JP3532253B2 - 酸化物超電導導体およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は製造時の温度管理が容易
であって臨界電流密度の高い酸化物超電導導体およびそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年になって発見された酸化物超電導体
は、液体窒素温度を超える臨界温度を示す優れた超電導
体であるが、現在、この種の酸化物超電導体を実用的な
超電導体として使用するためには、種々の解決するべき
問題点が存在している。その問題点の１つが、酸化物超
電導体の臨界電流密度が低いという問題である。前記酸
化物超電導体の臨界電流密度が低いという問題は、酸化
物超電導体の結晶自体に電気的な異方性が存在すること
が大きな原因となっており、特に酸化物超電導体はその
結晶軸のａ軸方向とｂ軸方向には電気を流し易いが、ｃ
軸方向には電気を流しにくいことが知られている。この
ような観点から酸化物超電導体を基材上に形成してこれ
を超電導導体として使用するためには、基材上に結晶配
向性の良好な状態の酸化物超電導体を形成し、しかも、
電気を流そうとする方向に酸化物超電導体の結晶のａ軸
あるいはｂ軸を配向させ、その他の方向に酸化物超電導
体のｃ軸を配向させる必要がある。

【０００３】そこで従来、基板や金属テープなどの基材
上に結晶配向性の良好な酸化物超電導層を形成するため
に種々の手段が試みられている。その１つの方法とし
て、酸化物超電導体と結晶構造の類似したＭｇＯあるい
はＳｒＴｉＯ₃などの単結晶基材を用い、これらの単結
晶基材上にスパッタリングなどの成膜法により酸化物超
電導層を形成する方法が実施されている。前記ＭｇＯや
ＳｒＴｉＯ₃の単結晶基板を用いてスパッタリングなど
の成膜法を行なえば、酸化物超電導層の結晶が単結晶基
板の結晶を基に結晶成長するために、その結晶配向性を
良好にすることが可能であり、これらの単結晶基板上に
形成した酸化物超電導層は、数万〜数１０万Ａ／ｃｍ²
程度の十分に高い臨界電流密度を発揮することが知られ
ている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、酸化物超電
導体を導電体として使用するためには、テープ状などの
長尺の耐熱耐酸化性に優れるハステロイなどからなる金
属テープ上に結晶配向性の良好な酸化物超電導層を形成
する必要がある。ところが、金属テープなどの基材上に
酸化物超電導層を直接形成すると、金属テープ自体が多
結晶体であって、その結晶構造が酸化物超電導体と大き
く異なるために、結晶配向性の良好な酸化物超電導層は
到底形成できないものである。しかも、酸化物超電導層
を形成する際に行なう熱処理によって金属テープと酸化
物超電導層との間で拡散反応が生じて酸化物超電導層の
結晶構造が崩れ、超電導特性が劣化する問題がある。

【０００５】そこで従来、金属テープなどの基材上に、
スパッタ装置を用いてＭｇＯやＳｒＴｉＯ₃などの中間
層を被覆し、この中間層上に酸化物超電導層を形成する
ことが行なわれている。ところがこの種の中間層上にス
パッタ装置により形成した酸化物超電導層は、単結晶基
材上に形成された酸化物超電導層よりもかなり低い臨界
電流密度（例えば数１０００〜１００００Ａ／ｃｍ²程
度）しか示さないという問題があった。これは、以下に
説明する理由によるものと考えられる。

【０００６】図１０は、金属テープなどからなる基材１
上にスパッタ装置により中間層２を形成し、この中間層
２上にスパッタ装置により酸化物超電導層３を形成した
酸化物超電導導体の断面構造を示すものである。図１０
に示す構造において、酸化物超電導層３は多結晶状態で
あり、多数の結晶粒４が無秩序に結合した状態となって
いる。これらの結晶粒４の１つ１つを個々に見ると各結
晶粒４の結晶のｃ軸は基材表面に対して垂直に配向して
いるものの、ａ軸とｂ軸は無秩序な方向を向いているも
のと考えられる。

【０００７】このように酸化物超電導層の結晶粒毎にａ
軸とｂ軸の向きが無秩序になると、結晶配向性の乱れた
結晶粒界において超電導状態の量子的結合性が失なわれ
る結果、超電導特性、特に臨界電流密度の低下を引き起
こすものと思われる。また、前記酸化物超電導体がａ軸
またはｂ軸配向していない多結晶状態となるのは、その
下に形成された中間層２がａ軸またはｂ軸配向していな
い多結晶状態であるために、酸化物超電導層３を成膜す
る場合に、中間層２の結晶に整合するように酸化物超電
導層３が成長するためであると思われる。

