JP3705874B2

JP3705874B2 - 酸化物超電導導体の製造装置

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Publication number: JP3705874B2
Application number: JP29085896A
Authority: JP
Inventors: 真理子保坂; 康裕飯島; 隆斉藤; 伸行定方
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 1996-10-31
Filing date: 1996-10-31
Publication date: 2005-10-12
Anticipated expiration: 2016-10-31
Also published as: JPH10134655A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ蒸着、スパッタリング、ＣＶＤなどの方法のように成膜室内で基材上に結晶化薄膜を順次堆積させ、この結晶化薄膜を熱処理して酸化物超電導層を形成するための酸化物超電導導体の製造装置の改良に係わるもので、結晶化薄膜を堆積させる部分（成膜範囲）の基材の温度を成膜に適切な温度範囲に制御でき、基材の長さ方向に沿って均一で、かつ優れた超電導特性を有する酸化物超電導体の製造が可能な酸化物超電導導体の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年になって発見されたＹ系の酸化物超電導体は、ピン止め力が高温まで持続し、液体窒素温度（７７Ｋ）での磁場中での応用に有効であることが知られているが、現在、この種の酸化物超電導体を実用的な超電導体として使用するためには、種々の解決するべき問題点が存在している。その問題点の１つが、強磁場中で酸化物超電導体の臨界電流密度が減少するという問題である。
【０００３】
前記強磁場中で酸化物超電導体の臨界電流密度が減少するという問題は、酸化物超電導体の結晶自体に電気的な異方性が存在することが大きな原因となっており、特に酸化物超電導体はその結晶軸のａ軸方向とｂ軸方向には電気を流し易いが、ｃ軸方向には電気を流しにくいことが知られている。このような観点から酸化物超電導体を基材上に形成してこれを超電導体として使用するためには、基材上に結晶配向性の良好な状態の酸化物超電導体を形成し、しかも、電気を流そうとする方向に酸化物超電導体の結晶のａ軸あるいはｂ軸を配向させ、その他の方向に酸化物超電導体のｃ軸を配向させる必要がある。
【０００４】
ところで、酸化物超電導体を導電体として使用するためには、テープ状などの長尺の基材上に結晶配向性の良好な酸化物超電導層を形成する必要がある。ところが、金属テープなどの基材上に酸化物超電導層を直接形成すると、金属テープ自体が多結晶体でその結晶構造も酸化物超電導体と大きく異なるために、結晶配向性の良好な酸化物超電導層は到底形成できないものである。しかも、酸化物超電導層を形成する際に行なう熱処理によって金属テープと酸化物超電導層との間で拡散反応が生じるために、酸化物超電導層の結晶構造が崩れ、超電導特性が劣化する問題がある。
【０００５】
そこで本発明者らは、Ｎｉ基耐熱合金ハステロイテープなどの金属テープからなる長尺のテープ状の基材の上にイットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）などの多結晶中間薄膜を形成し、この多結晶中間薄膜上に、酸化物超電導体の中でも臨界温度が約９０Ｋであり、液体窒素（７７Ｋ）中で用いることができる安定性に優れたＹＢａＣｕＯ系の超電導層（酸化物超電導層）を形成することで超電導特性の優れた酸化物超電導導体を製造する試みを種々行なっている。
このような試みの中から本発明者らは先に、結晶配向性に優れた中間薄膜を形成するために、あるいは、超電導特性の優れた超電導テープを得るために、特願平３ー１２６８３６号、特願平３ー１２６８３７号、特願平３ー２０５５５１号特願平４ー１３４４３号、特願平４ー２９３４６４号などにおいて特許出願を行なっている。
