JP2002235168A - 成膜方法および成膜装置 - Google Patents
成膜方法および成膜装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大面積の基板上に膜を形成することが可能な
成膜方法および成膜装置を提供する。 【解決手段】 ターゲット材１４表面から成膜材料を飛
散させ、その飛散した成膜材料を基板１２表面上に堆積
させることにより膜を形成する成膜方法であって、ター
ゲット材１４の表面に対して基板１２の表面が角度をな
すように基板１２とターゲット材１４とを配置する工程
と、ターゲット材１４に対する基板１２の相対的な位置
を移動させながら、膜表面の面積が２次元方向に連続し
て増加するように基板１２上に膜を形成する成膜工程と
を備える。
成膜方法および成膜装置を提供する。 【解決手段】 ターゲット材１４表面から成膜材料を飛
散させ、その飛散した成膜材料を基板１２表面上に堆積
させることにより膜を形成する成膜方法であって、ター
ゲット材１４の表面に対して基板１２の表面が角度をな
すように基板１２とターゲット材１４とを配置する工程
と、ターゲット材１４に対する基板１２の相対的な位置
を移動させながら、膜表面の面積が２次元方向に連続し
て増加するように基板１２上に膜を形成する成膜工程と
を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、成膜方法および
成膜装置に関し、より特定的には、大面積の基板に対し
て成膜を可能とする成膜方法および成膜装置に関する。
成膜装置に関し、より特定的には、大面積の基板に対し
て成膜を可能とする成膜方法および成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、酸化物超電導体の薄膜を形成する
技術の一つとして、レーザアブレーション法が知られて
いる。ここで、レーザアブレーション法とは、ターゲッ
ト材などの固体の表面に強いレーザ光を照射して固体を
局所的に熱することにより、固体表面から原子やイオン
などを気体中に飛散させ、この飛散した原子などを他の
物体の表面に堆積することにより所定の薄膜を形成する
技術である。このようなレーザアブレーション法を用い
た従来の成膜方法の例としては、たとえば特開平８−２
４６１３６号公報に開示された成膜方法が挙げられる。
技術の一つとして、レーザアブレーション法が知られて
いる。ここで、レーザアブレーション法とは、ターゲッ
ト材などの固体の表面に強いレーザ光を照射して固体を
局所的に熱することにより、固体表面から原子やイオン
などを気体中に飛散させ、この飛散した原子などを他の
物体の表面に堆積することにより所定の薄膜を形成する
技術である。このようなレーザアブレーション法を用い
た従来の成膜方法の例としては、たとえば特開平８−２
４６１３６号公報に開示された成膜方法が挙げられる。
【０００３】図１１は、特開平８−２４６１３６号公報
に開示されている従来の成膜方法を説明するための模式
図である。図１１を参照して、従来の成膜方法を説明す
る。
に開示されている従来の成膜方法を説明するための模式
図である。図１１を参照して、従来の成膜方法を説明す
る。
【０００４】図１１を参照して、従来の成膜方法では、
レーザ光１１６を照射するターゲット材１１４に対向す
るように、基板１１２が配置されている。基板１１２の
表面はターゲット材１１４の表面とほぼ平行となってい
る。そして、レーザ光１１６がターゲット材１１４の表
面に照射されることにより、ターゲット材１１４が局所
的に加熱される。ターゲット材１１４の加熱された部分
から飛散した原子などにより、プルーム１１５が形成さ
れる。このプルーム１１５に対向する基板１１２の表面
には、プルーム１１５を構成する原子などが堆積するこ
とにより、酸化物超電導体の薄膜が形成される。また、
基板１１２における成膜速度は、プルーム１１５の中心
に近い領域ほど大きくなる。そのため、図１１に示した
成膜方法では、基板１１２を矢印１１３、１１４に示す
ような方向および紙面に垂直な方向に移動させることに
より、基板１１２の全面にほぼ均一な膜厚を有する薄膜
を形成できるとしている。
レーザ光１１６を照射するターゲット材１１４に対向す
るように、基板１１２が配置されている。基板１１２の
表面はターゲット材１１４の表面とほぼ平行となってい
る。そして、レーザ光１１６がターゲット材１１４の表
面に照射されることにより、ターゲット材１１４が局所
的に加熱される。ターゲット材１１４の加熱された部分
から飛散した原子などにより、プルーム１１５が形成さ
れる。このプルーム１１５に対向する基板１１２の表面
には、プルーム１１５を構成する原子などが堆積するこ
とにより、酸化物超電導体の薄膜が形成される。また、
基板１１２における成膜速度は、プルーム１１５の中心
に近い領域ほど大きくなる。そのため、図１１に示した
成膜方法では、基板１１２を矢印１１３、１１４に示す
ような方向および紙面に垂直な方向に移動させることに
より、基板１１２の全面にほぼ均一な膜厚を有する薄膜
を形成できるとしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の成膜方法においては以下に述べるような問題があっ
た。
の成膜方法においては以下に述べるような問題があっ
た。
【０００６】すなわち、酸化物超電導体の用途や製造工
程による要請などにより、薄膜を形成する基板１１２の
サイズを大きくしたい場合、図１１に示した成膜方法で
は、基板１１２のサイズをあまり大きくすると基板１１
２がターゲット材１１４に入射するレーザ光１１６を遮
ることになる。したがって、図１１に示した従来の成膜
方法においては、基板１１２のサイズを大きくすること
には限界があった。
程による要請などにより、薄膜を形成する基板１１２の
サイズを大きくしたい場合、図１１に示した成膜方法で
は、基板１１２のサイズをあまり大きくすると基板１１
２がターゲット材１１４に入射するレーザ光１１６を遮
ることになる。したがって、図１１に示した従来の成膜
方法においては、基板１１２のサイズを大きくすること
には限界があった。
【０００７】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたものであり、この発明の目的は、大面積
の基板上に膜を形成することが可能な成膜方法および成
膜装置を提供することである。
ためになされたものであり、この発明の目的は、大面積
の基板上に膜を形成することが可能な成膜方法および成
膜装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の１の局面にお
ける成膜方法は、ターゲット材表面から成膜材料を飛散
させ、その飛散した成膜材料を基板表面上に堆積させる
ことにより膜を形成する成膜方法であって、ターゲット
材の表面に対して基板の表面が角度をなすように基板と
ターゲット材とを配置する工程と、ターゲット材に対す
る基板の相対的な位置を移動させながら、膜表面の面積
が２次元方向に連続して増加するように基板上に膜を形
成する成膜工程とを備える。
ける成膜方法は、ターゲット材表面から成膜材料を飛散
させ、その飛散した成膜材料を基板表面上に堆積させる
ことにより膜を形成する成膜方法であって、ターゲット
材の表面に対して基板の表面が角度をなすように基板と
ターゲット材とを配置する工程と、ターゲット材に対す
る基板の相対的な位置を移動させながら、膜表面の面積
が２次元方向に連続して増加するように基板上に膜を形
成する成膜工程とを備える。
【０００９】ここで、ターゲット材の表面から成膜材料
を飛散させるため、ターゲット材にレーザ光などのエネ
ルギー線を照射する場合を考える。このようなエネルギ
ー線はターゲット材の表面に対して斜め方向から照射さ
れる。そして、ターゲット材の表面に対して基板の表面
が角度をなすように基板とターゲット材とを配置する
際、基板の表面の方向がこのエネルギー線の軌跡とほぼ
同じ方向となるように基板を配置できる。このようにす
れば、基板のサイズが大きくなっても、基板がエネルギ
ー線の軌跡と干渉することを防止できる。したがって、
エネルギー線の軌跡に制約されることなく、より大きな
基板に膜を形成することができる。
を飛散させるため、ターゲット材にレーザ光などのエネ
ルギー線を照射する場合を考える。このようなエネルギ
ー線はターゲット材の表面に対して斜め方向から照射さ
れる。そして、ターゲット材の表面に対して基板の表面
が角度をなすように基板とターゲット材とを配置する
際、基板の表面の方向がこのエネルギー線の軌跡とほぼ
同じ方向となるように基板を配置できる。このようにす
れば、基板のサイズが大きくなっても、基板がエネルギ
ー線の軌跡と干渉することを防止できる。したがって、
エネルギー線の軌跡に制約されることなく、より大きな
基板に膜を形成することができる。
【００１０】また、基板上に膜を形成する際、ターゲッ
ト材に対する基板の相対的な位置を移動させるので、基
板の全面に均一に膜を形成することが可能になる。
ト材に対する基板の相対的な位置を移動させるので、基
板の全面に均一に膜を形成することが可能になる。
【００１１】上記１の局面における成膜方法では、基板
の表面とターゲット材の表面とのなす角度が０°を超え
９０°以下であることが好ましい。
の表面とターゲット材の表面とのなす角度が０°を超え
９０°以下であることが好ましい。
【００１２】この場合、基板の表面とターゲット材の表
面とのなす角度を０°超えとすることにより、基板をタ
ーゲット材に対して確実に傾斜した状態で配置できる。
また、すでに述べたようにエネルギー線のターゲット材
の表面に対する照射方向と基板の傾斜方向とを同じ方向
にすることにより、従来よりサイズの大きな基板を用い
る場合にエネルギー線の軌跡を基板が遮るといった問題
の発生を抑制できる。
面とのなす角度を０°超えとすることにより、基板をタ
ーゲット材に対して確実に傾斜した状態で配置できる。
また、すでに述べたようにエネルギー線のターゲット材
の表面に対する照射方向と基板の傾斜方向とを同じ方向
にすることにより、従来よりサイズの大きな基板を用い
る場合にエネルギー線の軌跡を基板が遮るといった問題
の発生を抑制できる。
【００１３】また、基板の表面とターゲット財の表面と
のなす角度を９０°以下とすれば、ターゲット材表面か
ら飛散した成膜材料を、基板において膜が形成されるべ
き面に確実に到達させることができる。この結果、基板
において膜を確実に形成できる。
のなす角度を９０°以下とすれば、ターゲット材表面か
ら飛散した成膜材料を、基板において膜が形成されるべ
き面に確実に到達させることができる。この結果、基板
において膜を確実に形成できる。
【００１４】上記１の局面における成膜方法では、ター
ゲット材表面から成膜材料を飛散させるため、ターゲッ
ト材表面にエネルギー線を入射してもよい。
ゲット材表面から成膜材料を飛散させるため、ターゲッ
ト材表面にエネルギー線を入射してもよい。
【００１５】すでに述べたように、本発明によればエネ
ルギー線の軌跡と基板との干渉を抑制できる。したがっ
て、ターゲット材から成膜材料を飛散させるためにエネ
ルギー線を用いる成膜方法において基板のサイズを大き
くする場合、本発明は特に有効である。
ルギー線の軌跡と基板との干渉を抑制できる。したがっ
て、ターゲット材から成膜材料を飛散させるためにエネ
ルギー線を用いる成膜方法において基板のサイズを大き
くする場合、本発明は特に有効である。
【００１６】上記１の局面における成膜方法では、エネ
ルギー線の軌跡とターゲット材の表面とのなす角度は、
基板の表面とターゲット材の表面とのなす角度より小さ
くてもよい。
ルギー線の軌跡とターゲット材の表面とのなす角度は、
基板の表面とターゲット材の表面とのなす角度より小さ
くてもよい。
【００１７】この場合、ターゲット材の表面に対するエ
ネルギー線の軌跡の角度（エネルギー線の入射角）よ
り、基板の表面とターゲット材の表面とのなす角度（基
板の傾斜角）の方が大きくなる。したがって、エネルギ
ー線の入射方向と同じ方向に基板を傾斜させれば、ター
ゲット材におけるエネルギー線が入射する表面側におい
て、基板がエネルギー線の軌跡を遮ることを確実に防止
できる。この結果、基板のサイズを従来より大きくした
状態で、確実にターゲット材表面にエネルギー線を照射
できるので、大面積の基板の表面に、確実に膜を形成で
きる。
ネルギー線の軌跡の角度（エネルギー線の入射角）よ
り、基板の表面とターゲット材の表面とのなす角度（基
板の傾斜角）の方が大きくなる。したがって、エネルギ
ー線の入射方向と同じ方向に基板を傾斜させれば、ター
ゲット材におけるエネルギー線が入射する表面側におい
て、基板がエネルギー線の軌跡を遮ることを確実に防止
できる。この結果、基板のサイズを従来より大きくした
状態で、確実にターゲット材表面にエネルギー線を照射
できるので、大面積の基板の表面に、確実に膜を形成で
きる。