【０００８】そこで本発明者らは、金属テープの基材上
にイットリウム安定化ジルコニアの中間層を形成し、こ
の中間層上に酸化物超電導層を形成することで、超電導
特性の優れた酸化物超電導導体を製造する試みを種々行
っている。そして、このような試みの中から本発明者ら
は先に、特願平３ー１２６８３６号、特願平３ー１２６
８３７号、特願平２ー２０５５５１号、特願平４ー１３
４４３号、特願平４ー２９３４６４号、などにおいて、
結晶配向性に優れた中間層、およびそれを利用した酸化
物超電導導体の特許出願を行っている。

【０００９】これらの特許出願に記載された技術によれ
ば、基材上にイットリウム安定化ジルコニアの粒子を堆
積させる際に、基材の斜め方向からイオンビームを照射
することで結晶配向性に優れた中間層を形成させること
ができるので、この中間層上にレーザ蒸着法などの成膜
法により酸化物超電導層を形成するならば、結晶配向性
に優れ、臨界電流密度の高い酸化物超電導導体を製造す
ることができるものであった。また、前記イットリウム
安定化ジルコニアは、Ｚｒ₂Ｏの中に３モル％程度のＹ₂
Ｏ₃を添加することで機械強度や靱性を大きく改善した
もので、機械特性の面から見ても超電導導体の中間層と
して好適な素材である。

【００１０】ところが、イットリウム安定化ジルコニア
の中間層上に酸化物超電導層を成膜する際に、基材を所
定の温度に加熱しながら成膜を行う必要があり、その際
の基材の温度管理は厳格に行う必要があった。例えば、
現状では基材温度を７５０〜７９０℃の範囲内で所定の
温度に管理して成膜しているが、この際に定めた温度か
ら±１０℃以内の温度に制御しながら成膜を行わない
と、得られた超電導導体の臨界電流密度が低下する問題
があった。

【００１１】本発明は前記の背景に基づき、前記特許出
願の技術を更に発展させてなされたもので、中間層上に
酸化物超電導層を成膜する場合に、従来よりも基材の温
度管理が容易であって、臨界電流密度が高い酸化物超電
導導体およびその製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は前
記課題を解決するために、基材と、この基材上に形成さ
れた中間層と、この中間層上に形成された酸化物超電導
層とを具備してなる酸化物超電導導体において、前記基
材が耐熱金属からなる多結晶構造であって、前記中間層
がＹ₂Ｏ₃で安定化されたイットリウム安定化ジルコニア
からなり、前記中間層を構成するイットリウム安定化ジ
ルコニア内にＹ₂Ｏ₃が５.８モル％以上含有されてな
り、前記酸化物超電導層がイットリウム系の酸化物超電
導層であるものである。

【００１３】請求項２記載の発明は前記課題を解決する
ために、請求項１記載の中間層の結晶粒が、粒界傾角を
３０度以下にして配向されたものである。

【００１４】請求項３記載の発明は前記課題を解決する
ために、イットリウム安定化ジルコニアのターゲットか
ら発生させた粒子を基材上に堆積させ、基材上にイット
リウム安定化ジルコニアの中間層を形成し、その後に中
間層上にイットリウム系の酸化物超電導層を形成して酸
化物超電導導体を製造する方法において、前記ターゲッ
トとしてＹ₂Ｏ₃を５.８モル％以上含有するイットリウ
ム安定化ジルコニアからなるものを用いるとともに、イ
ットリウム系の酸化物超電導層を中間層上に形成する際
に、基材を７５０〜７９０℃の範囲内の所定の温度を中
心として±２０℃の範囲内に納まるように温度管理しな
がらイットリウム系の酸化物超電導層を形成するもので
ある。

【００１５】請求項４記載の発明は前記課題を解決する
ために、請求項３記載のイットリウム安定化ジルコニア
の粒子を基材上に堆積させる際に、イオン源が発生させ
たイオンビームを基材の成膜面の法線に対して斜め方向
から５０〜６０度の範囲の入射角度で照射しつつ前記粒
子を堆積させて中間層を形成するものである。

【００１６】

【作用】イットリウム安定化ジルコニアに含有させるＹ
₂Ｏ₃量を５.８モル％以上とすることで７５０〜７９０
℃に高温加熱しながら中間層上にイットリウム系の酸化
物超電導層を形成する場合であっても中間層の結晶構造
を安定化できる結果、その上に形成されるイットリウム
系の酸化物超電導層の結晶構造を整えることができ、臨
界電流密度の高い酸化物超電導導体が得られる。更に、
５.８モル％以上のＹ₂Ｏ₃を含むイットリウム安定化ジ
ルコニアの中間層を用い、その上に成膜法によりイット
リウム系の酸化物超電導層を形成するならば、酸化物超
電導層を形成する際の加熱温度の温度管理幅が従来より
も広くても良くなり、従来よりも緩い条件で温度管理し
ても臨界電流密度の高いものが得られる。

