JPH0964430A - 酸化物超電導導体の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 結晶配向性に優れた酸化物超電導層を形成で
きる酸化物超電導導体の製造方法およびこの製造方法の
実施に好適に使用することができる製造装置を提供す
る。 【解決手段】 ターゲット１２と基材１との間に窓孔を
有するフィルタ板１５を配設し、ターゲット１２から基
材１に向けて移動する粒子のうちフィルタ板１５の窓孔
１５ａを通過する粒子のみを基材上に堆積させるに際し
て、ターゲット１２から基材１に向けて移動する粒子の
噴流（プルーム）１３の中心線Ｇが、フィルタ板１５の
窓孔１５ａの基材１の移動方向に対して上流側の端面１
６から１０ｍｍ以下で、かつ下流側の端面１７から２５
ｍｍ以上の位置を通過するようにする酸化物超電導導体
の製造方法ならびにこれに用いる製造装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、結晶配向性が優れ
た酸化物超電導層を形成することができる酸化物超電導
導体の製造方法及び製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年になって発見されたＹ系の酸化物超
電導体は、ピン止め力が高温まで持続し、液体窒素温度
（７７Ｋ）での磁場中での応用に有効であることが知ら
れているが、現在、この種の酸化物超電導体を実用的な
超電導体として使用するためには、種々の解決するべき
問題点が存在している。その問題点の１つが、強磁場中
で酸化物超電導体の臨界電流密度が減少するという問題
である。

【０００３】前記強磁場中で酸化物超電導体の臨界電流
密度が減少するという問題は、酸化物超電導体の結晶自
体に電気的な異方性が存在することが大きな原因となっ
ており、特に酸化物超電導体はその結晶軸のａ軸方向と
ｂ軸方向には電気を流し易いが、ｃ軸方向には電気を流
しにくいことが知られている。このような観点から酸化
物超電導体を基材上に形成してこれを超電導体として使
用するためには、基材上に結晶配向性の良好な状態の酸
化物超電導体を形成し、しかも、電気を流そうとする方
向に酸化物超電導体の結晶のａ軸あるいはｂ軸を配向さ
せ、その他の方向に酸化物超電導体のｃ軸を配向させる
必要がある。

【０００４】ところで、酸化物超電導体を導電体として
使用するためには、テープ状などの長尺の基材上に結晶
配向性の良好な酸化物超電導層を形成する必要がある。
ところが、金属テープなどの基材上に酸化物超電導層を
直接形成すると、金属テープ自体が多結晶体でその結晶
構造も酸化物超電導体と大きく異なるために、結晶配向
性の良好な酸化物超電導層は到底形成できないものであ
る。しかも、酸化物超電導層を形成する際に行なう熱処
理によって金属テープと酸化物超電導層との間で拡散反
応が生じるために、酸化物超電導層の結晶構造が崩れ、
超電導特性が劣化する問題がある。

【０００５】そこで本発明者らは、図１４に示すような
Ｎｉ基耐熱合金ハステロイテープなどの金属テープから
なる長尺のテープ状の基材１の上にイットリウム安定化
ジルコニア（ＹＳＺ）などの多結晶中間薄膜２を形成
し、この多結晶中間薄膜２上に、酸化物超電導体の中で
も臨界温度が約９０Ｋであり、液体窒素（７７Ｋ）中で
用いることができる安定性に優れたＹＢａＣｕＯ系の超
電導層３を形成することで超電導特性の優れた酸化物超
電導導体５を製造する試みを種々行なっている。このよ
うな試みの中から本発明者らは先に、結晶配向性に優れ
た中間薄膜を形成するために、あるいは、超電導特性の
優れた超電導テープを得るために、特願平３ー１２６８
３６号、特願平３ー１２６８３７号、特願平３ー２０５
５５１号特願平４ー１３４４３号、特願平４ー２９３４
６４号などにおいて特許出願を行なっている。

【０００６】これらの特許出願に記載された技術によれ
ば、ハステロイテープなどの金属テープの基材上にスパ
ッタ装置により多結晶中間薄膜を形成する際に、スパッ
タリングと同時に基材成膜面の斜め方向からイオンビー
ムを照射しながら多結晶中間薄膜を成膜することによ
り、結晶配向性に優れた多結晶中間薄膜を形成すること
ができるものである。この方法によれば、多結晶中間薄
膜を形成する多数の結晶粒のそれぞれの結晶格子のａ軸
あるいはｂ軸で形成する粒界傾角を３０度以下に揃える
ことができ、結晶配向性に優れた多結晶中間薄膜を形成
することができるそして更に、この配向性に優れた中間
薄膜上にＹＢａＣｕＯ系の超電導層をスパッタリング
法、あるいはレーザ蒸着法などの物理蒸着法などの成膜
法により成膜するならば、酸化物超電導層の結晶配向性
も良好なものになり、これにより、臨界電流密度が高い
酸化物超電導体を形成することができる。

【０００７】図１５に、従来のレーザ蒸着装置の一例を
示した。このレーザ蒸着装置は、内部を真空排気自在に
構成された処理容器１０を有し、この処理容器１０の内
部の蒸着処理室１０ａの下部側に長尺のテープ状の基材
１が設けられ、該基材１の上方側には酸化物超電導体ま
たは酸化物超電導体と近似組成のターゲット１２が設け
られる一方、処理容器１０の外部には前記ターゲット１
２表面にレーザ光を照射して粒子の噴流（プルーム）１
３を発生させるためのレーザ発光装置１４が設けられて
いる。

【０００８】前記処理容器１０は排気孔１０ｂを介して
図示略の真空排気装置に接続されて内部を真空排気でき
るようになっている。前記ターゲット１２は、板状のも
のであり、その下面が基材１上面と平行に向き合うよう
にターゲットホルダ１２ａによって支持されている。ま
た、テープ状の基材１とターゲット１２の間には、窓孔
１５ａを有するフィルタ板１５が配設され、ターゲット
１２から基材１に向けて移動する粒子のうち窓孔１５ａ
を通過した粒子のみを選択的に基材１上に堆積させるこ
とができるようになっている。このフィルタ板１５の横
幅（テープ状の基材１の幅方向に沿うフィルタ板１５の
幅）は、ターゲット１２側から基材１を隠すことができ
るように基材１の幅よりも大きく形成されている。窓孔
１５ａの横幅（テープ状の基材１の幅方向に沿う窓孔１
５ａの幅）は、基材１の幅と同程度あるいは若干広い程
度であり、縦幅Ｗ₁（テープ状の基材１の長さ方向に沿
う窓孔１５ａの幅）は、約３５ｍｍ程度である。

