JP2002241126A - アルミニウムに富むａｆｉゼオライトの合成 - Google Patents
アルミニウムに富むａｆｉゼオライトの合成Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルミノシリケートゼオライト、一層特にア
ルミニウムに富む（低シリカ）ＡＦＩ及びＧＭＥゼオラ
イトの合成及び用途を提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比が約１０以下であ
る低シリカＡＦＩゼオライト及び高純度グメリナイトゼ
オライト。
ルミニウムに富む（低シリカ）ＡＦＩ及びＧＭＥゼオラ
イトの合成及び用途を提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比が約１０以下であ
る低シリカＡＦＩゼオライト及び高純度グメリナイトゼ
オライト。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アルミノシリケー
トゼオライト、一層特にアルミニウムに富む（低シリ
カ）ＡＦＩ及びＧＭＥゼオライトの合成及び用途に関す
る。
トゼオライト、一層特にアルミニウムに富む（低シリ
カ）ＡＦＩ及びＧＭＥゼオライトの合成及び用途に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ゼオライトは、シリケート格子を有する
モレキュラーシーブである。それらは、可変組成を有す
ることができかつチャンネル（くびれ）及び／又はケー
ジ（かご）を有する三次元構造を特徴とする微孔質の結
晶性物質であるのが典型的である。ケイ素（ＳｉＯ4）
又はアルミニウム（ＡｌＯ4）四面体がゼオライト骨組
を組み立てる。
モレキュラーシーブである。それらは、可変組成を有す
ることができかつチャンネル（くびれ）及び／又はケー
ジ（かご）を有する三次元構造を特徴とする微孔質の結
晶性物質であるのが典型的である。ケイ素（ＳｉＯ4）
又はアルミニウム（ＡｌＯ4）四面体がゼオライト骨組
を組み立てる。
【０００３】ゼオライトは、互いにそれらの組成及び構
造によって区別され、それらの組成及び構造は、それら
の物理的及び化学的性質並びにそれらが有用になる用途
を決める。３文字からなる構造符号が各々のゼオライト
に割り当てられるのが典型的である。例えば、ＦＡＵは
ゼオライトＸについての構造符号であり、ＧＭＥはグメ
リナイトについての構造符号であり、ＡＦＩはＡｌＰＯ
4−５モレキュラーシーブについての構造符号である。
造によって区別され、それらの組成及び構造は、それら
の物理的及び化学的性質並びにそれらが有用になる用途
を決める。３文字からなる構造符号が各々のゼオライト
に割り当てられるのが典型的である。例えば、ＦＡＵは
ゼオライトＸについての構造符号であり、ＧＭＥはグメ
リナイトについての構造符号であり、ＡＦＩはＡｌＰＯ
4−５モレキュラーシーブについての構造符号である。
【０００４】多くのゼオライトは、骨組のゆがみを最少
だけにして可逆的に脱水され得る。ゼオライトの熱安定
性は、カチオン形態に依存することが示されてきた。例
えば、ＣＨＡ−（チャバザイト）及びＥＡＢ−ＴＭＡ−
Ｅ（ＡＢ）タイプゼオライト（それぞれＡＡＢＢＣＣ及
びＡＢＢＡＣＣの６−環順序を有する）のＮａ形態は、
乾燥Ｎ2中で６００℃を越える温度でトポタクタクチカ
ルに（ｔｏｐｏｔａｃｔｉｃａｌｌｙ）変換してＳＯＤ
タイプ（ソーダライト）になる。この変換の温度は、Ａ
ｌ含量、プロトンの数、及び存在する水の量に大きく依
存する。水との接触反応において２つのＴ’−Ｏ−Ｔブ
リッジを破壊することによって、残留するＴ’−Ｏ−Ｔ
ブリッジの回りでＴ’を旋回させると、Ｔ’Ｏ4四面体
（ここで、Ｔ’はＳｉ又はＡｌであり、ＴはＳｉ又はＡ
ｌである）を逆転するに至る。一つの注目すべき観測
は、Ｋ交換されたＣＨＡ及びＥＡＢの８−環部位におけ
るカリウムイオンが、それらのＳＯＤ生成物への転換を
妨げることである。対照して、Ｎａ交換されたＣＨＡ及
びＥＡＢは、ＳＯＤ生成物に転換する。
だけにして可逆的に脱水され得る。ゼオライトの熱安定
性は、カチオン形態に依存することが示されてきた。例
えば、ＣＨＡ−（チャバザイト）及びＥＡＢ−ＴＭＡ−
Ｅ（ＡＢ）タイプゼオライト（それぞれＡＡＢＢＣＣ及
びＡＢＢＡＣＣの６−環順序を有する）のＮａ形態は、
乾燥Ｎ2中で６００℃を越える温度でトポタクタクチカ
ルに（ｔｏｐｏｔａｃｔｉｃａｌｌｙ）変換してＳＯＤ
タイプ（ソーダライト）になる。この変換の温度は、Ａ
ｌ含量、プロトンの数、及び存在する水の量に大きく依
存する。水との接触反応において２つのＴ’−Ｏ−Ｔブ
リッジを破壊することによって、残留するＴ’−Ｏ−Ｔ
ブリッジの回りでＴ’を旋回させると、Ｔ’Ｏ4四面体
（ここで、Ｔ’はＳｉ又はＡｌであり、ＴはＳｉ又はＡ
ｌである）を逆転するに至る。一つの注目すべき観測
は、Ｋ交換されたＣＨＡ及びＥＡＢの８−環部位におけ
るカリウムイオンが、それらのＳＯＤ生成物への転換を
妨げることである。対照して、Ｎａ交換されたＣＨＡ及
びＥＡＢは、ＳＯＤ生成物に転換する。
【０００５】グメリナイト（ＧＭＥ）は、主要な特徴が
大きな１２−環チャンネルである構造を有する良く知ら
れたアルミノシリケートである。ＧＭＥは、天然にミネ
ラルとして存在し、かつまた実験室で合成されることが
できる。ＣＨＡの存在しないグメリナイトは、ポリマー
テンプレート合成システムを使用して合成されることが
できる。加えて、細孔の大きなグメリナイトを合成する
別の方法は、Ｃｒのような遷移金属をグメリナイト骨組
中に導入するにある。
大きな１２−環チャンネルである構造を有する良く知ら
れたアルミノシリケートである。ＧＭＥは、天然にミネ
ラルとして存在し、かつまた実験室で合成されることが
できる。ＣＨＡの存在しないグメリナイトは、ポリマー
テンプレート合成システムを使用して合成されることが
できる。加えて、細孔の大きなグメリナイトを合成する
別の方法は、Ｃｒのような遷移金属をグメリナイト骨組
中に導入するにある。
【０００６】グメリナイトゼオライトは、ＳｉＯ4及び
ＡｌＯ4の１２員環によって規定されるチャンネルを有
する大きな細孔構造を有する。しかし、グメリナイトゼ
オライトの吸着特性は、一層小さい細孔を有するゼオラ