【００１７】また、ターゲットから発生させたイットリ
ウム安定化ジルコニアの粒子を基材上に堆積させる際
に、基材成膜面の法線に対して斜め方向５０〜６０度の
範囲からイオンビームも同時に照射すると、基材の成膜
面に対してｃ軸配向性に加えてａ軸配向性とｂ軸配向性
も向上する。その結果、結晶粒界が多数形成されたイッ
トリウム安定化ジルコニアの中間層であっても、結晶粒
ごとのａ軸配向性とｂ軸配向性とｃ軸配向性のいずれも
が良好になり、結晶構造の整った中間層が得られる。具
体的には、中間層の結晶粒の粒界傾角が３０度以下の配
向性の良いものが得られる。

【００１８】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明方法を実施してイットリウム
安定化ジルコニア(ＹＳＺ）の中間層を基材上に形成し
たものの一構造例を示すものであり、図１において、Ａ
はテープ状の基材、Ｂは基材Ａの上面に形成された中間
層を示している。前記基材Ａは、この例ではテープ状の
ものを用いているが、例えば、板材、線材、条体などの
種々の形状のものを用いることができ、基材Ａは、銀、
白金、ステンレス鋼、銅、耐熱耐酸化性のニッケル合金
（例えばハステロイ）などの各種金属材料、あるいは、
各種ガラスあるいは各種セラミックスなどからなるもの
である。

【００１９】前記中間層Ｂは、立方晶系の結晶構造を主
体とするイットリウム安定化ジルコニアの微細な結晶粒
２０が、多数、相互に結晶粒界を介して接合一体化され
てなるもので、各結晶粒２０の結晶軸のｃ軸は基材Ａの
上面（成膜面）に対して直角に向けられ、各結晶粒２０
の結晶軸のａ軸どうしまたはｂ軸どうしが、互いに同一
方向に向けられて面内配向されている。また、各結晶粒
２０のｃ軸が基材Ａの（上面）成膜面に対して直角に配
向されている。そして、各結晶粒２０のａ軸（あるいは
ｂ軸）どうしは、それらのなす角度（図２に示す粒界傾
角Ｋ）を３０度以内にして接合一体化されている。

【００２０】また、中間層Ｂを構成するイットリウム安
定化ジルコニアは、Ｚｒ₂Ｏの中にＹ₂Ｏ₃を５.８モル％
以上含有したものからなる。イットリウム安定化ジルコ
ニアの結晶において、２〜３モル％のＹ₂Ｏ₃を含むもの
は、一部斜方晶の結晶を含むようになるので、その後に
形成される酸化物超電導層の結晶軸のａ軸とｂ軸を配向
させる意味からは好ましくない。更に３モル％以上のＹ
₂Ｏ₃を含むものは正方晶と立方晶の混合組織となるが、
本発明において用いるものは、立方晶の割合が大きく、
中間層Ｂの形成時に高温加熱されても後に形成される酸
化物超電導層の臨界電流密度を高くする必要性があるこ
とから、特に５.８モル％以上のＹ₂Ｏ₃を含むものを用
いる必要がある。

【００２１】次に前記中間層Ｂを製造する装置について
図３を基に以下に説明する。図３は中間層Ｂを製造する
ための装置の一例を示すものであり、この例の装置は、
レーザ蒸着装置にイオンビームアシスト用のイオンガン
を設けた構成となっている。この例の装置は、基材Ａを
保持するための基材ホルダ１１と、この基材ホルダ１１
の斜め下方に所定間隔をもって対向配置された板状のタ
ーゲット１２と、前記基材ホルダ１１の側方に所定間隔
をもって対向配置されたイオンガン１３と、前記ターゲ
ット１２の側方においてターゲット１２の上面に向けて
レーザビームを照射するためのレーザ発光装置１４を主
体として構成されている。

【００２２】また、この実施例の装置の一部は真空容器
１５に収納されていて、基材ホルダ１１とターゲット１
２の周囲を真空雰囲気に保持できるようになっている。
更に前記真空容器１５には、ガスボンベなどの雰囲気ガ
ス供給源が接続されていて、真空容器の内部を真空など
の低圧状態で、かつ、アルゴンガスあるいはその他の不
活性ガス雰囲気または酸素を含む不活性ガス雰囲気に調
整することができるようになっている。なお、前記のレ
ーザ発光装置１４から出されたレーザビームは、第１反
射鏡１４ａと第２反射鏡１４ｂと集光レンズ１４ｃと真
空容器１５の側壁に取り付けられた窓部１５ａとを介し
てターゲット１２の上面に集光照射されるようになって
いる。

