JPH06145977A - 多結晶薄膜の製造方法および酸化物超電導導体の製造方法 - Google Patents
多結晶薄膜の製造方法および酸化物超電導導体の製造方法Info
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- JPH06145977A JPH06145977A JP4293464A JP29346492A JPH06145977A JP H06145977 A JPH06145977 A JP H06145977A JP 4293464 A JP4293464 A JP 4293464A JP 29346492 A JP29346492 A JP 29346492A JP H06145977 A JPH06145977 A JP H06145977A
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、基材の成膜面に対して直角向きに
結晶軸のｃ軸を配向させることができ、成膜面と平行な
面に沿って結晶粒の結晶軸のａ軸とｂ軸を揃えることが
でき、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を提供することを
目的とする。 【構成】 本発明は、スパッタリングによりターゲット
の構成粒子を叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多
結晶薄膜を形成する方法において、前記構成粒子を基材
上に堆積させる際に、イオン源が発生させたイオンビー
ムを基材の成膜面に対して斜め方向から５０〜６０度の
範囲の入射角度で照射しながら前記構成粒子を基材上に
堆積させるものである。 【効果】 本発明は構成粒子を効率的に活性化できる結
果、基材の成膜面に対してｃ軸配向性に加えてａ軸配向
性とｂ軸配向性をも向上させた粒界傾角３０度以下の多
結晶薄膜を得ることができる。
結晶軸のｃ軸を配向させることができ、成膜面と平行な
面に沿って結晶粒の結晶軸のａ軸とｂ軸を揃えることが
でき、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を提供することを
目的とする。 【構成】 本発明は、スパッタリングによりターゲット
の構成粒子を叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多
結晶薄膜を形成する方法において、前記構成粒子を基材
上に堆積させる際に、イオン源が発生させたイオンビー
ムを基材の成膜面に対して斜め方向から５０〜６０度の
範囲の入射角度で照射しながら前記構成粒子を基材上に
堆積させるものである。 【効果】 本発明は構成粒子を効率的に活性化できる結
果、基材の成膜面に対してｃ軸配向性に加えてａ軸配向
性とｂ軸配向性をも向上させた粒界傾角３０度以下の多
結晶薄膜を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は結晶方位の整った多結晶
薄膜の製造方法と結晶方位の整った酸化物超電導導体の
製造方法に関する。
薄膜の製造方法と結晶方位の整った酸化物超電導導体の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年になって発見された酸化物超電導体
は、液体窒素温度を超える臨界温度を示す優れた超電導
体であるが、現在、この種の酸化物超電導体を実用的な
超電導体として使用するためには、種々の解決するべき
問題点が存在している。その問題点の１つが、酸化物超
電導体の臨界電流密度が低いという問題である。
は、液体窒素温度を超える臨界温度を示す優れた超電導
体であるが、現在、この種の酸化物超電導体を実用的な
超電導体として使用するためには、種々の解決するべき
問題点が存在している。その問題点の１つが、酸化物超
電導体の臨界電流密度が低いという問題である。
【０００３】前記酸化物超電導体の臨界電流密度が低い
という問題は、酸化物超電導体の結晶自体に電気的な異
方性が存在することが大きな原因となっており、特に酸
化物超電導体はその結晶軸のａ軸方向とｂ軸方向には電
気を流し易いが、ｃ軸方向には電気を流しにくいことが
知られている。このような観点から酸化物超電導体を基
材上に形成してこれを超電導体として使用するために
は、基材上に結晶配向性の良好な状態の酸化物超電導体
を形成し、しかも、電気を流そうとする方向に酸化物超
電導体の結晶のａ軸あるいはｂ軸を配向させ、その他の
方向に酸化物超電導体のｃ軸を配向させる必要がある。
という問題は、酸化物超電導体の結晶自体に電気的な異
方性が存在することが大きな原因となっており、特に酸
化物超電導体はその結晶軸のａ軸方向とｂ軸方向には電
気を流し易いが、ｃ軸方向には電気を流しにくいことが
知られている。このような観点から酸化物超電導体を基
材上に形成してこれを超電導体として使用するために
は、基材上に結晶配向性の良好な状態の酸化物超電導体
を形成し、しかも、電気を流そうとする方向に酸化物超
電導体の結晶のａ軸あるいはｂ軸を配向させ、その他の
方向に酸化物超電導体のｃ軸を配向させる必要がある。
【０００４】従来、基板や金属テープなどの基材上に結
晶配向性の良好な酸化物超電導層を形成するために種々
の手段が試みられてきた。その１つの方法として、酸化
物超電導体と結晶構造の類似したＭｇＯあるいはＳｒＴ
ｉＯ3などの単結晶基材を用い、これらの単結晶基材上
にスパッタリングなどの成膜法により酸化物超電導層を
形成する方法が実施されている。
晶配向性の良好な酸化物超電導層を形成するために種々
の手段が試みられてきた。その１つの方法として、酸化
物超電導体と結晶構造の類似したＭｇＯあるいはＳｒＴ
ｉＯ3などの単結晶基材を用い、これらの単結晶基材上
にスパッタリングなどの成膜法により酸化物超電導層を
形成する方法が実施されている。
【０００５】前記ＭｇＯやＳｒＴｉＯ3の単結晶基材を
用いてスパッタリングなどの成膜法を行なえば、酸化物
超電導層の結晶が単結晶基材の結晶を基に結晶成長する
ために、その結晶配向性を良好にすることが可能であ
り、これらの単結晶基材上に形成された酸化物超電導層
は、数十万〜数百万Ａ／ｃｍ2程度の十分に高い臨界電
流密度を発揮することが知られている。
用いてスパッタリングなどの成膜法を行なえば、酸化物
超電導層の結晶が単結晶基材の結晶を基に結晶成長する
ために、その結晶配向性を良好にすることが可能であ
り、これらの単結晶基材上に形成された酸化物超電導層
は、数十万〜数百万Ａ／ｃｍ2程度の十分に高い臨界電
流密度を発揮することが知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、酸化物超電
導体を導電体として使用するためには、テープ状などの
長尺の基材上に結晶配向性の良好な酸化物超電導層を形
成する必要がある。ところが、金属テープなどの基材上
に酸化物超電導層を直接形成すると、金属テープ自体が
多結晶体でその結晶構造も酸化物超電導体と大きく異な
るために、結晶配向性の良好な酸化物超電導層は到底形
成できないものである。しかも、酸化物超電導層を形成
する際に行なう熱処理によって金属テープと酸化物超電
導層との間で拡散反応が生じて酸化物超電導層の結晶構
造が崩れ、超電導特性が劣化する問題がある。
導体を導電体として使用するためには、テープ状などの
長尺の基材上に結晶配向性の良好な酸化物超電導層を形
成する必要がある。ところが、金属テープなどの基材上
に酸化物超電導層を直接形成すると、金属テープ自体が
多結晶体でその結晶構造も酸化物超電導体と大きく異な
るために、結晶配向性の良好な酸化物超電導層は到底形
成できないものである。しかも、酸化物超電導層を形成
する際に行なう熱処理によって金属テープと酸化物超電
導層との間で拡散反応が生じて酸化物超電導層の結晶構
造が崩れ、超電導特性が劣化する問題がある。
【０００７】そこで従来、金属テープなどの基材上に、
スパッタ装置を用いてＭｇＯやＳｒＴｉＯ3などの中間
層を被覆し、この中間層上に酸化物超電導層を形成する
ことが行なわれている。ところがこの種の中間層上にス
パッタ装置により形成した酸化物超電導層は、単結晶基
材上に形成された酸化物超電導層よりもかなり低い臨界
電流密度（例えば数千〜一万Ａ／ｃｍ2程度）しか示さ
ないという問題があった。これは、以下に説明する理由
によるものと考えられる。
スパッタ装置を用いてＭｇＯやＳｒＴｉＯ3などの中間
層を被覆し、この中間層上に酸化物超電導層を形成する
ことが行なわれている。ところがこの種の中間層上にス
パッタ装置により形成した酸化物超電導層は、単結晶基
材上に形成された酸化物超電導層よりもかなり低い臨界
電流密度（例えば数千〜一万Ａ／ｃｍ2程度）しか示さ
ないという問題があった。これは、以下に説明する理由
によるものと考えられる。
【０００８】図９は、金属テープなどの基材１上にスパ
ッタ装置により中間層２を形成し、この中間層２上にス
パッタ装置により酸化物超電導層３を形成した酸化物超
電導導体の断面構造を示すものである。図９に示す構造
において、酸化物超電導層３は多結晶状態であり、多数
の結晶粒４が無秩序に結合した状態となっている。これ
らの結晶粒４の１つ１つを個々に見ると各結晶粒４の結
晶のｃ軸は基材表面に対して垂直に配向しているもの
の、ａ軸とｂ軸は無秩序な方向を向いているものと考え
られる。
ッタ装置により中間層２を形成し、この中間層２上にス
パッタ装置により酸化物超電導層３を形成した酸化物超
電導導体の断面構造を示すものである。図９に示す構造
において、酸化物超電導層３は多結晶状態であり、多数
の結晶粒４が無秩序に結合した状態となっている。これ
らの結晶粒４の１つ１つを個々に見ると各結晶粒４の結
晶のｃ軸は基材表面に対して垂直に配向しているもの
の、ａ軸とｂ軸は無秩序な方向を向いているものと考え
られる。
【０００９】このように酸化物超電導層の結晶粒毎にａ
軸とｂ軸の向きが無秩序になると、結晶配向性の乱れた
結晶粒界において超電導状態の量子的結合性が失なわれ
る結果、超電導特性、特に臨界電流密度の低下を引き起
こすものと思われる。また、前記酸化物超電導体がａ軸
およびｂ軸配向していない多結晶状態となるのは、その
下に形成された中間層２がａ軸およびｂ軸配向していな
い多結晶状態であるために、酸化物超電導層３を成膜す
る場合に、中間層２の結晶に整合するように酸化物超電
導層３が成長するためであると思われる。
軸とｂ軸の向きが無秩序になると、結晶配向性の乱れた
結晶粒界において超電導状態の量子的結合性が失なわれ
る結果、超電導特性、特に臨界電流密度の低下を引き起
こすものと思われる。また、前記酸化物超電導体がａ軸
およびｂ軸配向していない多結晶状態となるのは、その
下に形成された中間層２がａ軸およびｂ軸配向していな
い多結晶状態であるために、酸化物超電導層３を成膜す
る場合に、中間層２の結晶に整合するように酸化物超電
導層３が成長するためであると思われる。
【００１０】ところで、前記酸化物超電導体の応用分野
以外において、多結晶体の基材上に各種の配向膜を形成
する技術が利用されている。例えば光学薄膜の分野、光
磁気ディスクの分野、配線基板の分野、高周波導波路や
高周波フィルタ、空洞共振器などの分野であるが、いず
れの技術においても基材上に膜質の安定した配向性の良
好な多結晶薄膜を形成することが課題となっている。即
ち、多結晶薄膜の結晶配向性が良好であるならば、その
上に形成される光学薄膜、磁性薄膜、配線用薄膜などの
質が向上するわけであり、更に基材上に結晶配向性の良
好な光学薄膜、磁性薄膜、配線用薄膜などを直接形成で
きるならば、なお好ましい。
以外において、多結晶体の基材上に各種の配向膜を形成
する技術が利用されている。例えば光学薄膜の分野、光
磁気ディスクの分野、配線基板の分野、高周波導波路や
高周波フィルタ、空洞共振器などの分野であるが、いず
れの技術においても基材上に膜質の安定した配向性の良
好な多結晶薄膜を形成することが課題となっている。即
ち、多結晶薄膜の結晶配向性が良好であるならば、その
上に形成される光学薄膜、磁性薄膜、配線用薄膜などの
質が向上するわけであり、更に基材上に結晶配向性の良
好な光学薄膜、磁性薄膜、配線用薄膜などを直接形成で
きるならば、なお好ましい。
【００１１】また、高周波数帯域で使用される磁気ヘッ
ドのコア材として、高透磁率を有し、熱的にも安定なパ
ーマロイ、あるいは、センダストなどの磁性薄膜が実用
化されている。これらの磁性薄膜は、従来、蒸着やスパ
ッタにより所定の基板上に形成されるが、これらの磁性
薄膜の結晶方位の配向性が低いものであると、磁性薄膜
の磁気異方性の制御が困難になり、膜面内では結晶粒の