イトに似ている。この理由は、天然及び合成グメリナイ
が、チャバザイト又は関連するゼオライトと互いに交わ
って生長する（ｉｎｔｅｒｇｒｏｗ）傾向を有し、グメ
リナイト構造の１２−環チャンネルへの接近を妨げる及
び制限する積層欠陥を生じるからである。その結果、ゼ
オライトの期待される収着特性が低下する。これらの欠
陥面を除くと、グメリナイトゼオライトの吸着特性を増
大させそうである。ゼオライトは、良好な吸着剤になる
には、それの合成された又は天然の形態及び活性な形態
の両方で高い結晶化度を有すべきである。
ＡｌＯ4の１２員環によって規定されるチャンネルを有
する大きな細孔構造を有する。しかし、グメリナイトゼ
オライトの吸着特性は、一層小さい細孔を有するゼオラ
イトに似ている。この理由は、天然及び合成グメリナイ
が、チャバザイト又は関連するゼオライトと互いに交わ
って生長する（ｉｎｔｅｒｇｒｏｗ）傾向を有し、グメ
リナイト構造の１２−環チャンネルへの接近を妨げる及
び制限する積層欠陥を生じるからである。その結果、ゼ
オライトの期待される収着特性が低下する。これらの欠
陥面を除くと、グメリナイトゼオライトの吸着特性を増
大させそうである。ゼオライトは、良好な吸着剤になる
には、それの合成された又は天然の形態及び活性な形態
の両方で高い結晶化度を有すべきである。
【０００７】ＡＦＩゼオライトもまた大きな細孔を有す
る１２−環構造を有する。これらのアルミノシリケート
物質、特にアルミニウムに富む（低シリカ）物質は、ガ
スを分離及び精製し、イオンを交換させ、無機／有機化
合物を接触転化させ、触媒担体として働かせるのに使用
されてきた。その構造は、空洞の無い比較的円滑なチャ
ンネルを有する１２−環によって束縛された一次元の直
径７．５オングストローム細孔システムを含む。Ｃｈｅ
ｖｒｏｎ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｍｐａｎｙは、Ｎ，
Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−アダマンタアンモニウムヒド
ロキシドのような特殊なテンプレートを使用してＳＳＺ
−２４として知られる全シリカＡＦＩ物質を合成した。
ホウ素−ＳＳＺ−２４もまた、直接合成によって造られ
た。
る１２−環構造を有する。これらのアルミノシリケート
物質、特にアルミニウムに富む（低シリカ）物質は、ガ
スを分離及び精製し、イオンを交換させ、無機／有機化
合物を接触転化させ、触媒担体として働かせるのに使用
されてきた。その構造は、空洞の無い比較的円滑なチャ
ンネルを有する１２−環によって束縛された一次元の直
径７．５オングストローム細孔システムを含む。Ｃｈｅ
ｖｒｏｎ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｍｐａｎｙは、Ｎ，
Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−アダマンタアンモニウムヒド
ロキシドのような特殊なテンプレートを使用してＳＳＺ
−２４として知られる全シリカＡＦＩ物質を合成した。
ホウ素−ＳＳＺ−２４もまた、直接合成によって造られ
た。
【０００８】ＧＭＥゼオライト構造とＡＦＩゼオライト
構造との間にいくつかの類似が存在する。ＧＭＥ骨組で
は、四面体が上を（Ｕ）向きかつ下を（Ｄ）向いてい
て、４−環のＵＵＤＤ鎖に関して一般的に記載されてい
る。例えば、ＵＵＤＤ鎖は、フィリップサイト、ギスモ
ンダイン（ｇｉｓｍｏｎｄｉｎｅ）、グメリナイト、及
びメルリノイト（ｍｅｒｌｉｎｏｉｔｅ）のゼオライト
骨組中に見出される。
構造との間にいくつかの類似が存在する。ＧＭＥ骨組で
は、四面体が上を（Ｕ）向きかつ下を（Ｄ）向いてい
て、４−環のＵＵＤＤ鎖に関して一般的に記載されてい
る。例えば、ＵＵＤＤ鎖は、フィリップサイト、ギスモ
ンダイン（ｇｉｓｍｏｎｄｉｎｅ）、グメリナイト、及
びメルリノイト（ｍｅｒｌｉｎｏｉｔｅ）のゼオライト
骨組中に見出される。
【０００９】他方、ＡＦＩ骨組は、上を向く四面体を有
し、隣接する単位が下を向いている。ＡＦＩ骨組は、Ｕ
ＤＵＤ構造と記載されることができる。ＵＤＵＤ鎖は、
ＡｌＰＯ−５、ＡｌＰＯ−１１、ＡｌＰＯ−２５及びＡ
ｌＰＯ−Ｄ中に見出される。
し、隣接する単位が下を向いている。ＡＦＩ骨組は、Ｕ
ＤＵＤ構造と記載されることができる。ＵＤＵＤ鎖は、
ＡｌＰＯ−５、ＡｌＰＯ−１１、ＡｌＰＯ−２５及びＡ
ｌＰＯ−Ｄ中に見出される。
【００１０】ほとんどのＵＵＤＤ鎖は、シリケート物質
において生じるのに対し、ほとんどのＵＤＵＤ鎖は、ア
ルミノホスフェート物質中に見出される。これは、何故
ＳＳＺ−２４が、ＵＤＵＤ鎖ではＯ原子が４−環に接続
されることから、ＡｌＰＯ−５程に容易に形成しないか
を説明し得る。ＡｌＰＯ−５構造では、Ａｌ−Ｏ−Ｐ角
の内の一つは、１７８°であると記録された。これは、
シリケート骨組では、望ましくないようである。
において生じるのに対し、ほとんどのＵＤＵＤ鎖は、ア
ルミノホスフェート物質中に見出される。これは、何故
ＳＳＺ−２４が、ＵＤＵＤ鎖ではＯ原子が４−環に接続
されることから、ＡｌＰＯ−５程に容易に形成しないか
を説明し得る。ＡｌＰＯ−５構造では、Ａｌ−Ｏ−Ｐ角
の内の一つは、１７８°であると記録された。これは、
シリケート骨組では、望ましくないようである。
【００１１】ゼオライト骨組中のアルミニウムイオン
は、過剰の陰電荷を生じ、過剰の陰電荷は、アルカリ金
属（Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｒｂ及びＣｓ）、アルカリ土類金
属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ）のイオン、有機アンモニウムカ
チオン、又は水素イオン（Ｈ+）によってバランスされ
ることができる。高いアルミニウム含量は、ゼオライト
酸性を増大させ、ゼオライト骨組の陰電荷をバランスす
るのに一層多くのカチオンを要し得る。これは、ゼオラ
イトの触媒特性を高める。
は、過剰の陰電荷を生じ、過剰の陰電荷は、アルカリ金
属（Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｒｂ及びＣｓ）、アルカリ土類金
