JP2002243784A - 電子部品の常温・高温電気的特性測定機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 １つのロータリー・インデックステーブル上
で電子部品の常温時及び高温時の電気的特性を高速、高
精度で測定可能とし、併せて省スペース、コストダウン
を図る。 【解決手段】 インデックスベース２０の上側を間欠回
転するロータリー・インデックステーブル１１でチップ
状電子部品を間欠搬送し、測定ステーションにて電気的
特性測定を行う場合において、常温での測定を行う測定
ステーションに対応して冷却手段が設けられ、高温での
測定を行う測定ステーションに対応してヒーターブロッ
ク５０が設けられおり、前記常温での測定を行う測定ス
テーションから前記高温での測定を行う測定ステーショ
ンに至る間に、前記ヒーターブロック５０により所定の
常温から所定の高温になるようにまで段階的に上昇する
ようにインデックスベース２０を温度制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、近年高速化してい
るチップ状電子部品の電気的特性測定機に係り、とくに
チップ状電子部品の温度が常温の時のみならず、高温時
においても測定する必要性が生じた時、搬送テーブルを
２系統に分けずに測定を実行可能な電子部品の常温・高
温電気的特性測定機に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種装置としては、チップ状電
子部品の供給はパーツフィーダーで行い、測定部への搬
送はコンベア形状のトランスファー送りで行うものがあ
る。この装置において、パーツフィーダーから供給され
たチップ状電子部品は常温部のコンベア形状のトランス
ファー上を移動し、電気的特性測定を行い、その後高温
部のコンベア形状のトランスファー上に乗り移り、ヒー
ター部を通過してチップ状電子部品の温度が２００℃近
くまで上昇してから電気的特性測定を実行し、チップ状
電子部品を排出する。この場合、常温部と高温部の２系
統のトランスファーが必要で構成が複雑化する。

【０００３】一方、本出願人の提案になる特公平５−６
６００９号公報では、ロータリー・インデックステーブ
ルと開閉部材によるチップコンデンサの測定ユニットが
提案されている。

【０００４】また、本出願人により１つのロータリー・
インデックステーブル上で電子部品の常温時（３０〜４
０℃）及び高温時（１８０〜２００℃）の電気的特性を
測定する装置の開発が検討されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】 電子部品を間欠搬
送するロータリー・インデックステーブル上で電子部品
の常温時（３０〜４０℃）及び高温時（１８０〜２００
℃）の電気的特性を測定する場合、従来技術では１サイ
クルのタクトとしては１.０（秒／個）程度が限界で、
スペース的にも横方向に広がりが出る。

【０００６】 常温特性測定部の温度を常温（３０〜
４０℃）に保つための対策が必要である。

【０００７】 ロータリー・インデックステーブルの
下側のインデックスベースの温度が高温になると火傷の
恐れが増える。

【０００８】 高温特性測定部を熱的に隔離するため
のセラミックの断熱板が大きなヒートショックを受け、
破壊の恐れがあった。

【０００９】 高温特性測定部の温度制御の誤差が生
じ易い。

【００１０】 高温特性測定部を加熱するのに伴う発
熱による各部材の変形によって電子部品の搬送に不具合
が生じ易い。

【００１１】本発明は、上記の点に鑑み、１つのロータ
リー・インデックステーブル上で電子部品の常温時及び
高温時の電気的特性を高速、高精度で測定可能で、併せ
て省スペース、コストダウンが可能な電子部品の常温・
高温電気的特性測定機を提供することを目的とする。

【００１２】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項１の発明は、インデックスベースの上側
を間欠回転するロータリー・インデックステーブルの外
周部でチップ状電子部品を保持し、該テーブルの間欠回
転動作でチップ状電子部品を間欠搬送し、該テーブルの
周囲に配置した複数の測定ステーションにて常温及び高
温での電気的特性測定を行う電子部品の常温・高温電気
的特性測定機であって、前記常温での電気的特性測定を
行う測定ステーションに対応して冷却手段が設けられ、
前記高温での電気的特性測定を行う測定ステーションに
対応して加熱手段が設けられおり、前記常温での電気的
特性測定を行う測定ステーションから前記高温での電気
的特性測定を行う測定ステーションに至る間に、前記加
熱手段により所定の常温から所定の高温になるようにま
で段階的に上昇するように前記インデックスベースを温
度制御することを特徴としている。