【００１８】上記１の局面における成膜方法では、エネ
ルギー線の軌跡が基板の表面とほぼ平行であってもよ
い。
ルギー線の軌跡が基板の表面とほぼ平行であってもよ
い。
【００１９】この場合、基板のサイズをどのように大き
くしても、エネルギー線の軌跡を基板が遮ることはな
い。したがって、任意の大きさの基板表面に膜を形成す
ることが可能になる。
くしても、エネルギー線の軌跡を基板が遮ることはな
い。したがって、任意の大きさの基板表面に膜を形成す
ることが可能になる。
【００２０】上記１の局面における成膜方法では、ター
ゲット材に対する基板の相対的な位置を変更することに
より、基板の表面とターゲット材の表面とのなす角度を
変える角度変更工程をさらに備えていてもよい。
ゲット材に対する基板の相対的な位置を変更することに
より、基板の表面とターゲット材の表面とのなす角度を
変える角度変更工程をさらに備えていてもよい。
【００２１】この場合、基板の表面とターゲット材の表
面とのなす角度（傾斜角）を任意に変更できる。ここ
で、傾斜角を変更することにより基板表面での成膜速度
などの成膜条件や形成された膜におけるパーティクルの
密度などの膜質を任意に変更することができる。このた
め、形成される膜の特性などに合わせて、成膜条件を選
択することが可能になる。
面とのなす角度（傾斜角）を任意に変更できる。ここ
で、傾斜角を変更することにより基板表面での成膜速度
などの成膜条件や形成された膜におけるパーティクルの
密度などの膜質を任意に変更することができる。このた
め、形成される膜の特性などに合わせて、成膜条件を選
択することが可能になる。
【００２２】上記１の局面における成膜方法では、成膜
工程において、ターゲット材に対する基板の相対的な位
置を移動させる際の移動方向が基板の表面とほぼ平行な
方向であってもよい。
工程において、ターゲット材に対する基板の相対的な位
置を移動させる際の移動方向が基板の表面とほぼ平行な
方向であってもよい。
【００２３】この場合、ターゲット材の表面に対する基
板の表面の角度を、常に一定に保った状態で、ターゲッ
ト材に対する基板の位置を移動させることができる。し
たがって、基板において膜が形成されるべき表面（基板
の成膜面）全体にわたって、成膜条件を一定の条件に保
つことが可能になる。この結果、基板の成膜面全体に、
均質な膜を容易に形成できる。
板の表面の角度を、常に一定に保った状態で、ターゲッ
ト材に対する基板の位置を移動させることができる。し
たがって、基板において膜が形成されるべき表面（基板
の成膜面）全体にわたって、成膜条件を一定の条件に保
つことが可能になる。この結果、基板の成膜面全体に、
均質な膜を容易に形成できる。
【００２４】上記１の局面における成膜方法では、膜が
酸化物超電導体を含んでいてもよい。
酸化物超電導体を含んでいてもよい。
【００２５】このように、酸化物超電導体膜を形成する
工程に本発明を適用すれば、サイズの大きな基板表面に
均質な酸化物超電導体膜を形成できる。酸化物超電導体
膜においては、膜の均質性が特に重要な特性の一つであ
るため、本発明はこのような酸化物超電導体膜の製造工
程に特に適している。
工程に本発明を適用すれば、サイズの大きな基板表面に
均質な酸化物超電導体膜を形成できる。酸化物超電導体
膜においては、膜の均質性が特に重要な特性の一つであ
るため、本発明はこのような酸化物超電導体膜の製造工
程に特に適している。
【００２６】上記１の局面における成膜方法では、酸化
物超電導体が、ＲＥ１２３系酸化物超電導体およびビス
マス系酸化物超電導体からなる群から選択される１種を
含むことが好ましい。
物超電導体が、ＲＥ１２３系酸化物超電導体およびビス
マス系酸化物超電導体からなる群から選択される１種を
含むことが好ましい。
【００２７】ここで、ＲＥ１２３系酸化物超電導体と
は、近似的にＲＥＢａ2Ｃｕ3ＯXで表わされる超電導体
を意味し、ＲＥはイットリウム（Ｙ）、またはネオジム
（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ホルミウム（Ｈｏ）な
どの希土類元素を意味する。また、ビスマス系の酸化物
超電導体としては、主に２２２３相、すなわち、近似的
に（ＢｉXＰｂ1-X）2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3ＯYで表わされる
相を含む酸化物超電導体を用いることが好ましい。
は、近似的にＲＥＢａ2Ｃｕ3ＯXで表わされる超電導体
を意味し、ＲＥはイットリウム（Ｙ）、またはネオジム
（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ホルミウム（Ｈｏ）な
どの希土類元素を意味する。また、ビスマス系の酸化物
超電導体としては、主に２２２３相、すなわち、近似的
に（ＢｉXＰｂ1-X）2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3ＯYで表わされる
相を含む酸化物超電導体を用いることが好ましい。
【００２８】そして、本発明をこれらの酸化物超電導体
の製造工程に適用することにより、ＲＥ１２３系酸化物
超電導体およびビスマス系酸化物超電導体の均質な膜を
容易に形成することができる。
の製造工程に適用することにより、ＲＥ１２３系酸化物
超電導体およびビスマス系酸化物超電導体の均質な膜を
容易に形成することができる。
【００２９】上記１の局面における成膜方法では、膜上
に酸化物超電導体を形成する工程をさらに備えていても
よく、この膜は基板と酸化物超電導体との間に位置する
中間膜であってもよい。
に酸化物超電導体を形成する工程をさらに備えていても
よく、この膜は基板と酸化物超電導体との間に位置する
中間膜であってもよい。
【００３０】ここで、基板上に形成される酸化物超電導
体の特性を良好に保つため、従来、基板と酸化物超電導
体との間に中間層としての中間膜が形成される。基板全
面において酸化物超電導体の特性を均質化するために
は、この中間膜も基板全面において膜厚や特性などを均
質化する必要がある。そして、このような中間膜の製造
工程に本発明を適用すれば、容易に均質な中間膜を得る
ことができる。この結果、酸化物超電導体の特性を基板
全面において均質化することができる。
体の特性を良好に保つため、従来、基板と酸化物超電導
体との間に中間層としての中間膜が形成される。基板全
面において酸化物超電導体の特性を均質化するために
は、この中間膜も基板全面において膜厚や特性などを均
質化する必要がある。そして、このような中間膜の製造
工程に本発明を適用すれば、容易に均質な中間膜を得る
ことができる。この結果、酸化物超電導体の特性を基板
全面において均質化することができる。
【００３１】上記１の局面における成膜方法では、膜が
イットリア安定化ジルコニア、酸化セリウム、酸化マグ
ネシウムおよびチタン酸ストロンチウムからなる群から
選択される少なくとも１種を含んでいてもよい。
イットリア安定化ジルコニア、酸化セリウム、酸化マグ
ネシウムおよびチタン酸ストロンチウムからなる群から
選択される少なくとも１種を含んでいてもよい。
【００３２】上記したイットリア安定化ジルコニアなど
は、中間膜として優れた特性を示す。そして、このよう
な中間膜に適した膜を製造する工程に本発明を適用すれ
ば、容易に優れた膜質の中間膜を得ることができる。
は、中間膜として優れた特性を示す。そして、このよう
な中間膜に適した膜を製造する工程に本発明を適用すれ
ば、容易に優れた膜質の中間膜を得ることができる。
【００３３】上記１の局面における成膜方法では、基板
を構成する材料が、サファイア、アルミン酸ランタン、
チタン酸ストロンチウム、ＬＳＡＴ（Ｌａｎｔｈａｎｕ
ｍＳｔｒｏｎｔｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｔｉｔａｎ
ｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）からなる群から選択される少なく
とも１つを含んでいてもよい。
を構成する材料が、サファイア、アルミン酸ランタン、
チタン酸ストロンチウム、ＬＳＡＴ（Ｌａｎｔｈａｎｕ
ｍＳｔｒｏｎｔｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｔｉｔａｎ
ｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）からなる群から選択される少なく
とも１つを含んでいてもよい。
【００３４】上記サファイアなどからなる基板は、酸化
物超電導体や中間膜と格子整合性が良好である。したが
って、上記のような材料からなる基板を用いて本発明に
よる成膜方法により酸化物超電導体や中間膜を形成すれ
ば、均質で優れた膜質の酸化物超電導体あるいは中間膜
を得ることができる。
物超電導体や中間膜と格子整合性が良好である。したが
って、上記のような材料からなる基板を用いて本発明に
よる成膜方法により酸化物超電導体や中間膜を形成すれ
ば、均質で優れた膜質の酸化物超電導体あるいは中間膜
を得ることができる。
【００３５】この発明の他の局面における成膜装置は、
ターゲット材表面から成膜材料を飛散させ、その飛散し
た成膜材料を基板表面上に堆積させることにより薄膜を
形成する成膜装置であって、ターゲット材の表面に対し
て基板の表面がなす角度を変更する変更手段を備える。
ターゲット材表面から成膜材料を飛散させ、その飛散し
た成膜材料を基板表面上に堆積させることにより薄膜を
形成する成膜装置であって、ターゲット材の表面に対し
て基板の表面がなす角度を変更する変更手段を備える。
【００３６】このようにすれば、本発明による成膜装置
を用いて、ターゲット材の表面に対して基板の表面がな
す角度（傾斜角）を、任意の角度に設定した状態で、成
膜工程を実施できる。そして、傾斜角を変更することに
より、基板上での成膜速度などの成膜条件を変更するこ
とができる。したがって、傾斜角を変更することによ
り、形成される膜の特質などに適合するように成膜条件
を任意に変更できる。
を用いて、ターゲット材の表面に対して基板の表面がな
す角度（傾斜角）を、任意の角度に設定した状態で、成
膜工程を実施できる。そして、傾斜角を変更することに
より、基板上での成膜速度などの成膜条件を変更するこ
とができる。したがって、傾斜角を変更することによ
り、形成される膜の特質などに適合するように成膜条件
を任意に変更できる。
【００３７】また、ターゲット材の表面から成膜材料を
飛散させるため、ターゲット材にレーザ光などのエネル
ギー線を照射する場合を考える。このエネルギー線はタ
ーゲット材の表面に対して通常斜め方向から照射され
る。そして、変更手段を用いてターゲット材の表面に対
して基板の表面が角度をなすように傾斜角を決定する際
に、基板の表面の方向がこのエネルギー線の軌跡とほぼ
同じ方向となるように基板を配置する。このようにすれ
ば、基板のサイズが大きくなっても、基板がエネルギー
線の軌跡と干渉することを防止できる。したがって、エ
ネルギー線の軌跡に制約されることなく、より大きな基
板に膜を形成することができる。
飛散させるため、ターゲット材にレーザ光などのエネル
ギー線を照射する場合を考える。このエネルギー線はタ
ーゲット材の表面に対して通常斜め方向から照射され
る。そして、変更手段を用いてターゲット材の表面に対
して基板の表面が角度をなすように傾斜角を決定する際
に、基板の表面の方向がこのエネルギー線の軌跡とほぼ
同じ方向となるように基板を配置する。このようにすれ
ば、基板のサイズが大きくなっても、基板がエネルギー
線の軌跡と干渉することを防止できる。したがって、エ
ネルギー線の軌跡に制約されることなく、より大きな基
板に膜を形成することができる。
【００３８】上記他の局面における成膜装置では、変更
手段が、円弧状のガイド部材と、ガイド部材に移動可能
に設置され、基板を保持する基板保持部材とを含んでい
てもよい。
手段が、円弧状のガイド部材と、ガイド部材に移動可能
に設置され、基板を保持する基板保持部材とを含んでい
てもよい。
【００３９】この場合、基板を保持する基盤保持部材
を、ガイド部材に沿って移動させることにより、容易に
傾斜角を変更できる。
を、ガイド部材に沿って移動させることにより、容易に
傾斜角を変更できる。
【００４０】上記他の局面における成膜装置は、ターゲ
ット材に対する基板の相対的な位置を移動させる移動手
段を備えていてもよい。
ット材に対する基板の相対的な位置を移動させる移動手
段を備えていてもよい。
【００４１】この場合、基板上に膜を形成する際、ター
ゲット材に対する基板の相対的な位置を移動させなが
ら、基板の表面上に膜を形成することができる。したが
って、移動手段を用いて、基板をターゲット材に対して
相対的に移動させることにより、ターゲット材から飛散
する成膜材料を基板の全面に均一に堆積させることがで
きる。この結果、基板の全面に均一に膜を形成すること
が可能になる。
ゲット材に対する基板の相対的な位置を移動させなが