【０００９】このような窓孔１５ａを有するフィルタ板
１５は、図１６に示すようにターゲット１２から基材に
向けて移動する粒子の噴流（プルーム）１３の中心線Ｇ
が窓孔１５ａの中心を通るように、すなわち粒子の噴流
１３の中心線Ｇと窓孔１５の基材１の移動方向に対して
上流側の端面１６との距離Ｌ₁が１７．５ｍｍで、かつ
粒子の噴流１３の中心線Ｇと前記窓孔１５ａの基材１の
移動方向に対して下流側の端面１７との距離Ｌ₂が１
７．５ｍｍとなるように基材１とターゲット１２との間
に配設される。

【００１０】前記基材１の下方側には、送出装置１８
と、巻取装置１９がそれぞれ離間して設けられ、送出装
置１８からテープ状の基材１を送り出し、巻取装置１９
で巻き取ることができるとともに、基材１をターゲット
１２の下方で水平移動できるようになっている。これら
送出装置１８と、巻取装置１９との間には基材１を加熱
するための加熱ヒータ２０が設けられている。前記レー
ザ発光装置１４と処理容器１０との間には、第１反射鏡
２１と集光レンズ２２と第２反射鏡２３が設けられ、レ
ーザ発光装置１４が発生させたレーザビームを処理容器
１０の側壁に取り付けられた透明窓２４を介してターゲ
ット１２に集光照射できるようになっている。また、従
来のレーザ蒸着装置においては、基材１上に粒子を堆積
させる際、基材１の表面温度を一定にするために、前記
加熱ヒータ２０に一定出力が投入されるようになってい
るか、あるいは加熱ヒータ２０と基材１との間の隙間部
Ａの温度を測定するための熱電対（Ｔ．Ｃ．）２０ａが
隙間部Ａに配設され、さらに熱電対（Ｔ．Ｃ．）２０ａ
で測定された測定値に基づいて隙間部Ａの温度が一定と
なるように前記加熱ヒータ２０に投入する出力を変更す
る制御部（図示略）が備えられている。

【００１１】前記構成のレーザ蒸着装置を用いて基材１
上に酸化物超電導層を形成するには、レーザ発光装置１
４からレーザビームを射出し、第１反射鏡２１と集光レ
ンズ２２と第２反射鏡２３と透明窓２４を介してレーザ
ビームをターゲット１２に照射する。一方、多結晶中間
薄膜が形成された基材１を多結晶中間薄膜側の面を上に
して送出装置１８から所定速度で順次送り出して巻取装
置１９に巻取り、基材１をターゲット１２の下方を水平
移動させるとともに加熱ヒータ２０を作動させて基材１
を加熱する。ここでの加熱の際、加熱ヒータ２０に一定
出力を投入するか、あるいは前記熱電対２０ａで隙間部
Ａの温度を測定し、この測定値に基づいて前記制御部で
加熱ヒータ２０の出力を変更する。

【００１２】このようにすると、レーザビームが照射れ
たターゲット１２は表面部分がえぐり取られるか蒸発さ
れて構成粒子が叩き出され、その粒子の大部分はフィル
タ１５の上面に堆積される、窓孔１５ａを通過した粒子
は基材１の中間薄膜２上に堆積されると同時に加熱ヒー
タ２０により熱処理される。以上の操作によって基材１
の上面に順次粒子を堆積させ、テープ状の基材１の多結
晶中間薄膜上に酸化物超電導層を形成することで、図１
４に示すような酸化物超電導導体を得ることができる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところが従来の酸化物
超電導導体に製造方法にあっては、得られる酸化物超電
導導体５の酸化物超電導層３に、図１７に示すように成
膜開始位置から２〜３ｃｍの範囲に白っぽい線６が生じ
てしまう。このような白っぽい線６が生じた酸化物超電
導導体５について、ＣｕＫα線を用いたθ-２θ法によ
る表面部分のＸ線回折試験を行なうと、ｃ軸の（００
３）あるいは（００６）からのピークの近傍にａ軸また
はｂ軸からのピークが認められ、このことは基材の成膜
面に対して直角向き（電気を流さない方向）にｃ軸以外
にａ軸またはｂ軸が配向していることを表し、酸化物超
電導層３の結晶配向性において不満があり、臨界電流密
度の向上の障害となっていた。

【００１４】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、白っぽい線が生じることがなく、基材の成膜面に対
して直角向きに結晶粒の結晶軸のｃ軸を配向させること
ができると同時に、成膜面と平行な面に沿って結晶粒の
結晶軸のａ軸およびｂ軸をも揃えることができ、結晶配
向性が優れた酸化物超電導層を形成することができる酸
化物超電導導体の製造方法およびこの製造方法の実施に
好適に使用することができる製造装置を提供することを
目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は前
記課題を解決するために、蒸着処理室内に設けた酸化物
超電導体または酸化物超電導体と近似組成のターゲット
から発生させた粒子をターゲット近傍を移動中の基材上
に順次堆積させて酸化物超電導層を形成する酸化物超電
導導体の製造方法において、ターゲットと基材との間に
窓孔を有するフィルタ板を配設し、ターゲットから基材
に向けて移動する粒子のうち前記フィルタ板の窓孔を通
過する粒子のみを基材上に堆積させるに際して、前記タ
ーゲットから基材に向けて移動する粒子の噴流の中心線
が、前記窓孔の基材の移動方向に対して上流側の端面か
ら１０ｍｍ以下で、かつ前記窓孔の基材の移動方向に対
して下流側の端面から２５ｍｍ以上の位置を通過するよ
うにする方法である。

【００１６】請求項２記載の発明は前記課題を解決する
ために、蒸着処理室内に設けた酸化物超電導体または酸
化物超電導体と近似組成のターゲットから発生させた粒
子をターゲット近傍を移動中の基材上に順次堆積させて
酸化物超電導層を形成する酸化物超電導導体の製造装置
において、ターゲットから基材に向けて移動する粒子を
選択的に基材上に堆積させるための窓孔を有するフィル
タ板が、該ターゲットから基材に向けて移動する粒子の
噴流の中心線と前記窓孔の基材の移動方向に対して上流
側の端面との距離が１０ｍｍ以下で、かつ前記粒子の噴
流の中心線と前記窓孔の基材の移動方向に対して下流側
の端面との距離が２５ｍｍ以上となるようにターゲット
と基材との間に配設されてなるものである。