属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ）のイオン、有機アンモニウムカ
チオン、又は水素イオン（Ｈ+）によってバランスされ
ることができる。高いアルミニウム含量は、ゼオライト
酸性を増大させ、ゼオライト骨組の陰電荷をバランスす
るのに一層多くのカチオンを要し得る。これは、ゼオラ
イトの触媒特性を高める。
【００１２】従来技術の焦点は、主にグメリナイトゼオ
ライトの品質を増大させることにあった。種々のテンプ
レート、反応組成物、及び条件がテストされてきた。グ
メリナイトゼオライトの品質を増大させるために採用さ
れるプロセスについて記載する特許はいくつもあるが、
本発明の方法を開示する特許は無い。
ライトの品質を増大させることにあった。種々のテンプ
レート、反応組成物、及び条件がテストされてきた。グ
メリナイトゼオライトの品質を増大させるために採用さ
れるプロセスについて記載する特許はいくつもあるが、
本発明の方法を開示する特許は無い。
【００１３】Ｋｅｒｒ等に係る米国特許第４，０６１，
７１７号は、陽に荷電された窒素原子を終局的なゼオラ
イトのカチオン部位の内のいくつかを満足させるような
量で含有するアルカリ金属酸化物、シリケート、アルミ
ネート、イオネン又はイオノマーの源を含有する水性反
応混合物中で結晶化される結晶性アルミノシリケートゼ
オライトを合成するプロセスについて開示している。そ
の特許において、Ｋｅｒｒは、１，４−ジブロモブタン
（Ｄａｂ−４Ｂｒ）をテンプレートとして使用するグメ
リナイトの合成について記載している。テンプレート
は、通常グメリナイトチャンネルを閉塞するように思わ
れる積層欠陥の数を除く又は減少させる働きをする。
７１７号は、陽に荷電された窒素原子を終局的なゼオラ
イトのカチオン部位の内のいくつかを満足させるような
量で含有するアルカリ金属酸化物、シリケート、アルミ
ネート、イオネン又はイオノマーの源を含有する水性反
応混合物中で結晶化される結晶性アルミノシリケートゼ
オライトを合成するプロセスについて開示している。そ
の特許において、Ｋｅｒｒは、１，４−ジブロモブタン
（Ｄａｂ−４Ｂｒ）をテンプレートとして使用するグメ
リナイトの合成について記載している。テンプレート
は、通常グメリナイトチャンネルを閉塞するように思わ
れる積層欠陥の数を除く又は減少させる働きをする。
【００１４】Ｖａｕｇｈａｎ等に係る米国特許第５，２
８３，０４７号は、グメリナイト構造、規定されたＸ線
回折図によって特性表示された規定された化学組成を有
する合成遷移金属アルミノシリケート結晶性ゼオライト
について教示している。
８３，０４７号は、グメリナイト構造、規定されたＸ線
回折図によって特性表示された規定された化学組成を有
する合成遷移金属アルミノシリケート結晶性ゼオライト
について教示している。
【００１５】Ｚｏｎｅｓに係る米国特許第４，６６５，
１１０号は、アダマンタン化合物をテンプレートとして
使用してゼオライトのような結晶性モレキュラーシーブ
を造ることについて教示している。合成されることがで
きるゼオライトの内の一種は、ＡＦＩ構造を有するＳＳ
Ｚ−２４として知られるＡＦＩゼオライトである。
１１０号は、アダマンタン化合物をテンプレートとして
使用してゼオライトのような結晶性モレキュラーシーブ
を造ることについて教示している。合成されることがで
きるゼオライトの内の一種は、ＡＦＩ構造を有するＳＳ
Ｚ−２４として知られるＡＦＩゼオライトである。
【００１６】Ｚｏｎｅｓは、後に、Ｂ−ＳＳＺ−２４を
合成後処理することによってＡｌ−ＳＳＺ−２４を造っ
た（Ｒ．Ａ．ｖａｎ Ｎｏｒｄｓｔｒａｎｄ，Ｄ．Ｓ．
Ｓａｎｔｉｌｌｉ，Ｓ．Ｉ．Ｚｏｎｅｓ，”Ａｌｍｉｎ
ｕｍ− ａｎｄ Ｂｏｒｏｎ−Ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ
ＳＳＺ−２４”，ｉｎ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆＭｉ
ｃｒｏｐｏｒｏｕｓ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．
１，Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｓｉｅｖｅｓ（Ｍ．Ｌ．Ｏｃ
ｃｅｌｌｉ，Ｈ．Ｒｏｂｓｏｎ編集）、１９９２年、３
７３頁、Ｖａｎ Ｎｏｓｔｒａｎｄ Ｒｅｉｎｈｏｌ
ｄ、ニューヨーク）。生成したＡｌ−ＳＳＺ−２４は、
ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比＝１００の低アルミニウム含量を
有する。
合成後処理することによってＡｌ−ＳＳＺ−２４を造っ
た（Ｒ．Ａ．ｖａｎ Ｎｏｒｄｓｔｒａｎｄ，Ｄ．Ｓ．
Ｓａｎｔｉｌｌｉ，Ｓ．Ｉ．Ｚｏｎｅｓ，”Ａｌｍｉｎ
ｕｍ− ａｎｄ Ｂｏｒｏｎ−Ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ
ＳＳＺ−２４”，ｉｎ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆＭｉ
ｃｒｏｐｏｒｏｕｓ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．
１，Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｓｉｅｖｅｓ（Ｍ．Ｌ．Ｏｃ
ｃｅｌｌｉ，Ｈ．Ｒｏｂｓｏｎ編集）、１９９２年、３
７３頁、Ｖａｎ Ｎｏｓｔｒａｎｄ Ｒｅｉｎｈｏｌ
ｄ、ニューヨーク）。生成したＡｌ−ＳＳＺ−２４は、
ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比＝１００の低アルミニウム含量を
有する。
【００１７】ＳＳＺ−２４は、下記のような触媒用途及
び分離において使用されてきた：（１）ＳＳＺ−２４に
よってナフサを改質する；（２）ホウ素−ＳＳＺ−２４
によってナフサを接触改質する；（３）高オクタン燃料
の製造に関するＳＳＺ−２４によるジメチルパラフィン
のイソメレート（ｉｓｏｍｅｒａｔｅ）からの抽出；
（４）ＡＦＩ構造を有する物質（ＳＳＺ−２４、Ａｌ−