ら、基板の表面上に膜を形成することができる。したが
って、移動手段を用いて、基板をターゲット材に対して
相対的に移動させることにより、ターゲット材から飛散
する成膜材料を基板の全面に均一に堆積させることがで
きる。この結果、基板の全面に均一に膜を形成すること
が可能になる。
【００４２】上記他の局面における成膜装置では、移動
手段が、基板の表面とほぼ平行な方向において、ターゲ
ット材に対する基板の相対的な位置を移動させてもよ
い。
手段が、基板の表面とほぼ平行な方向において、ターゲ
ット材に対する基板の相対的な位置を移動させてもよ
い。
【００４３】この場合、ターゲット材の表面に対する基
板の表面の角度を、常に一定に保った状態で、ターゲッ
ト材に対する基板の位置を移動させることができる。し
たがって、基板において膜が形成されるべき表面（基板
の成膜面）全体にわたって、成膜条件を一定の条件に保
つことが可能になる。この結果、基板の成膜面全体に均
質な膜を容易に形成できる。
板の表面の角度を、常に一定に保った状態で、ターゲッ
ト材に対する基板の位置を移動させることができる。し
たがって、基板において膜が形成されるべき表面（基板
の成膜面）全体にわたって、成膜条件を一定の条件に保
つことが可能になる。この結果、基板の成膜面全体に均
質な膜を容易に形成できる。
【００４４】上記他の局面における成膜装置は、ターゲ
ット材表面から成膜材料を飛散させるため、前記ターゲ
ット材表面にエネルギー線を照射する照射手段をさらに
備えていてもよい。
ット材表面から成膜材料を飛散させるため、前記ターゲ
ット材表面にエネルギー線を照射する照射手段をさらに
備えていてもよい。
【００４５】すでに述べたように、本発明によれば、変
更手段により基板の傾斜角を変更して、エネルギー線の
入射方向と基板のターゲット材に対する傾斜方向とを揃
えることにより、エネルギー線の軌跡と基板との干渉を
抑制できる。したがって、ターゲット材から成膜材料を
飛散させるためのエネルギー線を照射する照射手段を有
する成膜装置において、基板のサイズを容易に大きくで
きる。
更手段により基板の傾斜角を変更して、エネルギー線の
入射方向と基板のターゲット材に対する傾斜方向とを揃
えることにより、エネルギー線の軌跡と基板との干渉を
抑制できる。したがって、ターゲット材から成膜材料を
飛散させるためのエネルギー線を照射する照射手段を有
する成膜装置において、基板のサイズを容易に大きくで
きる。
【００４６】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。なお、以下の図において同一また
は相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は
繰返さない。
施の形態を説明する。なお、以下の図において同一また
は相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は
繰返さない。
【００４７】図１は、本発明による成膜装置の実施の形
態を示す模式図である。図２は、図１に示した成膜装置
の構成を示すブロック図である。図１および２を参照し
て、本発明による成膜装置の実施の形態を説明する。
態を示す模式図である。図２は、図１に示した成膜装置
の構成を示すブロック図である。図１および２を参照し
て、本発明による成膜装置の実施の形態を説明する。
【００４８】図１および２を参照して、成膜装置１は、
処理室としてのチャンバ２と、このチャンバ２内部に配
置されたターゲットステージ１３と、円弧状ガイド４
と、この円弧状ガイド４に移動可能に取付けられたＸＹ
ステージ９と、ＸＹステージ９に設置された基板保持部
材としての基板ステージ１１と、ターゲットステージ１
３上に配置されたターゲット材１４へレーザ光１６を照
射するためのレーザ光源１８と、レーザ光１６がターゲ
ット材１４へ照射される際のレーザ光１６の光軸を決定
するために用いられる光学系１９とを備える。チャンバ
２の内部には、上述のようにターゲットステージ１３が
配置され、このターゲットステージ１３上にターゲット
材１４が設置されている。ターゲットステージ１３は上
下方向に移動可能となっている。チャンバ２の内部にお
いて、ターゲットステージ１３の上方には、チャンバ２
に支持部材３を介して固定された円弧状ガイド４が設置
されている。円弧状ガイド４には、支持部材５を介して
ＸＹステージ９が設置されている。支持部材５と円弧状
ガイド４との接続部であるガイド接続部６は、円弧状ガ
イド４を図１の矢印３３、３４により示した方向に移動
可能に接続されている。このため、ＸＹステージ９は円
弧状ガイド４に沿って移動可能となっている。
処理室としてのチャンバ２と、このチャンバ２内部に配
置されたターゲットステージ１３と、円弧状ガイド４
と、この円弧状ガイド４に移動可能に取付けられたＸＹ
ステージ９と、ＸＹステージ９に設置された基板保持部
材としての基板ステージ１１と、ターゲットステージ１
３上に配置されたターゲット材１４へレーザ光１６を照
射するためのレーザ光源１８と、レーザ光１６がターゲ
ット材１４へ照射される際のレーザ光１６の光軸を決定
するために用いられる光学系１９とを備える。チャンバ
２の内部には、上述のようにターゲットステージ１３が
配置され、このターゲットステージ１３上にターゲット
材１４が設置されている。ターゲットステージ１３は上
下方向に移動可能となっている。チャンバ２の内部にお
いて、ターゲットステージ１３の上方には、チャンバ２
に支持部材３を介して固定された円弧状ガイド４が設置
されている。円弧状ガイド４には、支持部材５を介して
ＸＹステージ９が設置されている。支持部材５と円弧状
ガイド４との接続部であるガイド接続部６は、円弧状ガ
イド４を図１の矢印３３、３４により示した方向に移動
可能に接続されている。このため、ＸＹステージ９は円
弧状ガイド４に沿って移動可能となっている。
【００４９】ＸＹステージ９は、支持部材５に接続され
たステージ架台７と、このステージ架台７に接続された
ステージ移動部８とを含む。ステージ移動部８は、ステ
ージ架台７の表面にほぼ平行な方向において、ステージ
架台７に対して相対的に移動可能となっている。このス
テージ移動部８の移動は、ステージ架台７に設置された
ステッピングモータ（図示せず）などの駆動手段により
行なわれる。そして、駆動手段を制御することにより、
ステージ架台７に対するステージ移動部８の移動方向、
移動速度および位置などを変更できる。ステージ移動部
８には、基部１０を介して基板ステージ１１が固定され
ている。基板ステージ１１のターゲットステージ１３と
対向する面上には基板１２が固定されている。
たステージ架台７と、このステージ架台７に接続された
ステージ移動部８とを含む。ステージ移動部８は、ステ
ージ架台７の表面にほぼ平行な方向において、ステージ
架台７に対して相対的に移動可能となっている。このス
テージ移動部８の移動は、ステージ架台７に設置された
ステッピングモータ（図示せず）などの駆動手段により
行なわれる。そして、駆動手段を制御することにより、
ステージ架台７に対するステージ移動部８の移動方向、
移動速度および位置などを変更できる。ステージ移動部
８には、基部１０を介して基板ステージ１１が固定され
ている。基板ステージ１１のターゲットステージ１３と
対向する面上には基板１２が固定されている。
【００５０】レーザ光源１８は、ターゲット材１４へと
入射するレーザ光１６を発振する。レーザ光源１８にお
いて発振されたレーザ光１６は、光学系１９においてそ
の光軸を所定の方向へと変更され、チャンバ２に設けら
れた入射窓１７を介してチャンバ２の内部へと照射され
る。チャンバ２の内部において、レーザ光１６がターゲ
ット材１４の表面に照射されることにより、ターゲット
材１４の表面からターゲット材１４を構成する原子など
が飛散する。そしてターゲット材１４の上方において、
ターゲット材１４から飛散した原子などからなるプルー
ム１５が形成される。プルーム１５が部分的に基板１２
の表面へと接触することにより、基板１２の表面に成膜
材料としての原子などが堆積する。この結果、基板１２
の表面に所定の膜を形成することができる。
入射するレーザ光１６を発振する。レーザ光源１８にお
いて発振されたレーザ光１６は、光学系１９においてそ
の光軸を所定の方向へと変更され、チャンバ２に設けら
れた入射窓１７を介してチャンバ２の内部へと照射され
る。チャンバ２の内部において、レーザ光１６がターゲ
ット材１４の表面に照射されることにより、ターゲット
材１４の表面からターゲット材１４を構成する原子など
が飛散する。そしてターゲット材１４の上方において、
ターゲット材１４から飛散した原子などからなるプルー
ム１５が形成される。プルーム１５が部分的に基板１２
の表面へと接触することにより、基板１２の表面に成膜
材料としての原子などが堆積する。この結果、基板１２
の表面に所定の膜を形成することができる。
【００５１】基板保持部材としての基板ステージ１１と
ＸＹステージ９とをガイド部材としての円弧状ガイド４
に沿って移動させることにより、ターゲット材１４の表
面に対する基板１２の表面がなす角度を任意に変更する
ことができる。そして、図１からわかるように、ＸＹス
テージ９を円弧状ガイド４に沿って矢印３３の方向に移
動させることにより、ターゲット材１４に対するレーザ
光１６の光軸の傾斜方向と同じ方向に、基板１２を傾け
ることができる。
ＸＹステージ９とをガイド部材としての円弧状ガイド４
に沿って移動させることにより、ターゲット材１４の表
面に対する基板１２の表面がなす角度を任意に変更する
ことができる。そして、図１からわかるように、ＸＹス
テージ９を円弧状ガイド４に沿って矢印３３の方向に移
動させることにより、ターゲット材１４に対するレーザ
光１６の光軸の傾斜方向と同じ方向に、基板１２を傾け
ることができる。
【００５２】このようにすれば、本発明による成膜装置
１を用いて、ターゲット材１４の表面に対して基板１２
の表面がなす角度（傾斜角）を、任意の角度に設定した
状態で、成膜工程を実施できる。そして、傾斜角を変更
することにより、基板１２上での成膜速度などの成膜条
件を変更することができる。したがって、傾斜角を変更
することにより、形成される膜の特質などに適合するよ
うに成膜条件を任意に変更できる。
１を用いて、ターゲット材１４の表面に対して基板１２
の表面がなす角度（傾斜角）を、任意の角度に設定した
状態で、成膜工程を実施できる。そして、傾斜角を変更
することにより、基板１２上での成膜速度などの成膜条
件を変更することができる。したがって、傾斜角を変更
することにより、形成される膜の特質などに適合するよ
うに成膜条件を任意に変更できる。
【００５３】また、支持部材３は、円弧状ガイド４を上
下方向に任意の位置で固定することが可能となってい
る。この結果、円弧状ガイド４の上下方向における位置
を変更することにより、基板１２とターゲット材１４と
の間の距離を容易に変更することができる。また、ター
ゲットステージ１３を上下方向に移動させることによっ
ても、容易に基板１２とターゲット材１４との間の距離
を変更することができる。
下方向に任意の位置で固定することが可能となってい
る。この結果、円弧状ガイド４の上下方向における位置
を変更することにより、基板１２とターゲット材１４と
の間の距離を容易に変更することができる。また、ター
ゲットステージ１３を上下方向に移動させることによっ
ても、容易に基板１２とターゲット材１４との間の距離
を変更することができる。
【００５４】成膜装置１を構成する各機器の機能に基づ
いた成膜装置１の構成を図２に示す。すなわち、成膜装
置１は、レーザ光源１と、基板保持部２２と、基板角度
変更部２１と、基板揺動部２３と、基板−ターゲット材
間距離変更部２２と、制御部２４とを備える。図２のレ
ーザ光源１８は図１に示したレーザ光源１８に対応す
る。また、基板保持部２０は図１に示した基板保持部材
としての基板ステージ１１に対応する。変更手段として
の基板角度変更部２１は、図１に示した円弧状ガイド４
と支持部材５とガイド接続部６とに対応する。移動手段
としての基板揺動部２３は、図１に示したＸＹステージ
９に対応する。基板−ターゲット材間距離変更部２２
は、ターゲットステージ１３および支持部材３に対応す
る。そして、これらのレーザ光源１８、基板保持部２
０、基板角度変更部２１、基板揺動部２３、基板−ター
ゲット材間距離変更部２２は、図１には図示されていな
いが制御部２４としての制御装置２より制御されてい
る。なお、図示していないが成膜装置１にはチャンバ２
内部の雰囲気ガスの供給量や圧力を調整するガス供給部
なども設置されている。
いた成膜装置１の構成を図２に示す。すなわち、成膜装
置１は、レーザ光源１と、基板保持部２２と、基板角度
変更部２１と、基板揺動部２３と、基板−ターゲット材
間距離変更部２２と、制御部２４とを備える。図２のレ
ーザ光源１８は図１に示したレーザ光源１８に対応す
る。また、基板保持部２０は図１に示した基板保持部材