【００１７】また、蒸着処理室内に設けた酸化物超電導
体または酸化物超電導体と近似組成のターゲットから発
生させた粒子をターゲット近傍を移動中の基材上に順次
堆積させて酸化物超電導層を形成する酸化物超電導導体
の製造方法においては、基材の近傍に該基材を加熱する
ための加熱手段を配設し、該加熱手段により基材を加熱
しながらターゲットから基材に向けて移動する粒子を前
記基材上に堆積させるに際して、基材上に堆積した粒子
からなる層の表面温度を測定しつつ、この測定値に基づ
いて基材の粒子を堆積させる部分の表面温度が一定とな
るように前記加熱手段の出力を変更しながら前記粒子を
基材上に堆積させるのが望ましい。

【００１８】また、蒸着処理室内に設けた酸化物超電導
体または酸化物超電導体と近似組成のターゲットから発
生させた粒子をターゲット近傍を移動中の基材上に順次
堆積させて酸化物超電導層を形成する酸化物超電導導体
の製造装置においては、基材を加熱するための加熱手段
と、基材上に堆積した粒子からなる層の表面温度を測定
するための温度計とがそれぞれ基材の近傍に配設され、
該温度計で測定された測定値に基づいて基材の粒子を堆
積させる部分の表面温度が一定となるように前記加熱手
段の出力を変更する制御部が備えられるのが望ましい。

【００１９】また、蒸着処理室内に設けた酸化物超電導
体または酸化物超電導体と近似組成のターゲットから発
生させた粒子をターゲット近傍を移動中の基材上に順次
堆積させて酸化物超電導層を形成する酸化物超電導導体
の製造方法においては、ターゲットと基材との間に窓孔
を有するフィルタ板を配設し、かつ前記基材の近傍に該
基材を加熱するための加熱手段を配設し、該加熱手段に
より基材を加熱しながら該基材上にターゲットから基材
に向けて移動する粒子のうち前記フィルタ板の窓孔を通
過する粒子のみを堆積させるに際して、前記ターゲット
から基材に向けて移動する粒子の噴流の中心線が、前記
窓孔の基材の移動方向に対して上流側の端面から１０ｍ
ｍ以下で、かつ前記窓孔の基材の移動方向に対して下流
側の端面から２５ｍｍ以上の位置を通過するようにする
とともに、基材上に堆積した粒子からなる層の表面温度
を測定しつつこの測定値に基づいて基材の粒子を堆積さ
せる部分の表面温度が一定となるように前記加熱手段の
出力を変更しながら前記粒子を基材上に堆積させるのが
望ましい。

【００２０】また、蒸着処理室内に設けた酸化物超電導
体または酸化物超電導体と近似組成のターゲットから発
生させた粒子をターゲット近傍を移動中の基材上に順次
堆積させて酸化物超電導層を形成する酸化物超電導導体
の製造装置においては、ターゲットから基材に向けて移
動する粒子を選択的に基材上に堆積させるための窓孔を
有するフィルタ板が、該ターゲットから基材に向けて移
動する粒子の噴流の中心線と前記窓孔の基材の移動方向
に対して上流側の端面との距離が１０ｍｍ以下で、かつ
前記粒子の噴流の中心線と前記窓孔の基材の移動方向に
対して下流側の端面との距離が２５ｍｍ以上となるよう
にターゲットと基材との間に配設され、かつ基材を加熱
するための加熱手段と基材上に堆積した粒子からなる層
の表面温度を測定するための温度計がそれぞれ基材の近
傍に配設され、かつ該温度計で測定された測定値に基づ
いて基材の粒子を堆積させる部分の表面温度が一定とな
るように前記加熱手段の出力を変更する制御部が備えら
れるのが望ましい。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係わる酸化物超
電導導体の製造方法に好適に用いられるレーザ蒸着装置
の第１の例を示すものである。この第１の例の酸化物超
電導導体の製造装置が、図１５に示した従来のレーザ蒸
着装置と異るところは、テープ状の基材１とターゲット
１２の間に、窓孔１５ａを有するフィルタ板１５を配設
する際の配設位置が異る点である。

【００２２】この第１の例での窓孔１５ａを有するフィ
ルタ板１５は、図２に示すようにタゲット１２から基材
１に向けて移動する粒子の噴流（プルーム）１３の中心
線Ｇと窓孔１５ａの基材１の移動方向に対して上流側の
端面１６との距離Ｌ₃が１０ｍｍ以下、好ましくは−５
ｍｍ以上１０ｍｍ以下で、より好ましくは−５ｍｍ以上
１０ｍｍ未満で、かつ粒子の噴流１３の中心線Ｇと窓孔
１５ａの基材１の移動方向に対して下流側の端面１７と
の距離Ｌ₄が２５ｍｍ以上、好ましくは２５ｍｍ以上４
０ｍｍ以下となるように基材１とターゲット１２との間
に配設される。ここで粒子の噴流１３の中心線Ｇとフィ
ルタ板１５の端面１６との距離Ｌ³が−（マイナス）と
は、噴流１３の中心線Ｇがフィルタ板１５の端面１６よ
り基材１の移動方向に対して上流側にある場合の端面１
６と中心線Ｇとの距離である。粒子の噴流１３の中心線
Ｇと窓孔１５ａの端面１６との距離Ｌ₃が１０ｍｍを超
えると、このレーザ蒸着装置を用いて形成される酸化物
超電導層に白っぽい線が生じ、結晶配向性が低下してし
まう恐れがあるからである。粒子の噴流１３の中心線Ｇ
と窓孔１５ａの端面１７との距離Ｌ₄が２５ｍｍ未満で
あると、粒子のデポジションのレートが低下してしまう
恐れがあるからである。

【００２３】ここでのターゲット１２としては、形成し
ようとする酸化物超電導層と同等または近似した組成、
あるいは、成膜中に逃避しやすい成分を多く含有させた
複合酸化物の焼結体、または、酸化物超電導体のバルク
などから形成されている。現在知られている臨界温度の
高い酸化物超電導体として具体的には、 Ｙ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−Ｏ系、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｔ１−Ｂａ
−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系などがあるので、ターゲット１２と
してはこれらの系のものなどを用いることができる。な
お、酸化物超電導体を構成する元素の中で蒸気圧が高
く、蒸着の際に飛散しやすい元素もあるので、このよう
な元素を含むターゲット１２を使用する場合は、蒸気圧
の高い元素を目的とする所定の割合よりも多く含むター
ゲットを用いればよい。また、レーザ発光装置１４とし
ては、ターゲット１２から構成粒子を叩きだすことがで
きるものであれば、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザなど
のいずれのものを使用してもよい。