ＳＳＺ−２４、Ｂ−ＳＳＺ−２４、ＡｌＰＯ−５及びＳ
ＡＰＯ−５）は、枝分れ鎖ヘキサンを吸着するために強
い親和力を有する；（５）物質（Ａｌ−ＳＳＺ−２４及
びＢ−ＳＳＺ−２４）は、触媒として逆形状選択性を有
する。
び分離において使用されてきた：（１）ＳＳＺ−２４に
よってナフサを改質する；（２）ホウ素−ＳＳＺ−２４
によってナフサを接触改質する；（３）高オクタン燃料
の製造に関するＳＳＺ−２４によるジメチルパラフィン
のイソメレート（ｉｓｏｍｅｒａｔｅ）からの抽出；
（４）ＡＦＩ構造を有する物質（ＳＳＺ−２４、Ａｌ−
ＳＳＺ−２４、Ｂ−ＳＳＺ−２４、ＡｌＰＯ−５及びＳ
ＡＰＯ−５）は、枝分れ鎖ヘキサンを吸着するために強
い親和力を有する；（５）物質（Ａｌ−ＳＳＺ−２４及
びＢ−ＳＳＺ−２４）は、触媒として逆形状選択性を有
する。
【００１８】しかし、ＳＳＺ−２４の触媒、吸着、及び
イオン交換使用効果は、従来技術合成手順から入手可能
な極低アルミニウム含量によって制限される。これは、
有意の欠点及び障害である。
イオン交換使用効果は、従来技術合成手順から入手可能
な極低アルミニウム含量によって制限される。これは、
有意の欠点及び障害である。
【００１９】Ｃａｒｔｌｉｄｇｅ（Ｓ．Ｃａｒｔｌｉｄ
ｇｅ，Ｗ．Ｍ．Ｍｅｉｅｒ，Ｚｅｏｌｉｔｅｓ，１９８
４，４，２１８及びＳ．Ｃａｒｔｌｉｄｇｅ，Ｅ．Ｂ．
Ｋｅｌｌｅｒ，Ｗ．Ｍ．Ｍｅｉｅｒ，Ｚｅｏｌｉｔｅ
ｓ，１９８４，４，２２６）は、Ｎａ−ＥＡＢ（ゼオラ
イト）がどのようにしてＳＯＤに転移したか及びＫ−Ｅ
ＡＢにおけるカリウムイオンの安定化役割について説明
した。
ｇｅ，Ｗ．Ｍ．Ｍｅｉｅｒ，Ｚｅｏｌｉｔｅｓ，１９８
４，４，２１８及びＳ．Ｃａｒｔｌｉｄｇｅ，Ｅ．Ｂ．
Ｋｅｌｌｅｒ，Ｗ．Ｍ．Ｍｅｉｅｒ，Ｚｅｏｌｉｔｅ
ｓ，１９８４，４，２２６）は、Ｎａ−ＥＡＢ（ゼオラ
イト）がどのようにしてＳＯＤに転移したか及びＫ−Ｅ
ＡＢにおけるカリウムイオンの安定化役割について説明
した。
【００２０】しかし、従来技術は、高純度低シリカＡＦ
Ｉゼオライトを吸着及び触媒用途における可能性のある
使用のためにどのようにして調製するかについて教示し
ていない。その上に、従来技術は、どのようにして高純
度（欠陥の無いかつ互いに交わって生長することの無
い）低シリカグメリナイトゼオライト（ＧＭＥ）からテ
ンプレートを、ＧＭＥ構造を変えないで取り去るかにつ
いて教示していない。
Ｉゼオライトを吸着及び触媒用途における可能性のある
使用のためにどのようにして調製するかについて教示し
ていない。その上に、従来技術は、どのようにして高純
度（欠陥の無いかつ互いに交わって生長することの無
い）低シリカグメリナイトゼオライト（ＧＭＥ）からテ
ンプレートを、ＧＭＥ構造を変えないで取り去るかにつ
いて教示していない。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】発明の目的は、高いＮ
2／Ｏ2選択性を有する低シリカグメリナイトゼオライト
吸着剤を合成するにある。
2／Ｏ2選択性を有する低シリカグメリナイトゼオライト
吸着剤を合成するにある。
【００２２】発明の別の目的は、低シリカＡＦＩゼオラ
イト触媒を合成するにある。
イト触媒を合成するにある。
【００２３】発明のなお別の目的は、低シリカＡＦＩゼ
オライト吸着剤を合成するにある。
オライト吸着剤を合成するにある。
【００２４】発明の更になお別の目的は、高純度低シリ
カグメリナイトゼオライトを合成するにある。
カグメリナイトゼオライトを合成するにある。
【００２５】発明の更になお別の目的は、ＳｉＯ2／Ａ
ｌ2Ｏ3比が約１０以下である高純度グメリナイトゼオラ
イトを提供するにある。
ｌ2Ｏ3比が約１０以下である高純度グメリナイトゼオラ
イトを提供するにある。
【００２６】発明の別の目的は、テンプレートを持たな
いグメリナイトゼオライトを調製するにある。
いグメリナイトゼオライトを調製するにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】これらやその他の目的
は、ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比が約１０以下であるＡＦＩゼ
オライトを含む、本発明によって達成される。
は、ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比が約１０以下であるＡＦＩゼ
オライトを含む、本発明によって達成される。
【００２８】本発明は、また、ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比が
約１０以下である高純度グメリナイトゼオライトも含
む。
約１０以下である高純度グメリナイトゼオライトも含
む。
【００２９】
【発明の実施の形態】従来、ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比が低
いＡＦＩトポグラフィーを示すゼオライトは、触媒又は
吸着用途用に入手可能でなかった。そのような多孔質ゼ
オライトを合成しようとする従来技術の試みは、うまく
いかなかった。
いＡＦＩトポグラフィーを示すゼオライトは、触媒又は
吸着用途用に入手可能でなかった。そのような多孔質ゼ
オライトを合成しようとする従来技術の試みは、うまく
いかなかった。
【００３０】本発明は、ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比が約１０
以下である、ＡＦＩトポグラフィーを有する低シリカゼ
オライトを提供する。ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3の比は、約２
〜約１０であるのが好ましく、約２〜約５であるのが一
層好ましい。
以下である、ＡＦＩトポグラフィーを有する低シリカゼ
オライトを提供する。ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3の比は、約２
〜約１０であるのが好ましく、約２〜約５であるのが一
層好ましい。
【００３１】低シリカＡＦＩゼオライトは、グメリナイ
トゼオライトをＡＦＩゼオライトに変換させることによ
って合成する。その方法は、第四アンモニウムテンプレ
ートを有するＭ−グメリナイトを焼成してＭ−グメリナ