【００２３】一方、基材Ａとしてこの例では、長尺の金
属テープ（ハステロイ製あるいはステンレス製などのテ
ープ）状の基材Ａを用いるので、真空容器１５の内部に
金属テープの送出装置８と巻取装置９を設け、送出装置
８から連続的に基材ホルダ１１にテープ基材Ａを送り出
し、続いて巻取装置９で巻き取ることでテープ状の基材
Ａ上に中間層を連続成膜することができるように構され
ている。前記基材ホルダ１１は、内部に加熱ヒータを備
え、基材ホルダ１１に支持された基材Ａを所用の温度に
加熱できるようになっている。また、基材ホルダ１１に
は、図示略のヒンジピン回動式の角度調整機構が付設さ
れ、基材ホルダ１１を首振り回動させて水平面に対する
基材ホルダ１１の傾斜角度を所望の角度に調整できるよ
うに構成されている。

【００２４】前記ターゲット１２は、目的とするイット
リウム安定化ジルコニアの中間層を形成するためのもの
であり、目的の組成の中間層と同一組成あるいは近似組
成のものを用いる。ターゲット１２として具体的には、
５.８モル％以上のＹ₂Ｏ₃で安定化したイットリウム安
定化ジルコニアを用いる。

【００２５】前記イオンガン１３は、容器の内部に、蒸
発源を収納し、蒸発源の近傍に引き出し電極を備えて構
成されている。そして、前記蒸発源から発生した原子ま
たは分子の一部をイオン化し、そのイオン化した粒子を
引き出し電極で発生させた電界で制御してイオンビーム
として照射する装置である。粒子をイオン化するには直
流放電方式、高周波励起方式、フィラメント式、クラス
タイオンビーム方式などの種々のものがある。フィラメ
ント式はタングステン製のフィラメントに通電加熱して
熱電子を発生させ、高真空中で蒸発粒子と衝突させてイ
オン化する方法である。また、クラスタイオンビーム方
式は、原料を入れたるつぼの開口部に設けられたノズル
から真空中に出てくる集合分子のクラスタを熱電子で衝
撃してイオン化して放射するものである。本実施例にお
いては、図４に示す構成の内部構造のイオンガン１３を
用いる。このイオンガン１３は、筒状の容器１６の内部
に、引出電極１７とフィラメント１８とＡｒガスなどの
導入管１９とを備えて構成され、容器１６の先端からイ
オンをビーム状に平行に照射できるものである。

【００２６】前記イオンガン１３は、図３に示すように
その中心軸Ｓを基材Ａの上面（成膜面）に対して入射角
度θ（基材Ａの垂線（法線）Ｈと中心線Ｓとのなす角
度）でもって傾斜させて対向されている。この入射角度
θは５０〜６０度の範囲が好ましいが、５５〜６０度の
範囲が最も好ましい。従ってイオンガン１３は基材Ａの
成膜面に対して傾斜角θでもってイオンビームを入射で
きるように配置されている。なお、前記イオンガン１３
によって基材Ａに照射するイオンビームは、Ｈｅ⁺、Ｎ
ｅ⁺、Ａｒ⁺、Ｘｅ⁺、Ｋｒ⁺などの希ガスのイオンビー
ム、あるいは、それらと酸素イオンの混合ビームなどを
用いる。ただし、中間層Ｂの結晶構造を整えるために
は、ある程度の原子量が必要であり、あまりに軽量のイ
オンでは効果が薄くなることを考慮すると、Ａｒ⁺、Ｋ
ｒ⁺などのイオンを用いることが好ましい。前記レーザ
発光装置１４は、真空容器１５の側壁に取り付けられた
透明窓１５ａを介してレーザビームをターゲット１２に
集光照射し、ターゲット１２の構成粒子をえぐり出して
基材Ａ側に噴出させることができるものである。レーザ
発光装置１４はターゲット１２から粒子を出すことがで
きるものであれば、ＹＡＧレーザ、ＣＯ₂レーザ、エキ
シマレーザなどのいずれのものを用いても良い。

【００２７】次に前記構成の装置を用いて基材Ａ上にイ
ットリウム安定化ジルコニアの中間層Ｂを形成する場合
について説明する。基材Ａ上に中間層Ｂを形成するに
は、５.８モル％以上のＹ₂Ｏ₃を含むイットリウム安定
化ジルコニアのターゲットを用いるとともに、基材ホル
ダ１１に付属の角度調整機構を調節してイオンガン１３
から照射されるイオンビームを基材ホルダ１１の上面に
５０〜６０度の範囲の角度、例えば５５度で照射できる
ようにする。次に基材Ａを収納している容器の内部を真
空引きして減圧雰囲気とするとともに、送出装置８から
巻取装置９側に基材Ａを所定の速度で移動させる。そし
て、イオンガン１３とレーザ発光装置１４を作動させ
る。

