものである。 Ｈf(ＤＰＭ)4 …… （I） 請求項２に係わる発明として、前記高純度ハフニウム錯
体は、金属不純物含有量が０.０１ｗt.ｐｐｍ以下であ
り、純度が９９.９９９９９ｗt.％以上であることを特
徴とする請求項１に記載の高純度ハフニウム錯体の製造
方法としたものである。
に、請求項１に係る発明として、不活性ガス雰囲気下、
精製・脱水した有機溶媒中に塩化ハフニウムとジピバロ
イルメタンを入れ、加熱還流して直接反応せしめた後冷
却し、析出して得られる粗結晶を再結晶によって十分精
製することを特徴とする分子式（I）で表される高純度
ハフニウム錯体の製造方法としたものである。 Ｈf(ＤＰＭ)4 …… （I） 請求項２に係わる発明として、前記高純度ハフニウム錯
体は、金属不純物含有量が０.０１ｗt.ｐｐｍ以下であ
り、純度が９９.９９９９９ｗt.％以上であることを特
徴とする請求項１に記載の高純度ハフニウム錯体の製造
方法としたものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の高純度ハフニウム錯体Ｈ
f(ＤＰＭ)4の製造方法の実施の形態は、以下の如き態様
で実施することを特徴としている。 （ｉ）製造の工程は徹底した不活性ガス雰囲気中で行う
ことで、大気中のパーティクル、水分、酸素等の不純物
の混入を防ぎ、製造中にパーティクル等の影響を受けな
い。その結果、最終製品にも前記不純物が混入しない。
不活性ガスとしては、乾燥窒素ガス、乾燥アルゴンガ
ス、及び高価ではあるがヘリウムガス等の希ガスが好適
に使用することができる。
f(ＤＰＭ)4の製造方法の実施の形態は、以下の如き態様
で実施することを特徴としている。 （ｉ）製造の工程は徹底した不活性ガス雰囲気中で行う
ことで、大気中のパーティクル、水分、酸素等の不純物
の混入を防ぎ、製造中にパーティクル等の影響を受けな
い。その結果、最終製品にも前記不純物が混入しない。
不活性ガスとしては、乾燥窒素ガス、乾燥アルゴンガ
ス、及び高価ではあるがヘリウムガス等の希ガスが好適
に使用することができる。
【０００７】（ii）製造に使用する、出発原料である市
販品ジピバロイルメタンは、真空蒸留によって精製・脱
水する。 （iii）製造に使用する、出発原料である市販品塩化ハ
フニウムは、再結晶によって精製する。 （iv）製造に使用する有機溶媒は、モレキュラーシーブ
で乾燥させ、更に蒸留によって精製・脱水する。有機溶
媒としてはメタノールの如きアルコール系溶剤、ｎ−ヘ
キサンの如き飽和炭化水素系、ベンゼンやトルエン等の
芳香族炭化水素系溶剤、及びクロロホルム等のハロゲン
化炭化水素系溶剤等、種々の有機溶剤が好適に使用する
ことができる。
販品ジピバロイルメタンは、真空蒸留によって精製・脱
水する。 （iii）製造に使用する、出発原料である市販品塩化ハ
フニウムは、再結晶によって精製する。 （iv）製造に使用する有機溶媒は、モレキュラーシーブ
で乾燥させ、更に蒸留によって精製・脱水する。有機溶
媒としてはメタノールの如きアルコール系溶剤、ｎ−ヘ
キサンの如き飽和炭化水素系、ベンゼンやトルエン等の
芳香族炭化水素系溶剤、及びクロロホルム等のハロゲン
化炭化水素系溶剤等、種々の有機溶剤が好適に使用する
ことができる。
【０００８】（v）反応は、有機溶媒中に塩化ハフニウ
ムとジピバロイルメタンを入れ、加熱還流して直接反応
せしめる。 （vi）反応後溶液を冷却して、析出する結晶を濾過によ
り分離して得られる粗結晶を有機溶媒による再結晶で充
分精製する。
ムとジピバロイルメタンを入れ、加熱還流して直接反応
せしめる。 （vi）反応後溶液を冷却して、析出する結晶を濾過によ
り分離して得られる粗結晶を有機溶媒による再結晶で充
分精製する。
【０００９】以上のような工程を行う本発明に係る高純
度のハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4の製造方法によれば、
純度が９９.９９９９９ｗt.％（ＩＣＰによる不純物金
属分析）の超高純度で、しかも揮発性においても良好な
ハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4が得られ、これはＣＶＤ法
による薄膜形成用の原料として好適であり、大変有用で
ある。そして、この錯体をＣＶＤ法による薄膜形成のた
めの原料として用いることにより、良好なＨf含有酸化
物薄膜が得られる。又、本発明の製造方法によれば、不
活性ガス雰囲気下においてＨfＣl4とジピバロイルメタ
ンを、水溶液を経由せず、有機溶媒中で反応させ、且
つ、反応物を分離して得られた粗製品を、有機溶媒を使
用した再結晶により十分精製することによって、超高純
度のハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4を得ることができたも
のである。
度のハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4の製造方法によれば、
純度が９９.９９９９９ｗt.％（ＩＣＰによる不純物金