イトから第四アンモニウムテンプレートを除き、それに
よりＭ−グメリナイトをＭ−ＡＦＩゼオライトに変換さ
せる（ここで、Ｍは、Ｎａ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｂａ、及びＭ
ｇからなる群より選ぶ）工程を含む。
トゼオライトをＡＦＩゼオライトに変換させることによ
って合成する。その方法は、第四アンモニウムテンプレ
ートを有するＭ−グメリナイトを焼成してＭ−グメリナ
イトから第四アンモニウムテンプレートを除き、それに
よりＭ−グメリナイトをＭ−ＡＦＩゼオライトに変換さ
せる（ここで、Ｍは、Ｎａ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｂａ、及びＭ
ｇからなる群より選ぶ）工程を含む。
【００３２】グメリナイトゼオライトを焼成すること
は、グメリナイトを高純度Ｍ−グメリナイトか又はＭ−
ＡＦＩ（ここで、Ｍは、Ｎａ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｂａ、及び
Ｍｇからなる群によって定義する）のいずれかに変換さ
せる多形性の相転移をもたらすために必須である。ゼオ
ライト物質を加熱してそれの融点よりも低い温度にして
相転移をもたらすのが典型的である。これは、Ｎ2又は
空気環境下で行っても又は行わなくてもよい。本発明の
方法では、焼成を温度約１００°〜約７００℃で行う。
その温度は、約３００°〜約６００℃であるのが好まし
い。ＭがＮａ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｂａ、又はＭｇである時
は、グメリナイトは、第四アンモニウムテンプレートを
除くことによってＡＦＩゼオライトに変換する。
は、グメリナイトを高純度Ｍ−グメリナイトか又はＭ−
ＡＦＩ（ここで、Ｍは、Ｎａ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｂａ、及び
Ｍｇからなる群によって定義する）のいずれかに変換さ
せる多形性の相転移をもたらすために必須である。ゼオ
ライト物質を加熱してそれの融点よりも低い温度にして
相転移をもたらすのが典型的である。これは、Ｎ2又は
空気環境下で行っても又は行わなくてもよい。本発明の
方法では、焼成を温度約１００°〜約７００℃で行う。
その温度は、約３００°〜約６００℃であるのが好まし
い。ＭがＮａ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｂａ、又はＭｇである時
は、グメリナイトは、第四アンモニウムテンプレートを
除くことによってＡＦＩゼオライトに変換する。
【００３３】加えて、その方法は、更に、第四アンモニ
ウムテンプレートを有するＮａ−グメリナイトゼオライ
トを提供する工程を含むことができる。
ウムテンプレートを有するＮａ−グメリナイトゼオライ
トを提供する工程を含むことができる。
【００３４】Ｎａ−ＡＦＩゼオライトを製造するには、
第四アンモニウムテンプレートを有するＮａ−グメリナ
イトゼオライトを焼成する。これは、テンプレートを除
き、Ｎａ−グメリナイトの構造をＮａ−ＡＦＩゼオライ
トに変換させる。Ｎａ−グメリナイトゼオライトの純度
に応じて、イオン交換工程を含んでも又は含まなくても
よい。
第四アンモニウムテンプレートを有するＮａ−グメリナ
イトゼオライトを焼成する。これは、テンプレートを除
き、Ｎａ−グメリナイトの構造をＮａ−ＡＦＩゼオライ
トに変換させる。Ｎａ−グメリナイトゼオライトの純度
に応じて、イオン交換工程を含んでも又は含まなくても
よい。
【００３５】それ以上の実施態様では、イオン交換工程
を含んでよい。イオン交換工程は、第四アンモニウムテ
ンプレートを有するＮａ−グメリナイトから、Ｎａイオ
ンを他のカチオンに替える。Ｎａイオンを他のＲイオン
に替え、それにより第四アンモニウムテンプレートを有
するＲ−グメリナイトを形成する（ここで、Ｒは、Ｌ
ｉ、Ｃａ、Ｂａ、及びＭｇからなる群より選ぶ）のが好
ましい。この工程は、８０°〜１００℃の水溶液によっ
て行うのが典型的である。交換すべき無機カチオンの混
合物のモル濃度は、少なくとも１０％であるのが好まし
い。
を含んでよい。イオン交換工程は、第四アンモニウムテ
ンプレートを有するＮａ−グメリナイトから、Ｎａイオ
ンを他のカチオンに替える。Ｎａイオンを他のＲイオン
に替え、それにより第四アンモニウムテンプレートを有
するＲ−グメリナイトを形成する（ここで、Ｒは、Ｌ
ｉ、Ｃａ、Ｂａ、及びＭｇからなる群より選ぶ）のが好
ましい。この工程は、８０°〜１００℃の水溶液によっ
て行うのが典型的である。交換すべき無機カチオンの混
合物のモル濃度は、少なくとも１０％であるのが好まし
い。
【００３６】新規なＡＦＩ物質は、低シリカ骨組を有
し、ＳＳＺ−２４の触媒的使用効果を増進させることに
なる。ＡＦＩ構造は、他の知られている１２−環ゼオラ
イトと実施的に異なる。それは、他の１２−環チャンネ
ル低シリカゼオライトと同様の性質を振る舞いかつ示
し、有機及び無機化合物に関する触媒作用、吸着及び分
離プロセスにおいて有用であることが期待される。モル
デナイト、オフレタイト、グメリナイト、カンクリナイ
ト（ｃａｎｃｒｉｎｉｔｅ）、マジット（ｍａｚｚｉｔ
ｅ）、及びリンデ（Ｌｉｎｄｅ）Ｌのような１２−環チ
ャンネルを含有するゼオライトは、すでに重要な触媒的
性質を有し、異性化（モルデナイト及びマジット）、脱
蝋（モルデナイト及びオフレタイト）、並びに芳香族化
（ａｒｏｍａｔｉｏｎ）又は改質（リンデＬ）のような
プロセスにおいて有用にする。本発明のＡＦＩゼオライ
トは、同様の用途において使用することができる可能性
がある。加えて、低シリカＡＦＩゼオライトは、また、
プレッシャースイング吸着（ＰＳＡ）空気分離用途にお
いて使用を見出すことができる。
し、ＳＳＺ−２４の触媒的使用効果を増進させることに
なる。ＡＦＩ構造は、他の知られている１２−環ゼオラ
イトと実施的に異なる。それは、他の１２−環チャンネ
ル低シリカゼオライトと同様の性質を振る舞いかつ示
し、有機及び無機化合物に関する触媒作用、吸着及び分
離プロセスにおいて有用であることが期待される。モル
デナイト、オフレタイト、グメリナイト、カンクリナイ