としての基板ステージ１１に対応する。変更手段として
の基板角度変更部２１は、図１に示した円弧状ガイド４
と支持部材５とガイド接続部６とに対応する。移動手段
としての基板揺動部２３は、図１に示したＸＹステージ
９に対応する。基板−ターゲット材間距離変更部２２
は、ターゲットステージ１３および支持部材３に対応す
る。そして、これらのレーザ光源１８、基板保持部２
０、基板角度変更部２１、基板揺動部２３、基板−ター
ゲット材間距離変更部２２は、図１には図示されていな
いが制御部２４としての制御装置２より制御されてい
る。なお、図示していないが成膜装置１にはチャンバ２
内部の雰囲気ガスの供給量や圧力を調整するガス供給部
なども設置されている。
【００５５】次に、図１および２に示した成膜装置１を
用いた成膜方法について説明する。図１および２に示し
た成膜装置１では、既に述べたようにターゲット材１４
と基板１２とのなす角度を任意に変更することができる
と同時に、ＸＹステージ９を用いて基板１２のターゲッ
ト材１４に対する相対的な位置を容易に変更することが
できる。
用いた成膜方法について説明する。図１および２に示し
た成膜装置１では、既に述べたようにターゲット材１４
と基板１２とのなす角度を任意に変更することができる
と同時に、ＸＹステージ９を用いて基板１２のターゲッ
ト材１４に対する相対的な位置を容易に変更することが
できる。
【００５６】このように、基板１２上に膜を形成する
際、ＸＹステージ９を稼動させることによりターゲット
材１４に対する基板１２の相対的な位置を移動させなが
ら、基板１２の表面上に膜を形成することができる。し
たがって、ターゲット材１４から飛散する成膜材料とし
ての原子などを基板１２の全面に均一に堆積させること
ができる。この結果、基板１２の全面に均一な膜を形成
することが可能になる。
際、ＸＹステージ９を稼動させることによりターゲット
材１４に対する基板１２の相対的な位置を移動させなが
ら、基板１２の表面上に膜を形成することができる。し
たがって、ターゲット材１４から飛散する成膜材料とし
ての原子などを基板１２の全面に均一に堆積させること
ができる。この結果、基板１２の全面に均一な膜を形成
することが可能になる。
【００５７】また、ＸＹステージ９におけるステージ移
動部８の移動方向は、基板１２の表面とほぼ平行な方向
となっている。したがって、ターゲット材１４の表面に
対する基板１２の表面の角度θ（図４参照）を常に一定
に保った状態で、ターゲット材１４に対する基板１２の
位置を移動させることができる。このため、基板１２の
成膜面全体にわたって、成膜条件を一定に保つことが可
能になる。この結果、基板１２の成膜面全体に均質な膜
を容易に形成できる。
動部８の移動方向は、基板１２の表面とほぼ平行な方向
となっている。したがって、ターゲット材１４の表面に
対する基板１２の表面の角度θ（図４参照）を常に一定
に保った状態で、ターゲット材１４に対する基板１２の
位置を移動させることができる。このため、基板１２の
成膜面全体にわたって、成膜条件を一定に保つことが可
能になる。この結果、基板１２の成膜面全体に均質な膜
を容易に形成できる。
【００５８】上記の図１および２に示した成膜装置１を
用いて基板１２上に酸化物超電導体膜などを形成する際
には、以下に説明するようにターゲット材１４と基板１
２とのなす角度をさまざまに変更した状態でレーザアブ
レーション法を行なうことができる。
用いて基板１２上に酸化物超電導体膜などを形成する際
には、以下に説明するようにターゲット材１４と基板１
２とのなす角度をさまざまに変更した状態でレーザアブ
レーション法を行なうことができる。
【００５９】たとえば、図１に示したように、ターゲッ
ト材１４と基板１２とがほぼ平行となるように配置した
状態において、レーザ光１６をターゲット材１４上に照
射することによりプルーム１５を形成する。そして、こ
のプルーム１５から成膜材料であるターゲット材１４に
起因する原子などが基板１２の成膜面（基板１２のター
ゲット材１４に対向する面）上に堆積することにより、
所定の膜を基板１２の成膜面上に形成することができ
る。このときの基板１２とターゲット材１４との位置関
係を図３に模式的に示す。図３は、図１および２に示し
た成膜装置を用いた成膜方法の第１の例を説明するため
の模式図である。
ト材１４と基板１２とがほぼ平行となるように配置した
状態において、レーザ光１６をターゲット材１４上に照
射することによりプルーム１５を形成する。そして、こ
のプルーム１５から成膜材料であるターゲット材１４に
起因する原子などが基板１２の成膜面（基板１２のター
ゲット材１４に対向する面）上に堆積することにより、
所定の膜を基板１２の成膜面上に形成することができ
る。このときの基板１２とターゲット材１４との位置関
係を図３に模式的に示す。図３は、図１および２に示し
た成膜装置を用いた成膜方法の第１の例を説明するため
の模式図である。
【００６０】図３を参照して、このようにターゲット材
１４と基板１２とをほぼ平行に配置した状態でレーザ光
１６をターゲット材１４へと照射する。ターゲット材１
４の表面に対するレーザ光１６の入射角度を角度θLTと
する。ターゲット材１４の表面と基板１２の表面とをほ
ぼ平行に配置した場合には、ＸＹステージ９を用いて基
板１２を２次元方向（ステージ架台７の表面に平行な方
向）に動かす際に、基板１２によりレーザ光１６の光軸
が遮られる危険性がある。そのため、基板１２の大きさ
は、レーザ光１６の光軸と干渉しないサイズに制限され
る。したがって、図３に示したような配置を図１に示し
た成膜装置において実現することは可能であるが、図３
に示した配置では基板１２を大面積化することに限界が
ある。
１４と基板１２とをほぼ平行に配置した状態でレーザ光
１６をターゲット材１４へと照射する。ターゲット材１
４の表面に対するレーザ光１６の入射角度を角度θLTと
する。ターゲット材１４の表面と基板１２の表面とをほ
ぼ平行に配置した場合には、ＸＹステージ９を用いて基
板１２を２次元方向（ステージ架台７の表面に平行な方
向）に動かす際に、基板１２によりレーザ光１６の光軸
が遮られる危険性がある。そのため、基板１２の大きさ
は、レーザ光１６の光軸と干渉しないサイズに制限され
る。したがって、図３に示したような配置を図１に示し
た成膜装置において実現することは可能であるが、図３
に示した配置では基板１２を大面積化することに限界が
ある。
【００６１】ただし、図３に示した配置では、後述する
ように第４図および第５図に示した基板配置より、基板
１２に形成される膜の成膜速度が大きくなる。したがっ
て、成膜速度を優先したい場合、図３に示した成膜方法
の第１の例を適用することができる。
ように第４図および第５図に示した基板配置より、基板
１２に形成される膜の成膜速度が大きくなる。したがっ
て、成膜速度を優先したい場合、図３に示した成膜方法
の第１の例を適用することができる。
【００６２】次に、図４に示すように、ターゲット材１
４の表面に対して基板１２の表面が角度θだけ傾斜した
状態で成膜工程を行なう場合を考える。図４は、図１お
よび２に示した成膜装置を用いた成膜方法の第２の例を
説明するための模式図である。
４の表面に対して基板１２の表面が角度θだけ傾斜した
状態で成膜工程を行なう場合を考える。図４は、図１お
よび２に示した成膜装置を用いた成膜方法の第２の例を
説明するための模式図である。
【００６３】図４に示した配置は、図１を参照して、円
弧状ガイド４上においてガイド接続部６を矢印３３方向
に移動させることにより、ターゲット材１４に対してＸ
Ｙステージ９、基部１０および基板ステージ１１を傾け
ることにより実現できる。そして、図４においては、レ
ーザ光１６と基板１２の表面とがほぼ平行となっている
（すなわち、ターゲット材１４に対するレーザ光１６の
入射角度θLTとターゲット材１４に対する基板１２の表
面の角度θとがほぼ等しくなっている）。
弧状ガイド４上においてガイド接続部６を矢印３３方向
に移動させることにより、ターゲット材１４に対してＸ
Ｙステージ９、基部１０および基板ステージ１１を傾け
ることにより実現できる。そして、図４においては、レ
ーザ光１６と基板１２の表面とがほぼ平行となっている
（すなわち、ターゲット材１４に対するレーザ光１６の
入射角度θLTとターゲット材１４に対する基板１２の表
面の角度θとがほぼ等しくなっている）。
【００６４】図４に示したように基板１２とターゲット
材１４とを配置すれば、エネルギー線としてのレーザ光
１６の軌跡を基板１２が遮ることはない。したがって、
ＸＹステージ９を稼動させることにより基板１２の表面
に沿った２次元平面内において任意の方向に制限なく基
板１２を移動させることができる（つまり、基板１２を
どのように動かしても、また基板１２のサイズを大きく
しても、基板１２とレーザ光１６の光軸とが干渉するこ
とはない）。この結果、基板１２の大面積化を容易に図
ることができる。
材１４とを配置すれば、エネルギー線としてのレーザ光
１６の軌跡を基板１２が遮ることはない。したがって、
ＸＹステージ９を稼動させることにより基板１２の表面
に沿った２次元平面内において任意の方向に制限なく基
板１２を移動させることができる（つまり、基板１２を
どのように動かしても、また基板１２のサイズを大きく
しても、基板１２とレーザ光１６の光軸とが干渉するこ
とはない）。この結果、基板１２の大面積化を容易に図
ることができる。
【００６５】また、基板１２上に膜を形成する際、ＸＹ
ステージ９を稼動させることによりターゲット材１４に
対する基板１２の相対的な位置を移動させるので、基板
１２の全面に均一な膜を形成できる。
ステージ９を稼動させることによりターゲット材１４に
対する基板１２の相対的な位置を移動させるので、基板
１２の全面に均一な膜を形成できる。
【００６６】また、図４に示した成膜方法は、図３に示
した成膜方法より成膜速度は若干低下するものの、形成
された膜におけるパーティクル数は少なくなり、比較的
平滑な膜面を有する膜を得ることができる。したがっ
て、ある程度の成膜速度を維持しつつ、良好な膜質の膜
を成膜したい場合などに、適用することができる。
した成膜方法より成膜速度は若干低下するものの、形成
された膜におけるパーティクル数は少なくなり、比較的
平滑な膜面を有する膜を得ることができる。したがっ
て、ある程度の成膜速度を維持しつつ、良好な膜質の膜
を成膜したい場合などに、適用することができる。
【００６７】また、図１および２に示した成膜装置１に
おいては、図５に示すように、角度変更工程としてＸＹ
ステージ９を円弧状ガイド４に沿って移動させる工程を
実施することにより、基板１２をターゲット材１４に対
してほぼ垂直となるように配置することも可能である。
図５は、図１および２に示した成膜装置を用いた成膜方
法の第３の例を説明するための模式図である。図５に示
した成膜方法においては、ターゲット材１４の表面に対
する基板１２の表面のなす角度θはほぼ９０°となって
いる。
おいては、図５に示すように、角度変更工程としてＸＹ
ステージ９を円弧状ガイド４に沿って移動させる工程を
実施することにより、基板１２をターゲット材１４に対
してほぼ垂直となるように配置することも可能である。
図５は、図１および２に示した成膜装置を用いた成膜方
法の第３の例を説明するための模式図である。図５に示
した成膜方法においては、ターゲット材１４の表面に対
する基板１２の表面のなす角度θはほぼ９０°となって
いる。
【００６８】この場合、基板１２の下方にターゲット材
１４が延在しないような配置とすれば、ＸＹステージ９
を稼動させることにより、基板１２の表面とほぼ平行な
２次元平面内において基板１２を任意の方向に制限なく
移動させることができる。この結果、図４に示した成膜
方法と同様に、基板１２の大面積化を容易に図ることが
できる。
１４が延在しないような配置とすれば、ＸＹステージ９
を稼動させることにより、基板１２の表面とほぼ平行な
２次元平面内において基板１２を任意の方向に制限なく
移動させることができる。この結果、図４に示した成膜
方法と同様に、基板１２の大面積化を容易に図ることが
できる。
【００６９】また、このように角度θを９０°とする
と、成膜速度は図３および４に示した成膜方法より低下
するが、膜面におけるパーティクル密度はきわめて小さ
くなる。したがって、膜質を際優先にするような場合、
図５に示した成膜方法を適用することが好ましい。
と、成膜速度は図３および４に示した成膜方法より低下
するが、膜面におけるパーティクル密度はきわめて小さ
くなる。したがって、膜質を際優先にするような場合、
図５に示した成膜方法を適用することが好ましい。
【００７０】なお、本発明による成膜方法では、角度θ
を０°超え９０°以下の範囲の任意の値に設定可能であ
る。
を０°超え９０°以下の範囲の任意の値に設定可能であ
る。
【００７１】また、図１および２に示した成膜装置１を
用いた成膜方法においては、図６に示すように、ターゲ