【０００６】
これらの特許出願に記載された技術によれば、ハステロイテープなどの金属テープの基材上にスパッタ装置により多結晶中間薄膜を形成する際に、スパッタリングと同時に基材成膜面の斜め方向からイオンビームを照射しながら多結晶中間薄膜を成膜することにより、結晶配向性に優れた多結晶中間薄膜を形成することができるものである。この方法によれば、多結晶中間薄膜を形成する多数の結晶粒のそれぞれの結晶格子のａ軸あるいはｂ軸で形成する粒界傾角を３０度以下に揃えることができ、結晶配向性に優れた多結晶中間薄膜を形成することができるそして更に、この配向性に優れた中間薄膜上にＹＢａＣｕＯ系の超電導層をスパッタリング法、あるいはレーザ蒸着法などの物理蒸着法などの成膜法により成膜するならば、酸化物超電導層の結晶配向性も良好なものになり、これにより、臨界電流密度が高い酸化物超電導導体を形成することができる。
【０００７】
図７に、従来のレーザ蒸着装置の一例を示した。
このレーザ蒸着装置は、内部を真空排気自在に構成された処理容器１０を有し、この処理容器１０の内部の成膜室１０ａの下部側に長尺のテープ状の基材１が設けられ、該基材１の上方側には酸化物超電導体または酸化物超電導体と近似組成のターゲット１２が設けられる一方、処理容器１０の外部には前記ターゲット１２表面にレーザ光を照射して粒子の噴流（プルーム）１３を発生させるためのレーザ発光装置１４が設けられている。
【０００８】
前記処理容器１０は排気孔１０ｂを介して図示略の真空排気装置に接続されて内部を真空排気できるようになっている。
前記ターゲット１２は、板状のものであり、その下面が基材１上面と平行に向き合うようにターゲットホルダ１２ａによって支持されている。
前記基材１の下方側には、送出装置１８と、巻取装置１９がそれぞれ離間して設けられ、送出装置１８からテープ状の基材１を送り出し、巻取装置１９で巻き取ることができるとともに、基材１をターゲット１２の下方で水平移動できるようになっている。
これら送出装置１８と巻取装置１９との間には、基材１を輻射熱により加熱するためのＰt線などからなる加熱ヒータ２０が設けられている。
前記レーザ発光装置１４と処理容器１０との間には、第１反射鏡２１と集光レンズ２２と第２反射鏡２３が設けられ、レーザ発光装置１４が発生させたレーザビームを処理容器１０の側壁に取り付けられた透明窓２４を介してターゲット１２に集光照射できるようになっている。
【０００９】
また、従来のレーザ蒸着装置においては、基材１上に粒子を堆積させる際、基材１の温度を一定にするために、前記加熱ヒータ２０に一定出力が投入されるようになっているか、あるいは基材１の温度を測定するためのパイロメーター（図示略）が成膜室１０ａ内で基材１の上方に配設され、さらにパイロメーターで測定された測定値に基づいて基材１の温度が一定となるように前記加熱ヒータ２０に投入する出力を変更する制御部（図示略）が備えられている。
【００１０】
前記構成のレーザ蒸着装置を用いて基材１上に酸化物超電導層を形成するには、レーザ発光装置１４からレーザビームを射出し、第１反射鏡２１と集光レンズ２２と第２反射鏡２３と透明窓２４を介してレーザビームをターゲット１２に照射する。一方、多結晶中間薄膜が形成された基材１を多結晶中間薄膜側の面を上にして送出装置１８から所定速度で順次送り出して巻取装置１９に巻取り、基材１をターゲット１２の下方を水平移動させるとともに加熱ヒータ２０を作動させて基材１を加熱する。ここでの加熱の際、加熱ヒータ２０に一定出力を投入するか、あるいは前記パイロメーターで結晶中間薄膜が形成された基材１の温度を測定し、この測定値に基づいて前記制御部で加熱ヒータ２０の出力を変更して調温を行う。このようにすると、レーザビームが照射れたターゲット１２は表面部分がえぐり取られるか蒸発されて構成粒子が叩き出され、基材１の中間薄膜２上に堆積し結晶化薄膜となる。このとき、基材１は加熱ヒータ２０により加熱されているので結晶化薄膜は堆積と同時に熱処理されて酸化物超電導層が形成される。