【００２４】次に、前述の第１の例のレーザ蒸着装置を
用いて酸化物超電導導体の製造する方法の第１の例につ
いて説明する。多結晶中間薄膜が形成されたテープ状の
基材１を蒸着処理室１０ａ内の送出装置１８にセット
し、ターゲット１２をその下面が前記基材１の多結晶中
間薄膜側の面と平行に向き合うようにターゲットホルダ
１２ａにセットしたならば、蒸着処理室１０ａを真空排
気する。ここで必要に応じて蒸着処理室１０ａに酸素ガ
スを導入して蒸着処理室１０ａを酸素雰囲気としても良
い。また、加熱ヒータ２０に一定の出力を投入し、ほぼ
一定の温度範囲で基材１を加熱できるようにする。

【００２５】次に、レーザ発光装置１４から発生させた
レーザビームを第１反射鏡２１と集光レンズ２２と第２
反射鏡２３と透明窓２４を介して蒸着処理室１０ａ内に
導き、ターゲット１の表面に集光照射する。この際に、
集光レンズ２２の位置調節を行ってターゲット１２の表
面にレーザビームの焦点を合せる。また、多結晶中間薄
膜が形成された基材１を多結晶中間薄膜側の面を上にし
て送出装置１８から所定速度で順次送り出して巻取装置
１９に巻取ることにより、基材１をターゲット１２の下
方を水平移動させながら前記加熱ヒータ２０により基材
１を加熱する。

【００２６】このようにすると、レーザビームが照射れ
たターゲット１２は表面部分がえぐり取られるか蒸発さ
れて構成粒子が叩き出され、その粒子の大部分はフィル
タ１５の上面に堆積するが、窓孔１５ａを通過した粒子
は基材１の中間薄膜上に堆積されると同時に加熱ヒータ
２０により熱処理される。粒子が窓を通過する際、粒子
の噴流（プルーム）１３の中心線Ｇは、窓孔１５ａの基
材１の移動方向に対して上流側の端面１６から１０ｍｍ
以下で、かつ窓孔１５ａの基材１の移動方向に対して下
流側の端面１７から２５ｍｍ以上の位置を通過する。以
上の操作によって基材１の上面に順次粒子を堆積させ、
テープ状の基材１の多結晶中間薄膜上に酸化物超電導層
を形成することで、酸化物超電導導体を得ることができ
る。

【００２７】このようにして形成された酸化物超電導層
には、白っぽい線が生じておらず、また、ＣｕＫα線を
用いたθ-２θ法による表面部分のＸ線回折試験を行な
った結果、ｃ軸の（００３）あるいは（００６）からの
強いピークが認められ、ａ軸またはｂ軸からのピークの
存在は認められないことから、基材１の成膜面に対して
直角向きに配向したａ軸およびｂ軸がほとんどなく、よ
って基材１の成膜面に対して直角向きに結晶粒の結晶軸
のｃ軸が配向しており、かつ成膜面と平行な面に沿って
結晶粒の結晶軸のａ軸およびｂ軸が揃った結晶配向性の
優れたものとなる。

【００２８】従って第１の例の酸化物超電導導体の製造
方法によれば、結晶配向性の優れた酸化物超電導層が得
られるため、臨界電流値が高く、磁界電流密度が高い酸
化物超電導体を製造することができる。また、この製造
方法にあっては、フィルタ板１５の配設位置を基材１の
移動方向に沿ってわずかにずらすだけであるので、成膜
範囲の大きさは従来の酸化物超電導導体の製造方法と変
わらないため、粒子のデポジションのレートが低下する
ことなく高品質の酸化物超電導層を形成することができ
る。

【００２９】ところで、図１５〜図１６に示した従来の
レーザ蒸着装置を用いる酸化物超電導導体の製造方法に
おいては、基材１の移動に伴って基材１の表面温度が変
動した場合、加熱ヒータ２０には一定出力しか投入され
ないため成膜時の基材１の表面温度を一定に保つことが
できず、あるいは熱電対２０ａで測定される測定値は隙
間部Ａの温度であるため基材１の表面温度に追従してお
らず、従って前記測定値に基づいて加熱ヒータ２０の出
力を制御しても、成膜時の基材１の表面温度を一定に保
つことができなかった。このように成膜時の基材１の表
面温度が一定でないと、基材１の長さ方向に沿って均質
な酸化物超電導層を形成することができず、よって長さ
方向に均一な超電導特性を備えた酸化物超電導導体を製
造できないという問題があった。

【００３０】そこで、このような問題を解決するために
レーザ蒸着装置の構成を図３に示すような構成にするこ
とが望ましい。図３は、本発明に係わる酸化物超電導導
体の製造方法に好適に用いられるレーザ蒸着装置の第２
の例の一部分を示す拡大図である。この第２の例の酸化
物超電導導体の製造装置が、図１５に示した従来のレー
ザ蒸着装置と異るところは、蒸着処理室１０ａ内で基材
１の上方に温度計３０が配設され、処理容器１０の外部
に制御部３１が設けられ、可変電源３２が加熱ヒータ
（加熱手段）２０に設けられた点である。

【００３１】温度計３０は、基材１上に堆積した粒子か
らなる層の表面温度を測定するためのものであり、制御
部３１と接続されている。ここでの温度計３０として
は、パイロ輻射高温計が好適に用いられ、このパイロ輻
射高温計は堆積した粒子からなる層表面の一点の温度を
フィルタ板１５を配設したままで、かつ非接触で連続的
に測定できるものである。

【００３２】制御部３１は、基材１の粒子を堆積させる
部分の表面温度が一定温度（成膜に最適な温度範囲）と
なるように加熱ヒータ２０の出力を変更するものであっ
て、温度計３０で測定された堆積した粒子からなる層の
表面温度を認識し、この表面温度が予め設定された温度
（目標温度）と異るときは、該表面温度を前記目標温度
にするために必要な電圧が加熱手段２０に印加するため
の信号を可変電源３２に送りむようになっており、可変
電源３２に接続されている。なお、ここでの目標温度と
は、基材１の粒子を堆積させる部分の表面温度が成膜に
最適な温度範囲であるときの堆積した粒子からなる層の
表面温度である。可変電源３２は、加熱ヒータ２０に電
圧を印加し、かつ前記制御部３１からの信号に基づいて
印加電圧を可変とするものである。