ット材１４の表面とレーザ光１６の光軸（軌跡）とのな
す角度θLTより、ターゲット材１４の表面と基板１２の
表面とのなす角度θの方が大きくなるような基板１２の
配置（すなわち、レーザ光１６の光軸２５と、基板１２
の表面が延びる方向の延長線２６とが交差するような基
板１２の配置）において成膜工程を実施してもよい。角
度θを変更するには、角度変更工程としてＸＹステージ
９を円弧状ガイド４に沿って移動させる工程を実施す
る。たとえば、角度θLTが４５°である場合、角度θは
４５°超え９０°以下の範囲の値に設定する。図６は、
図１および２に示した成膜装置を用いた成膜方法の第４
の例を説明するための模式図である。この場合も、図４
および５に示した成膜方法と同様に、基板１２をその表
面に沿った方向において移動させても、レーザ光１６が
基板１２により遮られることはない。したがって、図４
および５に示した成膜方法と同様の効果を得ることがで
きる。
用いた成膜方法においては、図６に示すように、ターゲ
ット材１４の表面とレーザ光１６の光軸（軌跡）とのな
す角度θLTより、ターゲット材１４の表面と基板１２の
表面とのなす角度θの方が大きくなるような基板１２の
配置（すなわち、レーザ光１６の光軸２５と、基板１２
の表面が延びる方向の延長線２６とが交差するような基
板１２の配置）において成膜工程を実施してもよい。角
度θを変更するには、角度変更工程としてＸＹステージ
９を円弧状ガイド４に沿って移動させる工程を実施す
る。たとえば、角度θLTが４５°である場合、角度θは
４５°超え９０°以下の範囲の値に設定する。図６は、
図１および２に示した成膜装置を用いた成膜方法の第４
の例を説明するための模式図である。この場合も、図４
および５に示した成膜方法と同様に、基板１２をその表
面に沿った方向において移動させても、レーザ光１６が
基板１２により遮られることはない。したがって、図４
および５に示した成膜方法と同様の効果を得ることがで
きる。
【００７２】また、角度θを変更することにより基板１
２表面での成膜速度などの成膜条件を任意に変更でき
る。したがって、角度θを変更することにより膜におけ
るパーティクルの密度などの膜質を任意に変更できる。
このため、形成される膜の特性などに合わせて、成膜条
件を選択することが可能になる。
２表面での成膜速度などの成膜条件を任意に変更でき
る。したがって、角度θを変更することにより膜におけ
るパーティクルの密度などの膜質を任意に変更できる。
このため、形成される膜の特性などに合わせて、成膜条
件を選択することが可能になる。
【００７３】また、成膜工程において、ターゲット材に
対する基板の相対的な位置を移動させる際の移動方向が
基板の表面とほぼ平行な方向であってもよい。
対する基板の相対的な位置を移動させる際の移動方向が
基板の表面とほぼ平行な方向であってもよい。
【００７４】また、ＸＹステージ９を稼動させることに
より、すでに述べたようにターゲット材１４の表面に対
する基板１２の表面の角度θを常に一定に保った状態
で、ターゲット材１４に対する基板１２の位置を移動さ
せることができる。したがって、図３〜６に示したいず
れの成膜方法においても、基板１２全体にわたって均質
な膜を容易に形成できる。
より、すでに述べたようにターゲット材１４の表面に対
する基板１２の表面の角度θを常に一定に保った状態
で、ターゲット材１４に対する基板１２の位置を移動さ
せることができる。したがって、図３〜６に示したいず
れの成膜方法においても、基板１２全体にわたって均質
な膜を容易に形成できる。
【００７５】次に、図１および２に示した成膜装置１を
用いた成膜方法において、基板１２を基板１２の表面に
平行な平面内で移動させる際の移動方向について説明す
る。既に述べたように、成膜装置１にはＸＹステージ９
が設置され、このＸＹステージ９のステージ移動部８に
基板ステージ１１が接続されている。このＸＹステージ
９を稼動させることにより、ターゲット材１４と基板１
２との相対的な位置を基板１２の表面に沿った方向にお
いて任意に変更できる。一方、レーザ光１６はターゲッ
ト材１４の特定の位置に照射されるので、プルーム１５
の位置はターゲット材１４に対してほとんど変化しな
い。したがって、ＸＹステージ９を稼動させることによ
り、プルーム１５に対する基板１２の位置を変更でき
る。この結果、基板１２の表面において、プルーム１５
から成膜材料としての原子が堆積することにより膜が形
成される領域（成膜領域）の位置を任意に変更できる。
用いた成膜方法において、基板１２を基板１２の表面に
平行な平面内で移動させる際の移動方向について説明す
る。既に述べたように、成膜装置１にはＸＹステージ９
が設置され、このＸＹステージ９のステージ移動部８に
基板ステージ１１が接続されている。このＸＹステージ
９を稼動させることにより、ターゲット材１４と基板１
２との相対的な位置を基板１２の表面に沿った方向にお
いて任意に変更できる。一方、レーザ光１６はターゲッ
ト材１４の特定の位置に照射されるので、プルーム１５
の位置はターゲット材１４に対してほとんど変化しな
い。したがって、ＸＹステージ９を稼動させることによ
り、プルーム１５に対する基板１２の位置を変更でき
る。この結果、基板１２の表面において、プルーム１５
から成膜材料としての原子が堆積することにより膜が形
成される領域（成膜領域）の位置を任意に変更できる。
【００７６】図７および８を参照して、ＸＹステージ９
を用いた基板１２の移動方法の１つの例を説明する。図
７および８は、基板１２をターゲット材１４に対して相
対的に移動させる場合の移動方法の１つの例を説明する
ための模式図である。図７および８は、基板１２におけ
る成膜面（ターゲット材１４と対向する面）を示してい
る。
を用いた基板１２の移動方法の１つの例を説明する。図
７および８は、基板１２をターゲット材１４に対して相
対的に移動させる場合の移動方法の１つの例を説明する
ための模式図である。図７および８は、基板１２におけ
る成膜面（ターゲット材１４と対向する面）を示してい
る。
【００７７】図７および８を参照して、図１に示した成
膜装置を用いた成膜方法では、比較的大きな基板１２を
用いるので、基板１２の表面における成膜領域２７は基
板１２の全表面のうちの一部となっている。そして、こ
のような成膜領域２７を、図７に示すように矢印３０の
方向に徐々に移動させることにより、基板１２の表面に
連続的に所定の膜を形成する。成膜領域２７は、図７に
示すように基板１２の幅Ｗ方向において一方端部から他
方端部にまで移動すると同時に、長さＬ方向における一
方端部から他方端部に向けて矢印２９で示す方向に徐々
に移動している。
膜装置を用いた成膜方法では、比較的大きな基板１２を
用いるので、基板１２の表面における成膜領域２７は基
板１２の全表面のうちの一部となっている。そして、こ
のような成膜領域２７を、図７に示すように矢印３０の
方向に徐々に移動させることにより、基板１２の表面に
連続的に所定の膜を形成する。成膜領域２７は、図７に
示すように基板１２の幅Ｗ方向において一方端部から他
方端部にまで移動すると同時に、長さＬ方向における一
方端部から他方端部に向けて矢印２９で示す方向に徐々
に移動している。
【００７８】なお、図７に示したように基板１２の表面
において成膜領域２７を移動させることは、図１に示し
た成膜装置１では以下のように実現できる。すなわち、
成膜装置１において、ターゲット材１４の位置を一定に
保った状態で、レーザ光１６をターゲット材１４の所定
の領域に照射することによりプルーム１５を形成する。
ターゲット材１４およびレーザ光１６の光軸の位置は固
定されているので、このプルーム１５の位置はほとんど
移動しない。この状態で、ＸＹステージ９を稼動させる
ことにより基板１２を矢印３０の方向とは逆方向に徐々
に移動させる。この結果、図７に示したように、基板１
２の表面において成膜領域２７を移動させることができ
る。なお、この基板１２を移動させるスピードは、成膜
領域２７における成膜速度およびこの成膜領域２７のサ
イズと基板１２のサイズ（幅Ｗおよび長さＬ）などを考
慮して決定される。また、基板１２の移動スピードおよ
び移動方向は、基板１２の表面において膜が形成されな
い領域が発生しないように決定されている（つまり、成
膜領域２７が走査しない領域が発生しないように、基板
１２の移動速度について、矢印２９で示した方向の速度
成分と矢印２８で示した方向の速度成分とのバランスが
決定されている）。
において成膜領域２７を移動させることは、図１に示し
た成膜装置１では以下のように実現できる。すなわち、
成膜装置１において、ターゲット材１４の位置を一定に
保った状態で、レーザ光１６をターゲット材１４の所定
の領域に照射することによりプルーム１５を形成する。
ターゲット材１４およびレーザ光１６の光軸の位置は固
定されているので、このプルーム１５の位置はほとんど
移動しない。この状態で、ＸＹステージ９を稼動させる
ことにより基板１２を矢印３０の方向とは逆方向に徐々
に移動させる。この結果、図７に示したように、基板１
２の表面において成膜領域２７を移動させることができ
る。なお、この基板１２を移動させるスピードは、成膜
領域２７における成膜速度およびこの成膜領域２７のサ
イズと基板１２のサイズ（幅Ｗおよび長さＬ）などを考
慮して決定される。また、基板１２の移動スピードおよ
び移動方向は、基板１２の表面において膜が形成されな
い領域が発生しないように決定されている（つまり、成
膜領域２７が走査しない領域が発生しないように、基板
１２の移動速度について、矢印２９で示した方向の速度
成分と矢印２８で示した方向の速度成分とのバランスが
決定されている）。
【００７９】図７に示したように、成膜領域２７が基板
１２の一方端部から他方端部にまで到達した後、図８に
示すように再度基板１２を図７に示した工程とは反対方
向に移動させる。この結果、基板１２における長さＬ方
向の他方端部から一方端部へと成膜領域を移動させるこ
とができる。このように、基板１２表面において成膜領
域２７を移動させることにより、所定の膜厚の膜を形成
できる。
１２の一方端部から他方端部にまで到達した後、図８に
示すように再度基板１２を図７に示した工程とは反対方
向に移動させる。この結果、基板１２における長さＬ方
向の他方端部から一方端部へと成膜領域を移動させるこ
とができる。このように、基板１２表面において成膜領
域２７を移動させることにより、所定の膜厚の膜を形成
できる。
【００８０】また、基板１２の移動方法としては、図７
および８に示した方法に代えて、図９に示すように基板
１２を移動してもよい。図９は、基板１２をターゲット
材１４に対して相対的に移動させる場合の移動方法の別
の例を説明するための模式図である。図９を参照して、
（ａ）成膜領域２７を矢印２８にて示した方向に移動さ
せることにより、成膜領域２７を基板１２の幅方向の一
方端部から他方端部に移動させる。（ｂ）その後、矢印
２９とほぼ平行な方向に成膜領域２７を移動させる。
（ｃ）さらに、矢印２８に示した方向とは逆方向に成膜
領域２７を移動させることにより、成膜領域２７を基板
１２の幅方向の他方端部から一方端部に移動させる。
（ｄ）そして、矢印２９とほぼ平行な方向に成膜領域２
７を移動させる。上記の（ａ）〜（ｄ）に示した工程を
繰返す。このとき、上記の工程（ｂ）および（ｄ）での
矢印２９とほぼ平行な方向における成膜領域２７の移動
距離は、この成膜領域２７の矢印２９方向の幅とほぼ同
じ長さだけ移動させることが好ましい。この結果、基板
１２の表面に均一に隙間なく膜を形成することができ
る。
および８に示した方法に代えて、図９に示すように基板
１２を移動してもよい。図９は、基板１２をターゲット
材１４に対して相対的に移動させる場合の移動方法の別
の例を説明するための模式図である。図９を参照して、
（ａ）成膜領域２７を矢印２８にて示した方向に移動さ
せることにより、成膜領域２７を基板１２の幅方向の一
方端部から他方端部に移動させる。（ｂ）その後、矢印
２９とほぼ平行な方向に成膜領域２７を移動させる。
（ｃ）さらに、矢印２８に示した方向とは逆方向に成膜
領域２７を移動させることにより、成膜領域２７を基板
１２の幅方向の他方端部から一方端部に移動させる。
（ｄ）そして、矢印２９とほぼ平行な方向に成膜領域２
７を移動させる。上記の（ａ）〜（ｄ）に示した工程を
繰返す。このとき、上記の工程（ｂ）および（ｄ）での
矢印２９とほぼ平行な方向における成膜領域２７の移動
距離は、この成膜領域２７の矢印２９方向の幅とほぼ同
じ長さだけ移動させることが好ましい。この結果、基板
１２の表面に均一に隙間なく膜を形成することができ
る。
【００８１】図１および２に示した成膜装置を用いた成
膜方法は、ＲＥ１２３系酸化物超電導体やビスマス系酸
化物超電導体などの酸化物超電導体の成膜工程に適用で
きる。この場合、大面積の基板上に均質な酸化物超電導
体膜を容易に形成できる。
膜方法は、ＲＥ１２３系酸化物超電導体やビスマス系酸
化物超電導体などの酸化物超電導体の成膜工程に適用で