以上の操作によって基材１の上面に順次粒子を堆積させ、テープ状の基材１の多結晶中間薄膜上に酸化物超電導層を形成することで、酸化物超電導導体を得ることができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところが従来の酸化物超電導導体の製造装置を用いて製造を行うと、成膜中の基材１の温度が変動しやすく不安定で、加熱ヒータ２０に投入する出力を一定にしても結晶化薄膜を堆積させる部分（成膜範囲）の温度分布のばらつきが生じてしまう。また、パイロメーターの測定値に基づいて調温を行っても、パイロメーターは膜厚によって干渉を受けるため、正確な調温を行うのが困難であった。その結果、製造された酸化物超電導導体の臨界電流（Ｉc）を測定すると、テープ状の基材の長さ方向に沿った臨界電流のバラツキが大きく、しかも臨界電流値も低い傾向を示し、超電導特性において不満があった。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、結晶化薄膜を堆積させる部分（成膜範囲）の基材の温度を成膜に適切な温度範囲に制御でき、基材の長さ方向に沿って均一で、かつ優れた超電導特性を有する酸化物超電導体の製造が可能な酸化物超電導導体の製造装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、真空排気可能な成膜室の内部を移動中の可撓性を有するテープ状の基材上に結晶化薄膜を順次堆積させ、この結晶化薄膜を熱処理して酸化物超電導層を形成する酸化物超電導導体の製造装置において、前記テープ状の基材の裏面に接触させるための湾曲面を有するサセプターと、該サセプターとは別個に設けられたサセプターホルダと、前記サセプターを加熱するための加熱手段とからなり、前記サセプターがその湾曲面が前記サセプターホルダの上面から突出するようにサセプターホルダに着脱自在に取り付けられてなる加熱治具が備えられ、該加熱治具はテープ状の基材上に結晶化薄膜を堆積する領域の近傍で前記サセプターの湾曲面がテープ状の基材の裏面に接触するように配設されてなり、前記サセプターホルダの上面のサセプターの周辺に、反射防止板が取り付けられていることを特徴とする酸化物超電導導体の製造装置を前記課題の解決手段とした。
【００１４】
また、請求項２記載の発明は、前記サセプターの湾曲面の基材の長さ方向に沿った方向の曲率半径が３００〜８００ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の酸化物超電導導体の製造装置を前記課題の解決手段とした。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の酸化物超電導導体の製造装置の一実施形態について説明する。図１〜図２は、本発明の酸化物超電導導体の製造装置をレーザ蒸着装置に適用した第１の実施形態を示すものである。
図１の第１の実施形態のレーザ蒸着装置が、図７に示した従来のレーザ蒸着装置と異るところは、テープ状の基材１上に結晶化薄膜を堆積する領域の近傍、すなわち送出装置１８と巻取装置１９との間の基材１の下方に加熱治具３０が配設された点である。図２は、この加熱治具３０を説明するための図であり、（Ａ）はテープ状の基材１の上面側から見た図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ線断面図ある。
【００１６】
この加熱治具３０は、サセプター３２と、該サセプター３２とは別個に設けられたサセプターホルダ３４と、該サセプター３２を加熱するためのヒータ（加熱手段）３６から概略構成されている。
前記サセプター３２は、基材１の長さ方向に沿った断面が略弓型の板状のものであり、その上面にはテープ状の基材１の裏面に接触させるための凸状の湾曲面３２ａを有している。このサセプター３２をなす材料としては、Ｎi８０％−Ｃr１４％−Ｆe６％（商品名インコネル、インターナショナルニッケル社製）などの耐熱合金や、ハステロイなどが好適に用いられる。