ト（ｃａｎｃｒｉｎｉｔｅ）、マジット（ｍａｚｚｉｔ
ｅ）、及びリンデ（Ｌｉｎｄｅ）Ｌのような１２−環チ
ャンネルを含有するゼオライトは、すでに重要な触媒的
性質を有し、異性化（モルデナイト及びマジット）、脱
蝋（モルデナイト及びオフレタイト）、並びに芳香族化
（ａｒｏｍａｔｉｏｎ）又は改質（リンデＬ）のような
プロセスにおいて有用にする。本発明のＡＦＩゼオライ
トは、同様の用途において使用することができる可能性
がある。加えて、低シリカＡＦＩゼオライトは、また、
プレッシャースイング吸着（ＰＳＡ）空気分離用途にお
いて使用を見出すことができる。
【００３７】ＡＦＩ又はＧＭＥトポグラフィーを有する
低シリカゼオライトの合成は、ポリマーテンプレートを
有しかつ熱不安定なＮａ−グメリナイトゼオライトで開
始する。Ｎａ−グメリナイトは、種々の方法で合成する
ことができる。好適な実施態様では、Ｎａ−グメリナイ
トは、ポリマー第四アンモニウムテンプレート合成シス
テムを穏和な条件下で温度約８０°〜１００℃において
使用して合成する。Ｎａイオンを８０°〜１００℃の水
溶液中で交換して他のＲ−グメリナイト（Ｒ＝Ｌｉ、Ｃ
ａ、Ｂａ、及びＭｇ）を形成する。
低シリカゼオライトの合成は、ポリマーテンプレートを
有しかつ熱不安定なＮａ−グメリナイトゼオライトで開
始する。Ｎａ−グメリナイトは、種々の方法で合成する
ことができる。好適な実施態様では、Ｎａ−グメリナイ
トは、ポリマー第四アンモニウムテンプレート合成シス
テムを穏和な条件下で温度約８０°〜１００℃において
使用して合成する。Ｎａイオンを８０°〜１００℃の水
溶液中で交換して他のＲ−グメリナイト（Ｒ＝Ｌｉ、Ｃ
ａ、Ｂａ、及びＭｇ）を形成する。
【００３８】ポリマー第四アンモニウムテンプレートで
あるＤａｂ−４Ｂｒは、１，４−ジアザビシクロ［２．
２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）をＢｒ（ＣＨ２）４Ｂ
ｒと室温で３０日間反応させ、次いで、それをナトリウ
ムアルミネート溶液に溶解することによって合成するこ
とができる。次に、シリカ含有溶液をこの溶液に加えて
ゲルを形成する。この反応性ゲルを８０°〜１００℃で
３〜２０日間加熱した。次いで、内容物をろ過し、洗浄
しかつ乾燥させた。生成する生成物はＮａ−グメリナイ
トであり、これはＸ線回折（ＸＲＤ）分析によって確認
することができる。また、当分野で知られている他の方
法を使用してもよい。加えて、イオン交換工程を実施し
てＮａカチオンを他のカチオンに替えることができる。
あるＤａｂ−４Ｂｒは、１，４−ジアザビシクロ［２．
２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）をＢｒ（ＣＨ２）４Ｂ
ｒと室温で３０日間反応させ、次いで、それをナトリウ
ムアルミネート溶液に溶解することによって合成するこ
とができる。次に、シリカ含有溶液をこの溶液に加えて
ゲルを形成する。この反応性ゲルを８０°〜１００℃で
３〜２０日間加熱した。次いで、内容物をろ過し、洗浄
しかつ乾燥させた。生成する生成物はＮａ−グメリナイ
トであり、これはＸ線回折（ＸＲＤ）分析によって確認
することができる。また、当分野で知られている他の方
法を使用してもよい。加えて、イオン交換工程を実施し
てＮａカチオンを他のカチオンに替えることができる。
【００３９】本発明は、また、ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比が
約１０以下である高純度グメリナイトゼオライトも含
む。ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3の比は、約２〜約１０であるの
が好ましく、約５であるのが一層好ましい。
約１０以下である高純度グメリナイトゼオライトも含
む。ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3の比は、約２〜約１０であるの
が好ましく、約５であるのが一層好ましい。
【００４０】本発明の高純度ＧＭＥゼオライトは、第四
アンモニウムテンプレートを有するＫ−グメリナイトを
焼成して第四アンモニウムテンプレートを除き、それに
より高純度Ｋ−グメリナイトを形成する工程を含む方法
によって合成することができる。
アンモニウムテンプレートを有するＫ−グメリナイトを
焼成して第四アンモニウムテンプレートを除き、それに
より高純度Ｋ−グメリナイトを形成する工程を含む方法
によって合成することができる。
【００４１】本発明者等は、第四アンモニウムテンプレ
ートを有するＫ−グメリナイトを焼成して高純度Ｋ−グ
メリナイトゼオライトを形成することができることを見
出した。Ｋは。グメリナイト構造を安定化し、Ｋ−グメ
リナイトゼオライトを焼成する工程は、グメリナイト
を、第四アンモニウムテンプレートを除くことによっ
て、高純度Ｋ−グメリナイトに変換させる。ゼオライト
物質を加熱してそれの融点よりも低い温度にして相転移
をもたらす。これは、Ｎ2又は空気環境下で行っても又
は行わなくてもよい。焼成を温度約１００°〜約７００
℃で行う。その温度は、約３００°〜約６００℃である
のが好ましい。
ートを有するＫ−グメリナイトを焼成して高純度Ｋ−グ
メリナイトゼオライトを形成することができることを見
出した。Ｋは。グメリナイト構造を安定化し、Ｋ−グメ
リナイトゼオライトを焼成する工程は、グメリナイト
を、第四アンモニウムテンプレートを除くことによっ
て、高純度Ｋ−グメリナイトに変換させる。ゼオライト
物質を加熱してそれの融点よりも低い温度にして相転移
をもたらす。これは、Ｎ2又は空気環境下で行っても又
は行わなくてもよい。焼成を温度約１００°〜約７００
℃で行う。その温度は、約３００°〜約６００℃である
のが好ましい。
【００４２】高純度のグメリナイトゼオライトを合成す
る方法は、更に、（ａ）第四アンモニウムテンプレート
を有するＮａ−グメリナイトゼオライトを供し；及び
（ｂ）第四アンモニウムテンプレートを有するＮａ−グ
メリナイトから、ＮａイオンをＫイオンでイオン交換
し、それにより第四アンモニウムテンプレートを有する
Ｋ−グメリナイトを形成する工程を含み、工程（ａ）及
び（ｂ）を実施した後に焼成工程を実施してよい。