【００１４】本願請求項２の発明に係る電子部品の常温
・高温電気的特性測定機は、請求項１において、前記ロ
ータリー・インデックステーブルが超耐熱エポキシ樹脂
であることを特徴としている。

【００１５】本願請求項３の発明に係る電子部品の常温
・高温電気的特性測定機は、請求項１又は２において、
前記ロータリー・インデックステーブルの外周部に近接
対向配置されるアウターガイドが金属板で、少なくとも
前記測定ステーションに対応する表面にＤＬＣ薄膜を設
けたことを特徴としている。

【００１６】本願請求項４の発明に係る電子部品の常温
・高温電気的特性測定機は、請求項１，２又は３におい
て、前記インデックスベースをヒートショックに対して
耐久性のあるセラミックの断熱部材で断熱したことを特
徴としている。

【００１７】本願請求項５の発明に係る電子部品の常温
・高温電気的特性測定機は、請求項１，２，３又は４に
おいて、前記加熱手段は、前記インデックスベースの底
面側に設けられて当該インデックスベースを加熱するカ
ートリッジヒーターと、前記インデックスベースの温度
検出を行う温度センサと、温度調整器とを有し、前記温
度センサの温度検出結果に基づき前記温度調整器にて前
記カートリッジヒーターへの通電を制御して前記チップ
状電子部品の搬送される前記インデックスベースを所定
の雰囲気温度に制御することを特徴としている。

【００１８】本願請求項６の発明に係る電子部品の常温
・高温電気的特性測定機は、請求項１，２，３，４又は
５において、前記冷却手段は、前記インデックスベース
に冷却エアーの循環通路を設けて前記冷却エアーを循環
させて冷却することを特徴としている。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電子部品の常
温・高温電気的特性測定機の実施の形態を図面に従って
説明する。

【００２０】図１は本発明に係る電子部品の常温・高温
電気的特性測定機の実施の形態のロータリー・インデッ
クステーブル周辺の構造を示す正面図、図２は実施の形
態の全体構成を示す平面図、図３はインデックスベース
の平面図、図４はロータリー・インデックステーブルの
平面図、図５はインデックステーブルのチップ保持部の
拡大平面図、図６はインデックスベースの加熱部へのヒ
ーターブロック配置を示す説明図、図７はロータリー・
インデックステーブルの外周側に設けられるアウターガ
イドの１例を示す平面図、図８はチップ状電子部品の電
気特性を測定する測定部の構成例を示す拡大断面図であ
る。

【００２１】図２の全体構成において、１は被測定物で
あるチップ状電子部品を供給するパーツフィーダーであ
り、そのパーツフィーダー１から直線状供給路２を介し
てチップ状電子部品がロータリー・インデックステーブ
ル機構１０に供給されるようになっている。パーツフィ
ーダー１は直線状供給路２からチップ状電子部品の表裏
を揃えて供給する（本例では後工程で図５のようにロー
タリー・インデックステーブル機構１０で保持されたチ
ップ状電子部品５の電極部５ａが全て上向きとなるよう
に表裏を揃える）。ロータリー・インデックステーブル
機構１０にはインピーダンス測定、静電容量測定、自己
共振周波数測定を行う常温測定部Ｘ（３０〜４０℃）
と、高温インピーダンス測定を行う高温測定部Ｙ（１８
０〜２００℃）が設けられている。

【００２２】前記ロータリー・インデックステーブル機
構１０は、図１及び図８に周縁部を拡大して示すよう
に、ロータリー・インデックステーブル１１（直径２０
０mm、分割数１００）と、その周縁部（外周部）の下側
に接するインデックスベース２０と、ロータリー・イン
デックステーブル１１の周縁部上側を覆うインデックス
カバー３０と、ロータリー・インデックステーブル１１
の周縁部（外周部）に近接対向してこれを囲むアウター
ガイド３１とを有している。

【００２３】前記ロータリー・インデックステーブル１
１は、断熱性があり熱容量の小さい樹脂等の絶縁材質
（例えば超耐熱エポキシ樹脂）であり、図４及び図５の
ようにチップ状電子部品５が嵌り込んで保持される凹部
１２を円盤の周縁部に等角度間隔で多数個（図示の場合
１００箇所）有している。そして、図１のようにロータ
リー・インデックステーブル１１の中心軸１３は取付ベ
ース１４に固定された軸受部材１５によって回転自在に
支持されている。