きる。この場合、大面積の基板上に均質な酸化物超電導
体膜を容易に形成できる。
【００８２】また、本発明による成膜装置を用いた成膜
方法は、基板酸化物超電導体との間に配置される中間膜
の成膜工程に適用してもよい。本発明による成膜方法に
より形成される中間膜としては、たとえば、イットリア
安定化ジルコニア、酸化セリウム、酸化マグネシウムま
たはチタン酸ストロンチウムなどが挙げられる。このよ
うに、本発明による成膜装置および成膜方法を中間膜の
成膜工程に適用すれば、大面積の基板上に均質な中間膜
を容易に形成できる。
方法は、基板酸化物超電導体との間に配置される中間膜
の成膜工程に適用してもよい。本発明による成膜方法に
より形成される中間膜としては、たとえば、イットリア
安定化ジルコニア、酸化セリウム、酸化マグネシウムま
たはチタン酸ストロンチウムなどが挙げられる。このよ
うに、本発明による成膜装置および成膜方法を中間膜の
成膜工程に適用すれば、大面積の基板上に均質な中間膜
を容易に形成できる。
【００８３】また、上記のように酸化物超電導体膜ある
いは中間膜を形成する基板１２としては、サファイア、
アルミン酸ランタン、チタン酸ストロンチウムまたはＬ
ＳＡＴ（Ｌａｎｔｈａｎｕｍ Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ Ａ
ｌｕｍｉｎｕｍ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）など
を用いることができる。
いは中間膜を形成する基板１２としては、サファイア、
アルミン酸ランタン、チタン酸ストロンチウムまたはＬ
ＳＡＴ（Ｌａｎｔｈａｎｕｍ Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ Ａ
ｌｕｍｉｎｕｍ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）など
を用いることができる。
【００８４】
【実施例】図１および２に示した成膜装置を用いて、以
下のように試料を作成し、膜厚やパーティクル数などの
測定を行なった。
下のように試料を作成し、膜厚やパーティクル数などの
測定を行なった。
【００８５】（実施例１）図１に示した成膜装置を用い
て、基板としてのアルミン酸ランタン基板上に、レーザ
アブレーション法を用いてＨｏＢａ2Ｃｕ3ＯX超電導体
膜（以下、ＨｏＢＣＯ超電導体膜と記す）を形成した。
使用したアルミン酸ランタン基板の形状は幅Ｗが３ｃ
ｍ、長さＬが１０ｃｍの長方形状である。ターゲット材
としては、２０ｃｍ四方の正方形状のＨｏＢＣＯ燒結体
を用いた。
て、基板としてのアルミン酸ランタン基板上に、レーザ
アブレーション法を用いてＨｏＢａ2Ｃｕ3ＯX超電導体
膜（以下、ＨｏＢＣＯ超電導体膜と記す）を形成した。
使用したアルミン酸ランタン基板の形状は幅Ｗが３ｃ
ｍ、長さＬが１０ｃｍの長方形状である。ターゲット材
としては、２０ｃｍ四方の正方形状のＨｏＢＣＯ燒結体
を用いた。
【００８６】作成した試料は、比較例としての試料およ
び実施例の試料１、２の３種類である。これらの試料の
成膜工程におけるターゲット材と基板との配置は以下の
ような配置を用いた。すなわち、比較例としての試料に
ついての成膜工程では、図３に示すようにターゲット材
１４と基板１２とをほぼ平行にした配置を用いた。本発
明の実施例の試料１の成膜工程では、図４に示した配置
（すなわち、レーザ光１６の光軸の方向と基板１２の表
面の方向とがほぼ平行となるような配置）を用いた。実
施例の試料２の成膜工程では、ターゲット材１４と基板
１２とが垂直になるような図５に示した配置を用いた。
び実施例の試料１、２の３種類である。これらの試料の
成膜工程におけるターゲット材と基板との配置は以下の
ような配置を用いた。すなわち、比較例としての試料に
ついての成膜工程では、図３に示すようにターゲット材
１４と基板１２とをほぼ平行にした配置を用いた。本発
明の実施例の試料１の成膜工程では、図４に示した配置
（すなわち、レーザ光１６の光軸の方向と基板１２の表
面の方向とがほぼ平行となるような配置）を用いた。実
施例の試料２の成膜工程では、ターゲット材１４と基板
１２とが垂直になるような図５に示した配置を用いた。
【００８７】また、成膜を行なう際には、ＸＹステージ
９を稼動させることにより、図７および８に示したよう
な方法により基板１２上における成膜領域２７を移動さ
せた。基板１２の移動速度について、図７に示した矢印
２９と平行な方向における速度成分および矢印２８と平
行な方向における速度成分のいずれも５ｍｍ／秒という
値を用いた。そして、図７および８に示すように、基板
１２上において成膜領域２７を走査することを繰返すこ
とにより、基板１２表面において形成されるＨｏＢＣＯ
超電導体膜の膜厚を均一化した。
９を稼動させることにより、図７および８に示したよう
な方法により基板１２上における成膜領域２７を移動さ
せた。基板１２の移動速度について、図７に示した矢印
２９と平行な方向における速度成分および矢印２８と平
行な方向における速度成分のいずれも５ｍｍ／秒という
値を用いた。そして、図７および８に示すように、基板
１２上において成膜領域２７を走査することを繰返すこ
とにより、基板１２表面において形成されるＨｏＢＣＯ
超電導体膜の膜厚を均一化した。
【００８８】なお、３種類の試料の成膜条件としては、
基板の配置以外は基本的に同じ条件を用いた。使用した
成膜条件としては、成膜時の基板１２の温度を７５０℃
とした。また、チャンバ２の内部の雰囲気は酸素ガス雰
囲気を用いた。このチャンバ２の内部の圧力を１３．３
Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）とした。レーザ光１６の繰返
し周波数を２０Ｈｚ、レーザ光のパワーを７００ｍＪと
した。比較例の試料および実施例の試料１、２のいずれ
においても、ターゲット材１４の表面に対するレーザ光
１６の入射角度θLT（図３〜５参照）を４５°とした。
成膜時間はいずれの場合も３０分とした。
基板の配置以外は基本的に同じ条件を用いた。使用した
成膜条件としては、成膜時の基板１２の温度を７５０℃
とした。また、チャンバ２の内部の雰囲気は酸素ガス雰
囲気を用いた。このチャンバ２の内部の圧力を１３．３
Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）とした。レーザ光１６の繰返
し周波数を２０Ｈｚ、レーザ光のパワーを７００ｍＪと
した。比較例の試料および実施例の試料１、２のいずれ
においても、ターゲット材１４の表面に対するレーザ光
１６の入射角度θLT（図３〜５参照）を４５°とした。
成膜時間はいずれの場合も３０分とした。
【００８９】このようにして製造された比較例の試料お
よび実施例の試料１、２のそれぞれについて、形成され
た酸化物超電導体の薄膜の膜厚、形成された膜における
パーティクル数および臨界電流密度を測定した。その結
果を表１に示す。
よび実施例の試料１、２のそれぞれについて、形成され
た酸化物超電導体の薄膜の膜厚、形成された膜における
パーティクル数および臨界電流密度を測定した。その結
果を表１に示す。
【００９０】
【表１】
【００９１】表１からもわかるように、基板１２とター
ゲット材１４とを平行に配置した比較例の試料におい
て、膜厚が最も厚くなっている。すなわち、いずれの試
料についても成膜時間は３０分と一定であることから、
比較例のように基板１２とターゲット材１４とを平行に
した場合が成膜速度は最も大きく、実施例の試料１、試
料２とターゲット材に対する基板の傾斜角度が大きくな
るにつれて成膜速度は低下していくことがわかる。
ゲット材１４とを平行に配置した比較例の試料におい
て、膜厚が最も厚くなっている。すなわち、いずれの試
料についても成膜時間は３０分と一定であることから、
比較例のように基板１２とターゲット材１４とを平行に
した場合が成膜速度は最も大きく、実施例の試料１、試
料２とターゲット材に対する基板の傾斜角度が大きくな
るにつれて成膜速度は低下していくことがわかる。
【００９２】また、形成された膜内のパーティクル数
は、比較例の場合が最も数が多く、実施例の試料１、試
料２となるにつれその数は減少していることがわかる。
したがって、形成される膜の表面を極めて平滑にするた
めには、実施例の試料２のように基板１２の表面をター
ゲット材１４の表面とほぼ垂直に配置することが効果的
であることがわかる。
は、比較例の場合が最も数が多く、実施例の試料１、試
料２となるにつれその数は減少していることがわかる。
したがって、形成される膜の表面を極めて平滑にするた
めには、実施例の試料２のように基板１２の表面をター
ゲット材１４の表面とほぼ垂直に配置することが効果的
であることがわかる。
【００９３】また、実施例の試料１のように基板１２と
レーザ光１６との延びる方向をほぼ平行とすることによ
り、基板１２をその表面に平行な方向において任意に移
動させてもこの基板１２とレーザ光１６の光軸とが干渉
することはない。すなわち、原理的に実施例の試料１の
ような配置にすればレーザ光の光軸の位置に制約される
ことなく基板１２のサイズを大きくできる。
レーザ光１６との延びる方向をほぼ平行とすることによ
り、基板１２をその表面に平行な方向において任意に移
動させてもこの基板１２とレーザ光１６の光軸とが干渉
することはない。すなわち、原理的に実施例の試料１の
ような配置にすればレーザ光の光軸の位置に制約される
ことなく基板１２のサイズを大きくできる。
【００９４】なお、比較例、実施例の試料１および２の
いずれにおいても、臨界電流密度Ｊｃはほぼ同等であ
り、いずれも良好な特性を示していた。
いずれにおいても、臨界電流密度Ｊｃはほぼ同等であ
り、いずれも良好な特性を示していた。
【００９５】このように、図１に示した成膜装置を用い
れば、比較例のような成膜速度優先の成膜条件から、実
施例の試料２に示したような成膜される膜の表面を極め
て平滑にするような成膜条件までさまざまな成膜条件下
で基板上に膜を形成することができる。
れば、比較例のような成膜速度優先の成膜条件から、実
施例の試料２に示したような成膜される膜の表面を極め
て平滑にするような成膜条件までさまざまな成膜条件下
で基板上に膜を形成することができる。
【００９６】（実施例２）実施例１における試料１およ
び２の成膜条件と基本的に同様の成膜条件を用いて、Ｈ
ｏＢＣＯ超電導体膜の成膜実験を行なった。この成膜実
験では、基板１２とターゲット材１３とのなす角度θを
変更した条件で成膜を行なった。具体的には、図１０を
参照して、ターゲット材１４の表面に対するレーザ光１
６の光軸がなす角度を４５°と固定する一方、ターゲッ
ト材１４の表面に対する基板１２の表面のなす角度θを
６０°として成膜を行なった試料３、角度θを７５°と
して成膜を行なった試料４を作成した。図１０は、実施
例２における成膜工程での基板とターゲット材との配置
を説明するための模式図である。試料１〜４を形成した
いずれの成膜工程においても、レーザ光１６を遮ること
なく基板１２をその表面と平行な方向において任意に移
動させることができる。すなわち、レーザ光１６と基板
１２とが干渉することはない。この結果、サイズの大き
な基板１２に対しても確実にその基板１２上に酸化物超
電導体の薄膜を形成することができる。
び２の成膜条件と基本的に同様の成膜条件を用いて、Ｈ
ｏＢＣＯ超電導体膜の成膜実験を行なった。この成膜実
験では、基板１２とターゲット材１３とのなす角度θを
変更した条件で成膜を行なった。具体的には、図１０を
参照して、ターゲット材１４の表面に対するレーザ光１
６の光軸がなす角度を４５°と固定する一方、ターゲッ
ト材１４の表面に対する基板１２の表面のなす角度θを
６０°として成膜を行なった試料３、角度θを７５°と
して成膜を行なった試料４を作成した。図１０は、実施
例２における成膜工程での基板とターゲット材との配置
を説明するための模式図である。試料１〜４を形成した
いずれの成膜工程においても、レーザ光１６を遮ること
なく基板１２をその表面と平行な方向において任意に移
動させることができる。すなわち、レーザ光１６と基板
１２とが干渉することはない。この結果、サイズの大き
な基板１２に対しても確実にその基板１２上に酸化物超
電導体の薄膜を形成することができる。
【００９７】得られた試料３、４について、実施例１と
同様に膜厚、パーティクル数および臨界電流密度を測定
した。その結果を、試料１および２のデータとともに表
２に示す。
同様に膜厚、パーティクル数および臨界電流密度を測定
した。その結果を、試料１および２のデータとともに表
２に示す。
【００９８】
【表２】
【００９９】表２に示すように、基板とターゲットとの
なす角度θが大きくなるに従って、形成された超電導体
膜の膜厚は薄くなる（すなわち成膜速度が遅くなる）一
方、超電導体膜中のパーティクル数は減少している。そ
して、いずれの試料においても、臨界電流密度Ｊｃは十
分な値を示している。