属分析）の超高純度で、しかも揮発性においても良好な
ハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4が得られ、これはＣＶＤ法
による薄膜形成用の原料として好適であり、大変有用で
ある。そして、この錯体をＣＶＤ法による薄膜形成のた
めの原料として用いることにより、良好なＨf含有酸化
物薄膜が得られる。又、本発明の製造方法によれば、不
活性ガス雰囲気下においてＨfＣl4とジピバロイルメタ
ンを、水溶液を経由せず、有機溶媒中で反応させ、且
つ、反応物を分離して得られた粗製品を、有機溶媒を使
用した再結晶により十分精製することによって、超高純
度のハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4を得ることができたも
のである。
【００１０】
【実施例】本発明の高純度ハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4
の製造方法により、ハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4を製造
した一例を実施例１により説明する。 ［実施例１］実施例１においては、使用するフラスコ等
の器具はすべて乾燥窒素ガス雰囲気中で置換し、操作中
も乾燥窒素ガス雰囲気を保った。なお、乾燥窒素ガスの
代わりに乾燥アルゴンガスを用いてもよい。
の製造方法により、ハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4を製造
した一例を実施例１により説明する。 ［実施例１］実施例１においては、使用するフラスコ等
の器具はすべて乾燥窒素ガス雰囲気中で置換し、操作中
も乾燥窒素ガス雰囲気を保った。なお、乾燥窒素ガスの
代わりに乾燥アルゴンガスを用いてもよい。
【００１１】製造にあたっては、用いる原料は以下の如
き態様のものを使用した。 ●有機溶媒は以下の方法で脱水したものを使用した。 ・適量の有機溶媒を三角フラスコに注ぎ、２５０℃で加
熱脱気した適量のモレキュラーシーブ（ペレット状）を
加えて脱水した。 ・ペレットを除去後、更に蒸留によって精製した留分を
乾燥窒素ガス雰囲気中で保存した。
き態様のものを使用した。 ●有機溶媒は以下の方法で脱水したものを使用した。 ・適量の有機溶媒を三角フラスコに注ぎ、２５０℃で加
熱脱気した適量のモレキュラーシーブ（ペレット状）を
加えて脱水した。 ・ペレットを除去後、更に蒸留によって精製した留分を
乾燥窒素ガス雰囲気中で保存した。
【００１２】●塩化ハフニウムは再結晶により、十分精
製した超高純度品を使用した。 ●又、ジピバロイルメタンは真空蒸留により十分に精製
し、有機・無機不純物や金属不純物を除去した超高純度
なものを使用した。
製した超高純度品を使用した。 ●又、ジピバロイルメタンは真空蒸留により十分に精製
し、有機・無機不純物や金属不純物を除去した超高純度
なものを使用した。
【００１３】製造は以下の工程順序に従い行った。 １Ｌの３つ口フラスコに撹拌用のスターラー・バーを
入れ、還流冷却管、乾燥窒素ガス導入管を設け、乾燥窒
素ガス１００ｍＬ／ｍｉｎでパージした。 乾燥窒素ガスを流した状態で、前記３つ口フラスコに
塩化ハフニウム（IV）５０ｇとメタノール４５０ｍＬを
入れて溶解する。 又、乾燥窒素ガス雰囲気中でジピバロイルメタン１１
５ｇとメタノール１５０ｍＬを調整し、この溶液を前記
３つ口フラスコに加える。
入れ、還流冷却管、乾燥窒素ガス導入管を設け、乾燥窒
素ガス１００ｍＬ／ｍｉｎでパージした。 乾燥窒素ガスを流した状態で、前記３つ口フラスコに
塩化ハフニウム（IV）５０ｇとメタノール４５０ｍＬを
入れて溶解する。 又、乾燥窒素ガス雰囲気中でジピバロイルメタン１１
５ｇとメタノール１５０ｍＬを調整し、この溶液を前記
３つ口フラスコに加える。
【００１４】室温で１時間攪拌後、６５℃まで温度を
上げ、２４時間加熱還流して反応せしめると共に濃縮し
１５０ｍＬ程度にした後に、室温まで放冷する。なお、
濃縮はエバポレーター等を使用すると、より効果的であ
る。 濃縮液を冷凍庫（−２０℃）に１時間入れ、結晶化す
る。 析出した結晶を濾過し、粗結晶を回収する。 得られた結晶を有機溶媒により再結晶せしめて充分精
製した後、真空乾燥器により６０℃で１０時間真空乾燥
する。 これにより得られたハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4の収量
は１２９ｇで、その収率は９１％であった。そして、得
られたハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4の金属不純物の含有
率をＩＣＰ−ＭＳ分析法（「誘導結合プラズマ発光−質
量分析法」の略）で分析した。その結果を表１に重量ｐ
ｐｍ（ｗt.ｐｐｍ）で表示する。
上げ、２４時間加熱還流して反応せしめると共に濃縮し
１５０ｍＬ程度にした後に、室温まで放冷する。なお、
