JP2002245774A5 - - Google Patents

Claims (25)

1. 磁性メモリ素子に書き込む方法であって、磁性メモリ素子を加熱し、磁性メモリ素子へ少なくとも一つの磁場を加える方法。
2. 熱と少なくとも一つの磁場が、磁性メモリ素子へ同時に加えられる請求項１に記載の方法。
3. 磁性メモリ素子へ少なくとも一つの磁場を加える前に、熱を加え除去する請求項１に記載の方法。
4. 加熱によって、磁性メモリ素子の温度を周囲より約１０℃から５０℃上昇させる請求項１に記載の方法。
5. 加熱によって、磁性メモリ素子の温度を磁性メモリ素子のブロッキング温度の範囲内で、約５０℃まで上昇させる請求項１に記載の方法。
6. 接合から離隔して配置された導体に電流を通すことによって、接合が加熱される請求項１に記載の方法。
7. 第１および第２の直交する場が、磁性メモリ素子に加えられる請求項１に記載の方法。
8. 情報記憶装置であって、磁性メモリ素子からなるアレイと、前記メモリ素子のための複数の加熱素子とを備える装置。
9. 前記加熱素子は、前記メモリ素子から離隔して配置される請求項８に記載の装置。
10. 前記加熱素子は、前記アレイを横切って延在する加熱線に含まれる請求項８に記載の装置。
11. 各加熱線は、前記加熱素子によって分離される導電性のラインを含む請求項１０に記載の装置。
12. 前記加熱線は、前記アレイを斜め方向に横切って延在する請求項１０に記載の装置。
13. 前記加熱線のグループは、少なくとも１つの経路を形成するために互いに接続される請求項１０に記載の装置。
14. 各グループの前記加熱線は直列に接続される請求項１３に記載の装置。
15. 電流が、各経路の一つの端部に供給されるようにするためのスイッチをさらに備える請求項１４に記載の装置。
16. 前記加熱線は、互いに連結される第１の端部を有する請求項１０に記載の装置。
17. 電流が、前記加熱線の選択された第２の端部に供給されるようにするためのスイッチをさらに備える請求項１６に記載の装置。
18. スイッチは、また前記加熱線の第２の端部を基準電位に結合する請求項１７に記載の装置。
19. スイッチによって、電流が並列に加熱線へ供給される請求項１７に記載の装置。
20. 電流が、前記加熱線の選択された端部に供給されるようにするためのスイッチをさらに備える請求項１０に記載の装置。
21. 前記加熱素子は、書込み動作中に、室温より約１０℃から５０℃高い温度まで、選択されたメモリ素子の温度を上昇させる請求項８に記載の装置。
22. 前記加熱素子は、書込み動作中に、磁性メモリ素子の温度をブロッキング温度の範囲内で、約５０℃まで上昇させる請求項８に記載の装置。
23. 選択された磁気メモリ素子を切り替えるための磁場を生成する第１の手段と、磁場が加えられている間に加熱素子が選択された磁気メモリ素子に熱を加えるようにする第２の手段とをさらに備える請求項８に記載の装置。
24. 選択された磁気メモリ素子を切り替えるための磁場を生成する第１の手段と、磁場が加えられる前に加熱素子が選択された磁気メモリ素子に熱を加えるようにする第２の手段とをさらに備える請求項８に記載の装置。
25. 磁気記憶素子のアレイと、当該アレイの選択された磁気記憶素子の、熱を利用した切替えを行うための手段とを含む情報記憶装置。