【００２４】前記取付ベース１４と平行なモータ取付板
１６にはサーボモータ１７が取り付けられ、その回転駆
動軸はトルクリミッタ１８、ジョイント１９を介して前
記中心軸１３に連結されている。この結果、ロータリー
・インデックステーブル１１は凹部１２の配列間隔１個
分毎に間欠回転されるようになっている。

【００２５】前記インデックスベース２０は熱容量の大
きな金属製（ここではステンレス製等）であり、取付ベ
ース１４上に敷かれた断熱部材としての断熱板４０を介
して取付ベース１４に固定されている。断熱板４０はヒ
ートショックに強いセラミックであり、とくにカルシウ
ムシリケート結晶とリチウムアルミノシリケート結晶か
らなるセラミックである。なお、取付ベース１４は放熱
性の良好な金属、例えばアルミ製である。

【００２６】図３に示すように、前記インデックスベー
ス２０は十分な熱容量を有する金属製であり、高温測定
部Ｙが位置する加熱部２１を、常温測定部Ｘが位置する
冷却部２２から熱的に分離するために、加熱部２１と冷
却部２２との境界に沿って細長い抜き穴２３を設けてい
る。これにより熱の通り道を狭くして正確な温度制御を
行えるようにしている。また、インデックスベース２０
においては、焼入れ処理をして加熱時の歪みを最小限に
おさえるようにするが、焼入れ時にも歪みが生じるの
で、加工精度の必要な加工部分は、焼入れ処理をしてか
ら加工する。

【００２７】前記インデックスベース２０の加熱部２１
には、図１及び図６のようにカートリッジヒーター５１
（１００Ｖ、１００Ｗ、直径６.５mm）を内蔵する銅等
の良熱伝導性金属のヒーターブロック５０を断熱板４０
を貫通させて設けている。例えば、図６のように加熱部
２１は４つの温度調整部２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１
ｄに区分され、各温度調整部毎に４個のカートリッジヒ
ーター５１を有するヒーターブロック５０と１個の温度
検出手段としての熱電対５２との組が設置され、各ヒー
ターブロック５０毎に設けられた電源５３より内蔵する
カートリッジヒーター５１に通電されるようになってお
り、インデックスベース２０に部分的に埋設された熱電
対５２で前記インデックスベース２０の温度を検出し、
この温度検出出力を受ける温度調整器５４によりカート
リッジヒーター５１の通電（電流、電圧さらに必要なら
ば通電時間）を制御することで温度制御される。ここで
は、チップ状電子部品の搬送される順に段階的に温度が
高くなるように、すなわち、 温度調整部２１ａの温度＜温度調整部２１ｂの温度＜温
度調整部２１ｃの温度＜温度調整部２１ｄの温度 となるように設定している。つまり、冷却部２２から加
熱部２１に入ったチップ状電子部品は所定の常温（３０
〜４０℃）から段階的に上昇する雰囲気温度にて加熱さ
れていく。

【００２８】図３のように前記インデックスベース２０
の冷却部２２にはその底面側に冷却溝２４が形成されて
いる。つまり、インデックスベース２０が断熱板４０上
に載置固定されることで、冷却溝２４による冷却エアー
通路が形成され、エアークーラーを使用して冷却エアー
入口から低温の冷却エアーを供給することでインデック
スベース２０が冷却され、冷却溝２４を通過した冷却エ
アーは冷却エアー出口から排出される。

【００２９】また、取付ベース１４は放熱性の良好なア
ルミ製等として放熱効果をねらい、さらに取付ベース１
４に冷却エアーを当てて冷却する。例えば、図２のよう
に、エアーマニホールド１４ａを取付ベース１４に形成
してここに冷却エアーを通すようにする。

【００３０】前記インデックスカバー３０はロータリー
・インデックステーブル１１によるチップ状電子部品の
搬送中の飛出し防止用に、チップ状電子部品上面をガイ
ドするカバーであるが、このインデックスカバー３０に
よる輻射熱の影響があることを利用し、インデックスカ
バー３０の材質を熱伝導性の良い金属とし、輻射熱の効
果を更に上げる為ようにしている。これにより、輻射熱
効果でもチップ状電子部品が加熱されるため、ロータリ
ー・インデックステーブル１１による搬送速度を上げる
ことができる。