る方法は、更に、（ａ）第四アンモニウムテンプレート
を有するＮａ−グメリナイトゼオライトを供し；及び
（ｂ）第四アンモニウムテンプレートを有するＮａ−グ
メリナイトから、ＮａイオンをＫイオンでイオン交換
し、それにより第四アンモニウムテンプレートを有する
Ｋ−グメリナイトを形成する工程を含み、工程（ａ）及
び（ｂ）を実施した後に焼成工程を実施してよい。
【００４３】加えて、第二イオン交換工程を、焼成工程
の後に、実施してよい。これは、高純度Ｋ−グメリナイ
トを他のカチオン形態に転化させる。イオン交換工程を
使用してＫイオンをＱイオンに替えてＱ−グメリナイト
を形成する（ここで、Ｑイオンは、Ｎａ、Ｌｉ、Ｃａ、
Ｂａ、及びＭｇからなる群より選ぶ）のが好ましい。
の後に、実施してよい。これは、高純度Ｋ−グメリナイ
トを他のカチオン形態に転化させる。イオン交換工程を
使用してＫイオンをＱイオンに替えてＱ−グメリナイト
を形成する（ここで、Ｑイオンは、Ｎａ、Ｌｉ、Ｃａ、
Ｂａ、及びＭｇからなる群より選ぶ）のが好ましい。
【００４４】生成した高純度のグメリナイトの結晶純度
は、少なくとも約９５％であり、約１００％であるのが
好ましい。
は、少なくとも約９５％であり、約１００％であるのが
好ましい。
【００４５】新規に形成された高純度のグメリナイトゼ
オライトは、多孔度及び安定性の増大を示す。高純度の
グメリナイトゼオライトは、流体混合物を分離するため
の吸着剤としてかつ有機変換用の接触用途において有用
になることが期待される。
オライトは、多孔度及び安定性の増大を示す。高純度の
グメリナイトゼオライトは、流体混合物を分離するため
の吸着剤としてかつ有機変換用の接触用途において有用
になることが期待される。
【００４６】粉末Ｘ−線回折技術を用いて合成の間のゼ
オライト物質の変化を評価した。図１において、トレー
スは、原子の広範囲の順序（ｏｒｄｅｒｉｎｇ）に相当
する特定の回折角における信号を示す。トレースを基準
図と比べて特定の骨組トポロジーを同定した。加えて、
個々の信号の強さ及び幅の広さを基準図に対して比較し
て、サンプル純度の指標をもたらした。
オライト物質の変化を評価した。図１において、トレー
スは、原子の広範囲の順序（ｏｒｄｅｒｉｎｇ）に相当
する特定の回折角における信号を示す。トレースを基準
図と比べて特定の骨組トポロジーを同定した。加えて、
個々の信号の強さ及び幅の広さを基準図に対して比較し
て、サンプル純度の指標をもたらした。
【００４７】本発明を例示するために、下記の例を挙げ
る。本発明は、記載する例によって制限されないことを
理解すべきである。
る。本発明は、記載する例によって制限されないことを
理解すべきである。
【００４８】
【実施例】例１ 高品質Ｎａ−グメリナイトの合成 Ｄａｂ−４Ｂｒ５．４２：Ａｌ2Ｏ3１：Ｎａ2Ｏ１６．
７：ＳｉＯ2３０：Ｈ2Ｏ５７０を有するゲル組成物を下
記の通りにして調製した。初めに、水酸化アルミニウム
水和物（Ａｌ2Ｏ3５４％、Ａｌｄｒｉｃｈ）をＮａＯＨ
の溶液に溶解することによって、アルミン酸ナトリウム
溶液（Ａｌ2Ｏ3０．４モル／ｋｇ及びＮａＯＨ４モル／
ｋｇ）を造った。アルミン酸ナトリウム溶液２５．０ｇ
とテンプレートＤａｂ−４Ｂｒ溶液（１６．４重量％）
５４．２ｇとを混合し、次いでケイ酸ナトリウム溶液
（ＳｉＯ2２７％、ＮａＯＨ１４％、Ａｌｄｒｉｃｈ）
６６．６ｇを加えた。反応混合物を室温で５分間撹拌
し、テフロン（登録商標）ボトルに入れ、空気対流炉中
で８０℃において１２日間反応させた。生成物をろ過
し、水で洗浄しかつ炉中で１００℃において乾燥させ
た。ＸＲＤ分析は、Ｎａ−グメリナイトが、それの特徴
的な信号、不純物ピークがなく、かつベースラインが低
い（図１を参照）ことに基づいて優れた品質を有するこ
とを示した。元素分析は、ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3の比＝
４．６を示した。最終生成物は、また、有機テンプレー
トから出た有機種も含有していた。
７：ＳｉＯ2３０：Ｈ2Ｏ５７０を有するゲル組成物を下
記の通りにして調製した。初めに、水酸化アルミニウム
水和物（Ａｌ2Ｏ3５４％、Ａｌｄｒｉｃｈ）をＮａＯＨ
の溶液に溶解することによって、アルミン酸ナトリウム
溶液（Ａｌ2Ｏ3０．４モル／ｋｇ及びＮａＯＨ４モル／
ｋｇ）を造った。アルミン酸ナトリウム溶液２５．０ｇ
とテンプレートＤａｂ−４Ｂｒ溶液（１６．４重量％）
５４．２ｇとを混合し、次いでケイ酸ナトリウム溶液
（ＳｉＯ2２７％、ＮａＯＨ１４％、Ａｌｄｒｉｃｈ）
６６．６ｇを加えた。反応混合物を室温で５分間撹拌
し、テフロン（登録商標）ボトルに入れ、空気対流炉中
で８０℃において１２日間反応させた。生成物をろ過
し、水で洗浄しかつ炉中で１００℃において乾燥させ
た。ＸＲＤ分析は、Ｎａ−グメリナイトが、それの特徴
的な信号、不純物ピークがなく、かつベースラインが低
い（図１を参照）ことに基づいて優れた品質を有するこ
とを示した。元素分析は、ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3の比＝
４．６を示した。最終生成物は、また、有機テンプレー
トから出た有機種も含有していた。
【００４９】例２ Ｌｉ−ＧＭＥの合成 例１に記載する通りにして調製したＮａ−グメリナイの
サンプルを、ＫＯＨ２モル／ｋｇ及びＫＣｌ １モル／
ｋｇを含有する水溶液と９０℃において１日間接触させ
ることによって、処理した。交換すべき無機カチオンの
混合物のモル濃度は、少なくとも１０％でなければなら
ないことが予期される。この特定の場合では、カリウム
のモル濃度は、少なくとも１０％である。このイオン交
換プロセスを、３度続けて繰り返した。ＫＯＨは、非晶
質及びその他の不純物を溶解することことができるの
で、ＫＯＨを使用することは随意であるが、望ましいこ
とである。生成物をろ過し、水で洗浄し、かつ炉中で１
００℃において乾燥させた。ＸＲＤ分析は、Ｋ−交換さ
れたグメリナイトが、それの特徴的な信号、不純物ピー
クがなく、かつベースラインが低い（図１Ｂを参照）こ
とに基づいて高い品質であることを示した。
サンプルを、ＫＯＨ２モル／ｋｇ及びＫＣｌ １モル／
ｋｇを含有する水溶液と９０℃において１日間接触させ
ることによって、処理した。交換すべき無機カチオンの