【００３３】次に、前述の第２の例のレーザ蒸着装置を
用いて酸化物超電導導体を製造する方法の第２の例につ
いて説明する。この第２の例の酸化物超電導導体の製造
方法が、従来の酸化物超電導導体の製造方法と異るとこ
ろは、加熱ヒータ２０に一定出力を投入することにより
移動中の基材１をほぼ一定の温度範囲で加熱するのに代
えて、移動中の基材１上に堆積した粒子からなる層表面
の一点の温度を温度計３０により測定しつつ、この測定
値を制御部３１で認識し、予め設定された目標温度と異
るときは、前記層表面の温度を目標温度にするために必
要な電圧を加熱ヒータ２０に印加できるようにする信号
を可変電源３２に送り込み、前記信号に基づいて変更し
た電圧を加熱ヒータ２０に印加し、基材１の粒子を堆積
させる部分の温度が一定温度（成膜に最適な温度範囲）
となるように加熱ヒータ２０の出力を変更する点であ
る。

【００３４】例えば、堆積した粒子からなる層の表面の
一点の温度が予め設定された目標温度より低くなった場
合、基材１の粒子を堆積させる部分の温度が一定温度
（成膜に最適な温度範囲）まで上昇するように加熱ヒー
タ２０の出力が大きくなり、一方、堆積した粒子からな
る層の表面の一点の温度が予め設定された目標温度より
高くなった場合、基材１の粒子を堆積させる部分の温度
が一定温度（成膜に最適な温度範囲）となるように加熱
ヒータ２０の出力が小さくなる。

【００３５】第２の例の酸化物超電導導体の製造方法に
あっては、基材１上に堆積した粒子からなる層の表面上
の一点の温度を測定しつつ、この測定値に基づいて基材
１の粒子を堆積させる部分の表面温度が一定となるよう
に加熱ヒータ２０の出力を変更しながら粒子を基材１上
に堆積させる方法であるので、基材１の移動に伴って基
材１の表面温度が変動しても、加熱ヒータ２０の出力を
変更して基材１の粒子を堆積させる部分の表面温度を一
定（成膜に最適な温度範囲）に保つことができるので、
成膜条件が良好となり、基材１の長さ方向に沿って均質
な酸化物超電導層を形成することができ、よって長さ方
向に沿って均一で優れた超電導特性を備えた酸化物超電
導導体を製造できる。

【００３６】図４は、本発明に係わる酸化物超電導導体
の製造方法に好適に用いられるレーザ蒸着装置の第３の
例の一部分を示す拡大図である。この第３の例の酸化物
超電導導体の製造装置が、図１に示した第１の例の蒸着
装置と異るところは、蒸着処理室１０ａ内で基材１の上
方に温度計３０が配設され、処理容器１０の外部に制御
部３１が設けられ、可変電源３２が加熱ヒータ（加熱手
段）２０に設けられた点である。

【００３７】次に、前述の第３の例のレーザ蒸着装置を
用いて酸化物超電導導体を製造する方法の第３の例につ
いて説明する。この第３の例の酸化物超電導導体の製造
方法が、前述の第１の例の酸化物超電導導体の製造方法
と異るところは、加熱ヒータ２０に一定出力を投入する
ことにより移動中の基材１をほぼ一定の温度範囲で加熱
するのに代えて、移動中の基材１上に堆積した粒子から
なる層の表面温度を温度計３０により測定し、この測定
値を制御部３１で認識し、予め設定された目標温度と異
るときは、該表面温度を目標温度にするために必要な電
圧を加熱ヒータ２０に印加できるようにする信号を可変
電源３２に送り込み、前記信号に基づいて変更した電圧
を加熱ヒータ２０に印加し、基材１の粒子を堆積させる
部分の温度が一定温度（成膜に最適な温度範囲）となる
ように加熱ヒータ２０の出力を変更する点である。

【００３８】第３の例の酸化物超電導導体の製造方法に
あっては、前述の構成としたことにより、第１の例の酸
化物超電導導体の製造方法と同様の作用を奏するうえ、
第２の例の酸化物超電導導体の製造方法と同様の作用を
奏するので、白っぽい線が生じることがなく、基材１の
成膜面に対して直角向きに結晶粒の結晶軸のｃ軸を配向
させることができると同時に、成膜面と平行な面に沿っ
て結晶粒の結晶軸のａ軸およびｂ軸をも揃えることがで
き、結晶配向性に優れるという特性と、基材１の長さ方
向に沿って均質であるという特性の両方の特性を有する
酸化物超電導層を形成でき、超電導特性が格段に優れた
酸化物超電導導体を製造できる。

【００３９】なお、前述の例においては、本発明の酸化
物超電導導体の製造方法ならびに製造装置をレーザ蒸着
法ならびにレーザ蒸着装置に適用した場合について説明
したが、蒸着処理室内に設けた酸化物超電導体または酸
化物超電導体と近似組成のターゲットから発生させた粒
子をターゲット近傍を移動中の基材上に順次堆積させて
酸化物超電導層を形成する酸化物超電導導体の製造方法
やこれに用いられる製造装置においても同様に適用で
き、例えば、スパッタリング法などの物理蒸着法やスパ
ッタ装置などの物理蒸着装置において同様に適用でき
る。

【００４０】（本発明における作用）請求項１記載の酸
化物超電導導体の製造方法にあっては、前述の構成とす
ることにより、得られる酸化物超電導層に白っぽい線が
生じることがなくなり、これによって基材の成膜面に対
して直角向きに配向したａ軸およびｂ軸が少なくなるの
で、基材の成膜面に対して直角向きに結晶粒の結晶軸の
ｃ軸を配向させることができると同時に、成膜面と平行
な面に沿って結晶粒の結晶軸のａ軸およびｂ軸をも揃え
ることができ、結晶配向性の優れた酸化物超電導層の形
成が可能となる。

【００４１】また、基材の近傍に該基材を加熱するため
の加熱手段を配設し、該加熱手段により基材を加熱しな
がらターゲットから基材に向けて移動する粒子を前記基
材上に堆積させるに際して、基材上に堆積した粒子から
なる層の表面温度を測定しつつ、この測定値に基づいて
基材の粒子を堆積させる部分の表面温度が一定となるよ
うに前記加熱手段の出力を変更しながら前記粒子を基材
上に堆積させるようにすることにより、基材の移動に伴
って基材の表面温度が変動しても、加熱手段の出力を変
更して基材の粒子を堆積させる部分の表面温度を一定
（成膜に最適な温度範囲）に保つことができるので、成
膜条件が良好となり、基材の長さ方向に沿って均質な酸
化物超電導層の形成が可能となる。