【００３１】図５のようにロータリー・インデックステ
ーブル１１の凹部１２に嵌り込んだチップ状電子部品５
の外周をガイドするアウターガイド３１は、電気的特性
測定部が絶縁性を必要とするのでその部分のみジルコニ
ア等の絶縁体ガイドを使用し、他はステンレス等の金属
ガイドとすることが考えられるが、チップ状電子部品の
端部が接触して移動していく際に、ガイド同士のつなぎ
目でチップ状電子部品のかみ込みが生じる場合があっ
た。これは絶縁体と金属のガイド部分の熱膨張係数が互
いに相違して歪みが生じるためと考えられる。これを解
消するため、本実施の形態ではアウターガイド３１をス
テンレス等の金属の一枚物にし、絶縁性のある表面処理
をして対応することで、チップ状電子部品５の搬送等に
与える影響を無くすことができる。図７及び図８のよう
に、前記表面処理は常温測定部Ｘ及び高温測定部Ｙにお
けるアウターガイド３１の内周、上下面に耐摩耗性硬質
絶縁薄膜としてＤＬＣ（Diamond-like Carbon）薄膜３
２を設けることが好ましい。ＤＬＣ薄膜の体積抵抗率は
１０^１２Ω・cmで十分な絶縁性を有し、さらに高硬度で
かつ摩擦も少ない利点がある。前記ＤＬＣ薄膜３２は全
周にわたって形成されていてもよいし、常温測定部Ｘ及
び高温特性測定部Ｙの必要箇所に部分的に形成しても良
い。

【００３２】図８のように、常温測定部Ｘ及び高温測定
部Ｙにおいては、チップ状電子部品５の電極部５ａに対
して測定端子６０がインデックスカバー３０を貫通して
昇降自在に設けられおり、各測定端子６０は下降時に前
記電極部５ａに接触する。各測定端子６０は所要の電気
特性測定器（静電容量、インピーダンス、自己共振周波
数等）に接続される。測定端子６０は３個の電極部５ａ
の全てに対して設けられていても良いし、そのうちの２
つに対して設けられていても良い。

【００３３】図２において、ロータリー・インデックス
テーブル１１はパーツフィーダー１の直線状供給路２か
ら供給ステーションＳ１にてチップ状電子部品５を受け
取り、受け取ったチップ状電子部品５を図５のように凹
部１２に受け入れて右回りに間欠回転してロータリー・
インデックステーブル１１の周縁部に位置する各ステー
ションに移送する。常温測定部Ｘの手前側位置には、供
給ステーションＳ１に近い順にチップ有無検出ステーシ
ョンＳ２、チップ表裏検出ステーションＳ３、表裏不良
排出ステーションＳ４、表裏不良排出ミス検出ステーシ
ョンＳ５が配置されている。チップ有無検出ステーショ
ンＳ２にはチップ有無検出センサ機構６１が、チップ表
裏検出ステーションＳ３にはチップ表裏検出センサ機構
６２が、表裏不良排出ステーションＳ４には、表裏不良
チップ状電子部品を排出する吸着ノズル等の排出具６３
が、表裏不良排出ミス検出ステーションＳ５には表裏不
良排出ミス検出センサ機構６４がそれぞれ配置（取付ベ
ース１４側に装着）されている。

【００３４】常温測定部Ｘは、順にインピーダンス測定
ステーションＳ６、第１の静電容量（Ｃ１）測定ステー
ションＳ７、第２の静電容量（Ｃ２）測定ステーション
Ｓ８、自己共振周波数（Ｆ０）測定ステーションＳ９が
配置されている。インピーダンス測定ステーションＳ６
には図８のようにチップ状電子部品５の電極部５ａ（３
個のうち少なくとも２個）に接触可能な測定端子６０を
持つ測定具６５が、第１の静電容量（Ｃ１）測定ステー
ションＳ７には同様の測定具６６が、第２の静電容量
（Ｃ２）測定ステーションＳ８には同様の測定具６７
が、自己共振周波数（Ｆ０）測定ステーションＳ９には
同様の測定具６８がそれぞれ配置（取付ベース１４側に
装着）されている。