混合物のモル濃度は、少なくとも１０％でなければなら
ないことが予期される。この特定の場合では、カリウム
のモル濃度は、少なくとも１０％である。このイオン交
換プロセスを、３度続けて繰り返した。ＫＯＨは、非晶
質及びその他の不純物を溶解することことができるの
で、ＫＯＨを使用することは随意であるが、望ましいこ
とである。生成物をろ過し、水で洗浄し、かつ炉中で１
００℃において乾燥させた。ＸＲＤ分析は、Ｋ−交換さ
れたグメリナイトが、それの特徴的な信号、不純物ピー
クがなく、かつベースラインが低い（図１Ｂを参照）こ
とに基づいて高い品質であることを示した。
【００５０】Ｋ−交換されたグメリナイトを空気中で５
００℃において５時間焼成して有機テンプレートを除い
た。ＸＲＤ分析は、生成物がグメリナイトであることを
確認した（図１Ｃを参照）。
００℃において５時間焼成して有機テンプレートを除い
た。ＸＲＤ分析は、生成物がグメリナイトであることを
確認した（図１Ｃを参照）。
【００５１】Ｋ−グメリナイの焼成されたサンプルを、
ＬｉＣｌ ２モル／ｋｇ及びｐＨ＝９．６を含有する水
溶液と３度続けて８０℃において１日間接触させること
によって、処理した。生成物をろ過し、水で洗浄し、か
つ炉中で１００℃において乾燥させた。ＸＲＤ分析は、
特徴的な信号、不純物ピークがなく、かつベースライン
が低い（図１Ｄを参照）ことに基づいて優れたグメリナ
イトであることを示した。
ＬｉＣｌ ２モル／ｋｇ及びｐＨ＝９．６を含有する水
溶液と３度続けて８０℃において１日間接触させること
によって、処理した。生成物をろ過し、水で洗浄し、か
つ炉中で１００℃において乾燥させた。ＸＲＤ分析は、
特徴的な信号、不純物ピークがなく、かつベースライン
が低い（図１Ｄを参照）ことに基づいて優れたグメリナ
イトであることを示した。
【００５２】例３ ＡＦＩの合成 例１に記載する通りにして調製したグメリナイのサンプ
ルを、空気中で５００℃において５時間焼成した。ＸＲ
Ｄ分析は、生成物がＡＦＩ構造を有することを示した
（図１Ｅ）。加熱速度は、有意の影響を与えない。
ルを、空気中で５００℃において５時間焼成した。ＸＲ
Ｄ分析は、生成物がＡＦＩ構造を有することを示した
（図１Ｅ）。加熱速度は、有意の影響を与えない。
【００５３】例４ ＡＦＩの代わりの調製 例１に記載する通りにして調製したグメリナイのサンプ
ルを、ＬｉＣｌ ２モル／ｋｇ及びｐＨ＝９．６を含有
する水溶液と３度続けて９０℃において１日間接触させ
ることにより、処理することによってイオン交換した。
生成物をろ過し、水で洗浄し、かつ炉中で１００℃にお
いて乾燥させた。ＸＲＤ分析は、高品質のグメリナイト
を示した。
ルを、ＬｉＣｌ ２モル／ｋｇ及びｐＨ＝９．６を含有
する水溶液と３度続けて９０℃において１日間接触させ
ることにより、処理することによってイオン交換した。
生成物をろ過し、水で洗浄し、かつ炉中で１００℃にお
いて乾燥させた。ＸＲＤ分析は、高品質のグメリナイト
を示した。
【００５４】Ｌｉ−交換されたグメリナイトを空気中で
５００℃において５時間焼成した。ＸＲＤ分析は、生成
物がＡＦＩ構造を有することを示した。
５００℃において５時間焼成した。ＸＲＤ分析は、生成
物がＡＦＩ構造を有することを示した。
【００５５】Ｂａ、Ｃａ、及びＭｇイオン交換されたグ
メリナイサンプルを、上記のＬｉ−交換されたグメリナ
イトを調製するために記載した一般的な方法を使用する
ことによって調製した。すべての場合において、焼成さ
れた生成物は、ＡＦＩ構造を有する。
メリナイサンプルを、上記のＬｉ−交換されたグメリナ
イトを調製するために記載した一般的な方法を使用する
ことによって調製した。すべての場合において、焼成さ
れた生成物は、ＡＦＩ構造を有する。
【００５６】発明を発明の特定の実施態様を参照して上
に説明したが、多くの変更、変更態様及び変形を本明細
書中に開示する発明の概念から逸脱しないでなすことが
できることは明らかである。よって、特許請求の範囲に
記載する精神及び広い範囲内に入るそのような変更、変
更態様及び変形をすべて包含することを意図する。本明
細書中に引用する特許出願、特許及びその他の刊行物
を、すべて全体を本明細書中に援用する。
に説明したが、多くの変更、変更態様及び変形を本明細
書中に開示する発明の概念から逸脱しないでなすことが
できることは明らかである。よって、特許請求の範囲に
記載する精神及び広い範囲内に入るそのような変更、変
更態様及び変形をすべて包含することを意図する。本明
細書中に引用する特許出願、特許及びその他の刊行物
を、すべて全体を本明細書中に援用する。
【図１】種々のゼオライトの合成する間のＸ−線回折分
析の結果を示すグラフ的プリントアウトである。
析の結果を示すグラフ的プリントアウトである。
Claims (4)
- 【請求項１】 ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比が１０以下である
低シリカＡＦＩゼオライト。 - 【請求項２】 ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比が１０以下である
シリカＡＦＩゼオライトを合成する方法であって、下
記：第四アンモニウムテンプレートを有するＭ−グメリ
ナイトを焼成し、それにより該Ｍ−グメリナイトをＭ−
ＡＦＩゼオライトに変換させる（ここで、Ｍは、Ｎａ、
Ｌｉ、Ｃａ、Ｂａ、及びＭｇからなる群より選ぶ）工程
を含む方法。 - 【請求項３】 下記：ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比が１０以下
である低シリカＡＦＩゼオライトを供する工程；及び無
機又は有機化合物を該低シリカＡＦＩゼオライトの存在
において反応させる工程を含む無機又は有機化合物を接
触変換させる方法。 - 【請求項４】 下記：ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3比が１０以下
である低シリカＡＦＩゼオライトを供する工程；及び流
体を該低シリカＡＦＩゼオライトを通過させる工程を含
む流体混合物を分離する方法。
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