【００４２】また、ターゲットと基材との間に窓孔を有
するフィルタ板を配設し、かつ前記基材の近傍に該基材
を加熱するための加熱手段を配設し、該加熱手段により
基材を加熱しながら該基材上にターゲットから基材に向
けて移動する粒子のうち前記フィルタ板の窓孔を通過す
る粒子のみを堆積させるに際して、前記ターゲットから
基材に向けて移動する粒子の噴流の中心線が、前記窓孔
の基材の移動方向に対して上流側の端面から１０ｍｍ以
下で、かつ前記窓孔の基材の移動方向に対して下流側の
端面から２５ｍｍ以上の位置を通過するようにするとと
もに、基材上に堆積した粒子からなる層の表面温度を測
定しつつこの測定値に基づいて基材の粒子を堆積させる
部分の表面温度が一定となるように前記加熱手段の出力
を変更しながら前記粒子を基材上に堆積させることによ
り、結晶配向性が優れ、かつ基材の長さ方向に沿って均
質な酸化物超電導層の形成が可能となる。

【００４３】

【実施例】

（実施例１）図１に示す製造装置において、ターゲット
蒸発用のレーザとして波長２４８ｎｍ、平均出力５０
Ｗ、繰返周波数１００Ｈｚ、パルス幅１０ｎｓｅｃのＫ
ｒＦエキシマレーザを用いた。また、基材として、ハス
テロイ製の幅１０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍのテープの上面
に、厚さ０．５μｍのＹＳＺからなる多結晶中間薄膜を
被覆したものを用いるとともに、ターゲットとしてＹ1
Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δなる組成の焼結体からなる円板状のタ
ーゲットを用いた。さらに、蒸着処理室の内部を１０^-6
Ｔｏｒｒに排気し、加熱ヒータに一定の出力１ＫＷを投
入して基材を加熱しながら該基材上に前記ターゲットか
ら基材に向けて移動してくる粒子を堆積しレーザ蒸着を
行った。ここで用いたフィルタ板に形成した窓孔の横幅
（基材の幅方向に沿う窓孔の幅）は１４ｍｍ、縦幅（基
材の長さ方向に沿う窓孔の幅）は３５ｍｍであった。こ
のフィルタ板は、ターゲットから基材に向けて移動する
粒子の噴流の中心線と窓孔の基材の移動方向に対して上
流側の端面との距離Ｌ₃が−５〜１０ｍｍで、かつ粒子
の噴流の中心線と窓孔の基材の移動方向に対して下流側
の端面との距離Ｌ₄が４０〜２５ｍｍとなるように基材
とターゲットとの間に配設されており、このフィルタ板
と基材との距離は２〜３ｍｍであった。

【００４４】実施例１で得られた酸化物超電導導体の酸
化物超電導層には、白っぽい線が認められなかった。ま
た、粒子の噴流の中心線と窓孔の基材の移動方向に対し
て上流側の端面との距離Ｌ₃を７．５ｍｍとした場合に
形成された酸化物超電導層についてＣｕＫα線を用いた
θ-２θ法による表面部分のＸ線回折試験を行なった結
果を図５に示す。図５に示す結果から、ｃ軸の（００
３）あるいは（００６）からの強いピークが認められ、
ａ軸またはｂ軸からのピークの存在は認められないこと
から、基材の成膜面に対して直角向きに配向したａ軸お
よびｂ軸がなく、よって基材の成膜面に対して直角向き
に結晶粒の結晶軸のｃ軸が配向しており、かつ成膜面と
平行な面に沿って結晶粒の結晶軸のａ軸およびｂ軸が揃
った結晶配向性の優れた酸化物超電導層が得られたこと
が判明した。また、粒子の噴流の中心線と窓孔の基材の
移動方向に対して上流側の端面との距離Ｌ₃を−５ｍ
ｍ、０ｍｍ、５ｍｍ、１０ｍｍとした場合にそれぞれ形
成された酸化物超電導層についてＣｕＫα線を用いたθ
-２θ法による表面部分のＸ線回折試験を行なった結果
を図６〜図９に示す。

【００４５】また、得られた酸化物超電導導体を液体窒
素で冷却し、粒子の噴流の中心線と窓孔の基材の移動方
向に対して上流側の端面との距離Ｌ₃を−５ｍｍ〜１０
ｍｍの範囲で変更したときの、距離Ｌ₃と臨界電流との
関係、距離Ｌ₃と臨界電流密度との関係を調べた。その
結果を図１０、図１１に示す。図１０は粒子の噴流の中
心線と窓孔の基材の移動方向に対して上流側の端面との
距離と、臨界電流との関係を示したグラフであり、図１
１は粒子の噴流の中心線と窓孔の基材の移動方向に対し
て上流側の端面との距離と、臨界電流密度との関係を示
したグラフである。ここでの臨界電流は最大値をプロッ
トしたものであり、また、臨界電流密度は臨界電流の最
大値より算出したものである。図１０〜図１１に示した
結果から明らかなように、実施例１で得られた酸化物超
電導導体は、極めて優秀な超電導特性を発揮することを
確認できた。また、得られた酸化物超電導導体の長さ方
向に沿った臨界温度を調べたところ、複数の測定箇所に
おいて、いずれも臨界温度＝９０Ｋを示した。

【００４６】（比較例１）図１５に示す製造装置を用
い、ターゲットから基材に向けて移動する粒子の噴流の
中心線と窓孔の基材の移動方向に対して上流側の端面と
の距離Ｌ₁が１５〜１７．５ｍｍで、かつ粒子の噴流の
中心線と窓孔の基材の移動方向に対して下流側の端面と
の距離Ｌ₂が２０〜１７．５ｍｍとなるようにフィルタ
板を基材とターゲットとの間に配設した以外は前述の実
施例１と同様にして酸化物超電導導体を得た。