【００３５】前記常温測定部Ｘの後にはインピーダンス
不良排出ステーションＳ１０、静電容量不良排出ステー
ションＳ１１、自己共振周波数（Ｆ０）不良排出ステー
ションＳ１２、インピーダンス・静電容量・自己共振周
波数不良排出ミス検出ステーションＳ１３が配置されて
いる。インピーダンス不良排出ステーションＳ１０には
インピーダンス不良のチップ状電子部品を排出する吸着
ノズル等の排出具７０が、静電容量不良排出ステーショ
ンＳ１１には静電容量不良のチップ状電子部品を排出す
る吸着ノズル等の排出具７１が、自己共振周波数（Ｆ
０）不良排出ステーションＳ１２には自己共振周波数不
良のチップ状電子部品を排出する吸着ノズル等の排出具
７２が、インピーダンス・静電容量・自己共振周波数不
良排出ミス検出ステーションＳ１３にはインピーダンス
・静電容量・自己共振周波数不良のチップ状電子部品の
排出ミス検出センサ機構７３が配置（取付ベース１４側
に装着）されている。

【００３６】ここまでのステーションは図３のインデッ
クスベース２０の常温に保たれた側である冷却部２２上
に位置している。

【００３７】インピーダンス・静電容量・自己共振周波
数不良排出ミス検出ステーションＳ１３より後側のイン
デックスベース２０は加熱部２１となっており、前述し
たようにインデックスベース２０の底面側に温度調整部
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄの順に設置され、段階
的に温度が高くなり、高温インピーダンス測定ステーシ
ョンＳ１４におけるチップ状電子部品の温度が２００℃
になるように各温度調整部の温度制御を実行している。
前記高温インピーダンス測定ステーションＳ１４は加熱
部２１の最後尾に位置し、ここには図８のようにチップ
状電子部品５の電極部５ａ（３個のうち少なくとも２
個）に接触可能な測定端子６０を持つ測定具８０が配置
（取付ベース１４側に装着）されている。

【００３８】その後、インデックスベース２０の冷却部
２２上に戻り、順に高温インピーダンス不良排出ステー
ションＳ１５、高温インピーダンス不良排出ミス検出ス
テーションＳ１６、良品排出ステーションＳ１７、強制
排出ステーションＳ１８及び全排出ミス検出ステーショ
ンＳ１９が配置されている。高温インピーダンス不良排
出ステーションＳ１５には高温インピーダンス不良のチ
ップ状電子部品を排出する吸着ノズル等の排出具８１
が、高温インピーダンス不良排出ミス検出ステーション
Ｓ１６には高温インピーダンス不良のチップ状電子部品
の排出ミス検出センサ機構８２が、良品排出ステーショ
ンＳ１７には良品のチップ状電子部品を排出する吸着ノ
ズル等の排出具８３が、強制排出ステーションＳ１８に
は図示しないチップ状電子部品の強制排出手段が、全排
出ミス検出ステーションＳ１９には今までのステーショ
ンで排出されないで残ったチップ状電子部品の有無を検
出する全排出ミス検出センサ機構８４がそれぞれ配置
（取付ベース１４側に装着）されている。

【００３９】次にこの実施の形態の全体的な動作説明を
行う。

【００４０】パーツフィーダー１により表裏整列して被
測定物としてのチップ状電子部品をロータリー・インデ
ックステーブル機構１０の供給ステーションＳ１に供給
する。ロータリー・インデックステーブル１１の間欠回
転でチップ有無検出ステーションＳ２に到着したチップ
状電子部品はチップ有無検出センサ機構６１にてその有
無が検出される。チップ状電子部品が無い箇所は以後各
種測定動作を省略するように設定する。さらに、次のチ
ップ表裏検出ステーションＳ３でチップ状電子部品の表
裏が正しく配置されているかどうかをチップ表裏検出セ
ンサ機構６２にて検出する（図５のようにチップ状電子
部品５の電極部５ａが上向きとなっている状態を正しい
とする）。表裏不良排出ステーションＳ４では表裏不良
と検出されたチップ状電子部品を排出具６３で排出す
る。次の表裏不良排出ミス検出ステーションＳ５では表
裏不良のチップ状電子部品が残っているかどうかを表裏
不良排出ミス検出センサ機構６４で検出する。表裏不良
のチップ状電子部品が残っている場合、以後各種測定動
作及び良品としての排出動作を省略するように設定す
る。