【００２８】レーザ発光装置１４からターゲット１２に
レーザビームを照射すると、ターゲット１２の粒子がえ
ぐり出されて基材Ａ上に飛来する。そして、基材Ａ上
に、ターゲット１２から叩き出した粒子を堆積させると
同時に、イオンガン１３からイオンのイオンビームを照
射する。このイオンビーム照射する際の入射角度θは、
５０〜６０度の範囲が最も好ましい。ここで、θを９０
度とすると、中間層のｃ軸は基材Ａの成膜面に対して直
角に配向するものの、基材Ａの成膜面上に（１１１）面
が立つので好ましくない。また、θを３０度とすると、
中間層はｃ軸配向すらしなくなる。前記のような好まし
い範囲の角度でイオンビーム照射するならば中間層の結
晶の（１００）面が立つようになる。

【００２９】このような入射角度でイオンビーム照射を
行ないながらレーザ蒸着を行なうことで、基材Ａ上に形
成されるイットリウム安定化ジルコニアの中間層の結晶
軸のａ軸とｂ軸とを配向させることができるが、これ
は、堆積されている途中のレーザ蒸着粒子に対して適切
な角度でイオンビーム照射されたる結果によるものと思
われる。

【００３０】なお、このイットリウム安定化ジルコニア
の中間層Ｂの結晶配向性が整う要因として本発明らは、
以下のことを想定している。イットリウム安定化ジルコ
ニアの中間層Ｂの結晶の単位格子は、図５に示すように
立方晶であり、この結晶格子においては、基板法線方向
が＜１００＞軸であり、他の＜０１０＞軸と＜００１＞
軸はいずれも図５に示す方向となる。これらの方向に対
し、基板法線に対して斜め方向から入射するイオンビー
ムを考慮すると、図５の原点Ｏに対して単位格子の対角
線方向、即ち、＜１１１＞軸に沿って入射する場合は、
５４.７度の入射角度となる。

【００３１】ここで前記のように入射角度５０〜６０度
の範囲で良好な結晶配向性を示すことは、イオンビーム
の入射角度が前記５４.７度と一致するかその前後にな
った場合、イオンチャンネリングが最も効果的に起こ
り、基材Ａ上に堆積している結晶において、基材Ａの上
面で前記角度に一致する配置関係になった原子のみが選
択的に残り易くなり、その他の乱れた原子配列のものは
イオンビームのスパッタ効果によりスパッタされて除去
される結果、配向性の良好な原子の集合した結晶のみが
選択的に残って堆積してゆくものと推定している。

【００３２】ここで、前記のようなレーザ蒸着法を適用
するならば、本発明者らが先に特許出願している方法に
おいて用いたスパッタリング法を応用した斜めイオンビ
ーム照射方法に比較し、より早い成膜速度で中間層を製
造できる。具体的には、斜めイオンビーム照射するスパ
ッタリング法において、０.０１〜０.０２μｍ／分程度
の成膜速度であるものを、本発明方法においては、斜め
イオンビーム照射するレーザ蒸着法により、０.０５〜
０.０７μｍ／分程度の高速で成膜することができる。

【００３３】図１と図２に、前記の方法でイットリウム
安定化ジルコニアの中間層Ｂが堆積された基材Ａの断面
構造を示す。なお、図１では、結晶粒２０が１層のみ形
成された状態を示しているが、結晶粒２０の多層構造で
も差し支えないのは勿論である。

【００３４】次に、図６と図７は、本発明に係る酸化物
超電導導体の一実施例を示すものであり、本実施例の酸
化物超電導導体２２は、テープ状の基材Ａと、この基材
Ａの上面に形成された中間層Ｂと、中間層Ｂの上面に形
成された酸化物超電導層Ｃとからなっている。前記基材
Ａと中間層Ｂは、先の例において説明した材料と同等の
材料から構成され、中間層Ｂの結晶粒２０は、図１と図
２に示すように粒界傾角３０度以内になるように結晶配
向されている。

【００３５】次に、酸化物超電導層Ｃは、中間層Ｂの上
面に被覆されたものであり、その結晶粒２３のｃ軸は中
間層Ｂの上面に対して直角に配向され、その結晶粒２３
…のａ軸とｂ軸は先に説明した中間層Ｂと同様に基材上
面と平行な面に沿って面内配向し、結晶粒２３どうしが
形成する粒界傾角Ｋ’が小さな値にされている。この酸
化物超電導層を構成する酸化物超電導体は、Ｙ₁Ｂa₂Ｃ
ｕ₃Ｏ_7-x、Ｙ₂Ｂa₄Ｃｕ₈Ｏ_x、Ｙ₃Ｂa₃Ｃｕ₆Ｏ_xなる組成
などに代表される臨界温度の高いイットリウム系の酸化
物超電導体からなる。