サセプター３２の基材１の長さ方向に沿った方向の長さＬ₁としては、４０〜１００ｍｍ程度、好ましくは６０〜８０ｍｍ程度であるが、必ずしもこの限りではなく、基材１上に形成する酸化物超電導層の種類や厚み等によっても異る。
【００１７】
サセプター３２の湾曲面３２ａの基材１の長さ方向に沿った方向の曲率半径Ｒとしては、３００〜８００ｍｍ程度が好ましく、より好ましくは５００〜７００ｍｍ程度であるが、必ずしもこの限りではなく、基材１上に形成する酸化物超電導層の種類や厚み等によっても異る。
湾曲面３２ａの曲率半径Ｒが３００ｍｍ未満であると中央部の接地圧が大きくなり中央部の温度が上がり基材１の温度勾配が大きくなるからであり、一方、曲率半径Ｒが８００ｍｍが越えると接地圧が小さくなり、接触状態が不安定になり温度分布が生じるからである。
【００１８】
前記サセプターホルダ３４は、ステンレス鋼などからなる板状のもので、その中央部には前記サセプター３２を取り付けるための矩形状の取付孔３４ａが形成されている。このサセプターホルダ３４の取付孔３４ａには、前記サセプター３２がその湾曲面３２ａがこのサセプターホルダ３４の上面３４ｂから突出するように嵌め入れられることにより、着脱自在に取り付けられている。
このサセプターホルダ３４の取付孔３４ａの下方には、ヒータ３６が配設されている。このヒータ３６は、Ｐt線などからなるものであり、サセプター３２のみを加熱できるものであれば十分である。
【００１９】
また、サセプターホルダ３４の基材１の長さ方向に沿った両端部には、前記テープ状の基材１を支えるとともに該基材１を前記サセプター３２に案内するための基材支持体３８がそれぞれ設けられている。
この加熱治具３０は、送出装置１８から送り出されるとともに巻取装置１９により巻き取られるテープ状の基材１の裏面に前記サセプター３２の湾曲面３２ａが接触するように配設されている。
【００２０】
このような構成の加熱治具３０においては、ヒータ３６によりサセプター３２を加熱すると、サセプター３２の湾曲面３２ａのテープ状の基材１の長さ方向の中央部３３ａはほぼ一定温度範囲に加熱され、この中央部３３ａの両側の端部３３ｂは温度勾配が生じるようになっており、また、このときセプター３２の湾曲面３２ａの温度分布は安定している。従って、基材１の裏面をサセプター３２の湾曲面３２ａの中央部３３ａのみに接触するようにすれば、基材１を一定温度範囲で加熱することができ、あるいは基材１の裏面を中央部３３ａの両側の端部３３ｂにまで接触するようにすれば、基材１に温度勾配をつけながら加熱することができる。
また、この加熱治具３０においては、サセプター３２がサセプターホルダ３４に着脱自在に取り付けられるようになっているため、成膜条件等を変更したいときには、曲率半径Ｒが異るサセプター３２に交換することにより、サセプター３２の湾曲面３２ａの一定温度範囲の長さや端部３３ｂの温度勾配を変更して、湾曲面３２ａの温度分布を変更することができる。
【００２１】
ここでのターゲット１２としては、形成しようとする酸化物超電導層と同等または近似した組成、あるいは、成膜中に逃避しやすい成分を多く含有させた複合酸化物の焼結体、または、酸化物超電導体のバルクなどから形成されている。現在知られている臨界温度の高い酸化物超電導体として具体的には、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｔ１−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系などがあるので、ターゲット１２としてはこれらの系のものなどを用いることができる。なお、酸化物超電導体を構成する元素の中で蒸気圧が高く、蒸着の際に飛散しやすい元素もあるので、このような元素を含むターゲット１２を使用する場合は、蒸気圧の高い元素を目的とする所定の割合よりも多く含むターゲットを用いればよい。
また、レーザ発光装置１４としては、ターゲット１２から構成粒子を叩きだすことができるものであれば、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザなどのいずれのものを使用してもよい。
【００２２】