【００４１】以後、ロータリー・インデックステーブル
１１の間欠回転に伴いチップ状電子部品は常温測定部Ｘ
に到着し、インピーダンス測定ステーションＳ６ではチ
ップ状電子部品の常温でのインピーダンスが、第１の静
電容量（Ｃ１）測定ステーションＳ７では図５のチップ
状電子部品５の電極部５ａのうちの２個間の常温での静
電容量が、第２の静電容量（Ｃ２）測定ステーションＳ
８では電極部５ａのうちの異なる２個間の常温での静電
容量が、自己共振周波数（Ｆ０）測定ステーションＳ９
ではチップ状電子部品の常温での自己共振周波数が、図
８の測定端子６０を持つ測定具６５，６６，６７，６８
を用いてそれぞれ測定される。

【００４２】前記常温測定部Ｘでの常温測定の終わった
チップ状電子部品は、ロータリー・インデックステーブ
ル１１の間欠回転によりインピーダンス不良排出ステー
ションＳ１０に到着し、ここでインピーダンス不良のチ
ップ状電子部品は吸着ノズル等の排出具７０にて排出さ
れる。そして、静電容量不良排出ステーションＳ１１で
は静電容量不良のチップ状電子部品が排出具７１にて排
出され、自己共振周波数（Ｆ０）不良排出ステーション
Ｓ１２では自己共振周波数不良のチップ状電子部品が排
出具７２にて排出される。インピーダンス・静電容量・
自己共振周波数不良排出ミス検出ステーションＳ１３で
はインピーダンス・静電容量・自己共振周波数不良のチ
ップ状電子部品の排出ミスが排出ミス検出センサ機構７
３にて検出される。排出ミスのチップ状電子部品がある
ときは、以後の高温測定部Ｙでの測定動作を省略すると
ともに良品としての排出動作を省略するように設定す
る。

【００４３】その後、チップ状電子部品はロータリー・
インデックステーブル１１の間欠回転に伴ってインデッ
クスベース２０の加熱部２１を通ることになり、この加
熱部２１は図６に示すように４個の温度調整部２１ａ，
２１ｂ，２１ｃ，２１ｄで段階的に加熱されているか
ら、チップ状電子部品も常温から段階的に昇温して加熱
部２１の終端部では２００℃に到達する。そして、加熱
部２１の最後尾に位置する高温インピーダンス測定ステ
ーションＳ１４に到着したチップ状電子部品は、図８の
ようにその電極部５ａ（３個のうち少なくとも２個）に
接触可能な測定端子６０を持つ測定具８０を用いて高温
でのインピーダンスが測定される。

【００４４】以後、ロータリー・インデックステーブル
１１の間欠回転によりチップ状電子部品はインデックス
ベース２０の冷却部２２上に戻り、高温インピーダンス
不良排出ステーションＳ１５では高温インピーダンス不
良のチップ状電子部品を吸着ノズル等の排出具８１にて
排出する。それから、高温インピーダンス不良排出ミス
検出ステーションＳ１６にて高温インピーダンス不良の
チップ状電子部品の排出ミスを検出センサ機構８２で検
出し、排出ミスのチップ状電子部品を後工程で良品とし
て排出しないように設定する。その後、排出されないで
残った良品のチップ状電子部品を良品排出ステーション
Ｓ１７において排出具８３にて排出する。これにより、
所要の常温・高温電気的特性測定が良好な良品のチップ
状電子部品が選別できたことになる。

【００４５】その後の強制排出ステーションＳ１８では
排出されないで残っているチップ状電子部品を強制排出
手段で排出する。全排出ミス検出ステーションＳ１９で
は今までのステーションで排出されないで残ったチップ
状電子部品の有無を念のために全排出ミス検出センサ機
構８４にて検出する。排出ミスがあったときは、その箇
所には供給ステーションＳ１で新規のチップ状電子部品
は供給しないように設定する。

【００４６】この実施の形態によれば、次の通りの効果
を得ることができる。

【００４７】(1) ロータリー・インデックステーブル
１１の外周部でチップ状電子部品を保持して間欠搬送
し、常温（３０〜４０℃）での電気的特性測定を行う測
定ステーションに対応して冷却手段を設け、高温（１８
０〜２００℃）での電気的特性測定を行う測定ステーシ
ョンに対応して加熱手段を設け、前記常温での電気的特
性測定を行う測定ステーションから前記高温での電気的
特性測定を行う測定ステーションに至る間に、前記加熱
手段により所定の常温から所定の高温となるまで段階的
に上昇するように前記インデックスベースを温度制御
し、チップ状電子部品を、前記所定の常温から所定の高
温まで段階的に上昇する雰囲気温度にて、順次搬送して
電気的特性の測定を行うようにしたので、チップ状電子
部品の電気的特性測定を、チップ常温時及び高温時とも
に、１つのロータリー・インデックステーブル機構１０
上にて行うことができる。このため、設置スペースの削
減、コスト低減ができる。