【００３６】次に前記中間層Ｂの上に酸化物超電導層Ｃ
を形成するためには、図３に示す構成のレーザ蒸着装置
と同等のレーザ蒸着装置を用い、ターゲットを酸化物超
電導層形成用のものに交換して成膜すれば良い。このタ
ーゲットは、形成しようとする酸化物超電導層Ｃと同等
または近似した組成、あるいは、成膜中に逃避しやすい
成分を多く含有させた複合酸化物の焼結体あるいは酸化
物超電導体などの板体を用いれば良い。

【００３７】具体的には、中間層Ｂが形成された基材Ａ
をレーザ蒸着装置の基台に設置し、蒸着処理室を真空ポ
ンプで減圧する。ここで必要に応じて蒸着処理室に酸素
ガスを導入して蒸着処理室を酸素雰囲気としても良い。
また、基台の加熱ヒータを作動させて基材Ａを７５０〜
８００℃の間の所定の温度に管理する。この場合に、定
めた温度から±２０℃の範囲内になるように温度管理す
る必要がある。

【００３８】次にレーザ発光装置から発生させたレーザ
ビームを蒸着処理室のターゲットに集光照射するととも
に、基材Ａを供給装置から基台上に順次供給し、巻取装
置で巻き取る。これによってターゲットの粒子がえぐり
出されるか蒸発されてその粒子が移動中の基材Ａ上の中
間層Ｂ上に順次堆積する。ここで粒子の堆積の際に中間
層Ｂが予めｃ軸配向し、ａ軸とｂ軸でも配向しているの
で、中間層Ｂ上に形成される酸化物超電導層Ｃの結晶の
ｃ軸とａ軸とｂ軸も中間層Ｂに整合するようにエピタキ
シャル成長し結晶化する。これによって結晶配向性の良
好な酸化物超電導層Ｃが得られる。

【００３９】前記中間層Ｂ上に形成された酸化物超電導
層Ｃは、多結晶状態となるが、この酸化物超電導層Ｃの
結晶粒の１つ１つにおいては、図６に示すように基材Ａ
の厚さ方向に電気を流しにくいｃ軸が配向し、基材Ａの
長手方向にａ軸どうしあるいはｂ軸どうしが配向してい
る。従って得られた酸化物超電導層は結晶粒界における
量子的結合性に優れ、結晶粒界における超電導特性の劣
化が少ないので、基材Ａの面方向に電気を流し易く、臨
界電流密度の優れたものが得られる。また、酸化物超電
導層Ｃを形成する場合にレーザ蒸着法を用いるので、ス
パッタリングによる成膜に比べて成膜速度を向上でき
る。更に、５.８モル％以上のＹ₂Ｏ₃を含む立方晶が中
心のイットリウム安定化ジルコニアの中間層２０を用い
ているので、酸化物超電導層Ｃの成膜時に７５０〜８０
０℃の高温に加熱しても安定した立方晶の中間層２０と
なっていて、この中間層２０上に酸化物超電導層Ｃを積
層するので、酸化物超電導層Ｃの結晶構造の配向性も良
好になり、結果的に臨界電流密度の高いものが得られ
る。

【００４０】（製造例１）図３に示す構成の装置を使用
し、イオンビーム照射を伴うレーザ蒸着を行ってイット
リウム安定化ジルコニアの中間層を高速成膜した。図３
に示す装置を収納した真空容器内を真空ポンプで真空引
きして６.２×１０^-4トールに減圧した。基材として、
幅５.０ｍｍ、厚さ０.１ｍｍ、長さ数ｍのハステロイＣ
２７６テープを使用した。ターゲットは、Ｙ₂Ｏ₃含有量
を３モル％としたイットリウム安定化ジルコニア製のも
のを用い、波長２４８ｎｍのＫｒ-Ｆエキシマレーザを
用い、イオン源からのイオンビームの入射角度を５５度
に設定し、Ａｒ⁺＋Ｏ₂のイオンビームのエネルギーを３
００〜３５０ｅＶ、イオン電流密度を５００〜６００μ
Ａ／ｃｍ²に設定して基材上にレーザ蒸着と同時にイオ
ンビーム照射を行なって厚さ０.５〜０.７μｍのイット
リウム安定化ジルコニア製の中間層を形成した。このレ
ーザ蒸着の際の基材テープの移動速度を１時間あたり２
０〜３０ｃｍとし、成膜レートを０.０５〜０.０７μｍ
／分とした。次に、Ｙ₂Ｏ₃含有量を５.８モル％とした
イットリウム安定化ジルコニア製のターゲットに交換し
て前記と同等の条件で中間層を形成するとともに、その
後に更にＹ₂Ｏ₃含有量を８モル％としたイットリウム安
定化ジルコニア製のターゲットに交換して前記と同等の
条件で中間層を形成し、中間層付きの基材を複数作製し
た。