なす角度θが大きくなるに従って、形成された超電導体
膜の膜厚は薄くなる（すなわち成膜速度が遅くなる）一
方、超電導体膜中のパーティクル数は減少している。そ
して、いずれの試料においても、臨界電流密度Ｊｃは十
分な値を示している。
【０１００】（実施例３）次に、図１０に示したターゲ
ット材１４と基板２とレーザ光１６との配置において、
ターゲット材１４と基板１２とのなす角度θを４５°と
して、基板１２として幅Ｗが５ｃｍ、長さＬが２０ｃｍ
である長方形状のアルミン酸ランタン基板を用い、基板
１２上にＨｏＢＣＯ超電導体膜を形成した実施例の試料
を作成した。実施例の試料の成膜の際には、図７および
８を参照して説明したように、基板１２の表面に平行な
平面内において基板１２を移動させた。基板１２の移動
速度について、図７に示した矢印２９と平行な方向にお
ける速度成分および矢印２８と平行な方向における速度
成分のいずれも５ｍｍ／秒という値を用いた。その他の
成膜条件としては、基本的には実施例１における試料１
の成膜条件と同様の条件を用いた。
ット材１４と基板２とレーザ光１６との配置において、
ターゲット材１４と基板１２とのなす角度θを４５°と
して、基板１２として幅Ｗが５ｃｍ、長さＬが２０ｃｍ
である長方形状のアルミン酸ランタン基板を用い、基板
１２上にＨｏＢＣＯ超電導体膜を形成した実施例の試料
を作成した。実施例の試料の成膜の際には、図７および
８を参照して説明したように、基板１２の表面に平行な
平面内において基板１２を移動させた。基板１２の移動
速度について、図７に示した矢印２９と平行な方向にお
ける速度成分および矢印２８と平行な方向における速度
成分のいずれも５ｍｍ／秒という値を用いた。その他の
成膜条件としては、基本的には実施例１における試料１
の成膜条件と同様の条件を用いた。
【０１０１】また、比較例として、以下のような成膜条
件を用いて成膜を行なった試料を作成した。比較例の試
料の成膜条件としては、成膜時の基板温度、雰囲気ガス
および圧力、レーザの繰返し周波数およびレーザパワー
を上述の実施例と同様とした。一方、ターゲット材１４
に照射されるレーザ光については、基板１２の短軸方向
（幅Ｗ方向）の幅Ｗより大きな成膜領域を形成できるよ
うに、光学系のビームホモジェナイザを用いてターゲッ
ト材に照射するレーザ光の照射領域を広げた。ビームホ
モジェナイザのエネルギーばらつきは±５％であり、幅
が７ｃｍのラインビームを得ることができる。このよう
に幅が７ｃｍのラインビームをターゲット材に照射する
ことにより、プルーム１５のサイズを大きくできる。そ
して、基板のサイズはすでに述べたように幅Ｗが５ｃ
ｍ、長さＬが２０ｃｍである。このため、基板上におけ
る成膜領域の幅を基板の幅Ｗと同程度の大きさに広げる
ことができる。したがって、上述のビームホモジェナイ
ザを用いることにより、比較例においては、基板１２上
にて、基板の幅Ｗ（５ｃｍ）と同程度の幅を有する成膜
領域を形成した。そして、基板の幅Ｗ方向の一方端部か
ら他方端部にまで延在するように成膜領域を配置した状
態で、長さＬ方向にのみ（１次元方向にのみ）基板１２
を搬送した。このようにして、比較例の試料では、基板
の全面に酸化物超電導体膜を形成した。
件を用いて成膜を行なった試料を作成した。比較例の試
料の成膜条件としては、成膜時の基板温度、雰囲気ガス
および圧力、レーザの繰返し周波数およびレーザパワー
を上述の実施例と同様とした。一方、ターゲット材１４
に照射されるレーザ光については、基板１２の短軸方向
（幅Ｗ方向）の幅Ｗより大きな成膜領域を形成できるよ
うに、光学系のビームホモジェナイザを用いてターゲッ
ト材に照射するレーザ光の照射領域を広げた。ビームホ
モジェナイザのエネルギーばらつきは±５％であり、幅
が７ｃｍのラインビームを得ることができる。このよう
に幅が７ｃｍのラインビームをターゲット材に照射する
ことにより、プルーム１５のサイズを大きくできる。そ
して、基板のサイズはすでに述べたように幅Ｗが５ｃ
ｍ、長さＬが２０ｃｍである。このため、基板上におけ
る成膜領域の幅を基板の幅Ｗと同程度の大きさに広げる
ことができる。したがって、上述のビームホモジェナイ
ザを用いることにより、比較例においては、基板１２上
にて、基板の幅Ｗ（５ｃｍ）と同程度の幅を有する成膜
領域を形成した。そして、基板の幅Ｗ方向の一方端部か
ら他方端部にまで延在するように成膜領域を配置した状
態で、長さＬ方向にのみ（１次元方向にのみ）基板１２
を搬送した。このようにして、比較例の試料では、基板
の全面に酸化物超電導体膜を形成した。
【０１０２】このようにして得られた実施例および比較
例の試料のそれぞれについて、酸化物超電導体膜の膜厚
分布を測定した。その結果を表３に示す。
例の試料のそれぞれについて、酸化物超電導体膜の膜厚
分布を測定した。その結果を表３に示す。
【０１０３】
【表３】
【０１０４】表３において、短軸方向とは図７および８
に示す幅Ｗ方向であり、長軸方向とは図７および８に示
す長さＬ方向である。そして、それぞれの方向に等間隔
に配置されたＡ〜Ｆの６点において酸化物超電導体膜の
膜厚を測定した。この結果、表３からもわかるように、
比較例よりも実施例の試料の方が膜厚のばらつきが小さ
いことがわかる。
に示す幅Ｗ方向であり、長軸方向とは図７および８に示
す長さＬ方向である。そして、それぞれの方向に等間隔
に配置されたＡ〜Ｆの６点において酸化物超電導体膜の
膜厚を測定した。この結果、表３からもわかるように、
比較例よりも実施例の試料の方が膜厚のばらつきが小さ
いことがわかる。
【０１０５】また、同じ試料について、表３に示したＡ
〜Ｆのそれぞれの点において臨界電流密度Ｊｃを測定し
た。その結果を表４に示す。
〜Ｆのそれぞれの点において臨界電流密度Ｊｃを測定し
た。その結果を表４に示す。
【０１０６】
【表４】
【０１０７】表４からもわかるように、短軸方向および
長軸方向のいずれにおいても本発明の実施例の方が比較
例よりも臨界電流密度Ｊｃのばらつきが小さいことがわ
かる。
長軸方向のいずれにおいても本発明の実施例の方が比較
例よりも臨界電流密度Ｊｃのばらつきが小さいことがわ
かる。
【０１０８】（実施例４）基板１２として幅Ｗが５ｃ
ｍ、長さＬが２０ｃｍの長方形状のサファイア基板を用
い、このサファイア基板上にレーザアブレーション法を
用いて酸化セリウム中間層を成膜した実施例および比較
例の試料を作成した。
ｍ、長さＬが２０ｃｍの長方形状のサファイア基板を用
い、このサファイア基板上にレーザアブレーション法を
用いて酸化セリウム中間層を成膜した実施例および比較
例の試料を作成した。
【０１０９】実施例の試料における酸化セリウム中間層
の成膜工程では、ターゲット材１４、基板１２およびレ
ーザ光１６の配置を実施例３における実施例の試料の成
膜工程における配置と同様の配置を用いた。成膜条件と
しては、成膜時の基板温度を６００℃、雰囲気としては
アルゴンガスを用い、雰囲気の圧力としては１３．３Ｐ
ａ（１００ｍＴｏｒｒ）、レーザの繰返し周波数を１５
０Ｈｚ、レーザのパワーを６００ｍＪとした。また、成
膜の際には、実施例３における実施例の試料と同様に基
板１２を図７および８に示したように移動させた。基板
１２を移動させる際の移動速度などの条件は、実施例３
における実施例の試料における基板の移動速度などの条
件と同様である。
の成膜工程では、ターゲット材１４、基板１２およびレ
ーザ光１６の配置を実施例３における実施例の試料の成
膜工程における配置と同様の配置を用いた。成膜条件と
しては、成膜時の基板温度を６００℃、雰囲気としては
アルゴンガスを用い、雰囲気の圧力としては１３．３Ｐ
ａ（１００ｍＴｏｒｒ）、レーザの繰返し周波数を１５
０Ｈｚ、レーザのパワーを６００ｍＪとした。また、成
膜の際には、実施例３における実施例の試料と同様に基
板１２を図７および８に示したように移動させた。基板
１２を移動させる際の移動速度などの条件は、実施例３
における実施例の試料における基板の移動速度などの条
件と同様である。
【０１１０】比較例の試料における酸化セリウム中間層
の成膜工程では、実施例３の比較例と同様にビームホモ
ジェナイザを用いた。そして、その他の成膜条件として
は、上記した実施例４における実施例の成膜条件と同様
の条件を用いた。
の成膜工程では、実施例３の比較例と同様にビームホモ
ジェナイザを用いた。そして、その他の成膜条件として
は、上記した実施例４における実施例の成膜条件と同様
の条件を用いた。
【０１１１】このようにして得られた実施例および比較
例の試料について膜厚の分布を測定した。その結果を表
５に示す。
例の試料について膜厚の分布を測定した。その結果を表
５に示す。
【０１１２】
【表５】
【０１１３】表５を参照して、測定位置は短軸方向およ
び長軸方向とも実施例３の場合と同様に等間隔に配置さ
れたＡ〜Ｆの６点である。表５からもわかるように、比
較例よりも実施例の方が酸化セリウム中間層の膜厚のば
らつきが小さいことがわかる。
び長軸方向とも実施例３の場合と同様に等間隔に配置さ
れたＡ〜Ｆの６点である。表５からもわかるように、比
較例よりも実施例の方が酸化セリウム中間層の膜厚のば
らつきが小さいことがわかる。
【０１１４】（実施例５）実施例４の実施例の試料にお
ける酸化セリウム中間層上に、実施例３の実施例の試料
における成膜条件と同様の成膜条件を用いてＨｏＢＣＯ
超電導体膜を形成することにより、実施例５の実施例の
試料を作成した。
ける酸化セリウム中間層上に、実施例３の実施例の試料
における成膜条件と同様の成膜条件を用いてＨｏＢＣＯ
超電導体膜を形成することにより、実施例５の実施例の
試料を作成した。
【０１１５】また、実施例４の比較例の試料における酸
化セリウム中間層上には、実施例３の比較例における成
膜条件と同様の成膜条件（すなわち、ビームホモジェナ
イザを用いた条件）を用いてＨｏＢＣＯ超電導体膜を形
成した。
化セリウム中間層上には、実施例３の比較例における成
膜条件と同様の成膜条件（すなわち、ビームホモジェナ
イザを用いた条件）を用いてＨｏＢＣＯ超電導体膜を形
成した。
【０１１６】このようにして得られた実施例および比較
例のそれぞれの試料について、膜厚および臨界電流密度
Ｊｃを測定した。その結果を表６および表７に示す。
例のそれぞれの試料について、膜厚および臨界電流密度
Ｊｃを測定した。その結果を表６および表７に示す。
【０１１７】
【表６】
【０１１８】
【表７】
【０１１９】表６および７に示すように、比較例および
実施例それぞれについて実施例３および４と同様に、短
軸方向、長軸方向それぞれにおいて等間隔に配置された
測定点Ａ〜Ｆにて膜厚および臨界電流密度Ｊｃを測定し
た。表６および７からもわかるように、比較例よりも実
施例の方が膜厚のばらつきが小さく、かつ臨界電流密度
Ｊｃのばらつきも小さいことがわかる。
実施例それぞれについて実施例３および４と同様に、短
軸方向、長軸方向それぞれにおいて等間隔に配置された
測定点Ａ〜Ｆにて膜厚および臨界電流密度Ｊｃを測定し
た。表６および７からもわかるように、比較例よりも実
施例の方が膜厚のばらつきが小さく、かつ臨界電流密度
Ｊｃのばらつきも小さいことがわかる。
【０１２０】今回開示された実施の形態および実施例は
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
【０１２１】
【発明の効果】このように、本発明によれば、ターゲッ
ト材の表面に対して膜が形成されるべき基板の表面が角
度をなすように基板とターゲット材とを配置するので、
ターゲット材に照射されるレーザ光などのエネルギー線
の軌跡と基板とが干渉することを防止できる。したがっ
て、大面積の基板の表面に膜を形成することができる。
ト材の表面に対して膜が形成されるべき基板の表面が角
度をなすように基板とターゲット材とを配置するので、
ターゲット材に照射されるレーザ光などのエネルギー線
の軌跡と基板とが干渉することを防止できる。したがっ
て、大面積の基板の表面に膜を形成することができる。
【図１】 本発明による成膜装置の実施の形態を示す模
式図である。
式図である。
【図２】 図１に示した成膜装置の構成を示すブロック
図である。
図である。
【図３】 図１および２に示した成膜装置を用いた成膜
方法の第１の例を説明するための模式図である。
方法の第１の例を説明するための模式図である。
【図４】 図１および２に示した成膜装置を用いた成膜
方法の第２の例を説明するための模式図である。
方法の第２の例を説明するための模式図である。
【図５】 図１および２に示した成膜装置を用いた成膜
方法の第３の例を説明するための模式図である。
方法の第３の例を説明するための模式図である。
【図６】 図１および２に示した成膜装置を用いた成膜
方法の第４の例を説明するための模式図である。
方法の第４の例を説明するための模式図である。
【図７】 基板をターゲット材に対して相対的に移動さ
せる場合の移動方法の１つの例を説明するための模式図
である。
せる場合の移動方法の１つの例を説明するための模式図
である。