方位が無秩序になり、透磁率の高周波特性が損なわれる
問題があった。また、膜面内での結晶軸の軸方向が無秩
序であると、面内磁化にスキューやリップルと呼ばれる
局所的なゆらぎが発生し、前述のように透磁率の高周波
特性が損なわれることになる。
ドのコア材として、高透磁率を有し、熱的にも安定なパ
ーマロイ、あるいは、センダストなどの磁性薄膜が実用
化されている。これらの磁性薄膜は、従来、蒸着やスパ
ッタにより所定の基板上に形成されるが、これらの磁性
薄膜の結晶方位の配向性が低いものであると、磁性薄膜
の磁気異方性の制御が困難になり、膜面内では結晶粒の
方位が無秩序になり、透磁率の高周波特性が損なわれる
問題があった。また、膜面内での結晶軸の軸方向が無秩
序であると、面内磁化にスキューやリップルと呼ばれる
局所的なゆらぎが発生し、前述のように透磁率の高周波
特性が損なわれることになる。
【００１２】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、基材の成膜面に対して直角向きに結晶軸のｃ
軸を配向させることができると同時に、成膜面と平行な
面に沿って結晶粒の結晶軸のａ軸およびｂ軸をも揃える
ことができ、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を提供する
こと、および、結晶配向性に優れた酸化物超電導層を備
えた酸化物超電導導体を提供することを目的とする。
たもので、基材の成膜面に対して直角向きに結晶軸のｃ
軸を配向させることができると同時に、成膜面と平行な
面に沿って結晶粒の結晶軸のａ軸およびｂ軸をも揃える
ことができ、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を提供する
こと、および、結晶配向性に優れた酸化物超電導層を備
えた酸化物超電導導体を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は前
記課題を解決するために、スパッタリングによりターゲ
ットの構成粒子を叩き出して基材上に堆積させ、基材上
に多結晶薄膜を形成する方法において、前記構成粒子を
基材上に堆積させる際に、イオン源が発生させたイオン
ビームを基材の成膜面に対して斜め方向から５０〜６０
度の範囲の入射角度で照射しながら前記構成粒子を基材
上に堆積させるものである。
記課題を解決するために、スパッタリングによりターゲ
ットの構成粒子を叩き出して基材上に堆積させ、基材上
に多結晶薄膜を形成する方法において、前記構成粒子を
基材上に堆積させる際に、イオン源が発生させたイオン
ビームを基材の成膜面に対して斜め方向から５０〜６０
度の範囲の入射角度で照射しながら前記構成粒子を基材
上に堆積させるものである。
【００１４】請求項２記載の発明は前記課題を解決する
ために、スパッタリングによりターゲットの構成粒子を
叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多結晶薄膜を形
成する方法において、前記構成粒子を基材上に堆積させ
る際に、イオン源が発生させたイオンビームを基材の成
膜面に対して斜め方向から照射しながら前記構成粒子を
基材上に堆積させるとともに、前記イオンビームの電流
密度を２０μＡ／ｃｍ2以上、イオンビーム電圧を１５
０以上で７００Ｖ未満とするものである。
ために、スパッタリングによりターゲットの構成粒子を
叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多結晶薄膜を形
成する方法において、前記構成粒子を基材上に堆積させ
る際に、イオン源が発生させたイオンビームを基材の成
膜面に対して斜め方向から照射しながら前記構成粒子を
基材上に堆積させるとともに、前記イオンビームの電流
密度を２０μＡ／ｃｍ2以上、イオンビーム電圧を１５
０以上で７００Ｖ未満とするものである。
【００１５】請求項３記載の発明は前記課題を解決する
ために、請求項１記載の多結晶薄膜の製造方法におい
て、イオンビームの入射角度を５５〜６０度の範囲に設
定して基材上に形成される多結晶薄膜の結晶粒の粒界傾
角を２５度以内とするものである。
ために、請求項１記載の多結晶薄膜の製造方法におい
て、イオンビームの入射角度を５５〜６０度の範囲に設
定して基材上に形成される多結晶薄膜の結晶粒の粒界傾
角を２５度以内とするものである。
【００１６】請求項４記載の発明は前記課題を解決する
ために、請求項１または２記載のイオンとして、不活性
ガスイオン、あるいは、不活性ガスと酸素ガスの混合イ
オンを用いるものである。
ために、請求項１または２記載のイオンとして、不活性
ガスイオン、あるいは、不活性ガスと酸素ガスの混合イ
オンを用いるものである。
【００１７】請求項５記載の発明は前記課題を解決する
ために、スパッタリングによりターゲットの構成粒子を
叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多結晶薄膜を形
成し、次いでこの多結晶薄膜上に酸化物超電導層を形成
する酸化物超電導導体の製造方法において、前記構成粒
子を基材上に堆積させる際に、イオン源が発生させたイ
オンビームを基材の成膜面に対して斜め方向から５０〜
６０度の範囲の入射角度で照射しつつスパッタ粒子を堆
積させて多結晶薄膜を形成し、この多結晶薄膜上に酸化
物超電導層を形成するものである。
ために、スパッタリングによりターゲットの構成粒子を
叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多結晶薄膜を形
成し、次いでこの多結晶薄膜上に酸化物超電導層を形成
する酸化物超電導導体の製造方法において、前記構成粒
子を基材上に堆積させる際に、イオン源が発生させたイ
オンビームを基材の成膜面に対して斜め方向から５０〜
６０度の範囲の入射角度で照射しつつスパッタ粒子を堆
積させて多結晶薄膜を形成し、この多結晶薄膜上に酸化
物超電導層を形成するものである。
【００１８】請求項６記載の発明は前記課題を解決する
ために、スパッタリングによりターゲットの構成粒子を
叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多結晶薄膜を形
成し、次いでこの多結晶薄膜上に酸化物超電導層を形成
する酸化物超電導導体の製造方法において、前記構成粒
子を基材上に堆積させる際に、イオン源が発生させたイ
オンビームを基材の成膜面に対して斜め方向から照射し
つつスパッタ粒子を堆積させるとともに、前記イオンビ
ームの電流密度を２０μＡ／ｃｍ2以上、イオンビーム
電圧を１５０以上で７００Ｖ未満として多結晶薄膜を形
成し、この多結晶薄膜上に酸化物超電導層を形成するも
のである。
ために、スパッタリングによりターゲットの構成粒子を
叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多結晶薄膜を形
成し、次いでこの多結晶薄膜上に酸化物超電導層を形成
する酸化物超電導導体の製造方法において、前記構成粒
子を基材上に堆積させる際に、イオン源が発生させたイ
オンビームを基材の成膜面に対して斜め方向から照射し
つつスパッタ粒子を堆積させるとともに、前記イオンビ
ームの電流密度を２０μＡ／ｃｍ2以上、イオンビーム
電圧を１５０以上で７００Ｖ未満として多結晶薄膜を形
成し、この多結晶薄膜上に酸化物超電導層を形成するも
のである。
【００１９】請求項７記載の発明は前記課題を解決する
ために、請求項５または６記載の酸化物超電導導体の製
造方法において、イオンビームの入射角度を５５〜６０
度の範囲に設定して基材上に形成される多結晶薄膜の結
晶粒の粒界傾角を２５度以内とするものである。
ために、請求項５または６記載の酸化物超電導導体の製
造方法において、イオンビームの入射角度を５５〜６０
度の範囲に設定して基材上に形成される多結晶薄膜の結
晶粒の粒界傾角を２５度以内とするものである。
【００２０】請求項８記載の発明は前記課題を解決する
ために、請求項５、６または７記載の多結晶薄膜上に酸
化物超電導層を形成する際に、多結晶薄膜の結晶に対し
て酸化物超電導体の結晶をエピタキシャル成長させるこ
とを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
ために、請求項５、６または７記載の多結晶薄膜上に酸
化物超電導層を形成する際に、多結晶薄膜の結晶に対し
て酸化物超電導体の結晶をエピタキシャル成長させるこ
とを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
【００２１】請求項９記載の発明は前記課題を解決する
ために、イオンとして、不活性ガスイオン、あるいは、
不活性ガスと酸素ガスの混合イオンを用いることを特徴
とする請求項５、６、７または８記載の酸化物超電導体
の製造方法。
ために、イオンとして、不活性ガスイオン、あるいは、
不活性ガスと酸素ガスの混合イオンを用いることを特徴
とする請求項５、６、７または８記載の酸化物超電導体
の製造方法。
【００２２】
【作用】スパッタリングによりターゲットから叩き出し
たスパッタ粒子を基材上に堆積させる際に、基材の斜め
方向５０〜６０度の範囲からイオンビームも同時に照射
するので、構成粒子が効率的に活性化される結果、基材
の成膜面に対してｃ軸配向性に加えてａ軸配向性とｂ軸
配向性も向上する。その結果、結晶粒界が多数形成され
た多結晶薄膜であっても、結晶粒ごとのａ軸配向性とｂ
軸配向性とｃ軸配向性のいずれもが良好になり、膜質の
向上した多結晶薄膜が得られる。また、スパッタの際の
構成粒子を活性化するには、アルゴンイオンまたはアル
ゴンイオンと酸素イオンの混合イオンが好ましい。
たスパッタ粒子を基材上に堆積させる際に、基材の斜め
方向５０〜６０度の範囲からイオンビームも同時に照射
するので、構成粒子が効率的に活性化される結果、基材
の成膜面に対してｃ軸配向性に加えてａ軸配向性とｂ軸
配向性も向上する。その結果、結晶粒界が多数形成され
た多結晶薄膜であっても、結晶粒ごとのａ軸配向性とｂ
軸配向性とｃ軸配向性のいずれもが良好になり、膜質の
向上した多結晶薄膜が得られる。また、スパッタの際の
構成粒子を活性化するには、アルゴンイオンまたはアル
ゴンイオンと酸素イオンの混合イオンが好ましい。
【００２３】なお、前記多結晶薄膜の結晶配向性が整う
要因として本発明らは、以下のことを想定している。基
板上に形成された立方晶の多結晶薄膜の結晶の単位格子
においては、基板法線方向が＜１００＞軸であり、他の
＜０１０＞軸と＜００１＞軸は、いずれも、＜１００＞
軸に直交する方向となる。これらの方向に対し、基板法
線に対して斜め方向から入射するイオンビームを考慮す
ると、単位格子の原点に対して単位格子の対角線方向、
即ち、＜１１１＞軸に沿って入射する場合は５４.７度
の入射角度となる。ここで前記のようにイオンビームの
入射角度が５０〜６０度の範囲で良好な結晶配向性を示
すことは、イオンビームの入射角度が前記５４.７度と
一致するかその前後になることが関連していると思わ
れ、これらの角度が一致するか、近似した場合にイオン
チャンネリングが最も効果的に起こり、基材上に堆積し
ている結晶において、基材の上面で前記角度に一致する
配置関係になった原子のみが選択的に残り易くなり、そ
の他の乱れた原子配列のものは斜めに入射されるイオン
ビームが発生させるスパッタ効果によりスパッタされて
除去される結果、配向性の良好な原子の集合した結晶の
みが選択的に残って堆積し、これが原因となって結晶配
向性が整うものと推定している。
要因として本発明らは、以下のことを想定している。基
板上に形成された立方晶の多結晶薄膜の結晶の単位格子
においては、基板法線方向が＜１００＞軸であり、他の
＜０１０＞軸と＜００１＞軸は、いずれも、＜１００＞
軸に直交する方向となる。これらの方向に対し、基板法
線に対して斜め方向から入射するイオンビームを考慮す
ると、単位格子の原点に対して単位格子の対角線方向、
即ち、＜１１１＞軸に沿って入射する場合は５４.７度
の入射角度となる。ここで前記のようにイオンビームの
入射角度が５０〜６０度の範囲で良好な結晶配向性を示
すことは、イオンビームの入射角度が前記５４.７度と
一致するかその前後になることが関連していると思わ
れ、これらの角度が一致するか、近似した場合にイオン
チャンネリングが最も効果的に起こり、基材上に堆積し
ている結晶において、基材の上面で前記角度に一致する
配置関係になった原子のみが選択的に残り易くなり、そ
の他の乱れた原子配列のものは斜めに入射されるイオン
ビームが発生させるスパッタ効果によりスパッタされて
除去される結果、配向性の良好な原子の集合した結晶の