【００４１】次に、前記中間層上にレーザ蒸着装置を用
いて酸化物超電導層を形成した。ターゲットとして、Ｙ
_0.7Ｂａ_1.7Ｃｕ_3.0Ｏ_7-xなる組成の酸化物超電導体から
なるターゲットを用いた。また、蒸着処理室の内部を１
０^-6トールに減圧した後、純酸素ガスを導入し、０.２
トールに調圧した。そして、基材を７７０±２０℃に管
理しながらレーザ蒸着を行なった。ターゲット蒸発用の
レーザとして波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザを用いた。
その後、５００゜Ｃで６０分間、酸素雰囲気中において
熱処理した。得られた酸化物超電導体は、幅５.０ｍ
ｍ、長さ１０ｃｍのものである。

【００４２】得られた酸化物超電導導体を冷却し、臨界
温度と臨界電流密度の測定を行なった結果を図８と図９
に示す。図８は、得られた酸化物超電導導体試料におい
て、酸化物超電導層を成膜する際の基材温度と臨界温度
の関係を示す。この図に示す結果から、５.８モル％の
イットリウム安定化ジルコニア中間層を備えた酸化物超
電導導体の方が、３モル％のイットリウム安定化ジルコ
ニア中間層を備えた酸化物超電導層よりも若干高い臨界
温度を示すことがわかる。

【００４３】図９は、得られた酸化物超電導導体におい
て、酸化物超電導層を成膜する際の基材温度を変えて成
膜した場合に得られた各酸化物超電導導体の臨界電流密
度を示す。この図９に示す結果から、３モル％のＹ₂Ｏ₃
を含むイットリウム安定化ジルコニア中間層を用いた試
料は、７７０℃を中心として±１０℃の温度範囲に温度
管理しなければ臨界電流密度が著しく低下することが明
らかになった。それに対し、５.８モル％あるいは８モ
ル％のＹ₂Ｏ₃を含むイットリウム安定化ジルコニア中間
層を備えた酸化物超電導層は、７５０〜７９０℃の広い
温度範囲のどの温度に温度設定しても、３モル％の試料
よりも高い臨界電流密度であって、しかもほぼ一定の臨
界電流密度が得られることが明らかになった。これは、
酸化物超電導層を成膜する際の温度管理を±２０℃にし
ても優れた酸化物超電導導体を製造できることを意味し
ている。

【００４４】なお、３モル％のＹ₂Ｏ₃を含むイットリウ
ム安定化ジルコニア中間層を用いた試料でもって温度管
理を７７０±２０℃として製造した試料の臨界電流密度
は５０００Ａ／ｃｍ²であったが、８モル％のＹ₂Ｏ₃を
含むイットリウム安定化ジルコニア中間層を用いた試料
でもって温度管理を７７０±２０℃として製造した試料
の臨界電流密度は１２０００Ａ／ｃｍ²であり、本発明
に係る試料の方が優秀な値を示した。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように本発明の製造方法に
よれば、イットリウム安定化ジルコニアに含有させるＹ
₂Ｏ₃量を５.８モル％以上とするので、７５０〜７９０
℃に高温加熱しながら中間層上に酸化物超電導層を形成
する場合であっても中間層の結晶構造を安定化できる結
果、その上に形成されるイットリウム系の酸化物超電導
層の結晶構造をより良く整えることができ、臨界電流密
度の高い酸化物超電導導体を得ることができる。また、
結晶粒の粒界傾角が３０度以下のイットリウム安定化ジ
ルコニアの中間層を用いるならば、その上に形成される
イットリウム系の酸化物超電導層の結晶構造が整い、臨
界電流密度の高いものが得られる。

【００４６】次に、５.８モル％以上のＹ₂Ｏ₃を含むイ
ットリウム安定化ジルコニアのターゲットを用いて基材
上に中間層を形成し、その中間層上に７５０〜７９０℃
の範囲内の所定の温度を中心として±２０℃の範囲内に
納まるように温度管理しながらイットリウム系の酸化物
超電導層を形成することで、中間層上に、結晶配向性に
優れたイットリウム系の酸化物超電導層を形成すること
ができ、これにより、臨界電流密度の高い酸化物超電導
導体を製造することができる。