【００４７】比較例１で得られた酸化物超電導導体の酸
化物超電導層には、白っぽい線が認められた。また、粒
子の噴流の中心線と窓孔の基材の移動方向に対して上流
側の端面との距離Ｌ₁を１５ｍｍとした場合に形成され
た酸化物超電導層についてＣｕＫα線を用いたθ-２θ
法による表面部分のＸ線回折試験を行なった結果を図１
２に示す。図１２に示す結果から、ｃ軸の（００３）あ
るいは（００６）からのピーク以外にａ軸またはｂ軸か
らのピークの存在が認められ、基材の成膜面に対して直
角向き（電気を流さない方向）にｃ軸以外にａ軸または
ｂ軸が配向し、かつ成膜面と平行な面に沿って結晶粒の
結晶軸のａ軸およびｂ軸が揃っていない酸化物超電導層
が得られたことが判明した。また、粒子の噴流の中心線
と窓孔の基材の移動方向に対して上流側の端面との距離
Ｌ₁を１７．５ｍｍとした場合に形成された酸化物超電
導層についてＣｕＫα線を用いたθ-２θ法による表面
部分のＸ線回折試験を行なった結果を図１３に示す。

【００４８】また、得られた酸化物超電導導体を液体窒
素で冷却し、粒子の噴流の中心線と窓孔の基材の移動方
向に対して上流側の端面との距離Ｌ₁を１７．５ｍｍと
したときの、距離Ｌ₁と臨界電流との関係を図１０に合
わせて示し、距離Ｌ₁と臨界電流密度との関係を図１１
に合わせて示した。図１０〜図１１に示した結果から明
らかなように、比較例１で得られた酸化物超電導導体
は、実施例１で得られた酸化物超電導導体に比べて臨界
電流密度が低く、超電導特性が劣ることを確認できた。
また、得られた酸化物超電導導体の長さ方向に沿った臨
界温度を調べたところ、複数の測定箇所において臨界温
度にばらつきがあった。

【００４９】（実施例２）前述の第２の例の製造装置を
用い、ターゲット蒸発用のレーザとして波長248ｎｍ、
平均出力５．０Ｗ、繰返周波数１００Ｈｚ、パルス幅１
０ｎｓｅｃのＫｒＦエキシマレーザを用いた。また、基
材として、ハステロイ製の幅１０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍ
のテープの上面に、厚さ０．５μｍのＹＳＺからなる多
結晶中間薄膜を被覆したものを用いるとともに、ターゲ
ットとしてＹ1Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δなる組成の焼結体から
なる円板状のターゲットを用いた。さらに、蒸着処理室
の内部を１０^-6Ｔｏｒｒに排気し、加熱ヒータにより基
材を加熱しながら移動中の基材上に堆積した粒子からな
る層表面の一点の温度をパイロ輻射高温計により測定し
つつ、この測定値を制御部で認識し、予め設定された目
標温度（700〜750℃）と異るときは、前記表面の温度を
目標温度にするために必要な電圧を加熱ヒータに印加で
きるようにする信号を可変電源に送り込み、前記信号に
基づいて変更した電圧を加熱ヒータに印加し、基材の粒
子を堆積させる部分の温度が一定温度（７００〜７５０
℃）となるように加熱ヒータの出力を変更しながら粒子
を基材上に堆積させると同時に熱処理した。

【００５０】得られた酸化物超電導導体について、液体
窒素で冷却し、臨界温度と、臨界電流と、臨界電流密度
を、該酸化物超電導導体の長さ方向に沿った複数の部分
で測定した。その結果、複数の測定箇所において、いず
れも優れた臨界温度、臨界電流、臨界電流密度を示し、
長さ方向に沿って均一で優れた超電導特性を発揮するこ
とを確認できた。

【００５１】（比較例２）加熱ヒータに一定出力を投入
して基材を加熱しながら該基材上にターゲットから基材
に向けて移動してくる粒子を堆積することに代えて、加
熱ヒータと基材との間の隙間部に配設された熱電対
（Ｔ．Ｃ．）により前記隙間部の温度を測定し、この測
定値を制御部で認識し、この測定値に基づいて前記隙間
部の温度が９５０〜９７０℃となるように加熱ヒータに
投入する出力を変更しながら基材上にターゲットから基
材に向けて移動してくる粒子を堆積した以外は前述の比
較例１と同様にして酸化物超電導導体を得た。

【００５２】また、得られた酸化物超電導導体につい
て、液体窒素で冷却し、臨界温度と、臨界電流と、臨界
電流密度を、該酸化物超電導導体の長さ方向に沿った複
数の部分で測定した。その結果、複数の測定箇所におい
て、臨界温度、臨界電流、臨界電流密度の値にばらつき
があり、長さ方向に沿った超電導特性が不均一であり、
また、臨界電流密度の平均値も実施例２で得られた酸化
物超電導導体と比べて低いものであった。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の酸化
物超電導導体の製造方法にあっては、前述の構成とする
ことにより、得られる酸化物超電導層に白っぽい線が生
じることがなくなり、これによって基材の成膜面に対し
て直角向きに配向したａ軸およびｂ軸が少なくなるの
で、基材の成膜面に対して直角向きに結晶粒の結晶軸の
ｃ軸を配向させることができると同時に、成膜面と平行
な面に沿って結晶粒の結晶軸のａ軸およびｂ軸をも揃え
ることができ、結晶配向性の優れた酸化物超電導層が得
られる。従って請求項１記載の酸化物超電導導体の製造
方法によれば、臨界電流値が高くなり、磁界電流密度が
高い酸化物超電導体が得られる。また、この製造方法に
あっては、フィルタ板の配設位置を基材の移動方向に沿
ってわずかにずらすだけであるので、成膜範囲の大きさ
は従来の酸化物超電導導体の製造方法と変わらないた
め、粒子のデポジションのレートが低下することなく高
品質の酸化物超電導層を形成することができる。また、
請求項２記載の酸化物超電導導体の製造装置にあって
は、前述の構成としたものであるので、請求項１記載の
酸化物超電導導体の製造方法の実施に好適に使用でき
る。

【００５４】また、基材の近傍に該基材を加熱するため
の加熱手段を配設し、該加熱手段により基材を加熱しな
がらターゲットから基材に向けて移動する粒子を前記基
材上に堆積させるに際して、基材上に堆積した粒子から
なる層の表面温度を測定しつつ、この測定値に基づいて
基材の粒子を堆積させる部分の表面温度が一定となるよ
うに前記加熱手段の出力を変更しながら前記粒子を基材
上に堆積させるようにとしたことにより、基材の移動に
伴って基材の表面温度が変動しても、加熱手段の出力を
変更して基材の粒子を堆積させる部分の表面温度を一定
（成膜に最適な温度範囲）に保つことができるので、成
膜条件が良好となり、基材の長さ方向に沿って均質な酸
化物超電導層を形成することができ、よって長さ方向に
沿って均一で優れた超電導特性を備えた酸化物超電導導
体を製造できる。