次に、前述の第１の実施形態のレーザ蒸着装置を用いて酸化物超電導導体の製造する方法について説明する。
まず、多結晶中間薄膜が形成されたテープ状の基材１を成膜室１０ａ内の送出装置１８にセットし、ターゲット１２をその下面が前記基材１の多結晶中間薄膜側の面と平行に向き合うようにターゲットホルダ１２ａにセットする。一方、サセプターホルダ３４の取付孔３４ａにサセプター３２を取り付け、さらにこのサセプター３２の湾曲面３２ａの中央部３３ａおよび両側の端部３３ｂが基材１の裏面に接触するようにセットする。このようにしたならば成膜室１０ａを真空排気する。ここで必要に応じて成膜室１０ａに酸素ガスを導入して成膜室１０ａを酸素雰囲気としても良い。また、ヒータ３６に出力を投入してサセプター３２を加熱し、基材１を間接的に加熱できるようにする。このようにするとサセプター３２の湾曲面３２ａの中央部３３ａは一定温度範囲に加熱されており、両側の端部３３ｂには温度勾配が生じる。ここでヒータ３６に投入する出力としては、基材１の裏面に接触する湾曲面３２ａが成膜に適切な温度範囲となる値である。
【００２３】
次に、レーザ発光装置１４から発生させたレーザビームを第１反射鏡２１と集光レンズ２２と第２反射鏡２３と透明窓２４を介して成膜室１０ａ内に導き、ターゲット１２の表面に集光照射する。この際に、集光レンズ２２の位置調節を行ってターゲット１２の表面にレーザビームの焦点を合せる。また、多結晶中間薄膜が形成された基材１を多結晶中間薄膜側の面を上にして送出装置１８から所定速度で順次送り出して巻取装置１９に巻取ることにより、基材１をターゲット１２の下方を水平移動させるとともに基材１の裏面をサセプター３２の湾曲面３２ａの中央部３３ａおよび両側の端部３３ｂに接触させながら加熱する。このようにすると、湾曲面３２ａの中央部３３ａは一定温度範囲に加熱されており、両側の端部３３ｂには温度勾配が生じているので、基材１を温度勾配をつけながら加熱することができる。
【００２４】
このようにすると、レーザビームが照射されたターゲット１２は表面部分がえぐり取られるか蒸発されて構成粒子が叩き出され、この粒子は基材１の多結晶中間薄膜上に堆積して結晶化薄膜が形成される。このとき、基材１はサセプター３２の湾曲面３２ａにより加熱されているので結晶化薄膜は堆積と同時に熱処理されて酸化物超電導層が形成される。
以上の操作によって基材１上に順次粒子を堆積させ、テープ状の基材１の多結晶中間薄膜上に酸化物超電導層を形成することで、酸化物超電導導体を得ることができる。このようにして形成された酸化物超電導層は、基材１の長さ方向の沿って均質に形成されており、しかも結晶配向性が優れている。
【００２５】
第１の実施形態のレーザ蒸着装置にあっては、前述の構成の加熱治具３０を備えることにより、ヒータ３６によりサセプター３２を加熱することによって基材１を間接的に加熱でき、このときサセプター３２の湾曲面３２ａの温度分布は安定しているので、輻射型のヒータにより基材を直接加熱する従来のレーザ蒸着装置のように基材１の温度が不安定となることがなく、結晶化薄膜を堆積させる部分（成膜範囲）の基材１の温度を成膜に最適な温度範囲に制御することができるので、成膜条件が良好となり、基材１の長さ方向に沿って均質で、かつ結晶配向性が優れた酸化物超電導層を形成することができ、従って基材１の長さ方向に沿って均一で、臨界電流値などの超電導特性が優れた酸化物超電導導体を製造できる。
また、前記加熱治具３０においては、ヒータ３６によりサセプター３２を加熱すると、サセプター３２の湾曲面３２ａの中央部３３ａはほぼ一定温度範囲に加熱され、この中央部３３ａの両側の端部３３ｂは温度勾配が生じるようになっているので、基材１の裏面をサセプター３２の湾曲面３２ａの中央部３３ａの一定温度範囲の部分のみに接触するようにすれば、基材１を一定温度範囲で加熱することができ、あるいは基材１の裏面を中央部３３ａの両側の端部３３ｂにまで接触するようにすれば、基材１に温度勾配をつけながら加熱することができる。また、成膜に不適切な温度分布を生じるサセプター３２の湾曲面３２ａの部分（不要部分）には基材１を接触させないで、成膜条件に応じた温度分布を生じることができる湾曲面３２ａの部分（良好部分）のみに接触させれば、酸化物超電導層の形成時にこの良好部分のみを基材１の裏面に接触させながら成膜することができるので、基材１を成膜に最適な温度範囲で加熱することができる。