濃縮はエバポレーター等を使用すると、より効果的であ
る。 濃縮液を冷凍庫（−２０℃）に１時間入れ、結晶化す
る。 析出した結晶を濾過し、粗結晶を回収する。 得られた結晶を有機溶媒により再結晶せしめて充分精
製した後、真空乾燥器により６０℃で１０時間真空乾燥
する。 これにより得られたハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4の収量
は１２９ｇで、その収率は９１％であった。そして、得
られたハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4の金属不純物の含有
率をＩＣＰ−ＭＳ分析法（「誘導結合プラズマ発光−質
量分析法」の略）で分析した。その結果を表１に重量ｐ
ｐｍ（ｗt.ｐｐｍ）で表示する。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１で明らかなように、金属不純物の各金
属の含有率は、いずれも検出限界の０.０１ｗt.ｐｐｍ
以下で有り、大気によって影響されるパーティクル（塵
埃）、水分、酸素、炭酸ガスも勿論検出されず、ハフニ
ウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4の純度は、９９.９９９９９ｗt.
％の超高純度に達していた。
属の含有率は、いずれも検出限界の０.０１ｗt.ｐｐｍ
以下で有り、大気によって影響されるパーティクル（塵
埃）、水分、酸素、炭酸ガスも勿論検出されず、ハフニ
ウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4の純度は、９９.９９９９９ｗt.
％の超高純度に達していた。
【００１７】なお、上記した実施例１においては、不活
性ガスとして乾燥窒素ガスを用いたが、本発明に用いら
れる不活性ガスは乾燥窒素ガスに限定されることなく、
例えば乾燥アルゴンガス、及びヘリウム等の希ガスを用
いることも可能である。又、上記実施例１では、ハフニ
ウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4を製造する際に用いる有機溶媒と
してメタノールを用いたが、本発明で用いられる有機溶
媒はメタノールに限定されることなく、例えばｎ−ヘキ
サンの如き飽和炭化水素系溶剤、ベンゼンやトルエン等
の芳香族炭化水素系溶剤、クロロホルム等のハロゲン化
炭化水素系溶剤等、種々の有機溶剤も用いることが可能
である。
性ガスとして乾燥窒素ガスを用いたが、本発明に用いら
れる不活性ガスは乾燥窒素ガスに限定されることなく、
例えば乾燥アルゴンガス、及びヘリウム等の希ガスを用
いることも可能である。又、上記実施例１では、ハフニ
ウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4を製造する際に用いる有機溶媒と
してメタノールを用いたが、本発明で用いられる有機溶
媒はメタノールに限定されることなく、例えばｎ−ヘキ
サンの如き飽和炭化水素系溶剤、ベンゼンやトルエン等
の芳香族炭化水素系溶剤、クロロホルム等のハロゲン化
炭化水素系溶剤等、種々の有機溶剤も用いることが可能
である。
【００１８】
【発明の効果】本発明の高純度ハフニウム錯体Ｈf(ＤＰ
Ｍ)4の製造方法は、上記した如き形態で実施され、以下
の如き効果を奏する。本発明の製造方法によってハフニ
ウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4を製造すると、ＣＶＤ法による薄
膜形成のための原料として好適なハフニウム錯体Ｈf(Ｄ
ＰＭ)4を、超高純度品（金属不純物含有量が０.０１ｗ
t.ｐｐｍ以下であり、純度が９９.９９９９９ｗt.％以
上）として得ることが可能である。
Ｍ)4の製造方法は、上記した如き形態で実施され、以下
の如き効果を奏する。本発明の製造方法によってハフニ
ウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4を製造すると、ＣＶＤ法による薄
膜形成のための原料として好適なハフニウム錯体Ｈf(Ｄ
ＰＭ)4を、超高純度品（金属不純物含有量が０.０１ｗ
t.ｐｐｍ以下であり、純度が９９.９９９９９ｗt.％以
上）として得ることが可能である。
【００１９】そして、本発明の製造方法で得られたこの
高純度ハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4を、ＣＶＤ法による
薄膜形成用の原料として用いることにより、良質のハフ
ニウム含有金属酸化物を得ることが可能となる。又、本
発明の製造方法では、不活性ガス雰囲気中で操作を行う
こと、水溶液を用いずに脱水した有機溶剤中で反応を行
うこと、出発原料である塩化ハフニウムとジピバロイル
メタンを予め精製や脱水処理したり、溶媒として用いる
有機溶媒の精製を十分に行うので、製造工程中におい
て、水分や不純物に起因する劣化を受けることなく、上
記した如き高品質のスペックを満たすような超高純度ハ
フニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4を製造することができる。
高純度ハフニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4を、ＣＶＤ法による
薄膜形成用の原料として用いることにより、良質のハフ
ニウム含有金属酸化物を得ることが可能となる。又、本
発明の製造方法では、不活性ガス雰囲気中で操作を行う
こと、水溶液を用いずに脱水した有機溶剤中で反応を行
うこと、出発原料である塩化ハフニウムとジピバロイル
メタンを予め精製や脱水処理したり、溶媒として用いる
有機溶媒の精製を十分に行うので、製造工程中におい
て、水分や不純物に起因する劣化を受けることなく、上
記した如き高品質のスペックを満たすような超高純度ハ
フニウム錯体Ｈf(ＤＰＭ)4を製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平 博司 東京都港区西新橋１丁目16番７号 日本酸 素株式会社内 Ｆターム(参考） 4H006 AA02 AC90 AD15 BB11 BB12 BB14 BB61 BC10 BC51 BE62 4H049 VN07 VP01 VQ24 VR44 VS12 VU24 VV02 VV03 VV05 VV22 VW02 4K030 AA11 BA10 BA42
Claims (2)
- 【請求項１】 不活性ガス雰囲気下、精製・脱水した有
機溶媒中に精製塩化ハフニウムと精製ジピバロイルメタ
ンを入れ、加熱還流して直接反応せしめた後冷却し、析
出して得られる粗結晶を再結晶によって十分精製するこ
とを特徴とする分子式（I）で表される高純度ハフニウ
ム錯体の製造方法。 Ｈf(ＤＰＭ)4 …… （I） - 【請求項２】 前記高純度ハフニウム錯体は、金属不純
物含有量が０.０１ｗt.ｐｐｍ以下であり、純度が９９.
９９９９９ｗt.％以上であることを特徴とする請求項１
に記載の高純度ハフニウム錯体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001045009A JP2002249455A (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | 高純度ハフニウム錯体Ｈｆ（ＤＰＭ）４の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001045009A JP2002249455A (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | 高純度ハフニウム錯体Ｈｆ（ＤＰＭ）４の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002249455A true JP2002249455A (ja) | 2002-09-06 |
Family
ID=18906892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001045009A Withdrawn JP2002249455A (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-21 | 高純度ハフニウム錯体Ｈｆ（ＤＰＭ）４の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002249455A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005197675A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-07-21 | Mitsubishi Materials Corp | ハフニウム含有膜形成材料及び該材料から作製されたハフニウム含有膜 |
| JP2009292731A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-12-17 | Central Glass Co Ltd | ハフニウム錯体の製造方法 |
| US10526697B2 (en) | 2015-03-06 | 2020-01-07 | Entegris, Inc. | High-purity tungsten hexacarbonyl for solid source delivery |
| CN113219110A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-08-06 | 国核锆铪理化检测有限公司 | 一种铪基材料中硼、铀元素含量的测定方法 |
-
2001
- 2001-02-21 JP JP2001045009A patent/JP2002249455A/ja not_active Withdrawn
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