みが選択的に残って堆積し、これが原因となって結晶配
向性が整うものと推定している。
【００２４】従ってイオンビーム電圧は低過ぎるとイオ
ン照射不足になって前記効果を生じにくくし、高すぎる
と逆にスパッタ効果を生じて結晶配向性を乱してしまう
ことになる。以上のことから、イオンビームの電流密度
は２０μＡ／ｃｍ2以上とすることが好ましく、イオン
ビーム電圧は１５０Ｖ以上で７００Ｖ未満とすることが
好ましい。
ン照射不足になって前記効果を生じにくくし、高すぎる
と逆にスパッタ効果を生じて結晶配向性を乱してしまう
ことになる。以上のことから、イオンビームの電流密度
は２０μＡ／ｃｍ2以上とすることが好ましく、イオン
ビーム電圧は１５０Ｖ以上で７００Ｖ未満とすることが
好ましい。
【００２５】また、前記結晶配向性の良好な多結晶薄膜
上に酸化物超電導層をエピタキシャル成長させるなら
ば、酸化物超電導層が多結晶薄膜の結晶に沿って結晶成
長する結果、酸化物超電導層もａ軸配向性とｂ軸配向性
とｃ軸配向性の良好なものが得られる。
上に酸化物超電導層をエピタキシャル成長させるなら
ば、酸化物超電導層が多結晶薄膜の結晶に沿って結晶成
長する結果、酸化物超電導層もａ軸配向性とｂ軸配向性
とｃ軸配向性の良好なものが得られる。
【００２６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明の多結晶薄膜を基材上に形成
した一実施例を示すものであり、図１においてＡは板状
の基材、Ｂは基材Ａの上面に形成された多結晶薄膜を示
している。前記基材Ａは、例えば板材、線材、テープ材
などの種々の形状のものを用いることができ、基材Ａ
は、銀、白金、ステンレス鋼、銅などの金属材料や合
金、あるいは、各種ガラスあるいは各種セラミックスな
どからなるものである。
て説明する。図１は本発明の多結晶薄膜を基材上に形成
した一実施例を示すものであり、図１においてＡは板状
の基材、Ｂは基材Ａの上面に形成された多結晶薄膜を示
している。前記基材Ａは、例えば板材、線材、テープ材
などの種々の形状のものを用いることができ、基材Ａ
は、銀、白金、ステンレス鋼、銅などの金属材料や合
金、あるいは、各種ガラスあるいは各種セラミックスな
どからなるものである。
【００２７】前記多結晶薄膜Ｂは、立方晶系の結晶構造
を有する微細な結晶粒２０が、多数、相互に結晶粒界を
介して接合一体化されてなり、各結晶粒２０の結晶軸の
ｃ軸は基材Ａの上面（成膜面）に対して直角に向けら
れ、各結晶粒２０の結晶軸のａ軸どうしおよびｂ軸どう
しは、互いに同一方向に向けられて面内配向されてい
る。また、各結晶粒２０のｃ軸が基材Ａの（上面）成膜
面に対して直角に配向されている。そして、各結晶粒２
０のａ軸（あるいはｂ軸）どうしは、それらのなす角度
（図２に示す粒界傾角Ｋ）を３０度以内にして接合一体
化されている。
を有する微細な結晶粒２０が、多数、相互に結晶粒界を
介して接合一体化されてなり、各結晶粒２０の結晶軸の
ｃ軸は基材Ａの上面（成膜面）に対して直角に向けら
れ、各結晶粒２０の結晶軸のａ軸どうしおよびｂ軸どう
しは、互いに同一方向に向けられて面内配向されてい
る。また、各結晶粒２０のｃ軸が基材Ａの（上面）成膜
面に対して直角に配向されている。そして、各結晶粒２
０のａ軸（あるいはｂ軸）どうしは、それらのなす角度
（図２に示す粒界傾角Ｋ）を３０度以内にして接合一体
化されている。
【００２８】次に前記多結晶薄膜Ｂを製造する装置につ
いて説明する。図３は前記多結晶薄膜Ｂを製造する装置
の一例を示すものであり、この例の装置は、スパッタ装
置にイオンビームアシスト用のイオンガンを設けた構成
となっている。
いて説明する。図３は前記多結晶薄膜Ｂを製造する装置
の一例を示すものであり、この例の装置は、スパッタ装
置にイオンビームアシスト用のイオンガンを設けた構成
となっている。
【００２９】本例の装置は、基材Ａを水平に保持する基
材ホルダ１１と、この基材ホルダ１１の斜め上方に所定
間隔をもって対向配置された板状のターゲット１２と、
前記基材ホルダ１１の斜め上方に所定間隔をもって対向
され、かつ、ターゲット１２と離間して配置されたイオ
ンガン１３と、前記ターゲット１２の下方においてター
ゲット１２の下面に向けて配置されたスパッタビーム照
射装置１４を主体として構成されている。また、図中符
号１５は、ターゲット１２を保持したターゲットホルダ
を示している。
材ホルダ１１と、この基材ホルダ１１の斜め上方に所定
間隔をもって対向配置された板状のターゲット１２と、
前記基材ホルダ１１の斜め上方に所定間隔をもって対向
され、かつ、ターゲット１２と離間して配置されたイオ
ンガン１３と、前記ターゲット１２の下方においてター
ゲット１２の下面に向けて配置されたスパッタビーム照
射装置１４を主体として構成されている。また、図中符
号１５は、ターゲット１２を保持したターゲットホルダ
を示している。
【００３０】また、本実施例の装置は図示略の真空容器
に収納されていて、基材Ａの周囲を真空雰囲気に保持で
きるようになっている。更に前記真空容器には、ガスボ
ンベなどの雰囲気ガス供給源が接続されていて、真空容
器の内部を真空などの低圧状態で、かつ、アルゴンガス
あるいはその他の不活性ガス雰囲気または酸素を含む不
活性ガス雰囲気にすることができるようになっている。
に収納されていて、基材Ａの周囲を真空雰囲気に保持で
きるようになっている。更に前記真空容器には、ガスボ
ンベなどの雰囲気ガス供給源が接続されていて、真空容
器の内部を真空などの低圧状態で、かつ、アルゴンガス
あるいはその他の不活性ガス雰囲気または酸素を含む不
活性ガス雰囲気にすることができるようになっている。
【００３１】なお、基材Ａとして長尺の金属テープ（ハ
ステロイ製あるいはステンレス製などのテープ）を用い
る場合は、真空容器の内部に金属テープの送出装置と巻
取装置を設け、送出装置から連続的に基材ホルダ１１に
基材Ａを送り出し、続いて巻取装置で巻き取ることでテ
ープ状の基材上に多結晶薄膜を連続成膜することができ
るように構成することが好ましい。前記基材ホルダ１１
は内部に加熱ヒータを備え、基材ホルダ１１の上に位置
された基材Ａを所用の温度に加熱できるようになってい
る。また、基材ホルダ１１の底部には角度調整機構Ｄが
付設されている。この角度調整機構Ｄは、基材ホルダ１
１の底部に接合された上部支持板５と、この上部支持板
５にピン結合された下部支持板６と、この下部支持板６
を支持する基台７を主体として構成されている。前記上
部支持板５と下部支持板６とはピン結合部分を介して互
いに回動自在に構成されており、基材ホルダ１１の水平
角度を調整できるようになっている。なお、本例では基
材ホルダ１１の角度を調整する角度調整機構Ｄを設けた
が、角度調整機構Ｄをイオンガン１３に取り付けてイオ
ンガン１３の傾斜角度を調整し、イオンビームの入射角
度を調整するようにしても良い。また、角度調整機構は
本実施例の構成に限るものではなく、種々の構成のもの
を採用することができるのは勿論である。
ステロイ製あるいはステンレス製などのテープ）を用い
る場合は、真空容器の内部に金属テープの送出装置と巻
取装置を設け、送出装置から連続的に基材ホルダ１１に
基材Ａを送り出し、続いて巻取装置で巻き取ることでテ
ープ状の基材上に多結晶薄膜を連続成膜することができ
るように構成することが好ましい。前記基材ホルダ１１
は内部に加熱ヒータを備え、基材ホルダ１１の上に位置
された基材Ａを所用の温度に加熱できるようになってい
る。また、基材ホルダ１１の底部には角度調整機構Ｄが
付設されている。この角度調整機構Ｄは、基材ホルダ１
１の底部に接合された上部支持板５と、この上部支持板
５にピン結合された下部支持板６と、この下部支持板６
を支持する基台７を主体として構成されている。前記上
部支持板５と下部支持板６とはピン結合部分を介して互
いに回動自在に構成されており、基材ホルダ１１の水平
角度を調整できるようになっている。なお、本例では基
材ホルダ１１の角度を調整する角度調整機構Ｄを設けた
が、角度調整機構Ｄをイオンガン１３に取り付けてイオ
ンガン１３の傾斜角度を調整し、イオンビームの入射角
度を調整するようにしても良い。また、角度調整機構は
本実施例の構成に限るものではなく、種々の構成のもの
を採用することができるのは勿論である。
【００３２】前記ターゲット１２は、目的とする多結晶
薄膜を形成するためのものであり、目的の組成の多結晶
薄膜と同一組成あるいは近似組成のものなどを用いる。
ターゲット１２として具体的には、ＭｇＯあるいはＹ2
Ｏ3で安定化したジルコニア（ＹＳＺ）、ＭｇＯ、Ｓｒ
ＴｉＯ3などを用いるがこれに限るものではなく、形成
しようとする多結晶薄膜に見合うターゲッを用いれば良
い。
薄膜を形成するためのものであり、目的の組成の多結晶
薄膜と同一組成あるいは近似組成のものなどを用いる。
ターゲット１２として具体的には、ＭｇＯあるいはＹ2
Ｏ3で安定化したジルコニア（ＹＳＺ）、ＭｇＯ、Ｓｒ
ＴｉＯ3などを用いるがこれに限るものではなく、形成
しようとする多結晶薄膜に見合うターゲッを用いれば良
い。
【００３３】前記イオンガン１３は、容器の内部に、蒸
発源を収納し、蒸発源の近傍に引き出し電極を備えて構
成されている。そして、前記蒸発源から発生した原子ま
たは分子の一部をイオン化し、そのイオン化した粒子を
引き出し電極で発生させた電界で制御してイオンビーム
として照射する装置である。粒子をイオン化するには直
流放電方式、高周波励起方式、フィラメント式、クラス
タイオンビーム方式などの種々のものがある。フィラメ
ント式はタングステン製のフィラメントに通電加熱して
熱電子を発生させ、高真空中で蒸発粒子と衝突させてイ
オン化する方法である。また、クラスタイオンビーム方
式は、原料を入れたるつぼの開口部に設けられたノズル
から真空中に出てくる集合分子のクラスタを熱電子で衝
撃してイオン化して放射するものである。本実施例にお
いては、図４（ａ）に示す構成の内部構造のイオンガン
１３を用いる。このイオンガン１３は、筒状の容器１６
の内部に、引出電極１７とフィラメント１８とＡｒガス
などの導入管１９とを備えて構成され、容器１６の先端
からイオンをビーム状に平行に照射できるものである。
発源を収納し、蒸発源の近傍に引き出し電極を備えて構
成されている。そして、前記蒸発源から発生した原子ま
たは分子の一部をイオン化し、そのイオン化した粒子を
引き出し電極で発生させた電界で制御してイオンビーム
として照射する装置である。粒子をイオン化するには直
流放電方式、高周波励起方式、フィラメント式、クラス
タイオンビーム方式などの種々のものがある。フィラメ
ント式はタングステン製のフィラメントに通電加熱して
熱電子を発生させ、高真空中で蒸発粒子と衝突させてイ
オン化する方法である。また、クラスタイオンビーム方
式は、原料を入れたるつぼの開口部に設けられたノズル
から真空中に出てくる集合分子のクラスタを熱電子で衝
撃してイオン化して放射するものである。本実施例にお
いては、図４（ａ）に示す構成の内部構造のイオンガン
１３を用いる。このイオンガン１３は、筒状の容器１６
の内部に、引出電極１７とフィラメント１８とＡｒガス
などの導入管１９とを備えて構成され、容器１６の先端
からイオンをビーム状に平行に照射できるものである。
【００３４】前記イオンガン１３は、図３に示すように
その中心軸Ｓを基材Ａの上面（成膜面）に対して入射角
度θ（基材Ａの垂線（法線）と中心線Ｓとのなす角度）
でもって傾斜させて対向されている。この入射角度θは
５０〜６０度の範囲が好ましいが、５５〜６０度の範囲
が最も好ましい。従ってイオンガン１３は基材Ａの上面
に対して傾斜角θでもってイオンビームを入射できるよ
うに配置されている。なお、前記イオンガン１３によっ
て基材Ａに照射するイオンビームは、Ｈｅ+、Ｎｅ+、Ａ
ｒ+、Ｘｅ+、Ｋｒ+などの希ガスのイオンビーム、ある
いは、それらと酸素イオンの混合イオンビームなどで良
い。だだし、多結晶薄膜の結晶構造を整えるためには、
ある程度の原子量が必要であり、あまりに軽量のイオン
では効果が薄くなることを考慮すると、Ａｒ+、Ｋｒ+な
どのイオンを用いることが好ましい。
その中心軸Ｓを基材Ａの上面（成膜面）に対して入射角
度θ（基材Ａの垂線（法線）と中心線Ｓとのなす角度）
でもって傾斜させて対向されている。この入射角度θは
５０〜６０度の範囲が好ましいが、５５〜６０度の範囲
が最も好ましい。従ってイオンガン１３は基材Ａの上面
に対して傾斜角θでもってイオンビームを入射できるよ
うに配置されている。なお、前記イオンガン１３によっ
て基材Ａに照射するイオンビームは、Ｈｅ+、Ｎｅ+、Ａ
ｒ+、Ｘｅ+、Ｋｒ+などの希ガスのイオンビーム、ある