【００５５】また、ターゲットと基材との間に窓孔を有
するフィルタ板を配設し、かつ前記基材の近傍に該基材
を加熱するための加熱手段を配設し、該加熱手段により
基材を加熱しながら該基材上にターゲットから基材に向
けて移動する粒子のうち前記フィルタ板の窓孔を通過す
る粒子のみを堆積させるに際して、前記ターゲットから
基材に向けて移動する粒子の噴流の中心線が、前記窓孔
の基材の移動方向に対して上流側の端面から１０ｍｍ以
下で、かつ前記窓孔の基材の移動方向に対して下流側の
端面から２５ｍｍ以上の位置を通過するようにするとと
もに、基材上に堆積した粒子からなる層の表面温度を測
定しつつこの測定値に基づいて基材の粒子を堆積させる
部分の表面温度が一定となるように前記加熱手段の出力
を変更しながら前記粒子を基材上に堆積させることによ
り、白っぽい線が生じることがなく、基材の成膜面に対
して直角向きに結晶粒の結晶軸のｃ軸を配向させること
ができると同時に、成膜面と平行な面に沿って結晶粒の
結晶軸のａ軸およびｂ軸をも揃えることができ、結晶配
向性に優れるという特性と、基材の長さ方向に沿って均
質であるという特性の両方の特性を有する酸化物超電導
層を形成でき、超電導特性が格段に優れた酸化物超電導
導体を製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係わるレーザ蒸着装置の第１の例を
示す構成図である。

【図２】 図１のレーザ蒸着装置の部分拡大図である。

【図３】 第２の例のレーザ蒸着装置の部分拡大図であ
る。

【図４】 第３の例のレーザ蒸着装置の部分拡大図であ
る。

【図５】 実施例１において、粒子の噴流の中心線と窓
孔の基材の移動方向に対して上流側の端面との距離Ｌを
７．５ｍｍとした場合に形成された酸化物超電導層のＸ
線回折結果を示すグラフである。

【図６】 実施例１において、粒子の噴流の中心線と窓
孔の基材の移動方向に対して上流側の端面との距離Ｌを
−５ｍｍとした場合に形成された酸化物超電導層のＸ線
回折結果を示すグラフである。

【図７】 実施例１において、粒子の噴流の中心線と窓
孔の基材の移動方向に対して上流側の端面との距離Ｌを
０ｍｍとした場合に形成された酸化物超電導層のＸ線回
折結果を示すグラフである。

【図８】 実施例１において、粒子の噴流の中心線と窓
孔の基材の移動方向に対して上流側の端面との距離Ｌを
５ｍｍとした場合に形成された酸化物超電導層のＸ線回
折結果を示すグラフである。

【図９】 実施例１において、粒子の噴流の中心線と窓
孔の基材の移動方向に対して上流側の端面との距離Ｌを
１０ｍｍとした場合に形成された酸化物超電導層のＸ線
回折結果を示すグラフである。

【図１０】 粒子の噴流の中心線と窓孔の基材の移動方
向に対して上流側の端面との距離と、臨界電流との関係
を示したグラフである。

【図１１】 粒子の噴流の中心線と窓孔の基材の移動方
向に対して上流側の端面との距離と、臨界電流密度との
関係を示したグラフである。

【図１２】 比較例１において、粒子の噴流の中心線と
窓孔の基材の移動方向に対して上流側の端面との距離Ｌ
を１５ｍｍとした場合に形成された酸化物超電導層のＸ
線回折結果を示すグラフである。

【図１３】 比較例１において、粒子の噴流の中心線と
窓孔の基材の移動方向に対して上流側の端面との距離Ｌ
を１７．５ｍｍとした場合に形成された酸化物超電導層
のＸ線回折結果を示すグラフである。

【図１４】 従来の酸化物超電導導体を示す斜視図であ
る。

【図１５】 従来のレーザ蒸着装置の一例を示す構成図
である。

【図１６】 図１５のレーザ蒸着装置の部分拡大図であ
る。

【図１７】 従来の酸化物超電導導体の酸化物超電導層
を示す正面図である。

【符号の説明】

１・・・基材、１０・・・処理容器、１０ａ・・・蒸着処理室、
１２・・・ターゲット、１３・・・粒子の噴流（プルーム）、
１４・・・レーザ発光装置、１５・・・フィルタ板、１５ａ・・
・窓孔、Ｇ・・・中心線、１６・・・上流側の端面、１７・・・下
流側の端面、２０・・・加熱ヒータ（加熱手段）、Ｌ₃・・・
距離、Ｌ₄・・・距離、３０・・・温度計、３１・・・制御部、３
２・・・可変電源。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 定方 伸行 東京都江東区木場一丁目５番１号 株式会 社フジクラ内 (72)発明者 斎藤 隆 東京都江東区木場一丁目５番１号 株式会 社フジクラ内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 蒸着処理室内に設けた酸化物超電導体ま
   たは酸化物超電導体と近似組成のターゲットから発生さ
   せた粒子をターゲット近傍を移動中の基材上に順次堆積
   させて酸化物超電導層を形成する酸化物超電導導体の製
   造方法において、 ターゲットと基材との間に窓孔を有するフィルタ板を配
   設し、ターゲットから基材に向けて移動する粒子のうち
   前記フィルタ板の窓孔を通過する粒子のみを基材上に堆
   積させるに際して、前記ターゲットから基材に向けて移
   動する粒子の噴流の中心線が、前記窓孔の基材の移動方
   向に対して上流側の端面から１０ｍｍ以下で、かつ前記
   窓孔の基材の移動方向に対して下流側の端面から２５ｍ
   ｍ以上の位置を通過するようにすることを特徴とする酸
   化物超電導導体の製造方法。
2. 【請求項２】 蒸着処理室内に設けた酸化物超電導体ま
   たは酸化物超電導体と近似組成のターゲットから発生さ
   せた粒子をターゲット近傍を移動中の基材上に順次堆積
   させて酸化物超電導層を形成する酸化物超電導導体の製
   造装置において、 ターゲットから基材に向けて移動する粒子を選択的に基
   材上に堆積させるための窓孔を有するフィルタ板が、該
   ターゲットから基材に向けて移動する粒子の噴流の中心
   線と前記窓孔の基材の移動方向に対して上流側の端面と
   の距離が１０ｍｍ以下で、かつ前記粒子の噴流の中心線
   と前記窓孔の基材の移動方向に対して下流側の端面との
   距離が２５ｍｍ以上となるようにターゲットと基材との
   間に配設されてなることを特徴とする酸化物超電導導体
   の製造装置。