【００４８】(2) 前記加熱手段は、インデックスベー
ス２０の底面側に設けられたカートリッジヒーター５１
内蔵のヒーターブロック５０と、インデックスベース２
０の温度検出を行う温度センサとしての熱電対５２と、
電源５３と、温度調整器５４とを有し、前記熱電対５２
の温度センサの温度検出結果に基づき温度調整器５４に
てカートリッジヒーター５１への通電を制御しており、
チップ状電子部品の搬送されるインデックスベース２０
を所定の雰囲気温度に制御できる。

【００４９】(3) ロータリー・インデックステーブル
１１を熱容量の小さな樹脂、具体的には超耐熱エポキシ
樹脂とし、またインデックスベース２０を熱容量の大き
な金属で加熱部２１の体積を増やすことで、インデック
ステーブル１１で熱を奪われることによるインデックス
ベースの温度低下を抑えることができる。また、搬送中
のチップ状電子部品の飛出し防止用のインデックスカバ
ー３０による輻射熱の影響があることを利用し、インデ
ックスカバー３０の材質を比較的熱伝導性の良い金属
（例えばステンレス等）として輻射熱の効果を更に上げ
るようにしている。これらにより、１サイクルのタクト
を短縮し、これらの対策が無い場合に比して約３倍の処
理速度を見込む事が出来る。

【００５０】(4) インデックスベース２０の冷却部２
２の冷却手段としてインデックスベース２０の底面に冷
却溝２４による冷却エアーの循環通路を形成したので、
エアークーラーを使用して低温の冷却エアーをインデッ
クスベース下面側に流すことにより、常温測定部Ｘの温
度は目標温度（３０〜４０℃、より好ましくは３３〜３
７℃）内に抑えることが出来る。

【００５１】(5) 取付ベース１４の材質をアルミにし
放熱効果をねらい、更には取付ベースに冷却エアーを当
て冷却することで取付ベース１４の温度を目標温度（最
高温度４７℃）以内に収めることができる。

【００５２】(6) カートリッジヒーター５１を銅製等
の良熱伝導性金属ブロックに完全に埋め込んでヒーター
ブロック５０を構成することで、輻射熱を最小限に押さ
えて断熱部材としての断熱板４０へのヒートショックを
減少させることができる。また、断熱板４０の材質にお
いてもヒートショックに強いセラミック（カルシウムシ
リケート結晶とリチウムアルミノシリケート結晶からな
るセラミック）を選定することで、断熱板４０のヒート
ショックによる破壊を防止できる。

【００５３】(7) 加熱部２１と冷却部２２の境界にお
ける温度差が大きい為、この部分における熱量流出が多
いので、図３のようにインデックスベース２０の加熱部
２１と冷却部２２の境目に細長い抜き穴２３を設けて熱
の通り道を狭くし、同時に加熱部側体積を増やすこと
で、温度制御の誤差が生じないようにしている。

【００５４】(8) インデックスベース２０において
は、ステンレス等の金属板材の焼入れ処理をして加熱時
の歪みを最小限におさえるようにしたが、焼入れ時にも
歪みが生じるので、加工精度の必要な加工部は、焼入れ
処理をしてから加工する。これによりインデックスベー
ス２０の高精度の加工が可能である。

【００５５】(9) アウターガイド（チップ外周ガイ
ド）３１に関しては、測定部に対応する部分のみをジル
コニア等の絶縁体を使用し、他の部分を熱伝導性を良く
するために金属とする構造とすることが考えられるが、
ガイド同士のつなぎ目でチップ状電子部品のかみ込みが
生じるおそれがあるので、アウターガイド３１の材質を
ステンレス等の金属板の一枚物にし、測定部に対応した
絶縁性の必要な部分は耐摩耗性の硬質絶縁薄膜の表面処
理（ＤＬＣ薄膜）を施して対応することで、搬送等に与
える影響を無くすことができる。

【００５６】なお、チップ状電子部品は図５のような表
裏面の片側に電極部５ａを有する構造のみに限定されな
いことは明らかであり、表裏面の両側にわたり電極部が
あるときは、インデックスベース上面の必要箇所にもＤ
ＬＣ等の耐摩耗性の硬質絶縁薄膜を形成すればよい。