いは、それらと酸素イオンの混合イオンビームなどで良
い。だだし、多結晶薄膜の結晶構造を整えるためには、
ある程度の原子量が必要であり、あまりに軽量のイオン
では効果が薄くなることを考慮すると、Ａｒ+、Ｋｒ+な
どのイオンを用いることが好ましい。
【００３５】前記スパッタビーム照射装置１４は、イオ
ンガン１３と同等の構成をなし、ターゲット１２に対し
てイオンビームを照射してターゲット１２の構成粒子を
叩き出すことができるものである。なお、本発明装置で
はターゲット１３の構成粒子を叩き出すことができるこ
とが重要であるので、ターゲット１２に高周波コイルな
どで電圧を印可してターゲット１２の構成粒子を叩き出
し可能なように構成し、スパッタビーム照射装置１４を
省略しても良い。
ンガン１３と同等の構成をなし、ターゲット１２に対し
てイオンビームを照射してターゲット１２の構成粒子を
叩き出すことができるものである。なお、本発明装置で
はターゲット１３の構成粒子を叩き出すことができるこ
とが重要であるので、ターゲット１２に高周波コイルな
どで電圧を印可してターゲット１２の構成粒子を叩き出
し可能なように構成し、スパッタビーム照射装置１４を
省略しても良い。
【００３６】次に前記構成の装置を用いて基材Ａ上にＹ
ＳＺの多結晶薄膜Ｂを形成する場合について説明する。
基材Ａ上に多結晶薄膜Ｂを形成するには、ＹＳＺのター
ゲットを用いるとともに、角度調整機構Ｄを調節してイ
オンガン１３から照射されるイオンビームを基材ホルダ
１１の上面に５０〜６０度の範囲の角度で照射できるよ
うにする。次に基材Ａを収納している容器の内部を真空
引きして減圧雰囲気とする。そして、イオンガン１３と
スパッタビーム照射装置１４を作動させる。
ＳＺの多結晶薄膜Ｂを形成する場合について説明する。
基材Ａ上に多結晶薄膜Ｂを形成するには、ＹＳＺのター
ゲットを用いるとともに、角度調整機構Ｄを調節してイ
オンガン１３から照射されるイオンビームを基材ホルダ
１１の上面に５０〜６０度の範囲の角度で照射できるよ
うにする。次に基材Ａを収納している容器の内部を真空
引きして減圧雰囲気とする。そして、イオンガン１３と
スパッタビーム照射装置１４を作動させる。
【００３７】スパッタビーム照射装置１４からターゲッ
ト１２にイオンビームを照射すると、ターゲット１２の
構成粒子が叩き出されて基材Ａ上に飛来する。そして、
基材Ａ上に、ターゲット１２から叩き出した構成粒子を
堆積させると同時に、イオンガン１３からＡｒイオンと
酸素イオンの混合イオンビームを照射する。このイオン
照射する際の入射角度θは、５０〜６０度が最も好まし
い。ここでθを９０度とすると、多結晶薄膜のｃ軸は基
材Ａの成膜面に対して直角に配向するものの、基材Ａの
成膜面上に（１１１）面が立つので好ましくない。ま
た、θを３０度とすると、多結晶薄膜はｃ軸配向すらし
なくなる。前記のような好ましい範囲の角度でイオンビ
ーム照射するならば多結晶薄膜の結晶の（１００）面が
立つようになる。
ト１２にイオンビームを照射すると、ターゲット１２の
構成粒子が叩き出されて基材Ａ上に飛来する。そして、
基材Ａ上に、ターゲット１２から叩き出した構成粒子を
堆積させると同時に、イオンガン１３からＡｒイオンと
酸素イオンの混合イオンビームを照射する。このイオン
照射する際の入射角度θは、５０〜６０度が最も好まし
い。ここでθを９０度とすると、多結晶薄膜のｃ軸は基
材Ａの成膜面に対して直角に配向するものの、基材Ａの
成膜面上に（１１１）面が立つので好ましくない。ま
た、θを３０度とすると、多結晶薄膜はｃ軸配向すらし
なくなる。前記のような好ましい範囲の角度でイオンビ
ーム照射するならば多結晶薄膜の結晶の（１００）面が
立つようになる。
【００３８】このような入射角度でイオンビーム照射を
行ないながらスパッタリングを行なうことで、基材Ａ上
に形成されるＹＳＺの多結晶薄膜の結晶軸のａ軸とｂ軸
とを配向させることができるが、これは、堆積されてい
る途中のスパッタ粒子に対して適切な角度でイオンビー
ム照射されたことにより効率的に活性化された結果によ
るものと思われる。
行ないながらスパッタリングを行なうことで、基材Ａ上
に形成されるＹＳＺの多結晶薄膜の結晶軸のａ軸とｂ軸
とを配向させることができるが、これは、堆積されてい
る途中のスパッタ粒子に対して適切な角度でイオンビー
ム照射されたことにより効率的に活性化された結果によ
るものと思われる。
【００３９】なお、この多結晶薄膜Ｂの結晶配向性が整
う要因として本発明らは、以下のことを想定している。
ＹＳＺの多結晶薄膜Ｂの結晶の単位格子は、図４（ｂ）
に示すように立方晶であり、この結晶格子においては、
基板法線方向が＜１００＞軸であり、他の＜０１０＞軸
と＜００１＞軸はいずれも図４（ｂ）に示す方向とな
る。これらの方向に対し、基板法線に対して斜め方向か
ら入射するイオンビームを考慮すると、図４（ｂ）の原
点Ｏに対して単位格子の対角線方向、即ち、＜１１１＞
軸に沿って入射する場合は５４.７度の入射角度とな
る。ここで前記のように入射角度５０〜６０度の範囲で
良好な結晶配向性を示すことは、イオンビームの入射角
度が前記５４.７度と一致するかその前後になった場
合、イオンチャンネリングが最も効果的に起こり、基材
Ａ上に堆積している結晶において、基材Ａの上面で前記
角度に一致する配置関係になった原子のみが選択的に残
り易くなり、その他の乱れた原子配列のものはイオンビ
ームのスパッタ効果によりスパッタされて除去される結
果、配向性の良好な原子の集合した結晶のみが選択的に
残って堆積してゆくものと推定している。
う要因として本発明らは、以下のことを想定している。
ＹＳＺの多結晶薄膜Ｂの結晶の単位格子は、図４（ｂ）
に示すように立方晶であり、この結晶格子においては、
基板法線方向が＜１００＞軸であり、他の＜０１０＞軸
と＜００１＞軸はいずれも図４（ｂ）に示す方向とな
る。これらの方向に対し、基板法線に対して斜め方向か
ら入射するイオンビームを考慮すると、図４（ｂ）の原
点Ｏに対して単位格子の対角線方向、即ち、＜１１１＞
軸に沿って入射する場合は５４.７度の入射角度とな
る。ここで前記のように入射角度５０〜６０度の範囲で
良好な結晶配向性を示すことは、イオンビームの入射角
度が前記５４.７度と一致するかその前後になった場
合、イオンチャンネリングが最も効果的に起こり、基材
Ａ上に堆積している結晶において、基材Ａの上面で前記
角度に一致する配置関係になった原子のみが選択的に残
り易くなり、その他の乱れた原子配列のものはイオンビ
ームのスパッタ効果によりスパッタされて除去される結
果、配向性の良好な原子の集合した結晶のみが選択的に
残って堆積してゆくものと推定している。
【００４０】以上のことから、イオンビームを照射する
際のイオンビーム電圧は低過ぎるとイオン照射不足にな
って前記効果を生じにくくし、高すぎると逆にスパッタ
効果が高くなって結晶配向性を乱してしまうことにな
る。以上のことから、イオンビームの電流密度は２０μ
Ａ／ｃｍ2以上とすることが好ましく、イオンビーム電
圧は１５０Ｖ以上で７００Ｖ未満とすることが好まし
い。
際のイオンビーム電圧は低過ぎるとイオン照射不足にな
って前記効果を生じにくくし、高すぎると逆にスパッタ
効果が高くなって結晶配向性を乱してしまうことにな
る。以上のことから、イオンビームの電流密度は２０μ
Ａ／ｃｍ2以上とすることが好ましく、イオンビーム電
圧は１５０Ｖ以上で７００Ｖ未満とすることが好まし
い。
【００４１】図１と図２に、前記の方法でＹＳＺの多結
晶薄膜Ｂが堆積された基材Ａを示す。なお、図１では結
晶粒２０が１層のみ形成された状態を示しているが、結
晶粒２０の多層構造でも差し支えないのは勿論である。
晶薄膜Ｂが堆積された基材Ａを示す。なお、図１では結
晶粒２０が１層のみ形成された状態を示しているが、結
晶粒２０の多層構造でも差し支えないのは勿論である。
【００４２】次に、図５と図６は本発明に係る酸化物超
電導導体の一実施例を示すものであり、本実施例の酸化
物超電導導体２３は、板状の基材Ａと、この基材Ａの上
面に形成された多結晶薄膜Ｂと、多結晶薄膜Ｂの上面に
形成された酸化物超電導層Ｃとからなっている。前記基
材Ａと多結晶薄膜Ｂは先の例において説明した材料と同
等の材料から構成され、多結晶薄膜Ｂの結晶粒２０は、
図１と図２に示すように粒界傾角３０度以内になるよう
に結晶配向されている。
電導導体の一実施例を示すものであり、本実施例の酸化
物超電導導体２３は、板状の基材Ａと、この基材Ａの上
面に形成された多結晶薄膜Ｂと、多結晶薄膜Ｂの上面に
形成された酸化物超電導層Ｃとからなっている。前記基
材Ａと多結晶薄膜Ｂは先の例において説明した材料と同
等の材料から構成され、多結晶薄膜Ｂの結晶粒２０は、
図１と図２に示すように粒界傾角３０度以内になるよう
に結晶配向されている。
【００４３】次に、酸化物超電導層Ｃは、多結晶薄膜Ｂ
の上面に被覆されたものであり、その結晶粒２３のｃ軸
は多結晶薄膜Ｂの上面に対して直角に配向され、その結
晶粒２３…のａ軸とｂ軸は先に説明した多結晶薄膜Ｂと
同様に基材上面と平行な面に沿って面内配向し、結晶粒
２３どうしが形成する粒界傾角Ｋ’は３０度以内にされ
ている。この酸化物超電導層を構成する酸化物超電導体
は、Ｙ1Ｂa2Ｃｕ3Ｏx、Ｙ2Ｂa4Ｃｕ8Ｏx、Ｙ3Ｂa3Ｃｕ6
Ｏxなる組成、あるいは（Ｂｉ,Ｐｂ）2Ｃａ2Ｓｒ2Ｃｕ3
Ｏx、（Ｂｉ,Ｐｂ）2Ｃａ2Ｓｒ3Ｃｕ4Ｏxなる組成、あ
るいは、Ｔｌ2Ｂａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏx、Ｔｌ1Ｂａ2Ｃａ2Ｃ
ｕ3Ｏx、Ｔｌ1Ｂａ2Ｃａ3Ｃｕ4Ｏxなる組成などに代表
される臨界温度の高い酸化物超電導体である。
の上面に被覆されたものであり、その結晶粒２３のｃ軸
は多結晶薄膜Ｂの上面に対して直角に配向され、その結
晶粒２３…のａ軸とｂ軸は先に説明した多結晶薄膜Ｂと
同様に基材上面と平行な面に沿って面内配向し、結晶粒
２３どうしが形成する粒界傾角Ｋ’は３０度以内にされ
ている。この酸化物超電導層を構成する酸化物超電導体
は、Ｙ1Ｂa2Ｃｕ3Ｏx、Ｙ2Ｂa4Ｃｕ8Ｏx、Ｙ3Ｂa3Ｃｕ6
Ｏxなる組成、あるいは（Ｂｉ,Ｐｂ）2Ｃａ2Ｓｒ2Ｃｕ3
Ｏx、（Ｂｉ,Ｐｂ）2Ｃａ2Ｓｒ3Ｃｕ4Ｏxなる組成、あ
るいは、Ｔｌ2Ｂａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏx、Ｔｌ1Ｂａ2Ｃａ2Ｃ
ｕ3Ｏx、Ｔｌ1Ｂａ2Ｃａ3Ｃｕ4Ｏxなる組成などに代表
される臨界温度の高い酸化物超電導体である。
【００４４】次に酸化物超電導層Ｃを形成する装置につ
いて説明する。図７は酸化物超電導層を成膜法により形
成する装置の一例を示すもので、図７はレーザ蒸着装置
を示している。この例のレーザ蒸着装置３０は、処理容
器３１を有し、この処理容器３１の内部の蒸着処理室３
２に基材Ａとターゲット３３を設置できるようになって
いる。即ち、蒸着処理室３２の底部には基台３４が設け
られ、この基台３４の上面に基材Ａを水平状態で設置で
きるようになっているとともに、基台３４の斜め上方に
支持ホルダ３６によって支持されたターゲット３３が傾
斜状態で設けられている。 処理容器３１は、排気孔３
７を介して図示略の真空排気装置に接続されて内部を所
定の圧力に減圧できるようになっている。
いて説明する。図７は酸化物超電導層を成膜法により形
成する装置の一例を示すもので、図７はレーザ蒸着装置
を示している。この例のレーザ蒸着装置３０は、処理容
器３１を有し、この処理容器３１の内部の蒸着処理室３
２に基材Ａとターゲット３３を設置できるようになって
いる。即ち、蒸着処理室３２の底部には基台３４が設け
られ、この基台３４の上面に基材Ａを水平状態で設置で
きるようになっているとともに、基台３４の斜め上方に
支持ホルダ３６によって支持されたターゲット３３が傾
斜状態で設けられている。 処理容器３１は、排気孔３
７を介して図示略の真空排気装置に接続されて内部を所
定の圧力に減圧できるようになっている。
【００４５】前記ターゲット３３は、形成しようとする
酸化物超電導層Ｃと同等または近似した組成、あるい
は、成膜中に逃避しやすい成分を多く含有させた複合酸
化物の焼結体あるいは酸化物超電導体などの板体からな
っている。前記基台３４は加熱ヒータを内蔵したもの
で、基材Ａを所望の温度に加熱できるようになってい
る。
酸化物超電導層Ｃと同等または近似した組成、あるい
は、成膜中に逃避しやすい成分を多く含有させた複合酸
化物の焼結体あるいは酸化物超電導体などの板体からな
っている。前記基台３４は加熱ヒータを内蔵したもの
で、基材Ａを所望の温度に加熱できるようになってい
る。
【００４６】一方、処理容器３１の側方には、レーザ発