【００２６】
さらに、前記加熱治具３０においては、サセプター３２がサセプターホルダ３４に着脱自在に取り付けられるようになっているため、曲率半径Ｒが異る湾曲面３２ａを有するサセプター３２に交換することにより、サセプター３２の湾曲面３２ａの中央部３３ａの一定温度範囲の長さや端部３３ｂの温度勾配を変更して湾曲面３２ａの温度分布を変更することができるので、酸化物超電導層の種類や厚み等を変更するときは、成膜条件に応じた温度分布を生じることができる曲率半径Ｒの湾曲面３２ａを有するサセプター３２を取り付けることにより、成膜に最適な温度範囲で基材１を加熱することができる。
また、前記加熱治具３０においては、サセプター３２がサセプターホルダ３４とは別個に設けられたものであり、さらにサセプター３２のみを加熱するだけでよいので、ヒータ３６の出力が小さくて済み、経済的である。
なお、前述の第１の実施形態においては、基材１の裏面をサセプター３２の湾曲面３２ａの中央部３３ａおよび端部３３ｂに接触させながら成膜する場合について説明したが、基材１の裏面をサセプター３２の湾曲面３２ａの中央部３３ａのみに接触させながら成膜してもよく、その場合には基材１を一定温度範囲で加熱することができる。
【００２７】
次に、第２の実施形態のレーザ蒸着装置について図３を用いて説明する。
図３は、第２の実施形態のレーザ蒸着装置に備えられた加熱治具３０をテープ状の基材１の上面側から見たときの図である。
この第２の実施形態のレーザ蒸着装置が第１の実施形態のレーザ蒸着装置と異るところは、加熱治具３０に反射防止板４２が２枚設けられた点である。
反射防止板４２は、ステンレス鋼、インコネル、ハステロイなどの結晶化薄膜を構成する粒子とは不活性で、かつ熱伝導率が小さい材料からなるコ字状の板である。これら２枚の反射防止板４２，４２は、凹部４３と凹部４３を対向させてサセプターホルダ３４の上面３４ｂのサセプター３２の周辺に配設されている。このような反射防止板４２が配設されていないと、サセプター３２の熱がサセプターホルダ３４の上面３４ｂで反射した照り返しによって基材１に反射熱がかってしまう。
【００２８】
第２の実施形態のレーザ蒸着装置にあっては、特に、反射防止板４２がセプターホルダ３４の上面３４ｂのサセプター３２の周辺に配設された加熱治具３０を備えることにより、酸化物超電導層の形成時にサセプターホルダ３４の上面３４ｂからの照り返しを減らすことができるので、基材１が反射熱などの悪影響を受けることを防止でき、従って、基材１の温度を成膜に最適な温度範囲により制御し易い。なお、第２の実施形態においては、反射防止板４２がコ字状である場合について説明したが、サセプターホルダ３４の上面３４ｂのサセプター３２の周辺を覆うことができる形状であればよく、例えば、中央部にサセプター３４を通すための貫通孔を有するような回字状のものであってもよい。
【００２９】
なお、前述の実施形態においては、本発明の酸化物超電導導体の製造装置をレーザ蒸着装置に適用した場合について説明したが、成膜室内に設けた酸化物超電導体または酸化物超電導体と近似組成のターゲットから発生させた粒子をターゲット近傍を移動中の基材上に順次堆積させて酸化物超電導層を形成する酸化物超電導導体の製造方法やこれに用いられる製造装置においても同様に適用でき、例えば、スパッタ装置などの物理蒸着装置において同様に適用できる。
【００３０】
【実施例】
（実施例１）