【図８】 基板をターゲット材に対して相対的に移動さ
せる場合の移動方法の１つの例を説明するための模式図
である。
せる場合の移動方法の１つの例を説明するための模式図
である。
【図９】 基板をターゲット材に対して相対的に移動さ
せる場合の移動方法の別の例を説明するための模式図で
ある。
せる場合の移動方法の別の例を説明するための模式図で
ある。
【図１０】 実施例２における成膜工程での基板とター
ゲット材との配置を説明するための模式図である。
ゲット材との配置を説明するための模式図である。
【図１１】 従来の成膜方法を説明するための模式図で
ある。
ある。
１ 成膜装置、２ チャンバ、３，５ 支持部材、４
円弧状ガイド、６ ガイド接続部、７ ステージ架台、
８ ステージ移動部、９ ＸＹステージ、１０基部、１
１ 基板ステージ、１２ 基板、１３ ターゲットステ
ージ、１４ターゲット材、１５ プルーム、１６ レー
ザ光、１７ 入射窓、１８ レーザ光源、１９ 光学
系、２０ 基板保持部、２１ 基板角度変更部、２２
基板―ターゲット材間距離変更部、２３ 基板揺動部、
２４ 制御部、２５ 光軸、２６ 基板表面の延長線、
２７ 成膜領域、２８〜３４ 矢印。
円弧状ガイド、６ ガイド接続部、７ ステージ架台、
８ ステージ移動部、９ ＸＹステージ、１０基部、１
１ 基板ステージ、１２ 基板、１３ ターゲットステ
ージ、１４ターゲット材、１５ プルーム、１６ レー
ザ光、１７ 入射窓、１８ レーザ光源、１９ 光学
系、２０ 基板保持部、２１ 基板角度変更部、２２
基板―ターゲット材間距離変更部、２３ 基板揺動部、
２４ 制御部、２５ 光軸、２６ 基板表面の延長線、
２７ 成膜領域、２８〜３４ 矢印。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA04 AA07 BA50 BB02 BC04 CA01 CA15 DB05 DB12 DB17 DB20 JA01 5F103 AA10 BB31 BB33 BB35 BB36 BB38 DD30 HH10 NN01 NN04 NN05 RR10 5G321 AA01 AA04 AA05 AA06 CA21 CA24 CA27 DB38
Claims (17)
- 【請求項１】 ターゲット材表面から成膜材料を飛散さ
せ、その飛散した成膜材料を基板表面上に堆積させるこ
とにより膜を形成する成膜方法であって、 ターゲット材の表面に対して前記基板の表面が角度をな
すように前記基板と前記ターゲット材とを配置する工程
と、 前記ターゲット材に対する前記基板の相対的な位置を移
動させながら、前記膜表面の面積が２次元方向に連続し
て増加するように前記基板上に前記膜を形成する成膜工
程とを備える、成膜方法。 - 【請求項２】 前記基板の表面と前記ターゲット材の表
面とのなす角度は０°を超え９０°以下である、請求項
１に記載の成膜方法。 - 【請求項３】 前記ターゲット材表面から成膜材料を飛
散させるため、前記ターゲット材表面にエネルギー線を
入射する、請求項１または２に記載の成膜方法。 - 【請求項４】 前記エネルギー線の軌跡と前記ターゲッ
ト材の表面とのなす角度は、前記基板の表面と前記ター
ゲット材の表面とのなす角度より小さい、請求項３に記
載の成膜方法。 - 【請求項５】 前記エネルギー線の軌跡は、前記基板の
表面とほぼ平行である、請求項３に記載の成膜方法。 - 【請求項６】 前記ターゲット材に対する前記基板の相
対的な位置を変更することにより、前記基板の表面と前
記ターゲット材の表面とのなす角度を変える角度変更工
程を備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の成膜
方法。 - 【請求項７】 前記成膜工程において、前記ターゲット
材に対する前記基板の相対的な位置を移動させる際の移
動方向は、前記基板の表面とほぼ平行な方向である、請
求項１〜６のいずれか１項に記載の成膜方法。 - 【請求項８】 前記膜は酸化物超電導体を含む、請求項
１〜７のいずれか１項に記載の成膜方法。 - 【請求項９】 前記酸化物超電導体は、ＲＥ１２３系酸
化物超電導体およびビスマス系酸化物超電導体からなる
群から選択される１種を含む、請求項８に記載の成膜方
法。 - 【請求項１０】 前記膜上に酸化物超電導体を形成する
工程をさらに備え、 前記膜は前記基板と前記酸化物超電導体との間に位置す
る中間膜である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の
成膜方法。 - 【請求項１１】 前記膜はイットリア安定化ジルコニ
ア、酸化セリウム、酸化マグネシウム、チタン酸ストロ
ンチウムからなる群から選択される少なくとも１種を含
む、請求項１０に記載の成膜方法。 - 【請求項１２】 前記基板を構成する材料は、サファイ
ア、アルミン酸ランタン、チタン酸ストロンチウム、Ｌ
ＳＡＴからなる群から選択される少なくとも１つを含
む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の成膜方法。 - 【請求項１３】 ターゲット材表面から成膜材料を飛散
させ、その飛散した成膜材料を基板表面上に堆積させる
ことにより薄膜を形成する成膜装置であって、 ターゲット材の表面に対して前記基板の表面がなす角度
を変更する変更手段を備える、成膜装置。 - 【請求項１４】 前記変更手段は、 円弧状のガイド部材と、 前記ガイド部材に移動可能に設置され、前記基板を保持
する基板保持部材とを含む、請求項１３に記載の成膜装
置。 - 【請求項１５】 前記ターゲット材に対する前記基板の
相対的な位置を移動させる移動手段を備える、請求項１
３または１４に記載の成膜装置。 - 【請求項１６】 前記移動手段は、前記基板の表面とほ
ぼ平行な方向において、前記ターゲット材に対する前記
基板の相対的な位置を移動させる、請求項１５に記載の
成膜装置。 - 【請求項１７】 前記ターゲット材表面から成膜材料を
飛散させるため、前記ターゲット材表面にエネルギー線
を照射する照射手段をさらに備える、請求項１３〜１６
のいずれか１項に記載の成膜装置。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
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| JP5244725B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2013-07-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 成膜装置 |
| CN104303265B (zh) * | 2012-02-03 | 2018-08-14 | 希捷科技有限公司 | 形成层的方法 |
| CN107630188A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-01-26 | 安徽富芯微电子有限公司 | 一种用于提高金属层镀膜均匀性的镀膜机构及其使用方法 |
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| CN114250164B (zh) * | 2020-09-23 | 2023-11-17 | 中国农业大学 | 一种具有固氮、解磷能力的不动杆菌1502ipr-05及其应用 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736437A (en) * | 1980-08-14 | 1982-02-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | Producing device of magnetic recording medium |
| JPS6194242A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0533124A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-09 | Olympus Optical Co Ltd | レーザフラツシユ蒸着装置 |
| US5332133A (en) * | 1991-11-01 | 1994-07-26 | Nisshin Flour Milling Co., Ltd. | Powder supplying apparatus and powder spraying apparatus |
| JPH06101037A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-12 | Hitachi Ltd | イオンビームスパッタ装置 |
| US5650378A (en) * | 1992-10-02 | 1997-07-22 | Fujikura Ltd. | Method of making polycrystalline thin film and superconducting oxide body |
| JP2996568B2 (ja) * | 1992-10-30 | 2000-01-11 | 株式会社フジクラ | 多結晶薄膜の製造方法および酸化物超電導導体の製造方法 |
| AU6132494A (en) * | 1993-03-12 | 1994-09-26 | Neocera, Inc. | Superconducting films on alkaline earth fluoride substrates with multiple buffer layers |
| JPH06271394A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-27 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | レーザ蒸着装置用ターゲット及びこれを用いた酸化物超電導体の製造方法 |
| US5411772A (en) * | 1994-01-25 | 1995-05-02 | Rockwell International Corporation | Method of laser ablation for uniform thin film deposition |
| JPH0870144A (ja) * | 1994-08-26 | 1996-03-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導部品の作製方法 |
| JPH08144051A (ja) * | 1994-11-21 | 1996-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ・アブレーションを用いた薄膜形成法およびレーザ・アブレーション装置 |
| JPH08246134A (ja) * | 1995-03-07 | 1996-09-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザー蒸着法による薄膜製造方法及び薄膜製造装置 |
| US5624722A (en) * | 1995-03-07 | 1997-04-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Apparatus and method for depositing films on substrate via on-axis laser ablation |
| JP3771012B2 (ja) * | 1997-09-02 | 2006-04-26 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導導体 |
| US6090207A (en) * | 1998-04-02 | 2000-07-18 | Neocera, Inc. | Translational target assembly for thin film deposition system |
| JP3877903B2 (ja) * | 1999-04-28 | 2007-02-07 | 株式会社フジクラ | 薄膜の形成方法 |
| JP2002266072A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 積層膜および成膜方法 |
-
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN106544634B (zh) * | 2015-09-17 | 2019-03-12 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种膜层的形成方法、靶材及靶材制作方法 |
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