光装置３８と第１反射鏡３９と集光レンズ４０と第２反
射鏡４１とが設けられ、レーザ発光装置３８が発生させ
たレーザビームを処理容器３１の側壁に取り付けられた
透明窓４２を介してターゲット３３に集光照射できるよ
うになっている。レーザ発光装置３８はターゲット３３
から構成粒子を叩き出すことができるものであれば、Ｙ
ＡＧレーザ、ＣＯ2レーザ、エキシマレーザなどのいず
れのものを用いても良い。
光装置３８と第１反射鏡３９と集光レンズ４０と第２反
射鏡４１とが設けられ、レーザ発光装置３８が発生させ
たレーザビームを処理容器３１の側壁に取り付けられた
透明窓４２を介してターゲット３３に集光照射できるよ
うになっている。レーザ発光装置３８はターゲット３３
から構成粒子を叩き出すことができるものであれば、Ｙ
ＡＧレーザ、ＣＯ2レーザ、エキシマレーザなどのいず
れのものを用いても良い。
【００４７】次に前記ＹＳＺの多結晶薄膜Ｂの上に、酸
化物超電導層Ｃを形成する場合について説明する。前記
のように基材Ａ上にＹＳＺの多結晶薄膜Ｂを形成したな
らば、この多結晶薄膜Ｂ上に酸化物超電導層を形成す
る。酸化物超電導層を多結晶薄膜Ｂ上に形成する場合、
この例では図７に示すレーザ蒸着装置３０を使用する。
化物超電導層Ｃを形成する場合について説明する。前記
のように基材Ａ上にＹＳＺの多結晶薄膜Ｂを形成したな
らば、この多結晶薄膜Ｂ上に酸化物超電導層を形成す
る。酸化物超電導層を多結晶薄膜Ｂ上に形成する場合、
この例では図７に示すレーザ蒸着装置３０を使用する。
【００４８】多結晶薄膜Ｂが形成された基材Ａを図７に
示すレーザ蒸着装置３０の基台３４上に設置し、蒸着処
理室３２を真空ポンプで減圧する。ここで必要に応じて
蒸着処理室３２に酸素ガスを導入して蒸着処理室３２を
酸素雰囲気としても良い。また、基台３４の加熱ヒータ
を作動させて基材Ａを所望の温度に加熱する。
示すレーザ蒸着装置３０の基台３４上に設置し、蒸着処
理室３２を真空ポンプで減圧する。ここで必要に応じて
蒸着処理室３２に酸素ガスを導入して蒸着処理室３２を
酸素雰囲気としても良い。また、基台３４の加熱ヒータ
を作動させて基材Ａを所望の温度に加熱する。
【００４９】次にレーザ発光装置３８から発生させたレ
ーザビームを蒸着処理室３２のターゲット３３に集光照
射する。これによってターゲット３３の構成粒子がえぐ
り出されるか蒸発されてその粒子が多結晶薄膜Ｂ上に堆
積する。ここで構成粒子の堆積の際に多結晶薄膜Ｂが予
めｃ軸配向し、ａ軸とｂ軸でも配向しているので、多結
晶薄膜Ｂ上に形成される酸化物超電導層Ｃの結晶のｃ軸
とａ軸とｂ軸も多結晶薄膜Ｂに整合するようにエピタキ
シャル成長して結晶化する。これによって結晶配向性の
良好な酸化物超電導層Ｃが得られる。
ーザビームを蒸着処理室３２のターゲット３３に集光照
射する。これによってターゲット３３の構成粒子がえぐ
り出されるか蒸発されてその粒子が多結晶薄膜Ｂ上に堆
積する。ここで構成粒子の堆積の際に多結晶薄膜Ｂが予
めｃ軸配向し、ａ軸とｂ軸でも配向しているので、多結
晶薄膜Ｂ上に形成される酸化物超電導層Ｃの結晶のｃ軸
とａ軸とｂ軸も多結晶薄膜Ｂに整合するようにエピタキ
シャル成長して結晶化する。これによって結晶配向性の
良好な酸化物超電導層Ｃが得られる。
【００５０】前記多結晶薄膜Ｂ上に形成された酸化物超
電導層Ｃは、多結晶状態となるが、この酸化物超電導層
Ｃの結晶粒の１つ１つにおいては、図６に示すように基
材Ａの厚さ方向に電気を流しにくいｃ軸が配向し、基材
Ａの長手方向にａ軸どうしあるいはｂ軸どうしが配向し
ている。従って得られた酸化物超電導層は結晶粒界にお
ける量子的結合性に優れ、結晶粒界における超電導特性
の劣化が少ないので、基材Ａの面方向に電気を流し易
く、臨界電流密度の優れたものが得られる。
電導層Ｃは、多結晶状態となるが、この酸化物超電導層
Ｃの結晶粒の１つ１つにおいては、図６に示すように基
材Ａの厚さ方向に電気を流しにくいｃ軸が配向し、基材
Ａの長手方向にａ軸どうしあるいはｂ軸どうしが配向し
ている。従って得られた酸化物超電導層は結晶粒界にお
ける量子的結合性に優れ、結晶粒界における超電導特性
の劣化が少ないので、基材Ａの面方向に電気を流し易
く、臨界電流密度の優れたものが得られる。
【００５１】一方、図８は、多結晶薄膜を製造するため
の装置の他の例を示すものである。この例の装置におい
て図３に記載した装置と同等の構成部分には同一符号を
付してそれらの説明を省略する。この例の装置において
図３に示す装置と異っているのは、ターゲット１２を３
個設け、スパッタビーム照射装置１４を３個設け、基材
Ａとターゲット１２に高周波電源２９を接続した点であ
る。
の装置の他の例を示すものである。この例の装置におい
て図３に記載した装置と同等の構成部分には同一符号を
付してそれらの説明を省略する。この例の装置において
図３に示す装置と異っているのは、ターゲット１２を３
個設け、スパッタビーム照射装置１４を３個設け、基材
Ａとターゲット１２に高周波電源２９を接続した点であ
る。
【００５２】この例の装置では、３個のターゲット１
２、１２、１２から、それぞれ別種の粒子を叩き出して
基材Ａ上に堆積させて複合膜を形成することができるの
で、より複雑な組成の多結晶膜でも製造できる特徴があ
る。また、高周波電源３０を作動させてターゲット１２
からスパッタすることもできる。この例の装置を用いて
前記方法を実施する場合も図３に示す装置の場合と同様
に配向性に優れた多結晶薄膜を得ることができる。
２、１２、１２から、それぞれ別種の粒子を叩き出して
基材Ａ上に堆積させて複合膜を形成することができるの
で、より複雑な組成の多結晶膜でも製造できる特徴があ
る。また、高周波電源３０を作動させてターゲット１２
からスパッタすることもできる。この例の装置を用いて
前記方法を実施する場合も図３に示す装置の場合と同様
に配向性に優れた多結晶薄膜を得ることができる。
【００５３】（製造例）図３に示す構成の装置を使用
し、この装置を収納した容器内部を真空ポンプで真空引
きして３.０×１０-4トールに減圧した。基材は、幅１
０ｍｍ、厚さ０.５ｍｍ、長さ１０ｃｍのハステロイＣ
２７６テープを使用した。ターゲットはＹＳＺ（安定化
ジルコニア）製のものを用い、スパッタ電圧１０００
Ｖ、スパッタ電流１００ｍＡ、イオン源のビームの入射
角度を５５度に設定し、イオン源のアシスト電圧を３０
０Ｖに、イオンビームの電流密度を１０〜７０μＡ／ｃ
ｍ2にそれぞれ設定して基材上にスパッタリングと同時
にイオン照射を行なって厚さ０．３μｍの膜状のＹＳＺ
層を形成した。ここで前記イオンビームの電流密度と
は、試料近くに接地した電流密度計測装置の計測数値に
よるものである。
し、この装置を収納した容器内部を真空ポンプで真空引
きして３.０×１０-4トールに減圧した。基材は、幅１
０ｍｍ、厚さ０.５ｍｍ、長さ１０ｃｍのハステロイＣ
２７６テープを使用した。ターゲットはＹＳＺ（安定化
ジルコニア）製のものを用い、スパッタ電圧１０００
Ｖ、スパッタ電流１００ｍＡ、イオン源のビームの入射
角度を５５度に設定し、イオン源のアシスト電圧を３０
０Ｖに、イオンビームの電流密度を１０〜７０μＡ／ｃ
ｍ2にそれぞれ設定して基材上にスパッタリングと同時
にイオン照射を行なって厚さ０．３μｍの膜状のＹＳＺ
層を形成した。ここで前記イオンビームの電流密度と
は、試料近くに接地した電流密度計測装置の計測数値に
よるものである。
【００５４】得られた各ＹＳＺの多結晶薄膜試料につい
てＣｕＫα線を用いたθ-２θ法によるＸ線回折試験を
行なった。図１０〜図１３は、イオン源の入射角５５
度、イオンビーム電圧３００Ｖでイオンビームの電流密
度を１０μＡ／ｃｍ2、２０μＡ／ｃｍ2、４０μＡ／ｃ
ｍ2、７０μＡ／ｃｍ2にそれぞれ測定した試料の回折強
さを示す図である。図１０〜図１３に示す結果から、イ
オンビームの電流密度を２０〜７０μＡ／ｃｍ2に設定
した試料では、ＹＳＺの（２００）面あるいは（４０
０）面のピークが認められ、ＹＳＺの多結晶薄膜の（１
００）面が基材表面と平行な面に沿って配向しているも
のと推定することができ、ＹＳＺの多結晶薄膜がそのＣ
軸を基材上面に垂直に配向させて形成されていることが
判明した。なお、図１０に示す結果から、イオンビーム
電流密度を１０μＡ／ｃｍ2とした試料にあってはＹＳ
Ｚのピークが見られない。よってイオンビーム電流密度
が低過ぎると多結晶薄膜の結晶配向性の制御ができない
ことが判明した。
てＣｕＫα線を用いたθ-２θ法によるＸ線回折試験を
行なった。図１０〜図１３は、イオン源の入射角５５
度、イオンビーム電圧３００Ｖでイオンビームの電流密
度を１０μＡ／ｃｍ2、２０μＡ／ｃｍ2、４０μＡ／ｃ
ｍ2、７０μＡ／ｃｍ2にそれぞれ測定した試料の回折強
さを示す図である。図１０〜図１３に示す結果から、イ
オンビームの電流密度を２０〜７０μＡ／ｃｍ2に設定
した試料では、ＹＳＺの（２００）面あるいは（４０
０）面のピークが認められ、ＹＳＺの多結晶薄膜の（１
００）面が基材表面と平行な面に沿って配向しているも
のと推定することができ、ＹＳＺの多結晶薄膜がそのＣ
軸を基材上面に垂直に配向させて形成されていることが
判明した。なお、図１０に示す結果から、イオンビーム
電流密度を１０μＡ／ｃｍ2とした試料にあってはＹＳ
Ｚのピークが見られない。よってイオンビーム電流密度
が低過ぎると多結晶薄膜の結晶配向性の制御ができない
ことが判明した。
【００５５】続いて図１４〜図１７は、前記の各試料に
おける極点図を示すものである。これらの図からも明ら
かなように、イオンビームの電流密度を１０μＡ／ｃｍ
2とした試料ではｃ軸配向性が見られず、図１０〜図１
３に示す結果と同等の結果が得られた。以上のことか
ら、イオンビームを照射する際の電流密度は２０μＡ／
ｃｍ2以上必要であることが明らかになった。
おける極点図を示すものである。これらの図からも明ら
かなように、イオンビームの電流密度を１０μＡ／ｃｍ
2とした試料ではｃ軸配向性が見られず、図１０〜図１
３に示す結果と同等の結果が得られた。以上のことか
ら、イオンビームを照射する際の電流密度は２０μＡ／
ｃｍ2以上必要であることが明らかになった。
【００５６】図１８〜図２０は、イオン源の入射角度９
０度でイオンビーム電圧とイオンビーム電流を適宜変更
して測定した試料の回折強さを示す図である。ここで各
図に示すビーム電流とは実験に用いたイオンガンの負荷
用電流を示している。図１８〜図２０に示す結果から、
イオン源の入射角度を９０度に設定してもＹＳＺの（２
００）ピークと（４００）ピークを認めることができ、
ｃ軸配向性に関しては十分な配向性が認められた。
０度でイオンビーム電圧とイオンビーム電流を適宜変更
して測定した試料の回折強さを示す図である。ここで各
図に示すビーム電流とは実験に用いたイオンガンの負荷
用電流を示している。図１８〜図２０に示す結果から、
イオン源の入射角度を９０度に設定してもＹＳＺの（２
００）ピークと（４００）ピークを認めることができ、
ｃ軸配向性に関しては十分な配向性が認められた。
【００５７】次に、前記のようにｃ軸配向された各試料
において、ＹＳＺ多結晶薄膜のａ軸あるいはｂ軸が配向
しているか否かを測定した。その測定のためには、図２
１に示すように、基材Ａ上に形成されたＹＳＺの多結晶
薄膜にＸ線を角度θで照射するとともに、入射Ｘ線を含
む鉛直面において、入射Ｘ線に対して２θ（５８.７
度）の角度の位置にＸ線カウンター２５を設置し、入射
Ｘ線を含む鉛直面に対する水平角度φの値を適宜変更し
て、即ち、基材Ａを図２１において矢印に示すように回
転角φだけ回転させることにより得られる回折強さを測
定することにより多結晶薄膜Ｂのａ軸どうしまたはｂ軸
どうしの配向性を計測した。その結果を図２２と図２３
に示す。
において、ＹＳＺ多結晶薄膜のａ軸あるいはｂ軸が配向
しているか否かを測定した。その測定のためには、図２
１に示すように、基材Ａ上に形成されたＹＳＺの多結晶
薄膜にＸ線を角度θで照射するとともに、入射Ｘ線を含
む鉛直面において、入射Ｘ線に対して２θ（５８.７
度）の角度の位置にＸ線カウンター２５を設置し、入射
Ｘ線を含む鉛直面に対する水平角度φの値を適宜変更し
て、即ち、基材Ａを図２１において矢印に示すように回
転角φだけ回転させることにより得られる回折強さを測
定することにより多結晶薄膜Ｂのａ軸どうしまたはｂ軸
どうしの配向性を計測した。その結果を図２２と図２３
に示す。
【００５８】図２２に示すようにイオンビームの入射角
度を５５度に設定して製造した試料の場合、回折ピーク
が表われず、φを９０度と０度とした場合、即ち、回転
角φに対して９０度おきにＹＳＺの（３１１）面のピー
クが現われている。これは、基板面内におけるＹＳＺの