図１に示すレーザ蒸着装置において、ターゲット蒸発用のレーザとして波長２４８ｎｍ、平均出力５０Ｗ、繰返周波数１００Ｈｚ、パルス幅１０ｎｓｅｃのＫｒＦエキシマレーザを用いた。また、基材として、ハステロイ製の幅１０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍのテープの上面に、厚さ０．５μｍのＹＳＺからなる多結晶中間薄膜を被覆したものを用いるとともに、ターゲットとしてＹ1Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-δなる組成の焼結体からなる円板状のターゲットを用いた。また、サセプターとしてインコネル（商品名；インターナショナルニッケル社製）製の長さ８０ｍｍ、湾曲面の曲率半径が６００ｍｍのものを用い、これをサセプターホルダの取付孔に取り付け、さらにこのサセプターの湾曲面の中央部および両側の端部が基材の裏面に接触するようにセットした。さらに、成膜室の内部を１０^-6Ｔｏｒｒに排気し、サセプターの下方のヒータ（加熱手段）に出力３ＫＷを投入して基材をサセプターの湾曲面の中央部及び両側の端部に接触させながら加熱し該基材上に前記ターゲットから移動してくる粒子を堆積しレーザ蒸着を行って酸化物超電導導体を得た。
【００３１】
実施例１で得られた酸化物超電導導体をこの酸化物超電導導体の中央部分側に対し、スパッタ装置によりＡｇコーティングを施し、更に両端部側にそれぞれＡｇの電極を形成し、Ａｇコーティング後に純酸素雰囲気中にて５００℃で２時間熱処理を施して測定試料とした。そして、この試料を液体窒素で７７Ｋに冷却し、外部磁場０Ｔ（テスラ）の条件で試料における長さ方向の位置ごとの臨界電流（Ｉc）を測定した結果を図４に示す。図４中、実線▲１▼は実施例１で得られた酸化物超電導導体の長さ方向の位置ごとの臨界電流を示すものである。
【００３２】
（実施例２）
湾曲面の曲率半径８００ｍｍのサセプターを用いた以外は実施例１と同様にしてレーザ蒸着を行い酸化物超電導体を作製したときの基材の裏面をサセプターの湾曲面に接触させながら移動させたときの基材の温度変化を測定した。
ここでの基材の温度変化の測定は、基材に熱電対（Ｔ．Ｃ．）を付けてサセプターの湾曲面を移動させたときの熱電対の温度を測定することにより行った。その結果を図５に示す。図５は、基材の温度プロファイルであり、横軸はサセプターの長さ方向の位置、縦軸は温度である。
【００３３】
（比較例１）
図７に示すレーザ蒸着装置を用い、輻射型の加熱ヒータに一定出力３ＫＷを投入し、このヒータにより基材を直接加熱しながら該基材上にターゲットから移動してくる粒子を堆積した以外は前述の実施例１と同様にして酸化物超電導導体を得た。
比較例１で得られた酸化物超電導導体の長さ方向の位置ごとの臨界電流を前記実施例１と同様にして測定した。その結果を図６に示す。図６中、破線▲２▼は比較例１で得られた酸化物超電導導体の長さ方向の位置ごとの臨界電流を示すものである。
【００３４】
（比較例２）
輻射型の加熱ヒータに一定出力を投入し、このヒータにより基材を直接加熱しながら該基材上にターゲットから移動してくる粒子を堆積することに代えて、パイロメータにより基材の温度を測定し、この測定値に基づいて加熱ヒータに投入する出力を変更しながら該基材上にターゲットから移動してくる粒子を堆積した以外は前述の比較例１と同様にして酸化物超電導導体を得た。
比較例２で得られた酸化物超電導導体の長さ方向の位置ごとの臨界電流を前記実施例１と同様にして測定した。その結果を図６に合わせて示す。図６中、破線▲３▼は比較例２で得られた酸化物超電導導体の長さ方向の位置ごとの臨界電流を示すものである。
【００３５】
図４及び図６に示した結果から明らかなように、比較例１，２で得られた酸化物超電導導体は、実施例１で得られた酸化物超電導導体に比べて臨界電流値が低く、また、比較例２の酸化物超電導導体は、実施例１で得られた酸化物超電導導体に比べて長さ方向に沿った臨界電流値のばらつきが大きく、超電導特性が劣ることが確認できた。以上のことから、実施例１で得られた酸化物超電導導体は、基材の長さ方向に沿って均一で、優れた超電導特性を有することが分る。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１記載の酸化物超電導導体の製造装置にあっては、前述の構成の加熱治具を備えることにより、加熱手段によりサセプターを加熱することによって基材を間接的に加熱でき、このときサセプターの湾曲面の温度分布は安定しているので、輻射型のヒータにより基材を直接加熱する従来のレーザ蒸着装置のように基材の温度が不安定となることがなく、結晶化薄膜を堆積させる部分（成膜範囲）の基材の温度を成膜に最適な温度範囲に制御することができるので、成膜条件が良好となり、基材の長さ方向に沿って均質で、かつ結晶配向性が優れた酸化物超電導層を形成することができ、従って基材の長さ方向に沿って均一で、臨界電流値などの超電導特性が優れた酸化物超電導導体を製造できる。