【００４７】更に、イットリウム安定化ジルコニアのタ
ーゲットから発生させたイットリウム安定化ジルコニア
の粒子を基材に堆積させる際に、基材成膜面の法線に対
して斜め方向５０度〜６０度の角度でイオンビームを照
射すると、基材の成膜面に対してｃ軸配向性に加えてａ
軸配向性とｂ軸配向性をも向上させた粒界傾角３０度以
下のイットリウム安定化ジルコニアの中間層を得ること
ができる。これは、基材上に堆積するイットリウム安定
化ジルコニアの構成原子において、規定の向きから外れ
た向きに配置された不安定な原子をイオンビームのイオ
ンがスパッタ効果を発揮させて効率よく除去するので、
規定の位置に配置された安定性の高い原子のみが選択的
に残り易くなり、この結果として配向性の良好な粒子の
堆積が主体的になされて配向性の良好な中間層が得られ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 基材上に形成されたイットリウム安定化ジル
コニアの中間層を示す断面図である。

【図２】 図１に示すイットリウム安定化ジルコニア中
間層の結晶粒とその結晶軸方向および粒界傾角を示す拡
大平面図である。

【図３】 本発明方法を実施して基材上に中間層と酸化
物超電導層を形成するためのレーザ蒸着装置の一例を示
す構成図である。

【図４】 図３に示すレーザ蒸着装置に設けられるイオ
ンガンの一構造例を示す断面図である。

【図５】 図１に示すイットリウム安定化ジルコニア中
間層の結晶格子を示す斜視図である。

【図６】 図１に示すイットリウム安定化ジルコニア中
間層上に酸化物超電導層を形成してなる酸化物超電導導
体を示す断面図である。

【図７】 図６に示す酸化物超電導層の結晶粒とその結
晶軸方向および粒界傾角を示す拡大平面図である。

【図８】 実施例で製造された３種類のＹ₂Ｏ₃モル％の
酸化物超電導導体の試料において、酸化物超電導層を中
間層上に形成する際の加熱温度と得られた酸化物超電導
導体の臨界温度の関係を示す図である。

【図９】 同試料において、酸化物超電導層を中間層上
に形成する際の加熱温度と得られた酸化物超電導導体の
臨界電流密度の関係を示す図である。

【図１０】 従来方法で基材上に成膜された中間層と酸
化物超電導層とその結晶軸の方向を示す説明図である。

【符号の説明】

Ａ…基材、Ｂ…中間層、Ｃ…酸化物超電導層、Ｋ、Ｋ’
…粒界傾角、θ…入射角度、１１…基材ホルダ、１２…
ターゲット、１３…イオンガン、１４…レーザ発光装
置、１５…真空容器、２０…結晶粒、２２…酸化物超電
導導体、２３…結晶粒。

フロントページの続き (72)発明者 斉藤 隆 東京都江東区木場一丁目５番１号 株式 会社フジクラ内 (72)発明者 河野 宰 東京都江東区木場一丁目５番１号 株式 会社フジクラ内 (56)参考文献 特開 平１−27116（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01B 12/00 - 13/00

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材と、この基材上に形成された中間層
   と、この中間層上に形成された酸化物超電導層とを具備
   してなる酸化物超電導導体において、 前記基材が耐熱金属からなる多結晶構造であって、前記
   中間層がＹ₂Ｏ₃で安定化されたイットリウム安定化ジル
   コニアからなり、前記中間層を構成するイットリウム安
   定化ジルコニア内にＹ₂Ｏ₃が、５.８モル％以上含有さ
   れてなり、前記酸化物超電導層がイットリウム系の酸化
   物超電導層であることを特徴とする酸化物超電導導体。
2. 【請求項２】 請求項１記載の中間層の結晶粒が、粒界
   傾角を３０度以下にして配向されたものであることを特
   徴とする酸化物超電導導体。
3. 【請求項３】 イットリウム安定化ジルコニアのターゲ
   ットから発生させた粒子を基材上に堆積させ、基材上に
   イットリウム安定化ジルコニアの中間層を形成し、その
   後に中間層上にイットリウム系の酸化物超電導層を形成
   して酸化物超電導導体を製造する方法において、 前記ターゲットとしてＹ₂Ｏ₃を５.８モル％以上含有す
   るイットリウム安定化ジルコニアからなるものを用いる
   とともに、イットリウム系の酸化物超電導層を中間層上
   に形成する際に、基材を７５０〜７９０℃の範囲内の所
   定の温度を中心として±２０℃の範囲内に納まるように
   温度管理しながらイットリウム系の酸化物超電導層を形
   成することを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載のイットリウム安定化ジル
   コニアの粒子を基材上に堆積させる際に、イオン源が発
   生させたイオンビームを基材の成膜面の法線に対して斜
   め方向から５０〜６０度の範囲の入射角度で照射しつつ
   前記粒子を堆積させて中間層を形成することを特徴とす
   る酸化物超電導導体の製造方法。