（０１１）ピークに相当しており、ＹＳＺ多結晶薄膜の
ａ軸どうしまたはｂ軸どうしが配向していることが明ら
かになった。これに対し、図２３に示すように、イオン
ビーム入射角度を９０度に設定して製造した試料の場
合、特別なピークが見られず、ａ軸とｂ軸の方向は無秩
序になってることが判明した。
度を５５度に設定して製造した試料の場合、回折ピーク
が表われず、φを９０度と０度とした場合、即ち、回転
角φに対して９０度おきにＹＳＺの（３１１）面のピー
クが現われている。これは、基板面内におけるＹＳＺの
（０１１）ピークに相当しており、ＹＳＺ多結晶薄膜の
ａ軸どうしまたはｂ軸どうしが配向していることが明ら
かになった。これに対し、図２３に示すように、イオン
ビーム入射角度を９０度に設定して製造した試料の場
合、特別なピークが見られず、ａ軸とｂ軸の方向は無秩
序になってることが判明した。
【００５９】以上の結果から前記装置によって製造され
た試料の多結晶薄膜は、ｃ軸配向は勿論、ａ軸どうし、
および、ｂ軸どうしも配向していることが明らかになっ
た。よって配向性に優れたＹＳＺなどの多結晶薄膜を製
造できることが明らかになった。
た試料の多結晶薄膜は、ｃ軸配向は勿論、ａ軸どうし、
および、ｂ軸どうしも配向していることが明らかになっ
た。よって配向性に優れたＹＳＺなどの多結晶薄膜を製
造できることが明らかになった。
【００６０】一方、図２４は、図２２で用いたＹＳＺ多
結晶薄膜の試料を用い、この試料の多結晶層の各結晶粒
における結晶配向性を試験した結果を示す。この試験で
は、図２１を基に先に説明した方法でＸ線回折を行なう
場合、φの角度を−１０度〜４５度まで５度刻みの値に
設定した際の回折ピークを測定したものである。図２４
に示す結果から、得られたＹＳＺの多結晶薄膜の回折ピ
ークは、粒界傾角３０度以内では表われるが、４５度で
は消失していることが明らかである。従って、得られた
多結晶薄膜の結晶粒の粒界傾角は、３０度以内に収まっ
ていることが判明し、良好な配向性を有することが明ら
かになった。
結晶薄膜の試料を用い、この試料の多結晶層の各結晶粒
における結晶配向性を試験した結果を示す。この試験で
は、図２１を基に先に説明した方法でＸ線回折を行なう
場合、φの角度を−１０度〜４５度まで５度刻みの値に
設定した際の回折ピークを測定したものである。図２４
に示す結果から、得られたＹＳＺの多結晶薄膜の回折ピ
ークは、粒界傾角３０度以内では表われるが、４５度で
は消失していることが明らかである。従って、得られた
多結晶薄膜の結晶粒の粒界傾角は、３０度以内に収まっ
ていることが判明し、良好な配向性を有することが明ら
かになった。
【００６１】次に前記の製造条件とほぼ同等の条件でイ
オンビーム電圧を５００Ｖ、７００Ｖ、２００Ｖ、１５
０Ｖのそれぞれの値に設定し、イオンビームの電流密度
を４０μＡ／ｃｍ2、５０μＡ／ｃｍ2、２０μＡ／ｃｍ
2、３０μＡ／ｃｍ2のそれぞれの値に設定して製造した
試料についてＸ線回折試験を行なった。それらの結果を
図２５〜図２９に示す。
オンビーム電圧を５００Ｖ、７００Ｖ、２００Ｖ、１５
０Ｖのそれぞれの値に設定し、イオンビームの電流密度
を４０μＡ／ｃｍ2、５０μＡ／ｃｍ2、２０μＡ／ｃｍ
2、３０μＡ／ｃｍ2のそれぞれの値に設定して製造した
試料についてＸ線回折試験を行なった。それらの結果を
図２５〜図２９に示す。
【００６２】また、図２５〜図２９に示す試験結果から
得られた前記のようなイオンビーム電圧およびイオンビ
ーム電流密度の関係と、多結晶薄膜の結晶配向性の関連
性を図３０に示す。図３０に示す結果から、イオンビー
ム電圧とイオンビーム電流密度はいずれも高過ぎても低
過ぎても不適であり、イオンビーム電圧は１５０Ｖ以上
であって７００Ｖよりも少ないことが必要であり、か
つ、イオンビームの電流密度は２０μＡ／ｃｍ2以上は
必要であることが判明した。
得られた前記のようなイオンビーム電圧およびイオンビ
ーム電流密度の関係と、多結晶薄膜の結晶配向性の関連
性を図３０に示す。図３０に示す結果から、イオンビー
ム電圧とイオンビーム電流密度はいずれも高過ぎても低
過ぎても不適であり、イオンビーム電圧は１５０Ｖ以上
であって７００Ｖよりも少ないことが必要であり、か
つ、イオンビームの電流密度は２０μＡ／ｃｍ2以上は
必要であることが判明した。
【００６３】次に、イオンビーム電圧を３００Ｖ、イオ
ンビームの電流密度を４０μＡ／ｃｍ2、イオンビーム
エネルギーを３００ｅＶに設定し、イオンビームの入射
角度を０度〜６５度まで変更して多結晶薄膜を製造した
場合、得られた多結晶薄膜の結晶の（１１１）方向の分
布における入射角度と半値全幅の関係を示すものであ
る。なお、前記の半値全値は、得られた各試料につい
て、図１６に示すような極点図を求め、この極点図の中
心から図１６に示すような補助線ｅ、ｆを引いた場合
に、これらの補助線ｅとｆのなす角度αの半分の角度、
即ち、ピーク比半分にて求めた。図３１に示す結果か
ら、イオンビームの入射角度が５０〜６０度の範囲で結
晶配向性が良好になることが明らかになった。また、特
に、イオンビームの入射角度を５５〜６０度にすること
で、粒界傾角を２５度程度の極小値にできることも明ら
かになった。
ンビームの電流密度を４０μＡ／ｃｍ2、イオンビーム
エネルギーを３００ｅＶに設定し、イオンビームの入射
角度を０度〜６５度まで変更して多結晶薄膜を製造した
場合、得られた多結晶薄膜の結晶の（１１１）方向の分
布における入射角度と半値全幅の関係を示すものであ
る。なお、前記の半値全値は、得られた各試料につい
て、図１６に示すような極点図を求め、この極点図の中
心から図１６に示すような補助線ｅ、ｆを引いた場合
に、これらの補助線ｅとｆのなす角度αの半分の角度、
即ち、ピーク比半分にて求めた。図３１に示す結果か
ら、イオンビームの入射角度が５０〜６０度の範囲で結
晶配向性が良好になることが明らかになった。また、特
に、イオンビームの入射角度を５５〜６０度にすること
で、粒界傾角を２５度程度の極小値にできることも明ら
かになった。
【００６４】次に、前記多結晶薄膜上に図７に示す構成
のレーザ蒸着装置を用いて酸化物超電導層を形成した。
ターゲットとして、Ｙ0.7Ｂａ1.7Ｃｕ3.0Ｏ7-xなる組成
の酸化物超電導体からなるターゲットを用いた。また、
蒸着処理室の内部を１０-6トールに減圧し、室温にてレ
ーザ蒸着を行なった。ターゲット蒸発用のレーザとして
波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザを用いた。その後、４０
０゜Ｃで６０分間、酸素雰囲気中において熱処理した。
得られた酸化物超電導体は、幅０.５ｍｍ、長さ１０ｃ
ｍのものである。
のレーザ蒸着装置を用いて酸化物超電導層を形成した。
ターゲットとして、Ｙ0.7Ｂａ1.7Ｃｕ3.0Ｏ7-xなる組成
の酸化物超電導体からなるターゲットを用いた。また、
蒸着処理室の内部を１０-6トールに減圧し、室温にてレ
ーザ蒸着を行なった。ターゲット蒸発用のレーザとして
波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザを用いた。その後、４０
０゜Ｃで６０分間、酸素雰囲気中において熱処理した。
得られた酸化物超電導体は、幅０.５ｍｍ、長さ１０ｃ
ｍのものである。
【００６５】この酸化物超電導導体を冷却し、臨界温度
と臨界電流密度の測定を行なった結果、臨界温度＝９０
Ｋ、 臨界電流密度＝５０００００Ａ／ｃｍ2を示し、
極めて優秀な超電導特性を発揮することを確認できた。
と臨界電流密度の測定を行なった結果、臨界温度＝９０
Ｋ、 臨界電流密度＝５０００００Ａ／ｃｍ2を示し、
極めて優秀な超電導特性を発揮することを確認できた。
【００６６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の多結晶薄膜
の製造方法によれば、スパッタリングによりターゲット
から叩き出した構成粒子を基材に堆積させる際に、斜め
方向５０度〜６０度の角度でイオンビームを照射するの
で、構成粒子を効率的に活性化できる結果、基材の成膜
面に対してｃ軸配向性に加えてａ軸配向性とｂ軸配向性
をも向上させた粒界傾角３０度以下の多結晶薄膜を得る
ことができる。更に、イオンビームの入射角度を５５〜
６０度にすることで更に良好に結晶配向性を整えること
ができ、粒界傾角２５度以内の良好な結晶配向性の多結
晶薄膜を得ることができる。前記の多結晶薄膜は、それ
を回転させて得られるＸ線回折の回折ピークが９０度お
きに出現するので、多結晶薄膜を構成する結晶粒のａ軸
とｂ軸における面内配向性が良好であり、また、そのピ
ークの出現範囲は０〜３０度の範囲になるので、粒界傾
角が３０度になっていることも明らかである。
の製造方法によれば、スパッタリングによりターゲット
から叩き出した構成粒子を基材に堆積させる際に、斜め
方向５０度〜６０度の角度でイオンビームを照射するの
で、構成粒子を効率的に活性化できる結果、基材の成膜
面に対してｃ軸配向性に加えてａ軸配向性とｂ軸配向性
をも向上させた粒界傾角３０度以下の多結晶薄膜を得る
ことができる。更に、イオンビームの入射角度を５５〜
６０度にすることで更に良好に結晶配向性を整えること
ができ、粒界傾角２５度以内の良好な結晶配向性の多結
晶薄膜を得ることができる。前記の多結晶薄膜は、それ
を回転させて得られるＸ線回折の回折ピークが９０度お
きに出現するので、多結晶薄膜を構成する結晶粒のａ軸
とｂ軸における面内配向性が良好であり、また、そのピ
ークの出現範囲は０〜３０度の範囲になるので、粒界傾
角が３０度になっていることも明らかである。
【００６７】また、多結晶薄膜の製造時のイオンビーム
の電流密度を２０μｍＡ／ｃｍ2以上とし、イオンビー
ム電圧を１５０Ｖ以上、かつ、７００Ｖより少なくする
ことで、良好な結晶配向性の多結晶薄膜を確実に製造す
ることができる。なお、イオンビームとして用いるイオ
ンは不活性ガスイオンあるいは不活性ガスイオンと酸素
ガスの混合イオンが好ましい。
の電流密度を２０μｍＡ／ｃｍ2以上とし、イオンビー
ム電圧を１５０Ｖ以上、かつ、７００Ｖより少なくする
ことで、良好な結晶配向性の多結晶薄膜を確実に製造す
ることができる。なお、イオンビームとして用いるイオ
ンは不活性ガスイオンあるいは不活性ガスイオンと酸素
ガスの混合イオンが好ましい。
【００６８】次に本発明に係る酸化物超電導体の製造方
法によれば、基材上にイオンビームの入射角度５０度〜
６０度で前記のような結晶配向性の良好な多結晶薄膜を
形成し、その上に酸化物超電導層を形成する。前記多結
晶薄膜は、それを回転させて得られるＸ線回折の回折ピ
ークが９０度おきに出現するので、多結晶薄膜を構成す
る結晶粒の面内配向性が良好であり、その上に酸化物超
電導層を生成するので結晶配向性の良好な酸化物超電導
層を形成できる。よって、酸化物超電導層の結晶粒のａ
軸どうしあるいはｂ軸どうしの向きも揃えることができ
るので、臨界電流密度の高い酸化物超電導導体を得るこ
とができる。更に、イオンビームの入射角度を５５〜６
０度にすることで更に良好に結晶配向性を整えることが
でき、粒界傾角２５度以内の良好な結晶配向性の多結晶
薄膜を得ることができるので、更に結晶配向性の優れた
酸化物超電導導体を得ることができる。
法によれば、基材上にイオンビームの入射角度５０度〜
６０度で前記のような結晶配向性の良好な多結晶薄膜を
形成し、その上に酸化物超電導層を形成する。前記多結
晶薄膜は、それを回転させて得られるＸ線回折の回折ピ
ークが９０度おきに出現するので、多結晶薄膜を構成す
る結晶粒の面内配向性が良好であり、その上に酸化物超
電導層を生成するので結晶配向性の良好な酸化物超電導
層を形成できる。よって、酸化物超電導層の結晶粒のａ
軸どうしあるいはｂ軸どうしの向きも揃えることができ
るので、臨界電流密度の高い酸化物超電導導体を得るこ
とができる。更に、イオンビームの入射角度を５５〜６
０度にすることで更に良好に結晶配向性を整えることが
でき、粒界傾角２５度以内の良好な結晶配向性の多結晶
薄膜を得ることができるので、更に結晶配向性の優れた
酸化物超電導導体を得ることができる。
【００６９】また、多結晶薄膜の製造時のイオンビーム
の電流密度を２０μｍＡ／ｃｍ2以上とし、イオンビー
ム電圧を１５０Ｖ以上、かつ、７００Ｖより少なくする
ことで、良好な結晶配向性の多結晶薄膜を確実に製造す
ることができ、これを基に酸化物超電導層を形成するこ
とで、臨界電流密度の高い酸化物超電導導体を確実に得
ることができる。なお、前記イオンビームとして用いる
イオンは不活性ガスイオンあるいは不活性ガスイオンと
酸素ガスの混合イオンが好ましい。
の電流密度を２０μｍＡ／ｃｍ2以上とし、イオンビー