【００５７】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
１つのロータリー・インデックステーブル上でチップ状
電子部品の常温時及び高温時の電気的特性を高速、高精
度で測定可能で、併せて設置スペースの削減やコストダ
ウンが可能な電子部品の常温・高温電気的特性測定機を
実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電子部品の常温・高温電気的特性
測定機の実施の形態であって、主としてロータリー・イ
ンデックステーブル機構部分を示す正断面図である。

【図２】実施の形態の全体構成を示す平面図である。

【図３】実施の形態におけるインデックスベースの平面
図である。

【図４】実施の形態におけるロータリー・インデックス
テーブルの平面図である。

【図５】実施の形態におけるロータリー・インデックス
テーブルの外縁部（外周部）の要部拡大平面図である。

【図６】実施の形態におけるインデックスベースに対す
るヒーターブロックの配置を示す説明図である。

【図７】実施の形態におけるアウターガイドの１例を示
す説明図である。

【図８】実施の形態における測定部の１例を示す拡大側
面図である。

【符号の説明】

１ パーツフィーダー ２ 直線状供給路 １０ ロータリー・インデックステーブル機構 １１ ロータリー・インデックステーブル １２ 凹部 １４ 取付ベース １７ サーボモータ ２０ インデックスベース ２１ 加熱部 ２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ 温度調整部 ２２ 冷却部 ２３ 抜き穴 ２４ 冷却溝 ３０ インデックスカバー ３１ アウターガイド ３２ ＤＬＣ薄膜 ４０ 断熱板 ５０ ヒーターブロック ５１ カートリッジヒーター ５２ 熱電対 ５３ 電源 ５４ 温度調整器 ６０ 測定端子 Ｘ 常温測定部 Ｙ 高温測定部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 洋志 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 2G036 AA19 BB22 CA03 CA12

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 インデックスベースの上側を間欠回転す
   るロータリー・インデックステーブルの外周部でチップ
   状電子部品を保持し、該テーブルの間欠回転動作でチッ
   プ状電子部品を間欠搬送し、該テーブルの周囲に配置し
   た複数の測定ステーションにて常温及び高温での電気的
   特性測定を行う電子部品の常温・高温電気的特性測定機
   であって、 前記常温での電気的特性測定を行う測定ステーションに
   対応して冷却手段が設けられ、前記高温での電気的特性
   測定を行う測定ステーションに対応して加熱手段が設け
   られおり、前記常温での電気的特性測定を行う測定ステ
   ーションから前記高温での電気的特性測定を行う測定ス
   テーションに至る間に、前記加熱手段により所定の常温
   から所定の高温になるようにまで段階的に上昇するよう
   に前記インデックスベースを温度制御することを特徴と
   する電子部品の常温・高温電気的特性測定機。
2. 【請求項２】 前記ロータリー・インデックステーブル
   が超耐熱エポキシ樹脂である請求項１記載の電子部品の
   常温・高温電気的特性測定機。
3. 【請求項３】 前記ロータリー・インデックステーブル
   の外周部に近接対向配置されるアウターガイドが金属板
   で、少なくとも前記測定ステーションに対応する表面に
   ＤＬＣ薄膜を設けたものである請求項１又は２記載の電
   子部品の常温・高温電気的特性測定機。
4. 【請求項４】 前記インデックスベースをヒートショッ
   クに対して耐久性のあるセラミックの断熱部材で断熱し
   てなる請求項１，２又は３記載の電子部品の常温・高温
   電気的特性測定機。
5. 【請求項５】 前記加熱手段は、前記インデックスベー
   スの底面側に設けられて当該インデックスベースを加熱
   するカートリッジヒーターと、前記インデックスベース
   の温度検出を行う温度センサと、温度調整器とを有し、
   前記温度センサの温度検出結果に基づき前記温度調整器
   にて前記カートリッジヒーターへの通電を制御して前記
   チップ状電子部品の搬送される前記インデックスベース
   を所定の雰囲気温度に制御する請求項１，２，３又は４
   記載の電子部品の常温・高温電気的特性測定機。
6. 【請求項６】 前記冷却手段は、前記インデックスベー
   スに冷却エアーの循環通路を設けて前記冷却エアーを循
   環させて冷却するものである請求項１，２，３，４又は
   ５記載の電子部品の常温・高温電気的特性測定機。