【００３７】
また、前記加熱治具においては、サセプターがサセプターホルダに着脱自在に取り付けられるようになっているため、曲率半径が異る湾曲面を有するサセプターに交換することにより、サセプターの湾曲面の中央部の一定温度範囲の長さや端部の温度勾配を変更して湾曲面の温度分布を変更することができるので、形成する酸化物超電導層の種類や厚み等を変更するときは、成膜条件に応じた温度分布を生じることができる曲率半径の湾曲面を有するサセプターを取り付けることにより、成膜に最適な温度範囲で基材を加熱することができる。
さらに、前記加熱治具においては、サセプターがサセプターホルダとは別個に設けられたものであり、そのうえサセプターのみを加熱するだけでよいので、加熱手段の出力が小さくて済み、経済的である。
【００３８】
また、請求項１記載の酸化物超電導導体の製造装置にあっては、特に、前記サセプターホルダの上面のサセプターの周辺に反射防止板が取り付けられたことにより、酸化物超電導層の形成時にサセプターホルダの上面からの照り返しを減らすことができるので、基材が反射熱などの悪影響を受けることを防止でき、従って、基材の温度を成膜に最適な温度範囲により制御し易いという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の酸化物超電導導体の製造装置をレーザ蒸着装置に適用した第１の実施形態を示す概略構成図である。
【図２】図１のレーザ蒸着装置に備えられた加熱治具を説明するための図であり、（Ａ）はテープ状の基材の上面側から見たときの図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ線断面図ある。
【図３】第２の実施形態のレーザ蒸着装置に備えられた加熱治具をテープ状の基材の上面側から見たときの図である。
【図４】実施例１で得られた酸化物超電導導体の長さ方向の位置ごとの臨界電流を示すグラフである。
【図５】基材の温度プロファイルを示す図である。
【図６】比較例１及び比較例２で得られた酸化物超電導導体の長さ方向の位置ごとの臨界電流を示すグラフである。
【図７】従来のレーザ蒸着装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１・・・基材、１０ａ・・・成膜室、３０・・・加熱治具、３２・・・サセプター、
３２ａ・・・湾曲面、３４・・・サセプターホルダ、３４ｂ・・・上面、
３６・・・ヒータ（加熱手段）、Ｒ・・・曲率半径、４２・・・反射防止板。

Claims

真空排気可能な成膜室の内部を移動中の可撓性を有するテープ状の基材上に結晶化薄膜を順次堆積させ、この結晶化薄膜を熱処理して酸化物超電導層を形成する酸化物超電導導体の製造装置において、前記テープ状の基材の裏面に接触させるための湾曲面を有するサセプターと、該サセプターとは別個に設けられたサセプターホルダと、前記サセプターを加熱するための加熱手段とからなり、前記サセプターがその湾曲面が前記サセプターホルダの上面から突出するようにサセプターホルダに着脱自在に取り付けられてなる加熱治具が備えられ、該加熱治具はテープ状の基材上に結晶化薄膜を堆積する領域の近傍で前記サセプターの湾曲面がテープ状の基材の裏面に接触するように配設されてなり、前記サセプターホルダの上面のサセプターの周辺に、反射防止板が取り付けられていることを特徴とする酸化物超電導導体の製造装置。
前記サセプターの湾曲面の基材の長さ方向に沿った方向の曲率半径が３００〜８００ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の酸化物超電導導体の製造装置。