ム電圧を１５０Ｖ以上、かつ、７００Ｖより少なくする
ことで、良好な結晶配向性の多結晶薄膜を確実に製造す
ることができ、これを基に酸化物超電導層を形成するこ
とで、臨界電流密度の高い酸化物超電導導体を確実に得
ることができる。なお、前記イオンビームとして用いる
イオンは不活性ガスイオンあるいは不活性ガスイオンと
酸素ガスの混合イオンが好ましい。
【図１】図１は本発明方法により形成された多結晶薄膜
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図２】図２は図１に示す多結晶薄膜の結晶粒とその結
晶軸方向および粒界傾角を示す拡大平面図である。
晶軸方向および粒界傾角を示す拡大平面図である。
【図３】図３は本発明方法を実施して基材上に多結晶薄
膜を製造する装置の一例を示す構成図である。
膜を製造する装置の一例を示す構成図である。
【図４】図４は図３に示す装置のイオン源の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】図５は図１に示す多結晶薄膜の上に形成された
酸化物超電導層を示す構成図である。
酸化物超電導層を示す構成図である。
【図６】図６は図５に示す酸化物超電導層の結晶粒とそ
の結晶軸方向および粒界傾角を示す拡大平面図である。
の結晶軸方向および粒界傾角を示す拡大平面図である。
【図７】図７は多結晶薄膜上に酸化物超電導層を形成す
るための装置の一例を示す構成図である。
るための装置の一例を示す構成図である。
【図８】図８は本発明装置の他の実施例を示す構成図で
ある。
ある。
【図９】図９は従来の装置で製造された多結晶薄膜を示
す構成図である。
す構成図である。
【図１０】図１０はイオンビーム入射角度５５度、イオ
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度１０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度１０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
【図１１】図１１はイオンビーム入射角度５５度、イオ
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度２０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度２０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
【図１２】図１２はイオンビーム入射角度５５度、イオ
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度４０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度４０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
【図１３】図１３はイオンビーム入射角度５５度、イオ
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度７０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度７０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
【図１４】図１４はイオンビーム入射角度５５度、イオ
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度１０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜の極点図である。
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度１０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜の極点図である。
【図１５】図１５はイオンビーム入射角度５５度、イオ
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度２０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜の極点図である。
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度２０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜の極点図である。
【図１６】図１６はイオンビーム入射角度５５度、イオ
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度４０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜の極点図である。
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度４０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜の極点図である。
【図１７】図１７はイオンビーム入射角度５５度、イオ
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度７０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜の極点図である。
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流密度７０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜の極点図である。
【図１８】図１８はイオンビーム入射角度９０度、イオ
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流２５ｍＡと４
５ｍＡで製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグラ
フである。
ンビーム電圧３００Ｖ、イオンビーム電流２５ｍＡと４
５ｍＡで製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグラ
フである。
【図１９】図１９はイオンビーム入射角度９０度、イオ
ンビーム電圧５００Ｖ、イオンビーム電流１５ｍＡ、２
５ｍＡ、３５ｍＡで製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果
を示すグラフである。
ンビーム電圧５００Ｖ、イオンビーム電流１５ｍＡ、２
５ｍＡ、３５ｍＡで製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果
を示すグラフである。
【図２０】図２０はイオンビーム入射角度９０度、イオ
ンビーム電圧７００Ｖ、イオンビーム電流２５ｍＡで製
造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグラフである。
ンビーム電圧７００Ｖ、イオンビーム電流２５ｍＡで製
造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグラフである。
【図２１】図２１は多結晶薄膜のａ軸およびｂ軸配向性
を調べるために行なった試験を説明するための構成図で
ある。
を調べるために行なった試験を説明するための構成図で
ある。
【図２２】図２２は製造された多結晶薄膜の（３１１）
面の回折ピークを示すグラフである。
面の回折ピークを示すグラフである。
【図２３】図２３は製造された多結晶薄膜の（３１１）
面の回折ピークを示すグラフである。
面の回折ピークを示すグラフである。
【図２４】図２４は得られた多結晶薄膜の回転角度５度
毎の回折ピークを示すグラフである。
毎の回折ピークを示すグラフである。
【図２５】図２５はイオンビーム入射角度５５度、イオ
ンビーム電圧５００Ｖ、イオンビーム電流密度４０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
ンビーム電圧５００Ｖ、イオンビーム電流密度４０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
【図２６】図２５はイオンビーム入射角度５５度、イオ
ンビーム電圧７００Ｖ、イオンビーム電流密度４０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
ンビーム電圧７００Ｖ、イオンビーム電流密度４０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
【図２７】図２７はイオンビーム入射角度５５度、イオ
ンビーム電圧２００Ｖ、イオンビーム電流密度５０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
ンビーム電圧２００Ｖ、イオンビーム電流密度５０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
【図２８】図２８はイオンビーム入射角度５５度、イオ
ンビーム電圧２００Ｖ、イオンビーム電流密度２０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
ンビーム電圧２００Ｖ、イオンビーム電流密度２０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
【図２９】図２９はイオンビーム入射角度５５度、イオ
ンビーム電圧１５０Ｖ、イオンビーム電流密度３０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
ンビーム電圧１５０Ｖ、イオンビーム電流密度３０μＡ
／ｃｍ2で製造した多結晶薄膜のＸ線回折結果を示すグ
ラフである。
【図３０】図３０はイオンビーム電圧およびイオンビー
ム電流密度と、製造された多結晶薄膜の結晶配向性の関
係を示す図である。
ム電流密度と、製造された多結晶薄膜の結晶配向性の関
係を示す図である。
【図３１】図３１はイオンビームの入射角度と得られた
多結晶薄膜の半値全幅との関係を示すグラフである。
多結晶薄膜の半値全幅との関係を示すグラフである。
Ａ…基材、 Ｂ…多結晶薄膜、
Ｃ…酸化物超電導層、 Ｋ、Ｋ’…粒界傾角、 θ…入射角度、
φ…回転角、 １１…基材ホルダ、 １２…ターゲット、 １
３…イオンガン、 ２０…結晶粒、 ２２…酸化物超電導導体、 ２
３…結晶粒、
Ｃ…酸化物超電導層、 Ｋ、Ｋ’…粒界傾角、 θ…入射角度、
φ…回転角、 １１…基材ホルダ、 １２…ターゲット、 １
３…イオンガン、 ２０…結晶粒、 ２２…酸化物超電導導体、 ２
３…結晶粒、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/54 8520−4Ｋ Ｃ３０Ｂ 29/22 ５０１ Ｈ 7821−4Ｇ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５６５ Ｄ 7244−5Ｇ Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｂ 9276−4Ｍ // Ｈ０１Ｂ 12/06 ＺＡＡ 7244−5Ｇ
Claims (9)
- 【請求項１】 スパッタリングによりターゲットの構成
粒子を叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多結晶薄
膜を形成する方法において、前記構成粒子を基材上に堆
積させる際に、イオン源が発生させたイオンビームを基
材の成膜面に対して斜め方向から５０〜６０度の範囲の
入射角度で照射しながら前記構成粒子を基材上に堆積さ
せることを特徴とする多結晶薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 スパッタリングによりターゲットの構成
粒子を叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多結晶薄
膜を形成する方法において、前記構成粒子を基材上に堆
積させる際に、イオン源が発生させたイオンビームを基
材の成膜面に対して斜め方向から照射しながら前記構成
粒子を基材上に堆積させるとともに、前記イオンビーム
の電流密度を２０μＡ／ｃｍ2以上、イオンビーム電圧
を１５０Ｖ以上で７００Ｖ未満とすることを特徴とする
多結晶薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の多結晶薄膜の製造方法に
おいて、イオンビームの入射角度を５５〜６０度の範囲
に設定して基材上に形成される多結晶薄膜の結晶粒の粒
界傾角を２５度以内とすることを特徴とする多結晶薄膜
の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載のイオンとし
て、不活性ガスイオン、あるいは、不活性ガスと酸素ガ
スの混合イオンを用いることを特徴とする酸化物超電導
導体の製造方法。 - 【請求項５】 スパッタリングによりターゲットの構成
粒子を叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多結晶薄
膜を形成し、次いでこの多結晶薄膜上に酸化物超電導層
を形成する酸化物超電導導体の製造方法において、 前記構成粒子を基材上に堆積させる際に、イオン源が発
生させたイオンビームを基材の成膜面に対して斜め方向
から５０〜６０度の範囲の入射角度で照射しつつスパッ
タ粒子を堆積させて多結晶薄膜を形成し、この多結晶薄
膜上に酸化物超電導層を形成することを特徴とする酸化
物超電導導体の製造方法。 - 【請求項６】スパッタリングによりターゲットの構成粒
子を叩き出して基材上に堆積させ、基材上に多結晶薄膜
を形成し、次いでこの多結晶薄膜上に酸化物超電導層を
形成する酸化物超電導導体の製造方法において、前記構
成粒子を基材上に堆積させる際に、イオン源が発生させ
たイオンビームを基材の成膜面に対して斜め方向から照
射しつつスパッタ粒子を堆積させるとともに、前記イオ
ンビームの電流密度を２０μＡ／ｃｍ2以上、イオンビ
ーム電圧を１５０Ｖ以上で７００Ｖ未満として多結晶薄
膜を形成し、この多結晶薄膜上に酸化物超電導層を形成
することを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。 - 【請求項７】 請求項５または６記載の酸化物超電導導
体の製造方法において、イオンビームの入射角度を５５
〜６０度の範囲に設定して基材上に形成される多結晶薄
膜の結晶粒の粒界傾角を２５度以内とすることを特徴と
する酸化物超電導導体の製造方法。 - 【請求項８】 請求項５、６または７記載の多結晶薄膜
上に酸化物超電導層を形成する際に、多結晶薄膜の結晶
に対して酸化物超電導体の結晶をエピタキシャル成長さ
せることを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。 - 【請求項９】 イオンとして、不活性ガスイオン、ある
いは、不活性ガスと酸素ガスの混合イオンを用いること
を特徴とする請求項５、６、７または８記載の酸化物超
電導導体の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP4293464A JP2996568B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 多結晶薄膜の製造方法および酸化物超電導導体の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP4293464A JP2996568B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 多結晶薄膜の製造方法および酸化物超電導導体の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06145977A true JPH06145977A (ja) | 1994-05-27 |
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| JP4293464A Expired - Fee Related JP2996568B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 多結晶薄膜の製造方法および酸化物超電導導体の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| WO2001040536A1 (fr) * | 1999-11-29 | 2001-06-07 | Fujikura Ltd. | Film mince polycristallin et procede de preparation de ce dernier, oxyde supraconducteur et son procede de preparation associe |
| WO2001059173A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-16 | Fujikura Ltd. | METHOD FOR FABRICATING MgO POLYCRYSTALLINE THIN FILM |
| WO2002063063A1 (fr) * | 2001-02-08 | 2002-08-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Procede filmogene et dispositif filmogene |
| US6984843B2 (en) | 2002-03-25 | 2006-01-10 | Seiko Epson Corporation | Board for electronic device, electronic device, ferroelectric memory, electronic apparatus, ink-jet recording head, and ink-jet printer |
| US7197799B2 (en) | 2003-12-02 | 2007-04-03 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing a piezoelectric device |
| US7220315B2 (en) | 2002-08-02 | 2007-05-22 | Fujikura Ltd. | Method of producing polycrystalline thin film and method of producing an oxide superconducting element |
| JP2007516353A (ja) * | 2003-06-09 | 2007-06-21 | ユニバーシティ・オブ・フロリダ・リサーチ・ファンデーション・インコーポレーテッド | ２軸方向にテクスチャを有するバッファ層および関連する物品、デバイスおよびシステムを生成するための方法 |
| US7268472B2 (en) | 2002-11-11 | 2007-09-11 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device, liquid jetting head, ferroelectric device, electronic device and methods for manufacturing these devices |
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| WO2008004601A1 (fr) | 2006-07-05 | 2008-01-10 | Nihon Microcoating Co., Ltd. | Système et procédé permettant de polir une surface d'un matériau de base métallique de type bande |
| WO2011043407A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | 株式会社フジクラ | イオンビームアシストスパッタ装置及びイオンビームアシストスパッタ方法 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-10-30 JP JP4293464A patent/JP2996568B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2001040536A1 (fr) * | 1999-11-29 | 2001-06-07 | Fujikura Ltd. | Film mince polycristallin et procede de preparation de ce dernier, oxyde supraconducteur et son procede de preparation associe |
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| US6783636B2 (en) | 2000-02-09 | 2004-08-31 | Fujikura Ltd. | Method of producing polycrystalline thin film of MgO |
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| US6984843B2 (en) | 2002-03-25 | 2006-01-10 | Seiko Epson Corporation | Board for electronic device, electronic device, ferroelectric memory, electronic apparatus, ink-jet recording head, and ink-jet printer |
| US7220315B2 (en) | 2002-08-02 | 2007-05-22 | Fujikura Ltd. | Method of producing polycrystalline thin film and method of producing an oxide superconducting element |
| US7268472B2 (en) | 2002-11-11 | 2007-09-11 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device, liquid jetting head, ferroelectric device, electronic device and methods for manufacturing these devices |
| JP2007516353A (ja) * | 2003-06-09 | 2007-06-21 | ユニバーシティ・オブ・フロリダ・リサーチ・ファンデーション・インコーポレーテッド | ２軸方向にテクスチャを有するバッファ層および関連する物品、デバイスおよびシステムを生成するための方法 |
| US7310862B2 (en) | 2003-12-01 | 2007-12-25 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing a piezoelectric device |
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| WO2008004601A1 (fr) | 2006-07-05 | 2008-01-10 | Nihon Microcoating Co., Ltd. | Système et procédé permettant de polir une surface d'un matériau de base métallique de type bande |
| WO2011043407A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | 株式会社フジクラ | イオンビームアシストスパッタ装置及びイオンビームアシストスパッタ方法 |
| US8992740B2 (en) | 2009-10-08 | 2015-03-31 | Fujikura Ltd. | IBAD apparatus and IBAD method |
| JP5715958B2 (ja) * | 2009-10-08 | 2015-05-13 | 株式会社フジクラ | イオンビームアシストスパッタ装置、酸化物超電導導体の製造装置、イオンビームアシストスパッタ方法及び酸化物超電導導体の製造方法 |
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